DE2835363A1 - Optical prodn. of structures on semiconductor circuits - involves use of partly transparent layer on pattern in areas of coarse structure - Google Patents

Optical prodn. of structures on semiconductor circuits - involves use of partly transparent layer on pattern in areas of coarse structure

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DE2835363A1 DE19782835363 DE2835363A DE2835363A1 DE 2835363 A1 DE2835363 A1 DE 2835363A1 DE 19782835363 DE19782835363 DE 19782835363 DE 2835363 A DE2835363 A DE 2835363A DE 2835363 A1 DE2835363 A1 DE 2835363A1
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Abstract

A structure pattern (1') with transparent parts is used for illumination of a photosensitive layer (1) on the surface, at a specified distance from the pattern. Thus illuminated and dark zones are produced on the layer (1). Zones of one type are etched away, and the layer so structured is used for structuring the surface. The structure pattern with coarse and fine structures is covered with a partly transparent layer only in the areas of coarse structures. Its degree of light absorption is such that maxima of illumination are so positioned, that the projected coarse and fine structures are at a specified distance from each other.

Description

Verfahren zum Übertragen von Strukturen für Halbleiter-Method for transferring structures for semiconductor

schaltungen Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Übertragen von Strukturen für Halbleiterschaltungen auf eine Fläche nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.circuits The invention relates to a method of transmission of structures for semiconductor circuits on an area according to the preamble of Claim 1.

Unter einer solchen Fläche ist insbesondere die Oberfläche einer Platte zu verstehen, die aus einem durchsichtigen Material, z.B. Glas, besteht und den Träger für eine Fotomaske darstellt. Zur Herstellung einer solchen wird die Plattenoberfläche zunächst mit einer lichtempfindlichen Schicht überzogen, die in bekannter Weise strukturiert bestrahlt wird, so daß auf ihr belichtete und unbelichtete Zonen entstehen. Von diesen werden die ersteren oder letzteren in einem nachfolgenden Entwicklungsvorgang entfernt. Die auf diese Weise strukturierte, lichtempfindliche Schicht stellt dann eine Kontaktmaske dar, die ein selektives Aufbringen oder Entfernen von lichtundurchlässigen Schichten auf der Platte ermöglicht. Hierbei handelt es sich häufig um Chromschichten, die aufgedampft werden. Diese bilden dann entweder ein einzelnes Strukturmuster oder, wenn die Strukturübertragung mehrfach auf jeweils unterschiedliche Teilgebiete der Platte erfolgt, eine Vielzahl von gleichartigen, nebeneinander liegenden Strukturmustern.Such an area is in particular the surface of a plate to understand, which consists of a transparent material, e.g. glass, and the Represents carrier for a photomask. For the production of such a plate surface initially coated with a photosensitive layer, in a known manner is irradiated in a structured manner, so that exposed and unexposed zones arise on it. Of these, the former or the latter become in a subsequent developing process removed. The light-sensitive layer structured in this way then represents a contact mask that allows selective application or removal of opaque Allows layers on the plate. This is it frequently around chrome layers that are vapor-deposited. These then either form a single one Structure pattern or, if the structure transfer multiple times to different ones Subareas of the plate takes place, a multitude of similar, adjacent ones Structural patterns.

Eine in dieser Weise hergestellte Fotomaske dient dazu, eine lichtemfpindliche Schicht, die auf einem Halbleitersubstrat oder einer dieses abdeckenden, isolierenden oder metallisch leitenden Schicht aufgebracht ist, selektiv zu belichten, um die durch die Maske definierte Struktur mittels an sich bekannter fotolithografischer Verfahrensschritte auf das Substrat oder die abdeckende Schicht zu übertragen.A photomask produced in this way is used to create a light-sensitive Layer that is on a semiconductor substrate or one of these covering, insulating or metallic conductive layer is applied to selectively expose to the structure defined by the mask by means of known photolithographic Transferring process steps to the substrate or the covering layer.

Mit Verfahren der eingangs erwähnten Art, bei denen die Übertragung eines Strukturmusters auf die Fläche mittels einer Lichtstrahlprojektion erfolgt, ist es bisher aufgrund der Kontrastübertragungseigenschaften der Objektive nicht möglich, neben Grobstrukturen, deren kleinste Abmessungen beispielsweise 4/um betragen, auch feine und feinste Strukturen, deren kleinste Abmessungen etwa in einem Größenbereich von 0,5 2/zum liegen, einwandfrei zu übertragen.With the method of the type mentioned at the outset, in which the transfer a structural pattern is carried out on the surface by means of a light beam projection, it has not yet been due to the contrast transmission properties of the lenses possible, in addition to coarse structures, the smallest dimensions of which are, for example, 4 μm, also fine and finest structures, the smallest dimensions of which are roughly in a size range from 0.5 2 / to lie, to transfer flawlessly.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, derartige Verfahren, die eine Lichtstrahlprojektion verwenden, gerade im Hinblick auf eine einwandfreie gleichzeitige Übertragung von Grob- und Feinstrukturen zu verbessern. Das wird gemäß der Erfindung durch die im Kennzeichen des Patentanspruchs 1 angegebenen Maßnahmen erreicht.The invention is therefore based on the object of such methods, who use a light beam projection, especially with a view to a flawless one to improve the simultaneous transfer of coarse and fine structures. That will be according to the invention by the measures specified in the characterizing part of claim 1 achieved.

Der mit der Erfindung erzielbare Vorteil besteht insbesondere darin, daß auch eng nebeneinander liegende Grob- und Feinstrukturen einwandfrei auf eine zu strukturierende Fläche proJiziert werden und daß die durch Beugungs- und Lichtstreuungseffekte gegebene gegenseitige Beeinflussung der Einzelstrukturen kompensiert wird.The advantage that can be achieved with the invention is present in particular in that even coarse and fine structures lying close to one another work perfectly projected onto a surface to be structured and that the diffraction and light scattering effects given mutual influence of the individual structures is compensated.

Anhand der Figuren 1 und 2 sollen zunächst die Probleme einer Grob- und Feinstrukturübertragung mittels einer einzigen Strukturvorlage näher erläutert werden. In Fig. 1 ist aufeine zu strukturierende Fläche 1 ein .quadratisches Fenster 2 mit einer Seitenlänge von etwa 20/um und im Abstand von 11um neben der rechten Seite desselben eine streifenförmige Struktur 3 von 1'zum Breite zu übertragen. Dabei wird eine Strukturvorlage lt verwendet, die ein solches Strukturmuster 2', 3' in Form von durchsichtigen Bereichen auf einer im übrigen mit einer lichtundurchlässigen Schicht abgedeckten Trägerplatte aufweist. Nach einer Belichtung der mit einer lichtempfindlichen Schicht überzogenen Fläche 1 durch Lichtstrahlen 4, die aus einer Lichtquelle 5 stammen, die-Strukturvorlage 1' durchdringen und gegebenenfalls in einer Optik 5a gesammelt werden, um gleichzeitig eine Verkle#inerung, beispielsweise um den Faktor 1Q,- zu erzielen, ergibt sich entlang der Linie. A-A eine Vertei-.Based on Figures 1 and 2, the problems of a rough and fine structure transfer by means of a single structure template explained in more detail will. In Fig. 1, a surface 1 to be structured is a square window 2 with a side length of about 20 / µm and at a distance of 11 µm next to the right one Side of the same to transfer a strip-shaped structure 3 1 'to the width. A structure template lt is used, which has such a structure pattern 2 ', 3 'in the form of transparent areas on an otherwise opaque one Has layer covered carrier plate. After an exposure of the with a photosensitive Layer coated surface 1 by light rays 4 emanating from a light source 5 originate, penetrate the structure template 1 'and optionally in an optic 5a are collected in order to reduce the size, for example by the factor 1Q, - to achieve arises along the line. A-A a distribution.

lung der Belichtungsintensität, wie sie in Fig. 2 dargestellt wird. In dem dort gezeigten Diagramm ist über ~jedem Punkt der mit der Linie A-A zusammenfallenden Abszisse x der sich hieraus ergebende Wert der Belichtungsintensität J auf der lichtempfindlichen Schicht in Richtung der Ordinate aufgetragen.development of the exposure intensity, as shown in FIG. In the diagram shown there, over each point is the one that coincides with line A-A The abscissa x is the resulting value of the exposure intensity J on the light-sensitive Layer applied in the direction of the ordinate.

Im einzelnen ergibt die Belichtung der lichtempfindlichen Schicht auf der Fläche 1 durch das quadratische Fenster 2' unter Berücksichtigung der Beugung und Streuung der Lichtstrahlen 4 eine Verteilung entsprechend der Kurve 6, wobei der Intensität J im Bereich des Punktes 7, d.h.In detail, the exposure of the photosensitive layer results on the surface 1 through the square window 2 'taking into account the diffraction and scattering of the light rays 4 a distribution corresponding to curve 6, whereby the intensity J in the region of point 7, i.e.

für x = 0, eine relative Größe von 100% zugeordnet sein soll. Im Bereich der rechten Kante des Fensters 2 nimmt die Intensität stark ab. Unter der Annahme, daß eine Intensität von etwa 50% ausreicht, um die lichtempfindliche Schicht in einem nachfolgenden Entwicklungsvorgang vollständig wegzuätzen, ergibt sich ein Punkt a, durch den die rechte Kante 8 des abzubildenden Fensters 2 verläuft. Links von der Kante 8 wird das Material der lichtempfindlichen Schicht vollständig weggeätzt, rechts davon bleibt zumindest ein Teil dieser Schicht bestehen.for x = 0, a relative size of 100% should be assigned. In the area the right edge of the window 2, the intensity decreases sharply. Under the assumption, that an intensity of about 50% is sufficient to the photosensitive layer in completely etching away in a subsequent development process results in a Point a, through which the right edge 8 of the window 2 to be imaged runs. Left the material of the photosensitive layer is completely etched away from the edge 8, to the right of this, at least part of this layer remains.

Berücksichtigt man die gleichzeitige Belichtung der Fläche 1 durch die Struktur 3', so ergibt sich eine weitere Intensitätsverteilung gemäß der Kurve 9. Diese weist wegen der relativ geringen Breite der Struktur 3' ein Intensitätsmaximum auf, das in diesem Beispiel nur bei etwa 55% liegt. Da sich auf die lichtempfindliche Schicht über der Fläche 1 die Summenkurve 10 der Belichtungsintensitäten auswirkt, sind alle Orte, deren Abszissenwerte kleiner sind als al, mit einer Belichtungsintensität belegt, die größer ist als 50%, so daß sie nachfolgend weggeätzt werden. Man erkennt hieraus, daß es bei den angegebenen Bemessungsverhältnissen der Strukturen 2 und 3 nicht möglich ist, diese mittels eines üblichen Projektionsverfahrens dicht nebeneinander'auf die Fläche 1 zu übertragen. Anstelle der beiden Einzelstrukturen 2 und 3 ergibt sich vielmehr eine etwa rechteckige Struktur 11, die in Fig. 1 gestrichelt eingezeichnet ist.If one takes into account the simultaneous exposure of area 1 through the structure 3 ', then there is a further intensity distribution according to the curve 9. Because of the relatively small width of the structure 3 ', this has an intensity maximum which in this example is only around 55%. Because of the photosensitive Layer above area 1 affects the cumulative curve 10 of the exposure intensities, are all locations whose abscissa values are smaller than al with an exposure intensity occupied, which is greater than 50%, so that they are subsequently etched away. One recognises from this that with the specified dimensioning ratios of structures 2 and 3 is not possible to place them close to one another by means of a conventional projection method to transfer the area 1. Instead of the two individual structures 2 and 3 results Rather, there is an approximately rectangular structure 11, which is shown in dashed lines in FIG. 1 is.

Gemäß der Erfindung wird bei der Übertragung des in Fig. 1 dargestellten Strukturmusters 2', 3' auf die Fläche 1 so vorgegangen, daß die Strukturvorlage 1? im Bereich der Grobstruktur 2' zunächst mit einer teilweise lichtdurch- lässigen Schicht 15 belegt wird, die strichpunktiert eingezeichnet ist.According to the invention, the transmission shown in FIG. 1 is carried out Structure pattern 2 ', 3' on the surface 1 proceeded so that the structure template 1? in the area of the coarse structure 2 'initially with a partially translucent casual Layer 15 is occupied, which is shown in dash-dotted lines.

Die Belegung mit der Schicht 15 erfolgt dabei mittels an sich bekannter fotolithografischer Schritte, so z.B.The layer 15 is assigned by means of a layer known per se photolithographic steps, e.g.

mittels einer auf der Strukturvorlage'1' aufgebrachten, weiteren lichtempfindlichen Schicht, die in einem Bereich, der der strichpunktierten Linie 15 in Fig. 1 entspricht, selektiv belichtet und sodann weggeätzt wird.by means of a further light-sensitive layer applied to the structure template '1' Layer which, in a region corresponding to the dash-dotted line 15 in FIG. 1, is selectively exposed and then etched away.

Durch die entstandene Öffnung wird dann die teilweise lichtdurchlässige Schicht auf die Strukturvorlage 1' aufgebracht. Dies kann z.B. in der Weise geschehen, daß eine lichtdurchlässige Chromschicht ganzflächig aufgedampft wird und die außerhalb der strichpunktierten Linie 15 liegenden Teile derselben zusammen mit der dort verbliebenen, weiteren lichtempfindlichen Schicht entfernt werden.The partially translucent opening then becomes through the resulting opening Layer applied to the structure template 1 '. This can be done, for example, in the way that a translucent chrome layer is vaporized over the entire surface and the outside the dash-dotted line 15 lying parts of the same together with the remaining there, further photosensitive layer can be removed.

Es folgt eine Belichtung der Fläche 1 bzw. der diese bedeckenden, lichtempfindlichen Schicht durch die mit der Schicht 15 belegte Strukturvorlage 1'. Der Absorptionsgrad der Schicht 15 wird dabei so bemessen, daß sich auf der lichtempfindlichen Schicht innerhalb der projizierten Grobstruktur 2 und innerhalb der projizierten Feinstruktur 3 jeweils Maximalwerte der Belichtungsintensitäten ergeben, die einander soweit angenähert sind, daß diese Strukturen einen vorgegebenen Abstand voneinander haben.This is followed by an exposure of surface 1 or the covering, light-sensitive layer through the structure template covered with layer 15 1'. The degree of absorption of the layer 15 is dimensioned so that on the light-sensitive layer within the projected coarse structure 2 and within of the projected fine structure 3 in each case maximum values of the exposure intensities result, which are approximated to such an extent that these structures have a given Have a distance from each other.

Wie in Fig. 3 veranschaulicht ist, entsteht so innerhalb der projizierten Grobstruktur 2 ein Maximalwert der Belichtungsintensität, der entsprechend der Skala von Fig.2 bei etwa 60% liegt, während innerhalb der projizierten Feinstruktur 3 ein Maximalwert von 55% auftritt. Dabei ergeben sich Verteilungskurven 12 und 13 der Lichtintensitäten. Bildet man aus diesen eine Summenkurve 14, so erkennt man, daß bei den Abszissenwerten x = a', x = alt und x = a2' jeweils die Grenzwerte der Belichtungsintensität auftreten, bei denen sich die Kanten der abgebildeten Strukturen ergeben. Im einzelnen gehört der linksseitig von a' liegende Abszissenbereich zu dem Fenster 2, der zwischen a2' und a' liegende Bereich zu dem zwischen den beiden Strukturen gebildeten Steg und der zwischen a2' und al' liegende Bereich zu der bandförmigen Feinstruktur 3. Die Grobstruktur 2 und die Feinstruktur 3 sind also auf der Fläche 1 deutlich unterscheidbar und damit abbildbar, wobei die durch die Punkte a' und a2' verlaufenden Kanten einen vorgegebenen Abstand voneinander aufweisen.As illustrated in Fig. 3, so arises within the projected Coarse structure 2 a maximum value of the exposure intensity, which corresponds to the scale of FIG. 2 is around 60%, while within the projected fine structure 3 a maximum value of 55% occurs. This results in distribution curves 12 and 13 the light intensities. If a cumulative curve 14 is formed from these, so recognizes one that for the abscissa values x = a ', x = old and x = a2' the limit values in each case the exposure intensity occur at which the edges of the pictured Structures. Specifically, the abscissa area to the left of a 'belongs to window 2, the area between a2 'and a' to that between the two Structures formed web and the area between a2 'and al' to the band-shaped fine structure 3. The coarse structure 2 and the fine structure 3 are therefore on the surface 1 clearly distinguishable and thus reproducible, with the through the Points a 'and a2' extending edges have a predetermined distance from each other.

Gemäß einer Weiterbildung des Verfahrens nach der Erfindung kann man bei einem Strukturmuster mit vielen Einzelstrukturen die letzteren nach ihren kleinsten Abmessungen auf mehrere Größenbereiche aufteilen, wobei die den einzelnen Größenbereichen mit Ausnahme des kleinsten zugeordneten Strukturen mit teilweise lichtdurchlässigen Schichten abgedeckt werden. Dabei sind dann die Lichtabsorptionsgrade der letzteren entsprechend den Größenbereichen, denen die jeweiligen Strukturen angehören, gegeneinander abgestuft, und zwar derart, daß sie umso größer sind, je größer die zugeordneten Größenbereiche sind. Im einzelnen sind die Lichtabsorptionsgrade so gewählt, daß sich auf der die Fläche 1 bedeckenden, lichtempfindlichen Schicht innerhalb der projizierten Strukturen ungeachtet ihrer Zugehörigkeit zu den einzelnen Größenbereichen jeweils Maximalwerte der Belichtungsintensitäten ergeben, die einander so weitgehend angeglichen sind, daß die projizierten Strukturen jeweils einen vorgegebenen Abstand voneinander aufweisen.According to a further development of the method according to the invention, one can in the case of a structure pattern with many individual structures, the latter according to their smallest Divide the dimensions into several size ranges, with the individual size ranges with the exception of the smallest associated structures with partially translucent Layers to be covered. The degrees of light absorption are then the latter according to the size ranges to which the respective structures belong, against each other graded, in such a way that they are larger, the larger the assigned Size ranges are. In detail, the degrees of light absorption are chosen so that on the surface 1 covering, photosensitive layer within the projected structures regardless of their affiliation to the individual size ranges in each case result in maximum values of the exposure intensities that are mutually so largely are adjusted so that the projected structures each have a predetermined distance have from each other.

Das Verfahren nach der Erfindung kann mit besonderem Vorteil zur Strukturübertragung von einer Strukturvorlage auf eine Trägerplatte zum Zwecke der Herstellung einer Fotomaske herangezogen werden. Andererseits kann es-auch in vorteilhafter Weise zur strukturellen Definition von Diffusions- oder Implantationsgebieten auf einem Halbleitérsubstrat oder einer Halbleiterschicht angewendet werden. Dabei besteht die zu struktunerende Fläche aus der Oberfläche des Halbleitersubstrat bzw der Halbleiterschicht oder aus einer diese bedeckenden Maskierungsschicht, z.B. aus SiO2. Wird das Verfahren weiterhin zur Bildung von Gatestrukturen einer integrierten Schaltung herangezogen, so besteht die zu strukturierende Fläche aus einer metallischen Beschichtung oder einer polykristallinen, hochdotierten Siliziumschicht, die auf einem Halbleitersubstrat aufgebracht ist. In jedem der vorstehenden Anwendungsfälle wird die zu strukturierende Fläche mit-einer lichtempfindlichen Schicht überzogen, auf die ein durch eine Strukturvorlage gege#benes Strukturmuster mittels Lichtstrahlen proJiziert wird. Nach der Herstellung der aus den unbelichteten oder belichteten Zonen der lichtempfindlichen Schicht bestehenden Kontaktmaske erfolgt dann jeweils die strukturelle Definition der Diffusionsgebiete oder#Implantationsgebiete auf dem Halbleitersubstrat, der Maskierungsschicht oder der Gatebeschichtung.The method according to the invention can be used with particular advantage for structure transfer from a structure template to a carrier plate for the purpose of producing a Photo mask can be used. On the other hand, it can also be advantageous for the structural definition of diffusion or implantation areas on a Semiconductor substrate or a semiconductor layer are used. There is the area to be structured from the surface of the semiconductor substrate or the semiconductor layer or from a masking layer covering this, e.g. made of SiO2. Will the procedure still used to form gate structures of an integrated circuit, the surface to be structured consists of a metallic coating or a polycrystalline, highly doped silicon layer on a semiconductor substrate is upset. In each of the above use cases, the Surface covered with a light-sensitive layer, on which a structure template given structure pattern is projected by means of light beams. After manufacture that from the unexposed or exposed areas of the photosensitive layer The structural definition of the diffusion areas is then carried out in each case in the existing contact mask or # Implantation regions on the semiconductor substrate, the masking layer or the gate coating.

5 Patentansprüche 3 Figuren5 claims 3 figures

Claims (5)

Patentansprüche öl Verfahren zum Übertragen von Strukturen für Halbleiterschaltungen auf eine Fläche, bei dem eine Strukturvorlage mit durchsichtigen, strukturdefinierenden Teilbereichen von Lichtstrahlen durchdrungen wird, die eine in einem vorgegebenen Abstand von der Strukturvorlage befindliche, auf der Fläche aufgebrachte, lichtempfindliche Schicht belichten, so daß auf dieser belichtete und unbelichtete Zonen entstehen, bei dem die Zonen der einen Art mittels eines Ätzvorganges entfernt werden und bei dem die hierdurch strukturierte Schicht zur Strukturierung der Fläche herangezogen wird, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Strukturvorlage, die Grob- und Feinstrukturen enthält, nur im Bereich der Grobstrukturen mit einer teilweise lichtdurchlässigen Schicht belegt wird und daß der Lichtabsorptionsgrad der teilweise lichtdurchlässigen Schicht so gewählt wird, daß sich auf der lichtempfindlichen Schicht innerhalb der projizierten Grob- und Feinstrukturen jeweils Maximalwerte der Belichtungsintensitäten ergeben, die einander soweit angenähert sind, daß die projizierten Grob- und Feinstrukturen einen vorgegebenen Abstand voneinander aufweisen.Claims oil method for transferring structures for semiconductor circuits on a surface in which a structure template with transparent, structure-defining Partial areas of light rays is penetrated, the one in a given Distance from the structure template, applied to the surface, photosensitive Exposing the layer so that exposed and unexposed zones are created on it, in which the zones of one type are removed by means of an etching process and in which the layer structured in this way is used to structure the surface it will be noted that the structural template, the rough and contains fine structures, only in the area of the coarse structures with a partial translucent layer is covered and that the light absorption rate of the partial light-permeable layer is chosen so that it is on the light-sensitive Layer within the projected coarse and fine structures each have maximum values the exposure intensities that are so approximated that the projected coarse and fine structures have a predetermined distance from each other. 2. Verfahren nach Anspruch 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß die Strukturen nach ihren kleinsten Abmessungen in mehrere unterschiedliche Größenbereiche eingeteilt werden, daß die den einzelnen Größenbereichen mit Ausnahme des kleinsten zugeordneten Strukturen mit teilweise lichtdurchlässigen Schichten abgedeckt werden und daß die Lichtabsorptionsgrade der letzteren derart gegeneinander abgestuft werden, daß sich auf der lichtempfindlichen Schicht innerhalb der projizierten Strukturen unabhängig von ihrer Zugehörigkeit zu den einzelnen Größenbereichen jeweils Maximalwerte der Belichtungsintensitäten ergeben, die einander soweit angenähert sind, daß die proäizierten Strukturen jeweils einen vorgegebenen Abstand voneinander aufweisen.2. The method according to claim 1, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t that the structures according to their smallest dimensions in several different Size ranges are classified that the individual size ranges with the exception of the smallest associated structures with partially translucent layers are covered and that the light absorption levels of the latter so against each other be graded that are on the photosensitive layer within the projected Structures regardless of their affiliation to the individual size ranges respectively Maximum values of the exposure intensities result which approximate one another so far are that the projected structures are each a predetermined distance from one another exhibit. 3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dad u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß das Aufbringen einer teilweise lichtdurchlässigen Schicht auf die Strukturvorlage auf fotolithografischem Wege erfolgt, wobei eine weitere lichtempfindliche Schicht auf der Strukturvorlage aufgebracht, selektiv belichtet und teilweise weggeätzt wird, so daß Öffnungen entstehen, und daß die teilweise lichtdurchlässige Schicht im Bereich dieser Öffnungen aufgebracht wird.3. The method according to any one of claims 1 or 2, dad u r c h g e k It is noted that the application of a partially translucent layer takes place on the structure template by photolithographic means, with another light-sensitive layer applied to the structure template, selectively exposed and is partially etched away, so that openings arise, and that the partially translucent layer is applied in the area of these openings. 4. Verfahren nach Anspruch 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß eine teilweise lichtdurchlässige Chromschicht aufgedampft wird.4. The method according to claim 3, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t that a partially translucent chrome layer is vapor deposited. 5. Strukturvorlage zur Durchführung des Verfahrens nach einem der vorhergehenden Ansprüche, d a d u r c h g e k e n n z e i c h n e t, daß sie Strukturen enthält, die nach ihren kleinsten Abmessungen innerhalb von unterschiedlichen Größenbereichen liegen und daß die den einzelnen Größenbereichen mit Ausnahme des kleinsten zugeordneten Strukturen mit teilweise lichtdurchlässigen, den Größenbereichen individuell zugeordneten Schichten überzogen sind, wobei die Lichtabsorptionsgrade dieser Schichten umso größer sind, je großer die zugeordneten Größenbereiche sind.5. Structure template for carrying out the procedure according to one of the preceding claims, d a d u r c h e k e n n n z e i c h n e t that they structures contains, according to their smallest dimensions within different size ranges and that the assigned to the individual size ranges with the exception of the smallest Structures with partially translucent, individually assigned to the size ranges Layers are coated, the light absorption degrees of these layers all the more are larger, the larger the assigned size ranges are.
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