DE2822571A1

DE2822571A1 - Verfahren zum herstellen eines beugungsgitters

Info

Publication number: DE2822571A1
Application number: DE19782822571
Authority: DE
Inventors: Peter Stanley Cross
Original assignee: Western Electric Co Inc
Current assignee: AT&T Corp
Priority date: 1977-05-26
Filing date: 1978-05-24
Publication date: 1978-11-30
Also published as: NL7805590A; FR2392404A1; BE867225A; SE7805934L; FR2392404B1; IT1095903B; JPS6060042B2; US4093339A; SE431033B; JPS53147555A; CA1074431A; IT7823702A0; GB1602667A

Description

Beschreibung

Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines Gitters in einem Wellenleitersubstrat mit einer Fhotoresistschicht auf der Oberfläche, wobei zwei kohärente Strahlenbündel gegeneinander so orientiert werden, daß ein Interferenzmuster in einem Gebiet einer vorbestimmten räumlichen Ebene erzeugt wird, in der die Oberfläche des Wellenleitersubstrates angeordnet wird.

Wie in der Arbeit "Antisymmetric Taper of Distributed Feedback Lasers", veröffentlicht in IEEE Journal of Quantum Electronics, Band QE-12, Nr. 9, 19· Dezember 1976, Seiten 532 - 539, beschrieben ist, kann ein Laser mit verteilter Rückkopplung ohne Moden-Entartung unter Verwendung eines optischen Wellenleitergitters erzeugt werden, das in der Mitte des Gitters eine Viertelwellenlängenstufe oder-Diskontinuität besitzt. Dieser Laser-Typus mit verteilter Rückkopplung ist deswegen bevorzugt, weil für ihn im Gegensatz zum normalen Laser mit verteilter Rückkopplung, dessen Gitter durchweg regelmäßig periodisch ist, die Ausgangswellenlänge vollständig vorhersagbar ist. Eine bekannte Methode zum Erzeugen eines

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optischen Wellenleitergitters ist in der Arbeit "Piecewise Interferometrie Generation of Precision Gratings" in Applied Optics, Band 16, Nr. 3, März 1977i Seiten 555 - 557 beschrieben. Dort wird das Gitter stückweise hergestellt, indem das Interferenzmuster über ein optisches Substrat mit einer Photoresistschicht bewegt wird. Eine Anwendung dieser Methode zur Erzeugung einer Stufe oder Diskontinuität im Gitter würde die mechanische Einfügung eines 180 "^-Phasenschiebers in den Strahlengang eines der zur Erzeugung des Gitters benutzten kohärenten Strahlenbündels erfordern. Dieses könnte nur geschehen, nachdem das Interferenzmuster verschoben worden ist, um nicht ein vorher erzeugtes Muster zu überlappen. Die genaue Bewegung der beiden kohärenten Strahlenbündel und die mechanische Einfügung des Phasenschiebers stellen äußerst schwierige Probiene bei der Herstellung eines optischen Wellenleiter-Gitters dar, das in seiner Struktur eine Viertelwellenlängenstufe bei minimalem Abstand zwischen den beiden Gittersegmenten aufweist.

Aufgabe der Erfindung ist es deshalb hier abzuhelfen.

Gemäß der Erfindung wird dieses dadurch erreicht, daß wenigstens ein Blatt aus einem Medium hohen Brechungsindexes in einer im wesentlichen.senkrecht zur Oberfläche des Substrates verlaufenden Richtung gehalten und so angeordnet wird, daß

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sich das Interferenzmustergebiet beidseits der Schicht befindet, wodurch das Gitter am Ort des Blattes hohen Brechungsindexes eine Diskontinuität aufweist.

Entsprechend einer Ausführungsform der Erfindung weist eine ' Apparatur zum Erzeugen eines Interferenzmusters in einer ein Substrat tedeckenden Photoresistschicht nach der vorstehenden Methode eine Strahlungsquelle zum Erzeugen zweier kohärenter Strahlenbündel auf, die zum Erzeugen eines Interferenzmusters in einem vorbestimmten Gebiet der Photoresistschicht bestimmt sind. Die Apparatur weist wenigstens ein Blatt aus einem Medium hohen Brechungsindexes auf, das benachbart dem vorbestimmten Gebiet im wesentlichen senkrecht zur Wellenleiterschicht des Substrates angeordnet und so orientiert ist, daß nur ein Teil eines jeden der beiden Strahlen durch das Blatt hindurchläuft, bevor er auf die Photoresistschicht auftrifft. Auf diese Weise entsteht in der Wellenleiterschicht des Substrates ein Gitterresonator, der eine Diskontinuität am Ort des Blattes hohen Brechungsindexes besitzt.

Ein Vorteil der Erfindung liegt darin, ein optisches Wellenleitergitter mit einer eingefügten Stufe oder Diskontinuität zu erhalten, ohne daß hierzu das mechanische Einsetzen von 180°-Phasenschiebern während der Gitterherstellung erforderlich sein würde.

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Ein weiterer Vorteil liegt darin, daß ein optisches Wellenleitergitter verfügbar gemacht wird, bei dem der Abstand zwischen zwei, durch eine Viertelwellenlängenstufe getrennten Gittersegmenten ein Minimum ist.

Fernerhin erhält man den Vorteil, daß auf dem selben optischen Wellenleitersubstrat mehrere optische Resonatoren in Serie erzeugt werden können, um so ein optisches Wellenleiterfilter mit mehreren resonanten Resonatorgliedern realisieren zu können.

Nachstehend ist die Erfindung anhand in der Zeichnung dargestellter Ausführungsformen im einzelnen beschrieben; es zeigen

Fig. 1 eine schematische Ansicht einer Apparatur mit einem erfindungsgemäßen optischen Wellenleitergitter,

Fig. 2 eine Schrägansicht zweier Quarzglasblöcke, die durch ein Blatt aus einem Glas hohen Brechungsindexes voneinander getrennt sind,

Fig. 3 eine vergrößerte Teilansicht der Stoßfuge zwischen

den Quarzglasblöcken und dem Glas hohen Brechungsindex^ nach Fig. 2,

Fig. 4 den Strahlengang zur Erläuterung der Verarbeitung des Lichtes in der Apparatur nach Fig. 1,

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Fig. 5 ein Diagramm zur Darstellung der Wellenlängenabhängigkeit der Übertragung für ein erfindungsgemäß hergestelltes Gitter und

Fig. 6 eine Teilansicht sowie den Strahlengang für eine Ausführungsform, bei der eine Mehrzahl Blätter hohen Brechungsindexes zur Erzeugung mehrerer in Serie geschalteter optischer Wellenleitergitter benutzt sind.

Bei einer Ausführungsform der Erfindung werden zwei kohärente Strahlenbündel dadurch erzeugt, daß das Ausgangsstrahlenbündel eines einzigen Lasers durch eine Strahlteiler- und Spiegelanordnung hindurchgeschickt wird. Ein Teil eines jeden der beiden Strahlenbündel wird dann durch ein Blatt aus einem Medium hohen Brechungsindexes hindurchgeschickt, bevor dieser Teil des Strahlenbündels mit dem anderen Strahlenbündel auf der Photoresistschicht eines optischen Wellenleitersubstrates interferiert. Hierbei ist das Blatt aus einem Medium hohen Brechungsindexes bevorzugt durch eine Dünnschicht eines hochbrechenden Glases gebildet, die in einer im wesentlichen senkrecht zum optischen Wellenleitersubstrat orientierten Lage gehalten und in dieser Position dadurch fixiert ist, daß sie zwischen zwei Quarzglasblöcken gelegen ist, die an das optische Wellenleitersubstrat angrenzen. Das hochbrechende Glas führt eine Phasenverschiebung von ± 90° in die es passierende

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Strahlung ein. Als Ergebnis wird das auf der einen Seite der hochbrechenden Dünnschicht entstehende Interferenzmuster erzeugt durch das eine der Strahlenbündel, das mit dem zweiten Strahlenbündel nach dessen Phasenverschiebung um 90 interferiert, während das auf der anderen Seite der hochbrechenden Dünnschicht entstehende Interferenzmuster durch das zweite Strahlenbündel erzeugt wird, das mit dem ersten Strahlenbündel nach dessen Phasenverschiebung um 90 interferiert. Das resultierende Interferenzmuster, das in der Photoresistschicht erzeugt wird, wird entwickelt, wonach ein optisches Wellenleitergitter auf dem Substrat nach allgemein bekannten Ionenstrahl-Mikrobearbeitungsmethoden erzeugt wird. Das resultierende Gitter hat eine Viertelwellenlängenstufe oder -diskontinuität an einer der Lage der hochbrechenden Glasdünnschicht entsprechenden Stelle.

Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung werden mehrere in Serie geschaltete optische Resonatoren dadurch erzeugt, daß die miteinander zu koppelnden optischen Strahlenbündel durch eine Mehrzahl Blätter hohen Brechungsindexes hindurchgeschicict werden. Jedes dieser Blätter ist im wesentlichen senkrecht zum optischen Wellenleitersubstrat angeordnet und so orientiert, daß es parallel zu den benachbarten hochbrechenden Blättern steht.

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Bei der Anordnung nach Fig. 1 erzeugt ein Helium/Cadmium-Laser 10 ein kohärentes Strahlenbündel 3 bei einer Wellenlänge von 325 nm und mit einer Leistung von etwa 10 mW. Das kohärente Strahlenbündel durchquert ein räumliches Filter 11. Letzteres sorgt dafür, daß das Strahlenbündel hinter dem Filter als ein Gaußscher Einzelmode vorliegt. Dieser Einzelmode durchquert ein Strahlenbündelexpandierglied 12, der den Durchmesser des Strahlenbündels von 1 auf 10 mm vergrößert. Der speziell gewählte Durchmesser hängt dabei von der Größe des herzustellenden Gitters ab. Das bei 12 vergrößerte Strahlenbündel trifft dann auf einen Strahlteiler 13 auf, der einen Teil des Strahlenbündels reflektiert und den Rest hindurchläßt. Auf diese Weise entstehen ein erstes und ein zweites kohärenter· Strahlenbündel 1 bzw. 2.

Die kohärenten Strahlenbündel 1 und 2 werden an Spiegeln 14 bzw. 15 mit dem Ziel reflektiert, daß die reflektierten Strahlenbündel 1 und 2 in einer vorbestimmten räumlichen Ebene zur Interferenz miteinander gebracht werden. Diese vorbestimmte räumliche Ebene entspricht jener Ebene, in welcher die Strahlenbündel 1 und 2 das übliche Interferenzmuster erzeugen werden, das zur Herstellung eines optischen Gitters in einer Photoresistschicht benötigt wird. Dis Ebene, in der die Strahlenbündel 1 und 2 interferieren, ist in Fig. 1 nicht einfach durch die Schnittpunktslinie bestimmt, da die Strahlenbündel 1 und 2 in Quarzglasblöcke 21 bzw. 20 eingekoppelt v/erden. Beim

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Durchqueren dieses optisch dichteren Mediums werden nämlich die Strahlenbündel 1 und 2 gebrochen und interferieren nach dieser Brechung in einer vorbestimmten räumlichen Ebene, die mit einer auf der Oberfläche eines optischen Substrates 4 niedergeschlagenen Photoresistschicht zusammenfällt.

Die vorbestimmte räumliche Ebene, bei der das Interferenzmuster erzeugt wird, hängt von der Orientierung der Spiegel 14 und 15 ab. Jeder dieser Spiegel ist für einen Einfallswinkel θ des an ihm einfallenden Strahlenbündels orientiert. Der Winkel θ kann für jeden der Spiegel 14 und 15 geändert werden, um die Periodizität des herzustellenden Gitters zu ändern. Bekanntlich erfordert diese Periodizitätsänderung auch eine Neujustierung des optischen Substrates 40, um sicherzustellen, daß das Interferenzmuoter in der Photoresistschicht erzeugt wird. Die gesamte, aus den Blöcken 20 und 21 und dem optischen Substrat 40 bestehende Anordnung kann auch um eine senkrecht zu den Strahlenbündeln 1 und 2 verlaufende Achse in einer Richtung gedreht werden, wie diese durch den Winkel φ in Fig. 1 angegeben ist. Die Anordnung wird aus Gründen gedreht, die nachstehend noch zusammen mit der Erläuterung der Quarzblockanordnung 20, 21 beschrieben werden.

In Fig. 2 sind die optischen Quarzblöcke 20 und 22 gesondert herausgezeichnet. Bei der dargestellten Ausführungsform hat

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jeder der Blöcke 20 und 21 eine Höhe H und eine Breite W von annähernd 25,4 mm und eine Länge von annähernd 50,8 mm. Die Blöcke 20 und 21 sind unter Zwischenschaltung eines dünnen hochbrechenden Mediums miteinander verkittet; der dadurch resultierende einteilige Block hat eine Länge L von etwa 101,6 mm. Dieser integrierte Block wird dadurch hergestellt, daß zunächst einzelne Quarzblöcke genommen und deren optischen Flächen 22 bis 27 poliert werden. Diese hochpolierten Oberflächen müssen so plan wie möglich sein, um eine Verzerrung der Wellenfront des Strahlenbündels zu minimalisieren.

Ein dünnes Plättchen aus hochbrechendem Glas der ungefähren Abmessungen von 25,4 χ 25,4 mm sollte auf beiden Hauptflächen bei einem minimalen Keilwinkel optisch poliert sein. Nach dem Polieren wird das hochbrechende Glasplättohen unter Verwendung eines ultraviolett durchlässigen Klebstoffes an die hochpolierte Fläche 24 oder 25 des einen oder anderen der Blöcke 20 bzw. 21 angeklebt. Das hochbrechende Glasplättchen wird dann nach üblichen Linsenschleifmethoden auf eine Dicke D zwischen 10 und 25 Mikrometer heruntergeschliffen. Sodann wird auf die freiliegende Fläche des hochbrechenden Glases wiederum ultraviolettdurchlässiger Klebstoff aufgebracht und mit der hochpolierten Fläche 25 bzw. 24 des anderen Glasblokkes verkittet. Es versteht sich, daß die Erfindung nicht auf die Verwendung eines hochbrechenden Glases beschränkt ist. Es

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könnte auch ein organischer Film, z. B. ein Kunststoffilm, den notwendigen hohen Brechungsindex bereitstellen und könnte auch eine mechanisch selbsttragende Struktur haben.

Die gesamte, vorstehend beschriebene Herstellung des integrierten Blockes führt zu einer Sandwichstruktur wie diese in vergrößertem Maßstab in Fig. 3 dargestellt ist. Hiernach ist die hochpolierte Fläche 24 des Blockes 20 von der hochbrechenden Glasschicht 30 durch einen ultraviolettdurchlässigen Klebstoff 31 getrennt. In ähnlicher Weise ist die hochpolierte Fläche 25 des Blockes 21 von der hochbrechenden Glasschicht 30 durch eine ultraviolettdurchlässige Klebstoffschicht 32 getrennt. Die Klebstoffschichten 31 und 32 müssen so dünn wie möglich, vorzugsweise kleiner als 25 Mikrometer, sein, und der Klebstoff sollte so gewählt werden, daß dessen Brechungsindex so dicht wie möglich bei dem von Quarz gelegen ist.

Die Orientierung der optischen Strahlenbündel 1 und 2 gegenüber der integrierten Blockstruktur und dem optischen Substrat ist in Fig. 4 dargestellt. Man sieht, daß die Quarzblockstruktur 20, 21 so angeordnet ist, daß die Strahlenbündel 1 und 2 auf die Photoresistschicht 41 beidseits der Linie auftreffen, längs der die hochbrechende Glasschicht an die Photoresistschicht angrenzt. Das optische Substrat 40 kann

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ein einfacher Glasträger sein, der in Silbernitratlösung eingetaucht worden ist. Hierbei werden Natriumionen des Glases durch Silberionen ausgetauscht, wodurch eine wellenleitende Schicht auf der Oberfläche des Glasträgers entsteht. Eine Photoresistschicht 41 ist in Fig. 4 vergrößert dargestellt, um ihre Gegenwart zwischen dem optischen Substrat und der integrierten Blockstruktur mit den Blöcken 20 und 21 und der hochbrechenden Schicht 30 zu verdeutlichen.

Bei Anordnung der Blockstruktur in der in Fig. 4 dargestellten Lage läuft etwa die Hälfte ^edes der Strahlenbündel 1 und 2 durch die hochbrechende Schicht 30, bevor sie mit dem andern Strahlenbündel auf der Photoresistschicht interferiert. Beim Durchqueren dieser hochbrechenden Glasschicht wird das Licht einer resultierenden Phasenänderung von etwa ± 90° unterworfen, wobei die exakte Phasenverschiebung von der Dicke der hochbrechenden Schicht abhängt. Im Ergebnis entsteht eine Phasenänderung von etwa 180° zwischen dem Interferenzmuster, das auf der einen Seite der hochbrechenden Schicht erzeugt wird, und dem Interferenzmuster, das auf der anderen Seite der hochbrechenden Schicht entsteht.

Nach Belichtung mit dem Interferenzmuster wird die Photoresistschicht in der üblichen Weise entwickelt und wird ein optisches Gitter auf der Oberfläche des optischen Substrates 40 durch

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Ionenstrahl-Mikrobearbeitung erzeugt. Bezüglich Einzelheiten der Ionenstrahl-Mikrobearbeitung sei verwiesen auf "Ion Beam Micromachining of Integrated Optics Components" von H. L. Garvin et al. in Applied Optics, Band 12, Nr. 3, März 1973, Seiten 455 - 459.

Wenn die hochbrechende Schicht eine Phasenverschiebung von im wesentlichen 90° für jedes Strahlenbündel liefert, dann wird das resultierende Gitter eine bezüglich seiner Resonanzwellenlänge vollkommen symmetrische Übertragungskennlinie haben. Das resultierende Übertragungsgitter kann bezüglich seiner Symmetrie geprüft werden durch Anschließen einer optischen Quelle am einen Ende der im optischen Substrat 40 erzeugten wellenleitenden Schicht und durch Messen der Ausgangsstrahlung, die am anderen Ende des Substrates 40 Vorhandan ist. Wenn in dem Gitter die gewünschte Viertelwellenlängenstufe erzeugt worden ist, dann wird das Ergebnis dieser Messung eine Übertragungskennlinie der in Fig. 5 dargestellten Art sein. Wie dort dargestellt, liefert das Gitter mit der Yiertelwellenlängenstufe eine schmale Bandpaßkennlinie bei einer einzigen Wellenlänge

Die Kennlinie wird nur mit vollkommener Symmetrie erhalten, wenn die hochbrechende Schicht 30 eine Phasenverschiebung von ± 90° beiden kohärenten Strahlenbündeln 1 und 2 auferlegt. Eine Schichtdicke, die eine von 90° abweichende Phasenverschie-

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bung liefert, kann noch zur Erzeugung der symmetrischen Kennlinie benutzt werden, wenn die Schicht 30 um eine Achse senkrecht zu den Strahlenbündeln 1 und 2 in der durch den Winkel φ in Fig. 1 dargestellten Richtung gedreht wird. Eine derartige Drehung verursacht, daß dem einen der Strahlenbündel mehr von dem hochbrechenden Medium dargeboten wird, während der Anteil des hochbrechenden Mediums, der dem anderen Strahlenbündel dargeboten wird, abnimmt. Eine Drehung um mehrere Grade in φ wird die Größe der durch 180° präsentierten Phasenverschiebung ändern. Zusätzlich ist die durch die Drehung eingeführte Phasenverschiebung eine nichtlineare Funktion des Drehwinkels d_f und deshalb ist der Betrag der Phasenverschiebung, der dem einen Strahlenbündel hinzugefügt wird, nicht gleich dem Betrag, um den die Phasenverschiebung des andern Strahlenbündels verringert wird. Folglich können die hochbrechende Schicht 30 und das optische Substrat 40 um eine Achse senkrecht zu den Strahlenbündeln 1 und 2 gedreht werden, um eine 180° Phasenverschiebung im entstehenden Interferenzmuster auch mit einem ziemlich großen zulässigen Dicken-Bereich (D) für die hochbrechende Schicht 30 zu erreichen. Die Dicke D der Schicht 30 sollte dabei so klein wie möglich gehalten werden, um die Abmessungen der eingeführten Viertelwellenlängen-Stufe zu minimalisieren.

Insoweit es äußerst schwierig ist, die für den Erhalt einer

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90° Phasenverschiebung erforderliche Dicke der hochbrechenden Schicht genau bereitzustellen, ist die übliche Prozedur zum Erhalt einer symmetrischen Übertragungskennlinie die, mehrere optische Substrate unter verschiedenen Werten für den Winkel φ in Fig. 1 zu belichten. Sodann wird die Lage der Bandpaßspitze als Funktion des Winkels Φ graphisch aufgetragen, und aus dieser Kurve kann dann der genaue Winkel bestimmt werden, unter welchem das Substrat 40 angeordnet werden muß, um eine vollkommen symmetrische Übertragungskennlinie zu erhalten.

Der beschriebene Gittertypus ist bei Lasern mit verteilter Rückkopplung brauchbar. Hierzu hat das Gitter eine einzige Stufe oder Diskontinuität in seiner Mitte. Ein Gitter mit mehreren Viertelwellenlängenstufen, die voneinander um ein vorbestimmtes Intervall regelmäßiger Gitterperiodizität getrennt sind, ist zum Aufbau einer Reihe in Serie geschalteter resonanter Glieder bei optischen Frequenzen brauchbar· Dieser letztere Gittertypus mit mehrfachen Viertelwellenlängenstufen kann mit Hilfe einer optischen Blockanordnung der in Fig. 6 dargestellten Art hergestellt werden.

In Fig. 6 entsprechen die Blöcke 65 und 66 den Blöcken 20 und 21 in Fig. 4, sie sind jedoch durch eine Sandwich-Struktur voneinander getrennt, die aus drei hochbrechenden Schichten 60, 61 und 62 mit Je zwischengeschalteten kleineren Quarzglas-

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bBcken 63 und 64 aufgebaut ist. In diesem Fall unterliegen die Strahlenbündel 1 und 2 mehreren Phasenverschiebungen von 90° bei ihrem Durchqueren der einzelnen hochbrechenden Schichten. Das resultierende Gitter wird demgemäß Viertelwellenlängenstufen an jenen Stellen haben, die den Linien entsprechen, längs derer die hochbrechenden Schichten 60, 61 und 62 an die Photoresistschicht 41 angrenzen.

Bei der Anordnung nach Fig. 6, bei der mehrere hochbrechende Schichten vorgesehen sind, muß die Dicke der hochbrechenden Schichten strikt kontrolliert werden. Folglich sind bei dieser Ausführungsform andere hochbrechende Medien als Glas bevorzugt. Die hochbrechenden Schichten, deren Dicke genau zu kontrollieren ist, können auf Quarzblöcken unter Verwendung einer Niederschlagsmethode hergestellt werden, wobsi die niedergeschlagene Schichtdicke gleichzeitig in situ gemessen wird.

Ersichtlich ist die Anzahl der Viertelwellenlängenstufen, die in dem Gitter erzeugt werden können, nicht begrenzt. Zusätzliche Stufen erfordern einfach die Anordnung zusätzlicher hochbrechender Schichten im Strahlengang der Strahlenbündel 1 und 2.

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Claims

BLUMBACH · WESER · BERGEN · KRAMER ZWIRNER · HiRSCH · BREHM 'Ϊ O '! T C "7 "1 PATENTANWÄLTE IN MÖNCHEN UND WIESBADEN ^ '' l *~ ° ' ' Patentconsult Radedcestraße 43 8000 München 60 Telefon (089)883603/883604 Telex 05-212313 Telegramme Patentconsult Patentconsult Sonnenberger Straße 43 6200 Wiesbaden Telefon (06121)562943/561998 Telex 04-186237 Telegramme Patentconsult Western Electric Company, Incorporated New York, N.Y., USA Cross 1 Verfahren zum Herstellen eines Beugungsgitters Patentansprüche

1. Verfahren zum Herstellen eines Beugungsgitters in einem Viel-

lenleitersubstrat (40), das auf der Oberfläche mit einer Photoresist-Schicht (41) versehen ist, wobei zwei kohärente Strahlenbündel (1, 2) gegenseitig so orientiert werden, daß sie in einem Gebiet einer vorbestimmten räumlichen Ebene ein Interferenzmuster erzeugen, in welcher die Oberfläche des Wellenleitersubstrates angeordnet wird, dadurch gekennzeichnet , daß wenigstens ein Blatt aus einem Medium hohen Brechungsindexes (3Oj 60, 61, 62) in einer im wesentlichen senkrecht zur Ober-

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München: R. Kramer Dipl.-Ing. · W. Weser Dipl.-Phys. Dr. rer. nat. · P. Hirsch Dipl.-Ing. · H.P. Brehm Dipl.-Chem. Dr. phil. nat. Wiesbaden: P.G. Blumbach Dipl.-Ing. ■ P.Bergen Dipl.-Ing. Dr. jur. · G. Zwirner Dipl.-Ing. Dipl.-W.-Ing.

ORIGINAL INSPECTED

fläche des Substrates (40) orientierten Richtung gehalten und so angeordnet wird, daß das Interferenzmustergebiet beidseits des Blattes zu liegen kommt, wodurch das Gitter eine Diskontinuität am Ort des Blattes hohen Brechungsindexes aufweist.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Blatt hohen Brechungsindexes (30; 60, 61, 62) gegenüber den beiden kohärenten Strahlenbündeln (1, 2) so angeordnet wird, daß nur ein Teil jedes der beiden Strahlen vor seinem Auftreffen auf der Photoresistschicht (41) durch das Blatt hindurch verläuft.

3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Blatt hohen Brechungsindexes dadurch in Stellung gehalten und angeordnet wird, daß es zwischen zwei Quarzglasblöcken (20, 21; 63, 64, 65, 66) mechanisch gehalten wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3» dadurch gekennzeichnet, daß das Blatt (30; 60, 61, 62) hohen Brechungsxndexes mit den beiden Quarzglasblöcken mit Hilfe einer Schicht eines im Ultravioletten durchlässigen Klebstoffes (31; 32) verklebt wird.

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5. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß eine Mehrzahl Blätter aus einem Medium hohen Brechungsindexes (60, 61, 62) in Stellung gebracht und orientiert werden derart, daß ein Gitter mit einer Mehrzahl Diskontinuitäten auf der Substratoberfläche erzeugt wird.

6. Vorrichtung zum Erzeugen eines Interferenzmusters in einer Photoresistschicht (41), mit der ein Substrat (40) überzogen ist, das eine Wellenleiterschicht entsprechend dem Verfahren nach Anspruch 1 aufweist, wobei eine Strahlungsquelle (10-15) zum Erzeugen zweier kohärenter Strahlenbündel (1, 2) vorgesehen ist, die zur Erzeugung eines Interferenzmusters in einem vorbestimmten Gebiet der Photoresistschicht (41) bestimmt sind,

dadurch gekennzeichnet , daß wenigstens ein Blatt aus einem Medium hohen Brechungsindexes (30) benachbart dem vorbestimmten Gebiet im wesentlichen senkrecht zu der Wellenleiterschicht angeordnet und so orientiert ist, daß nur ein Teil eines jeden der beiden Strahlenbündel (1, 2) durch das Blatt hindurchgeht, bevor er auf der Photoresistschicht (41) auftrifft, wodurch ein Gitterresonator mit einer Diskontinuität in cbr Wellenleiterschicht des Substrates (40) erzeugt wird.

7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch g e k e η η -

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zeichnet , daß eine Mehrzahl Blätter hohen Brechungsindexes (60, 61, 62) benachbart dem vorbestimmten Gebiet und im wesentlichen senkrecht zu der Wellenleiterschicht angeordnet sind.

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