DE2811290A1

DE2811290A1 - Anzeigefeld

Info

Publication number: DE2811290A1
Application number: DE19782811290
Authority: DE
Inventors: Juris A Asars; Karl Ka-Chung Yu
Original assignee: Westinghouse Electric Corp
Current assignee: CBS Corp
Priority date: 1977-03-23
Filing date: 1978-03-15
Publication date: 1978-09-28
Also published as: US4112333A; DE2811290C2; JPS53117997A; FR2385165A1; FR2385165B1; NL188062B; GB1602772A; NL7802991A; NL188062C

Description

Anzeigefeld

Die Erfindung betrifft ein Anzeigefeld mit in Reihen und Spalten zwischen Kreuzungspunkten von Signalleitungen angeordneten Anzeigeelementen, wobei das die Anzeige vermittelnde Medium zwischen einer individuellen und einer auf Abstand befindlichen vorderseitigen Elektrode angeordnet ist.

Zur Herstellung flacher Anzeigefelder wurde bereits eine Vielzahl von Technologien vorgeschlagen, um solche Anzeigefelder aus lichtemittierenden Dioden, elektrolumineszierenden Anzeigeelementen oder Flüssigkristallelementen aufzubauen. Die dabei benutzten Adressierungssysteme umfassen eine koinzidente Adressierung über die in Reihen und Spalten verlaufenden Signalleitungen X und Y. Es wurde in diesem Zusammenhang auch schon die Verwendung von Dünnschicht-Transistoren vorgeschlagen, die in das Anzeigefeld integriert und individuellen Anzeigeelementen zur Steuerung zugeordnet sind. (US-PS 3 840 695 und 4 006 383).

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Derartige Dünnschicht-Transistoren sind besonders günstig für die Verwendung in flachen Anzeigefeldern geeignet und es ist bekannt, daß solche Transistoren mit einem Gleitgate versehen sein können, um ein Element zu schaffen, das steuerbare veränderliche Leitwerteigenschaften hat. Solche Transistoren werden auchalsSpeichertransistoren bezeichnet und sind bezüglich ihrer Herstellung bereits bekannt ("Experimental Realization of Floating-Gate-Memory Thin-Film Transistor", Proceedings of the IEEE, Band 63, S. 826-827, Mai 1975).

Es ist auch bekannt, daß Flüssigkristall elemente als passive Elemente gegenüber aktiven besonders vorteilhafte funktioneile Eigenschaften haben. Diese Elemente sind in heller Umgebung einsetzbar und insbesondere bei extrem hellen Lichtbedingungen gut lesbar. Außerdem können derartige Flüssigkristallelemente mit einer niederen Gleichspannung betrieben werden und haben einen verhältnismäßig geringen Leistungsbedarf. Dabei sind zwei unterschiedliche Typen bekannt, wobei im einen Fall durch Reflexion des auftreffenden Lichtes und im anderen Fall durch diffuses Hindurchtreten des auftreffenden Lichtes das Element zum Leuchten gebracht wird.

Der mit einemFlüssigkristallelement integrierte Speichertransistor eliminiert die Notwendigkeit für großflächige Speicherkapazitäten als Teil des Anzeigeelementes. Damit läßt sich das Flüssigkristallelement bezüglich der Größe optimieren. Der Speichertransistor liefert die notwendige Schwellspannung und den Speicher für das Element für sich wiederholende multiplexe Anwendungen. Das Flüssigkristallelement kann sowohl für die Ausnutzung des Effekts der dynamischen Streuung als auch des Effekts der Deformation aufgerichteter Phasen aufgebaut sein.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Anzeigefeld zu schaffen, bei dem große Signalspeicherkondensatoren eliminiert werden können und

optimale

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optimale Flächengrößen für die Anzeigeelemente erzielbar sind.

Diese Aufgabe wird ausgehend von dem eingangs erwähnten Anzeigefeld erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß jeweils ein Speichertransistor für jedes Anzeigeelement an in Reihen verlaufende Umschaltsignalleitungen und in Spalten verlaufenden Informations Signalleitungen sowie an jeweils die individuelle Elektrode des Anzeigeelementes angeschlossen ist, daß an das Gleitgate des jeweiligen Speichertransistors Adressiereinrichtungen angeschlossen sind, um mit über eine Umschaltsignalleitung angelegten Impuls Signalen den jeweiligen Speichertransistor in den EIN-Zustand zu schalten und über eine Informations Signalleitung Ladungsausgleichsimpulse anzulegen, und daß der mit dem entsprechenden Anzeigeelement verbundene und mit Taktimpulsen von Treiberstufen beaufschlagbare jeweilige Speichertransistor die Amplitude und den Arbeitskontakt des am Anzeigeelement wirksamen Signals als Funktion des gespeicherten Signals am Gleitgate steuert.

Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von weiteren Ansprüchen.

Mit den Maßnahmen der Erfindung läßt sich ein Anzeigefeld schaffen, bei dem die einzelnen Bildpunkte großflächige Anzeigeelemente enthalten und nur sehr wenig Fläche im Anzeigefeld für die Signalleitungen und den steuerbaren Speichertransistor benötigt wird.

Die Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich auch aus der nachfolgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispieles in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeichnung. Es zeigen:

Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Teils eines Anzeigefeldes

gemäß der Erfindung;
Fig. 2 eine Draufsicht auf den Aufbau eines Flüssigkristallelementes

für das

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für das Anzeigefeld;

Fig. 3 einen Schnitt längs der Linie III-III der Fig. 2, welcher den

Schichtaufbau eines Speichertransistors zeigt;

Fig. 4 Schwingungsformen für Betriebspotentiale, wenn eine Information zur Darstellung gelangt, wobei sich diese Schwingungsformen nicht auf das Einschreiben bzw. Löschen einer Information beziehen;

Fig. 5 beispielsweise Schwingungsformen, welche an die Informations-

Signalleitungen Xi und die Umschaltsignalleitungen Yj angelegt werden, um ein Informations signal an ein bestimmtes Anzeigeelement anzulegen.

Die Erläuterung der Erfindung erfolgt in Verbindung mit ihrer Anwendung auf ein Anzeigefeld mit Flüssigkristallelementen als Anzeigeelemente.

Das Anzeigefeld 10 ist schematisch für lediglich einige Flüssigkristallelemente in Fig. 1 dargestellt und besteht aus einem in Reihen und Spalten angeordneten Feld aus Flüssigkristall-Anzeigeelementen 12. Diese Elemente sind an vertikale Informations Signalleitungen Xl, X2, X3, X4 und horizontale Umschaltsignalleitungen Yl, Y2, Y3 angeschlossen. Die Anzahl der Spalten und Reihen und damit die Anzahl der einzelnen Flüssigkristall-Anzeigeelemente kann beliebig sein und hängt von der Größe des gewünschten Anzeigefeldes ab, wobei die Anzahl der in den Spalten und Reihen angeordneten Flüssigkristallelemente pro cm das Auflösevermögen des Anzeigefeldes bestimmt.

Die Informationssignalleitungen Xi sind an der Peripherie des Anzeigefeldes mit einer Treiberstufe 50 für die Informations signale verbunden, welche das

- entsprechende

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entsprechende Informations signal für ein bestimmtesFlüssigkristallelement des Feldes liefert. Das Potential dieses Informations signals legt fest, ob das Flüssigkristallelement teilweise oder ganz eingeschaltet bzw. abgeschaltet ist. Die Umschaltsignalleitungen Yi sind ebenfalls an der Peripherie mit einer Treiberstufe 52 für die Umschaltsignale verbunden, welche die Adressierung der Informations signale auf der Informationssignalleitung Xi synchronisiert, um festzulegen, daß das richtige Flüssigkristallelement des Feldes mit dem richtigen Informations signal adressiert wird.

Jedem Flüssigkristall-Anzeigeelement 12 ist ein Speichertransistor TM zugeordnet, dessen Gate mit der seiner Position entsprechenden Umschaltsignalleitung Yj verbunden ist, welche die dem Anzeigeelement zugeordnete Reihe definiert. Die Source des Speichertransistors TM ist mit der Informationssignalleitung Xi verbunden und definiert damit die Spalte des zugeordneten Anzeigeelementes. Die Drain des Speichertransistors TM ist mit der einen Elektrode 14 des Flüssigkristallelementes 16 verbunden. Die vorderseitige Elektrode 18 ist lichtdurchlässig und überzieht als einheitliche Elektrode des gesamte Anzeigefeld. Der Speichertransistor TM ist mit einem Gleitgate versehen, wodurch die Speichereigenschaften des Transistors bewirkt werden.

Die vorderseitige Elektrode 18 ist an der Peripherie des Anzeigefeldes mit einer Stromversorgung 54 versehen, von welcher aus das Ansteuerpotential für die Flüssigkristall elemente zugeführt wird, um die Lichtdurchlässigkeit der einzelnen individuellen Flüssigkristall elemente entsprechend der Ansteuerung einzustellen. Für ein Anzeigefeld, das mit gesteuerter Lichtdurchlässigkeit der Flüssigkristall elemente arbeitet, sind die individuellen Elektroden 14 lichtdurchlässig, wobei das Licht durch die Substratrückseite des Anzeigefeldes geführt wird, um eine Anzeige zu bewirken. Bei einem Anzeigefeld, das mit Reflexlicht arbeitet, reflektieren die individuellen

Elektroden 14

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Elektroden 14 das Licht und wirken wie ein Spiegel für das durch die vorderseitige Elektrode einfallende Licht.

Der Aufbau eines Flüssigkristall-Anzeigeelementes sowie des Speichertransistors ist in den Fig. 2 und 3 im Detail dargestellt. Der Speichertransistor TM ist im oberen linken Eck des Anzeigeelementes 12 angeordnet, und zwar im Bereich der Überkreuzung der Umschaltsignalleitung Yl mit der Informationssignalleitung Xl. Die Drain des Speichertransistors TM wird in den Bereich der individuellen Elektrode 14 weitergeführt, welche den größten Flächenanteil zwischen den senkrecht verlaufenden Informations-Signalleitungen und den waagrecht verlaufenden Umschaltsignalleitungen einnimmt. Die Flüssigkristalle sind über die gesamte Fläche des Anzeigefeldes verteilt, wobei isolierende Schichten über die leitenden Flächen mit Ausnahme der Elektrode 14 verlaufen. Diese Elektrode 14 steht in unmittelbarer Kontaktverbindung mit den Flüssigkristallen. Über den Flüssigkristallen liegt die gemeinsame und lichtdurchlässige sowie vorderseitige Elektrode des Anzeigefeldes.

Der als Dünnschicht transistor aufgebaute Speichertransistor TM ist im Schnitt in Fig. 3 dargestellt. Das Anzeigefeld ist auf einem Substrat 20 mit Isolier eigenschaften aufgebaut, auf welchem die leitenden Signalleitungen und die Anzeigeelemente in der gewünschten Verteilung angebracht sind. Typischerweise besteht dieses isolierende Substrat aus Quarz oder einem Hochtemperaturglas, das mit einer dünnen Schicht 22 aus Aluminiumoxid überzogen ist. Die Vielzahl der horizontal verlaufenden Umschaltleitungen Yj werden als Dünnschichtleitungen aus Aluminium oder einem anderen leitenden Metall in einem der Größe der gewünschten Anzeigeelemente entsprechenden Abstand voneinander aufgebracht. Auch die individuelle Elektrode 14 kann direkt auf das Substrat als Aluminiumschicht aufgebracht werden, die zweckmäßigerweise etwa quadratisch ist, wie aus der Darstellung gemäß Fig. 2 hervorgeht. Diese Aluminiumschicht ist mit dem Drainkontakt

des

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des Speichertransistors TM verbunden.

Der Speichertransistor wird in unmittelbarer Nähe der Überkreuzungspunkte der jeweiligen Umschaltsignalleitungen mit den Informations signalleitungen aufgebaut. Die Umschaltsignalleitung Yj, welche bereits auf der Aluminiumoxidschicht 22 angebracht ist, dient dabei als Gateanschluß für den Transistor. Der Teil der Umschaltsignalleitung, welcher als unteres Gatter 24 des Speichertransistors TM dient, wird mit einer isolierenden Aluminiumoxidschicht 26 überzogen, auf der das untere Gleitgate 28 unmittelbar neben dem Überkreuzungspunkt der Umschaltsignalleitung mit der Informationssignalleitung durch Niederschlagen von Aluminium ausgebildet wird. Über dem unteren Gleitgate 28 wird eine dünne Siliciumoxidschicht 30 ausgebildet. Der Kanalbereich 32 aus Cadmiumselenid wird in Ausrichtung auf das untere Gate 24 und das untere Gleitgate 28 über diesen angebracht. Die Source- und Drainkontakte 34 bzw. 36 werden über den isolierenden Schichten derart angebracht, daß sie mit dem Kanalbereich 32 an gegenüberliegenden Seiten überlappen. Dieser Aufbau würde einen funktionsfähigen Speichertransistor darstellen, jedoch hat man festgestellt, daß eine konstruktive Ausgestaltung mit einem oberen Gleitgate 38 und einem oberen Gate 40, welche über der Kanalstrecke 32 mit zwischenliegenden Isolierschichten 42 und 44 ausgebildet sind, Vorteile zeigen. Das obere Gate 40 ist elektrisch mit der als unteres Gate 24 dienenden Anschlußleitung verbunden. Auf diese Weise kann die Kanalstrecke 32 sowohl vom oberen als auch vom unteren Gate aus angesteuert werden.

Die Vielzahl der vertikal verlaufenden Informations Signalleitungen Xi werden auf einem Niveau angebracht, in welchem sie in Verbindung mit dem Source-Kontakt 34 des Speichertransistors stehen.

Die Isolier-

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Die Isolierschicht 42 ist als verhältnismäßig dünne Siliciumoxidschicht und die Isolierschicht 44 als verhältnismäßig dicke Aluminium oxidschicht ausgebildet. Die Gleitgates 28 und 38 sind als kontinuierliche Metallschichten, jedoch mit einer sehr geringen Dicke von typischerweise nur etwa 5 Abis 30 A aus Aluminium oder Gold hergestellt. Man kann sichjdiese Schichten als dotierte Grenzschichten zwischen der Siliciumoxidschicht und der Aluminiumoxidschicht vorstellen.

Die Umschaltsignalleitungen Yj und die Informationssignalleitungen Xi erstrecken sich bis zur Peripherie des Anzeigefeldes, wo sie mit den Treiberstufen zur Ansteuerung verbunden sind.

In Verbindung mit Fig. 4 wird der Betrieb des Anzeigefeldes im eingeschwungenen Zustand erläutert. Während dieses eingeschwungenen Zustandes wird eine Information zur Darstellung gebracht, jedoch keine Information eingeschrieben bzw. gelöscht. Die beiden Anschlußleitungen Xi und Yj werden auf einem gemeinsamen Bezugspotential bzw. Nullpotential gehalten. An die vorderseitige Elektrode werden gering negative Tastimpulse angelegt, welche von einem positiven Potential ausgehen. Diese Tastimpulse haben die in Fig. 4 in der obersten Reihe gezeigte Form und sind für alle Flüssigkristallelemente der Matrix gleich. Die positive Vorspannung,von der die Impulse ausgehen, bestimmt sich aus dem maximalen erforderlichen Signal für die speziellen Flüssigkristalle. Die Impulsamplitude ist etwas größer als diesesVorspannungspotential, um den Potential verlust durch Potentialteilung an der Kapazität des Flüssigkristallelementes sowie der Drain-Gatekapazität des Transistors zu kompensieren. Bei dieser Betriebsart, wenn ein hoher Leitwertzustand in dem Speichertransistor gespeichert ist, wird das Flüssigkristallelement bzw. der von ihm gebildete Kondensator in-folge einer Vorderflanke bzw. einer Rückflanke der an die frontseitige Elektrode angelegten Impulse entladen bzw. geladen. Wie aus der

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Darstellung hervorgeht, ergibt sich daraus eine sehr hohe Taktpotentialvorspannung am Flüssigkristallelement. Wenn ein niederer Leitwertzustand im Speichertransistor gespeichert ist, wird der Flüssigkristallkondensator periodisch mit jedem Impuls entladen, um die Ladung, welche sich während der Impulsperiode infolge von Leckströmen aufbaut, zu entfernen. In diesem Zustand hat das am Flüssigkristallelement liegende Feld einen Wert von nahezu Null.

Eine zweite Betriebsart für dieselbe Matrix ergibt sich, wenn die positive Vorspannung an der gemeinsamen vorderseitigen Elektrode auf Null reduziert ist. Bei dieser Betriebsart entspricht der im Speichertransistor gespeicherte hohe Leitwertzustand der Nullpotentialvorspannung mit kurzen, sehr geringen Taktimpulsen am Flüssigkristallelement. Ein niederer im Speichertransistor gespeicherter Leitwertzustand entspricht einer Vorspannung im eingeschwungenen Zustand, die etwas kleiner als die Impulsamplitude an dem Flüssigkristallelement ist. Durch das Einführen oder das Eliminieren einer einzigen Vorspannung, wodurch eine Änderung zwischen den beiden Betriebsarten erfolgt, kann die in der Matrix dargestellte Information während des Normalbetriebs entfernt werden.

Die Auswahl der Betriebsart für eine spezielle Anzeige hängt von vielen Faktoren ab. Die nachfolgenden Unterschiede zwischen den zwei Betriebsarten stellen Faktoren dar, die unter anderem berücksichtigt werden müssen.

1. Die erste Betriebsart resultiert aus einem Vorspannungspotential zwischen den Signalleitungen der Matrix und der gemeinsamen Elektrode der Flüssigkristallschicht. In der zweiten Betriebsart werden nuijkurze Impulse an den Flüssigkristall angelegt, der die Anschlußleitungen Xi und Yj überdeckt. Es könnte eine dünne isolierende Schicht gefordert werden, um

den Gradienten

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den Gradienten des Vorspannungspotentials für die erste Betriebsart unter den Schwellwert des Flüssigkristalls zu verringern.

2. Wenn für die zweite Betriebsart ein geringes Feld herrscht, ergibt sich ein Vorspannungspotential an dem Flüssigkristall, das etwa gleich Null ist. Damit werden kurze niedere Taktimpulse mit voller Amplitude dem Flüssigkristall überlagert. Ein Material für den Flüssigkristall mit sehr schnellem Ansprechverhalten ist möglicherweise mit dieser Betriebsart nicht kompatibel.

3. Bei jeder der Betriebsarten ist der Leistungsverlust im eingeschwungenen Zustand in Elementen mit einem hohen, im zugeordneten Speichertransistor gespeicherten Leitwertzustand größer als bei solchen mit einem niederen gespeicherten Leitwertzustand. Wenn das zu erwartende Verhältnis zwischen den optisch eingeschalteten und den optisch abgeschalteten Elementen von 1 verschieden ist, können die Leistungserfordernisse durch die Auswahl der Betriebsart minimalisiert werden.

4. Bei jeder der Betriebsarten ist die Zeit, welche erforderlich ist,

um den hohen Leitwerts zustand in den Speichertransistor einzuspeichern, größer als für die Einspeicherung eines niederen Leitwertzustandes. Die Erfordernisse für die Signalverteilung in dem Zeitbereich wird sehr stark von der Auswahl der Betriebsart beeinflußt.

5. Wenn das Material der Flüssigkristalle einen Schwellwert hat, kann über die gemeinsame vorderseitige Elektrode eine Vorspannung einge führt werden, um dadurch die Niveaus für die Impulsamplituden, die Verlustleistung und die Signalverteilung zu reduzieren.

Typische Betriebsparameter wie sie beispielsweise für die in Fig. 4 dargestellte Betriebsart des eingeschwungenen Zustandes Verwendung finden können, haben für die positive Vorspannung Vl 80 V, für die Zeit t zwischen den Impulsen eine Millisekunde und für die Impulsbreite t der

P negativen Impulse einen Wert von 100 ,usec. Die Kapazität des Flüssig-

kristall-

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kristallelementes zwischen den Elektroden beträgt 0, 14 pF. Für den Speichertransistor, in welchem ein hoher Leitwerts zustand im Gleitgate gespeichert ist und an welchem ein Nullpotential zwischen dem Gate und der Source liegt, ist der Drain-Strom I gleich oder größer als 200 nA, wobei die Drain-Source-Spannung 10 V beträgt. Wenn in dem Gleitgate des Speichertransistors ein niederer Leitwertzustand gespeichert ist, ergibt sich ein Drainstrom I gleich oder kleiner 1 nA mit einer Drain-Source-Spannung von 80 V. Der Leckwiderstand des Flüssigkristallelementes ist gleich oder größer als 10 Ohm. Die negative Impuls amplitude an der gemeinsamen vorderseitigen Elektrode des Flüssigkristallelementes beträgt 90 V.

Die zur Darstellung zu bringende Information wird in der Matrix der Speichertransistoren als hoher und niedriger Leitwertzustand durch eine Kombination positiver und negativer Potentialimpulse über die Umschaltsignalleitungen Yj und die Informations Signalleitungen Xi gespeichert. Es gibt eine Vielzahl von Verfahren, um die Signale bzw. Information in der Matrix zu verteilen. So kann z. B. der hohe Leitwertzustand in der gesamten Matrix auf einmal und anschließend der niedere Leitwertzustand an bestimmten Matrixpunkten von Element zu Element nacheinander eingespeichert werden. In Fig. 5 sind Schwingungsformen zum Anlegen an die Umschaltsignalleitungen und die Informationssignalleitungen angegeben, mit welchen ein solcher Betrieb grundsätzlich ausgeführt werden kann. Obwohl es nicht notwendig ist, wird für die angegebenen Schwingungsformen der Vereinfachung wegen angenommen, daß während der Einspeicherung der Information die gemeinsamen Impulse für die vorderseitige Elektrode nicht vorhanden sind. Die ersten drei Zeitintervalle gemäß Fig. 5 illustrieren das Einspeichern eines hohen Leitwertzustandes in einen bestimmten bzw. in bestimmte Speichertransistoren. Da die Speichertransistoren während eines Speicher impuls es für einen hohen Leitwertzustand in den AUS- Zu-

stand

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stand vorgespannt sind, gehen diesen Impulsen Ladungsausgleichs impulse V3 voraus, die die Transistoren in den EIN-Zustand umschalten und den Flüssigkristallkondensator auf das erforderliche Potential aufladen. Die Impulse V9 auf den Informations Signalleitungen Xi während der Zeit des Ladungsausgleiches kompensieren die kapazitive Potentialteilung und stellen sicher, daß während der Speicherperiode die Potentialdifferenz zwischen" der Source und Drain eines jeden Transistors Null ist. Wie in Fig. 5 für das Zeitintervall I angedeutet, kann ein hoher Leitwertzustand in den Speichertransistoren einer ganzen Reihe von Anzeigeelementen auf einmal mit einem einzigen negativen Impuls mit der vollen Amplitude V6 auf der entsprechenden Umschaltsignalleitung Yj eingespeichert werden. Zu jeder Zeit können auch mehr als eine Reihe für diesen Zweck ausgewählt werden. Das zweite und dritte Zeitintervall II und III gemäß Fig. 5 zeigt die gleichzeitige Einspeicherung hoher Leitwertzustände. Ein negativer Impuls V5 mit einer 2/3-Amplitude auf der Umschaltsignalleitung Yj der ausgewählten Reihe und ein positiver Impuls V8 mit einer 1/3-Amplitude an einer oder mehreren Informations Signalleitungen Xi entsprechend der ausgewählten Elemente der Reihe bewirken einen Speicherimpuls voller Amplitude an dem bzw. den ausgewählten Matrixpunkten. Der negative Impuls VIl mit einer 1/3-Amplitude an allen anderen Informationssignalleitungen Xi verringert die Speicherimpulsamplitude auf ein Drittel der Gesamtamplitude für alle übrigen Elemente der ausgewählten Reihe. Die Information, welche in diese Elemente eingespeichert ist und ebenso auch in alle anderen Elemente der übrigen Reihen der Matrix bleibt unverändert. Es können also hohe Leitwertzustände an bestimmten Punkten einer Spalte gleichzeitig durch eine gleichartige Schwingungsform eingespeichert werden.

Das Zeitintervall IV und V gemäß Fig. 5 zeigt die koinzidente Speicherung des niederen Leitwertzustandes in einem oder mehreren Elementen einer

ausge-

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ausgewählten Reihe. Für diesen Vorgang wird .keine Ausgleichsperiode benötigt, da die Speichertransistoren bereits während eines Speicherimpulses für den niederen Leitwertzustand in den EIN-Zustand vorgespannt sind. Auf der Umschaltleitung Yj einer ausgewählten Reihe wird ein positiver Impuls V2 mit einer 2/3-Amplitude, wogegen ein negativer Impuls VIl mit einer 1/3-Amplitude auf einer oder mehreren Informations signalleitungen Xi entsprechend dem ausgewählten bzw. der ausgewählten Matrixpunkte wirksam ist. Ein positiver Impuls V8 mit einer 1/3-Amplitude auf allen anderen Informations Signalleitungen Xi verringert die Speicherimpulsamplitude an den verbleibenden Elementen der Reihe, so daß sie ihren zuvor gespeicherten Informationsinhalt beibehalten. Niedere Leitwertzustände können auch gleichzeitig pro Reihe oder pro Spalte oder bezüglich des gesamten Anzeigefeldes eingespeichert werden, was auch für ausgewählte Elemente gleichzeitig pro Spalte mit gleichartigen Schwingungsformen möglich ist. Diese grundsätzlichen Arbeitsweisen können mit einer Vielzahl von Informationsverteilungsverfahren sowohl im Einzelbetrieb als auch im Mehrfachbetrieb kombiniert werden. .

Für den gemäß Fig. 5 vorausgesetzten Arbeitsbetrieb gelten beispielsweise die folgenden Anforderungen für das Adressieren der Information und das Fehlen der Impulse an der gemeinsamen vorderseitigen Elektrode. Der positive Impuls V3 hat einen Wert von 35 V und eine Impulslänge t von 100 ,usec. Der Signalimpuls V6 für den hohen Leitwertzustand hat ein Potential von -150 V und eine Impulsbreite t, von 3 msec. Der Signalimpuls V2 für den niederen Leitwertzustand hat ein Potential von 100 V bei einer Impulsbreite t von 3 ,u.sec. Die übrigen Potentiale aufgrund der dargestellten Schwingungsformen betragen für V4 gleich 85 V, V 5 gleich -100 V, V7 gleich 70 V, V8 gleich 50 V, V9 gleich 20 V, VlO gleich -30 V und VIl gleich -50 V.

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Die vorliegende Erfindung wurde unter Verwendung von Flüssigkristallen beschrieben, jedoch können auch elektrolumineszierende Anzeigeelemente ohne Schwierigkeiten benutzt werden, wobei lediglich einige Anpassungen der entsprechenden Betriebspotentiale erforderlich sind.

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ORIGINAL INSPECTED

Claims

Patentansprüche

. J Anzeigefeld mit in Reihen und Spalten zwischen Kreuzungspunkten von Signalleitungen angeordneten Anzeigeelementen, wöbe i das die Anzeige vermittelnde Medium zwischen einer individuellen und einer auf Abstand befindlichen vorderseitigen Elektrode angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils ein Speichertransistor (TM) für jedes Anzeigeelement (12) an in Reihen verlaufende Umschaltsignalleitungen (Yl, Y2. Y3 . .) 'und in Spalten verlaufenden Informationssignalleitungen (Xl, X 2, X 3, . . ) sowie an jeweils die individuelle Elektrode (14) des Anzeigeelementes (12) angeschlossen ist, daß an das Gleitgate (28) des jeweiligen Speichertransistors Adressiereinrichtungen angeschlossen sind, um mit über eine Umschaltsignalleitung angelegten Impuls Signalen den jeweiligen Speichertransistor (TM) in den EIN-Zustand zu schalten und über eine Informations signalleitung Ladungsausgleichsimpulse anzulegen, und daß der mit dem entsprechenden Anzeigeelement (12) verbundene und mit Taktimpulsen von Treiberstufen (50, 52) beaufschlagbare jeweilige Speichertransistor (TM) die Amplitude und den Arbeitstakt des am Anzeigeelement wirksamen Signals als Funktion des gespeicherten Signals am Gleitgate steuert.

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2. Anzeigefeld nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß das Gleitgate (28) isoliert in räumlichem Abstand von Halbleiter schichten des Speichertransistors ausgebildet ist, und daß ein weiteres der Adressierung dienendes Gate (24) in räumlichem Abstand isoliert vom Gleitgate ausgebildet ist und an einer Umschaltsignalleitung oder einer Informationssignalleitung liegt., durch welche der Adressierung dienende Gates miteinander verbunden sind.
3. Anzeigefeld nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Anzeigeelement mit Flüssigkristallen aufgebaut ist.

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