DE2811290A1 - Anzeigefeld - Google Patents
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Description
Anzeigefeld
Die Erfindung betrifft ein Anzeigefeld mit in Reihen und Spalten zwischen
Kreuzungspunkten von Signalleitungen angeordneten Anzeigeelementen, wobei das die Anzeige vermittelnde Medium zwischen einer individuellen
und einer auf Abstand befindlichen vorderseitigen Elektrode angeordnet ist.
Zur Herstellung flacher Anzeigefelder wurde bereits eine Vielzahl von
Technologien vorgeschlagen, um solche Anzeigefelder aus lichtemittierenden Dioden, elektrolumineszierenden Anzeigeelementen oder Flüssigkristallelementen
aufzubauen. Die dabei benutzten Adressierungssysteme
umfassen eine koinzidente Adressierung über die in Reihen und Spalten verlaufenden Signalleitungen X und Y. Es wurde in diesem Zusammenhang
auch schon die Verwendung von Dünnschicht-Transistoren vorgeschlagen, die in das Anzeigefeld integriert und individuellen Anzeigeelementen zur
Steuerung zugeordnet sind. (US-PS 3 840 695 und 4 006 383).
Fs/mü Derartige
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Unser Zechen: WS 118P-1747
Derartige Dünnschicht-Transistoren sind besonders günstig für die Verwendung in flachen Anzeigefeldern geeignet und es ist bekannt, daß
solche Transistoren mit einem Gleitgate versehen sein können, um ein
Element zu schaffen, das steuerbare veränderliche Leitwerteigenschaften
hat. Solche Transistoren werden auchalsSpeichertransistoren bezeichnet
und sind bezüglich ihrer Herstellung bereits bekannt ("Experimental Realization of Floating-Gate-Memory Thin-Film Transistor", Proceedings
of the IEEE, Band 63, S. 826-827, Mai 1975).
Es ist auch bekannt, daß Flüssigkristall elemente als passive Elemente
gegenüber aktiven besonders vorteilhafte funktioneile Eigenschaften haben. Diese Elemente sind in heller Umgebung einsetzbar und insbesondere
bei extrem hellen Lichtbedingungen gut lesbar. Außerdem können derartige Flüssigkristallelemente mit einer niederen Gleichspannung betrieben
werden und haben einen verhältnismäßig geringen Leistungsbedarf. Dabei sind zwei unterschiedliche Typen bekannt, wobei im einen Fall
durch Reflexion des auftreffenden Lichtes und im anderen Fall durch diffuses Hindurchtreten des auftreffenden Lichtes das Element zum Leuchten
gebracht wird.
Der mit einemFlüssigkristallelement integrierte Speichertransistor
eliminiert die Notwendigkeit für großflächige Speicherkapazitäten als Teil des Anzeigeelementes. Damit läßt sich das Flüssigkristallelement
bezüglich der Größe optimieren. Der Speichertransistor liefert die notwendige Schwellspannung und den Speicher für das Element für sich wiederholende
multiplexe Anwendungen. Das Flüssigkristallelement kann sowohl für die Ausnutzung des Effekts der dynamischen Streuung als auch des
Effekts der Deformation aufgerichteter Phasen aufgebaut sein.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Anzeigefeld zu schaffen,
bei dem große Signalspeicherkondensatoren eliminiert werden können und
optimale
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optimale Flächengrößen für die Anzeigeelemente erzielbar sind.
Diese Aufgabe wird ausgehend von dem eingangs erwähnten Anzeigefeld
erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß jeweils ein Speichertransistor
für jedes Anzeigeelement an in Reihen verlaufende Umschaltsignalleitungen und in Spalten verlaufenden Informations Signalleitungen sowie an jeweils
die individuelle Elektrode des Anzeigeelementes angeschlossen ist, daß an das Gleitgate des jeweiligen Speichertransistors Adressiereinrichtungen
angeschlossen sind, um mit über eine Umschaltsignalleitung angelegten Impuls Signalen den jeweiligen Speichertransistor in den EIN-Zustand
zu schalten und über eine Informations Signalleitung Ladungsausgleichsimpulse
anzulegen, und daß der mit dem entsprechenden Anzeigeelement verbundene und mit Taktimpulsen von Treiberstufen beaufschlagbare jeweilige
Speichertransistor die Amplitude und den Arbeitskontakt des am Anzeigeelement wirksamen Signals als Funktion des gespeicherten Signals
am Gleitgate steuert.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von weiteren
Ansprüchen.
Mit den Maßnahmen der Erfindung läßt sich ein Anzeigefeld schaffen, bei
dem die einzelnen Bildpunkte großflächige Anzeigeelemente enthalten und nur sehr wenig Fläche im Anzeigefeld für die Signalleitungen und den steuerbaren
Speichertransistor benötigt wird.
Die Vorteile und Merkmale der Erfindung ergeben sich auch aus der nachfolgenden
Beschreibung eines Ausführungsbeispieles in Verbindung mit den Ansprüchen und der Zeichnung. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung eines Teils eines Anzeigefeldes
gemäß der Erfindung;
Fig. 2 eine Draufsicht auf den Aufbau eines Flüssigkristallelementes
Fig. 2 eine Draufsicht auf den Aufbau eines Flüssigkristallelementes
für das
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für das Anzeigefeld;
Fig. 3 einen Schnitt längs der Linie III-III der Fig. 2, welcher den
Schichtaufbau eines Speichertransistors zeigt;
Fig. 4 Schwingungsformen für Betriebspotentiale, wenn eine Information
zur Darstellung gelangt, wobei sich diese Schwingungsformen nicht auf das Einschreiben bzw. Löschen einer Information
beziehen;
Fig. 5 beispielsweise Schwingungsformen, welche an die Informations-
Signalleitungen Xi und die Umschaltsignalleitungen Yj angelegt werden, um ein Informations signal an ein bestimmtes Anzeigeelement
anzulegen.
Die Erläuterung der Erfindung erfolgt in Verbindung mit ihrer Anwendung
auf ein Anzeigefeld mit Flüssigkristallelementen als Anzeigeelemente.
Das Anzeigefeld 10 ist schematisch für lediglich einige Flüssigkristallelemente
in Fig. 1 dargestellt und besteht aus einem in Reihen und Spalten angeordneten Feld aus Flüssigkristall-Anzeigeelementen 12. Diese Elemente
sind an vertikale Informations Signalleitungen Xl, X2, X3, X4 und horizontale Umschaltsignalleitungen Yl, Y2, Y3 angeschlossen. Die Anzahl der
Spalten und Reihen und damit die Anzahl der einzelnen Flüssigkristall-Anzeigeelemente
kann beliebig sein und hängt von der Größe des gewünschten Anzeigefeldes ab, wobei die Anzahl der in den Spalten und Reihen angeordneten
Flüssigkristallelemente pro cm das Auflösevermögen des Anzeigefeldes bestimmt.
Die Informationssignalleitungen Xi sind an der Peripherie des Anzeigefeldes
mit einer Treiberstufe 50 für die Informations signale verbunden, welche das
- entsprechende
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entsprechende Informations signal für ein bestimmtesFlüssigkristallelement
des Feldes liefert. Das Potential dieses Informations signals legt fest, ob das Flüssigkristallelement teilweise oder ganz eingeschaltet bzw. abgeschaltet
ist. Die Umschaltsignalleitungen Yi sind ebenfalls an der Peripherie
mit einer Treiberstufe 52 für die Umschaltsignale verbunden, welche die
Adressierung der Informations signale auf der Informationssignalleitung Xi synchronisiert, um festzulegen, daß das richtige Flüssigkristallelement des
Feldes mit dem richtigen Informations signal adressiert wird.
Jedem Flüssigkristall-Anzeigeelement 12 ist ein Speichertransistor TM zugeordnet,
dessen Gate mit der seiner Position entsprechenden Umschaltsignalleitung Yj verbunden ist, welche die dem Anzeigeelement zugeordnete
Reihe definiert. Die Source des Speichertransistors TM ist mit der Informationssignalleitung
Xi verbunden und definiert damit die Spalte des zugeordneten Anzeigeelementes. Die Drain des Speichertransistors TM ist mit der einen
Elektrode 14 des Flüssigkristallelementes 16 verbunden. Die vorderseitige Elektrode 18 ist lichtdurchlässig und überzieht als einheitliche Elektrode
des gesamte Anzeigefeld. Der Speichertransistor TM ist mit einem Gleitgate versehen, wodurch die Speichereigenschaften des Transistors
bewirkt werden.
Die vorderseitige Elektrode 18 ist an der Peripherie des Anzeigefeldes mit
einer Stromversorgung 54 versehen, von welcher aus das Ansteuerpotential für die Flüssigkristall elemente zugeführt wird, um die Lichtdurchlässigkeit
der einzelnen individuellen Flüssigkristall elemente entsprechend der Ansteuerung
einzustellen. Für ein Anzeigefeld, das mit gesteuerter Lichtdurchlässigkeit der Flüssigkristall elemente arbeitet, sind die individuellen
Elektroden 14 lichtdurchlässig, wobei das Licht durch die Substratrückseite des Anzeigefeldes geführt wird, um eine Anzeige zu bewirken. Bei einem
Anzeigefeld, das mit Reflexlicht arbeitet, reflektieren die individuellen
Elektroden 14
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Unser
Elektroden 14 das Licht und wirken wie ein Spiegel für das durch die vorderseitige
Elektrode einfallende Licht.
Der Aufbau eines Flüssigkristall-Anzeigeelementes sowie des Speichertransistors
ist in den Fig. 2 und 3 im Detail dargestellt. Der Speichertransistor TM ist im oberen linken Eck des Anzeigeelementes 12 angeordnet,
und zwar im Bereich der Überkreuzung der Umschaltsignalleitung Yl mit der Informationssignalleitung Xl. Die Drain des Speichertransistors
TM wird in den Bereich der individuellen Elektrode 14 weitergeführt, welche den größten Flächenanteil zwischen den senkrecht verlaufenden Informations-Signalleitungen
und den waagrecht verlaufenden Umschaltsignalleitungen einnimmt. Die Flüssigkristalle sind über die gesamte Fläche des Anzeigefeldes
verteilt, wobei isolierende Schichten über die leitenden Flächen mit Ausnahme der Elektrode 14 verlaufen. Diese Elektrode 14 steht in unmittelbarer
Kontaktverbindung mit den Flüssigkristallen. Über den Flüssigkristallen liegt die gemeinsame und lichtdurchlässige sowie vorderseitige Elektrode
des Anzeigefeldes.
Der als Dünnschicht transistor aufgebaute Speichertransistor TM ist im
Schnitt in Fig. 3 dargestellt. Das Anzeigefeld ist auf einem Substrat 20 mit Isolier eigenschaften aufgebaut, auf welchem die leitenden Signalleitungen
und die Anzeigeelemente in der gewünschten Verteilung angebracht sind. Typischerweise besteht dieses isolierende Substrat aus Quarz oder
einem Hochtemperaturglas, das mit einer dünnen Schicht 22 aus Aluminiumoxid überzogen ist. Die Vielzahl der horizontal verlaufenden Umschaltleitungen
Yj werden als Dünnschichtleitungen aus Aluminium oder einem anderen leitenden Metall in einem der Größe der gewünschten Anzeigeelemente entsprechenden
Abstand voneinander aufgebracht. Auch die individuelle Elektrode 14 kann direkt auf das Substrat als Aluminiumschicht aufgebracht werden,
die zweckmäßigerweise etwa quadratisch ist, wie aus der Darstellung gemäß Fig. 2 hervorgeht. Diese Aluminiumschicht ist mit dem Drainkontakt
des
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des Speichertransistors TM verbunden.
Der Speichertransistor wird in unmittelbarer Nähe der Überkreuzungspunkte
der jeweiligen Umschaltsignalleitungen mit den Informations signalleitungen
aufgebaut. Die Umschaltsignalleitung Yj, welche bereits auf der Aluminiumoxidschicht 22 angebracht ist, dient dabei als Gateanschluß für
den Transistor. Der Teil der Umschaltsignalleitung, welcher als unteres Gatter 24 des Speichertransistors TM dient, wird mit einer isolierenden
Aluminiumoxidschicht 26 überzogen, auf der das untere Gleitgate 28 unmittelbar neben dem Überkreuzungspunkt der Umschaltsignalleitung
mit der Informationssignalleitung durch Niederschlagen von Aluminium
ausgebildet wird. Über dem unteren Gleitgate 28 wird eine dünne Siliciumoxidschicht
30 ausgebildet. Der Kanalbereich 32 aus Cadmiumselenid wird
in Ausrichtung auf das untere Gate 24 und das untere Gleitgate 28 über diesen angebracht. Die Source- und Drainkontakte 34 bzw. 36 werden über
den isolierenden Schichten derart angebracht, daß sie mit dem Kanalbereich 32 an gegenüberliegenden Seiten überlappen. Dieser Aufbau würde
einen funktionsfähigen Speichertransistor darstellen, jedoch hat man festgestellt, daß eine konstruktive Ausgestaltung mit einem oberen Gleitgate
38 und einem oberen Gate 40, welche über der Kanalstrecke 32 mit zwischenliegenden Isolierschichten 42 und 44 ausgebildet sind, Vorteile
zeigen. Das obere Gate 40 ist elektrisch mit der als unteres Gate 24 dienenden Anschlußleitung verbunden. Auf diese Weise kann die Kanalstrecke
32 sowohl vom oberen als auch vom unteren Gate aus angesteuert werden.
Die Vielzahl der vertikal verlaufenden Informations Signalleitungen Xi
werden auf einem Niveau angebracht, in welchem sie in Verbindung mit dem Source-Kontakt 34 des Speichertransistors stehen.
Die Isolier-
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Die Isolierschicht 42 ist als verhältnismäßig dünne Siliciumoxidschicht
und die Isolierschicht 44 als verhältnismäßig dicke Aluminium oxidschicht
ausgebildet. Die Gleitgates 28 und 38 sind als kontinuierliche Metallschichten, jedoch mit einer sehr geringen Dicke von typischerweise nur etwa 5 Abis 30 A
aus Aluminium oder Gold hergestellt. Man kann sichjdiese Schichten als dotierte Grenzschichten zwischen der Siliciumoxidschicht und der Aluminiumoxidschicht
vorstellen.
Die Umschaltsignalleitungen Yj und die Informationssignalleitungen Xi
erstrecken sich bis zur Peripherie des Anzeigefeldes, wo sie mit den Treiberstufen
zur Ansteuerung verbunden sind.
In Verbindung mit Fig. 4 wird der Betrieb des Anzeigefeldes im eingeschwungenen
Zustand erläutert. Während dieses eingeschwungenen Zustandes wird eine Information zur Darstellung gebracht, jedoch keine Information
eingeschrieben bzw. gelöscht. Die beiden Anschlußleitungen Xi und Yj werden auf einem gemeinsamen Bezugspotential bzw. Nullpotential gehalten.
An die vorderseitige Elektrode werden gering negative Tastimpulse angelegt, welche von einem positiven Potential ausgehen. Diese Tastimpulse
haben die in Fig. 4 in der obersten Reihe gezeigte Form und sind für alle Flüssigkristallelemente der Matrix gleich. Die positive Vorspannung,von
der die Impulse ausgehen, bestimmt sich aus dem maximalen erforderlichen Signal für die speziellen Flüssigkristalle. Die Impulsamplitude ist
etwas größer als diesesVorspannungspotential, um den Potential verlust
durch Potentialteilung an der Kapazität des Flüssigkristallelementes sowie der Drain-Gatekapazität des Transistors zu kompensieren. Bei dieser Betriebsart,
wenn ein hoher Leitwertzustand in dem Speichertransistor gespeichert ist, wird das Flüssigkristallelement bzw. der von ihm gebildete
Kondensator in-folge einer Vorderflanke bzw. einer Rückflanke der an die
frontseitige Elektrode angelegten Impulse entladen bzw. geladen. Wie aus der
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Darstellung hervorgeht, ergibt sich daraus eine sehr hohe Taktpotentialvorspannung
am Flüssigkristallelement. Wenn ein niederer Leitwertzustand im Speichertransistor gespeichert ist, wird der Flüssigkristallkondensator
periodisch mit jedem Impuls entladen, um die Ladung, welche sich während der Impulsperiode infolge von Leckströmen aufbaut, zu entfernen.
In diesem Zustand hat das am Flüssigkristallelement liegende Feld einen Wert von nahezu Null.
Eine zweite Betriebsart für dieselbe Matrix ergibt sich, wenn die positive
Vorspannung an der gemeinsamen vorderseitigen Elektrode auf Null reduziert ist. Bei dieser Betriebsart entspricht der im Speichertransistor
gespeicherte hohe Leitwertzustand der Nullpotentialvorspannung mit kurzen, sehr geringen Taktimpulsen am Flüssigkristallelement. Ein niederer im
Speichertransistor gespeicherter Leitwertzustand entspricht einer Vorspannung im eingeschwungenen Zustand, die etwas kleiner als die Impulsamplitude
an dem Flüssigkristallelement ist. Durch das Einführen oder das Eliminieren einer einzigen Vorspannung, wodurch eine Änderung
zwischen den beiden Betriebsarten erfolgt, kann die in der Matrix dargestellte Information während des Normalbetriebs entfernt werden.
Die Auswahl der Betriebsart für eine spezielle Anzeige hängt von vielen
Faktoren ab. Die nachfolgenden Unterschiede zwischen den zwei Betriebsarten stellen Faktoren dar, die unter anderem berücksichtigt werden müssen.
1. Die erste Betriebsart resultiert aus einem Vorspannungspotential
zwischen den Signalleitungen der Matrix und der gemeinsamen Elektrode der Flüssigkristallschicht. In der zweiten Betriebsart werden nuijkurze
Impulse an den Flüssigkristall angelegt, der die Anschlußleitungen Xi und Yj überdeckt. Es könnte eine dünne isolierende Schicht gefordert werden, um
den Gradienten
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den Gradienten des Vorspannungspotentials für die erste Betriebsart
unter den Schwellwert des Flüssigkristalls zu verringern.
2. Wenn für die zweite Betriebsart ein geringes Feld herrscht, ergibt
sich ein Vorspannungspotential an dem Flüssigkristall, das etwa gleich Null ist. Damit werden kurze niedere Taktimpulse mit voller Amplitude
dem Flüssigkristall überlagert. Ein Material für den Flüssigkristall mit sehr schnellem Ansprechverhalten ist möglicherweise mit dieser Betriebsart
nicht kompatibel.
3. Bei jeder der Betriebsarten ist der Leistungsverlust im eingeschwungenen
Zustand in Elementen mit einem hohen, im zugeordneten Speichertransistor gespeicherten Leitwertzustand größer als bei solchen mit einem niederen
gespeicherten Leitwertzustand. Wenn das zu erwartende Verhältnis zwischen den optisch eingeschalteten und den optisch abgeschalteten
Elementen von 1 verschieden ist, können die Leistungserfordernisse
durch die Auswahl der Betriebsart minimalisiert werden.
4. Bei jeder der Betriebsarten ist die Zeit, welche erforderlich ist,
um den hohen Leitwerts zustand in den Speichertransistor einzuspeichern,
größer als für die Einspeicherung eines niederen Leitwertzustandes. Die Erfordernisse für die Signalverteilung in dem Zeitbereich wird sehr
stark von der Auswahl der Betriebsart beeinflußt.
5. Wenn das Material der Flüssigkristalle einen Schwellwert hat, kann
über die gemeinsame vorderseitige Elektrode eine Vorspannung einge führt werden, um dadurch die Niveaus für die Impulsamplituden, die Verlustleistung
und die Signalverteilung zu reduzieren.
Typische Betriebsparameter wie sie beispielsweise für die in Fig. 4 dargestellte
Betriebsart des eingeschwungenen Zustandes Verwendung finden können, haben für die positive Vorspannung Vl 80 V, für die Zeit t zwischen
den Impulsen eine Millisekunde und für die Impulsbreite t der
P negativen Impulse einen Wert von 100 ,usec. Die Kapazität des Flüssig-
kristall-
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S.MIO ψ ... UnserZeichenWS118P-1747
kristallelementes zwischen den Elektroden beträgt 0, 14 pF. Für den
Speichertransistor, in welchem ein hoher Leitwerts zustand im Gleitgate gespeichert ist und an welchem ein Nullpotential zwischen dem Gate
und der Source liegt, ist der Drain-Strom I gleich oder größer als
200 nA, wobei die Drain-Source-Spannung 10 V beträgt. Wenn in dem Gleitgate
des Speichertransistors ein niederer Leitwertzustand gespeichert ist, ergibt sich ein Drainstrom I gleich oder kleiner 1 nA mit einer
Drain-Source-Spannung von 80 V. Der Leckwiderstand des Flüssigkristallelementes
ist gleich oder größer als 10 Ohm. Die negative Impuls amplitude an der gemeinsamen vorderseitigen Elektrode des Flüssigkristallelementes
beträgt 90 V.
Die zur Darstellung zu bringende Information wird in der Matrix der
Speichertransistoren als hoher und niedriger Leitwertzustand durch eine Kombination positiver und negativer Potentialimpulse über die
Umschaltsignalleitungen Yj und die Informations Signalleitungen Xi gespeichert. Es gibt eine Vielzahl von Verfahren, um die Signale
bzw. Information in der Matrix zu verteilen. So kann z. B. der hohe Leitwertzustand in der gesamten Matrix auf einmal und anschließend
der niedere Leitwertzustand an bestimmten Matrixpunkten von Element zu Element nacheinander eingespeichert werden. In Fig. 5 sind Schwingungsformen
zum Anlegen an die Umschaltsignalleitungen und die Informationssignalleitungen angegeben, mit welchen ein solcher Betrieb
grundsätzlich ausgeführt werden kann. Obwohl es nicht notwendig ist, wird für die angegebenen Schwingungsformen der Vereinfachung
wegen angenommen, daß während der Einspeicherung der Information die gemeinsamen Impulse für die vorderseitige Elektrode nicht vorhanden
sind. Die ersten drei Zeitintervalle gemäß Fig. 5 illustrieren das Einspeichern eines hohen Leitwertzustandes in einen bestimmten bzw.
in bestimmte Speichertransistoren. Da die Speichertransistoren während
eines Speicher impuls es für einen hohen Leitwertzustand in den AUS- Zu-
stand
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SfH1. Li
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stand vorgespannt sind, gehen diesen Impulsen Ladungsausgleichs impulse
V3 voraus, die die Transistoren in den EIN-Zustand umschalten und den Flüssigkristallkondensator auf das erforderliche Potential
aufladen. Die Impulse V9 auf den Informations Signalleitungen Xi während der Zeit des Ladungsausgleiches kompensieren die kapazitive Potentialteilung
und stellen sicher, daß während der Speicherperiode die Potentialdifferenz zwischen" der Source und Drain eines jeden Transistors Null
ist. Wie in Fig. 5 für das Zeitintervall I angedeutet, kann ein hoher Leitwertzustand in den Speichertransistoren einer ganzen Reihe von
Anzeigeelementen auf einmal mit einem einzigen negativen Impuls mit der vollen Amplitude V6 auf der entsprechenden Umschaltsignalleitung
Yj eingespeichert werden. Zu jeder Zeit können auch mehr als eine Reihe für diesen Zweck ausgewählt werden. Das zweite und dritte Zeitintervall
II und III gemäß Fig. 5 zeigt die gleichzeitige Einspeicherung hoher Leitwertzustände. Ein negativer Impuls V5 mit einer 2/3-Amplitude
auf der Umschaltsignalleitung Yj der ausgewählten Reihe und ein positiver Impuls V8 mit einer 1/3-Amplitude an einer oder mehreren Informations Signalleitungen
Xi entsprechend der ausgewählten Elemente der Reihe bewirken einen Speicherimpuls voller Amplitude an dem bzw. den
ausgewählten Matrixpunkten. Der negative Impuls VIl mit einer 1/3-Amplitude
an allen anderen Informationssignalleitungen Xi verringert die Speicherimpulsamplitude auf ein Drittel der Gesamtamplitude für
alle übrigen Elemente der ausgewählten Reihe. Die Information, welche in diese Elemente eingespeichert ist und ebenso auch in alle anderen
Elemente der übrigen Reihen der Matrix bleibt unverändert. Es können also hohe Leitwertzustände an bestimmten Punkten einer Spalte gleichzeitig
durch eine gleichartige Schwingungsform eingespeichert werden.
Das Zeitintervall IV und V gemäß Fig. 5 zeigt die koinzidente Speicherung
des niederen Leitwertzustandes in einem oder mehreren Elementen einer
ausge-
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ausgewählten Reihe. Für diesen Vorgang wird .keine Ausgleichsperiode
benötigt, da die Speichertransistoren bereits während eines Speicherimpulses
für den niederen Leitwertzustand in den EIN-Zustand vorgespannt sind. Auf der Umschaltleitung Yj einer ausgewählten Reihe wird ein
positiver Impuls V2 mit einer 2/3-Amplitude, wogegen ein negativer Impuls
VIl mit einer 1/3-Amplitude auf einer oder mehreren Informations signalleitungen
Xi entsprechend dem ausgewählten bzw. der ausgewählten Matrixpunkte wirksam ist. Ein positiver Impuls V8 mit einer 1/3-Amplitude
auf allen anderen Informations Signalleitungen Xi verringert die Speicherimpulsamplitude
an den verbleibenden Elementen der Reihe, so daß sie ihren zuvor gespeicherten Informationsinhalt beibehalten. Niedere Leitwertzustände
können auch gleichzeitig pro Reihe oder pro Spalte oder bezüglich des gesamten Anzeigefeldes eingespeichert werden, was auch
für ausgewählte Elemente gleichzeitig pro Spalte mit gleichartigen Schwingungsformen möglich ist. Diese grundsätzlichen Arbeitsweisen
können mit einer Vielzahl von Informationsverteilungsverfahren sowohl im Einzelbetrieb als auch im Mehrfachbetrieb kombiniert werden. .
Für den gemäß Fig. 5 vorausgesetzten Arbeitsbetrieb gelten beispielsweise
die folgenden Anforderungen für das Adressieren der Information und das Fehlen der Impulse an der gemeinsamen vorderseitigen Elektrode.
Der positive Impuls V3 hat einen Wert von 35 V und eine Impulslänge t von 100 ,usec. Der Signalimpuls V6 für den hohen Leitwertzustand
hat ein Potential von -150 V und eine Impulsbreite t, von 3 msec. Der
Signalimpuls V2 für den niederen Leitwertzustand hat ein Potential von 100 V bei einer Impulsbreite t von 3 ,u.sec. Die übrigen Potentiale
aufgrund der dargestellten Schwingungsformen betragen für V4 gleich 85 V, V 5 gleich -100 V, V7 gleich 70 V, V8 gleich 50 V, V9 gleich 20 V, VlO
gleich -30 V und VIl gleich -50 V.
Die
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Unser Ze.chen: WSl 18P-1747
Die vorliegende Erfindung wurde unter Verwendung von Flüssigkristallen beschrieben, jedoch können auch elektrolumineszierende
Anzeigeelemente ohne Schwierigkeiten benutzt werden, wobei lediglich einige Anpassungen der entsprechenden Betriebspotentiale erforderlich
sind.
809839/08^8 ,.—n
ORIGINAL INSPECTED
Claims (3)
- Patentansprüche. J Anzeigefeld mit in Reihen und Spalten zwischen Kreuzungspunkten von Signalleitungen angeordneten Anzeigeelementen, wöbe i das die Anzeige vermittelnde Medium zwischen einer individuellen und einer auf Abstand befindlichen vorderseitigen Elektrode angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils ein Speichertransistor (TM) für jedes Anzeigeelement (12) an in Reihen verlaufende Umschaltsignalleitungen (Yl, Y2. Y3 . .) 'und in Spalten verlaufenden Informationssignalleitungen (Xl, X 2, X 3, . . ) sowie an jeweils die individuelle Elektrode (14) des Anzeigeelementes (12) angeschlossen ist, daß an das Gleitgate (28) des jeweiligen Speichertransistors Adressiereinrichtungen angeschlossen sind, um mit über eine Umschaltsignalleitung angelegten Impuls Signalen den jeweiligen Speichertransistor (TM) in den EIN-Zustand zu schalten und über eine Informations signalleitung Ladungsausgleichsimpulse anzulegen, und daß der mit dem entsprechenden Anzeigeelement (12) verbundene und mit Taktimpulsen von Treiberstufen (50, 52) beaufschlagbare jeweilige Speichertransistor (TM) die Amplitude und den Arbeitstakt des am Anzeigeelement wirksamen Signals als Funktion des gespeicherten Signals am Gleitgate steuert.809839/0848FLEUCHAUS & WEHSERPatentanwälteSf.10 t Ο UnserZeichenWS118P-1747
- 2. Anzeigefeld nach Anspruch I, dadurch gekennzeichnet, daß das Gleitgate (28) isoliert in räumlichem Abstand von Halbleiter schichten des Speichertransistors ausgebildet ist, und daß ein weiteres der Adressierung dienendes Gate (24) in räumlichem Abstand isoliert vom Gleitgate ausgebildet ist und an einer Umschaltsignalleitung oder einer Informationssignalleitung liegt., durch welche der Adressierung dienende Gates miteinander verbunden sind.
- 3. Anzeigefeld nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Anzeigeelement mit Flüssigkristallen aufgebaut ist.809839/0848
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