DE2744752A1 - Verfahren zum aufbringen eines gleichfoermigen ueberzugs auf einer oberflaeche - Google Patents

Verfahren zum aufbringen eines gleichfoermigen ueberzugs auf einer oberflaeche

Info

Publication number
DE2744752A1
DE2744752A1 DE19772744752 DE2744752A DE2744752A1 DE 2744752 A1 DE2744752 A1 DE 2744752A1 DE 19772744752 DE19772744752 DE 19772744752 DE 2744752 A DE2744752 A DE 2744752A DE 2744752 A1 DE2744752 A1 DE 2744752A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
frame
coating material
coating
spinning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19772744752
Other languages
English (en)
Other versions
DE2744752C2 (de
Inventor
Richard Stefan Dipl Che Boeckl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
IBM Deutschland GmbH
Original Assignee
IBM Deutschland GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by IBM Deutschland GmbH filed Critical IBM Deutschland GmbH
Publication of DE2744752A1 publication Critical patent/DE2744752A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2744752C2 publication Critical patent/DE2744752C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05CAPPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C11/00Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
    • B05C11/02Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
    • B05C11/08Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05DPROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/002Processes for applying liquids or other fluent materials the substrate being rotated
    • B05D1/005Spin coating

Description

_2_ 2744762
Anmelderin: IBM Deutschland GmbH
Pascalstraße 100 70OO Stuttgart 80 heb-pi
Verfahren zum Aufbringen eines gleichförmigen Überzugs auf einer Oberfläche
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Aufbringen eines gleichförmigen Überzugs auf einer Oberfläche durch Schleudern bei welchem Verfahren das Entstehen einer überhöhten Randzone verhindert wird. Verfahren zum Aufbringen eines dünnen Überzugs oder einer dünnen Materialschicht auf einem Substrat durch Schleudern in der Zentrifuge sind allgemein bekannt. Beispielsweise werden Halbleiterscheiben als Halbleitersubstrate durch Schleudern in der Zentrifuge mit einem Fotolackmaterial überzogen, das als elektrische Isolierschicht und zum Maskieren von Teilfächen dient. Bisher verwendete Apparate und Verfahren zum Herstellen einer gleichförmigen dünnen Schicht unter Verwendung eines Schleuderverfahrens waren für die bisherigen Anforderungen ausreichend. Beim Aufbringen eines dünnen gleichförmigen Überzugs durch Schleudern in der Zentrifuge ergab sich jedoch die Schwierigkeit, j daß das Überzugsmaterial an den Kanten dicker war, als auf der übrigen Fläche. Diese überhöhung der Randzone hatte '■■ zur Folge, daß für die Entwicklung von Fotolackschichten ver- I wendete Masken beispielsweise vom größten Teil der Oberfläche des Substrats einen gewissen Abstand aufwies, so daß sich bei den nachfolgend niedergeschlagenen Materialien Ausrichtfehler ergaben.
Bei den heute aufzubringenden dünnen Schichten handelt es sich j um ganz extrem dünne, extrem flache überzüge. Verwendet man zum Aufbringen dieser überzüge aus Fotolackschichten das Schleudern in der Zentrifuge, so erhält man untragbare Überhöhungen an den Kanten des Substrats von mehr als 5 Mikron. Diese überhöhten Kanten können dabei um eine Größenordnung dicker sein, als der durch Schleudern selbst aufgebrachte Film,
sä~576 ÖT6 80981 9/Ö 6 03
Andere Apparate mit mehrfachen Schleudervorgängen werden allgemein bei dem Versuch eingesetzt, das Entstehen einer überhöhten Randzone an jeder Kante des Substrats zu verhindern.
Die Aufgabe der Erfindung besteht also darin, ein neues Verfahren und eine dafür vorgesehene Vorrichtung anzugeben, durch die das Entstehen einer überhöhten Kante von auf einem Substrat aufzubringenden überzügen vermieden wird.
Beschreibung des Standes der Technik
Im Stand der Technik hat man versucht, eine im wesentlichen flache Oberfläche eines Überzugs dadurch zu erzielen, daß man die Verdampfungsgeschwindigkeit des Lösungsmittels für den Überzug während des Schleuderverfahrens genau überwachte, wie dies beispielsweise in IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 17, Nr. 11, April 1965 auf Seite 3281 mit dem Titel "Controlled Gap Photoresist Spinning Process" angegeben ist. Die Verwendung eines stark aufgeladenen ionisierenden Gases in einer trockenen inerten Atmosphäre für eine starke Aufladung der Halbleitersche Lbe zur Vermeidung von Schwankungen in der Dicke eines Überzuges ist in IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 14, Nr. 2, Juli 1971 auf Seite 595 mit dem Titel "Photoresist Application Process" offenbart. Ein weiterer Aufsatz befaßt sich mit der Steuerung der Verdampfungsgeschwindigkeit des Fotolacks beim Schleudern zur Erzielung einer gleichförmigen Dicke der sich dabei ergebenden Schicht vgl. IBM TDB, Band 16, Nr. 6 vom November 1973 auf Seite 1730 mit dem Titel "Rheology Control of Films Deposited by Spin Coating Techniques".
Konzentrische Schleuderapparate, bei denen das um seinen Rotationsmittelpunkt zu beschichtende Werkstück selbst noch um einen zweiten Rotationsmittelpunkt gedreht wird, sind in einem Aufsatz in IBM TDB, Band 3, Nr. 1, Juni 1960 auf Seite 5 mit
SA 976 026 8 0 98 19/0603
dem Titel "Method for Producing Uniform Control Thin Films" zu finden. Eine andere Apparatur mit einer etwas ähnlichen Steuerung ist in dem Aufsatz "Spin Coating Photoresist" in IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 16, Nr. 5, Oktober 1973 auf Seite 1535 offenbart. Es ist ferner bekannt, daß die Dicke eines durch Schleudern in der Zentrifuge aufgebrach- ' ten Überzugsmaterials von verschiedenen Parametern abhängt, ; wie dies dem IBM Technical Disclosure Bulletin, Band 17, Nr. 4, September 1974, Seite 1048, 1049 unter dem Titel "Resist Thickness Regulation" entnommen werden kann.
Die sich aus einer Materialüberhöhung am Rande ergebenden Schwierigkeiten sind in einem Aufsatz mit dem Titel "Remover for Peripheral Resist Buildups" in IBM TDB, Band 19, Nr. 6, vom November 1976 beschrieben. Dieser Aufsatz offenbart die Verwendung eines Gasstrahls, mit dessen Hilfe die Konzentration von Fotolack an den Kanten des Substrats weggeblasen wird. Dabei ist eine außergewöhnlich genaue überwachung der Viskosität des Überzuges, des Abstandes zwischen dem Gasstrahl ! und dem Substrat und der Geschwindigkeit des Gases erforder-I lieh, damit nicht der erforderliche dünne überzug mit entj fernt wird.
: uaamnenfassung der Erfindung
Gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren geschaffen das eine überhöhung des Materials an den Kanten von Substraten dadurch verhindert, daß eine rahmenartige Begrenzung rund um das Substrat mit einer etwas höheren Oberfläche angebracht wird, worauf das überzugsmaterial auf das Substrat aufgebracht und das Substrat mit hoher Geschwindigkeit gedreht wird, so daß durch Einwirkung der Zentrifugalkraft sich das Überzugsmaterial in einer dünnen Schicht über das gesamte Substrat ausbreitet.
SA976Ö26 T09819/06Ö3
Der Apparat zum Aufbringen einer Materialschicht durch Schleudern in der Zentrifuge enthält Vorrichtungen, mit deren Hilfe das Substrat um seinen Mittelpunkt gedreht werden kann, ferner einen Vorratsbehälter und eine Leitung zum Zuführen des aufzubringenden Materials sowie Mittel zum Anbringen eines Rahmens rund um den Umfang des Substrats, wobei der Rahmen etwas oberhalb der ebenen Oberfläche des Substrats abschließt.
Die Erfindung wird nunmehr anhand von Ausführungsbeispielen in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen näher beschrieben.
In den Zeichnungen zeigt:
Fig. 1 eine Draufsicht auf ein Substrat mit einem
überhöhten Rahmen am Umfang des Substrats,
Fig. 2 eine vereinfachte schematische Schnittansicht,
längs der Linie 2-2 in Fig. 1, einer Vorrichtung zum Aufbringen eines dünnen Überzugs j auf einem Substrat durch Schleudern in der , Zentrifuge mit einem das Substrat umgebenden Rahmen gemäß der vorliegenden Erfindung,
Fig. 3 ein Diagramm zur Darstellung der Abhängigkeit ;
der überhöhung der Kante eines Überzugsmate- | rials vom Höhenunterschied zwischen der Hilfsoberfläche und der Substratoberfläche und
Fig. 4 ein Flußdiagramm der einzelnen Verfahrensschritte zum Herstellen einer dünnen Schicht aus einem Material unter Verwendung eines Schleuderverfahrens gemäß der Erfindung.
976 026 8 0 9 8 19/0603
- 6 -Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung
In Fig. 1 ist eine Halbleiterscheibe 10 in Form eines Quadrats an ihrem Umfang von einem Rahmen 12 umgeben. Die Halbleiterscheibe 10 liegt dabei um einen gewissen Abstand tiefer als die Oberkante des Rahmens 12, vgl. Fig. 2. In Fig. 2 besteht die Halbleiterscheibe 10 aus einem Substrat 14 und einer dünnen Schicht 16 aus Uberzugsmaterial. Der Rahmen 12 besteht aus Seitenwänden 13 mit einer Dicke t. Die Seitenwände müssen dabei starr genug sein, damit sie das Substrat 14 während des Schleuderns abstützen können. Andererseits könnte das Substrat von einem Vakuumspannfutter gehalten sein, wobei der Rahmen 12 dann noch mehr von dem Substrat 14 getragen würde. Die Dicke t des Rahmens ist nicht von Bedeutung, obgleich der Rahmen eine gewisse Breite aufweisen sollte. Die kleinste Dicke liegt etwa bei einem Millimeter. Die inneren Seitenwände 25 und die obenliegende Hilfsoberfläche 26 sollten glatt sein, so daß während des Beschichtungsvorgangs in der Zentrifuge das Beschichtungsmaterial leicht über den Rahmen hinausfließen kann.
Der Rahmen 12 liegt auf einer Grundplatte 18 auf, die für eine Rotation durch einen Elektromotor 20 mit diesem verbunden ist. Das Uberzugsmaterial wird zur Bildung der dünnen Schicht 16 während des Schleuderverfahrens aus einem Vorratsbehälter 22 über eine Rohrleitung 24 etwa in der Mitte des Substrats 14 zugeführt. Der Vorratsbehälter 22 mit der Zuleitung 24 liefern während des Schleuderverfahrens das Uberzugsmaterial.
Der Kern der vorliegenden Erfindung ist dabei der Ort der Halbleiterscheibe 10 und des unbeschichteten Substrats 14 unterhalb der am höchsten liegenden Hilfsoberfläche 26 des Rahmens 12. Dieser Höhenunterschied zwischen der ebenen Oberfläche des Substrats 14 und der Hilfsoberfläche 26 des Rah-
976 026 Ü098 1 9/060 3
27U752
mens 12 ergibt die Höhe des Rahmens in Fig. 3. Aus diesem Höhenunterschied läßt sich ableiten, unter welchen Bedingungen die kleinste Überhöhung der Kanten des Überzugsmaterials während des Schleuderverfahrens erreicht werden kann. Dies ist am besten aus Fig. 3 zu erkennen.
In Fig. 3 ist die Kantenüberhöhung der Kanten eines durch Schleudern aufgebrachten Überzugs, gemessen in Mikron, verglichen mit der Höhe des Rahmens in Mikron, dargestellt, d.h. des Unterschiedes zwischen der oberen ebenen Oberfläche des Substrats und der Hilfoberfläche des Rahmens. Die Höhe des Rahmens geht von 20 Mikron unterhalb der ebenen Oberfläche des Substrate bis 110 Mikron oberhalb der gleichen ebenen Oberfläche. Dieses Diagramm ist das Ergebnis von Versuchen mit !verschiedenen Rahmenhöhen, während gleichzeitig ein überzugs-'material auf ein Glassubstrat geleitet wurde. Das überzugsmaterial ist ein Fotolackmaterial der Firma Shipley Company, das unter dem Handelsnamen AZ-1300 als positiver Fotolack vertrieben wird, insbesondere unter AZ-135OJ. Die Parameter des überzugsmaterials wie z.B. die kinematische Viskosität bestimmen die Schichtdicke und können eine Auswirkung auf die Dicke der am Rande des Substrats gebildeten Kantenüberhöhung haben, wenn der Rahmen gemäß der vorliegenden Erfindung nicht verwendet wird. Der Fotolack AZ-135OJ hat eine Viskosität von angenähert 30,5 Zentistoke.
Das Schleudern zum Aufbringen von Überzügen aus Fotolack oder anderen Flüssigkeiten auf Substraten ist allgemein bekannt und wird häufig zur Erzeugung von dünnen Schichten mit einer Dikke zwischen 0,1 und 5 Mikron eingesetzt. Die Anwendungsgebiete gehen vom Herstellen von Überzügen aus Fotolack auf Halbleiterscheiben bis zu Eisen-III-Oxid-Uberzügen auf den Substraten für Plattenspeicher. Wird ein ebenes Substrat mit einer durchschnittlich symmetrischen Abmessung durch Schleudern mit einer bestimmten Winkelgeschwindigkeit mit einem
SA 976 Ö26 80 98 19/0603
Überzug versehen, dann wird mit Ausnahme der Kanten des Substrats eine Schicht gleichförmiger Dicke erreicht. Die Dicke der Schicht hängt nur von der symmetrischen Abmessung, der Winkelgeschwindigkeit des Schleuderüberzugsverfahrens und der kinematischen Viskosität des flüssigen Überzugsmaterials ab. An den Kanten des Substrats entsteht als Ergebnis dieses Schleuderverfahrens eine beträchtliche Erhöhung der Dicke der Schicht. Der Unterschied in der Schichtdicke zwischen der Kante und der Mitte des Substrats wird als Kantenüberhöhung bezeichnet. Die Kantenüberhöhung ist das Ergebnis eines Gleichgewichtszustands zwischen der Oberflächenenergie und der Rotationsenergie. Im Gleichgewicht ist die Oberflächenenergie je Längeneinheit der Substratkante gleich der Rotationsenergie, so daß keine neuen Trennflächen zwischen Luft und Flüssigkeit gebildet werden können, d.h., daß an diesem Punkt als Folge der Zentrifugalkräfte während des Schleudervorgangs keine Flüssigkeit mehr weggeschleudert wird. Für ein Substrat mit
2
38 mm , das durch Schleudern in der Zentrifuge bei 1500 U/min
i
mit dem oben erwähnten Shipley Fotolack überzogen wird, ist die Kantenüberhöhung in der Kurve gemäß Fig. 3 dargestellt. j Die Schichtdickenprofile wurden mit allgemein bekannten Verfahren zur Messung der Dicke von dünnen Schichten ermittelt. |
Wie in Fig. 3 gezeigt, ergibt eine Zunahme der Höhe des Rahmens von unterhalb der ebenen Oberfläche des Substrats bis etwa 60 Mikron oberhalb des Substrats eine beträchtliche Abnahme der Kantenüberhöhung des Überzugsmaterials. Bei einer Lage der Hilfsoberfläche des Rahmens 20 Mikron unterhalb der planaren Oberfläche des Substrats ergab sich eine Kantenüberhöhung von 7 Mikron. Die Kantenüberhöhung nahm bis auf weit unter 1 Mikron ab bei einer Überhöhung des Rahmens von 30 Mikron, d.h., wenn die Hilfsoberfläche sich in einem Abstand von 30 Mikron oberhalb der Substratoberfläche befindet. Die Kantenüberhöhung kann bis auf 0,2 Mikron +0,1 Mikron dadurch
SA 976 Ö26 8098 19/06 0 3
verringert werden, daß man den Rahmen bis auf etwa 50 Mikron oberhalb der Oberfläche des Substrats anhebt, ausgehend von etwa 7 Mikron von Kantenüberhöhung an der regulären Kante ohne Verwendung des Rahmens. Die Kantenüberhöhung hängt dabei sehr stark vom Höhenunterschied zwischen der Hilfsoberfläche des Rahmens und der Substratoberfläche ab. Der einfach in Fig. 1 und 2 um die Grenzen des Substrats herum dargestellte Rahmen ergibt dann eine besonders kleine Kantenüberhöhung, wenn die Oberseite des Rahmens zwischen etwa 40 bis 100 Mikron über der Ebene des Substrats liegt. Spalten zwischen dem Rahmen und dem Substrat müssen dabei kleiner sein als angenähert 20 Mikron.
Das Verfahren zum Erzielen eines Substrats mit einem durch Schleudern in der Zentrifuge aufgebrachten dünnen Schicht mit einer nur ganz geringen Überhöhung der Schicht am Rande ist in Fig. 4 gezeigt. Die Verfahrensschritte werden unter Verwendung der in Fig. 1 und 2 gezeigten Vorrichtung erläutert.
i
Das Verfahren beginnt mit der Auswahl eines geeigneten Substrats, wie z.B. des Substrats 14, auf das durch Schleudern !in der Zentrifuge eine dünne Schicht aus einem Material auf-
; gebracht werden soll." Ein geeignetes Substrat könnte beispiels·· ι weise eine nichtleitende Scheibe für ein Halbleiterelement aus keramischen Material oder ein magnetisches Substrat aus
Ferrit oder ein geeignetes Substrat für eine magnetisierbare Schicht sein, welches beispielsweise aus Glas oder Aluminium bestehen kann. Die Substrate werden dann für das Beschichtungs-jverfahren gereinigt und geläppt, wie es für das Anhaften der aufzubringenden dünnen Schicht an die glatte Oberfläche erforderlich ist. Vor Aufbringen der dünnen Schicht 16 können andere überzüge angebracht werden.
SA 976 026 8 0 9 8 19/0603
27U752
Das Substrat 14 wird dann In einen Rahmen 12 gemäß Flg. 1 und 2 eingesetzt, der eine erhöhte Hllfsoberfläche 26 aufweist. Der Rahmen wird rund um den äußeren Umfang des Substrats In der Welse angebracht, daß die Hllfsoberfläche einen Abstand gegenüber der ebenen Oberfläche des Substrats aufweist, der der gewünschten oder geforderten Verringerung der Kantenüberhöhung entspricht. Für das quadratische Substrat 14 In Flg. 1 wird ein Rahmen 12 aus vier gleichen Teilen hergestellt, die rund um den Umfang des Substrats angebracht werden.
Das überzugsmaterial wird dann, wie in Fig. 2 gezeigt, entsprechend dem nächsten Schritt von Fig. 4 aufgebracht. Das Uberzugsmaterial wird im allgemeinen etwa in der Mitte oder nahe der Mitte aufgebracht, wie es die Form des Substrats zuläßt, so daß durch die Zentrifugalkraft des rotierenden Substrats sich das Uberzugsmaterial über die planare Oberfläche des Substrats ausbreitet und verteilt. Der nächste Verfahrensschritt gemäß Fig. 4 besteht darin, daß das eingerahmte Substrat nunmehr um seinen ungefähren Mittelpunkt rotiert wird. In Fign. 1 und 2 kann die Rotation durch einen Elektromotor 20 erzeugt werden, der die Grundplatte 18, die das eingerahmte Substrat 14 trägt, rotiert. Die dem Substrat erteilte Rotationsgeschwindigkeit ist eine Funktion der Dicke des überzugsmaterials und der Viskosität des Uberzugsmaterials Das Verfahren endet damit, wenn die gewünschte Verteilung des Überzugs erreicht ist. Die zur Erzielung eines beschichteten Substrate mit den erforderlichen Parametern erforderliche Zeit wird im allgemeinen durch Versuch bestimmt. Das Schleudern wird dann angehalten, wenn diese Zeit abgelaufen ist.
Die auf das Uberzugsmaterial einwirkenden Zentrifugalkräfte, die das Ergebnis des Schleuderns des Substrats um seine Mittelachse sind, bewirken, daß sich das Uberzugsmaterial über die Oberfläche des Substrats ausbreitet. Jede Materialüberhöhung an den Kanten des Substrats wird nach oben und über die Hilfsoberfläche der erhöhten Rahmens abgeschleudert. Es
SA 976 026 "g 0 9 8 19/0603
gibt daher fast keine oder keine Kantenüberhöhung rund um den Umfang eines Substrats, wenn das Substrat gemäß der vorliegenden Erfindung mit einem Rahmen versehen ist. Die überhöhung des überzugsmaterials an den Kanten wird vermieden, und das Substrat mit der daraufbefindlichen dünnen Schicht ist unmittelbar für eine Maskierung und Entwicklung des Fotolacks für eine weitere Bearbeitung des Substrats verwendbar. Die weitere Verwendung eines so vorbereiteten Substrats für die Halbleiterherstellung ist allgemein bekannt und bedarf hier nicht der Erläuterung. Die Maske kann ohne weitere Bearbeitung der Halbleiterscheibe unmittelbar auf das Fotolacküberzugsmaterial aufgelegt werden. Die Kantenüberhöhung wird soweit verringert, daß die verschiedenen Verfahrensschritte, die normalerweise zum Freilegen der Kanten und zum Entwickeln des Fotolacks nur an den Kanten zusammen mit dem Verfahren zum anschließenden Reinigen der Kanten des Substrats nicht länger erforderlich sind. Diese Verfahrensschritte haben keinen funktionalen Zweck und haben durch die zusätzlichen Verfahrensschritte lediglich zur Kostenerhöhung beigetragen.
'Das Prinzip der vorliegenden Erfindung wurde an einer hier dargestellten Ausführungsform erläutert. Dem Fachmann leuchtet j ohne weiteres sofort ein, daß viele Abwandlungen der Struktur I der Anordnung, der Abmessungen der Elemente, Materialien und Komponenten bei der Durchführung der Erfindung möglich sind. Beispielsweise können Substrate und Rahmen jede beliebige
I Form haben, beispielsweise kreisförmig oder rechteckig sein :und müssen nicht, wie in Fign. 1 und 2 gezeigt, quadratisch sein. Die einzige Forderung ist, daß eine genaue Passung vorgesehen ist zwischen Substrat und erhöhtem Rahmen. Spalten zwi-jsehen dem Rahmen und dem Substrat müssen möglichst klein gehalten werden, da sich der Spalt sonst für das überzugsmateriai. als ungeschützte Kante darstellt, so daß an dem Spalt eine Kan-t-' tenüberhöhung auftritt. Selbstverständlich ist klar, daß jedes
SA 976 026
8 09819/0603
Überzugsmaterial benutzt werden kann. Das einzige Erfordernis besteht darin, daß das Material zur Bildung einer dünnen Materialschicht auf dem Substrat durch Schleudern in der Zentrifuge aufgebracht werden kann.
SA 976 O26 8 0 9 8 19/0603
Leerseite

Claims (4)

PATENTANSPRÜCHE
1. Verfahren zum Aufbringen eines gleichförmigen Überzugs auf der Oberfläche eines Substrats durch Schleudern, gekennzeichnet durch folgende Verfahrensschritte: Anbringen eines Rahmens am Umfang des Substrats derart, daß die Oberseite des Rahmens höher liegt als die ebene Oberfläche des Substrats,
Anbringen des Überzugsmaterials auf das Substrat und· Rotieren des eingerahmten Substrats mit dem derauf befindlichen Uberzugsmaterials etwa um dessen Mittelpunkt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß das eingerahmte Substrat bereits vor Aufbringen des Überzugsmaterials in Rotation versetzt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß als überzugsamterial ein flüssiger Fotolack verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeich- !
net, daß rund um den Umfang des Substrats ein Rahmen angebracht wird, dessen Oberfläche zwischen 40 und 1OO Mikron oberhalb der ebenen Oberfläche des Substrats liegt.
SA 976 02S 80 98 19/06 03
DE2744752A 1976-11-08 1977-10-05 Verfahren zum Aufbringen eines gleichförmigen Überzugs auf einer Oberfläche Expired DE2744752C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/739,756 US4068019A (en) 1976-11-08 1976-11-08 Spin coating process for prevention of edge buildup

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2744752A1 true DE2744752A1 (de) 1978-05-11
DE2744752C2 DE2744752C2 (de) 1983-02-03

Family

ID=24973654

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2744752A Expired DE2744752C2 (de) 1976-11-08 1977-10-05 Verfahren zum Aufbringen eines gleichförmigen Überzugs auf einer Oberfläche

Country Status (6)

Country Link
US (1) US4068019A (de)
JP (1) JPS5358768A (de)
DE (1) DE2744752C2 (de)
FR (1) FR2369881A1 (de)
GB (1) GB1535641A (de)
IT (1) IT1115743B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2944180A1 (de) * 1979-11-02 1981-05-07 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen einer einen halbleiterkoerper einseitig bedeckenden isolierschicht

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4201149A (en) * 1974-12-17 1980-05-06 Basf Aktiengesellschaft Apparatus for spin coating in the production of thin magnetic layers for magnetic discs
US4190015A (en) * 1977-12-08 1980-02-26 Machine Technology, Inc. Apparatus for dispensing liquid to spinning workpieces
JPS5695569U (de) * 1979-12-20 1981-07-29
US4536240A (en) * 1981-12-02 1985-08-20 Advanced Semiconductor Products, Inc. Method of forming thin optical membranes
US4548646A (en) * 1982-11-15 1985-10-22 Sermatech International Incorporated Thixotropic coating compositions and methods
US4794021A (en) * 1986-11-13 1988-12-27 Microelectronics And Computer Technology Corporation Method of providing a planarized polymer coating on a substrate wafer
US4795543A (en) * 1987-05-26 1989-01-03 Transducer Research, Inc. Spin coating of electrolytes
US5238713A (en) * 1987-09-18 1993-08-24 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Spin-on method and apparatus for applying coating material to a substrate, including an air flow developing and guiding step/means
FR2636546B1 (fr) * 1988-09-15 1991-03-15 Sulzer Electro Tech Procede et dispositif pour l'application uniformement reguliere d'une couche de resine sur un substrat
US5294257A (en) * 1991-10-28 1994-03-15 International Business Machines Corporation Edge masking spin tool
DE4203913C2 (de) * 1992-02-11 1996-09-19 Fairchild Convac Gmbh Geraete Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen und/oder zum partiellen Entfernen einer dünnen Schicht auf ein bzw. von einem Substrat
KR100370728B1 (ko) * 1994-10-27 2003-04-07 실리콘 밸리 그룹, 인크. 기판을균일하게코팅하는방법및장치
US7018943B2 (en) 1994-10-27 2006-03-28 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
US6977098B2 (en) * 1994-10-27 2005-12-20 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
US7030039B2 (en) 1994-10-27 2006-04-18 Asml Holding N.V. Method of uniformly coating a substrate
DE19522004A1 (de) * 1995-06-21 1997-01-02 Inst Mikrotechnik Mainz Gmbh Herstellungsverfahren von teilbeweglichen Mikrostrukturen auf der Basis einer trockenchemisch geätzten Opferschicht
US5803968A (en) * 1995-08-21 1998-09-08 Schwartz; Vladimir Compact disc spin coater
WO1998018568A1 (en) * 1996-10-28 1998-05-07 Robert Herpst Method and apparatus for the production of thin films
US6054356A (en) * 1996-12-10 2000-04-25 Advanced Micro Devices, Inc. Transistor and process of making a transistor having an improved LDD masking material
US5840365A (en) * 1997-02-07 1998-11-24 The Fairchild Corporation Method and apparatus for spin-coating compact discs
US5916368A (en) * 1997-02-27 1999-06-29 The Fairchild Corporation Method and apparatus for temperature controlled spin-coating systems
US5916631A (en) * 1997-05-30 1999-06-29 The Fairchild Corporation Method and apparatus for spin-coating chemicals
US5908661A (en) * 1997-05-30 1999-06-01 The Fairchild Corporation Apparatus and method for spin coating substrates
EP1175672A1 (de) * 2000-02-25 2002-01-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Optische speicherplatte und herstellungsverfahren
AU2003226908A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-27 Danfoss A/S Process for centrifugal distribution of liquid physiological specimens
CN101885216A (zh) * 2009-05-14 2010-11-17 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 挠式模具的制造方法
US20230124666A1 (en) * 2019-10-02 2023-04-20 Soroosh Mahmoodi Two-axis spin coating method and apparatus

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB449741A (en) * 1935-05-29 1936-07-02 Richard Walter Hoh Improvements in or relating to centrifugal apparatus for applying light-sensitive layers and the like
FR793201A (fr) * 1935-07-31 1936-01-20 Hoh & Hahne Perfectionnements apportés aux appareils centrifuges destinés à la répartition uniforme et au séchage de la couche sensible à la lumière, appliquée à l'état frais, sur des pierres, gravures et autres objets similaires
DE641582C (de) * 1935-12-04 1937-02-05 Hoh & Hahne Vorrichtung zum Schleudern von photographischen Druckplatten u. dgl.
FR54387E (fr) * 1944-09-01 1950-03-10 Leitz Ernst Gmbh Dispositif pour l'application de couches de revêtement sur des surfaces optiquement agissantes, notamment sur des surfaces de verre
US2580131A (en) * 1947-02-25 1951-12-25 Chandler & Price Co Method and apparatus for coating a lithographic plate
US3323491A (en) * 1964-12-17 1967-06-06 Stewart E Granick Color spinner toy
DE2634144A1 (de) * 1975-07-29 1977-02-17 Fuji Photo Film Co Ltd Photographisches, lichtempfindliches material und spinnbeschichtungsverfahren zu seiner herstellung
US4024835A (en) * 1975-10-06 1977-05-24 Hewlett-Packard Company Spinner chuck for non-circular substrates

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
NICHTS-ERMITTELT *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2944180A1 (de) * 1979-11-02 1981-05-07 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zum herstellen einer einen halbleiterkoerper einseitig bedeckenden isolierschicht

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5358768A (en) 1978-05-26
US4068019A (en) 1978-01-10
FR2369881B1 (de) 1979-04-27
IT1115743B (it) 1986-02-03
JPS5337708B2 (de) 1978-10-11
FR2369881A1 (fr) 1978-06-02
DE2744752C2 (de) 1983-02-03
GB1535641A (en) 1978-12-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2744752C2 (de) Verfahren zum Aufbringen eines gleichförmigen Überzugs auf einer Oberfläche
DE2534801C2 (de) Verfahren zum Herstellen von dotierten Gebieten in einem Halbleiterkörper durch Ionen-Implantation
DE60225995T2 (de) Strippingsfolie, Verfahren zur Herstellung einer Strippingsfolie und Vorrichtung zur Herstellung einer Strippingsfolie
DE2624832A1 (de) Verfahren zum herstellen von lackmustern
DE2812351A1 (de) Verfahren zum beidseitigen oberflaechenbeschichten einer bahn
EP0546427A1 (de) Mikroventil und Verfahren zu dessen Herstellung
CH663912A5 (de) Verfahren zum ausbilden eines gleichfoermigen schutzfilms auf einem substrat.
DE4202194C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum partiellen Entfernen von dünnen Schichten von einem Substrat
DE3019851A1 (de) Verfahren zur herstellung einer lithographie-maske und mit einem solchen verfahren hergestellte maske
DE102018206474B3 (de) Gleichförmigkeitssteuerung metallbasierter Fotolacke
DE4203913C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen und/oder zum partiellen Entfernen einer dünnen Schicht auf ein bzw. von einem Substrat
DE2832408A1 (de) Verfahren zur herstellung von praezisionsflachteilen, insbesondere mit mikrooeffnungen
DE2617767A1 (de) Beschichtungsverfahren und beschichtungsvorrichtung
DE2459541B2 (de) Verfahren zum herstellen von magnetschichten von magnetspeicherplatten
DE2743011C2 (de) Anordnung zum Aufbringen einer lichtempfindlichen Lackschicht auf eine Halbleiterscheibe
DE2810316C3 (de) Verfahren zum Bedampfen eines Substrats mit zwei übereinanderliegenden Schichten
DE10002354A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe
EP0461543A2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Beschichten von Substraten mit geschmolzenem Material
DE102004029511A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Substraten sowie Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung
DE2840553A1 (de) Verfahren und anordnung zum herstellen von leitungsmustern im bereich von weniger als von 10 nanometern oder weniger
EP0357115B1 (de) Verfahren zum Aufbringen von Distanzelementen einer Flüssigkristallzelle und eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
EP0711108B1 (de) Vorrichtung zur belackung von substraten in der halbleiterfertigung
EP0223096A1 (de) Verfahren zum Aufbringen einer Matrix
DE3842246C2 (de) Verfahren zur exakten Ausfüllung einer wannenartigen Vertiefung
DE4204637C1 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee