DE2715491A1 - Spinnueberzugsverfahren - Google Patents
SpinnueberzugsverfahrenInfo
- Publication number
- DE2715491A1 DE2715491A1 DE19772715491 DE2715491A DE2715491A1 DE 2715491 A1 DE2715491 A1 DE 2715491A1 DE 19772715491 DE19772715491 DE 19772715491 DE 2715491 A DE2715491 A DE 2715491A DE 2715491 A1 DE2715491 A1 DE 2715491A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- base plate
- coating
- liquid
- layer
- coating composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/40—Distributing applied liquids or other fluent materials by members moving relatively to surface
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/74—Applying photosensitive compositions to the base; Drying processes therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/74—Applying photosensitive compositions to the base; Drying processes therefor
- G03C2001/7403—Air jets
Description
DR. E. WItGAND D!PL.-!NG. W. NIEMANN DR. M. KÖHLER DIPL-ING. C. GERNHARDT
MÖNCHEN — HAMBURG
TELEFON: 55547ί 8000 M ü N C H E N 2,
TELEGRAMME. XARPATENT MATHILOENSTRASSE 12
TELEX 5 29 063 KARPD
y. 42 847/77 - K/Ne 6.April 1977
Fuji Photo Filai Co., Ltd.
Minaai Ashigara-Shi, Kacagawa (Japan)
Spinnüberzugενerfahren
Eie Erfindung betrifft ein Spinnüberzugsverfahren, insbesondere
ein Spinnüberzugsverfahren, bei des verhindert
ist, dass eine auf die Oberfläche ainer Grundplatte aufgetragene Überzugsmasse an der Rückseite derselben und an der
Kante oder dem Umfang der Platte anhaftet.
Gemäss der Erfindung wird ein Verfahren zum Spinnüberziehen
einer Überzugsmasse auf der Oberfläche einer Grundplatte vorgeschlagen, wobei ein mit der Überzugsmasse verträgliches Material entweder in Flüssigkeits- oder Bampiform
auf die entgegengesetzte Oberfläche der Grundplatte zu der Oberfläche, worauf die Überzugsmasse aufgetragen wurde,
(die nachfolgend als "Rückseitenoberfläche" oder "Rückseite" bezeichnet wird), während die Grundplatte zur Entfernung
der zur Rückseitenoberfläche oder dem Kantenteil der Platte fliessenden Überzugsmasse rotiert wird, aufgetragen. Das
mit der Überzugsmasse verträgliche Material kann auf die
709842/0910
Oberfläche der Grundplatte am Umfang derselben aufgetragen
werden, um die Überzugsmasse dort zu verringern oder zu entfernen.
Ein Verfahren zur Bildung eines Photowiderstandes auf einer Grundplatte oder -scheibe durch einen Spinnüberzug
unter Anwendung eines organischen Lösungsmittels als Lösungsmittel
für die überzugsmasse wird bereits in weiten Umfang auf dem Gebiet der Herstellung von Halbleitervorrichtungen
und dgl. angewandt. Beispielsweise wird eine Photowiderstandsüberzugsschicht
von einheitlicher Stärke durch Aufbringung einer Grundplatte, beispielsweise einer Glasscheibe mit einer
darauf befindlichen dünnen iietallschicht, Siliconabdeckung
und dgl. auf den Drehtisch einer Spinnvorrichtung, tropfenweise Aufgabe einer Überzugsmasse für den Photowiderstand
auf den Drehtisch und anschliessendes Drehen des Drehtisches
mit hoher Geschwindigkeit, üblicherweise etwa 2000 bis etwa 6000 U/Min, hergestellt.
Versuche jedoch, um eine Gelatine-Silberhalogenid-Eaulsion
auf eine Grundplatte, wie eine Glasplatte oder eine mit einer darauf befindlichen dünnen Metallschicht ausgestattete Glasplatte
mittels Spinnüberzuges aufzubringen, erbrachten Jedoch die folgenden Schwierigkeiten. Da der Feststoffgehalt der
Gelatine-Silberhalogenid-Emulsion weit niedriger als derjenige
einer Photowiderstandsüberzugsmasse ist, ist die Trockenstärke
der gebildeten Silberhalogenid-Emulsionsschicht weit dünner als die Stärke der Silberhalogenid-Emulsionsschicht unmittelbar
nach dem Aufziehen, d. h. die Trockenstärke der Silberhalogenid-Emulsionsschicht
beträgt üblicherweise etwa 1/50 der Stärke der Silberhalogenid-Emulsionsschicht unmittelbar nach dem Aufziehen.
Falls deshalb eine Gelatine-Silberhalogenid-Emulsion
mittels Spinnüberziehen mit hoher Geschwindigkeit aufgezogen wird, wie im Fall eines Überzuges einer Photowiderstands-
709842/0910
überzugsmasse, ist die Trockenstärke der gebildeten Silberhalogenid-Emulsionsschicht
äuss*rst dünn, beispielsweise etwa 1/2 bis etwa 1/10 Mikron. Auch wenn die Gelatine-Silberhalogemid-Emulsion
nach dem Spinnüberzugsverfahren aufgezogen wird, enthält die ausgebildete Emulsionsschicht eine grosse
'Menge an Blasenspuren, die dem Aussehen eines Kometen ähnlich sind, weil feine Blasen in die Silberhalogenid-Emulsion eintreten,
wenn diese über die Grundplatte durch die Einwirkung der Zentrifugalkraft ausgebreitet wird.
Falls weiterhin die Temperatur einer Gelatine-Silberhalogenid-Emulsionsschicht
etwa auf Raumtemperatur, d. h. etwa 20 bis 30° C, abfällt, verfestigt sich die Emulsionsschicht,
während, falls die Geschwindigkeit bei der Kotierung
des Spinnüberzuges hoch ist, die Emulsion häufig sich verfestigt, während die Emulsion über die Grundplatte durch die
Drehung des Drehtisches ausgebreitet wird. Ferner unterliegt der Rand oder die Kante des verfestigten Überzuges einer
starken Zentrifugalkraft und infolgedessen wird die Emulsionsschicht
am Umfang bisweilen abgestreut. In diesem Fall ist es weit günstiger, dass die überzugsmasse einheitlich am
Randteil abgestreut wird, um die Oberfläche der Grundplatte am Randteil mit einer einheitlichen Breite zu versehen, anstatt
dass die Breite oder Menge der auf diese Weise abgestreuten Emulsionsschicht stark in jeder Stellung oder jeder Fläche
sich unterscheidet. Falls jedoch der Feststoffgehalt der
Gelatine-Silberhalogenid-Emulsion zur Überwindung dieser Schwierigkeiten erhöht wird, zeigt die Silberhalogenidemulsion
eine noch grössere Tendenz zur Verfestigung, was speziell unerwünscht ist.
Falls deshalb eine Silberhalogenidemulsion auf einer Grundplatte nach dem Spinnüberzugsgang aufgezogen wird, muss
das überziehen bei einer weit niedrigeren Geschwindigkeit
709842/0910
der Drehgeschwindigkeit (etwa 100 bis etwa 1000 U/ilin.) durchgeführt
werden, als es beim vorstehend geschilderten Aufziehen eines Photowiderstandsüberzuges üblich ist. Falls weiterhin
die Viskosität der Überzugsmasse niedrig ist oder der ?eststoffgehalt
der überzugsmasse im Fall des Aufziehens einer Photowiderstands-Überzugsmasse auf eine Grundplatte niedrig
ist oder, falls eine Überzugsschicht mit einer Stärke von etwa '5 bis etwa 20 Mikron erforderlich ist, wie iai Fall des Aufziehens
einer Fhotowiderstands-Uberzugsmasse, wie beispielsweise einem Kupferschichtgebilde für eine gedruckte
Schaltung, muss das Spinnüberziehen bei einer niedrigen Geschwindigkeit
der Drehung ausgeübt werden.
Falls jedoch das Spinnüberziehen durch Kotieren der Platte mit solch niedriger Geschwindigkeit der Drehung ausgeführt
wird, insbesondere bei einer niedrigen Geschwindigkeit der Drehung von etwa 100 bis 500 U/Min., sammelt sich die überzugsmasse
am Umfang und weiterhin auf der rückseitigen Oberfläche der Platte an. Diese Erscheinung tritt häufig am
Umfang oder der Rückseitenoberfläche der Eckenteile auf, wenn die Grundplatte quadratische oder rechteckige Ecken hat. Falls
die Überzugsmasse am Umfang oder an der Rückseitenoberfläche der Grundplatte in der vorstehend angegebenen Weise anhaftet,
muss somit die anhaftende Überzugsmasse nach der Trocknung in Form feiner Stücke abgeschabt werden, die an der überzogenen
Schicht auf der Oberfläche der Grundplatte haften, so dass Fehler, wie Nadellöcher, verursacht werden. Die Verhinderung
dieses Problems ist sehr wichtig, falls feine Bilder, wie sie zur Herstellung von Halbleitervorrichtungen erforderlich sind,
erhalten werden müssen.
Die Aufgabe der Erfindung besteht deshalb in einem Spinnüberzugsverfahren,
bei dem verhindert wird, dass die Überzugsmasse am Umfang und an der Rückoberfläche der zu überziehenden
Platte oder Scheibe anhaftet.
709842/0910
Gemäss der Erfindung ergibt sich ein Spinnüberzugsverfahren
zum Aufziehen einer Überzugsmasse auf die Oberfläche einer Grundplatte, wobei ein mit der Überzugsmasse verträgliches
Material in flüssiger Form oder Dampfform auf die entgegengesetzte
Oberfläche der Grundplatte zur Oberfläche, worauf die Überzugsmasse aufgetragen wurde, zugeführt v/ird, während
die Grundplatte zur Entfernung der zun Umfang oder der entgegengesetzten Oberfläche und/oder der Kante der Grundplatte
fliessenden Überzugsmasse rotiert wird.
In der Zeichnung stellen
Fig. 1 einen von der Seite gesehenen Schnitt, der eine Ausführungsform des Spinnüberziehens allgemein zeigt,
Fig. 2 eine Vorderansicht, die die Rückseite der überzogenen Seite der mit der Spinnüberzugsmasse überzogenen
Grundplatte gemäss Fig. 1 zeigt,
Fig. 3 eine Seitansicht, die eine Ausführungsform des
Spinnüberzugsverfahrens geraäss der Erfindung zeigt,
Fig. 4- eine vergrösserte Ansicht eines Teils der Fig. 3,
Fig· 5 eine vergrösserte Ansicht, die einen Teil einer weiteren Ausführungsform des Spinnüberzugsverfahrens gemäss
der Erfindung zeigt,
Fig. 6(a) und (b) Aufsichten und seitliche Schnittansichten einer weiteren Ausführungsform des Spinnüberzugsverfahrens
gemäss der Erfindung und
Fig. 6(c) eine Aufsicht, die eine rechteckige nach dem Spinnüberzugsverfahren gemäss der Erfindung überzogene Grund
platte zeigt,
dar.
dar.
Die Erfindung wird nachfolgend im einzelnen anhand der
beiliegenden Zeichnungen erläutert.
709842/0910
Spinnüberzuges im allgemeinen zeigt. In der Figur ist die Grundplatte 12 auf der Oberfläche, worauf die Emulsion aufzuziehen
ist, auf einen auf einer Drehwelle 11 drehbaren Drehtisch 10 befestigt. Die Grundplatte 12 wird allgemein auf
der uberfläche des Drehtisches 10 durch ein an die Grundplatte
durch in dem Drehtisch ausgebildete Perforationen angelegtes Vakuum gehalten, jedoch können auch andere geeignete
Massnahmen angewandt werden. Dann wird die überzugsmasse auf
die in dieser Weise auf den Drehtisch 10 gehaltene Oberfläche der Grundplatte 12 zugeführt und anschliessend wird der Drehtisch
10 rotiert, so dass sich auf der Oberfläche der Grundplatte 12 eine aufgezogene Schicht der gewünschten Stärke bildet.
Die Bezugsziffer 13 bezeichnet die auf der Oberfläche der Grundplatte 12 ausgebildete aufgezogene Schicht, die Bezugsziffer 14 bezeichnet den Teil der Überzugsmasse, der die
Kante der Grundplatte erreicht hat, und die Bezugsziffer 15
bezeichnet den Teil der überzugsmasse, welcher die rückseitige Oberfläche der Grundplatte 12 am Umfangsteil erreicht hat.
Fig. 2 ist eine Vorderansicht, die die Rückseite der Grundplatte 12 zeigt, so wie sie durch das in Fig. 1 dargestellte
Spinnüberziehen überzogen wurde. Wenn die Grundplatte 12 quadratisch ist und Ecken hat, ist der Anteil der den
Eckenteil der entgegengesetzten Seite erreichenden Überzugsmasse sehr gross, wie durch die Bezugsziffer 15 angedeutet.
Dies dürfte auf Grund der Ursache erfolgen, dass, falls das Spinnüberziehen durch Drehen der Grundplatte 12 mit niedriger
Geschwindigkeit von etwa 100 bis etwa 500 U/Min, durchgeführt
wird, die Überzugsmasse, die nicht durch die Zentrifugalkraft abgeschleudert wurde, sich insbesondere in den Eckenteilen der
Grundplatte ansammelt und die überzugsmasse die Rückseite der
Grundplatte um die Kante derselben herum erreicht.
709842/0910
-Jt-
erfindungsgemäßen Fig. 3 zeigt eine Ausführungsform des/bpinnüberzugsver-
fahren zwecks Vermeidung der vorstehend aufgeführten Fehler. Wie in der Figur ersichtlich, ist eine Düse 30 zur Zuführung
eines Materials 31, beispielsweise als eine mit der auf die Grundplatte aufgezogenen Überzugsmasse verträgliche Flüssigkeit
auf die Rückseite der drehenden Grundplatte 12 angebracht. Der Kopf der Düse 30 ist so gebogen, dass er zu
der Unifangsfläche der Grundplatte 12 gerichtet ist und das
vorstehend angegebene Fliessmittel wird durch die Düse auf die Eückseite der Grundplatte ausgedüst. Da jedoch das auf
der Düse 30 ausgedüste und in Kontakt mit derRückseite der
sich drehenden Grundplatte 12 gebrachte Fliessmittel 31 nach
auswärts durch die Zentrifugalkraft abgestreut wird, braucht
der Kopf der Düse 30 nicht stets gebogen und nach auswärts gerichtet sein. Das Fliessniittel 31 erreicht die Rückseite
der Grundplatte 12 und wird in Form von Flüssigkeitströpfchen
32 zusammen mit der an der Rückseite der Grundplatte 12 anhaftenden
Überzugsmasse und der an der Kante derselben anhaftenden Überzugsmasse durch die Zentrifugalkraft abgeschleudert.
Fig. 4 dient zur weiteren Erläuterung des in Fig. 3 gezeigten erfindungsgeinässen Verfahrens im einzelnen. In der
Figur sind mit den Bezugsziffern 4-1, 4-2 und 43 die richtige,
Seite, die Rückseite und die Kante jeweils der Grundplatte 12 bezeichnet und der angesammelte Teil 40 der Überzugsmasse
wird auf der Kante 43 der Grundplatte angesammelt. Die von
der Düse 30 zugelieferte Flüssigkeit 31 erreicht die Rückseite
42 der Grundplatte, fliesst nach auswärts zusammen mit der am Bückseitenteil anhaftenden Überzugsmasse auf Grund der Einwirkung
der Zentrifugalkraft und der Geschwindigkeit der Flüssigkeit, die aus der Düse ausgedüst wird, und erreicht
weiterhin die Kante 43 auf Grund der Einwirkung der Oberflächenspannung
der Flüssigkeit unter Verdünnung der daran anhaftenden
709842/0910
überzugsmasse. Dadurch wird die Ansammlung 40 der Flüssigkeit
und der Überzugsmasse am Kantenteil 43 der Grundplatte gebildet
und Flüssigkeitströpfchen 32 werden aufeinanderfolgend aus der Ansammlung 40 durch die Zentrifugalkraft gebildet
und werden dann nach auswärts abgeschleudert. Nachdem somit ein bestimmter Zeitraum vergangen ist, tritt diese Erscheinung
über den gesamten Umfang der Grundplatte 12 auf und die Feststoffkomponente der Überzugsmasse in der Ansammlung 40 fehlt
praktisch vollständig. Falls die Zuführung der Flüssigkeit von der Düse in diesem Zustand abgebrochen wird und-die Drehung
der Grundplatte weiterhin fortgesetzt wird, vorzugsweise mit höherer Drehgeschwindigkeit, wird eine aufgezogene Schicht 13
ohne irgendeine an der Rückseite und der Kante der Grundplatte anhaftende überzugsmasse erhalten.
Falls in diesem Fall die Geschwindigkeit der Rotation beim Spinnüberziehen niedrig ist, ist die an die Überzugsmasse
auf dem Träger am Umfang einwirkende Zentrifugalkraft niedrig und infolgedessen sammelt sich die überzugsmasse am Umfangsteil
und der Kante des Trägers an, so dass sich eine Erhöhung der Stärke der Schicht an diesen Teilen einstellt. Das heisst,
in der Fig. 1 wird die Dicke des dicken Schichtteils 16 der aufgezogenen Schicht 13 etwa das 2- bis 1Ofache der Stärke des
Mittelteils der aufgezogenen Schicht 13 und die Breite des dicken Teiles wird bisweilen etwa 2 bis 6 mm. Diese Tendenz
tritt am Umfangsteil der Grundplatte 12 auf und ist besonders markant an den Eckenteilen. Diese Tendenz tritt im Fall des
Aufziehens eines Photowiderstandes durch das Spinnüberziehen auf, jedoch ist die Tendenz besonders bemerkenswert im Fall
des Aufziehens einer Gelatine-Silberhalogenid-Emulsion im Vergleich zum Fall des Aufziehens eines Photowiderstandes, da '
die Benetzbarkeit der Grundplatte durch die Gelatine-Silberhalogenid-Emulsion,
beispielsweise einerGlasplatte oder einer
709842/0910
Glasplatte mit einem dünnen Metallfilm an der Oberfläche derselben,
schlecht im Vergleich zu dem beim Aufziehen des Photowiderstandes
verwendeten organischen Lösungsmittels ist. Zur Vermeidung dieses Nachteils liesse sich denken, die Benetzbarkeit
durch die Gelatine-Silberhalogenid-Emulsion durch Zusatz eines oberflächenaktiven Mittels hierzu zu verbessern, Jedoch
ist selbst bei einer derartigen Verbesserung diese immer noch unzureichend. Ferner ergibt der Zusatz einer grossen Menge
eines oberflächenaktiven Mittels zu einer Gelatine-Silberhalogenid-Emulsion
eine Schädigung der Haftung und der photographischen Eigenschaften der Emulsion und infolgedessen ist
es ungünstig, eine grosse Menge eines oberflächenaktiven Mittels
einzusetzen. Der Grund, weshalb die aufgezogene Schichr am umfang der Grundplatte dick wird, dürfte auf die Tatsache
zurückzuführen sein, dass die Emulsion eine schlechte Benetzungseigenschaft
für die Grundplatte besitzt und die Temperatur der Emulsion während der Drehung abnimmt, während die
Viskosität der Emulsion stark erhöht wird.
Falls die Stärke der dicken Schicht niedrig ist, tritt in der Praxis kein Problem auf, während., falls die Stärke der
dicken Schient am Umfang der Grundplatte äusserst hoch ist, ein ungleichmässiger Spalt sich zwischen einer Photomaske und
der aufgezogenen Schicht im Fall der Belichtung der aufgezogenen Schicht in enger Kontaktbeziehung bildet, so dass
ein ungünstiger Effekt auftritt. Auch wenn eine derartige aufgezogene Schicht zur Projektionswiedergabe verwendet wird,
wird kein genauer Brennpunkt erhalten.
Der dicke Teil der aufgezogenen Schicht am Umfang kann entfernt oder die Dicke des dicken Teiles kann in folgender
Weise verringert v/erden.Dies wird unter Bezugnahme auf die in Fig. 5 gezeigte Ausführungsform erläutert. In der Figur
bezeichnet die Bezugsziffer 33 die auf der Oberfläche einer
709842/0910
Grundplatte 12 ausgebildete aufgezogene Schicht und die Bezugsziffer 50 zeigt den Umfangsteil der Grundplatte 12. Gemäss
der in der Figur gezeigten Ausführungsform wird die zugeführte
Flüssigkeit 31 zur richtigen Seite der Grundplatte 12 am Umfang
durch Erhöhung der Zufuhrgeschwindigkeit der Flüssigkeit aus der Düse 30 und/oder Verringerung der Drehgeschwindigkeit
der Grundplatte transportiert, so dass sie die aufgezogene Schicht löst oder die Überzugsmasse am Umfangsteil 50 verdünnt.
Durch die vorstehend angegebenen ilassnahmen wird die aufgezogene
Schicht am Umfangsteil 50 entfernt oder dessen Stärke verringert.
Ein derartiger Zustand wird lediglich erreicht, falls eine bestimmte Beziehung zwischen der Zufuhrgeschwindigkeit
der Flüssigkeit' 31 aus der Düse 30 und der Drehgeschwindigkeit
der Grundplatte 12 erfüllt wird, jedoch ist es schwierig, zahlenmässig diese Beziehung zu definieren. Das heisst, die
Bedingung hängt von der Art der verwendeten Flüssigkeit, der Art der Überzugsmasse (Unterschiedlichkeit der Viskosität,
Benetzbarkeit und dgl.), der Benetzbarkeit der Grundplatte, der Form der Kante der Grundplatte, der Stärke der Grundplatte
und dgl. ab, und infolgedessen müssen die optimalen Bedingungen in jedem Fall ausgewählt werden. Dies ist jedoch sehr einfach
und kann leicht durch Steuerung der Drehgeschwindigkeit der Grundplatte und/oder der Zufuhrgeschwindigkeit der Flüssigkeit
ermittelt werden.
Die auf diese Weise zur richtigen Seite der Grundplatte 12 transportierte Flüssigkeit löst die am Umfang der Grundplatte
12 gebildete dicke aufgezogene Schicht oder verdünnt die Überzugsmasse am Umfang. Anschliessend wird durch Erhöhung der
Drehgeschwindigkeit der Grundplatte und/oder Unterbrechung der Zufuhr der Flüssigkeit aus der Düse 30 die am Umfang der
Grundplatte 12 ausgebildete dicke aufgezogene Schicht entfernt
709842/0910
oder die Stärke des dicken Schichtteiles ausreichend verringert.
Bei einem weiteren Verfahren zur Entfernung der am Umfang
der Grundplatte gebildeten dicken aufgezogenen Schicht ist eine Düse zur Zuführung einer Flüssigkeit zu der richtigen
Seite der Grundplatte am Umfang zusätzlich zu einer Düse zur Zuführung einer Flüssigkeit zu der Rückseite der Grundplatte
angebracht und die Flüssigkeit wird aus den Düsen zu den Umfangsteilen geführt, um die Überzugsmasse am Umfang zu entfernen.
Fig. 6 zeigt eine bevorzugte Ausführungsform des vorstehend geschilderten Verfahrens. Die gezeigte Ausführungsform
dient zur Entfernung der an der Rückseite und den Kanten der Grundplatte 12 angesammelten Überzugsmasse durch Zuführung
einer Flüssigkeit zu der Rückseite der Grundplatte mittels einer Düse JO sowie zur Entfernung der auf der richtigen Seite
der Grundplatte am Umfang aufgezogenen Schicht mit konstanter Breite, d. h. zur Bildung einer regulären quadratisch aufgezogenen
Schicht.
Fig. 6(a) zeigt eine Ausführungsform, wobei eine hohle pyramidenartige Abdeckung 60 auf oder oberhalb einer quadratischen
Grundplatte 12 angebracht ist. In diesem Fall ist die pyramidenförmige Abdeckung so angebracht, dass die !"litte derselben
praktisch mit dem Drehpunkt der Grundplatte zusammenfällt. Auch die pyramidenartige Abdeckung kann zusammen mit
der Grundplatte rotiert werden.
Die Fig. 6(b) zeigt eine Ausführungsform zur Ablösung des dicken Teils der aufgezogenen Schicht, indem eine Flüssigkeit
71 nach abwärts entlang den Seitenwänden der pyramidenförmigen
Abdeckung aus einem Flüssigkeitsreservoir 70, das oberhalb der pyramidenförmigen Abdeckung angebracht ist, nach abwärts zum
Strömen gebracht wird. In dieser Weise werden Umfangsteile 73 der Grundplatte mit freigelegten Oberflächen von einheitlicher
Breite und eine auf der Platte aufgezogene quadratische
709842/0910
Schicht 72 erhalten, wie aus Fig. 6(c) ersichtlich.
Entsprechend dem vorstehend geschilderten Verfahren wird, falls eine Grundplatte 12 beispielsweise von quadratischer Form
verwendet wird, eine quadratische aufgezogene Schicht entsprechend der Form erhalten, jedoch ist es nicht stets notwendig,
dass die aufgezogene Schicht entsprechend der Form der Grundplatte gebildet wird. Falls beispielsweise die Grundplatte 12
quadratiscch ist, kann die Form der gebildeten aufgezogenen Schicht auch kreisförmig sein. Eine derartige Ausführungsfora
kann in der Praxis erreicht werden, xvenn eine Düse als Zufuhrdüse
für eine Flüssigkeit zur Rückseite der Grundplatte 12 angebracht wird und eine Flüssigkeit zur richtigen Seite der
Grundplatte am Umfang zugeführt wird.
Die vorliegende Erfindung kann in geeigneter Weise mit
sämtlichen filmbildenden Überzugsmassen angewandt werden, und, wie vorstehend angegeben, sind zwei Beispiele hierfür Photowiderstands-Überzugsaassen
und Silberhalogenid-^berzugsmassen. Falls die Erfindung zum Aufziehen einer Photowiderstands-Uberzugsmasse
angewandt wird, kann die geeignete Viskosität der überzugsmasse im Bereich von etwa 10 bis etwa 200 cps
liegen und wenn die Erfindung zum Aufziehen einer Silberhalogenic-Emulsionüberzugsmasse
angewandt wird, kann die geeignete Viskosität im Bereich von etwa 1 bis etwa 100 cps liegen. Die
geeigneten Temperaturen, die bei der Auftragung der Überzugsmassen angewandt werden können, sind diejenigen, bei denen
die vorstehenden Viskositäten erreicht werden und diese liegen im allgemeinen im Bereich von etwa 15 bis etwa 40° C für eine
Photowiderstands-Überzugsmasse und zwischen etwa 20 und etwa
50° C für eine Silberhalogenid-Emulsionsüberzugsmasse. Die geeigneten
Rotationsgeschwindigkeiten können gleichfalls beim Aufziehen dieser Massen angewandt werden und die geeigneten
Drehgeschwindigkeiten während des Aufziehens für eine Photo-
709842/0910
widerst and snias se können im Bereich von etwa 100 bis etwa
3000 U/Min, bei einer Fhotowiderstands-überzugsmasse und
zwischen etwa 50 und etwa 20C0 U/Min, bei einer Silberhalogenid-Emulsionsüberzugs-nasse
liegen.
Im Fall des Aufziehens eines fhotowiderstandes auf eine
Grundplatte können die üblicherweise als Lösungsmittel für die Photowiderstände verwendeten Materialien als Flüssigkeiten
im Rahmen der Erfindung eingesetzt werden. Beispiele für geeignete Flüssigkeiten sind Ketone, wie Aceton, Methylethylketon,
Methylisobutylketon, Cyclohexanon, Diisobutylketon, und dgl.,
Ester, wie Äthylacetat, Butylacetat, n-Aniylacetat, rlethylformiät,
Äthylpropionat, Dimethylphthalat, Athylbenzoat, und
dgl., aromatische Kohlenwasserstoffe, wie Toluol, Xylol, Benzol,
Äthylbenzol und dgl., halogenierte Kohlenwasserstoffe, wie
Trichloräthylen, Chloroform, 1,1,1-Trichloräthan, Monochlorbenzol,
Chlornaphthalin und dgl., Äther, wie Tetrahydrofuran, Diäthyläther, Äthylenglykolmonomethyläther, Äthylenglykolmonoäthylätheracetat
und dgl., Dimethylformamid, Dimethylsulfoxid
und dgl. Ferner können auch andere als die vorstehend geschilderten Lösungsmittel, die die verwendete Überzugsmasse
lösen können oder mit der Überzugsmasse verträglich sind, im Rahmen der Erfindung verwendet werden.
Weiterhin sind typische Beispiele für im Fall des Aufziehens von Silberhalogenidemulsionen auf eine Grundplatte
angewandte Flüssigkeit warmes Wasser von etwa 30 bis etwa
60° C. Ferner können auch niedrige Alkohole, wie !!ethanol, ithanol, Propanol und dgl., oder Aceton zu diesem Zweck eingesetzt
werden. Auch können oberflächenaktive Mittel in diese Flüssigkeit zur Verbesserung der Benetzungseigenschaften der
Flüssigkeiten für die Grundplatte eingebaut werden.
709842/0910
Im Rahmen der Erfindung können die hier angegebenen Flüssigkeiten auch in Dampfform verwendet werden. Beim Vergleich
der Effekte zwischen den flüssigen Formen und den Dampfformen wird die Anwendung einer Flüssigkeit stärker bevorzugt,
da im Fall der Flüssigkeit die auf der Rückseite und der Kante einer Grundplatte angesammelte überzugsmasse leichter
und vollständiger entfernt werden kann und auch wirksamer die Stärke der dicken aufgezogenen,auf der Grundplatte am Umfang
ausgebildeten Schicht verringert werden kann.
Die Flüssigkeit oder der Dampf kann zur Grundplatte zu jedem Zeitpunkt während der Rotation der Grundplatte nach der
Zuführung einer Überzugsmasse hierzu zugeführt werden. Das heisst, die Flüssigkeit oder der Dampf kann zu der rotierenden
Grundplatte vor oder nach der Trocknung der auf der richtigen Seite derselben und auf der Rückseite und der Kante der Grundplatte
ausgebildeten Überzugsmassen zugeführt werden. Es wird jedoch bevorzugt, die Flüssigkeit oder den Dampf zu der rotierenden
Grundplatte vor der Trocknung der darauf ausgebildeten Überzugsschicht zuzuführen, da die auf der Rückseite und der
Kante der Grundplatte angesammelte Überzugsmasse leichter entfernt werden kann und auch die auf dem Umfang der Grundplatte
ausgebildete Überzugsschicht wirksam verbessert werden kann. Insbesondere, wenn die Überzugsmasse aus einer Gelatine-Silberhalogenid-Emulsion
besteht, ist es günstig, die Flüssigkeit zur Grundplatte zuzuführen, während sich die darauf zuge-
führte Silberhalogenid-Emulsionsschicht verfestigt.
Die Erfindung wurde vorstehend anhand bevorzugter Aus- fühxungsformen beschrieben, ohne dass sie hierauf begrenzt
ist.
709842/0910
Claims (2)
- Patent an «rcrü eherl« Verfahren zum Spinnaufziehen einer überzugsmasse auf die Oberfläche einer Grundplatte, dadurch gekennzeichnet, dass ein Material, welches ait der überzugsmasse verträglich ist, in Flüssigkeits- oder Campffom zu der entgegengesetzten Oberflächen von derjenigen Oberfläche, worauf die Überzugsaassa zugeführt wird, der Grundplatte zugeführt wird, während die Grundplatte rotiert wird, unä die zur ontsegenrresetzten Oberfläche und/oder der Kante der Grundplatte streuende Überzugsmasse entfernt wird.
- 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zusätzlich ein mit der Überzugsmasse verträgliches rlateriai zu der Vorderseite der Grundplatts aa Umfang derselben zugeführt wird und dadurch die aufgezogene Schicht an den Umfangsteilen verringert oder entfernt wird.ORIGINAL INSPECTED
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP51039690A JPS5819350B2 (ja) | 1976-04-08 | 1976-04-08 | スピンコ−テイング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2715491A1 true DE2715491A1 (de) | 1977-10-20 |
Family
ID=12560037
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772715491 Pending DE2715491A1 (de) | 1976-04-08 | 1977-04-06 | Spinnueberzugsverfahren |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4113492A (de) |
JP (1) | JPS5819350B2 (de) |
DE (1) | DE2715491A1 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0102198A2 (de) * | 1982-08-03 | 1984-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Einrichtung und Verfahren zur Materialentfernung mit einem Flüssigkeitsstrom innerhalb eines Schlitzes |
EP0183297A1 (de) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und Anordnung zum Aufbringen einer Lichtempfindlichen Lackschicht auf eine Halbleiterscheibe |
US4685975A (en) * | 1982-08-03 | 1987-08-11 | Texas Instruments Incorporated | Method for edge cleaning |
US4838289A (en) * | 1982-08-03 | 1989-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for edge cleaning |
DE4102357A1 (de) * | 1991-01-26 | 1992-07-30 | Convac Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum partiellen entfernen von duennen schichten von einem substrat |
DE4203913A1 (de) * | 1992-02-11 | 1993-08-12 | Convac Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum aufbringen und/oder zum partiellen entfernen einer duennen schicht auf ein bzw. von einem substrat |
Families Citing this family (124)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4267208A (en) * | 1979-07-30 | 1981-05-12 | Ireland Jack W | Coating of optical lens for blocking purposes |
JPS5645022A (en) * | 1979-09-21 | 1981-04-24 | Hitachi Ltd | Developing method for photo resist |
US4347302A (en) * | 1980-06-06 | 1982-08-31 | Alexander Gotman | Process for applying a thin coating in liquid form and subsequently drying it |
JPS57201564A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-10 | Dainippon Printing Co Ltd | Coating method |
JPS5864027A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
WO1983002845A1 (en) * | 1982-02-05 | 1983-08-18 | Inoue, Takao | Optical recording/reproduction disc |
JPS58200537A (ja) * | 1982-05-18 | 1983-11-22 | Toshiba Corp | レジスト塗布方法 |
JPS59186028A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-22 | Canon Inc | 文書処理装置 |
US4510176A (en) * | 1983-09-26 | 1985-04-09 | At&T Bell Laboratories | Removal of coating from periphery of a semiconductor wafer |
JPS60123031A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-01 | Hoya Corp | レジスト塗布方法 |
US4518678A (en) * | 1983-12-16 | 1985-05-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective removal of coating material on a coated substrate |
JPS60164873A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-08-27 | Sharp Corp | 表作成簡易言語を備えたワ−ドプロセツサ |
JPS60189061A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-26 | Canon Inc | 文字処理装置 |
JPS6115733U (ja) * | 1985-06-27 | 1986-01-29 | 日本電信電話株式会社 | 基板付着物の削除装置 |
JPH0444216Y2 (de) * | 1985-10-07 | 1992-10-19 | ||
JPS62221464A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 回転塗布用真空吸着台 |
JPS6369564A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の回転塗布装置 |
US4732785A (en) * | 1986-09-26 | 1988-03-22 | Motorola, Inc. | Edge bead removal process for spin on films |
US4794021A (en) * | 1986-11-13 | 1988-12-27 | Microelectronics And Computer Technology Corporation | Method of providing a planarized polymer coating on a substrate wafer |
JPS63134076A (ja) * | 1986-11-25 | 1988-06-06 | Toshiba Corp | 塗布方法及び塗布装置 |
US4853260A (en) * | 1987-03-23 | 1989-08-01 | Pioneer Electronic Corporation | Optical disk and process for producing the same |
US4886012A (en) * | 1987-06-30 | 1989-12-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating apparatus |
US4886728A (en) * | 1988-01-06 | 1989-12-12 | Olin Hunt Specialty Products Inc. | Use of particular mixtures of ethyl lactate and methyl ethyl ketone to remove undesirable peripheral material (e.g. edge beads) from photoresist-coated substrates |
US5066616A (en) * | 1989-06-14 | 1991-11-19 | Hewlett-Packard Company | Method for improving photoresist on wafers by applying fluid layer of liquid solvent |
US6375741B2 (en) | 1991-03-06 | 2002-04-23 | Timothy J. Reardon | Semiconductor processing spray coating apparatus |
US5294257A (en) * | 1991-10-28 | 1994-03-15 | International Business Machines Corporation | Edge masking spin tool |
JPH05226241A (ja) * | 1992-02-18 | 1993-09-03 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5279926A (en) * | 1992-05-06 | 1994-01-18 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for removing vapor from a pressurized sprayed liquid in the manufacture of semiconductor integrated circuits |
US5362608A (en) * | 1992-08-24 | 1994-11-08 | Brewer Science, Inc. | Microlithographic substrate cleaning and compositions therefor |
JPH06342427A (ja) * | 1993-09-20 | 1994-12-13 | Canon Inc | 文字処理装置 |
US5705223A (en) * | 1994-07-26 | 1998-01-06 | International Business Machine Corp. | Method and apparatus for coating a semiconductor wafer |
US5750317A (en) * | 1994-09-16 | 1998-05-12 | Advanced Micro Devices, Inc. | Process and system for flattening secondary edgebeads on resist coated wafers |
KR100370728B1 (ko) * | 1994-10-27 | 2003-04-07 | 실리콘 밸리 그룹, 인크. | 기판을균일하게코팅하는방법및장치 |
US6977098B2 (en) * | 1994-10-27 | 2005-12-20 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
US7018943B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-03-28 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
US7030039B2 (en) | 1994-10-27 | 2006-04-18 | Asml Holding N.V. | Method of uniformly coating a substrate |
US5803968A (en) * | 1995-08-21 | 1998-09-08 | Schwartz; Vladimir | Compact disc spin coater |
US5952050A (en) | 1996-02-27 | 1999-09-14 | Micron Technology, Inc. | Chemical dispensing system for semiconductor wafer processing |
US5861061A (en) | 1996-06-21 | 1999-01-19 | Micron Technology, Inc. | Spin coating bowl |
US5985031A (en) | 1996-06-21 | 1999-11-16 | Micron Technology, Inc. | Spin coating spindle and chuck assembly |
US6413436B1 (en) * | 1999-01-27 | 2002-07-02 | Semitool, Inc. | Selective treatment of the surface of a microelectronic workpiece |
US5759273A (en) * | 1996-07-16 | 1998-06-02 | Micron Technology, Inc. | Cross-section sample staining tool |
US6114254A (en) * | 1996-10-15 | 2000-09-05 | Micron Technology, Inc. | Method for removing contaminants from a semiconductor wafer |
JPH10232498A (ja) * | 1997-02-19 | 1998-09-02 | Nec Kyushu Ltd | 現像装置 |
US5985363A (en) * | 1997-03-10 | 1999-11-16 | Vanguard International Semiconductor | Method of providing uniform photoresist coatings for tight control of image dimensions |
AT407806B (de) * | 1997-05-23 | 2001-06-25 | Sez Semiconduct Equip Zubehoer | Anordnung zum behandeln wafer-förmiger gegenstände, insbesondere von siliziumwafern |
TW391893B (en) * | 1997-05-30 | 2000-06-01 | Fairchild Corp | Method and apparatus for spin-coating chemicals |
US6276072B1 (en) * | 1997-07-10 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for heating and cooling substrates |
WO1999040615A1 (en) | 1998-02-04 | 1999-08-12 | Semitool, Inc. | Method and apparatus for low-temperature annealing of metallization micro-structures in the production of a microelectronic device |
US7244677B2 (en) | 1998-02-04 | 2007-07-17 | Semitool. Inc. | Method for filling recessed micro-structures with metallization in the production of a microelectronic device |
US6632292B1 (en) | 1998-03-13 | 2003-10-14 | Semitool, Inc. | Selective treatment of microelectronic workpiece surfaces |
US20050217707A1 (en) * | 1998-03-13 | 2005-10-06 | Aegerter Brian K | Selective processing of microelectronic workpiece surfaces |
US6423642B1 (en) * | 1998-03-13 | 2002-07-23 | Semitool, Inc. | Reactor for processing a semiconductor wafer |
DE69929967T2 (de) * | 1998-04-21 | 2007-05-24 | Applied Materials, Inc., Santa Clara | Elektroplattierungssystem und verfahren zur elektroplattierung auf substraten |
US6416647B1 (en) | 1998-04-21 | 2002-07-09 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition cell for face-up processing of single semiconductor substrates |
US6113771A (en) * | 1998-04-21 | 2000-09-05 | Applied Materials, Inc. | Electro deposition chemistry |
US6994776B2 (en) * | 1998-06-01 | 2006-02-07 | Semitool Inc. | Method and apparatus for low temperature annealing of metallization micro-structure in the production of a microelectronic device |
US6267853B1 (en) | 1999-07-09 | 2001-07-31 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system |
US6228233B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-05-08 | Applied Materials, Inc. | Inflatable compliant bladder assembly |
US6254760B1 (en) | 1999-03-05 | 2001-07-03 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system and method |
US6258220B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Electro-chemical deposition system |
US6290865B1 (en) | 1998-11-30 | 2001-09-18 | Applied Materials, Inc. | Spin-rinse-drying process for electroplated semiconductor wafers |
US6544399B1 (en) | 1999-01-11 | 2003-04-08 | Applied Materials, Inc. | Electrodeposition chemistry for filling apertures with reflective metal |
US6379522B1 (en) | 1999-01-11 | 2002-04-30 | Applied Materials, Inc. | Electrodeposition chemistry for filling of apertures with reflective metal |
US6136163A (en) * | 1999-03-05 | 2000-10-24 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electro-chemical deposition with thermal anneal chamber |
US7192494B2 (en) * | 1999-03-05 | 2007-03-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for annealing copper films |
JP3395696B2 (ja) * | 1999-03-15 | 2003-04-14 | 日本電気株式会社 | ウェハ処理装置およびウェハ処理方法 |
US6662673B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-12-16 | Applied Materials, Inc. | Linear motion apparatus and associated method |
US6582578B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-06-24 | Applied Materials, Inc. | Method and associated apparatus for tilting a substrate upon entry for metal deposition |
US6551488B1 (en) * | 1999-04-08 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Segmenting of processing system into wet and dry areas |
US6837978B1 (en) | 1999-04-08 | 2005-01-04 | Applied Materials, Inc. | Deposition uniformity control for electroplating apparatus, and associated method |
US6557237B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-05-06 | Applied Materials, Inc. | Removable modular cell for electro-chemical plating and method |
US6585876B2 (en) | 1999-04-08 | 2003-07-01 | Applied Materials Inc. | Flow diffuser to be used in electro-chemical plating system and method |
US6571657B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-06-03 | Applied Materials Inc. | Multiple blade robot adjustment apparatus and associated method |
US6551484B2 (en) | 1999-04-08 | 2003-04-22 | Applied Materials, Inc. | Reverse voltage bias for electro-chemical plating system and method |
US20030213772A9 (en) * | 1999-07-09 | 2003-11-20 | Mok Yeuk-Fai Edwin | Integrated semiconductor substrate bevel cleaning apparatus and method |
US6516815B1 (en) | 1999-07-09 | 2003-02-11 | Applied Materials, Inc. | Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module |
US6461983B1 (en) * | 1999-08-11 | 2002-10-08 | Micron Technology, Inc. | Method for pretreating a substrate prior to application of a polymeric coat |
US6913680B1 (en) | 2000-05-02 | 2005-07-05 | Applied Materials, Inc. | Method of application of electrical biasing to enhance metal deposition |
WO2001090446A2 (en) | 2000-05-23 | 2001-11-29 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to overcome anomalies in copper seed layers and to tune for feature size and aspect ratio |
US20040079633A1 (en) * | 2000-07-05 | 2004-04-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electro chemical deposition of copper metallization with the capability of in-situ thermal annealing |
US6576110B2 (en) | 2000-07-07 | 2003-06-10 | Applied Materials, Inc. | Coated anode apparatus and associated method |
US20020112964A1 (en) * | 2000-07-12 | 2002-08-22 | Applied Materials, Inc. | Process window for gap-fill on very high aspect ratio structures using additives in low acid copper baths |
US6610189B2 (en) | 2001-01-03 | 2003-08-26 | Applied Materials, Inc. | Method and associated apparatus to mechanically enhance the deposition of a metal film within a feature |
US6478937B2 (en) | 2001-01-19 | 2002-11-12 | Applied Material, Inc. | Substrate holder system with substrate extension apparatus and associated method |
US6680898B2 (en) * | 2001-02-21 | 2004-01-20 | Todd J. Kuchman | Optical disc and method of protecting same |
US6842409B2 (en) * | 2001-02-21 | 2005-01-11 | Scratch-Less Disc Industries, Llc | Optical disc and method of protecting same |
US6517890B2 (en) * | 2001-02-22 | 2003-02-11 | European Community | Thin layer preparation for radionuclide sources |
US6824612B2 (en) | 2001-12-26 | 2004-11-30 | Applied Materials, Inc. | Electroless plating system |
US6770565B2 (en) | 2002-01-08 | 2004-08-03 | Applied Materials Inc. | System for planarizing metal conductive layers |
US6875284B2 (en) * | 2002-01-23 | 2005-04-05 | Semitool, Inc. | Side-specific cleaning method and apparatus |
US20030146102A1 (en) * | 2002-02-05 | 2003-08-07 | Applied Materials, Inc. | Method for forming copper interconnects |
US6911136B2 (en) * | 2002-04-29 | 2005-06-28 | Applied Materials, Inc. | Method for regulating the electrical power applied to a substrate during an immersion process |
US7189313B2 (en) * | 2002-05-09 | 2007-03-13 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with fluid retention band |
US7138039B2 (en) * | 2003-01-21 | 2006-11-21 | Applied Materials, Inc. | Liquid isolation of contact rings |
US7087144B2 (en) * | 2003-01-31 | 2006-08-08 | Applied Materials, Inc. | Contact ring with embedded flexible contacts |
US7025861B2 (en) * | 2003-02-06 | 2006-04-11 | Applied Materials | Contact plating apparatus |
JP4349530B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2009-10-21 | Hoya株式会社 | マスクブランクスの製造方法、及び転写マスクの製造方法 |
US7311810B2 (en) * | 2003-04-18 | 2007-12-25 | Applied Materials, Inc. | Two position anneal chamber |
US20040206373A1 (en) * | 2003-04-18 | 2004-10-21 | Applied Materials, Inc. | Spin rinse dry cell |
US20040206628A1 (en) * | 2003-04-18 | 2004-10-21 | Applied Materials, Inc. | Electrical bias during wafer exit from electrolyte bath |
US7247209B2 (en) * | 2003-06-12 | 2007-07-24 | National Semiconductor Corporation | Dual outlet nozzle for the combined edge bead removal and backside wash of spin coated wafers |
US7654221B2 (en) * | 2003-10-06 | 2010-02-02 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
US7827930B2 (en) * | 2004-01-26 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
US20050092602A1 (en) * | 2003-10-29 | 2005-05-05 | Harald Herchen | Electrochemical plating cell having a membrane stack |
US20050092601A1 (en) * | 2003-10-29 | 2005-05-05 | Harald Herchen | Electrochemical plating cell having a diffusion member |
US20050196535A1 (en) * | 2004-03-02 | 2005-09-08 | Weigel Scott J. | Solvents and methods using same for removing silicon-containing residues from a substrate |
US20050196974A1 (en) * | 2004-03-02 | 2005-09-08 | Weigel Scott J. | Compositions for preparing low dielectric materials containing solvents |
DE112004002782T5 (de) * | 2004-03-05 | 2007-01-18 | Hoya Corp. | Verfahren zum Herstellen eines Photomasken-Rohlings |
US20050218000A1 (en) * | 2004-04-06 | 2005-10-06 | Applied Materials, Inc. | Conditioning of contact leads for metal plating systems |
US7285195B2 (en) * | 2004-06-24 | 2007-10-23 | Applied Materials, Inc. | Electric field reducing thrust plate |
JP2006015271A (ja) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Seiko Epson Corp | 薄膜形成方法 |
US20060102467A1 (en) * | 2004-11-15 | 2006-05-18 | Harald Herchen | Current collimation for thin seed and direct plating |
JP4111195B2 (ja) * | 2005-01-26 | 2008-07-02 | セイコーエプソン株式会社 | デバイスとその製造方法及び電気光学装置とその製造方法並びに電子機器 |
US7691559B2 (en) * | 2005-06-30 | 2010-04-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Immersion lithography edge bead removal |
TW200803639A (en) * | 2006-06-01 | 2008-01-01 | Unimicron Technology Corp | Selective metal surface treatment process and apparatus for circuit board and resist used in the process |
FI20070189L (fi) * | 2007-03-05 | 2008-09-06 | Pintavision Oy | Menetelmä pinnoittaa työkappale ja laite työkappaleen pinnoittamiseksi |
JP2008288488A (ja) * | 2007-05-21 | 2008-11-27 | Sokudo:Kk | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2010225871A (ja) * | 2009-03-24 | 2010-10-07 | Elpida Memory Inc | 塗布液の塗布方法、塗膜の形成方法、ならびにそれを利用したパターンの形成方法および半導体装置の製造方法 |
US10262880B2 (en) * | 2013-02-19 | 2019-04-16 | Tokyo Electron Limited | Cover plate for wind mark control in spin coating process |
CN105993061A (zh) * | 2014-02-13 | 2016-10-05 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置的制造方法 |
TWI595532B (zh) * | 2014-02-26 | 2017-08-11 | 東京威力科創股份有限公司 | 旋轉塗佈設備及用於製造半導體元件的方法 |
KR102310637B1 (ko) | 2015-01-12 | 2021-10-08 | 삼성전자주식회사 | 씬너 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
JP7240944B2 (ja) | 2019-04-23 | 2023-03-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10789A (en) * | 1854-04-18 | Apparatus fob painting- window-blinds | ||
US2563417A (en) * | 1951-08-07 | Method of removing synthetic resin | ||
US1744463A (en) * | 1926-06-22 | 1930-01-21 | American Chem Paint Co | Removing paint |
US2110282A (en) * | 1935-08-13 | 1938-03-08 | Jacques R Amsel | Article of manufacture and method of forming the same |
US2987415A (en) * | 1960-07-21 | 1961-06-06 | Gen Electric | Method of filming cathode ray tubes |
US3936301A (en) * | 1974-04-01 | 1976-02-03 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Process for contact photolithography utilizing a photomask having indented channels |
-
1976
- 1976-04-08 JP JP51039690A patent/JPS5819350B2/ja not_active Expired
-
1977
- 1977-04-06 DE DE19772715491 patent/DE2715491A1/de active Pending
- 1977-04-08 US US05/785,886 patent/US4113492A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0102198A2 (de) * | 1982-08-03 | 1984-03-07 | Texas Instruments Incorporated | Einrichtung und Verfahren zur Materialentfernung mit einem Flüssigkeitsstrom innerhalb eines Schlitzes |
EP0102198A3 (de) * | 1982-08-03 | 1986-06-11 | Texas Instruments Incorporated | Einrichtung und Verfahren zur Materialentfernung mit einem Flüssigkeitsstrom innerhalb eines Schlitzes |
US4685975A (en) * | 1982-08-03 | 1987-08-11 | Texas Instruments Incorporated | Method for edge cleaning |
US4838289A (en) * | 1982-08-03 | 1989-06-13 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for edge cleaning |
EP0183297A1 (de) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Verfahren und Anordnung zum Aufbringen einer Lichtempfindlichen Lackschicht auf eine Halbleiterscheibe |
DE4102357A1 (de) * | 1991-01-26 | 1992-07-30 | Convac Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum partiellen entfernen von duennen schichten von einem substrat |
DE4203913A1 (de) * | 1992-02-11 | 1993-08-12 | Convac Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum aufbringen und/oder zum partiellen entfernen einer duennen schicht auf ein bzw. von einem substrat |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5819350B2 (ja) | 1983-04-18 |
US4113492A (en) | 1978-09-12 |
JPS52123172A (en) | 1977-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2715491A1 (de) | Spinnueberzugsverfahren | |
DE3238905C2 (de) | Verfahren zur Mehrfachbeschichtung von bewegten Gegenständen oder Bahnen | |
EP0110074B2 (de) | Verfahren zur Mehrfachbeschichtung von bewegten Bahnen | |
DE3126795C2 (de) | ||
DE3300150A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur stabilisierung von frei fallenden fluessigkeitsvorhaengen | |
DE3434240C2 (de) | ||
DE2135438A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Be schichten eines bandförmigen Tragers | |
DE3447510A1 (de) | Beschichtungsverfahren und -vorrichtung | |
DE2744752A1 (de) | Verfahren zum aufbringen eines gleichfoermigen ueberzugs auf einer oberflaeche | |
CH663912A5 (de) | Verfahren zum ausbilden eines gleichfoermigen schutzfilms auf einem substrat. | |
DE3918623A1 (de) | Vorrichtung zum giesslackieren | |
DE2124713A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Formgußteilen | |
DE2617767A1 (de) | Beschichtungsverfahren und beschichtungsvorrichtung | |
DE4203913C2 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Aufbringen und/oder zum partiellen Entfernen einer dünnen Schicht auf ein bzw. von einem Substrat | |
DE2746519A1 (de) | Drehbeschichtungsverfahren | |
DE2634144A1 (de) | Photographisches, lichtempfindliches material und spinnbeschichtungsverfahren zu seiner herstellung | |
DE4326564C2 (de) | Düsenabdeckung für einen Tintendruckkopf und Verfahren zum Aufbringen derselben | |
DE102018206474B3 (de) | Gleichförmigkeitssteuerung metallbasierter Fotolacke | |
DE2056571C3 (de) | Vorrichtung zum kontinuierlichen Entfernen von Staub auf einem Bahnenmaterial | |
DE69727247T2 (de) | Vorhangsbeschichtungsverfahren | |
JPH0615066B2 (ja) | 塗布方法 | |
DE1652320A1 (de) | UEberzugseinrichtung | |
DE2309712A1 (de) | Verfahren zur herstellung von abbildungen | |
DE3036602C2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Leuchtschirmes einer Farbbildröhre | |
DE3123832A1 (de) | Reinigungsband fuer ein magnetaufzeichnungsgeraet |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OHN | Withdrawal |