DE2529054A1 - Verfahren zur herstellung eines negativresistbildes - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines negativresistbildes

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    • H01L21/0274—Photolithographic processes

Description

Böblingen, den 26. Juni 1975 kd-fe
Anmelderin: '" IEM Deutschland GmbH
Pascalstraße 100
L· S_JL u_J_.P-_JLAJL fc 8o
Amtliches Aktenzeichen: Neuanmeldung Aktenzeichen der Anmelderin: GE 975 005
Verfahren zur Herstellung_eines_ j_iej5ativresistb_ildes_
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines We- ' gativresistbildes auf einer Unterlage, bei dem ein Pdsitivresist- ; material mit einem Gehalt an 1-Hydroxyäthyl -2-alkylimidazolin auf eine Unterlage aufgetragen, mit aktinischer Strahlung bildmäßig belichtet und entwickelt
Bei der Herstellung monolithischer Schaltkreise nehmen lichtempfindliche Photoresistmaterialien eine wichtige Schlüsselstellung ein. Der Einsatz solcher Photoresistmaterialien in der Schaltkreistechnologie beruht auf deren Eigenschaft, das "Eingravieren" von Schaltbildern bestimmter Abmessungen in ein vorgegebenes monolithisches Substratmaterial, wie beispielsweise Silicium, zu ermöglichen. Dies geschieht mittels eines photolithographischen Prozesses, bei dem mit photographischen Mitteln zunächst ein dem Schaltkreisentwurf entsprechendes, flächenhaftes Muster mit Hilfe einer geeigneten Maske auf die Substratoberfläche abgebildet wird, wobei der Photoresist die dazu notwendige lichtempfindliche Schicht liefert. Durch einen nachfolgenden Entwicklungsprozeß werden an der Substratoberfläche die gewünschten Strukturmuster freigelegt, an denen durch geeignete Prozesse bestimmte Tiefenprofile erzeugt werden können. Bei diesem Vorgang dient der Photoresist als ein Schutzlacksystem für die durch den vorausgegangenen photolithographischen Prozeß nicht freigelegten Stellen der Substratoberflache.
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— ^ —
Je nach ihrer Wechselwirkung mit Licht unterscheidet man negative und positive Photoresist-Systeme. Mit negativ bezeichnet man einen Photoresist, der nach der Belichtung in einem geeigneten Lösungsmittel unlöslich ist, während die unbelichteten Resistpartien von dem Entwickler weggelöst werden. Als Ergebnis erhält man freie ungeschützte Flächen auf der Substratoberfläche, die den lichtundurchlässigen dunklen Stellen auf der Photomaske entsprechen. Beispiele für Negativ-Resistsysteme sind Photoresistmaterialien auf der Basis von teilweise cyclisiertem cis-l,4-Polyisopren mit einem Di-azidobenzal-alkyl-cyclohexanon als Photoinitiator. Bei einem positiven Resistsystem wird das Resistsystem bei Belichtung so umgewandelt, daß es anschließend im Entwickler (z.B. wäßrigem gepuffertem Alkali) löslich wird. Die belichteten Stellen des Resistfilms werden beim Entwickeln entfernt, und die freien ungeschützten Flächen auf der Substratoberfläche entsprechen den lichtdurchlässigen Stellen auf der Photomaske. Beispiele für
! Positivresistsysteme sind Photoresistmaterialien auf der Basis
von Phenol-Formaldehyd-Harzen (Novolak-Typ) mit geeigneter MoIe- ! kulargewichtsverteilung, die eine photoaktive Verbindung, einen
sogenannten Inhibitor, beispielsweise aus der Gruppe der 5~sub- ! stituierten Diazo-naphthochinone, enthalten.
Es wurde auch bereits ein Photoresist-System vorgeschlagen, mit dem es möglich ist, eine einzelne lichtempfindliche Schicht auf j einer Substratoberfläche mit sowohl negativer als auch positiver ι Entwicklungsfähigkeit zu bilden. Es handelt sich hierbei um einen Photoresist auf Spiropyranbasis, der je nach Entwickler (polar 1 oder apolar) sowohl negativ als auch positiv entwickelt werden ' kann. Nachteilig an diesem Photoresist ist seine geringe Empfindlichkeit und sein wenig befriedigender Widerstand gegen die ; Ä'tzchemikalien, die zum Ätzen der gewünschten Oberflächenstruktu-ί ren in das darunterliegende Siliciumdioxid verwendet werden.
Aus der DT. Offenlegungsschrift 2 36I 436 (entspricht USP 3 827 908) ist ein Verfahren bekannt, bei dem zur Verbesserung der Adhäsion von Positivresistmaterialien an Siliciumdioxidober-
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flächen dem Positivresist l-Hydroxyäthyl-2-alkylimidazoline beigejmischt werden, wobei die Alkylgruppe eine gesättigte oder ungesättigte mit 7 bis 21 Kohlenstoffatomen sein kann. Wafer, die mit einer Siliciumdioxidschicht versehen sind, werden mit dem so modifizierten Photoresist beschichtet, die Photoresistschicht wird in bekannter Weise vorgehärtet, bildmäßig belichtet, entwickelt und nachgehärtet. Dieser Offenlegungschrift ist kein Hinweis zu entnehmen, wie der Fachmann vorzugehen hat, um unter Verwendung dieses modifizierten Positivresistmaterials ein Negativresistbild herzustellen.
Aufgabe der Erfindung ist, ausgehend von dem oben angeführten Stand der Technik, ein Verfahren zur Herstellung eines Negativresistbildes unter Verwendung eines Positivresistmaterials mit einem Gehalt an l-Hydroxyäthyl-2-alkyl-imidazolin anzugeben.
;Die Aufgabe der Erfindung wird dadurch gelöst, daß die Photore- | jsistschicht nach der bildmäßigen Belichtung eine ausreichende Zeit ! ,lang auf eine ausreichende Temperatur erhitzt und anschließend uniform mit aktinischer Strahlung belichtet wird. ;
1In einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung wird die Pho- :
!toresistschicht nach der bildmäßigen Belichtung etwa 10 bis 20 jMinuten lang auf etwa 110 0G erhitzt. Nach dieser thermischen Behandlung wird sie etwa 24 Sekunden lang uniform belichtet und in gepuffertem alkalischem Entwickler entwickelt.
;Mit dem Verfahren gemäß der Erfindung erhält man ein Negativresistbild, das den mit bisher bekannten Negativresistmaterialien erzeugten Resistbildern überlegen ist. Die erhaltenen Resistbilder besitzen beispielsweise bessere Auflösungen und weniger Fehlstellen. Weiterhin ist der verwendete modifizierte Positivresist bei der Verarbeitung nicht sauerstoffempfindlich im Gegensatz zu bisher bekannten Negativresistmaterialien. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Ätzmasken haften ausgezeichnet und die geätzten Strukturen sind somit von außerordentlicher Di-
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mensionsstabilität.
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. C
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren kann von einer Photomaske ein negatives Bild erzeugt werden. Finden keine thermische Behandlung und uniforme Belichtung nach der bildmäßigen Belichtung statt, dann kann von derselben Maske auch ein positives Bild erhalten werden. Mit dem modifizierten Positivresist können somit von ein und derselben Maske 'Positivbilder und bei Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens Negativbilder erhalten werden, so daß bei der Maskenherstellung die Notwendigkeit mehrfachen Umkopierens entfällt.
Der modifizierte Photoresist kann auch mit Elektronenstrahlen belichtet werden. Bei Elektronenstrahlbelichtungssystemen hängt die Belichtungszeit direkt von der Größe der zu belichtenden Flä-I ehe ab. Ist also bei der Herstellung einer Ätzmaske der größere Teil eines Chips zu belichten, dann können bei Verwendung eines Negativresists die komplementären Flächen belichtet werden, um die gewünschte Ätzmaske bei kürzerer Belichtungszeit zu erhalten. ;Negativresistmaterialien sind aber wegen ihres geringerem Auflöisungsvermögens zur Ätzmaskenherstellung weniger geeignet. Mit dem !modifizierten Photoresist können nach dem erfindungsgemäßen Ver- :fahren in gleicher Weise die gewünschten Ätzmasken bei kürzerer !Belichtungszeit erhalten werden.
j
Die Erfindung wird anhand der nachfolgenden speziellen Beschreibung und des Ausführungsbeispiels näher erläutert.
j Gemäß der bevorzugten Ausführungsform der Erfindung, wie sie in dem Fließschema von Fig. 1 dargestellt ist, wird ein Negativresistbild wie folgt hergestellt:
Stufe 1:
Der modifizierte Positivresist wird hergestellt, indem man ein geeignetes Positivresistmaterial, beispielsweise ein Phenol-Formaldehyd-Harz mit einem Diazonaphthochinon-Inhibitor, das in der
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US-Patentschrift 3 201 239 beschrieben ist, mit 1 Gewichtsprozent Monazoline C (Mona Ind., Inc., Paterson, New Jersey) mischt, !■lonazoline C, das als l-Hydroxyäthyl-2-alkylimidazolin identifiziert wird, ist eingehender in Mona Industries Inc. Technical Bulletin 280 b, November 1966, beschrieben. Es besitzt folgende Strukturformel:
N CH
R2.
in der R1 eine Hydroxyäthylgruppe und R2 ein Alkylrest mit 7 bis 17 Kohlenstoffatomen ist.
Stufe 2:
Ein dünner Photoresistfilm wird auf einen Siliciumwafer, der mit einer thermisch erzeugten Siliciumdioxidschicht bedeckt ist, mittels eines Schleuderbeschichtungsverfahrens aufgetragen.
Stufe 3:
Der Photoresistfilm wird 10 Minuten lang bei 105 0C unter Stickstoff vorgehärtet.
Stufe H:
Der Photoresistfilm wird durch eine Maske hindurch bildmäßig belichtet. Als Strahlungsquelle dient eine 200 W Quecksilberhöchstdrucklampe . Die Belichtung kann auch in einem Elektronenstrahlbelichtungssystem erfolgen. An den bildmäßig belichteten Bereichen wird der Photoresist zersetzt, d.h., der Diazonaphthochinon-Inhibitor wird abgebaut.
Stufe 5:
Der bildmäßig belichtete Fhotoresistfilm wird 10 Minuten lang
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auf 105 C erhitzt. Unter diesen Bedingungen findet in den in Stufe 4 belichteten Bereichen eine Reaktion im Photoresist statt, wodurch diese Bereiche im alkalischem Entwickler unlöslich werden. Dieser Vorgang soll nachfolgend als Vernetzung bezeichnet werden.
Stufe 6:
Nach der thermischen Behandlung wird der Photoresistfilm uniform belichtet. Bei dieser Belichtung wird der Photoresist nunmehr auch in den bei der bildmäßigen Belichtung der Stufe 4 nicht belichteten Bereichen zersetzt, d.h. der Diazonaphthochinon-Inhibitor wird bei der Einwirkung von Licht unter Ringverengung zur Indencarbonsäure abgebaut. In den belichteten Bereichen der Stufe 4 findet bei der uniformen Belichtung keine wesentliche Veränderung statt.
Stufe 7:
Das Photoresistmaterial wird nach den üblichen Techniken unter Verwendung eines Entwicklers auf der Basis von Natriumdihydrogenphosphat, Natriummetasilikat und Natriumhydroxid zu einem Negativresistbild entwickelt.
!So behandelte Wafer können in üblicher Weise in einer mit Ammo-
niumfluorid gepufferten Flußsäure-Ätzlösung geätzt werden.
;Ausführungsbeispiel:
Zu dem unverdünnten AZ-135O H Photoresist (Shipley Company, Inc., Newton, Mass.), einem lichtempfindlichen Phenol-Formaldehyd- !Harz mit einem Diazonaphthochinon-Inhibitor, der als 3>4-IDihydroxy-benzophenon-4-£naphthochinon(l,2)diazid(2>f]sulfonat I identifiziert wird, wird 1 Gewichtsprozent Monazoline C (Mona ;Ind., Inc., Paterson, New Jersey), welches ein 1-Hydroxyäthyl-I2-alkylimidazolin mit einem C7 bis C17~Alkylrest ist, zugegeben. Die Mischung wird durch ein Filter mit einem Porendurchmesser von 1 um filtriert und dann auf einen Siliciumwafer mit einer thermisch erzeugten Siliciumdioxidschicht mittels eines Schleuderbeschichtungsverfahrens bei 38OO Umdrehungen/min. aufgebracht.
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Der beschichtete Wafer wird 10 Minuten lang bei 105 C unter
I Stickstoffatmosphäre vorgetrocknet.
Anschließend wird die Photoresistschicht in einem SLT-Maskenjustier- und Belichtungsgerät, das mit einer 200 W-Quecksilberhöchstdrucklampe ausgestattet ist, durch eine Maske hindurch !bildmäßig belichtet. Die Belichtungszeit beträgt etwa 24 Sekunden. Unter den angegebenen Bedingungen findet in den belichteten Bereichen eine Zersetzung des Inhibitors statt, die der bei der Einwirkung von UV-Licht auf Diazonaphthachinon stattfindenden Ringverengung und Ausbildung von Indencarbonsäure entspricht. j Der Diazonaphthochinon-Inhibitor wird während der Belichtung auf tetwa 10? seiner ursprünglichen, d.h. vor der Belichtung Vorhändenen, Konzentration abgebaut.
Anschließend wird der beschichtete Wafer 10 Minuten lang auf :105 °C erhitzt. In den durch die Maske abgedeckten, nicht belich- ;teten Bereichen findet bei dieser Temperaturbehandlung nur eine !weitere Trocknung statt. In den Bereichen, in denen die Resistj schicht durch die Belichtung in bekannter Weise in einem alkali- ; sehen Entwickler (Entwickler auf der Basis von Natriumdihydrogen-'phosphat, Natriummetasilikat und Natriumhydroxid) löslich gemacht ι wurde, findet jetzt eine Vernetzung statt, d.h., der Photoresist iwird durch die thermische Behandlung unlöslich. Nach der thermi-
■sehen Behandlung wird der beschichtete Wafer uniform belichtet. \Die Belichtungszeit beträgt ebenfalls etwa 24 Sekunden. Die bei ider ersten Belichtung bildmäßig belichteten und durch die thermische Behandlung unlöslich gemachten Bereiche der Photoresistschicht reagieren nicht wesentlich weiter. In den bei der ersten Belichtung durch die Maske abgedeckten Bereichen wird bei der zweiten, uniformen Belichtung der Diazonaphthochinon-Inhibitor wie oben angegeben abgebaut. Durch diesen Abbau werden diese Bereiche in einem alkalischen Entwickler auf der Basis von Natriumdihydrogenphosphat, Natriummetasilikat und Natriumhydroxid löslich. Zu ihrer Entfernung werden die prozessierten Wafer in einen Entwickler dieser Art, den AZ-Entwickler (Natriummetaphosphat/
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I Natrimdihydrogenphosphat) der Shipley Comp., Inc., der im Volumen-: !verhältnis 1:1 mit destilliertem V/asser gemischt wurde, eine Minu-; te lang eingetaucht.
Mit einem mit l-Hydroxyäthyl-2-alkyl-imidazolin modifizierten IPositivresistsystem werden nach dem erfindungsgemäßen Verfahren auf dem Wafer an den Stellen freie ungeschützte Flächen erhalten, die den lichtundurchlässigen, dunklen Stellen auf der Photomaske entsprechen. Solche Photoresistbilder werden üblicherweise mit Negativresistsystemen erhalten. Werden dagegen thermijsche Behandlung und anschließende uniforme Belichtung der Photo-
resistschicht nach der bildmäßigen Belichtung nicht durchgeführt, dann werden, wie bei Anwendung von Positivresistmaterialien üblich, auf dem Wafer an den Stellen freie ungeschützte Flächen erhalten, die den lichtdurchlässigen, hellen Stellen auf der Photomaske entsprechen.
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Claims (6)

  1. 252905A .Al.
    Pig. i: l Herstellen eines Gemisches eines einen Diazo-
    naphthochinon-Inhibitor enthaltenden Positiv-Resists mit l-Hydroxyäthyl-2-alkylimidazolln.
    Beschichten des Wafers durch Aufschleudern des modifizierten Photoresists.
    j 3 Vorhärten des Photoresists durch Erhitzen
    Bildmäßiges Belichten
    ' 5 Vernetzen des Photoresists in den belichteten
    Bereichen der Stufe 4 durch Erhitzen.
    Uniformes Belichten der Photoresistschicht
    Entwickeln durch Eintauchen in einen alkalischen Entwickler.
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FR7613472A FR2316625A1 (fr) 1975-06-30 1976-04-29 Procede d'obtention d'image photoresistante negative
US05/682,804 US4104070A (en) 1975-06-30 1976-05-03 Method of making a negative photoresist image
GB21375/76A GB1489167A (en) 1975-06-30 1976-05-24 Method of making a negative photoresist image
IT23939/76A IT1063565B (it) 1975-06-30 1976-06-04 Processo per la formazione di un immagine fotoresistiva negativa
JP51066664A JPS526528A (en) 1975-06-30 1976-06-09 Method of forming resist film

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IT (1) IT1063565B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2855723A1 (de) * 1978-12-22 1980-07-10 Ibm Deutschland Verfahren zum herstellen eines negativmusters aus einem positivlack
US5227281A (en) * 1989-12-12 1993-07-13 Hoechst Aktiengesellschaft Process for producing negative copies
EP0718875A3 (de) * 1994-12-20 1997-10-01 Alcatel Italia Photolithographisches Kontaktverfahren zur Herstellung von Metallinien auf einem Substrat

Families Citing this family (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5532088A (en) * 1978-08-30 1980-03-06 Fuji Photo Film Co Ltd Photo mask forming method
US4268602A (en) * 1978-12-05 1981-05-19 Toray Industries, Ltd. Photosensitive O-quinone diazide containing composition
JPS587054B2 (ja) * 1979-06-18 1983-02-08 富士通株式会社 レジスト・パタ−ン形成法
JPS5635130A (en) * 1979-08-31 1981-04-07 Fujitsu Ltd Resist material and method for forming resist pattern
JPS5636648A (en) * 1979-09-03 1981-04-09 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive material and pattern forming method using it
US4268610A (en) * 1979-11-05 1981-05-19 Hercules Incorporated Photoresist formulations
EP0037708B1 (de) * 1980-04-02 1986-07-30 Hitachi, Ltd. Verfahren zur Herstellung eines Musters
JPS56140345A (en) * 1980-04-02 1981-11-02 Hitachi Ltd Formation of pattern
US4508813A (en) * 1980-06-16 1985-04-02 Fujitsu Limited Method for producing negative resist images
US4377633A (en) * 1981-08-24 1983-03-22 International Business Machines Corporation Methods of simultaneous contact and metal lithography patterning
EP0089041B1 (de) * 1982-03-16 1987-11-25 E.I. Du Pont De Nemours And Company Verwendung eines negativ arbeitenden, photopolymerisierbaren Elements als Lötstopmaske
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE3325022A1 (de) * 1983-07-11 1985-01-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
DE3325023A1 (de) * 1983-07-11 1985-01-24 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Verfahren zur herstellung negativer kopien mittels eines materials auf basis von 1,2-chinondiaziden
US4546066A (en) * 1983-09-27 1985-10-08 International Business Machines Corporation Method for forming narrow images on semiconductor substrates
IT1169682B (it) * 1983-11-08 1987-06-03 I M G Ind Materiali Grafici Sp Composizione per fotoriproduzioni
US4584763A (en) * 1983-12-15 1986-04-29 International Business Machines Corporation One mask technique for substrate contacting in integrated circuits involving deep dielectric isolation
US4564584A (en) * 1983-12-30 1986-01-14 Ibm Corporation Photoresist lift-off process for fabricating semiconductor devices
US4567132A (en) * 1984-03-16 1986-01-28 International Business Machines Corporation Multi-level resist image reversal lithography process
US4568631A (en) * 1984-04-30 1986-02-04 International Business Machines Corporation Process for delineating photoresist lines at pattern edges only using image reversal composition with diazoquinone
JPS615357A (ja) * 1984-06-07 1986-01-11 Fujitsu Ltd デ−タ処理装置
US4702995A (en) * 1984-08-24 1987-10-27 Nec Corporation Method of X-ray lithography
GB2171530B (en) * 1985-02-27 1989-06-28 Imtec Products Inc Method of producing reversed photoresist images by vapour diffusion
DE3666638D1 (en) * 1985-03-11 1989-11-30 Hoechst Celanese Corp Process for the production of photoresist patterns
US4885232A (en) * 1985-03-11 1989-12-05 Hoechst Celanese Corporation High temperature post exposure baking treatment for positive photoresist compositions
DE3571161D1 (en) * 1985-03-22 1989-07-27 Ibm Deutschland Lift-off mask production process and use of the mask
US4600683A (en) * 1985-04-22 1986-07-15 International Business Machines Corp. Cross-linked polyalkenyl phenol based photoresist compositions
JPS6235350A (ja) * 1985-08-07 1987-02-16 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 像反転に有用な保存寿命の長いフオトレジスト
US5256522A (en) * 1985-08-12 1993-10-26 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-naphthoquinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing
US5217840A (en) * 1985-08-12 1993-06-08 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working o-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment and element produced therefrom
US4931381A (en) * 1985-08-12 1990-06-05 Hoechst Celanese Corporation Image reversal negative working O-quinone diazide and cross-linking compound containing photoresist process with thermal curing treatment
US4912018A (en) * 1986-02-24 1990-03-27 Hoechst Celanese Corporation High resolution photoresist based on imide containing polymers
US4835085A (en) * 1986-10-17 1989-05-30 Ciba-Geigy Corporation 1,2-Naphthoquinone diazide sulfonyl ester compound with linking benzotriazole groups and light-sensitive composition with compound
AU8173487A (en) * 1986-10-20 1988-05-06 Macdermid, Incorporated Image reversal system and process
DE3637717A1 (de) * 1986-11-05 1988-05-11 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, dieses enthaltendes aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von positiven oder negativen reliefkopien unter verwendung dieses materials
US4869760A (en) * 1987-01-28 1989-09-26 Kayoh Technical Industry Co., Ltd. Method for production of metallic sticker
DE3711263A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-13 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von druckformen
DE3711264A1 (de) * 1987-04-03 1988-10-13 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch und hieraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
GB8708747D0 (en) * 1987-04-11 1987-05-20 Ciba Geigy Ag Formation of image
US4775609A (en) * 1987-05-18 1988-10-04 Hoescht Celanese Corporation Image reversal
DE3716848A1 (de) * 1987-05-20 1988-12-01 Hoechst Ag Verfahren zur bebilderung lichtempfindlichen materials
US4771017A (en) * 1987-06-23 1988-09-13 Spire Corporation Patterning process
DE3725949A1 (de) * 1987-08-05 1989-02-16 Hoechst Ag Lichtempfindliches gemisch, daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial und verfahren zur herstellung von negativen reliefkopien
JPS6478249A (en) * 1987-09-18 1989-03-23 Fuji Photo Film Co Ltd Photosensitive material and image forming method
US4885231A (en) * 1988-05-06 1989-12-05 Bell Communications Research, Inc. Phase-shifted gratings by selective image reversal of photoresist
US5407786A (en) * 1988-08-09 1995-04-18 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of forming a mask on a semiconductor substrate via photosensitive resin deposition, ammonia treatment and selective silylation
US5286609A (en) * 1988-11-01 1994-02-15 Yamatoya & Co., Ltd. Process for the formation of a negative resist pattern from a composition comprising a diazoquinone compound and an imidazole and having as a heat step the use of a hot water containing spray
DE3837500A1 (de) * 1988-11-04 1990-05-23 Hoechst Ag Neue, strahlungsempfindliche verbindungen, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches gemisch und aufzeichnungsmaterial
DE3926776A1 (de) * 1989-08-12 1991-02-14 Hoechst Ag Substituierte 1,2-naphthochinon-(2)-diazid-4-sulfonsaeuren, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
DE3926774A1 (de) * 1989-08-12 1991-02-14 Hoechst Ag 7-hydroxy-1,2-naphthochinon -(2)-diazid-4-sulfonsaeure oder ihre salze, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
DE4004719A1 (de) * 1990-02-15 1991-08-22 Hoechst Ag Strahlungsempfindliches gemisch, hiermit hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial und verfahren zur herstellung von reliefaufzeichnungen
US5087547A (en) * 1990-03-02 1992-02-11 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Dual-tone photoresist utilizing diazonaphthoquinone resin and carbodiimide stabilizer
EP0450869A3 (en) * 1990-04-03 1992-01-29 Hewlett-Packard Company Image reversal in a negative deep ultraviolet photoresist
US5275913A (en) * 1990-05-08 1994-01-04 Industrial Technology Research Institute Method for preparing resist patterns utilizing solvent development with subsequent resist pattern transfer, via a photo-hardening liquid adhesive, to a receiver substrate and oxygen reactive ion etching
JP2544006B2 (ja) * 1990-06-14 1996-10-16 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JPH0480758A (ja) * 1990-07-23 1992-03-13 Fuji Photo Film Co Ltd 感光性組成物
US5364743A (en) * 1990-12-21 1994-11-15 Xerox Corporation Process for fabrication of bubble jet using positive resist image reversal for lift off of passivation layer
JP3016256B2 (ja) * 1991-01-11 2000-03-06 日本ビクター株式会社 高密度記録ディスク用スタンパとその製造方法
US5240811A (en) * 1991-04-15 1993-08-31 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Photogenerated polycarbodiimides from poly(tetrazole-5-thiones) and use in the preparation of coatings and deep-UV photoresists
US5304453A (en) * 1991-07-11 1994-04-19 Industrial Technology Research Institute Method for preparing resist patterns through image layer transfer to a receiver substrate, via a photo-hardening organic liquid adhesive, with subsequent oxygen reactive ion etching
JPH08213304A (ja) * 1995-02-06 1996-08-20 Toshiba Corp レジストパタ−ンの形成方法
US5725997A (en) * 1995-07-26 1998-03-10 Tdk Corporation Method for preparing a resist pattern of t-shaped cross section
EP0887182B1 (de) 1996-04-23 2002-07-24 Kodak Polychrome Graphics Company Ltd. Wärmeempfindliche Zusammensetzung zur Herstellung eines lithographischen Druckformvorläufers
US6255038B1 (en) 1996-06-10 2001-07-03 Optical Switch Corporation Process for modulating interferometric lithography patterns to record selected discrete patterns in photoresist
US6088505A (en) * 1996-06-10 2000-07-11 Holographic Lithography Systems, Inc. Holographic patterning method and tool for production environments
US6007968A (en) 1997-10-29 1999-12-28 International Business Machines Corporation Method for forming features using frequency doubling hybrid resist and device formed thereby
TW460758B (en) 1998-05-14 2001-10-21 Holographic Lithography System A holographic lithography system for generating an interference pattern suitable for selectively exposing a photosensitive material
US6095882A (en) 1999-02-12 2000-08-01 Micron Technology, Inc. Method for forming emitters for field emission displays
US6303416B1 (en) 1999-10-07 2001-10-16 International Business Machines Corporation Method to reduce plasma etch fluting
US7167615B1 (en) 1999-11-05 2007-01-23 Board Of Regents, The University Of Texas System Resonant waveguide-grating filters and sensors and methods for making and using same
CN1187846C (zh) 1999-11-29 2005-02-02 皇家菲利浦电子有限公司 有机电致发光器件及其制造方法
US6691618B2 (en) 2000-05-08 2004-02-17 Pisces-Print Imaging Sciences, Inc. Chemical imaging of a lithographic printing plate
US6315916B1 (en) 2000-05-08 2001-11-13 Pisces-Print Image Sciences, Inc. Chemical imaging of a lithographic printing plate
US20040154489A1 (en) * 2000-05-08 2004-08-12 Deutsch Albert S. Chemical imaging of a lithographic printing plate
US20040038152A1 (en) * 2002-07-15 2004-02-26 Goodin Jonathan W. Method for making printing plate by inkjet deposition on positive-working media
US7064824B2 (en) * 2003-04-13 2006-06-20 Max-Planck-Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschaften E.V. High spatial resoulution imaging and modification of structures
US7539115B2 (en) * 2003-04-13 2009-05-26 MAX-PLANCK-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Creating a permanent structure with high spatial resolution
JP2006522989A (ja) * 2003-04-13 2006-10-05 マックス−プランク−ゲゼルシャフト・ツーア・フェルデルング・デア・ヴィセンシャフテン・エー．ファウ． 高い空間分解能の一定の構造部の製造
US20040207829A1 (en) * 2003-04-17 2004-10-21 Asml Netherlands, B.V. Illuminator controlled tone reversal printing
US6773869B1 (en) 2003-04-24 2004-08-10 Lexmark International, Inc. Inkjet printhead nozzle plate
US7112489B1 (en) 2004-12-03 2006-09-26 Advanced Micro Devices, Inc. Negative resist or dry develop process for forming middle of line implant layer
US7241707B2 (en) * 2005-02-17 2007-07-10 Intel Corporation Layered films formed by controlled phase segregation
US20070082432A1 (en) * 2005-09-06 2007-04-12 Lee Wai M Variable exposure photolithography
US20120040288A1 (en) * 2010-08-11 2012-02-16 Microchem Corp. Epoxy formulations with controllable photospeed
EP2835687B1 (de) 2013-08-06 2017-03-15 Ams Ag Verfahren zur Herstellung einer Resiststruktur mit hinterschnittener Seitenwand
US10520813B2 (en) * 2016-12-15 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Extreme ultraviolet photoresist with high-efficiency electron transfer

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE854890C (de) * 1949-07-23 1952-12-18 Kalle & Co Ag Verfahren zur Herstellung von Kopien, besonders Druckformen, mit Hilfe von Diazoverbindungen
US3827908A (en) * 1972-12-11 1974-08-06 Ibm Method for improving photoresist adherence

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL280959A (de) * 1961-07-28
FR1342789A (fr) * 1961-07-28 1963-11-15 Kalle Ag Procédé de développement avec inversion à l'aide de couches photosensibles renfermant des combinaisons diazoïques
DE1224147B (de) * 1963-08-23 1966-09-01 Kalle Ag Verfahren zur Umkehrentwicklung von Diazo-verbindungen enthaltenden Kopierschichten
US3759711A (en) * 1970-09-16 1973-09-18 Eastman Kodak Co Er compositions and elements nitrogen linked apperding quinone diazide light sensitive vinyl polym
BE789196A (fr) * 1971-09-25 1973-03-22 Kalle Ag Matiere a copier photosensible
BE791212A (fr) * 1972-02-03 1973-03-01 Buckbee Mears Co Procede pour le durcissement des reserves
US3873313A (en) * 1973-05-21 1975-03-25 Ibm Process for forming a resist mask

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE854890C (de) * 1949-07-23 1952-12-18 Kalle & Co Ag Verfahren zur Herstellung von Kopien, besonders Druckformen, mit Hilfe von Diazoverbindungen
US3827908A (en) * 1972-12-11 1974-08-06 Ibm Method for improving photoresist adherence

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2855723A1 (de) * 1978-12-22 1980-07-10 Ibm Deutschland Verfahren zum herstellen eines negativmusters aus einem positivlack
US5227281A (en) * 1989-12-12 1993-07-13 Hoechst Aktiengesellschaft Process for producing negative copies
EP0718875A3 (de) * 1994-12-20 1997-10-01 Alcatel Italia Photolithographisches Kontaktverfahren zur Herstellung von Metallinien auf einem Substrat
US5856067A (en) * 1994-12-20 1999-01-05 Alcatel Italia S.P.A. Contact photolithographic process for realizing metal lines on a substrate by varying exposure energy

Also Published As

Publication number Publication date
US4104070A (en) 1978-08-01
IT1063565B (it) 1985-02-11
JPS548304B2 (de) 1979-04-14
FR2316625B1 (de) 1978-05-19
JPS526528A (en) 1977-01-19
DE2529054C2 (de) 1982-04-29
GB1489167A (en) 1977-10-19
FR2316625A1 (fr) 1977-01-28

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