DE2429245A1

DE2429245A1 - Transistorregelkreis

Info

Publication number: DE2429245A1
Application number: DE2429245A
Authority: DE
Inventors: Takashi Okada
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1973-06-20
Filing date: 1974-06-19
Publication date: 1975-01-16
Also published as: IT1015250B; NL189166C; JPS5018154A; GB1472899A; BR7405050A; FR2234697B1; NL189166B; US3906246A; JPS5610667B2; AU7019974A; FR2234697A1; NL7408312A; DE2429245C2; AU496818B2

Description

It 2922

SONY CORPORATION Tokyo / Japan

' Trans i s torrege Ik re i s

Die Erfindung betrifft einen Transistorregelkreis und insbesondere einen Transistorregelkreis, der zur Verwendung in einem automatischen Verstärkungsregelkreis, einem Vervielfacherkreis und dergleichen geeignet ist.

Es wurden bereits verschiedene Arten von Transistorregelkreisen wie z.B. der in Fig. 1 gezeigte vorgeschlagen. . Die Verstärkung des Kreises der Fig. 1 wird durch Änderung einer Regelspannung E geregelt, so daß ein Eingangssignal S. an einem Ausgangsanschluß des Regelkreises als Ausgangssignal S abgenommen werden kann, das eine geregelte Amplitude hat, die von der Regelspannung E abhängt.

V»·

Allgemein hat dieser Regelkreis zwei Nachteile. Einer dieser beiden Nachteile besteht darin, daß die Änderung der Verstärkung dieses Kreises nicht proportional der Änderung der Regelspannung E ist. Dies bedeutet, daß die Regelkreise wie in Fig. 1 nicht als Vervielfacher verwendet werden können. Der andere Nachteil besteht darin, daß die Schleifenverstärkung des Kreises von der Regelspannung E abhängt, was bedeutet, daß

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die Schleifenverstärkung nicht konstant ist, so daß sich ein nicht erwünschtes Einschwingverhalten des Kreises ergibt.

Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Transistorregelkreis zu schaffen, der zur Verwendung in einem Verstärkungsregelkreis, einem Vervielfacherkreis und dergleichen geeignet ist, bei dem verschiedene Arten von Rege!vorgängen durch Festlegung eines Eingangssignals und eines Regelstroms entsprechend seinem Anwendungsfall durchgeführt werden können, bei dem der Regelvorgang mit einer geforderten Regelkurve durch beliebige Festlegung einer Stromquelle erreicht werden kann, der leicht als integrierter Kreis ausgebildet werden kann und der gute Temperatureigenschaften hat.

Durch die Erfindung wird ein Transistorregelkreis geschaffen, der grundsätzlich aus vier Transistoren und drei Stromquellen besteht und auf einen Verstärkungsregelkreis, einen Vervielfacherkreis usw. anwendbar ist. Die Beziehung zwischen den Kollektorströmen I , I~ / I, und I₄ der vier Transistoren des Kreises wird durch die Gleichung I₁ . I„ = I- . I₄ ausgedrückt, so daß der Ausgangsstrom I₄ durch Änderung der Stromgröße wenigstens einer der drei Ströme I., I~ und I_ geregelt werden kann.

Die Erfindung wird nachstehend anhand der Figuren 1 bis beispielsweise erläutert. Es zeigt:

Figur 1 ein Schaltbild eines Beispiels einer bekannten Transistorregelkreises,

Figur 2 ein Schaltbild, aus dem der grundsätzliche Aufbau des Transistorregelkreises gemäß der Erfindung hervorgeht,

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Figur 3A und 3B Diagramme zur Erläuterung des Transistorregelkreises gemäß der Erfindung, und

Figur 4 bis 10 Schaltbilder verschiedener Ausführungsformen des Transistorregelkreises gemäß der Erfindung.

Anhand der Zeichnungen wird nun eine Ausführungsform eines Transistorregelkreises gemäß der Erfindung erläutert.

Fig. 2 zeigt ein Schaltbild, aus dem der grundsätzliche Aufbau des Kreises gemäß der Erfindung hervorgeht. In Fig. 2 bezeichnet Q einen ersten NPN-Transistor, dessen Emitter geerdet ist, dessen Kollektor über eine erste Stromquelle A-. mit einem Ene rgieque Ilen ans chluß B verbunden ist, an den eine positive Gleichspannung angelegt wird, und dessen Basis mit dem Emitter eines zweiten NPN-Transistors Q_ verbunden ist. Der Verbindungspunkt zwischen der Basis des Transistors Q. und dem Emitter des Transistors Q_ ist über eine zweite Stromquelle A„ geerdet. Der Kollektor des Transistors Q₂ ist mit dem Energiequellenanschluß B und dessen Basis ist mit der Basis eines dritten NPN-Transistors Q- verbunden. Der Verbindungspunkt zwischen der Basis des Transistors Q_ und der Basis des Transistors Q ist mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Transistor Q und der Stromquelle A verbunden, um einen Rückkopplungskreis zu bilden und einen Arbeitspunkt des Kreises zu schaffen. Die Kollektorelektrode des Transistors Q_ ist mit dem Energiequellenanschluß B verbunden, während sein Emitter über eine dritte Stromquelle A₃ geerdet ist. Der Verbindungspunkt zwischen dem Emitter des Transistors Q_ und der Stromquelle A ist mit der Basis eines vierten Transistors Q. verbunden, dessen Emitter geerdet ist und dessen Kollektor über einen Widerstand R mit dem Energiequellenanschluß B verbunden ist. Schließlich ist ein Ausgangsanschluß X von dem Verbindungspunkt zwischen dem Kollektor des Transistors Q. und dem Widerstand R herausgeführt.

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In Fig. 2 erhält man unter der Voraussetzung, daß die Basisströme der jeweiligen Transistoren Q₁ bis Q. ausreichend klein im Vergleich zu den jeweiligen Kollektorströmen sind, folgende Gleichungen:

ν - ^KT in
^Vbel ~ g ⁿ

^Vbe2 " q I_c ^{ '

^Vbe3 q I_c ^K '

be4 q I

wobei V, bis V . die Basis/Emitter-Durchlaßvorspannungen der Transistoren Q bis Q., I bis I₃ die Ströme der Stromquellen A bis A₄ und I. ist ein durch den Widerstand R fließender Strom. K ist die Boltzmann-Konstante, q die elektrische Ladung eines Elektrons, T die absolute Temperatur und I eine Funktion des Emitter-Sperrstroms, wenn die Kollektoren der Transistoren Q₁ bis Q₄ jeweils abgetrennt sind. Die oben erwähnten Größen K, T und q sind jeweils unter den Transistoren Q bis Q. gleich. Die Größe von I kann als konstant angesehen werden, da die jeweiligen Eigenschaften der Transistoren Q bis Q. grundsätzlich gleich sind.

Wie sich aus Fig. 2 ergibt, haben die Basis-Emitter-Spannungen der jeweiligen Transistoren Q. bis Q. die folgende Beziehung untereinander:

^Vbel ^{+ V}be2 = ^Vbe3 ^{+ V}be4

Wenn die Gleichungen (1) bis (4) in die Gleichung (5) eingesetzt werden, erhält man die folgende Gleichung:

£09883/0949

¹I ¹I ¹S ¹A

■"·■■ "■ -ρ ΧΩ ■"" "'■■ ⁼ ΧΓ1 _ ' τ XTl "■ ^."™ ^XS ¹S ¹S ¹S

Damit erhält man die folgende Gleichung (7)

Es besteht somit die Beziehung, daß das Produkt der Ströme der Transistoren Q und Q₂ gleich demjenigen der Ströme der Transistoren Q₃ und Q. ist.

Mit der Sternanordnung gemäß der Erfindung, wie sie oben beschrieben wurde, erhält man eine Ausgangsspannung entsprechend I₄ am Ausgangsanschluß X. Hierbei wird der Strom I. durch die folgende Gleichung entsprechend der Gleichung (7) ausgedrückt:

- - ^L3

Es wird nun jeder Steuervorgang des Transistorregelkreises gemäß der Erfindung unter jeder Bedingung erläutert. Wenn zuerst I„ fest ist und I als Eingangssignal und I„ als Regelsignal gewählt wird, erhält man die Größe von I. durch die folgende Gleichung:

I₄ = k .. I₁ . I₂ (9)

wobei k eine durch I, zu bestimmende Größe ist. Dies bedeutet, daß das Eingangssingal I proportional dem Regelsignal I geregelt wird und eine Regelkurve wie die in Fig. 3A wird erhalten.

Wenn I_ fest ist und T zum Eingangssignal und I zum Regelsignal gemacht wird, erhält man die Größe von I. durch die folgende Gleichung:

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I₄ = k· . I₁ . I₂ (ίο)

wobei k¹ eine durch I- zu bestimmende Konstante ist. Dies bedeutet, daß das Eingangssignal I_ proportional dem Regelsignal I, geregelt wird und man erhält die in Fig. 3A gezeigte Regelkurve.

Die Regelkurve in Fig. 3A entsprechend den oben beschriebenen Beispielen ist für eine charakteristische Kurve eines Verstarkungsregelkreises geeignet.

Wenn I₂ fest ist und I als Eingangssignal und I_ als Regelsignal gewählt wird, wird die Größe von I₄ wie folgt ausgedrückt:

I₄ = k" . -pi- (11)

^X3

wobei k" eine durch I₂ zu bestimmende Konstante ist. Dies bedeutet, daß das Eingangssignal I proportional umgekehrt zu dem Regelsignal I_ geregelt wird und der Kreis ergibt eine Regelkurve wie in Fig. 3B.

Wenn nun I₁ fest ist und I₀ zum Eingangssignal und I- zum Regelsignal gemacht wird, wird die Größe von I₄ wie folgt ausgedrückt:

I₀
I₄-K ' *₂ *

wobei k"' eine durch I, zu bestimmende Konstante ist. Dies bedeutet, daß das Eingangssignal I proportional umgekehrt zu dem Regelsignal I, geregelt wird und der Kreis ergibt die in Fig. 3B gezeigte Regelkurve.

Die in Fig. 3B gezeigte Regelkurve, die in den oben beschriebenen Fällen erhalten wird, ist für eine charakteristische Kurve z.B. eines automatischen Verstärkungs-

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regelkreises geeignet.

Wie die zuvor erwähnte Gleichung (8) zeigt, wird, wenn I und I_ als zwei Eingangssignale gewählt werden, während I_g fest ist, das Ausgangssignal I. in Form des Produkts von I₁ und Ip ausgedrückt, so daß ein sogenannter Vervielfacherkreis gebildet wird.

Daher können mit dem Transistorregelkreis gemäß der Erfindung verschiedene Arten von Regelvorgängen durch Bestimmung eines Eingangssignals und eines Regelstroms entsprechend dem Anwendungsfall durchgeführt werden und ein Regelvorgang mit einer notwendigen Regelkurve kann durch beliebige Bestimmung einer festen Stromquelle durchgeführt werden. Wenn die Regelkurve gerade ist, wird ein Vervielfacherkreis gebildet. Da außerdem der Transistorregelkreis gemäß der Erfindung aus Transistoren und dergleichen aufgebaut ist, wie oben erwähnt wurde, kann ein integrierter Kreis darauf angewandt werden, und auch seine Temperatureigenschaften sind wegen des im wesentlichen symmetrischen Aufbaus gut.

Die Fig. 4 bis 10 zeigen weitere Ausführungsformen der Erfindung. In diesen Figuren sind Elemente, die denjenigen in Fig. 2 und Elemente, die einander in den Fig. 4 bis 10 entsprechen, mit den gleichen Bezugszeichen versehen und ihre Beschreibung unterbleibt.

In den Fig. 4 bis 10 sind die Transistoren Q bis Q., der Widerstand R und der Energiequellenanschluß B, der eine' konstante Spannung erhält, jeweils miteinander verbunden. Dies bedeutet, daß die Basis des Transistors Q₁ mit dem Emitter des Transistors Q₂ verbunden ist, und die Basen der Transistoren Q₂ und Q₃ miteinander verbunden sind und deren Verbindungspunkt ist mit dem Kollektor des Transistors Q- verbunden. Die Kollektoren der Transistoren Q₂ und Q-

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sind mit dem Energiequellenanschluß B verbunden, der Emitter des Transistors Q ist mit der Basis des Transistors Q. verbunden und der Kollektor des Transistors Q₄ ist über den Widerstand R mit dem Energiequellenanschluß B verbunden. Der Verbindungspunkt zwischen dem Kollektor des Transistors Q₄ und dem Widerstand R ist mit dem Ausgangsanschluß X verbunden und die Emitter der Transistoren Q. und Q- sind miteinander verbunden.

Mit S ist eine Signalquelle zur Erzeugung eines Signals wie eines Videosignals in einem Fernsehempfänger, mit E eine Gleichspannungsquelle mit einer veränderbaren Ausgangsspannung und mit E_ und E₃ ist jeweils eine Konstantspann ungsquelIe bezeichnet.

Fig. 4 zeigt eine Ausfuhrungsform, bei der I das Eingangssignal und I₉ der Steuersignal ist, während I- fest ist, so daß die in Fig. 3A gezeigte Regelkurve erhalten wird.

Bei der Ausführungsform der Fig. 4 ist die Stromquelle A derart ausgebildet, daß die Signalquelle S über einen Widerstand R„ mit dem Kollektor des Transistors (·> und der Kollektor des Transistors Q über einen Widerstand R_ mit dem Energiequellenanschluß B verbunden ist. Bei der Stromquelle A₀ ist die negative Elektrode der Gleichspannungsquelle E₁ geerdet, während deren positive Elektrode über einen Widerstand R. mit der Basis des NPN-Transistors Qc bzw. Q,- verbunden ist. Die Emitter der Transistoren Q_ und Q₆ sind geerdet, während der Kollektor des Transistors Q_ mit der Basis des Transistors Q, verbunden ist, dessen Kollektor mit dem Verbindungspunkt der Basis des Transistors Q und des Emitters des Transistors Q₂ verbunden ist. Bei der Stromquelle A_ ist der Energiequellenanschluß B über einen Widerstand R₅ mit der Basis des NPN-Transistors Q_ bzw. Q_ verbunden, während deren Emitter geerdet sind. Der Kollektor des Transistors Q₇ ist mit

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Basis des Transistors Q₀ verbunden und der Kollektor des

Transistors Q_g ist mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Emitter des Transistors Q₃ und der Basis des Transistors Q. verbunden.

Entsprechend dem oben beschriebenen Beispiel der Fig. 4 entspricht der Strom I der Signalquelle S, während I_ einer von der Gleichspannungsquelle E beliebig erhaltenen Spannungsgröße entspricht und I_ hat eine konstante Größe entsprechend der konstanten Spannung des Energiequellenanschlusses B:. Ein Steuersignal wird durch Änderung der Spannungsgröße der Gleichspannungsquelle E₁ erhalten.

In den Ausführungsformen der Fig. 5 bis 7 ist I₃ fest und I₂ ist ein Eingangssignal, während I." ein Steuersignal ist. In diesen Fällen erhält man die Regelkurve in Fig. 3A.

Es wird nun zunächst die Ausführungsform der Fig. 5 beschrieben. Bei der Stromquelle A ist die negative Elektrode der Gleichspannungsquelle E geerdet, während die positive Elektrode über einen Widerstand R_fi mit dem Kollektor des Transistors Q₁ verbunden ist. Bei der Stromquelle -A₂ ist die Signalquelle S über einen Widerstand R- mit den Basen der NPN-Transistoren Q_q und Q _ verbunden, während deren Emitter geerdet sind. Der Kollektor des Transistors Qq ist mit der Basis des Transistors Q₁₀ verbunden, während der Kollektor des Transistors Q mit dem Verbindungspunkt zwischen der Basis des Transistors Q und dem Emitter des Transistors Q₀ verbunden ist. Als Stromquelle A_ wird der gleiche Kreis wie bei dem Beispiel der Fig. 4 verwendet.

Bei der Ausführungsform der Fig. 5 entspricht I₁ einer von der Gleichspannungsquelle E₁ beliebig abgeleiteten Spannungsgröße, I₂ der Änderung der Signalguelle S,und I₃ ist fest, so daß ein Regelsignal durch Änderung der Spannungs-

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größe der Gleichspannungsquelle E₁ in beliebiger Weise erhalten werden kann.

Bei der Ausführungsform der Fig. 6 ist die Stromquelle A₃ derart gebildet, daß die positive Elektrode der Gleichspannungsquelle E mit dem Energiequellenanschluß B verbunden ist, während deren negative Elektrode mit der Basis eines PNP-Transistors Q verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Q ist mit dem Kollektor des Transistors Q verbunden und dessen Emitter ist über einen Widerstand R₈ mit dem Energiequellenanschluß B verbunden. Als Stromquellen A₂ und A werden die gleichen Kreise wie diejenigen der Stromquellen A₂ und A₃ in Fig. 5 verwendet.

Bei der Ausführungsform der Fig. 6 entspricht der Strom I einem von der Gleichspannungsquelle E beliebig abgeleiteten Signal und I₃ der Änderung der Signalquelle S, während I_ fest ist. Die Spannung der Gleichspannungsauelle E, wird beliebig geändert, um ein Regelsignal zu erhalten.

Bei der Ausführungsform der Fig. 7 ist zur Bilduna der Stromquelle A die positive Elektrode der Gleichspannungsquelle E mit dem jeweiligen Emitter des Transistors Q₁ und Q. verbunden und der Kollektor des Transistors Q₁ ist über einen Widerstand R_g mit dem Energiequellenanschluß B verbunden. Bei der Stromquelle A₃ ist die Signalquelle S mit der Basis eines NPN-Transistors Q₂ verbunden, während dessen Emitter über einen Widerstand R geerdet ist und sein Kollektor mit der Basis des Transistors Q verbunden ist. Als Stromquelle A₃ ist die positive Elektrode der Gleichspannungsquelle E„ mit der Basis eines NPN-Transistors Q , verbunden und dessen Emitter ist über einen Widerstand R geerdet, während sein Kollektor mit der Basis des Transistors 0. verbunden ist.

Bei der Ausführungsform der Fig. 7 entspricht I₁ einer von der Gleichspannungsquelle E₁ beliebig abgeleiteten

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Spannungsgröße und I der Änderung der Signalquelle S, während I entsprechend der konstanten Spannung der Energiequelle E- fest ist. Ein Regelsignal wird durch änderung der Spannungsgröße der Gleichspannungsgröße E₁.in beliebiger Weise erhalten.

Die Ausführungsform der Fig. 8 betrifft einen Fall, bei dem I₁ das Eingangssignal und I das Steuersignal ist, während I_ fest ist, so daß die in Fig. 3B gezeigte Regelkurve erhalten wird.

In Fig. 8 ist die Stromquelle A derart ausgebildet, daß ein Ende der Signalquelle S mit der Basis eines PNP-Transistors Q . verbunden ist, dessen Kollektor mit dem Kollektor des Transistors Q₁ verbunden ist, während sein Emitter über einen Widerstand R₁₂ mit der Energiequelle B verbunden ist, und die positive Elektrode der Gleichspannungsquelle E_ ist mit den Emittern der Transistoren Q und Q verbunden, während ihre negative Elektrode geerdet ist. Als Stromquelle A₂ wird der gleiche Kreis wie derjenige der Stromquelle A- in Fig. 7 verwendet, wobei der Kollektor des Transistors Q₁- mit dem Verbindungspunkt zwischen der Basis des Transistors Q und dem Emitter des Transistors Q₂ verbunden ist. Bei der Stromquelle A₃ ist die positive Elektrode der Gleichspannungsquelle E mit der Basis feines NPN-Transistors Q _ verbunden und dessen Emitter ist über einen Widerstand R₁₃ geerdet, während der Kollektor mit dem Verbindungspunkt zwischen dem Emitter des Transistors Q₃ und der Basis des Transistors Q. verbunden ist. ,

Bei der Ausführungsform der Fig. 8 entspricht I₁ der Änderung der Signalquelle S, I- einer von der Gleichspannungsquelle E, beliebig erhaltenen Spannungsgröße und I₃ ist eine feste Größe entsprechend der konstanten Spannung der

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Gleichspannungsquelle E₂, so daß ein Regelsignal durch Änderung der Spannungsgröße der Gleichspannungsquelle E in beliebiger Weise erhalten wird.

Die Ausführungsform der Fig. 9 betrifft den Fall, wenn I« das Eingangssignal und I₃ das Regelsignal ist, während I₁ fest ist, um die Regelkurve in Fig. 3B zu erhalten.

Bei der Ausführungsform der Fig. 9 ist zur Bildung der Stromquelle A der Energiequellenanschluß B über einen Widerstand R . mit dem Kollektor des Transistors Q verbunden. Bei der Stromquelle A₂ iöt der gleiche Kreis wie derjenige der Stromquelle A₃ in Fig. 5 verwendet. Bei der Stromquelle A- ist die negative Elektrode der Gleichspannungsquelle E geerdet, während ihre positive Elektrode mit der Basis eines NPN-Transistors Q₁- verbunden ist. Der Emitter des Transistors Q_n, ist geerdet und sein

Xo

Kollektor ist mit der Basis des Transistors Q. verbunden.

Bei der Ausführungsform der Fig. 9 ist I eine feste Größe entsprechend der konstanten Spannung des Energiequellenanschlusses B und I- entspricht der Änderung der Signalquelle S und I_ einer von der Gleichspannungsquelle E₁ beliebig abgeleiteten Spannungsgröße. Ein Regelsignal ist durch Änderung der Spannungsgröße der Gleichspannungsguelle E₁ in beliebiger Weise erhältlich.

Es ist ersichtlich, daß bei den oben beschriebenen Ausführungsformen die gleichen Vorteile wie bei dem Beispiel der Fig. 2 erhalten werden.

Es wird nun anhand der Fig. 10 eine weitere Ausführungsform beschrieben, bei der der Transistorregelkreis gemäß der Erfindung auf einen Vervielfacher angewandt ist.

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In Fig. 10 sind Regelkreise 1 und 2 verwendet, deren Eigenschaften exakt gleich denjenigen der oben beschriebenen Regelkreise sind. Die Regelkreise 1 bzw. 2 werden durch Transistoren Q bis Q₄ und Q , bis Q., gebildet, wobei die Kollektoren der Transistoren Q. und Q., verbunden sind.

4a '4b

Der Widerstand R ist gemeinsam verwendet und der Ausgangsanschluß X ist von dem Verbindungspunkt zwischen dem Widerstand R und den Kollektoren der Transistoren Q₄ und Q₄ herausgeführt. Die Emitter der Transistoren Q , Q. , Q ,

13. rt el XiD

udn -Q₄,; sind mit einem gemeinsamen Anschluß verbunden, der mit dem Energxequellenanschluß B über einen Widerstand R _ verbunden ist und der gemeinsame Anschluß ist über einen Widerstand R , geerdet. Die Kollektoren der Transistoren Q_la bzw. Q₁, sind mit den Kollektoren der PNP-Transistoren Q₁-, und Q₁ _, und die Emitter der Transistoren Q._ und Q₁-, sind über Widerstände R₁₇- bzw. R₁ _, mit einer gemeinsamen Konstantstromquelle A' verbunden. Die Basen der

Transistoren Q,-, bzw. Q,-, sind mit dem einen und dem 17a l /b

anderen Ende einer Signalquelle S₁ verbunden. Die Emitter der Transistoren Q- bzw. Q-, sind mit den Kollektoren der NPN-Transistoren Q_no und Q._QU verbunden. Die Emitter der

18a lob

Transistoren Q, _o bzw. Q, _o, sind über Widerstände R. _o 1 ba Iod löa

und R₁OL mit einer gemeinsamen Konstantstromquelle A" verbunden und deren Basen sind mit dem einen und dem anderen Ende einer Signalquelle S- verbunden. Die Emitter der Transistoren Q- bzw. Q_, sind über Konstantstromquellen A- 03. JD ja

und A-, geerdet.

Entsprechend der Ausführungsform der Fig. 10 wird eine Ausgangsspannung der Signalquelle S₁ auf die Basen der Transistoren Q₁₇- bzw. Q_l7j_ gegeben, die Stromquellen bilden, um die Größe der Ströme zu ändern, die durch die jeweiligen Kollektor- und Emitter-Elektroden fließen. Wenn der durch den Transistor Q₁₇- fließende Strom I₁

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und der durch den Transistor Q₁.,. fließende Strom I₁, ist,

l /D lt>

erhält man die folgende Gleichung:

¹Ia - - ¹Ib ⁽¹³⁾

In gleicher Weise wird eine Ausgangsspanung der Signalquelle S₂ auf die Basen der Transistoren Q₁₈ bzw. Q_l8b gegeben, um die Größe der durch die jeweiligen Kollektor- und Emitter-Elektroden fließenden Ströme zu ändern. Wenn der durch den Transistor Q₁₈ fließende Strom I_ und der durch den Transistor Q_l8b fließende Strom I„, ist, erhält man in gleicher Weise die folgende Gleichung:

^X2a

Die Größe der Ströme an dem Verbindungspunkt zwischen dem Emitter des Transistors Q, und der Basis des Transistors Q. und dem Verbindungspunkt zwischen dem Emitter des

Transistors Q_, und der Basis des Transistors Q., wird 3d 4d

von den Konstantstromquellen A- und A₃, bestimmt.

Wenn die obigen Ströme I-, bzw. I_, sind, erhält man die folgende Gleichung:

¹Sa - ¹Sb ^{15)

Daher werden die Ströme I₄ und I_4b/ die durch die Transistoren Q₄ und Q₄, fließen, jeweils wie folgt ausgedrückt!

*4a - ^k * ¹Ia-" *2a '''' ·

^J4b = ^k * ¹Ib * ^X2b ⁽¹⁷⁾

wobei k eine Konstante ist, die von den Strömen I₃ und I₃, bestimmt wird. Daher wird der Strom I₄, der durch den

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Widerstand R₁ fließt, wie folgt ausgedrückt

¹A = ¹Aa ^{+ X}4b " ^{k {I}la ' ^X2a ^{+ 1}Ib '

Daher kann an dem Ausgangsanschluß X eine vervielfachte Größe der Signale der Signalquellen S und S^ abgenommen werden. Auf diese Weise wird die Vervielfacherfunktion erreicht.

Es ist ersichtlich, daß auch bei der Ausführungsform der Fig. 10 die gleichen Vorteile wie bei dem oben beschriebenen Beispiel der Fig. 2 erreicht werden.

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Claims

Ansprüche

( 1.j Transistorregelkreis, gekennzeichnet durch einen ersten ^-' Transistor, einen zweiten Transistor, dessen Emitter mit der Basis des ersten Transistors verbunden ist, einen dritten Transistor, dessen Basis mit der Basis des zweiten Transistors verbunden ist, einen vierten Transistor, dessen Basis mit dem Emitter des dritten Transistors verbunden ist, eine erste Stromquelle zur Erzeugung eines Stroms durch den ersten Transistor, eine zweite Stromquelle, die mit dem Emitter des zweiten Transistors verbunden ist, eine dritte Stromquelle, die mit dem Emitter des dritten Transistors verbunden ist, eine Einrichtung, die die Basis des zweiten und des dritten Transistors mit dem Kollektor des dritten Transistors verbindet, eine Einrichtung zum Anlegen eines ersten Bezugspotentials an den Emitter des ersten und vierten Transistors, eine Einrichtung zum Anlegen eines zweiten Bezugspotentials an den Kollektor des zweiten und dritten Transistors, und eine Einrichtung zum Abgreifen eines Ausgangssignals von dem Kollektor des vierten Transistors.
2. Transistorregelkreis nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zur Regelung der Stromgröße wenigstens einer der drei Stromquellen.
3. Transistorregelkreis nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromquelle einen Eingangssignalstrom liefert, daß die Stromgröße der dritten Stromquelle fest ist, und daß die Stromgröße der zweiten Stromquelle von der Stromgrößenregeleinrichtung geregelt wird, so daß die Amplitude des Ausgangssignals geregelt ist.

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4. Transistorregelkreis nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Stromquelle einen Eingangssignalstrom liefert, daß die Stromgröße der dritten Stromquelle fest ist, und daß die Stromgröße der ersten Stromquelle von der Stromgrößenregeleinrichtung geregelt wird, so daß die Amplitude des Ausgangssignals geregelt ist.
5. Transistorregelkreis nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromquelle eine Serienschaltung eines Widerstandes und einer Gleichspannungsquelle aufweist, deren Ausgangsspannung regelbar ist.
6. Transistorregelkreis nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromquelle einen Transistor aufweist, dessen Kollektor mit dem Kollektor des ersten Transistors verbunden ist, daß das zweite Bezugspotential an dessen Emitter über einen Widerstand angelegt wird_< und daß eine Gleichspannungsquelle zwischen das zweite Bezugspotential und die Basis des dritten Transistors der ersten Stromquelle geschaltet ist.
7. Transistorregelkreis nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Kollektor des ersten Transistors mit dem zweiten Bezugspotential über einen Widerstand verbunden ist, und daß die Einrichtung, die das erste Bezügspotential liefert, eine veränderbare Gleichspannungsque1Ie aufwe ist.
8. Transistorregelkreis nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromquelle einen Eingangssignalstrom liefert, daß die Stromgröße der zweiten Stromquelle fest ist, und daß die Stromgröße der dritten Stromquelle von der Stromgrößenregeleinrichtung geregelt wird.

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9. Transistorregelkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Stromquelle ein erstes Eingangssignal liefert, und daß die zweite Stromquelle ein zweites Eingangssignal liefert, so daß das Ausgangssignal das Produkt des ersten und zweiten Eingangssignals ist.

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