DE2364135A1

DE2364135A1 - Verfahren und vorrichtung zum reinigen der oberflaeche eines gegenstandes

Info

Publication number: DE2364135A1
Application number: DE2364135A
Authority: DE
Inventors: Edwin Graham Millis; Samuel Ray Shortes
Original assignee: Texas Instruments Inc
Current assignee: Texas Instruments Inc
Priority date: 1973-01-02
Filing date: 1973-12-21
Publication date: 1974-07-11
Also published as: CA987794A; NL7317476A; JPS4999480A; FR2212770A5; GB1445008A; US4027686A

Description

TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED
13500 North Central Expressway
Dallas« Texas, V.St.A.

Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen der Oberfläche

eines Gegenstandes

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Reinigen der Oberfläche eines Gegenstandes bzw.Körpers in einem Ausmaß, daß Fremdkörper auf der Oberfläche desselben im wesentlichen beseitigt sind. Insbesondere betrifft die Erfindung das Reinigen der Oberfläche einer Scheibe, aus Halbleitermaterial,. wie etwa Silizium.Das Verfahren und die Vorrichtung nach der Erfindung beinhalten insbesondere das Zuführen einer Spritzflüssigkeit zu der freiliegenden Oberfläche einer rotierenden Halbleiterscheibe mit gesteuertem Druck und gesteuerter Geschwindigkeit, die so groß sind, daß auf der freiliegenden Oberfläche ein

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Reinigungsvorgang stattfindet, durch den teilchenförmige Überbleibsel auf der Oberfläche entfernt werden, die eine Teilchengröße haben, welche kleiner ist als die .Breite der theoretisch festgelegten Schicht des toten Raums (im folgenden als tote Zone bezeichnet), die der freiliegenden Scheibenoberfläche zugeordnetist.

Bei der Verarbeitung von Halbleitermaterial in Form von Schichtträgern, Scheiben, Mikroplättchen oder dgl. zum Herstellen von Halbleiterbauelementen ist das Ansammeln von Oberflächenüberbleibseln auf den Körpern derartigen Halbleitermaterials tatsächlich gegeben. Diese Oberflächenüberbleibsel bzw. Fremdkörper können als Verunreinigung wirken, die eine direkte nachteilige Auswirkung auf das aus dem Halbleitermaterialkörper herzustellende Halbleiterelement hat, indem sie das Erreichen des gewünschten Betriebsverhaltens des Halb leiter elements behindert oder verhindert, wodurch die Ausbeute an kommerziell annehmbaren Halbleiterelementen aus dem verwendeten Herstellungsverfahren verringert wird. Es ist demzufolge üblich, bei solchen Herstellungsverfahren eine Reinigungsstufe vorzusehen, in welcher die Halbleitermaterialkörper, wie beispielsweise Siliziumscheiben, einer Reinigungsbehandlung ausgesetzt werden, um auf der Oberfläche angesammelte Überbleibsel von derselben zu entfernen.

Eine bislang für diesen Zweck angewendete typische Methode kann man als eine "Dreh-Wisch"-Methode bezeichnen, bei welcher Reinigungsflüssigkeit auf eine Halbleiterscheibe getröpfelt und daran anschließend die Scheibe einem Wischvorgang ausgesetzt wird, der von dem Mittelteil der Scheibe radial nach außen führend mit einem angefeuchteten Baumwollappen ausgeführt wird. Obwohl mit dieser Methode eine insgesamt zufriedenstellende Reinigung der Halbleiterscheibe vorgenommen werden kann, weist sie jedoch gewisse

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Nachteile auf, da der Wischvorgang durch den Baumwolllappen auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe zu einem Abschleifen der Oberfläche der Halbleiterscheibe· führen kann, wenn die Fremdkörperteilchen von der Oberfläche durch den Wischvorgang entfernt werden. Im übrigen führt diese "Dreh-Wisch"-Methode zwar normalerweise zu einem zufriedenstellenden Entfernen von Fremdkörpern von dem Hauptteil des Oberflächenbereiches der Halbleiterscheibe, häufig führt sie jedoch zu der Ansammlung solcher Fremdkör per teilchen längs des Randbereiches der Scheibe, die häufig bei der Prüfung der polierten Oberfläche der Halbleiterscheibe mittels Dunkelfeldmikroskopie nicht erkannt werden. Diese unerkannt zurückbleibenden Teilchen haben das Bestreben, während des anschließenden Verarbeitens der Halbleiterscheibe zu dem Mittelteil der polierten Oberfläche derselben zurückzuwandern, wodurch die nachteiligen Auswirkungen der oben beschriebenen Art hervorgerufen werden.

Eine weitere Schwierigkeit ergibt sich bei der Anwendung der "Dreh-Wisch"-Methode, wenn die zu reinigende Halbleiterscheibe eine gemusterte Oxidschicht oder andere Oberflächenunregelmäßigkeiten aufweist. In solchen Fällen werden die auf der Oberfläche der zu reinigenden Halbleiterscheibe vorhandenen Fremdkörper eher in die winzigen Vertiefungen und Spalten in der unregelmäßigen Scheibenoberfläche eingelagert, statt entfernt zu werden.

Bei anderen bislang verwendeten Methoden zum Reinigen der Oberflächen von Halbleiterscheiben werden diese Oberflächen einfach mit gasförmigen und tropfbaren Flüssigkeiten angeblasen bzw. angesprüht, wobei die Fremdkörperteilchen durch die kinetische Angriffskraft der gasförmigen bzw. tropfbaren Flüssigkeit von der Oberfläche entfernt werden sollen.

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Einfaches Anblasen und Besprühen der Oberfläche der zu reinigenden Halbleiterscheibe reicht jedoch nicht aus, um Fremdkörperteilchen zu entfernen, wenn die Teilchengröße gleich oder kleiner als die Breite einer der Scheibenoberfläche zugeordneten, theoretisch festgelegten toten Zone ist. Die Geschwindigkeit einer auf einen festen Körper gerichteten gasförmigen oder tropfbaren Flüssigkeit (im folgenden als Fluid) bezeichnet, ist nämlich in sämtlichen Fluidströmungssituationen an der Oberfläche des festen Körpers Null. In der unmittelbaren Nachbarschaft der Oberfläche des festen Körpers nähert sich die Geschwindigkeit des Fluids schnell der Geschwindigkeit des Hauptfluidstroms in einem Bereich, der als Grenzschicht bezeichnet wird. Wenn ein Teilchen auf der Oberfläche des Körpers eine ausreichend kleine Größe hat, ist in der Nähe der Körperoberfläche ein Bereich vorhanden, in welchem die Angriff skraft des gegen die Oberfläche gerichteten Fluids nicht groß genug ist, um die Adhäsion des kleinen Teilchens an der Oberfläche zu überwinden. Wie erwähnt, ist dieser Bereich die sogenannte Grenzschicht oder tote Zone. In Anwendung auf den Versuch, eine Halbleiterscheibe einfach durch Anblasen oder Besprühen zu reinigen, heißt das, daß die maximale Größe des. Fremdkörperteilchens, welches an der Oberfläche der Scheibe haften bleiben wird, ein Bruchteil der Höhe der der Scheibenoberfläche zugeordneten Grenzschicht oder toten Zone ist, wobei der Wert dieses Bruchteils von der Dichte des Fluids oder der Flüssigkeit, dem Adhäsionsgrad des Teilchens an der Oberfläche der Scheibe und dem Luftwiderstandskennwert des Teilchens abhängt. In jedem Fall ist der Erfolg begrenzt, den man durch herkömmliche Praktiken des Anblasens der Oberfläche mit einem Fluid oder des Besprühens der Oberfläche mit einer Flüssigkeit bei dem Reinigen von Scheiben aus Halbleitermaterial, wie etwa Silizium, erreicht, weil die Fremdkörper mit einer Teilchengröße,

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die kleiner ist als die Breite der theoretisch festgelegten toten Zone an der Scheibenoberfläche, auf derselben als eine Quelle von Verunreinigungen zurückbleiben, weil das Anblasen mit Fluid oder Besprühen mit Flüssigkeit nicht in der Lage ist, derartige Teilchen von der Oberfläche zu entfernen.

Auf Halbleiterscheiben zurückgebliebene teilchenförmige Fremdkörper sind häufig für eine beträchtliche Zunahme der Zahl der Feinlunker von Halbleiterscheiben verantwortlich, die bei der Herstellung eines Oxidschichtmusters oder eines Musters einer metallisierten Schicht anschließend mit Photoresist, d.h. einer lichtunempfindlichen Deckmasse überzogen und danach einem Ätzverfahren ausgesetzt werden. Diese erhöhte Feinlunker zahl in dem Fall, daß eine Ansammlung von teilchenförmigen Fremdkörpern auf der Scheibenoberfläche zurückbleibt, ist noch merklich deutlicher, wenn die Photoresistuberzugsschicht dünner wird. In diesem Zusammenhang ist ermittelt worden, daß dünne Photoresistschichten mit einer Dicke über 6.000 bis 7.000 £ Aushärtungsprobleme mit sich bringen, und zwar derart, daß ein Färben der in der Photoresistschicht gebildeten Fenster verursacht wird, wenn auf der Photoresistschicht ein Ätzverfahren ausgeführt wird. Dicke Photoresistüberzüge rufen außerdem Auflösungsprobleme beim Herstellen von Ätzmustern in derartigen überzügen hervor. Folglich haben dünnere Photoresistüberzüge eine vorteilhafte Auswirkung auf das Ätzverfahren, indem sie dessen Zuverlässigkeit verbessern. Die dünneren Photoresistüberzüge können jedoch für eine erhöhte Anzahl von Feinlunkern in anschliessend gebildeten Oxidschichten oder Metallschichten verantwortlich sein, sofern kein wirksames Reinigungsverfahren zum Entfernen von teilchenförmigen Fremdkörpern ausgeführt wird, die sich auf der Halbleiterscheibenoberfläche angesammelt haben. Eine hohe Anzahl von Feinlunkern auf

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verarbeiteten Scheiben ist ein weiterer Faktor, der die Ausbeute an.wirtschaftlich annehmbaren Halbleiterelementen aus dem Herstellungsverfahren nachteilig beeinflußt.

Die Erfindung schafft ein verbessertes Verfahren zum Reinigen der Oberfläche einer Halbleiterscheibe, indem ein Sprüh- bzw. Spritzflüssigkeitsstrahl gegen dieselbe gerich tet wird, sowie eine Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens. Der demgemäß durchgeführte Reinigungsvorgang beseitigt wirksam Fremdkörper mit einer Teilchengröße, die kleiner ist als die Breite der theoretisch festgelegten toten Zone bzw. Grenzschicht an der freiliegenden Scheibenoberfläche. In diesem Zusammenhang beinhalten das Verfahren und die Vorrichtung nach der Erfindung das Zuführen einer Spritzflüssigkeit, vorzugsweise entionisiertes Wasser, zu der Oberfläche einer rotierenden Halbleiterscheibe mit einem gesteuerten Druck und einer gesteuerten Geschwindigkeit, wobei die Spritzflüssigkeit auf die Oberfläche der Halbleiterscheibe unter einem vorbestimmten Winkel mit Bezug auf dieselbe auftrifft. Bei einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird die Spritzflüssigkeit, d.h. der Flüssigkeitsspray der Scheibenoberfläche unter einem Winkel zugeführt, der innerhalb des Bereiches von 2O bis 60 liegt, und zwar mit einem Druck innerhalb des Be-

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reiches von 282 kp/cm bis 422 kp/cm (4.000 bis 6.000 Pfund/Quadratzoll) und einer Geschwindigkeit in dem Bereich von 45 m/s bis 61 m/s (150 bis 200 Fuß/s). Das entionisierte Spritzwasser wird von einer Sprüh- bzw. Spritzdüse in einem ebenen fächerförmigen Profil geliefert, damit das Spritzwasser auf die Oberfläche der rotierenden Halbleiterscheibe längs eines im wesentlichen linearen Weges auftrifft, der mit dem Durchmesser der Scheibe zusammenfällt; das Spritzwasser ist auf diese Weise in der Lage, teilchenförmige Fremdkörper, deren Teilchengröße k-lei-

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ner ist als die Breite der theoretisch festgelegten toten Zone bzw. Grenzschicht an der Scheibenoberfläche, wirksam zu entfernen; die auf diese Weise durchgeführte Reinigung der Scheibenoberfläche ist von einer bläulich erscheinenden Koronaentladung begleitet, die in dem Bereich der Scheibenoberfläche sichtbar ist. Die Vorrichtung weist insbesondere eine aufrecht stehende Säule auf, die mit einer Scheibenträgerfläche versehen ist. Die Säule ist betriebsmäßig mit einem Motor, der sie in Drehung versetzt, und mit einer Vakuumpumpe verbundenj die durch in der Scheibenträgerflache der Säule gebildete öffnungen hindurch eine Saugwirkung erzeugt. Der Betrieb des Motors und der Vakuumpumpe ist mit dem öffnen und Schließen eines durchsichtigen halbkugelförmigen Deckels synchronisiert, der eine Reinigungskammer für die Säule und eine Sprühbzw. Spritzflüssigkeitsduse verschließt. Die Spritzdüse ist oberhalb der Ebene der Scheibenträgerfläche innerhalb der Reinigungskammer gemeinsam mit zwei Düsen angeordnet, welch letztere einen Spülflüssigkeitsstrom bzw. einen Trockungsfluidstrom in zeitlich abgestimmter Aufeinanderfolge im Anschluß an die Reinigungsphase mit Spritzflüssigkeit zuführen, um den Reinigungszyklus für die Halbleiterscheibe abzuschließen» Nach dem Schließen des durchsichtigen halbkugelförmigen Deckels werden der Motor und die Vakuumpumpe eingeschaltet, um die aufrechtstehende Säule und die Scheibenträgerfläche derselben in Drehung zu versetzen, während durch die in der Scheibenträgerfläche vorgesehenen öffnungen hindurch ein Sog erzeugt wird, um die zu reinigende Halbleiterscheibe darauf festzuhalten.

Die Ziele und Vorteile der Erfindung 'werden aus der folgenden Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen besser, verständlich. Es zeigen:

Fig. 1 eine perspektivische Ansicht einer Vor-

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richtung zum Reinigen der Oberfläche einer Halbleiterscheibe nach der Erfindung,

Fig. 2 im Aufriß, teilweise weggebrochen, die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung,

Fig. 3 in Draufsicht, teilweise weggebrochen, die in Fig. 1 dargestellte Vorrichtung,

Fig. 4 eine vergrößerte perspektivische Ansicht,

teilweise weggebrochen, einer Anordnung von mehreren Düsen in bezug auf eine aufrechtstehende Säule,' auf welcher die zu reinigende Halbleiterscheibe angeordnet ist und die Teil der in den Fig. 1 bis 3 gezeigten Vorrichtung ist,

Fig. 5 ein Blockschaltbild der in den Fig. 1 bis 3 gezeigten Vorrichtung,

Fig. 6 in einer stark vergrößerten schematischen Ansicht die Spritzdüse und das von dieser erzeugte Spritzflüssigkeitsprofil in bezug auf die Oberfläche der zu reinigenden Halbleiterscheibe, und

Fig. 7 eine stark vergrößerte schematische Ansicht ähnlich der in Fig. 6, jedoch um 90° mit Bezug auf diese gedreht, um die Winkelbeziehung zwischen der Spritzflüssigkeitsdüse und der Oberfläche der zu reinigenden Halbleiterscheibe zu zeigen.

Fig. 1 zeigt eine Vorrichtung nach der Erfindung zum Ausführen eines Reinigungsvorganges auf der Oberfläche eines

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Körpers zum Entfernen von darauf angesammelten Überbleibseln in Form von Fremdkörpern und/oder teilchenförmigen Oberresten. Die Vorrichtung weist ein Gehäuse 10 in Form eines Schrankes mit Vorder- und Rückwänden 11 bzw. 12, Stirnwänden 13, 14 und oberen und unteren Wänden 15 bzw. 16 auf. Das Gehäuse 10 ist mit passenden Rädern oder schwenkbaren Rollen 17 ausgerüstet, die in ge-^J eigneter Weise an der unteren Wand 16 desselben angebracht sind, damit die Vorrichtung beweglich ist. In dieser Hinsicht ist ein Handgriff 20 an der Stirnwand 13 in der Nähe ihrer Verbindung mit der oberen Wand 15 des Gehäuses angebracht, um das Bewegen der mit Rädern versehenen Vorrichtung zu erleichtern.

Das Gehäuse 10 weist außerdem einen Deckel 21 auf, der mit der oberen Wand 15 verbunden ist. Die obere Wand 15 des Gehäuses 10 ist mit einer Durchgangsöffnung zum Inneren des Gehäuses hin versehen. Wie dargestellt, ist die öffnung in der oberen Wand 15 kreisförmig, um den Deckel 21 aufzunehmen, der halbkugelförmig ist. Der halbkugelförmige Deckel 21 ist vorzugsweise aus durchsichtigem Werkstoff, wie beispielsweise Plexiglas, hergestellt, damit die Scheibenreinigungsbehandlung beobachtet werden kann, die die Vorrichtung in im folgenden beschriebener Weise ausführt. Ein in seiner Gesamtheit halbkugelförmiger Behälter 22 ist in der Öffnung in der oberen Wand 15 derart angebracht, daß er sich innerhalb des Gehäuses 10 erstreckt; der Behälter 22 (Fig. 2) bildet zusammen mit der Kuppel bzw. dem Deckel 21 darin eine Reinigungskammer. Der Behälter 22 ist mit einem ringförmigen Befestigungsflansch 22a versehen, der an dem Umfangsrandteil der oberen Wand 15 befestigt ist, der die darin gebildete öffnung begrenzt. Der Deckel 21 ist an der oberen Wand 15 des Gehäuses 10 durch ein Scharnier 23 befestigt, so daß er zwischen seiner geöffneten Stellung und seiner geschlossenen Stellung

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in bezug auf die öffnung in der oberen Wand 15 und den darunter befindlichen Behälter 22 schwenkbar ist (Fig.3). Der Deckel 21 weist einen ringförmigen Rand 24 auf, der sich bei geschlossenem Deckel gegen den ringförmigen Befestigungsflansch 22a des Behälters 22 legt, der die öffnung in der oberen Wand 15 begrenzt. Eine geeignete Verriegelungsvorrichtung ist vorgesehen, um den Deckel 21 in seiner geschlossenen Stellung mit Bezug auf den Behälter 22 normalerweise festzuhalten. Zum Beispiel, der Ringrand des Deckels 21 kann aus einem magnetischen Material hergestellt sein, so daß er durch einen Elektromagnet, der mit dem ringförmigen Befestigungsflansch 22a verbunden ist, welcher ebenfalls aus magnetischem Material hergestellt sein kann, bei Erregung des Elektromagnets festgehalten wird. Statt dessen kann der Deckel 21 auch durch eine nicht dargestellte nockenbetätigte mechanische Sperre in geschlossener Stellung gehalten werden.

Unterhalb des Deckels 21 ist innerhalb der Reinigungskammer eine sich von dem Behälter 22 aus nach oben erstreckende Säule 25 angeordnet, die mit einer ebenen Fläche 26 zum Aufnehmen des Gegenstands versehen ist, dessen freiliegende Fläche gereinigt werden soll. Die Gegenstandsträgerfläche bzw. Scheibenträgerflache 26 ist mit einer oder mehreren Durchgangsöffnungen versehen. Diese öffnungen stehen mit Kanälen 27 in Verbindung, die in der Säule 25 gebildet sind und mit einer Unterdruckquelle in Verbindung stehen, wie im folgenden beschrieben.

Die Säule 25 und die Scheibenträgerflache 26 derselben sind um eine Längsachse drehbar gelagert, die sich mitten durch die Scheibenträgerflache 26 erstreckt» Die Säule 25 wird durch eine geeignete Antriebseinrichtung in Drehung versetzt. Wie gezeigt, kann die Dreheinrichtung einen Motor 30 aufweisen, der innerhalb des Gehäuses 10 unterhalb der Säule -

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25 angeordnet ist und unter dem Behälter 22 durch eine in der Unterseite desselben gebildete Öffnung vorsteht. Der Motor 30 kann ein Elektromotor oder ein Druckluftmotor sein.

Mehrere Fluiddüsen sind in der Reinigungskammer innerhalb des durchsichtigen halbkugelförmigen Deckels 21 oberhalb des Niveaus der Scheibenträgerfläche 26 in bezug auf dieselbe Winkel versetzt angeordnet, und zwar eine Spritzflüssigkeitsdüse 31, eine Spülflüssigkeitsdüse 32 und eine Trockungsfluidstromdüse 33, die mit Abstand von einander oberhalb der Scheibenträgerfläche 26 und um den Umfang derselben herum angeordnet sind (Fig. 4). Die Düsen 31, 32 und 33 sind jeweils an dem abwärts gekrümmten Ende eines entsprechenden aufrechtstehenden Rohres angebracht, welches durch eine feststehende Platte 34 gehaltert ist. Die feststehende Platte 34 ist ringförmig und ist an dem Behälter 22 innerhalb der Reinigungskammer derart befestigt, daß die sich drehende aufrechtstehende Säule 25 durch die Mittenöffnung der Platte vorsteht. Die aufrechtstehenden Rohre, an welchen die Düsen 31 bzw. 32 bzw. 33 befestigt sind, sind durch in der feststehenden Platte 34 gebildete passende Öffnungen hindurch-und durch eine fluiddichte Dichtung 28 hindurch aus dem Behälter 22 hinausgeführt, so daß die Reinigungskaitimer in fluiddichtem Zustand gehalten wird, wenn der Deckel 21 geschlossen ist. Die Spritzflüssigkeitsdüse 31 hat eine Öffnung, die so geformt ist, daß sie ein ebenes fächerförmiges Spritz- bzw. Sprühflüssigkeitsprofil mit verhältnismäßig hohem Druck und hoher Geschwindigkeit liefert. Da es wichtig ist, daß Oberflächenüberbleibsel von der Halbleiterscheibe entfernt werden, die auf derselben einen Verunreinigungseffekt hervorrufen können, ist die durch die Spritzflüssigkeitsdüse 31 zugeführte Flüssigkeit vorzugsweise entionisiertes Wasser. Es versteht sich jedoch, daß jede geeignete organische oder anorganische Flüssigkeit

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verwendet werden, kann, die im wesentlichen frei von Ionen ist und die gegenüber dem Halbleitermaterial der Scheibe inert und für das Halbleitermaterial unschädlich ist.

Die zweite Düse 32 führt ebenfalls einen Flüssigkeitsstrom, vorzugsweise entionisiertes Wasser, allerdings mit verhältnismäßig niedrigem Druck und niedriger Geschwindigkeit, der Oberfläche der Halbleiterscheibe als Spülflüssigkeit zu, während die dritte Düse 33 durch das mit ihr verbundene Rohr mit einer Inertgasquelle verbunden ist, wie beispielsweise Stickstoff, um als Trockeneinrichtung zu dienen, indem sie einen Inertgasstrom auf die Oberfläche der gereinigten Halbleiterscheibe schickt.

Wie erwähnt, ist die Spritzflüssigkeitsdüse 31 mit einer Quelle von entionisiertem Wasser (Fig. 5) verbunden, welches sich außerhalb des Gehäuses 10 oder in einem innerhalb des Gehäuses 10 angeordneten Sammelbehälter (nicht dargestellt) befindet und zur Ausführung des Reinigungsvorganges wiederholt im Kreislauf umgepumpt wird. Wie in Fig. 2 gezeigt, wird das entionisierte Wasser durch Rohrleitungen aus einer äußeren Quelle zu einem Einlaß bzw. Rohr 29 geleitet, von welchem aus es durch eine Reihe von Filtern geleitet werden kann, um zum Verfeinern des entionisierten Wassers bis zu einem vorgewählten Grad restliche Fremdbestandteile aus demselben zu entfernen. In diesem Zusammenhang ist aus Fig. 5 ersichtlich, daß das entionisierte Wasser der Reihe nach durch Filter 35, 36, 37 und 38 geleitet wird, welche speziell so aufgebaut sind, daß sie restliche organische Bestandteile (Filter 35) und restliche mineralische Bestandteile (Filter 36) ausfiltern, woran sich eine weiter verfeinerte Vorfilterung (Filter 37) und die Endfilterung (Filter 38) anschließen, bevor das entionisierte Wasser in die Leitung eingeleitet wird, die zu dem Rohr führt, auf welchem die Spritzflüssigkeitsdüse

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31 befestigt ist. Die Filter sind jeweils im Handel erhältliche Erzeugnisse: Die Filter 35 und 36 zum Entfernen von organischen bzw. mineralischen Bestandteilen sind unter der Bezeichnung Organic Removal Cartridge No. 5-27 783 bzw. Type M cartridge No. 5-27 782 von der Firma Barnstead Company, 225 Rivermoor Street, Boston, Mass. beziehbar. Die Vorfilter 37 und Endfilter 38 können von einer Bauart sein, die unter der Bezeichnung No. 12 531 prefilter bzw. No. 12 5o5 final filter von der Firma Gelman Instrument Company, Ann Arbor, Michigan, beziehbar sind. Das entionisierte Wasser wird nach dem Filtern durch ein Reinheitsmessgerät 40 hindurchgeleitet, um insbesondere festzustellen, ob es innerhalb des geforderten Reinheitsbereiches liegt, um dadurch zu vermeiden, daß Verunreinigungen auf die Halbleiterscheibe gelangen.

Die Rohrleitung 29, in welcher das entionisierte Wasser strömt, verteilt dieses anschließend auf Abzweigleitungen 41 und 42, bei welchen es sich um Hochdruck- bzw. Niederdruckleitungen handelt. Die Abzweigleitungen 41, 42 weisen jeweils ein Einlaßventil auf, bei welchem es sich um einMagnetventil handeln kann, welches bei Erregung seines Solenoids öffnet. Demgemäß ist ein Einlaßventil 43 in der Abzweigleitung 41 angeordnet, während ein Einlaßventil in der Abzweigleitung 42 angeordnet ist. Die HD-Abzweigleitung 41 steht mit dem Rohr in Verbindung, welches die Spritzflüssigkeitsdüse 31 enthält, um dieser entionisiertes Wasser mit verhältnismäßig hohem Druck in der Größen-

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Ordnung von 282 kp/cm - 422 kp/cm (4.000 - 6.000 Pfund/ Quadratzoll) zuzuleiten. Zu diesem Zweck ist in der Abzweigleitung 41 eine druckluftbetätigte Wasserpumpe 45 vorgesehen, um den Druck des der Spritzflüssigkeitsdüse 31 zugeführten.entionisierten Wassers zu erhöhen. Aus Sicherheitsgründen kann ein Oberdruckventil 46 an dem Auslaßende

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der Pumpe 45 vorgesehen sein, damit zu großer Druck aus der Abzweigleitung 41 abgelassen werden kann, falls

der Druck beispielsweise 564 kp/cm (8.000 Pfund/Quadratzoll) überschreiten sollte. Ein Manometer 47 ist vorzugsweise in der HD-Abzweigleitung 41 auf der Auslaßseite des Überdruckventils 46" installiert, um eine genaue« Anzeige des in dem entionisierten Wasser, welches durch die Abzweigleitung 41 zu der Düse 31 strömt, gebildeten Druckes zu erhalten.

Im Anschluß an die Beendigung des Reinigungsvorganges, den die Spritzflüssigkeitsdüse 31 ausführt, wird das Ventil 43, welches den Flüssigkeitsdurchlaß in der HD-Abzweigleitung 41 steuert, geschlossen! das den Flüssigkeitsdurchlaß in der ND-Abzweigleitung 42 steuernde Ventil 44 wird geöffnet, damit entionisiertes Wasser mit verhältnismäßig niedrigem Druck zu der Spüldüse 32 geleitet werden kann, die in der Spülphase des Reinigungsvorgangs das entionisierte Wasser in einem stetigen Strom mit verhältnismäßig niedrigem Druck auf die Oberfläche der Halbleiterscheibe leitet.

Bei Bedarf kann die ND-Abzweigleitung 42 mit einer Ablaß-, leitung 50 versehen sein, die durch ein Ventil 50a gesteuert wird und die Aufgabe hat, den Druck darin abzulassen, wenn die Vorrichtung nicht in Betrieb ist, indem die ND-Abzweigleitung 42 entleert wird.

Die dritte Düse 33 ist mit einer geeigneten Quelle eines Inertfluids, wie beispielsweise Stickstoff, verbunden. Demgemäß ist das Rohr, an welchem die Düse 33 befestigt ist, mit einer Gasleitung 51 verbunden, die zu einer Stickstoffquelle führt. Ein Magnetventil 52 ist in der Leitung 51 am Eingang derselben vorgesehen. Dieses Ventil wird nacheinander mit den Ventilen 43, 44 für die Abzweigleitungen

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41 bzw. 42 betätigt, um Stickstoff in die Leitung 51 einzulassen. Der Stickstoff wird durch die Düse 33 auf die Halbleiterscheibe geschickt, um die Oberfläche der Scheibe zu trocknen.Ein Trocknungsfilter53 in Form eines Trocknungsmaterial kann in der Leitung 51 auf der Auslaßseite des Ventils 52 vorgesehen sein, um aus dem Düsengas vor seiner Verwendung als Trockenmittel für die Halbleiterscheibe Feuchtigkeit und Verunreinigungsmaterial zu entfernen.

Die Wasserpumpe 45 ist gemäß Fig. 2 auf der Unterseite 16 innerhalb des Gehäuses 10 angebracht und in geeigneter Weise daran befestigt. Eine Vakuumpumpe 55 ist oben auf der druckluftbetätigten Wasserpumpe 45 montiert. Das Einlaßende bzw. Saugende der Vakuumpumpe 55 ist durch eine geeignete Rohrleitung 56 mit den Kanälen 27 innerhalb der Säule 25 verbunden. Es versteht sich, daß durch den Betrieb der Vakuumpumpe 55 in den in der Scheibenträgerflache 26 auf der aufrechtstehenden Säule 25 gebildeten öffnungen eine Saugwirkung erzeugt wird. Diese Saugwirkung dient dazu, eine Halbleiterscheibe auf der Trägerfläche 26 festzuhalten, wenn die Säule 25 und ihre Trägerfläche 26 sich mit verhältnismäßig hoher Drehzahl drehen.

In den Fig. 6 und 7 ist die Spritzflüssigkeitsdüse 31 schematisch in einer Winkelbeziehung mit Bezug auf die Scheibenträgerflache 26 der Säule 26 und eine Halbleiterscheibe S, die auf der Trägerfläche 26 angeordnet ist, dargestellt. Vorzugsweise hat die Spritzflüssigkeitsdüse 31 eine Auslaßöffnung von insgesamt ovaler Form, die so angeordnet ist, daß sie ein ebenes, fächerförmiges Spritzbzw. Sprühprofil über einen Winkel 0, der in der Größenordnung von 40° liegen kann, liefert. Das ebene, fächerförmige Flüssigkeitssprühprofil, welches durch die Düse 31 erzeugt

wird, trifft auf die freiliegende Oberfläche der Halbleiterscheibe S längs eines im wesentlichen linearen Weges 60 auf, der mit dem Durchmesser der Halbleiterscheibe S zusammenfällt. Gemäß Fig. 7 ist die Düse 31 oberhalb der Scheibenträgerfiäche 26 und der darauf befindlichen Halbleiterscheibe S unter einem Winkel θ versetzt angeordnet, der vorzugsweise in dem Bereich von 20° bis 60° liegt. In einem typischen Anwendungsfall der hier offenbarten Vorrichtung zum Reinigen der freiliegenden Oberfläche einer Siliziumscheibe war die Spritzflüssigkeitsdüse 31 unter einem Winkel θ von angenähert 30 mit Bezug auf die Oberfläche der Scheibe S versetzt und am eine Strecke von 25,4 mm (1") von derselben entfernt, während die Pumpe 45 der Düse 31 das entionisierte Wasser mit einem Druck von 351,5 kp/cm (5.000 Pfund/Quadratzoll) zuführte und das entionisierte Wasser mit einer Geschwindigkeit in dem Bereich von 45 bis 61 m/s (150 - 200 Fuß/s) aus der Düse 31 austrat.

Unter diesen Betriebsbedingungen wurde in dem Bereich in der Nähe der gerade durch das entioniserte Spritzwasser aus der Düse 31 gereinigten Scheibenoberfläche ein bläulicher Koronaeffekt beobachtet. Der genaue Grund, warum diese Koronaentladung auftritt, ist zwar nicht bekannt, jedoch ist ein Flüssigkeitsdruck von ausreichender Größe, die

innerhalb des Bereiches von ungefähr 282 kp/cm bis 422

kp/cm liegt, ein erforderliches Merkmal des von der Düse gelieferten entionisierten Wassers, um die Koronaentladung

zu erzielen. Ein Flüssigkeitsdruck von mehr als 422 kp/cm in dem von der Düse 31 gelieferten entionisierten Wasser wird zwar ebenfalls eine Koronaentladung erzeugen, der höhere Flüssigkeitsdruck kann jedoch die Oberfläche der Scheibe beschädigen und bietet keinen zusätzlichen Vorteil bei der Reinigung. Eine mögliche Theorie, die erklärt, warum der besondere Flüssigkeitsstrahl ,den die Vorrichtung nach der Erfindung liefert, erfolgreich angesammelte teilchen-

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förmige Oberflächenüberbleibsel von der Scheibenoberfläche entfernt, wenn die Teilchengröße der Oberflächeüberbleibsel kleiner ist als die Breite der theoretisch festgelegten toten Zone bzw. Grenzschicht an der Scheibenoberfläche, was eigentlich erwarten läßt, daß der Reinigungsvorgang zum Beseitigen solch kleiner Teilchen nicht erfolgreich abläuft, besteht darin, daß das statische elektrische Potential an der Oberfläche, der Halbleiterscheibe höhergetrieben wird, wenn der entionisierte Wasserspray auf die Scheibenoberfläche auftrifft. Gemäß dieser Theorie werden, da das statische Oberflächenpotential ansteigt, die entionisierten Wasserteilchen aus dem Flüssigkeitsspray von der Oberfläche abgestoßen, wobei die Abstoßung dieser Wasserteilchen das Entfernen der teilchenförmigen Oberflächenüberbleibsel von der Oberfläche der Scheibe unterstützt. Wenn die Anfangsadhäsion der teilchenförmigen Oberflächenüberbleibsel an der Scheibenoberfläche erst einmal unterbrochen ist, dann wirkt der Wasserspray mechanisch und wäscht die Teilchen von der Scheibenoberfläche herunter. In dieser Beziehung wirkt der ebene, fächerförmige Flüssigkeitsspray, den die Düse 31 auf die Oberfläche der Scheibe S längs eines im wesentlichen linearen Weges 60 richtet, der mit einem Durchmesser derselben zusammenfällt, nach Ar^J-. eines Wischers, wobei die Winkelversetzung der Düse 31 mit Bezug auf die Oberfläche der Scheibe S dem Flüssigkeitsspray eine seitliche Bewegungskomponente zum Abwischen der teilchenförmigen Oberflächenüberbleibsel von der Scheibenoberfläche liefert.

In einem vollständigen Betriebszyklus der Vorrichtung nach der Erfindung werden die Spüldüse 32 und die Trockungsdüse 33 der Reihe nach betätigt, nachdem die Spritzflüssigkeitsdüse 31 ihren Betrieb beendet hat. Zu diesem Zweck ist ein Zyklussteuerschalter 70 vorgesehen, der den Betrieb der Wasserpumpe 45 und der Vakuumpumpe 55 und außerdem die aufeinanderfolgende Betätigung der drei Düsen 31, 32 und 33 steuert. Der Zyklussteuerschalter 7O kann ein Bauteil ent-

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halten, von welchem Teile jeweils auf dem ringförmigen Rand 24 des halbkugelförmigen Deckels 21 und auf dem ringförmigen Flansch 22a des Behälters 22 befestigt sind. Der Zyklussteuerschalter 70 ist folglich so aufgebaut, daß er geschlossen ist, wenn der Deckel 21 in eine Stellung gebracht ist, in welcher er die öffnung in der oberen Wand 15 des Gehäuses 10 verschließt, wobei sein ringförmiger Rand 24 auf dem ringförmigen Flansch 22a des Behälters 22 aufliegt und dort verriegelt ist. Umgekehrt, wenn die Verriegelung, die den Deckel 21 in geschlossener Stellung hält, gelöst wird, beispielsweise durch Entregen des Elektromagnets, wird durch die Bewegung des Deckels 21 in eine geöffnete Stellung auch der Zyklussteuerschalter 70 geöffnet und dadurch der Betrieb der Vorrichtung unterbrochen.

Im Betrieb der Vorrichtung kann die Spritzflüssigkeitsdüse 31 den flachen Strahl aus entionisertem Wasser mit ,hohem Druck und hoher Geschwindigkeit während einer Zeitspanne in der Größenordnung von 30 s oder weniger auf die Oberfläche der Scheibe S schicken, worauf der Reihe, nach ein Spülzyklus, in welchem die Düse 32 während einer Zeitspanne von gleicher Dauer der Oberfläche der Scheibe S entionisiertes Wasser mit niedrigem Druck und niedriger Geschwindigkeit zuführt, und ein Trockungszyklus folgt, in welchem ein Inertgas, wie beispielsweise Stickstoff, der Halbleiterscheibe S durch die Düse 33 als ein Strahlstrom während einer Zeitspanne von ungefähr 10 s oder weniger zugeführt wird. Vorzugsweise ist der Motor 30 so programmiert, daß er seine Drehzahl während des Trockungszyklus erhöht, um der Säule 25 und der darauf befindlichen Halbleiterscheibe S eine höhere Drehzahl zu verleihen, wenn der Strahlstrom von Trocknungsgas darauf gerichtet ist, um das Trocknen der Scheibenoberfläche durch größere Zentrifugalkraft zu unterstützen. Beispielsweise kann die Drehzahl der Säule

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25 während der Reinigungs- und Spülphasen in dem Bereich von 4.000 bis 5.000 U/min, gehalten werden, während die Drehzahl während der Trockungsphase in dem Bereich von 6.000 bis 7.000 U/min, gehalten werden kann.

Die Vorrichtung ist zwar so dargestellt worden, daß bei ihr das manuelle Einlegen und Entnehmen der Halbleiterscheibe S in bzw. aus der Reinigungskammer erforderlich ist, die durch den halbkugelförmigen Deckel 21 und den Behälter 22 begrenzt ist, es versteht sich jedoch, daß geeignete Vorrichtungen zum automatischen Einführen von Halbleiterscheiben in die Reinigungskammer und zum Entfernen dieser Scheiben aus der Kammer im Anschluß an den vollständigen Reinigungszyklus verwendet werden können. Darüberhinaus braucht es sich bei dem gereinigten Artikel nicht um eine Halbleiterscheibe zu handeln. In dieser Beziehung ist das hierin offenbarte Verfahren zum Entfernen von Überbleibseln von der Oberfläche einer Photomaske verwendet worden, und allgemein ist es bei der Reinigung der Oberfläche irgendeines Gegenstandes anwendbar, bei welchem sogar Teilchen von winziger Größe, die auf ihm als Überbleibsel zurückbleiben, von Nachteil wären.

Im Rahmen der Erfindung bietet sich dem Fachmann eine Vielzahl von Abwandlungsmöglichkeiten sowohl hinsichtlich des Verfahrens als auch der Vorrichtung.

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Claims

Patentansprüche

1J Verfahren zum Reinigen der Oberfläche eines Gegenstandes, indem der Oberfläche des Gegenstandes eine Spritzflüssigkeit zugeführt wird, um einen Reinigungsvorgang durch die Spritzflüssigkeit auf der Oberfläche des Gegenstands zu erzielen, durch welchen teilchenförmige Überbleibsel auf der Oberfläche von derselben entfernt werden, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand um eine durch einen Mittelpunkt des Gegenstands verlaufende Achse gedreht wird, wenn die Spritzflüssigkeit zugeführt wird, daß die Spritzflüssigkeit der Oberfläche des Gegenstands mit gesteuertem Druck und gesteuerter Geschwindigkeit so zugeführt wird, daß die Spritzflüssigkeit auf die Oberfläche des Gegenstands unter einem vorbestimmten Winkel mit Bezug auf den Gegenstand auftrifft, und daß der Druck und die Geschwindigkeit der Spritzflüssigkeit innerhalb eines vorbestimmten Bereiches so reguliert werden, daß durch den Reinigungsvorgang, der durch die Spritzflüssigkeit auf der Oberfläche des Gegenstands bewirkt wird, teilchenförmige Oberflächen-Überbleibsel von der Oberfläche des Gegenstandes entfernt werden, deren Teilchengröße kleiner ist als die Breite der Grenzschicht, die theoretisch der Oberfläche des Gegenstands zugeordnet ist.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand, bevor er ±n Drehung versetzt wird, auf eine Trägerfläche aufgelegt wird, daß der Gegenstand auf der .Trägerfläche festgehalten wird, und daß anschliessend der Gegenstand um die Achse in Drehung versetzt wird, die durch den Mittelpunkt desselben hindurchgeht.

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3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die der Oberfläche des Gegenstands zugeführte Spritzflüssigkeit entionisiertes Wasser ist.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das entionisierte Wasser gefiltert wird, um restliche organische und mineralische Fremdbestandteile daraus zu entfernen, bevor das entionisierte Wasser als Spritzflüssigkeit der Oberfläche des Gegenstands zugeführt wird.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,, daß ein Flüssigkeitsstrom als ein Spülmittel der Oberfläche des Gegenstands im Anschluß an das Zuführen der Spritzflüssigkeit zugeführt wird und daß die Oberfläche des Gegenstands danach getrocknet wird.

6. Verfahren■nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Spritzflüssigkeitsstrahl der Oberfläche des Gegenstands unter einem Winkel zugeführt wird, der innerhalb des Bereiches von 20° bis 60° in bezug auf die Oberfläche des Gegenstands liegt.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck und die Geschwindigkeit der der Oberfläche des Gegenstands zugeführten Spritzflüssigkeit so reguliert wird, daß in der Flüssigkeit ein Druck

2 erzeugt wird, der in dem Bereich von 282 kp/cm bis

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422 kp/cm liegt, bei einer Geschwindigkeit in dem Bereich von 45m/s bis 61 m/s, wodurch in dem Bereich in der Nähe der Oberfläche des gereinigten Gegenstands eine Koronaentladung erzeugt wird.

8ο Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Spritzflüssigkeit der Oberfläche

des Gegenstands in einem flachen fächerförmigen Spritz strahlprofil zugeführt wird, welches längs eines mit dem Durchmesser des Gegenstands zusammenfallenden linearen Weges auf die Oberfläche des Gegenstands auftrifft.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das fächerförmige Strahlprofil,mit welchem die Flüs sigkeit der Oberfläche des Gegenstands zugeführt wird, eine Winkelbreite von 40° hat.

10. Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens ^lach einem der Ansprüche 1 bis 9, mit einer Trägerfläche, auf welche der zu reinigende Gegenstand aufgebracht wird, und mit einem Spritzflüssigkeitsspender zum Aufbringen einer Spritzflüssigkeit auf die freiligende Oberfläche eines auf die Gegenstandsträgerfläche aufgebrachten Gegenstands, um dieselbe von teilchenförmigen Oberflächenüberbleibseln zu reinigen, dadurch gekennzeichnet, daß eine Antriebseinrichtung (30) vorgesehen ist, die mit der Gegenstands trägerfläche betriebsmäßig verbunden ist, um diese um eine durch die Mitte der Gegenstandsträgerfläche hindurchgehende Achse in Drehung zu versetzen, daß eine Gegenstandshalteeinrichtung (27, 55, 56) vorgesehen ist, die betriebsmäßig mit der Gegenstands träger fläche verbunden ist, um den Gegenstand auf der Gegenstandsträgerfläche festzuhalten, wenn diese in Drehung versetzt ist, daß der Spritzflüssigkeitsspender gegenüber dem Niveau der Gegenstandsträgerfläche versetzt angeordnet ist, um die Spritzflüssigkeit der freiliegenden Fläche eines auf die Gegenstandsträgerfläche aufgebrachten Gegenstands unter einer vorbestimmten Winkelbeziehung mit Bezug auf dieselbe zuzuführen, und daß ein Steuersystem (41-47) vorgesehen ist, um den Druck und die Geschwindigkeit der durch den Spritzflüssigkeitsspender zugeführten Flüssigkeit derart zu regulieren, daß die Spritzflüssigkeit auf die freiliegende Oberfläche des auf der Ge-

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genstandsträgerfläche gehalterten Gegenstands unter einem Winkel auftrifft, um darauf einen Reinigungsvorgang hervorzurufen, durch den teilchenförmige Oberflächenüberbleibsel· mit einer Teilchengröße, die kleiner ' ist als die Breite der theoretisch festgelegten Grenzschicht an der freiliegenden Gegenstandsoberfläche zu entfernen.

11. Vorrichtung nach Anspruch 10, gekennzeichnet durch eine Quelle von entionisiertem Wasser (Fig. 5, 29) , die betriebsmäßig mit dem Spritzflüssigkeitsspender verbunden ist, so daß das entionisierte Wasser die Spritzflüssigkeit, d.h. den Flüssigkeitsspray bildet, der auf die freiliegende Oberfläche des.zu reinigenden Gegenstands aufzubringen, ist.

12. Vorrichtung nach Anspruch 11, gekennzeichnet durch ein Filtersystem (35, 38), welches zwischen der Quelle entionisierten Wassers und dem Spritzflüssigkeitsspender angeordnet ist, um restliche organische und mineralische Fremdstoffe aus dem entionisierten Wasser zu entfernen, bevor dieses in den Spritzflüssigkeitsspender eingeleitet wird, der es als den Flüssigkeitsspray der freiliegenden Oberfläche des zu reinigenden Gegenstands zuführt.

13. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 12, gekennzeichnet durch eine Spüldüse (32), die dem Spritzflüssigkeitsspender zugeordnet ist, um einen Flüssigkeitsstrom als ein Spülmittel auf die freiliegende Oberfläche des zu reinigenden Gegenstands zu schicken, durch eine Trockungsdüse (33) , die dem Spritzflüssigkeitsspender und der Spüldüse zugeordnet ist, um einen Trockungsfluidstrom auf die freiliegende Oberfläche des zu reinigenden Gegenstands zu schicken, und durch eine Zyklussteuereinrichtung (70) zum Synchronisieren des Betriebs des Spritzflüssig-

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keitsspenders, der Spüldüse und der Trockungsdüse, um die freiliegende Oberfläche des zu reinigenden Gegenstands der Reihe nach der Zufuhr von Spritzflüssigkeit auszusetzen, woran sich der Spülfltissigkeitsstrom und der Trockungsfluidstrom nacheinander anschließen.

14. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Spritzflussigkeitsspender derart in bezug auf das Niveau der Gegenstandsträgerfläche angeordnet ist, daß er die Spritzflüssig- -keit unter einem Winkel mit Bezug auf die Gegenstandsträgerfläche liefert, der innerhalb des Bereiches von 20° bis 6O° liegt.

15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß der £pritzflüssigkeitsspender unter einem Winkel von 30° mit Bezug auf (

fläche angeordnet ist.

von 30 mit Bezug auf das Niveau der Gegenstandsträger-

16. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Steuersystem zum Regulieren des Druckes und der Geschwindigkeit der durch den Spritzflussigkeitsspender zugeführten Flüssigkeit bewirkt, daß in der durch den Spritzflussigkeitsspender gelieferten Flüssigkeit ein Druck erzeugt wird, der inner-

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halb des Bereiches von 282 kp/cm bis 422 kp/cm liegt, bei einer Geschwindigkeit in dem Bereich von 45 m/s bis 61 m/s.

17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Steuersystem bewirkt, daß der Druck der durch den Spritzflussigkeitsspender gelieferten Spritzflüssig-

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keit auf etwa 351,5 kp/cm einreguliert wird.

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18. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Spritzflüssigkeitsspender eine Sprühdüse (31) aufweist, die oberhalb des Niveaus der Gegenstandsträgerfläche angeordnet ist und eine Sprühöffnung aufweist, die so ausgebildet ist, daß ein flaches ,fächerförmiges Spritzstrahlprofil erzeugt wird, welches auf die freiliegende Oberfläche eines auf die Gegenstandsträgerfläche aufgebrachten Gegenstands längs eines linearen Wegs auftrifft, der mit dem Druchmesser des Gegenstands zusammenfällt.

19. Vorrichtung nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Sprühöffnung in der Sprühdüse ein fächerförmiges StrahlprofIL mit einer Winkelbreite von 40 erzeugt.

20. Vorrichtung nach einem der Ansprüche· lo bis 19, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gehäuse (10) vorgesehen ist, daß ein Teil mit einer aufrechtstehenden Säule (25) vorgesehen ist, auf welcher sich die Gegenstandsträgerfläche befindet, daß das Gehäuse einen Deckel (21) aufweist, der über der aufrechtstehunden Säule und dem Spritzflüssigkeitsspender angeordnet ist und mit einem Behälter (22) zusammen eine Reinigungskammer bildet, in welcher die Säule und der Spritzflüssigkeitsspender angeordnet sind, daß der Deckel zwischen einer geöffneten und einer geschlossenen Stellung in bezug auf den Behälter bewegbar ist, daß ein Steuerschalter (70) betriebsmäßig mit dem Deckel verbunden ist und daß der Steuerschalter in Abhängigkeit von der Bewegung des Deckels zwischen der geöffneten und der geschlossenen Stellung geöffnet und geschlossen wird, um den Betrieb der die Drehbewegung erzeugenden Antriebseinrichtung und der Gegenstandshalteeinrichtung zu steuern.

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21. Vorrichtung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Gegenstandshai teeinrichtung eine Ünterdruckerzeugungspumpe (55) aufweist, daß die Gegenstandsträgerfläche (26) auf der aufrechtstehenden Säule (25) mit mindestens einer in ihr gebildeten Saugöffnung versehen ist, und daß die ünterdruckerzeugungspumpe mit der Saugöffnung in der Gegenstandsträgerfläche verbunden ist, um in dieser eine Saugwirkung zu erzeugen, wenn der Deckel mit Bezug auf den Behälter (22) geschlossen ist.

22. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 10 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß der Gegenstand eine Scheibe aus Halbleitermaterial ist, deren Oberfläche zu reinigen ist.

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