DE2055230A1

DE2055230A1 - Schneidvorrichtung fur Halbleiterma tenal und Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung

Info

Publication number: DE2055230A1
Application number: DE19702055230
Authority: DE
Inventors: Henry R von PaIo Alto Zuger Karl J Novato Calif Arx (V St A)
Original assignee: Sola Basic Industries Inc
Current assignee: Sola Basic Industries Inc
Priority date: 1969-11-12
Filing date: 1970-11-10
Publication date: 1971-05-19
Also published as: JPS4910188B1; FR2069266A5; GB1330692A; NL7016588A; US3691707A

Description

PATENTANWÄLTE

CLAUS RFIHLÄNDER U ί· ■ >■

MCN-//ENAO

RASSe₃ 2055230 ^S18

BASIC INDUSTRIES

1934 Marine Plaza

Milwaukee, Wisconsin, 53202, USA

Schneidvorrichtung für Halbleitermaterial und Verfahren zum Herstellen der Vorrichtung

Prioritäts 12. lfovember 1969 USA 876,000 Stand der Technik

Eine Mehrzahl von integrierten Schaltungen desselben Aufbaus wird im allgemeinen auf einem einzigen Substrat aus Halbleitermaterial hergestellt. Sie Muster der integrierten Schaltungen werden im Abstand von benachbarten Mustern angeordnet, und zwar als Ergebnis von getrennten Indexstufen- und Wiederholmaskenverfahren, die im allgemeinen verwendet werden, um die Schaltungsmuster auf der gesamten fläche eines Halbleitersubstrat ee «u bilden. Sie einzelnen Schaltungen werden aus dem Substrat unter Anwendung von üblichen Anreißverfahren herausgetrennt, welche die Verwendung eines Hartmetallwerkzeuges einschließen,üb die fläche des Halbleitersubstrates in den Räumen zwischen den einzelnen Schaltungen einzuschneiden und dann das Substrat längs der fläohenkerben zu spalten oder zu brechen, um die einzelnen Schaltungen auf einem getrennten Halbleiterwürfel zu erhalten.

Ein lachteil, der bei der Verwendung der üblichen Anreißverfahren zum Trennen der einzelnen Schaltungen auftritt, besteht darin, dafi das Halbleitersubstrat üblicherweise aus einem spröden

109821/U22

Material, trie Silizium oder Galliumarsenid od.dgl. besteht, das oft in anderen Mustern als längs der Plächenkerben bricht oder spaltet. Auch treten gewöhnlich sehr kleine Flächenrisse auf, die von einer Flächenkerbe in ein Spaltungsmuster wandern und die Betriebsfähigkeit der Schaltung zerstören. Auch wenn ein Spalten oder Brechen des Substrates nur längs der Flächenkerben auftritt, werden, was weit wichtiger ist, üblicherweise unregelmäßige Kanten gebildet, die nicht leicht als Bezugsflächen verwendet werden können, um die maschinelle Behandlung des Würfels zu erleichtern.

Zusammenfassung der Erfindung

Demgemäß vermeidet die Schneidvorrichtung für Halbleitermaterial nach der vorliegenden Erfindung die Probleme, die mit dem Anreißen und Brechen eines Substrates verbunden sind, indem das Halbleitermaterial über die gesamte Stärke des Substrates in den Räumen zwischen benachbarten Schaltungsmustern entfernt wird. Dies wird bei der vorliegenden Schneidvorrichiying dadurch erreicht, daß eine drehbare Scheibe verwendet wird, die eine oder mehrere dünne , Umfangeschneidkanten aufweist, die aus niedergeschlagenem Nickel und Diamantpartikeln gebildet sind. Jede Schneidkante ist gemäß der vorliegenden Srfindung dadurch gebildet, daß verschiedene Schichten aus ungleichartigen Metallen auf einem Körper niedergeschlagen werden und danach ein feil des Körpers entfernt wird, um die Schneidkante freizulegen.

Beschreibung der Zeichnung

Fig. 1 ist eine Seitenschnittansicht der Schneiäschelbe, die gemä£ der vorliegenden Erfindung mit niedergeschlagenen Schichten nahe dem Umfang des Körpers gebildet ist,

10982 WU22

Fig. 2 ist eine SeiteneohnittanBicht der Sehneidscheibe der Fig. 1, welche die Umfangekante des Körpers zeigt, die nahe der niedergeschlagenen Schicht hinterschnitten ist,

Fig. 3 ist eine perspektivische Ansicht nit einen Tiertelschnitt einer einsigen Scheibe nach der Erfindung, die bein Schneiden eines Substrates geneigt ist,

Fig.4 ist eine Xeilschnittanslcht einer Hehrf achecheibe nach der vorliegenden Erfindung und

Fig. 5 ist eine Schnittaru>lcht eines Schneid- und Behandlungsvorganges für einen Halbleiterwürfel gemäß der vorliegenden Erfindung.

Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform

In Fig. 1 ist ein Querschnitt einer kreisförmigen Scheibe 9 mit einem mittleren Befestigungsloch 11, einer planaren Bezugsfläche 13 und einer konischen Rückfläche 15 dargestellt. Dieser Teil der Scheibe 9 kann aus Aluminium oder einem anderen geeigneten Material bestehen und kann durch übliche Maschinenbearbeitung hergestellt werden. Hachdem der Körper der Scheibe 9 gebildet ist, kann er unter Verwendung üblicher chemischer oder mechanischer Mittel gereinigt werden, um irgendwelche Verunreinigungen und Oxyde auf der Fläche des Körpers 9 «u entfernen. Die Flächen des Körpers werden dann maskiert, wodurch nur ein ringförmiger Flächenbereich nahe dem Umfang der Besugsflache 13 freigelassen wird. Wenn Aluminium als Material für den Körper verwendet wird, können verschiedene, ge wohnlich angewendete, vorbereitende Verfahren vor dem Bilden der gewünschten Fläche der Diamantpartikel in einem Hickel-Bindemlttel angewendet werden. Ein Körper aus Aluminium 9 kann also zuerst in eine Lösung getaucht werden, die eine Zinkverbindung, wie Zinkoxyd, Zinksulfat, Zink-Fluorborat, also Zlnkat allgemein, enthält, um ohne elektrischen Strom Zink 17 auf den Körper 9 bis zu einer Dicke von etwa 0,25 mm in dem unmasklerten, kreisförmi-

109821/U22

gen Bereich nahe den Umfang zu plattieren· Als nächstes wird eine Schicht 19 aus Kupfer oder Nickel auf die Zinkschicht 17 bis zu einer Dicke von etwa 2,5 mn oder weniger elektroplattiert, um eine Grundschicht für den Niederschlag von Nickel und DiamantpartlkelBzu bilden.

Die Außenschicht 21 aus Nickel und Diamantpartikeln wird in dem ringförmigen Bereich nahe dem Umfang des Körpers 9 gebildet, indem Nickel aus einer Plattierlösung elektroplattiert wird, die eine Nickelverbindung, wie Nickelsulfamat oder Nickelsulfat od. dgl. enthält und in der sehr kleine Diamantpartikel mit Abmessungen in der Größenordnung von 4 bis 6 Mikron suspendiert sind. Um eine im wesentlichen gleichförmige Verteilung der Diamantpartikel in der aufplattierten Schicht 21 sicherzustellen, werden die Diamantpartikel benetzt, indem sie in einer etwa 9 #-igen Lösung eines käuflichen Benetzungsmittels, wie "NH-5" der Firma Haretan Chemical Corporation, Brooklyn, New York, oder anderen geeignetenBenetzungsmittetadurch Ultraschall in Schwingungen versetzt werden. Diese Aufbereitung der Diamantpartikel stellt sicher, daß sich die Partikel in der Plattierlösung nicht zusammenballen oder zusammenkleben, und stellt auch sicher, daß die Flächen der Partikel von dem Nickel durch und durch benetzt werden, wenn dieses aufplattiert wird, um die Schicht 21 zu bilden.

Der Plattiervorgang zum Bilden der Schicht 21 enthält die Verbindung des Körpers 9 mit einer Quelle negativen Potentials, um als Kathode zu dienen, und das Verbinden einer Elektrode aus Nickel, die in die Plattierlösung eingetaucht ist, mit einer Quelle positiven Potentiale, um als Anode zu dienen. Die Potentialdifferenz zwischen der Anode und der Kathode beträgt üblicherweise etwa 4 bis 6 V. Der Körper 9 wird auch so angeordnet, um innerhalb der Plattierlösung um die Rotationsachse des Körpers 9 zu kreisen.

-5-

109821/U22

-■ f ■

Eine im wesentlichen konstante, niedrige Drebgeßcbwinöigkeit von etwa 12 U/min wird während dee Platt tervorg;,!, ^g? aufrechterhalten, um eine kontinuierliche Strüoiung uer Ci-l^c'^ev. iJattierlösung zur Fläche der Kathode aii-.btfrauf* i-sLlU^ ΰ>"._ iürpe S kann auch periodisch mit ein~:;: höheren Drr-hgoe,- rv-.'J ykM >>:■>■' t von etwa 300 ü/min etwa 5 bis 10 eec lang kreiser., -■■■> ο liehe Gasblasen abzuschleudern, die na ·;^ε-r Flache irr Kythr ^s freigegeben worden aind« Uiü au·-; L e.. -j: glel· nf.::";?:«.- ■ .".·:·- Vi- ■■teilung der Diamantpartlkel in der ::,ieai;r^,eccnl agenen «chic: ;:■ 21 aicherzuetellen wird die Piatti^rloaung nil de;: :l-:-\ir ^:!- pendierten Diamantpartikel η echwach jurcngexuurL u:-.! υ·<. ce;. Körper 9 zirkuliert. Sin ar'itigefa iiarUiiren oacr :; - ^k:;'::.ei'<:n der Lüsung soll jedoch veraiedets we ro en, d:-; di : ^-.-^h ■„·.·■■ -^^ΐν,)™ kel, die anfänglich auf der ober·*« Fläche der i:>-:'nji.'..r.c, '-', zwv Ablagerung kommen» in si ^u blei ο-.Vr-. zMissr. , ^:..;ϊ: Hi -V"·^ ··;.. ^:: der Losung über und um die Partikel ais'ifir&e-tie.i.iat.'^ü w ·..i\: , um die Matrix der verteilten LLa^iKtpurtike"¹. 1-. ^i--^ pr. kelbindercittel innerhalb der S--·;· lcct ?1 »u ■>:.!..(-- ; Vi, .' ,■ -n

unteren fläcnen des KJrpero 3 ^ϋΐιί;^χ: ^:-/ä are »ι.: -J¹1 :·.;■■. Pl!¹'":^ ■-

Niederschlagvox'gangs im weeeuil lebe:, käir;«"¹ I:. ίο·: ·.<.' . * - -' .^;c Ablageru::g, wobei uer Yorgarg tvr^R'^rw* ί ;^:;-t 'o;-;--^: ->-.·, -^:". - >'*.

d.Lρ Scb-irht 21 eine Dicke vo-j ^r-T<va O₈O;.'- t.;ij

-c &ev üirü-.,aiitpartikel voxi etvia U. \_ä-*\-i -.' .v ^;"'-^:; ■■.«>'■ ■' ■■ '■■'/.;■ 'roi hat- Für dia relativen 'ticlvc ?■■■■ ■* ^r. \y ;-.^m-.,„:.. ■.. :...■: \-i>-'-?'>.\ w r:

Seibs-veratäadlicb kü'rmei; uiji')^. »V^r. ,i-iibcc ■ ;. ' τ-, .* " ' .1 -'^ Kft I -^; η rif.r Matrix .iedocti auch u.5! e^τ va ^O - -r.,,. * -■· ν ;:..-■',!: ^: * ^ AIiUiUn:;:,/ ;*i>r geWUJiHCh.!en ii.l^.snoo'·:'; .>-. Γ^ί,'-ν- orl·-.' ··'.:■ ■. .- n;, ·,·'·■■. · ;.. . ^r g' J.fM· vc'L\i.A3g*i&dt-;rji Sföiieiü3chtri he ^a^Mf. "·■ ν w;->■-.:·!"■?,. i.-\⁴"^!■);■■;■: >:^:.·^;. ocbicat ί '< ία ö.vr gewüxieobtrtr Π''·'■·'■« r.tiR-i■?)■/.-.ei-..·. Ul·^· ■■·.. .i-.¹" . kcn-

i OS 8 2 1

ΐ> ϊ? ϊ ι ,' ι - t. .. -υ-

Nachdem die Schicht 21 niedergeschlagen und auf einen ausgewählten Außendurchmesser maschinell glatt bearbeitet ist, die Rückfläche 15 des Körpers 9 daraufhin maschinell bearbeitet werden, indem ein Schrägschnitt 22 ausgeführt wird, um Ungleichmäßigkeiten am Umfang zu entfernen und Schichten auf die Hinterseite des Körpers 9, wie in Fig. 1 dargestellt ist, zu plattieren. Der Körper 9 wird dann in einer Natronätzlauge geätzt, um die Hinterseite des Außenbereiches der ringförmigen Schichten 17» 19 und 21 freizulegen. Dieses Ätzen des Körpers 9 kann auch die Zinkschicht 17 entfernen, um die Kupferschicht 19 freizulegen, die dann erforderlichenfalls entfernt werden kann, indem als nächstes die Anordnung in eine allgemein bekannte Kupferätzlösung eingetaucht wird, wodurch die beiden Flächen der Schicht 21 von Nickel und Diamantpartike3n freigelegt werden, wie dies in Fig. 3 dargestellt ist. Da jedoch im wesentlichen nur der Außenumfang der Schicht 21 geschnitten werden soll, kann es nicht notwendig sein, diese Kupferschicht zu entfernen.

Es ist festgestellt worden, daß sich Nickel ideal für die Verwendung als Bindemittel für die Diamantpartikel in der Schicht 21 eignet, da die inneren Spannungen innerhalb einer auf diese Weise niedergeschlagenen Schicht ausreichend niedrig sind, daß kein Verziehen oder Verwinden der Schicht 21 beobachtet wird, wenn der Tragkörperteil 23 entfernt wird. Die auf diese Weise durch die Schicht 21 gebildete Schleifschneidkante 25 behält einen hohen Grad der Abmessungsstabilität in Bezug auf die Bezugsfläche 13 und kann ausreichend starr gehalten werden, um spröde Halbleitermaterialien zu schneiden, indem sich die Scheibe mit sehr hohen Geschwindigkeiten in der Größenordnung von 15 000 bis 20 000 U/min dreht.

Für den Betrieb wird die Schneidscheibe der Erfindung auf einer Welle 27 Kur Drehung um die Mittelachse über einem zu schneidenden Werkstück 29 angebracht. Das Werkstück 29 kann eine Halbleiter-

1 0 9 8 2 1 / U 2 2 . ~⁷~

scheibe mit einer Mehrzahl darauf gebildeter, einzelner» getrennter, integrierter Schaltungen sein, wobei die Scheibe zeitweilig an einem Bezugsblock 31 angebracht wird. Sie Schneidkante 25 der vorliegenden Schneidscheibe ist in Bezug auf den Abstand zwischen den Reihen oder Spalten der integrierten Schaltungen ausgerichtet, um die Scheibe in ihrer Dicke zu schneiden. Nach verschiedenen Schnitten in parallelen Richtungen werden die einzelnen Halbleitervorrichtungen auf der Scheibe 29 auf Streifen aus Halbleitermaterial ausgerichtet. Die Scheibe 29 wird daher in einen anderen Winkel in Bezug auf die ersten Schnitte gedreht und wiederum wird eine Reihe von parallelen Schritten längs der Abstände zwischen den einzelnen Schaltungeelementen ausgeführt. Die einzelnen Elemente werden alle auf diese Weise sauber in Würfel geschnitten und die auf diese Weise gebildeten Präzisions-Kanten und -Ecken sind für die individuelle Bearbeitung durch von Maschinen ausgeführte Befestigungs-, Terbindungs- und Verpackungs-Vorgänge ideal geeignet.

Es hat sich gezeigt, daß jeder Schnitt durch eine Scheibe 29* der durch die Schneidscheibe nach der vorliegenden Erfindung auegeführt worden ist, etwa 0,05 mm stark ist, auch wenn die Schicht 21, welche die Schneidkante bildet, nur etwa 0,025 mm stark ist und sich gerade ohne seitliches Flattern mit den hohen Betriebegeschwindigkeiten dreht. Obwohl der Vorgang, mit dem die vorliegende Scheibe durch das spröde Halbleitermaterial, wie Silizium, schneidet, nicht klar verständlich 1st, wird angenommen, daß die entfernten Partikel des geschnittenen Halbleitermaterials zu dem Schneidprozess beitragen, indem sie als Schleifpartikel dienen, die das Schneiden des Grundes und der Seitenwände eines Schnittes unterstützen. Dies unterstützt beim Auslösungsabräumen auf der Schneidkante in dem so gebildeten Schnitt und ist bestrebt, die Abnutzung an der Schneidkante 25 zu verringern.

-8-109821 /U22

Aus diesem Grunde hat sich als vorteilhaft herausgestellt, die Scheibe 29 in derselben Richtung wie die Umfangsbewegung der Schneidkante 25 an der Stelle des Schnittes zu bewegen, so daß die bei den Schneidvorgang entfernten Partikel der Scheibe 29 über den Schnitt geführt werden, um in der oben beschriebenen Weiee den SehneidVorgang zu unterstützen.

Es hat sich herausgestellt, daß die vorliegende Schneidscheibe mit der oben beschriebenen Diamantpartikeldichte, die bei etwa 15 000 U/min arbeitet, durch eine 0,25 mm dicke Siliziumscheibe mit der Gesshwindigkeit von etwa 0,64 cm/see schneiden kann. Um die bei diftser Schneidgeschwindigkeit erforderliche Zeit zum Teilen einer Scheibe in Würfel wesentlich zu verringern, kann die Schneidscheibe nach der vorliegenden Erfindung mit Mehrfächschneidkauten gebildet werden, wie dies in dem Teilscbnitt der Fig. 4 gezeigt 1st. Die Mehrfachscheibe dieser Ausführungsform ist selbstverständlich im allgemeinen symmetrisch zur Mittellinie oder Drehungsachse und hat zwei oder mehr Schneidkanten 21, die einen axialen Abstand von einem Mehrfachen der Abstände zwischen den einzelnen integrierten Schaltungen, die aus einer Scheibe auegescdnitten werden sollen, haben. Auf diese Weise können auch mehrere verschiedene Scheiben erforderlich sein, wobei jede Scheibe mit verschiedenen Abständen 33 zwischen den Schneidkanten 21 versehen ist, um Scheiben zu schneiden, die integrierte Schaltungen enthalten, die Abstände in unterschiedlichen Abmessungen von einander haben. Pur unübliche Abetandsabmfssungen zwischen den Schaltungen auf einer Scheibe können mehrere einzelne Scheiben der in Pig. 3 dargeuteilten Art in dem gewünschten Abstand oder eine Mehrzahl davon längs einer gemeinsamen Drehwelle 27 geschichtet sein. Ic jedem Falle von im Abstand angeordneten Schneidkanten kann Oer tatsächliche Ab-8tfind ein Vielfaches des Abstandes zwischen den Schaltungen auf

—9—

109821 / U22

der Scheibe 29 sein, so daß die Mehrfachscheibe längs axial nach jedem Schnitt gestuft sein muß, um Schnitte mit im wesentlichen gleichem Abstand auf einer Scheibe 29 zu bilden. Die Mehrfachscheiben der Fig. 4 können im wesentlichen so gebildet sein, so wie dies oben im Zusammenhang mit der einzelnen Scheibe der Pig. 3 beschrieben ist, lediglich mit der Ausnahme, daS erforderlichenfalls eine ebene Flächenbehandlung der Schneidkanten 21 unter Verwendung von aufwendigeren maschinellen Verfahren ausgeführt werden kann.

Im Betrieb können die einzelne oder die Mehrfachecbeibe der Fig. 3 und 4 verwendet werden, um präzisere Bearbeitungsstufen auszuführen, als nur eine Scheibe 29 in Würfel zu zerteilen. Eine Scheibe 29 mit einer Mehrzahl von im Abstand angeordneten integrierten Schaltungen kann nur teilweise in ihrer Dicke von der Hinterseite geschnitten werden, wie dies in Flg. 5 gezeigt ist. Diese Schnitte 35 sind mit den Abständen zwischen den auf der Rückseite der Scheibe gebildeten Schaltungen ausgerichtet oder können mit den Enden der Elektroden 37 ausgerichtet sein, die angeordnet sind, um Bündel Zuleitungen für solche Schaltungen zu bilden. Während die Scheibe 29 noch zeitweilig auf dem Bezugsblock 31 angebracht ist, können daraufhin die verbleibenden Teile 39 der Scheibe neben den Schnitten weggeätzt werden, wodurch die einzelnen Scheiben übrigbleiben, die getrennt an dem Bezugsblock 31 angebracht sind. Da das Material der Scheibe, üblicherweise Silizium, anisotrop ist und gewöhnlich so ausgerichtet ist, daß es schneller in der dicken Abmessung als in der seitlichen oder Diametral-Abmessung ätzt, werden die Trennungen der einzelnen Würfel vervollständigt, bevor eine wesentliche Verschlechterung der rechteckigen Kanten und Ecken des Würfels auftreten kann. Auf diese Weise kann ein Trog 41 mit Trennwänden 43 und 45, die darauf in derselben Anordnung und

-10 -

109821/1422

in denselben Abständen wie die Schnitte 35 in der Hinterseite der Scheibe 29 angeordnet sind, über den einzelnen Würfel ausgerichtet werden, wobei die Trennwände 43 und 45 innerhalb der Schnitte 35 angeordnet sind. Wenn der Trog 41 und seine Trenn· wände 43 und 45 einmal so angeordnet sind, kann die Anordnung umgewendet werden und der Bezugsblock 31 kann von dem Würfel entfernt werden, z.B. durch Erwärmen des Blockes, wenn das zeitweilige Klebemittel ein Wachs od.dgl. üblicher Zusammensetzung ist. Dies lädt den getrennten Würfel einzeln angeordnet innerhalb der abgeteilten Fächer des Troges 41 unter Anwendung lediglich einer minimalen Handarbeit für die passende nachfolgende maschinelle Behandlung des Würfele.

Die Schneidvorrichtung und das Verfahren zu ihrer Herstellung sowie die Verwendung der Schneidvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung gebenPräzisionssohneidkanten für das genaue Schneiden und Behandeln von Halbleitermaterialien mit hoher Geschwindigkeit. Auf diese Weise hergestellte scharfkantige Schnitte in Halbleitermaterialien ergeben passende Bezugskanten und -ecken auf dem Würfel für eine schnelle und billige Maeohrenbehandlung, Befestigung, Verbindung und Verpackung der einzelnen Halbleitervorrichtungen.

Patentansprüche

109821/1422

Claims

^{S18 p}2(?55230

PATENTANSPRÜCHE

1 J Schneidvorrichtung mit einem drehbaren Körper mit einer Fläche nahe seinem Umfang, die im wesentlichen senkrecht zur Drehebene dea Körpers liegt, gekennzeichnet durch eine Schicht einer Matrix von Schleifpartikeln in einem Bindemittel, die auf der Fläche angeordnet ist und radial Über den Körper hinaus vorragt.

2. Schneidvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß eine Hehrzahl von flächen auf dem Körper vorgesehen ist, die im wesentlichen senkrecht zur Drehachse des Körpers liegen und die in einem ausgewählten Abstand axial voneinander angeordnet sind, und daß die Schicht der Matrix der Schleif partikel in einem Bindemittel an jeder der Flächen angeordnet let und radial über den Umfang dieser Flächen vorragt.

3. Schneidvorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht ringförmig ist und einen großen Radius von der Drehachse hat, der größer als der Radius des Umfangs des Körpers ist, und daß die Matrix Diamantpartikel als Schleifmittel und Nickel als Bindemittel enthält.

4. Verfahren zum Herstellen einer Schneidvorrichtung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der drehbare Körper mit einer Fläche nahe dem Umfang des Körpers gebildet wird, die im wesentlichen senkrecht zur Drehachse des Körpers liegt, und daß die Schicht einer Matrix von Schleifpartikeln in einem Metallbindemittel auf dieser Fläche niedergeschlagen wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Teil des Körpers nahe seinem Umfang an die Schicht angrenzend entfernt wird, um eine radiale Ausdehnung der Schicht über den Umfang des Körpers hinaus zu erhalten und beide Seiten der Schicht

109821/U22

-/12 -

In dem Tell freizulegen, der eich radial über den Umfang des Körpers hinaus erstreckt.

6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der drehbare Körper mit einer Hehrzahl von Flächen nahe dem Umfang gebildet wird, die Im wesentlichen normal zu der Drehachse liegen und In einem ausgewählten Abstand axial voneinander angeordnet sind.

7. Verfahren nach Anspruch 4» 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht durch Elektroplattieren der Matrix auf die Fläche des Körpers aus einer flüssigen Verbindung niedergeschlagen wird, die Diamantpartikel dieperglert In einer Lösung mit Kicke Honen enthält.

Θ. Verfahren zum Bearbeiten einer Hehrzahl von Halbleitervorrichtungen, die in ausgerichteter, im Abstand angeordneter Lage auf einer Fläche eines gemeinsamen Halbleitersubstrat ee angeordnet sind, unter Verwendung der Schneidvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3» dadurch gekennzeichnet, daß eine Fläche des Halbleitersubstrates gegenüber einer Arbeitsfläche bewegbar angebracht wird und daß das Material des Substrates von einer Fläche gegenüberliegend der erwähnten einen Fläche im wesentlichen durch das Substrat bis zu einer Fläche längs eines Weges weggeschnitten wird, der nicht breiter als etwa 0,05 mm ist und der in Bezug auf die Räume zwischen den auf einer Fläche des Halbleltersubstrates angeordneten Halbleitervorrichtungen ausgerichtet ist.

9> Verfahren zum Bearbeiten einer Mehrzahl von Halbleitervorrichtungen, die in ausgerichteter, im Abstand angeordneter Lage auf einer Fläche eines gemeinsamen Halbleitersubstrates angeordnet sind, unter Verwendung der Schneidvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine Fläche des Halbleitersubstrates gegenüber einer Arbeitsfläche bewegbar angebracht wird, daß das Material des Substrates

109821/U22

-43 -

von einer fläche gegenüber der einen erwähnten Fläche im wesentlichen durch das Substrat bis zu der einen Fläche in Bereichen entfenrt wird, die in Bezug auf die Räume zwischen den auf einer Fläche des Halbleitersubstrates angeordneten Halbleitervorrichtungen ausgerichtet sind, daß Trennwände an den Stellen des entfernten Substratmaterials angeordnet werden und daß die Arbeitsfläche von der einen Fläche entfernt wird, um Halbleitervorrichtungen zu schaffen, die zwischen den Trennwänden angeordnet sind.

10. Verfahren nach Anspruch 9» dadurch gekennzeichnet, daß zum Entfernen des Materials des Substrates dieses von einer Fläche gegenüber der einen Fläche in Bereichen weggeschnitten wird, die mit den Räumen zwischen den auf einer Fläche angeordneten Halbleitervorrichtungen ausgerichtet sind, daß das Wegschneiden des Substrates bis zu einer Tiefe ausgeführt wird, die kleiner als die Stärke des Substrates zwischen seinen Flächen ist,und daß das Substrat geätzt wird, um den verbleibenden Teil seiner Stärke in den Bereichen innerhalb der Schnite zu entfernen, um die einzelnen Halbleitervorrichtungen in situ auf der Arbeitsfläche zu trennen.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß Trennwände innerhalb der Schnitte angeordnet werden und daß die Arbeitsfläche von der einen Fläche entfernt wird, um zwischen diesen Trennwänden angeordnete Halbleitervorrichtungen zu schaffen.

12. Verfahren nach Anspruch 9_t dadurch gekennzeichnet, daß das Entfernen des Materials des Substrates im wesentlichen in dem Muster der sich schneidenden Reihen und Spalten ausgeführt wird und daß die Anordnung der Trennwände einschließt, daß in

109821/U22

-44 -

den Reihen und Spalten des entfernten Substratmaterlala eine Mehrzahl von Trennwänden angeordnet wird, die in im wesentlichen festem Abstand in dem entsprechenden Huster der Reihen und Spalten angeordnet sind, um eine ausgewählte Zahl von Halbleitervorrichtungen zu schaffen, die von dem Substrat getrennt und zwischen den sich schneidenden Reihen und Spalten der Trennwände angeordnet sind.

13. Verfahren nach Anspruch 9, bei dem jede Halbleitervorrichtung einen metallischen Leiter enthält, der an einer Fläche des Halbleitersubstrates angeordnet ist, die einen Teil des Abstandes zwischen benachbarten Vorrichtungen durchkreuzt, dadurch gekennzeichnet, daß das Entfernen des Materials des Substrates das Wegschneiden des Substrates von einer Fläche gegenüberliegend der einen Fläche in Bereichen enthält, die mit den Räumen zwischen den auf der einen Fläche angeordneten Halbleitervorrichtungen ausgerichtet sind, daß das Wegschneiden des Substrates bis zu einer Tiefe ausgeführt wird, die kleiner als die Stärke des Substrates zwischen seinen Flächen 1st, und daß das Halbleitersubstrat in Bereichen innerhalb der Schnitte geätzt wird, um den verbleibenden Teil der Stärke zu entfernen, um die Hinterfläche der metallischen Leiter vorläufig in Berührung mit der einen Fläche des Halbleltersubstrates freizulegen und einzelne Halbleitervorrichtungen in situ auf der Arbeitsfläche zu trennen.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß Trennwände innerhalb der Schnitte angeordnet werden und daß die Arbeitsfläche von der einen Fläche entfernt wird, um zwischen den Trennwänden angeordnete Halbleitervorrichtungen zu erhalten.

-5-

109821/U22 .

-45 -

15. Verfahren zum Schneiden von Halbleitermaterial in einer Richtung im wesentlichen senkrecht zu einer planaren fläche davon unter Verwendung der Schneidvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet» daß eine im wesentlichen planare Fläche einer Matrix von Schleifpartikeln in einem Metallbindemittel innerhalb einer Ebene im wesentlichen senkrecht zur planeren Fläche des Halbleitermaterials gedreht wird, während der Umfang der Schicht in Berührung mit dem Halbleitermaterial ist, und daß das Halbleitermaterial in Bezug auf die Drehachse der Schicht im wesentlichen in der Richtung der Umfangebewegung der Schicht bewegt wird.

1 09821 / U22

Leerseite