DE20317873U1 - Pixel sensitivity correction application method for pixels in charge-coupled device camera, involves changing laser wavelength - Google Patents
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Abstract
Description
Bei Lasern dieses Wellenlängenbereichs
handelt es sich z. B. um KrF- oder ArF-Excimerlaser und F2-Laser.
Diese Laser werden beispielsweise in der Lithographie für die Herstellung
von Halbleiterchips benutzt. Die Anforderungen an die Laserstrahleigenschaften
sind in der Lithographie besonders hoch und müssen daher ständig kontrolliert
und nachgeregelt werden. Diese Kontrolle der Laserstrahleigenschaften
wird durch ein Monitormodul (MOM) gewährleistet, welches Bestandteil
des Lasers ist und aus diversen Komponenten besteht. Eine Komponente
ist z.B. der Energiemonitor, welcher eine UV-taugliche Photodiode
beeinhaltet. Eine weitere Komponente des MOM ist ein Fabry-Perot-Etalon
und eine CCD (Charge Coupled Device) – Kamera. Mit der CCD-Kamera
kann das durch das Fabry-Perot erzeugte Ringsystem aufgenommen werden. Aus
diesem Ringsystem kann die Bandbreite der Laserstrahlung ermittelt
werden. Die entsprechenden theoretischen Zusammenhänge zwischen
registriertem Ringsystem und Bandbreite, sind in gängigen Lehrbüchern der
Physik nachzulesen. Die auf die CCD-Kamera auffallende Strahlung
führt nach
einiger Zeit zu einer geringeren Empfindlichkeit an den bestrahlten
Stellen als an den unbestrahlten Stellen, d.h. die CCD-Kamera degradiert
an Stellen, wo UV-Licht
auftrifft. Typischerweise kann bei den verwendeten CCD-Kameras ab
einigen 100 Millionen Laserpulsen eine geringere Empfindlichkeit
nachgewiesen werden, es kann sogar vorkommen, dass einzelne Pixel
der Kamera vollständig
zerstört
sind. Das Problem tritt insbesondere auf, wenn nach längerer Zeit
die Wellenlänge
gewechselt wird und damit durch das Ringsystem zum Teil vorher belichtete
und daher degradierte Pixel und zum Teil vorher nicht belichtete
(neuwertige) Pixel beleuchtet werden. Durch diese Degradation der
CCD-Kamera werden die gemessenen Bandbreiten verfälscht wiedergegeben.
Die Bandbreite ist aber ein wichtiger Wert für die Charakterisierung der
Laserstrahiqualität
und damit für
die Herstellung der Halbleiterchips. Beschädigte CCD-Kameras müssen daher
ausgetauscht werden und der Produktionsprozeß muß angehalten werden. Diese
Wartungsarbeiten am Lasersystem sind insbesondere in der Halbleiterherstellung
unerwünscht.
Im Stand der Technik ist bekannt (
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Konekturvorrichtung zur Verfügung zu stellen, mit der Ungleichmäßigkeiten der Empfindlichkeit einzelner Pixel einer CCD-Kamera ausgeglichen werden können.The invention is based on the object to provide a design device with the unevenness the sensitivity of individual pixels of a CCD camera can be compensated.
Die Aufgabe wird gelöst durch eine Korrekturvorrichtung gemäß Anspruch 1. Die Unteransprüche betreffen vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung.The task is solved by a correction device according to claim 1. The subclaims relate to advantageous refinements and developments of the invention.
Die erfindungsgemäße Korrekturvorrichtung und der daraus resultierende Korrekturfaktor für jedes Pixel der CCD-Kamera arbeitet wie im Folgenden beschrieben.The correction device according to the invention and the resulting correction factor for each pixel of the CCD camera works as described below.
Die durch die UV-Strahlung hervorgerufene
Veränderung
der Empfindlichkeit der einzelnen Pixel der CCD-Kamera ist in
Im Folgenden wird nun die Korrektur für die Empfindlichkeit der einzelnen CCD-Kamerapixel beschrieben.Below is the correction for the Sensitivity of the individual CCD camera pixels described.
Die Wellenlänge des Lasers wird in 0.05
pm Schritten geändert,
bis die gesamte Wellenlängenänderung
4 pm beträgt.
Nach jeder Wellenlängenänderung
wird ein Ringsystem abgespeichert.
Im Ergebnis erhält man ein gemitteltes „Ringsystem" R(i). Da die Ringe der einzelnen Ringsysteme kontinuierlich verschoben sind, entspricht das gemittelte Ergebnis näherungsweise dem Bild einer homogen beleuchteten Kamerazeile. Aus diesem Bild wird die Empfindlichkeit S(i) jedes einzelnen Pixels der CCD-Zeile bestimmt.The result is an averaged "ring system" R (i). Since the rings of the individual ring systems are continuously shifted, the averaged result corresponds approximately to the image of a homogeneously illuminated camera line. The sensitivity S (i) of each individual pixel of the CCD line is determined from this image.
S(i) ist definiert als Quotient aus der über alle Pixel gemittelten mittleren Empfindlichkeit zum Wert jedes einzelnen Pixels. Damit wird jedem Pixel i ein Korrekturwert S(i) zugeordnet.S (i) is defined as the quotient of the over all pixels averaged mean sensitivity to the value of each individual pixels. Each pixel i is thus assigned a correction value S (i) assigned.
Wie oben schon erwähnt, können durch die UV-Laserstrahlung Pixel der CCD-Kamera vollständig zerstört werden. Damit man die CCD-Kamera aber weiter benutzen kann, wurde ein Algorithmus entwickelt, der einzelne defekte Kamerapixel markiert und codiert. Ein defektes Pixel kann z.B. mit dem Wert 0 codiert werden. Durch ein geeignetes Interpolationsverfahren können defekte Pixel somit ausgeglichen werden. Die CCD-Kamera muß daher trotz einzelner defekter Pixel nicht ausgetauscht werden und die Herstellung von Halbleiterchips kann weiterlaufen.As mentioned above, can by the UV laser radiation pixels of the CCD camera are completely destroyed. So that you can continue to use the CCD camera, an algorithm has been developed developed, the individual defective camera pixels marked and coded. A defective pixel can e.g. can be coded with the value 0. By a suitable interpolation method can compensate for defective pixels become. The CCD camera must therefore not be exchanged despite individual defective pixels and the Manufacturing of semiconductor chips can continue.
Claims (7)
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