DE2021879A1 - Membranschalter - Google Patents

Membranschalter

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DE2021879A1
DE2021879A1 DE19702021879 DE2021879A DE2021879A1 DE 2021879 A1 DE2021879 A1 DE 2021879A1 DE 19702021879 DE19702021879 DE 19702021879 DE 2021879 A DE2021879 A DE 2021879A DE 2021879 A1 DE2021879 A1 DE 2021879A1
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Ryan Willam John
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Description

International Business Machines Corporation, Armonk, N»Y. 10504
Membransehalter
Die Erfindung betrifft einen Membranschalter· Aufgabe de:r Erfindung ist es, einen Schalter zu schaffen, der es gestattet,, elektrische Schaltelemente, zum Beispiel Halbleiterelemente, mit vielen elektrischen Anschlußkontakten an ein Leitungsnetz anzuschliessen und swar so» daß über diese Schalter auch sehr hochfrequente Impulse vorzugsweise im ßigahertzbereich und solch© mit sehr steilen Flanken, vorzugsweise im PicoSekundenbereich, weitgehend undeformiert an das angeschlossene Halbleiterelement übertragen werden können. Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht darin, einen solchen Schalter so auszugestalten, daß die Leitungsimpedanz möglichst genau auf einen bestimmten Wert eingerichtet werden kann und daß die Impedanawerte bei Betätigung des Schalters keine Veränderungen erfahren«. ·
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Solche Schalter benötigt man Insbesondere In der Halblei terschalV technlk und dort insbesondere für den vorübergehenden Anschluß von Halbleitern während des elektrischen Durchpttrfens dieser Halbleiter· Damit man dabei einwandfreie PrUfungsergebnlsse erzielt, kommt es darauf an, daß man extrem geformte Prüfimpulse , das sind solche mit hoher Frequenz und steilen Flanken,einwandfrei dem zu prüfenden Halbleiterschaltelement zuführen kann und die daraus resultierenden elektrischen Reaktionen des Halbleiterelementes einwandfrei wieder ableiten kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die eine Wandung einer an eine Druckleitung angeschlossenen Druckkammer als bewegliche Membranscheibe ausgebildet 1st und daß diese Membranschelbe aus einer Membran aus dielektrischem Material besteht, die auf ihrer zur Druckkammer gekehrten Rückseite mit einer flexiblen an Massenpotential angeschlossenen elektrisch leitenden Schicht belegt 1st und auf ihrer Yprderseltevvbm äußeren Rand nach innen ftthrende&eiteretegei\belegt ist, deren innere Ansohlußenden in einem mittleren Bereich maximalen Membranhube liegen und nach vorn ragen. Nach der Erfindung bilden die dielektrische Membran, die flexible Leiterschlcht und die Leiterstege ein einheitliches Element, nämlich die Membransehelbe und behalten deshalb ihre gegenseitige Lage, die insbesondere für die Leitungsimpedanz maßgebend ist,bei Betätigung, das heißt also bei Durchbiegen der Membranscheibe)bei. Die unter anderem durch die Geometrie festgelegten Impedanzwerte verändern sich mithin bei Betätigung nicht wesentlich. Diese Impedanzwerte können auch unter anderem durch Wahl einer entsprechenden Schichtdicke der dielektrischen Membran sehr genau - wie die Erfahrung gezeigt hat bis auf ein Prozent genau-feetgelegt werden.
FUr einen einwandfreien Kontakt kommt es dariijaf an, daß die Anschlußkontakte bei Kontakt einwandfrei an den Anschlußenden anliegen» Dies zu begünstigen ist Aufgabe einer Weiterbildung der Erfindung, die dadurch gekennzeichnet 1st, daß an den nach vorn
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ragenden Ansehlußenden nach vorn offene muldenförmige Vertiefun- > gen vorgesehen sind, in die selbstjustierend»entsprechend vorspringend geformte AnschluBkontakte eines anzuschließenden elektrischen Elementes passen, Me durch die Geometrie erzielte eelbstjustierten Wirkung gestattet es, bei der Einrichtung des anzuschließenden Halbleiterelementes insoweit auf eine visuelle Kontrolle der Einrichtung zu verzichten, «eil geringfügige Einrichtungsfehler durch die selbstjustierende Wirkung ausgeglichen «erden.
Zweckmäßig ist eine Ausgestaltung der Erfindung, die dadurch gekennzeichnet ist, das die Druckkammer kreiszyllnderförmig ist und daß die Membranscheibe die eine Stirnseite abdeckt und kreisrund ist und daß die Leiterstege radial angeordnet sind und daß die Ansehlußenden in einem geometrisch mittleren Bereich der Membranscheibe liegen.
Aus fertigungstechnischen Gründen empfiehlt sich eine Ausgestaltung, die dadurch gekennzeichnet ist, daß die Druckkammer einen Ringflansch aufweist, an dem die Membranscheibe mittels eines auf die Vorderseite aufgelegten an dem Plansch befestigten Kunststoffrings flüssigkeitsdicht befestigt ist.
Aus Gründen der übersichtlichen Leitungsführung und aus Gründen der Symmetrie wird eine Ausgestaltung bevorzugt, bei der die Anschlußenden der auf der Oberseite gelegenen leiterstege entlang einer geschlossenen Reihe liegen· Unter diesen Umständen ist die Kontaktgabe beschränkt auf eine entsprechende Reihenanordnung der Anschlußkontakte« Liegen in dem Schaltelement, das angeschlossen werden soll, noch Anschlußkontakte in der Mitte, dann benötigt man auch entsprechend in der Mitte gelegene Anschlußenden. Für einen solchen Fall empfiehlt es sich, um Symmetrie und Übersichtlichkeit in der Leitungeführung beizubehalten, daß fur - weitere Anschlußendenvfn der Mitte dieser Reihe liegen, deren Leiterstege auf der MembranscheibenrUckseite durch eine zusätzlich rückwärtig aufgelegte
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dielektrische Membran isloiert zugeführt und isoliert soiiie dicht durch die Membranscheibe hindurchgeführt sind*
Ein besonderer Vorteil der Erfindung ist dadurch gegeben, daß man, bedingt durch Sie geschlossene Ausgestaltung der Membranscheibe,als ein einheitliches Element, deren Oberseite als Montageplattform verwenden kann. Dies macht sich eine Weiterbildung der Erfindung zunutze, die dadurch gekennzeichnet, ist daß Transistoren, Kondensatoren, Widerstände oder dergleichen einfache elektrische Schaltelemente an der Torderseite der Membranscheibe angeordnet und mit den dort verlaufenden Leiterstegen elektrisch verbunden sind. Man erzielt auf diese Weise außerordentlich kurze Leitungsverbindungen denn man kann sie , elektrisch in unmittelbarer Hähe des über die Kontakte anzuschließenden Halbleiterelementes anordnen.
Bei Betrieb wird ein über die Kontakte anzuschließendes Halbleiterelement in eine Ausgangsposition vor der noch nicht durchgebogenen Membran gebracht und die Membran dann durch Druckbelastung der Druckflüssigkeit oder der !Druckgase in der Druckkammer nach vorn durchgebogen, so daß die Anschlußkontakte in elektrischen Kontakt mit den Anschlußenden geraten· Zu diesem Zweck empfiehlt die Erfindung, daß ein Vakuumstift mit einer Saugspitze zum Haltern eines mit 8einen Anschlußkontakten an die Anschlußenden elektrisch anzuschließenden Halbleiterelementes vorgesehen ist, dessen Position bezogen auf die AnschluBkontkate mit einem Abstand geringer als der Membranhub vor der nichtdurchgedrückten Membraneohicht und grob ausgerichtet zu den Anschlußkontakten gelegen ist.
Die Erfindung wird nun anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert«
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D-BU-9-69-004 In der Zeichnung zeigt:
Fig, 1 perspektivisch einen Membraneehalter nach der Erfindung Fig. 2A den Schnitt 2A-2A aus Fig· 1,
Fig. 2B die Schnittdarstellung aus Fig· 2A9 jedoch bei unter Bruckbelastung durchgebogener Membranecheibe»
Fig. 5 einen durch die strichpunktierte Linie 3 in Fig. 1 eingerahmten Ausschnitt eines abgeänderten Ausführungsbeispiels,
Fig. 4 ein weiteres abgeändertes Ausftthrungsbeispiel in der Schnittdareteilung entsprechend Fig. 2A und
Fig. 5 die Seite mit den Anschlußkontakten eines Halbleiterelement es, das in Verbindung mit dem Ausführungebel*· spiel nach Fig. 4 betrieben werden kann.
In Fig. 1 ist mit 10 eine Druckkammer bezeichnet, die mit Flüssigkeit 12 zur Betätigung des Membranschalters gefüllt ist. Bei dieser Druckflüssigkeit 12 kann es sich beispielsweise um fluorierten Wasserstoff oder ein anderes geeignetes flüssiges Kühlmittel oder dergleichen handeln. Auch flüssige Luft ist geeignet. Mit 14 ist ein Flansch bezeichnet» an dem eine Membranscheibe 16 befestigt ist. Auf der Membranscheibe 16 liegt ein Plastikring 18, der mittels Schrauben 20 oder anderer Befestigungselemente an dem Flansch 14 befestigt ist, so daß eine flüssigkeitsuVidurehlässige Dichtung zwischen der Membranecheibe 16 und dem Flansch 14 entsteht. Auf der Membranscheibe 16 sind, wie besonders gut aus Fig. 2A ersichtlich, elektrische Elemente gelagert. Die Membranscheibe 16 besteht aus einer dielektrischen Membran 22, die mit einer flexiblen elektrisch geerdeten Schicht 24 hinterlegt ist. Die Schicht 24 besteht aus Kupfer oder einem anderen elektrisch leitenden Material. Mit 26 sind Leiterstege bezeichnet, die in radialer Anordnung auf der der Schicht abgekehrten Seite der Membran 22 an-
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geordnet sind und vorzugsweise an dieser befestigt sind. Die leiter« stege 26 bestehen aus Kupfer oi®r einem anderen geeigneten elekrlsch leitenden Material, wie aum Beispiel Golä oder Silberpalladium-Legierungen· FUr jeden Ansohlußkcmtakt 28 des Holbleiterelementeo 30, das anzuschließen ist, ist ein Leitersteg 26 vorgesehen, es sei denn, es ist ein Kelvinkontakt vorgesehen. Für Kelvinkontakte sind jeweils zwei'Leiterstege 26 vorgesehen. Die Anschlußenden 32 der Leiterstege 26 weisen Vertiefungen 34 auf, in die der jeweils zugehörige AnschluSkontakt paßt und eingreift, wenn die AnschluSenden mit den Anschlußkontakten in Berührung geraten· Sine Schutzschicht 36 aus Siliziumdioxyd, die auf dem Halbleiterelement 30 angebracht ist, schützt dessen aktiven Bereich 38 vor Beschädigung und Kurzschlüssen»
Bei Betrieb wird das Halbleiterelement 30 durch einen Vakuumstift 40, der nur zum Teil dargestellt 1st, oder durch einen anderen geeigneten Halter mit seinen Anschlußkontaicten 28 dicht Über den Vertiefungen 34 der Abschlußenden 32 gehalten. Vorrichtungen die dazu geeignet sind, den Vakuumstift 40 entsprechend zu positionieren, sind bekannt, Leispielsweise aus der USA-Petentschrlft 3 392 830. Die Druckflüssigkeit 12 wird Über die Druckleitung 42 unter Druck gesetzt, so daß die Membranecheibe 16 sieh nach oben auf das Halbleiterelement 30 zu bewegt, das dabei in die Mittelöffnung 44 des Plastikringes 18 eingreift.
Das Halbleiterelement 30 ist nur ungefähr mit seinen Anschlußkontakten 28 über den Vertiefungen 34 angeordnet. Der Eingriff der Anechlußkontakte in die Vertiefungen verschiebt das Halbleiterelement 30 dann in die endgültige korrekte Kontaktposition» Aus diesem Grunde ist es nicht nötig, daß man die exakte Ausrichtung des in Ausgangsstellung befindlichen Halbleiterelementes 30 gegenüber den Lelteretegen 26 visuell beobachtet*.
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Sobald sich das Halbleiterelement wie in Pig, 2B dargestellt in Kontaktposition befindet, kann man steile Testimpulse, zum Beispiel ultrahochfrequente Impulse über die Leiterstege an die integrierten Schaltungen des Halbleiterelementes 30 leiten und die elektrischen Reaktionen dieser integrierten Schaltkreise prüfen·
Durch die dielektrische Membran 22, die zwischen den Leiterstegen 26 und der flexiblen geerdeten Schicht 24 liegt, werden miniaturisierte elektrische Übertragungsleitungen konstanter Impedanz gebildet. Man kann durch Wahl der Stärke- der dielektrischen Membran 22 und der Größe der Leiterstege 26 verschiedene Impedanzwerte er- " zielen» Es hat sich gezeigt, daß es auf diese Weise möglich ist, die Übertragungsimpedanz bis zu den Kontakten auf ein Prozent genau festzulegen» Auf diese Weise ist es möglich, die übertragungsimpedanz sehr genau dem angeschlossenen Signalgenerator anzupassen, so daß Zerstreuungen und Signalreflektion weitgehend vermieden werden. Im Gegensatz dazu kann man in der Praxis bei freiliegenden Kontaktleitungen den Impedanzwert nur auf ungefähr 40 Prozent genau festlegen. Die Folge ist, daß der Impedanzwert nicht genau genug an die Signalquelle angepaßt werden kann, so daß entweder die Signalamplitude oder die Signalfrequenz nicht korrekt übertragen wird,. Signale mit steiler Anstiegsflanke erleiden dann bei der übertragung Deformationen. *
Wie besonders gut aus Fig. 2B ersichtlich, bewegen sich bei Betätigung des Membranschalters die Leiterstege 26, die dielektrische Membran 22 und die flexible Schicht 24 gemeinsam, so daß also der Irapedanzwert bei Bewegung keine Änderung erfährt. Bei einigen bekannten Schaltern mit beweglichen Kontakten, bewegen sich die Kontakte bei Betätigung gegenüber ihrer Grund- oder Montageplatte, so daß sich dabei die Übertragungsimpedanz ändert, was zu weiteren Schwierigkeiten bei der Abstimmung der Impedanzwerte führt.
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In αer Praxis war es bislang vielfach unmöglich, bei einem solchen Schalter die Impedanzen der Sohaltkontaktwege einerseits auf den Signalgenerator und andererseits auf die integrierten Schaltungen des angeschlossenen Halbleiterelementes anzupassen» Das lag vor allen? auch daran, daß die Impedanz des Halbleiterelementes sich bei Betrieb desselben abhängig von der Betriebsart verändert. Da man bei bekannten Schaltern die Impedanzverhältnisse nicht genau einstellen konnte, war es nur möglich, den Signalgenerator auf den Impedanzwert des Schalters einzustellen. Da man jedoch bei Membranschaltern nach der Erfindung den Impedanzwert sehr genau einstellen kann, kann man ihn nun auf den des Halbleiterelementes anpassen und den Signalgenerator anschließend hinsichtlich seiner Impedanz auf die vorliegenden Werte des Schalters anpassen, so daß im Endeffekt der Schalter sowohl auf das angeschlossene Halbleiterelement als auch auf den angeschlossenen Signalgenerator impedanzmäßig optimal angepaßt werden kann.
Die dielektrische Membran 22 ist vorzugsweise atis einem flexiblen organischen Material hergestellt, zum Beispiel aus Polyäthylentherephthalat oder Polytetrafluoräthylen (wie es beispielsweise unter den Handelsnamen Mylar und Teflon von der Firma DuPont De Nemours vertrieben wird)· Die Stärke der Membran liegt vorzugsweise zwischen to und 400 /U· Die Leiterstege 26 werden vorzugsweise über bekannte Fotoätzverfahren auf der dielektrischen Membran 22 hergestellt. Auf die gleiche Weise und zwar zweckmäßig in einem zweiten Belichtungs- und Atzsehritt können dann die Vertiefungen 54 eingebracht werden.
Ein besonderer Vorteil des Membranschalters aus der Erfindung liegt darin, daß es möglich ist, kritische Schaltelemente, die in Verbindung mit dem Membranschalter betrieben werden sollen, direkt an ihm zu montieren. Zum Beispiel kann man ein Schaltelement auf der Oberfläche der Membranecheibe 16 dicht neben dem Plastikring 13 in einer zu diesem Zweck vorgesehenen Ausnehmung montieren. Auf
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der dielektrischen Membran 22 kann man dann elektrische Leitungen verlegen, die dieses Schaltelement an die Leiterstege 26 anschlies-8en und man kann auch Leitungen durch die dielektrische Membran 22 hindurch an das Massenpotential der flexiblen Schicht führen. Kapazitäten, Dioden und dergleichen einfache Schaltelemente können auch auf der dielektrischen.Membran 22 montiert werden und direkt an die Leiterstege 26 und durch die dielektrische Membran 22 hindurch an das Massenpdtential der flexiblen Schicht 24 angeschlossen sein. Kig. 3 zeigt beispielsweise einen Transistor 46, der auf der Oberfläche der dielektrischen Membran montiert ist. Mit 48 und 50 sind elektrische Leitungen 2um Anschluß der Emitter- und Kollektor-Elektrode dieses Transistors an zwei der Leiterstege 26 bezeichnet. Eine weitere Leitung 52 dient dazu, die Transistorbasiselektrode durch die dielektrische Membran 22 hindurch an das darunter liegende Massenpotential der flexiblen Schicht 24 anzuschließen.
Eine solche Montage von Schaltelementen ist bei bekannten Schaltern jedenfalls in dichter Nähe des Halbleiterelementes 30 nicht möglich, weil durch die erforderlichen elektrischen Anschlußelemente für solche Schaltelemente Rückstellkräfte hervorgerufen werden, oder die Rückstellkräfte der freiliegenden Kontakte verändert werden, so daß die Punktion des Schalters beeinträchtigt wird.
Bei der Erfindung wird durch die Ausgestaltung der Leiterstege der dielektrischen Membran 22 und der flexiblen Schicht 24 als ein einziges Element diese Schwierigkeit vermieden. Man kann Schaltelemente, wie zum Beispiel Transistoren oder integrierte Halbleiterschaltelemente direkt auf die,dielektrische Membran 22 montieren, ohne daß dadurch die Flexibilität des Materials geändert wird oder die Kontaktandrücke an den Anschlußenden 32 beziehungsweise Anschlußkontakten 28 wesentlich verändert werden. Diese Möglichkeit gestattet es, eingespeiste Impulse, die von jiicht dargestellten Impulsgeneratoren an den Membranschalter gegeben werden, auf dem Übertragungswege entlang der Leiterstege 26 umzuwandeln, unmittelbar
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bevor sie das Halbleiterelement 30 erreichen» Auf diese Weise ist es möglich» solche Inroulse beispielsweise zu verbessern, so daß sie in optimaler Form in das Halbleiterelement 30 einlaufen.
Pig· 5 zeigt neben den Anschlußkontakten 28 eines Halbleiterelementes 60, die sich an der Peripherie dieses Halbleiterelementes befinden, zwei zusätzliche Anschlußkontakte 59, die in der Mitte gelegen sind. Es ist besonders bemerkenswert, daß in Verbindung mit Membranschaltern nach der Erfindung auch solche in der Mitte gelegene Anschlußkontakte 58 geschaltet beziehungsweise angeschlossen werden können. Ein für diesen Zweck geeigneter modifizierter Membranschalter ist in Fig. 4 dargestellt. Die Membranscheibe 16 weist gemäß Mg. 4 eine flexible Schicht 24, die wiederum an Massenpotential anschlossen·ist und Leiterstege 26 auf beiden Seiten einer dielektrischen Membran 22 auf, genau so wie bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig«, 1 und 2. Auf der Bückseite der flexiblen Schicht 24 liegt eine zweite dielektrische Membran 62 , auf der ein Leitersteg 64 angeordnet ist, dessen Anschlußende 66 dicht durch beide dielektrische Membranen 62 und 22 hindurch uvM isoliert durch die flexible Schicht 24 geführt ist. Bas f?:@ie Ende des Anschlußendes 66 liegt auf der Höhe der Anschlußenden der anderen Leiterstege 26 und weist eine Vertiefung 68 für den einen in der Mitte gelegenen Anschlußkontakt 58 auf. Für den zweiten in der Mitte gelegenen Anschlußkontakt des Halbleiterelementes 60 kann dann ein zweiter solcher Leitersteg vorgesehen sein, der neben dem in Fig. 4 sichtbaren liegt und auch auf der !Rückseite der dielektrischen Membran 62 zugeführt ist.
Membranschalter nach der Erfindung sind besonders vorteilhaft wegen der Möglichkeit, die Impedanz der Übertragungsleitung innerhalb des Membranschalters anzupassen, so daß es möglich wird, verzerrungsfrei auch Signale im Gigahertzbereich und Signale mit einer Flankensteilheit im PicoSekundenbereich verzerrungsfrei über den Schalter zu übertragen. Ein weiterer bemerkenswerter Vorteil liegt darin, daß
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man elektrische Sehaltelemente in unmittelbarer Nähe der Anschluß» enden 32 auf dem Schalter montieren kann. Schalter nach der Erfindung sind einfach und schnell in der Massenfabrikation herzustellen.
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Claims (1)

  1. 21,4.70
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    ANSPRÜCHE
    1.JMembraneehalter, dadurch gekennzeichnet, daß die eine Wandung einer an eine Druckleitung (42) angeschlossenen Druckkammer (12) ale bewegliche Membranscheibe (16) ausgebildet ist und daß diese Membranscheibe (16) aus einer Membran (22) aus dielektrischem Material besteht, die auf ihrer zur Druckkammer (12) gekehrten Rückseite mit einer flexiblen an Massenpotential angeschlossenen elektrisch leitenden Schicht (24) belegt ist und auf ihrer Vorderseite mit vom äußeren Rand nach innen führenden Leiterstegen(26) belegt 1st, deren innere Anechlußenden (32) in einem mittleren Bereich maximalen Membranhubs liegen und nach vorn ragen·
    2« Membranschalter nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß an den nach vorn ragenden Anechlußehden nach vorn offene muldenförmige Vertiefungen (34) vorgesehen sind, in die selbstjustie*· rend entsprechend vorspringend geformte Anschlußkontakte eines anzuschließenden elektrischen Elementes (30) paßβen.
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    3. Membranschalter nach Anspruch 1 und/oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Druckkammer (10) kreiszylinderförmig ist und daß die Membranecheibe (16) die eine Stirnseite abdeckt und kreisrund ist und daß die Leiterstege (26) radial angeordnet sind und daß die Anschlußenden (32) in einem geometrisch mittleren Bereich der Membranscheibe (16) liegen«
    4· Membranschalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Druckkammer einen Hingflansch (14) aufweist, an dem.die Membranscheibe (16) mit» tels eines auf die Torderseite aufgelegten an dem Flansch (14) befestigten Kunststoffrings(18) flüssigkeitsdicht befestigt ist·
    5· Membranschalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußenden (32) der auf der Oberseite gelegenen Leiterstege (26). entlang einer geschlossenen Reihe liegen und daß ein oder mehrere «eitere Anschlußenden (58) in der Mitte dieser Reihe liegen, deren Leiterstege (64) auf der Membranscheibenrückseite durch eine zusätzlicherückwärtig aufgelegte dielektrische Membran (62) isoliert zugeführt und isoliert sowie dicht durch die Membranscheibe hindurchgeführt sind.
    6. Membranschalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Transistoren, Kondensatoren, Widerstände oder dergleichen einfache elektrische Schaltelemente (46) an der Vorderseite der Membranscheibe (16) angeordnet und mit den dort verlaufenden Leiterstegen elektrisch verbunden sind·
    7. Membranschalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Leiterstege (26) mit ihren Anschlußenden (32) durch fotochemisches ätzen gebildet und aufgebracht sind.
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    3* Membransehalter nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, da3 ein Vakuumstift (40) mit einer Saugspitze zum Haltern eines mit seinen Anschlußkontakten (28) an die Anschlußenden (32) elektrisch anzuschließenden, . Haibleiterelementes (30) vorgesehen ist, dessen Position bezogen auf die Anschlußkontakte (28) mit eines Abstand geringer als der Membranhub vor der nicht durchgedrückten Heabranschicht (16) und grob ausgerichtet zu den AnschluSkontakten gelegen ist·
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    Lee rs e i te
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