DE202004021351U1 - Licht emittierende Vorrichtung - Google Patents

Licht emittierende Vorrichtung Download PDF

Info

Publication number
DE202004021351U1
DE202004021351U1 DE202004021351U DE202004021351U DE202004021351U1 DE 202004021351 U1 DE202004021351 U1 DE 202004021351U1 DE 202004021351 U DE202004021351 U DE 202004021351U DE 202004021351 U DE202004021351 U DE 202004021351U DE 202004021351 U1 DE202004021351 U1 DE 202004021351U1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
combination
phosphors
emitting device
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE202004021351U
Other languages
English (en)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seoul Semiconductor Co Ltd
Original Assignee
Seoul Semiconductor Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seoul Semiconductor Co Ltd filed Critical Seoul Semiconductor Co Ltd
Priority to DE202004021351U priority Critical patent/DE202004021351U1/de
Publication of DE202004021351U1 publication Critical patent/DE202004021351U1/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7734—Aluminates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/664—Halogenides
    • C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
    • C09K11/666—Aluminates; Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/74—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth
    • C09K11/75—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth containing antimony
    • C09K11/751—Chalcogenides
    • C09K11/753—Chalcogenides with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/74—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth
    • C09K11/75—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing arsenic, antimony or bismuth containing antimony
    • C09K11/755—Halogenides
    • C09K11/756—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77342—Silicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/77344—Aluminosilicates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7735—Germanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7737—Phosphates
    • C09K11/7738—Phosphates with alkaline earth metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/7737—Phosphates
    • C09K11/7738—Phosphates with alkaline earth metals
    • C09K11/7739—Phosphates with alkaline earth metals with halogens
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7728—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing europium
    • C09K11/774—Borates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7743—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing terbium
    • C09K11/7751—Vanadates; Chromates; Molybdates; Tungstates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7756—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing neodynium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
    • C09K11/7795—Phosphates
    • C09K11/7796—Phosphates with alkaline earth metals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials

Abstract

Eine Licht emittierende Vorrichtung, umfassend:
ein Substrat;
eine Vielzahl von Elektroden, welche auf dem Substrat zur Verfügung gestellt werden;
eine Licht emittierende Diode, welche so konfiguriert ist, Licht zu emittieren, wobei die Licht emittierende Diode auf einer der Vielzahl von Elektroden zur Verfügung gestellt wird;
Phosphore, welche so konfiguriert sind, eine Wellenlänge des Lichts zu verändern, wobei die Phosphore im Wesentlichen mindestens einen Teil der Licht emittierenden Diode bedecken; und
eine elektrisch leitfähige Vorrichtung, welche so konfiguriert ist, die Licht emittierende Diode mit einer anderen der Vielzahl von Elektroden zu verbinden,
wobei die Phosphore Phosphore einschließen, die mit einem mit Blei und/oder Kupfer dotiertem Sauerstoff angereichert sind.

Description

  • Hintergrund der Erfindung
  • 1. Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft Licht emittierende Vorrichtungen und insbesondere Licht emittierende Vorrichtungen, welche mindestens eine Licht emittierende Diode und Phophor einschließen, wobei der Phosphor Blei und/oder Kupfer dotierte chemische Verbindungen einschließt und die Wellenlänge von Licht verändert.
  • 2. Beschreibung des Stands der Technik
  • Licht emittierende Vorrichtungen (LEDs), welche geläufig für elektronische Vorrichtungen verwendet wurden, werden nun für Automobile und Illuminationsprodukte verwendet. Seitdem Licht emittierende Vorrichtungen bessere elektrische und mechanische Eigenschaften haben, sind die Nachfragen an Licht emittierende Vorrichtungen angestiegen. In Verbindung hiermit steigt das Interesse an weißes LEDs als eine Alternative für Fluoreszenzlampen und Glühlampen.
  • In der LED Technologie ist die Lösung für die Realisierung von weißem Licht verschiedenartig vorgeschlagen worden. Normalerweise ist die Realisierung der weißes LED Technologie so, den Phosphor auf die Licht emittierende Diode zu setzen und die primäre Emission von der Licht emittierenden Diode und die sekundäre Emission vom Phosphor, welcher die Wellenlänge verändert, zu mischen. Zum Beispiel, wie in WO 98/05078 und WO 98/12757 gezeigt ist, die Verwendung einer blaues Licht emittierenden Diode, welche in der Lage ist, einen Wellenlängenpeak bei 450-490 nm zu emittieren, und ein YAG Gruppen Material, welches Licht von der blaues Licht emittierenden Diode absorbiert und gelbliches Licht (meistens) emittiert, welches eine verschiedene Wellenlänge von der des absorbierten Lichtes haben kann.
  • Jedoch ist in einer solch geläufigen weißes LED der Farb-Temperaturbereich eng, welcher zwischen etwa 6.000-8.000 K liegt, und der CRI (Farbwiedergabe-Index) ist etwa 60 bis 75. Daher ist es schwierig, die weißes LED mit einer Farb-Koordination und Farbtemperatur herzustellen, welche ähnlich zu denen des sichtbaren Lichts sind. Dies ist einer der Gründe, warum nur weiße Lichtfarbe mit einer kalten Empfindung realisiert werden könnte. Ferner sind Phosphore, welche für weißes LEDs verwendet werden, gewöhnlich unstabil in Wasser, Dampf oder polarem Lösungsmittel, und diese Unstabilität kann Änderungen in den emittierenden Eigenschaften der weißes LED verursachen.
  • Zusammenfassung der Erfindung
  • Wellenlängenveränderungs-Licht emittierende Vorrichtungen werden zur Verfügung gestellt. In einer Ausführungsform im Einklang mit dieser Erfindung wird eine Vorrichtung zur Lichtemission zur Verfügung gestellt. Die Vorrichtung kann ein Substrat, eine Vielzahl von Elektroden, welche auf dem Substrat zur Verfügung gestellt werden, eine Licht emittierende Diode, welche so konfiguriert ist, Licht zu emittieren, wobei die Licht emittierende Diode auf einer der Vielzahl von Elektroden zur Verfügung gestellt wird, Phosphore, die so konfiguriert sind, eine Wellenlänge des Lichts zu verändern, wobei die Phosphore im Wesentlichen mindestens einen Teil der Licht emittierenden Diode bedecken, und eine elektrisch leitfähige Vorrichtung, die so konfiguriert ist, die Licht emittierende Diode mit einer anderen der Vielzahl von Elektroden zu verbinden, einschließen.
  • In einer anderen Ausführungsform im Einklang mit dieser Erfindung kann eine Licht emittierende Vorrichtung eine Vielzahl von Bleien, einen Diodenhalter, welcher am Ende von einem der Vielzahl von Bleien zur Verfügung gestellt wird, eine Licht emittierende Diode, welche in dem Diodenhalter zur Verfügung gestellt wird, wobei die Licht emittierende Diode eine Vielzahl von Elektroden einschließt, Phosphore, die so konfiguriert sind, eine Wellenlänge des Lichts zu verändern, wobei die Phosphore im Wesentlichen mindestens einen Teil der Licht emittierenden Diode bedecken; und eine elektrisch leitfähige Vorrichtung, die so konfiguriert ist, die Licht emittierende Vorrichtung mit einem anderen der Vielzahl von Bleien zu verbinden, einschließen.
  • In einer anderen Ausführungsform im Einklang mit dieser Erfindung kann eine Licht emittierende Vorrichtung ein Gehäuse, einen Kühlkörper, der mindestens teilweise in dem Gehäuse zur Verfügung gestellt wird, eine Vielzahl von Bleirahmen, welche auf dem Kühlkörper zur Verfügung gestellt werden, eine Licht emittierende Diode befestigt auf einem der Vielzahl von Bleirahmen, Phosphore, die so konfiguriert sind, eine Wellenlänge des Lichts zu verändern, wobei die Phosphore im Wesentlichen mindestens einen Teil der Licht emittierenden Diode bedecken, und eine elektrisch leitfähige Vorrichtung, die so konfiguriert ist, die Licht emittierende Diode mit einem anderen der Vielzahl von Bleirahmen zu verbinden, einschließen.
  • Der Phosphor im Einklang mit dieser Erfindung kann Aluminattyp Verbindungen, Blei und/oder Kupfer dotierte Silikate, Blei und/oder Kupfer dotierte Antimonate, Blei und/oder Kupfer dotierte Germanate, Blei und/oder Kupfer dotierte Germanat-Silikate, Blei und/oder Kupfer dotierte Phosphate oder jegliche Kombination davon einschließen. Formeln für Phosphore im Einklang mit dieser Erfindung werden auch zur Verfügung gestellt.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Weitere Aspekte der Erfindung können durch die Betrachtung der folgenden detaillierten Beschreibung, in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen ersichtlich werden, in welchen sich gleiche Referenz-Eigenschaften immer auf gleiche Teile beziehen, und in welchen:
  • 1 eine Seiten-Schnittzeichnung einer erläuternden Ausführungsform eines Teils einer Licht emittierenden Einheits-Vorrichtung in Chipbauweise im Einklang mit dieser Erfindung zeigt;
  • 2 eine Seiten-Schnittzeichnung einer erläuternden Ausführungsform eines Teils einer Licht emittierenden Einheits-Vorrichtung in Aufsatzbauweise im Einklang mit dieser Erfindung zeigt;
  • 3 eine Seiten-Schnittzeichnung einer erläuternden Ausführungsform eines Teils einer Licht emittierenden Einheits-Vorrichtung in Lampenbauweise im Einklang mit dieser Erfindung zeigt;
  • 4 eine Seiten-Schnittzeichnung einer erläuternden Ausführungsform eines Teils einer Licht emittierenden Hochleistungs-Vorrichtung im Einklang mit dieser Erfindung zeigt;
  • 5 eine Seiten-Schnittzeichnung einer anderen erläuternden Ausführungsform eines Teils einer Licht emittierenden Hochleistungs-Vorrichtung im Einklang mit dieser Erfindung zeigt;
  • 6 ein Emissionsspektrum einer Licht emittierenden Vorrichtung mit Lumineszenzmaterial im Einklang mit dieser Erfindung zeigt; und
  • 7 ein Emissionsspektrum einer Licht emittierenden Vorrichtung mit Lumineszenzmaterial gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung zeigt.
  • Detaillierte Beschreibung der bevorzugten Ausführungsform
  • Bezogen auf die angehängte Zeichnung wird die Wellenlängenveränderungs-Licht emittierende Vorrichtung detailliert erklärt, und die Licht emittierende Vorrichtung und der Phosphor werden zur Erleichterung der Erklärung wie unten getrennt voneinander erklärt.
  • (Licht emittierende Vorrichtung)
  • 1 zeigt eine Seiten-Schnittzeichnung einer erläuternden Ausführungsform eines Teils einer Licht emittierenden Einheits-Vorrichtung in Chipbauweise im Einklang mit dieser Erfindung. Die Licht emittierende Einheits-Vorrichtung in Chipbauweise kann mindestens eine Licht emittierende Diode und eine phosphoreszierende Substanz umfassen. Die Elektroden 5 können auf beiden Seiten des Substrats 1 geschaltet werden. Licht emittierende Diode 6, welche Licht emittiert, kann auf eine der Elektroden 5 befestigt werden. Licht emittierende Diode 6 kann auf Elektrode 5 durch eine elektrisch leitfähige Paste 9 befestigt werden. Eine Elektrode der Licht emittierenden Diode 6 kann mit der Elektrodenstruktur 5 mittels eines elektrisch leitfähigen Drahtes 2 verbunden werden.
  • Licht emittierende Dioden können Licht mit einem breiten Wellenlängenbereich emittieren, zum Beispiel von ultraviolettem Licht bis sichtbarem Licht. In einer Ausführungsform im Einklang mit dieser Erfindung können eine UV-Licht emittierende Diode und/oder eine blaues Licht emittierend Diode verwendet werden.
  • Phosphor, das heißt eine phosphoreszierende Substanz, 3 kann oben und an den Seitenflächen der Licht emittierenden Diode 6 platziert werden. Der Phosphor im Einklang mit dieser Erfindung kann Blei und/oder Kupfer dotierte Aluminattyp Verbindungen, Blei und/oder Kupfer dotierte Silikate, Blei und/oder Kupfer dotierte Antimonate, Blei und/oder Kupfer dotierte Germanate, Blei und/oder Kupfer dotierte Germanat-Silikate, Blei und/oder Kupfer dotierte Phosphate oder jegliche Kombination davon einschließen. Phosphor 3 verändert die Wellenlänge des Lichts von der Licht emittierenden Diode 6 in eine andere Wellenlänge oder andere Wellenlängen. In einer Ausführungsform im Einklang mit dieser Erfindung ist das Licht nach der Umwandlung in einem sichtbaren Lichtbereich. Phosphor 3 kann auf die Licht emittierende Diode 6 nach dem Mischen des Phosphors 3 mit einem härtenden Harz angewendet werden. Das härtende Harz, welches Phosphor 3 einschließt, kann auch auf das Unterteil der Licht emittierenden Diode 6 nach dem Mischen des Phosphors 3 mit der elektrisch leitfähigen Paste 9 angewendet werden.
  • Die Licht emittierende Diode 6, welche auf dem Substrat 1 befestigt ist, kann mit einem oder mehreren Abdichtungsmaterialien 10 abgedichtet werden. Phosphor 3 kann oben und an den Seitenflächen der Licht emittierenden Diode 6 platziert werden. Phosphor 3 kann auch in dem härtenden Abdichtungsmaterial während der Herstellung verteilt werden. Solch ein Herstellungsverfahren ist in U.S. Patent Nr. 6,482,664 beschrieben, welches hiermit als Referenz in seiner Gesamtheit aufgenommen ist.
  • Phosphor 3 kann Blei und/oder Kupfer dotierte chemische Verbindung(en) umfassen. Phosphor 3 kann eine oder mehrere einzelne chemische Verbindungen einschließen. Die einzelne Verbindung kann einen Emissionspeak zum Beispiel bei etwa 440 nm bis etwa 500 nm, von etwa 500 nm bis etwa 590 nm oder von etwa 580 nm bis 700 nm haben. Phosphor 3 kann einen oder mehrere einzelne Phosphore einschließen, welche einen Emissionspeak wie oben beispielhaft erläutert haben.
  • Hinsichtlich der Licht emittierenden Vorrichtung 40 kann die Licht emittierende Diode 6 primäres Licht emittieren, wenn die Licht emittierende Diode 6 Strom von einer Stromversorgung erhält. Das primäre Licht kann dann Phorphor(e) 3 stimulieren, und Phosphor(e) 3 kann (können) das primäre Licht in ein Licht mit längerer (längeren) Wellenlänge(n) (ein sekundäres Licht) verändern. Das primäre Licht aus der Licht emittierenden Diode 6 und das sekundäre Licht von den Phosphoren 3 werden so gestreut und zusammen gemischt, dass eine vorher festgelegte Farbe des Lichts im sichtbaren Spektrum von der Licht emittierenden Diode 6 emittiert werden kann. In einer Ausführungsform im Einklang mit dieser Erfindung können mehr als eine Licht emittierende Diode, welche verschiedene Emissionspeaks haben, zusammen befestigt werden. Ferner können, wenn das Mischverhältnis der Phosphore genau eingestellt ist, eine spezifische Farbe des Lichts, Farbtemperatur und CRI zur Verfügung gestellt werden.
  • Wie oben beschrieben wurde, kann dann, wenn die Licht emittierende Diode 6 und die Verbindung, welche in Phosphor 3 eingeschlossen ist, genau kontrolliert werden, die gewünschte Farbtemperatur oder spezifische Farbkoordination zur Verfügung gestellt werden, insbesondere ein breiter Farbtemperatur-Bereich, zum Beispiel von etwa 2.000 K bis etwa 8.000 K oder etwa 10.000 K und/oder ein Farbwiedergabe-Index größer als etwa 90. Daher können die Licht emittierenden Vorrichtungen im Einklang mit dieser Erfindung für elektronische Vorrichtungen, wie Haushaltsgeräte, Stereoanlagen, Telekommunikationsvorrichtungen und für Innen-/Außen-Gebrauchsanzeigen verwendet werden. Die Licht emittierenden Vorrichtungen im Einklang mit dieser Erfindung können auch für Automobile und Illuminationsprodukte verwendet werden, da sie ähnliche Farbtemperaturen und CRIs zu jenen des sichtbaren Lichts zur Verfügung stellen.
  • 2 zeigt eine Seiten-Schnittzeichnung einer erläuternden Ausführungsform eines Teils einer Licht emittierenden Einheits-Vorrichtung in Aufsatzbauweise im Einklang mit dieser Erfindung. Eine Licht emittierenden Einheits-Vorrichtung in Aufsatzbauweise im Einklang mit dieser Erfindung kann eine ähnliche Struktur haben wie die der Licht emittierenden Einheits-Vorrichtung in Chipbauweise 40 der 1. Die Einheits-Vorrichtung in Aufsatzbauweise kann einen Reflektor 31 haben, welcher das Licht von der Licht emittierenden Diode 6 in die gewünschte Richtung reflektieren kann.
  • In einer Licht emittierenden Einheits-Vorrichtung in Aufsatzbauweise 50 können mehr als eine Licht emittierende Diode befestigt werden. Jede der Licht emittierenden Dioden kann eine verschiedene Peakwellenlänge von der der anderen haben. Phosphor 3 kann eine Vielzahl von einzelnen Verbindungen mit einem verschiedenen Emissionspeak umfassen. Die Proportion jeder solcher Vielzahl von Verbindungen kann reguliert werden. Solch ein Phosphor kann auf die Licht emittierende Diode und/oder einheitlich verteilt in dem härtenden Material des Reflektors 31 angewendet werden. Wie unten genauer erklärt wird, kann der Phosphor im Einklang mit dieser Erfindung Blei und/oder Kupfer dotierte Aluminattyp Verbindungen, Blei und/oder Kupfer dotierte Silikate, Blei und/oder Kupfer dotierte Antimonate, Blei und/oder Kupfer dotierte Germanate, Blei und/oder Kupfer dotierte Gemanat-Silikate, Blei und/oder Kupfer dotierte Phosphate oder jegliche Kombination davon einschließen.
  • In einer Ausführungsform im Einklang mit dieser Erfindung kann die Licht emittierende Vorrichtung der 1 oder 2 ein Metall-Substrat einschließen, welches eine gute Hitze-Leitfähigkeit haben kann. Solch eine Licht emittierende Vorrichtung kann leicht die Hitze von der Licht emittierenden Diode abführen. Daher können Licht emittierende Hochleistungs-Vorrichtungen hergestellt werden. Wenn ein Kühlkörper unter dem Metallsubstrat zur Verfügung gestellt wird, kann die Hitze von der Licht emittierenden Diode wirksamer abgeführt werden.
  • 3 zeigt eine Seiten-Schnittzeichnung einer erläuternden Ausführungsform eines Teils einer Licht emittierenden Einheits-Vorrichtung in Lampenbauweise im Einklang mit dieser Erfindung. Eine Licht emittierende Vorrichtung in Lampenbauweise 60 kann ein Paar an Bleien 51, 52 haben, und ein Diodenhalter 53 kann an dem Ende eines Bleies ausgebildet werden. Der Diodenhalter 53 kann die Form einer Schale haben, und eine oder mehrere Licht emittierende Dioden 6 können in dem Diodenhalter 53 zur Verfügung gestellt werden. Wenn eine Anzahl von Licht emittierenden Dioden in dem Diodenhalter 53 zur Verfügung gestellt werden, kann jede von ihnen eine verschiedene Peakwellenlänge von der der anderen haben. Eine Elektrode der Licht emittierenden Diode 6 kann durch zum Beispiel den elektrisch leitfähigen Draht 2 mit Blei 52 verbunden werden.
  • Ein geregeltes Volumen von Phosphor 3, welches in das Epoxy-Harz gemischt werden kann, kann in dem Diodenhalter 53 zur Verfügung gestellt werden. Wie unten genauer erklärt wird, kann Phosphor 3 Blei und/oder Kupfer dotierte Bestandteile einschließen.
  • Ferner kann der Diodenhalter die Licht emittierende Diode 6 einschließen, und der Phosphor 3 kann mit einem härtenden Material, wie Epoxy-Harz oder Silikon-Harz, abgedichtet werden.
  • In einer Ausführungsform im Einklang mit dieser Erfindung kann die Licht emittierende Einheits-Vorrichtung in Lampenbauweise mehr als ein Paar von Elektroden-Paar Bleien haben.
  • 4 zeigt eine Seiten-Schnittzeichnung einer erläuternden Ausführungsform eines Teils einer Licht emittierenden Hochleistungs-Vorrichtung im Einklang mit dieser Erfindung. Kühlkörper 71 kann innerhalb des Gehäuses 73 der Licht emittierenden Hochleistungs-Vorrichtung 70 zur Verfügung gestellt werden, und er kann teilweise nach außen ausgestellt werden. Ein Paar Bleirahmen 74 kann vom Gehäuse 73 hervorstehen.
  • Eine oder mehrere Licht emittierende Dioden können an einem Bleirahmen 74 befestigt werden, und eine Elektrode der Licht emittierenden Diode 6 und ein anderer Bleirahmen 74 können mittels eines elektrisch leitfähigen Drahtes verbunden werden. Eine elektrisch leitfähige Paste 9 kann zwischen Licht emittierende Diode 6 und Bleirahmen 74 zur Verfügung gestellt werden. Der Phosphor 3 kann oben und an den Seitenflächen der Licht emittierenden Diode 6 platziert werden.
  • 5 zeigt eine Seiten-Schnittzeichnung einer anderen erläuternden Ausführungsform eines Teils einer Licht emittierenden Hochleistungs-Vorrichtung im Einklang mit dieser Erfindung.
  • Die Licht emittierende Hochleistungs-Vorrichtung 80 kann ein Gehäuse 63, welches Licht emittierende Dioden 6, 7 enthalten kann, Phosphor 3, welcher oben und an den Seitenflächen der Licht emittierenden Dioden 6, 7 angeordnet wird, ein oder mehrere Kühlkörper 61, 62 und ein oder mehrere Bleirahmen 64 haben. Die Bleirahmen 64 können Strom von einer Stromversorgung erhalten und können von dem Gehäuse 63 hervorstehen.
  • In den Licht emittierenden Hochleistungs-Vorrichtungen 70, 80 in den 4 und 5 kann der Phosphor 3 zu der Paste zugefügt werden, welche zwischen Kühlkörper und Licht emittierende Vorrichtungen zur Verfügung gestellt werden kann. Ein Lampenglas kann mit dem Gehäuse 63, 73 kombiniert werden.
  • In einer Licht emittierenden Hochleistungs-Vorrichtung im Einklang mit dieser Erfindung können eine oder mehrere Licht emittierende Dioden wahlweise verwendet werde, und der Phosphor kann abhängig von der Licht emittierenden Diode reguliert werden, wie unten genauer erklärt wird, kann der Phosphor Blei und/oder Kupfer dotierte Verbindungen einschließen.
  • Eine Licht emittierende Hochleistungs-Vorrichtung im Einklang mit dieser Erfindung kann einen Radiator (nicht gezeigt) und/oder (einen/mehrere) Kühlkörper haben. Luft oder ein Ventilator können verwendet werden, um den Radiator zu kühlen.
  • Die Licht emittierenden Vorrichtungen im Einklang mit dieser Erfindung sind nicht auf die oben beschriebenen Strukturen begrenzt, und die Strukturen können abhängig von den Eigenschaften der Licht emittierenden Dioden, Phosphor, Wellenlänge des Lichts und auch Anwendungen modifiziert werden. Ferner kann ein neuer Teil zu den Strukturen zugefügt werden.
  • Ein beispielhafter Phosphor im Einklang mit dieser Erfindung ist wie folgend.
  • (Phosphor)
  • Phosphor im Einklang mit dieser Erfindung kann Blei und/oder Kupfer dotierte chemische Verbindungen einschließen. Der Phosphor kann durch UV und/oder sichtbares Licht, zum Beispiel blaues Licht, angeregt werden. Die Verbindung kann Aluminat-, Silikat-, Antimonat-, Germanat-, Germanat-Silikat- oder Phosphat-Typ Verbindungen einschließen. Aluminattyp Verbindungen können Verbindungen umfassen, welche die Formel (1), (2) und/oder (5) haben a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dAl2O3·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M'''''oOp)·h(M''''''xOy) (1),wobei M' Pb, Cu und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'' ein oder mehrere monovalente(s) Element(e), zum Beispiel Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag und/oder jegliche Kombination davon, sein kann; M''' ein oder mehrere bivalente(s) Element(e), zum Beispiel Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn und/oder jegliche Kombination davon, sein kann; M'''' ein oder mehrere trivalente(s) Element(e), zum Beispiel Sc, B, Ga, In und/oder jegliche Kombination davon, sein kann; M''''' Si, Ge, Ti, Zr, Mn, V, Nb, Ta, W, Mo und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'''''' Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu und/oder jegliche Kombination davon sein kann; X F, Cl, Br, J und/oder jegliche Kombination davon sein kann, 0 < a ≤ 2; 0 ≤ b ≤ 2; 0 ≤ c ≤ 2; 0 ≤ d ≤ 8; 0 < e ≤ 4; 0 ≤ f ≤ 3; 0 ≤ g ≤ 8; 0 < h ≤ 2; 1 ≤ o ≤ 2; 1 ≤ p ≤ 5; 1 ≤ x ≤ 2; und 1 ≤ y ≤ 5. a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·4-a-b -c(M'''O)·7(Al2O3)·d(B2O3)·e(Ga2O3)·f(SiO2)·g(GeO2)·h(M''''xOy) (2),wobei M' Pb, Cu und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'' ein oder mehrere monovalente(s) Element(e), zum Beispiel Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag und/oder jegliche Kombination davon, sein kann; M''' ein oder mehrere bivalente(s) Element(e), zum Beispiel Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn und/oder jegliche Kombination davon, sein kann; M'''' Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, In, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu und jegliche Kombination davon sein kann; X F, Cl, Br, J und jegliche Kombination davon sein kann; 0 < a ≤ 4; 0 ≤ b ≤ 2; 0 ≤ c ≤ 2; 0 ≤ d ≤ 1; 0 ≤ e ≤ 1; 0 ≤ f ≤ 1; 0 ≤ g ≤ 1; 0 < h ≤ 2; 1 ≤ x ≤ 2; und 1 ≤ y ≤ 5.
  • Die Zubereitung von Kupfer genauso wie Blei dotierten Lumineszenzmaterialien kann eine Festkörper-Reaktion sein. Reine Ausgangsmaterialien ohne jegliche Verunreinigungen, zum Beispiel Eisen, können verwendet werden. Jegliches Ausgangsmaterial, welches mittels eines Erhitzungsprozesses in Oxide überführt werden kann, kann verwendet werden, um Sauerstoff angereicherte Phosphore zu bilden.
  • Beispiele der Zubereitung:
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (3) hat Cu0,02Sr3,98Al14O25 : Eu (3)Ausgangsmaterialien: CuO, SrCO3, Al(OH)3, Eu2O3 und/oder jegliche Kombination davon.
  • Die Ausgangsmaterialien in Form von Oxiden, Hydroxiden und/oder Karbonaten können in stöchiometrischen Proportionen zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels, zum Beispiel H3BO3, gemischt werden. Das Gemisch kann in einem Aluminiumoxid- Schmelztiegel in einem ersten Schritt bei etwa 1.200 °C für etwa eine Stunde befeuert werden. Nach dem Walzen („milling") der vorbefeuerten Materialien kann ein zweiter Befeuerungsschritt bei etwa 1.450 °C in einer reduzierten Atmosphäre für etwa 4 Stunden folgen. Danach kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das resultierende Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 494 nm haben.
  • Tabelle 1: Kupfer dotiertes Eu2+-aktiviertes Aluminat verglichen mit Eu2+-aktiviertem Aluminat ohne Kupfer bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00130001
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (4) Pb0,05Sr3,95Al14O25 : Eu (4)hat.
  • Ausgangsmaterialien: PbO, SrCO3, Al2O3, Eu2O3 und/oder jegliche Kombination davon.
  • Die Ausgangsmaterialien in Form von sehr reinen Oxiden, Karbonaten oder anderen Bestandteilen, welche thermisch in Oxide gespalten werden können, können in einer stöchiometrischen Proportion zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels, zum Beispiel H3BO3, gemischt werden. Das Gemisch kann in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.200 °C für etwa eine Stunde in der Luft befeuert werden. Nach dem Walzen der vorbefeuerten Materialien kann ein zweiter Befeuerungsschritt bei etwa 1.450 °C in der Luft für etwa 2 Stunden und in einer reduzierten Atmosphäre für etwa 2 Stunden folgen. Dann kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das resultierende Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 494,5 nm haben. Tabelle 2: Blei dotiertes Eu2+-aktiviertes Aluminat verglichen mit Eu2+-aktiviertem Aluminat ohne Blei bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00140001
    Tabelle 3: optische Eigenschaften von einigen Kupfer und/oder Blei dotierten Aluminaten, welche durch langwelliges ultraviolett und/oder durch sichtbares Licht anregbar sind, und ihre Leuchtdichte in % bei einer Anregungswellenlänge von 400 nm
    Figure 00140002
    a(M'O)·b(M''O)·c(Al2O3)·d(M'''2O3)·e(M''''O2)·f(M'''''xOy) (5),wobei M' Pb, Cu und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'' Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M''' B, Ga, In und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'''' Si, Ge, Ti, Zr, Hf und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M''''' Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu und/oder jegliche Kombination davon sein kann; 0 < a ≤ 1; 0 ≤ b ≤ 2; 0 < c ≤ 8; 0 ≤ d ≤ 1; 0 ≤ e ≤ 1; 0 < f ≤ 2; 1 ≤ x ≤ 2 und 1 ≤ y ≤ 5.
  • Beispiel der Zubereitung:
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (6) Cu0,05Sr0,95Al1,9997Si0,0003O4 : Eu (6)hat.
  • Ausgangsmaterialien: CuO, SrCO3, Al2O3, SiO2, Eu2O3 und/oder jegliche Kombination davon.
  • Die Ausgangsmaterialien in der Form von zum Beispiel reinen Oxiden und/oder als Karbonate können in stöchiometrischen Proportionen zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels, zum Beispiel AlF3, gemischt werden. Das Gemisch kann in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.250 °C in einer reduzierten Atmosphäre für etwa 3 Stunden befeuert werden. Danach kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das resultierende Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 521,5 nm haben.
  • Tabelle 4: Kupfer dotiertes Eu2+-aktiviertes Aluminat verglichen mit Eu2+-aktiviertem Aluminat ohne Kupfer bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00150001
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (7) Cu0,12BaMg1,88Al16O27 : Eu (7)hat.
  • Ausgangsmaterialien: CuO, MgO, BaCO3, Al(OH)3, Eu2O3 und/oder jegliche Kombination davon.
  • Die Ausgangsmaterialien in der Form von zum Beispiel reinen Oxiden, Hydroxiden und/oder Karbonaten können in stöchiometrischen Proportionen zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels, zum Beispiel AlF3, gemischt werden. Das Gemisch kann in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.420 °C in einer reduzierten Atmosphäre für etwa 2 Stunden befeuert werden. Danach kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das resultierende Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 452 nm haben.
  • Tabelle 5: Kupfer dotiertes Eu2+-aktiviertes Aluminat verglichen mit Eu2+-aktiviertem nicht mit Kupfer dotiertem Aluminat bei einer Anregungswellenlänge von 400 nm
    Figure 00160001
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (8) Pb0,1Sr0,9Al2O4 : Eu (8)hat.
  • Ausgangsmaterialien: PbO, SrCO3, Al(OH)3, Eu2O3 und/oder jegliche Kombination davon.
  • Die Ausgangsmaterialien in Form von zum Beispiel reinen Oxiden, Hydroxiden und/oder Karbonaten können in stöchiometrischen Proportionen zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels, zum Beispiel H3BO3, gemischt werden. Das Gemisch kann in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.000 °C für etwa 2 Stunden in der Luft befeuert werden. Nach dem Walzen der vorbefeuerten Materialien kann ein zweiter Befeuerungsschritt bei etwa 1.420 °C in der Luft für etwa eine Stunde und in einer reduzierten Atmosphäre für etwa 2 Stunden folgen. Danach kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das resultierende Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 521 nm haben.
  • Tabelle 6: Blei dotiertes Eu2+-aktiviertes Aluminat verglichen mit Eu2+-aktiviertem Aluminat ohne Blei bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00170001
  • Ergebnisse, welche mit Bezug auf Kupfer und/oder Blei dotierte Aluminate erhalten wurden, werden in der Tabelle 7 gezeigt.
  • Tabelle 7: optische Eigenschaften von einigen Kupfer und/oder Blei dotierten Aluminaten, welche durch langwelliges ultraviolett und/oder durch sichtbares Licht anregbar sind, und ihre Leuchtdichte in % bei einer Anregungswellenlänge von 400 nm
    Figure 00180001
  • Blei und/oder Kupfer dotierte Silikate, welche die Formel (9) a(M'O)·b(M''O)·c(M'''X)·d(M'''2O)·e(M''''2O3)·f(M'''''oOp)·g(SiO2)· h(M''''''xOy) (9)haben,
    wobei M' Pb, Cu und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'' Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M''' Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'''' Al, Ga, In und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M''''' Ge, V, Nb, Ta, W, Mo, Ti, Zr, Hf und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'''''' Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu und/oder jegliche Kombination davon sein kann; X F, Cl, Br, J und jegliche Kombination davon sein kann; 0 < a ≤ 2; 0 < b ≤ 8; 0 ≤ c ≤ 4; 0 ≤ d ≤ 2; 0 ≤ e ≤ 2; 0 ≤ f ≤ 2; 0 ≤ g ≤ 10; 0 ≤ h ≤ 5; 1 ≤ o ≤ 2; 1 ≤ p ≤ 5; 1 ≤ x ≤ 2; und 1 ≤ y ≤ 5.
  • Beispiel der Zubereitung:
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (10) Cu0,05Sr1,7Ca0,25SiO4 : Eu (10)hat.
  • Ausgangsmaterialien: CuO, SrCO3, CaCO3, SiO2, Eu2O3 und/oder jegliche Kombination davon.
  • Die Ausgangsmaterialien in der Form von reinen Oxiden und/oder Karbonaten können in stöchiometrischen Proportionen zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels, zum Beispiel NH4Cl, gemischt werden. Das Gemisch kann in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.200 °C in einer inerten Gasatmosphäre (zum Beispiel N2 oder Edelgas) für etwa 2 Stunden befeuert werden. Dann kann das Material gewalzt werden. Danach kann das Material in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.200 °C in einer leicht reduzierten Atmosphäre für etwa 2 Stunden befeuert werden. Dann kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das resultierende Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 592 nm haben.
  • Tabelle 8: Kupfer dotiertes Eu2+-aktiviertes Silikat verglichen mit Eu2+-aktiviertem Silikat ohne Kupfer bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00200001
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (11) hat: Cu0,2Ba2Zn0,2Mg0,6Si2O7 : Eu (11)Ausgangsmaterialien: CuO, BaCO3, ZnO, MgO, SiO2, Eu2O3 und/oder jegliche Kombination davon.
  • Die Ausgangsmaterialien in der Form von sehr reinen Oxiden und Karbonaten können in stöchiometrischen Proportionen zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels, zum Beispiel NH4Cl, gemischt werden. In einem ersten Schritt kann das Gemisch in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.100 °C in einer reduzierten Atmosphäre für etwa 2 Stunden befeuert werden. Dann kann das Material gewalzt werden. Danach kann das Material in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.235 °C in einer reduzierten Atmosphäre für etwa 2 Stunden befeuert werden. Danach kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das resultierende Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 467 nm haben. Tabelle 9: Kupfer dotiertes Eu2+-aktiviertes Silikat verglichen mit Eu2+-aktiviertem Silikat ohne Kupfer bei einer Anregungswellenlänge von 400 nm
    Figure 00200002
    Figure 00210001
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (12) Pb0,1Ba0,95Sr0,95Si0,998Ge0,002O4 : Eu (12)hat.
  • Ausgangsmaterialien: PbO, SrCO3, BaCO3, SiO2, GeO2, Eu2O3 und/oder jegliche Kombination davon
  • Die Ausgangsmaterialien in der Form von Oxiden und/oder Karbonaten können in stöchiometrischen Proportionen zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels, zum Beispiel NH4Cl, gemischt werden. Das Gemisch kann in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.000 °C für etwa 2 Stunden in der Luft befeuert werden. Nach dem Walzen der vorbefeuerten Materialien kann ein zweiter Befeuerungsschritt bei 1.220 °C in Luft für 4 Stunden und in reduzierender Atmosphäre für 2 Stunden folgen. Danach kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das resultierende Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 527 nm haben.
  • Tabelle 10: Blei dotiertes Eu2+-aktiviertes Silikat verglichen mit Eu2+-aktiviertem Silikat ohne Blei bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00210002
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (13) Pb0,25Sr3,75Si3O8Cl4 : Eu (13)hat.
  • Ausgangsmaterialien: PbO, SrCO3, SrCl2, SiO2, Eu2O3 und jegliche Kombination davon.
  • Die Ausgangsmaterialien in der Form von Oxiden, Chloriden und/oder Karbonaten können in stöchiometrischen Proportionen zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels, zum Beispiel NH4Cl, gemischt werden. Das Gemisch kann in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel in einem ersten Schritt bei etwa 1.100 °C für etwa 2 Stunden in der Luft befeuert werden. Nach dem Walzen der vorbefeuerten Materialien kann ein zweiter Befeuerungsschritt bei etwa 1.220 °C in der Luft für etwa 4 Stunden und in einer reduzierten Atmosphäre für etwa 1 Stunde folgen. Danach kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das resultierende Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 492 nm haben.
  • Tabelle 11: Blei dotiertes Eu2+-aktiviertes Chlorsilikat verglichen mit Eu2+-aktiviertem Chlorsilikat ohne Blei bei einer Anregungswellenlänge von 400 nm
    Figure 00220001
  • Ergebnisse, welche mit Bezug auf Kupfer und/oder Blei dotierte Silikate erhalten wurden, werden in der Tabelle 12 gezeigt.
  • Tabelle 12: optische Eigenschaften von einigen Kupfer und/oder Blei dotierten seltenen Erdaktivierten Silikaten, welche durch langwelliges ultraviolett und/oder durch sichtbares Licht anregbar sind, und ihre Leuchtdichte in % bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00230001
  • Mit Blei und/oder Kupfer dotierten Antimonaten, welche die Formel (14) a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·d(Sb2O5)·e(M'''O)·f(M''''xOy) (14)haben,
    wobei M' Pb, Cu und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'' Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M''' Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'''' Bi, Sn, Sc, Y, La, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Gd und/oder jegliche Kombination davon sein kann; X F, Cl, Br, J und/oder jegliche Kombination davon sein kann; 0 < a ≤ 2; 0 ≤ b ≤ 2; 0 ≤ c ≤ 4; 0 < d ≤ 8; 0 ≤ e ≤ 8; 0 ≤ f ≤ 2; 1 ≤ x ≤ 2; und 1 ≤ y ≤ 5.
  • Beispiele der Zubereitung:
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (15) Cu0,2Mg1,7Li0,2Sb2O7 : Mn (15)hat.
  • Ausgangsmaterialien: CuO, MgO, Li2O, Sb2O5, MnCO3 und/oder jegliche Kombination davon.
  • Die Ausgangsmaterialien in der Form von Oxiden können in einer stöchiometrischen Proportion zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels gemischt werden. In einem ersten Schritt kann das Gemisch in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 985 °C in der Luft für etwa 2 Stunden befeuert werden. Nach der Vorbefeuerung kann das Material wieder gewalzt werden. In einem zweiten Schritt kann das Gemisch in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.200 °C in einer Atmosphäre, welche Sauerstoff enthält, für etwa 8 Stunden befeuert werden. Danach kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das resultierende Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 626 nm haben.
  • Tabelle 13: Kupfer dotiertes Antimonat verglichen mit Antimonat ohne Kupfer bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00250001
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (16) Pb0,006Ca0,6Sr0,394Sb2O6 (16)hat.
  • Ausgangsmaterialien: PbO, CaCO3, SrCO3, Sb2O5 und/oder jegliche Kombination davon.
  • Die Ausgangsmaterialien in der Form von Oxiden und/oder Karbonaten können in stöchiometrischen Proportionen zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels gemischt werden. In einem ersten Schritt kann das Gemisch in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 975 °C in der Luft für etwa 2 Stunden befeuert werden. Nach der Vorbefeuerung kann das Material wieder gewalzt werden. In einem zweiten Schritt kann das Gemisch in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.175 °C in der Luft für etwa 4 Stunden und dann in einer Sauerstoff-enthaltenden Atmosphäre für etwa 4 Stunden befeuert werden. Danach kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das resultierende Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 637 nm haben. Tabelle 14: Blei dotiertes Antimonat verglichen mit Antimonat ohne Blei bei einer Anregungswellenlänge von 400 nm
    Figure 00250002
    Figure 00260001
  • Ergebnisse, welche mit Bezug auf Kupfer und/oder Blei dotierte Antimonate erhalten wurden, werden in der Tabelle 15 gezeigt.
  • Tabelle 15: optische Eigenschaften von einigen Kupfer und/oder Blei dotierten Antimonaten, welche durch langwelliges ultraviolett und/oder durch sichtbares Licht anregbar sind, und ihre Leuchtdichte in % bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00260002
  • Blei und/oder Kupfer dotierte Germanate und/oder Germanat-Silikate, welche die Formel (17) a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dGeO2·e(M'''O)·f(M'' ''2O3)·g(M'''''oOp)·h(M''''''xOy) (17)haben,
    wobei M' Pb, Cu und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'' Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M''' Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'''' Sc, Y, B, Al, La, Ga, In und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M''''' Si, Ti, Zr, Mn, V, Nb, Ta, W, Mo und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'''''' Bi, Sn, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy und/oder jegliche Kombination davon sein kann; X F, Cl, Br, J und/oder jegliche Kombination davon sein kann; 0 < a ≤ 2; 0 ≤ b ≤ 2; 0 ≤ c ≤ 10; 0 < d ≤ 10; 0 ≤ e ≤ 14; 0 ≤ f ≤ 14; 0 ≤ g ≤ 10; 0 ≤ h ≤ 2; 1 ≤ o ≤ 2; 1 ≤ p ≤; 1 ≤ x ≤ 2; und 1 ≤ y ≤ 5.
  • Beispiel der Zubereitung:
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (18) Pb0,004Ca1,99Zn0,006Ge0,8Si0,2O4 : Mn (18)hat.
  • Ausgangsmaterialien: PbO, CaCO3, ZnO, GeO2, SiO2, MnCO3 und/oder jegliche Kombination davon.
  • Die Ausgangsmaterialien in der Form von Oxiden und/oder Karbonaten können in stöchiometrischen Proportionen zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels, zum Beispiel NH4Cl, gemischt werden. In einem ersten Schritt kann das Gemisch in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.200 °C in einer Sauerstoff-enthaltenden Atmosphäre für etwa 2 Stunden befeuert werden. Dann kann das Material wieder gewalzt werden. In einem zweiten Schritt kann das Gemisch in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.200 °C in einer Sauerstoff-enthaltenden Atmosphäre für etwa 2 Stunden befeuert werden. Danach kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das resultierende Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 655 nm haben.
  • Tabelle 16: Blei dotiertes Mn-aktiviertes Germanat verglichen mit Mn-aktiviertem Germanat ohne Blei bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00280001
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (19) CU0,46Sr0,54Ge0,6Si0,4O3 : Mn (19)hat.
  • Ausgangsmaterialien: CuO, SrCO3, GeO2, SiO2, MnCO3 und/oder jegliche Kombination davon
  • Die Ausgangsmaterialien in der Form von Oxiden und/oder Karbonaten können in stöchiometrischen Proportionen zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels, zum Beispiel NH4Cl, gemischt werden. In einem ersten Schritt kann das Gemisch in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.100 °C in einer Sauerstoff-enthaltenden Atmosphäre für etwa 2 Stunden befeuert werden. Dann kann das Material wieder gewalzt werden. In einem zweiten Schritt kann das Gemisch in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.180 °C in einer Sauerstoff-enthaltenden Atmosphäre für etwa 4 Stunden befeuert werden. Danach kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das resultierende Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 658 nm haben.
  • Tabelle 17: Kupfer dotiertes Mn-aktiviertes Germanat-Silikat verglichen mit Mn-aktiviertem Germanat-Silikat ohne Kupfer bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00290001
  • Tabelle 18: optische Eigenschaften von einigen Kupfer und/oder Blei dotierten Germanat-Silikaten, welche durch langwelliges ultraviolett und/oder durch sichtbares Licht anregbar sind, und ihre Leuchtdichte in % bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00290002
  • Blei und/oder Kupfer dotierte Phosphate, welche die Formel (20) a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dP2O5·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M''''O2)·h(M''''''xOy) (20)haben,
    wobei M' Pb, Cu und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'' Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M''' Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'''' Sc, Y, B, Al, La, Ga, In und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M''''' Si, Ge, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, W, Mo und/oder jegliche Kombination davon sein kann; M'''''' Bi, Sn, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, Ce, Tb und/oder jegliche Kombination davon sein kann; X F, Cl, Br, J und/oder jegliche Kombination davon sein kann; 0 < a ≤ 2; 0 ≤ b ≤ 12; 0 ≤ c ≤ 16; 0 < d ≤ 3; 0 ≤ e ≤ 5; 0 ≤ f ≤ 3; 0 ≤ g ≤ 2; 0 ≤ h ≤ 2; 1 ≤ x ≤ 2; und 1 ≤ y ≤ 5.
  • Beispiele der Zubereitung:
  • Zubereitung des Lumineszenzmaterials, welches die Formel (21) Cu0,02Ca4,98(PO4)3Cl : Eu (21)hat.
  • Ausgangsmaterialien: CuO, CaCO3, Ca3(PO4) 2 , CaCl2, Eu2O3 und/oder jegliche Kombination davon.
  • Die Ausgangsmaterialien in der Form von Oxiden, Phosphaten und/oder Karbonaten und Chloriden können in stöchiometrischen Proportionen zusammen mit kleinen Mengen eines Flussmittels gemischt werden. Das Gemisch kann in einem Aluminiumoxid-Schmelztiegel bei etwa 1.240 °C in einer reduzierenden Atmosphäre für etwa 2 Stunden befeuert werden. Danach kann das Material gewalzt, gewaschen, getrocknet und gesiebt werden. Das Lumineszenzmaterial kann ein Emissionsmaximum bei etwa 450 mit haben.
  • Tabelle 19: Kupfer dotiertes Eu2+-aktiviertes Chlorphosphat verglichen mit Eu2+-aktiviertem Chlorphosphat ohne Kupfer bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00310001
  • Tabelle 20: Kupfer und/oder Blei dotierte Phosphate, welche durch langwelliges ultraviolett und/oder durch sichtbares Licht anregbar sind, und ihre Leuchtdichte in % bei einer Anregungswellenlänge von etwa 400 nm
    Figure 00310002
  • Währenddessen kann der Phosphor der Licht emittierenden Vorrichtung im Einklang mit dieser Erfindung eine chemische Verbindung des Aluminat-, Silikat-, Antimonat-, Germanat-, des Phosphat-Typs und jegliche Kombination davon umfassen.
  • 6 ist ein Emissionsspektrum der Ausführungsform gemäß der Erfindung, wobei der Phosphor für die Licht emittierende Vorrichtung verwendet wird. Die Ausführungsform kann eine Licht emittierende Diode mit einer Wellenlänge bei 405 nm und den Phosphor haben, welcher ein Gemisch der ausgewählten mehreren chemischen Verbindungen in einem geeigneten Verhältnis ist. Der Phosphor kann aus Cu0,05BaMg1,95Al16O27 : Eu, das eine Peakwellenlänge bei etwa 451 nm haben kann, Cu0,03Sr1,5Ca0,47SiO4 : Eu, das eine Peakwellenlänge bei etwa 586 nm haben kann, Pb0,006Ca0,6Sr0,394Sb2O6 : Mn4+, das eine Peakwellenlänge bei etwa 637 nm haben kann, Pb0,15Ba1,84Zn0,01Si0,99Zr0,01O4 : Eu, das eine Peakwellenlänge bei ungefähr 512 nm haben kann, und aus Cu0,2Sr3,8Al14O25 : Eu, das eine Peakwellenlänge bei etwa 494 nm haben kann, zusammengesetzt sein.
  • In solch einer Ausführungsform wird ein Teil des Eingangs-Emissionslichts mit der Wellenlänge von etwa 405 nm von der Licht emittierenden Diode durch den Phosphor absorbiert, und es wird zu einer längeren zweiten Wellenlänge verändert. Das erste und das zweite Licht werden zusammen gemischt, und die gewünschte Emission wird hergestellt. Wie bei der gezeigten 6 verändert die Licht emittierende Vorrichtung das erste UV Licht mit einer Wellenlänge von 405 nm in einen breiten Spektralbereich des sichtbaren Lichts, das heißt in weißes Licht, und zu diesem Zeitpunkt ist die Farbtemperatur etwa 3.000 K, und der CRI ist etwa 90 bis etwa 95.
  • 7 ist ein Emissionsspektrum einer anderen Ausführungsform gemäß der Erfindung, wobei der Phosphor für die Licht emittierende Vorrichtung angewendet wird. Die Ausführungsform kann eine Licht emittierende Diode mit einer Wellenlänge von etwa 455 nm und den Phosphor haben, welcher ein Gemisch der ausgewählten mehreren chemischen Verbindungen in einem geeigneten Verhältnis ist.
  • Der Phosphor ist aus Cu0,05Sr1,7Ca0,25SiO4 : Eu, das eine Peakwellenlänge bei etwa 592 nm haben kann, Pb0,1Ba0,95Sr0,95Si0,998Ge0,002O4 : Eu, das eine Peakwellenlänge bei etwa 527 nm haben kann, und aus Cu0,05Li0,002Sr1,5Ba0,448SiO4 : Gd, Eu, das eine Peakwellenlänge bei etwa 557 nm haben kann, zusammengesetzt.
  • In solch einer Ausführungsform wird ein Teil des Eingangs-Emissionslichts mit der Wellenlänge von etwa 455 nm von der Licht emittierenden Diode durch den Phosphor absorbiert, und es wird zu einer längeren zweiten Wellenlänge verändert. Das erste und das zweite Licht werden zusammen gemischt, und die gewünschte Emission wird hergestellt. Wie bei der gezeigten 7 verändert die Licht emittierende Vorrichtung das erste blaue Licht mit einer Wellenlänge von etwa 455 nm in einen breiten Spektralbereich des sichtbaren Lichts, das heißt in weißes Licht, und zu diesem Zeitpunkt ist die Farbtemperatur etwa 4.000 K bis etwa 6.500 K, und der CRI ist etwa 86 bis etwa 93.
  • Der Phosphor der Licht emittierenden Vorrichtung gemäß der Erfindung kann durch eine einzelne chemische Verbindung oder einem Gemisch einer Vielzahl von einzelnen chemischen Verbindungen neben den Ausführungsformen in Bezug auf 6 und 7, welche oben erklärt werden, angewendet werden.
  • Gemäß der obigen Beschreibung kann eine Licht emittierende Vorrichtung mit einem weiten Farbtemperaturbereich von etwa 2.000 K oder etwa 8.000 K oder etwa 10.000 K und einem besseren Farbwiedergabe-Index von mehr als etwa 90 unter Verwendung der Blei und/oder Kupfer dotierten chemischen Verbindungen realisiert werden, welche seltene Erdelemente enthalten.
  • Solch eine Wellenlängen-Umwandlungs-Licht emittierende Vorrichtung ist für eine Anwendung für ein Mobiltelefon, einen Laptop, und elektronische Vorrichtungen, wie Haushaltsgeräte, eine Stereoanlage, Telekommunikationsprodukte, aber auch für eine Gebrauchsanzeigen-Tastatur und Gegenlichtanwendung geeignet. Ferner kann sie für ein Automobil, ein medizinisches Instrument und Illuminationsprodukte angewendet werden.
  • Gemäß der Erfindung ist es auch möglich, eine Wellenlängen-Umwandlungs-Licht emittierende Vorrichtung mit einer Stabilität gegen Wasser, Feuchtigkeit, Dampf genauso wie gegen andere polare Lösungsmittel zur Verfügung zu stellen.
  • In den vorhergehenden Ausführungsformen werden verschiedene Merkmale zusammen in eine einzelne Ausführungsform für Zwecke der Rationalisierung der Offenbarung gruppiert. Dieses Verfahren der Offenbarung soll nicht so interpretiert werden, das Ziel zu reflektieren, dass die beanspruchte Erfindung mehr Merkmale benötigt als ausdrücklich in jedem Anspruch rezitiert werden. Vielmehr, wie die folgenden Ansprüche reflektieren, liegen die erfinderischen Aspekte in weniger als alle Merkmale einer einzelnen vorhergehend offenbarten Ausführungsform. Deshalb sind die folgenden Ansprüche hiermit in diese detaillierte Beschreibung der Ausführungsformen aufgenommen, wobei jeder Anspruch für sich alleine steht als eine getrennte bevorzugte Ausführungsform der Erfindung.

Claims (21)

  1. Eine Licht emittierende Vorrichtung, umfassend: ein Substrat; eine Vielzahl von Elektroden, welche auf dem Substrat zur Verfügung gestellt werden; eine Licht emittierende Diode, welche so konfiguriert ist, Licht zu emittieren, wobei die Licht emittierende Diode auf einer der Vielzahl von Elektroden zur Verfügung gestellt wird; Phosphore, welche so konfiguriert sind, eine Wellenlänge des Lichts zu verändern, wobei die Phosphore im Wesentlichen mindestens einen Teil der Licht emittierenden Diode bedecken; und eine elektrisch leitfähige Vorrichtung, welche so konfiguriert ist, die Licht emittierende Diode mit einer anderen der Vielzahl von Elektroden zu verbinden, wobei die Phosphore Phosphore einschließen, die mit einem mit Blei und/oder Kupfer dotiertem Sauerstoff angereichert sind.
  2. Eine Licht emittierende Vorrichtung, umfassend: eine Vielzahl von Bleien; einen Diodenhalter, welcher am Ende von einem der Vielzahl von Bleien zur Verfügung gestellt wird; eine Licht emittierende Diode, welche in dem Diodenhalter zur Verfügung gestellt wird, wobei die Licht emittierende Diode eine Vielzahl von Elektroden einschließt; Phosphore, welche so konfiguriert sind, eine Wellenlänge des Lichts zu verändern, wobei die Phosphore im Wesentlichen mindestens einen Teil der Licht emittierenden Diode bedecken; und eine elektrisch leitfähige Vorrichtung, welche so konfiguriert ist, die Licht emittierende Diode mit einem anderen der Vielzahl von Bleien zu verbinden, wobei die Phosphore Phosphore einschließen, die mit einem mit Blei und/oder Kupfer dotiertem Sauerstoff angereichert sind.
  3. Eine Licht emittierende Vorrichtung, umfassend: ein Gehäuse; ein Kühlkörper, welcher mindestens teilweise in dem Gehäuse zur Verfügung gestellt wird; eine Vielzahl von Bleirahmen, welche auf dem Kühlkörper zur Verfügung gestellt werden; eine Licht emittierende Diode, welche auf einem der Vielzahl von Bleirahmen befestigt wird; Phosphore, welche so konfiguriert sind, eine Wellenlänge des Lichts zu verändern, wobei die Phosphore im Wesentlichen mindestens einen Teil der Licht emittierenden Diode bedecken; und eine elektrisch leitfähige Vorrichtung, welche so konfiguriert ist, die Licht emittierende Diode mit einem anderen der Vielzahl von Bleirahmen zu verbinden, wobei die Phosphore Phosphore einschließen, die mit einem mit Blei und/oder Kupfer dotiertem Sauerstoff angereichert sind.
  4. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1 oder 2 ferner umfassend eine elektrisch leitfähige Paste, welche zwischen der Licht emittierenden Diode und einer der Vielzahl von Elektroden zur Verfügung gestellt wird.
  5. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 3 ferner umfassend eine elektrisch leitfähige Paste, welche zwischen der Licht emittierenden Diode und dem Kühlkörper zur Verfügung gestellt wird.
  6. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Phosphore eine oder mehrere einzelne Verbindungen oder jegliche Kombination davon einschließen.
  7. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1 ferner umfassend einen Reflektor, welcher so konfiguriert ist, das Licht von der Licht emittierenden Diode zu reflektieren.
  8. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3 ferner umfassend ein Abdichtungsmaterial, welches so konfiguriert ist, die Licht emittierende Diode und die Phosphore zu bedecken.
  9. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 8, wobei die Phosphore in dem Abdichtungsmaterial verteilt sind.
  10. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Phosphore mit einem härtenden Material gemischt sind.
  11. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 3, wobei mindestens einer der Vielzahl von Bleirahmen aus dem Gehäuse hervorsteht.
  12. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 3, wobei der Kühlkörper eine Vielzahl von Kühlkörpern umfasst.
  13. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Licht emittierende Diode eine Vielzahl von Licht emittierenden Dioden umfasst.
  14. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, wobei der Phosphor Aluminattyp-Verbindungen, Blei und/oder Kupfer dotierte Silikate, Blei und/oder Kupfer dotierte Antimonate, Blei und/oder Kupfer dotierte Germanate, Blei und/oder Kupfer dotierte Germanat-Silikate, Blei und/oder Kupfer dotierte Phosphate oder jegliche Kombination davon einschließt.
  15. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Phosphore eine Verbindung einschließen, welche die Formel (1) a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dAl2O3·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M'''''oOp)·h(M''''''xpy) (1)hat, wobei M' Pb, Cu oder jegliche Kombination davon ist; M'' ein oder mehrere monovalente(s) Element(e), Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag oder jegliche Kombination davon, ist; M''' ein oder mehrere bivalente(s) Element(e), Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn oder jegliche Kombination davon, ist; M'''' ein oder mehrere trivalente(s) Element(e), Sc, B, Ga, In und/oder jegliche Kombination davon, ist; M''''' Si, Ge, Ti, Zr, Mn, V, Nb, Ta, W, Mo oder jegliche Kombination davon ist; M'''''' Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu oder jegliche Kombination davon ist; X F, Cl, Br, J oder jegliche Kombination davon ist; 0 < a ≤ 2; 0 ≤ b ≤ 2; 0 ≤ c ≤ 2; 0 ≤ d ≤ 8; 0 ≤ e ≤ 4; 0 ≤ f ≤ 3; 0 ≤ g ≤ 8; 0 < h ≤ 2; 1 ≤ o ≤ 2; 1 ≤ p ≤ 5; 1 ≤ x ≤ 2; und 1 ≤ y ≤ 5.
  16. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Phosphore eine Verbindung einschließen, welche die Formel (2) a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·4-a-b -c(M'''O)·7(Al2O3)·d(B2O3)·e(Ga2O3)·f(SiO2)·g(GeO2)·h(M''''xOy) (2)hat, wobei M' Pb, Cu oder jegliche Kombination davon ist; M'' ein oder mehrere monovalente(s) Element(e), Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag und/oder jegliche Kombination davon, ist; M''' ein oder mehrere bivalente(s) Element(e), Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn und/oder jegliche Kombination davon, ist; M'''' Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, In, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu und jegliche Kombination davon ist; X F, Cl, Br, J und jegliche Kombination davon ist; 0 < a ≤ 4; 0 ≤ b ≤ 2; 0 ≤ c ≤ 2; 0 ≤ d ≤ 1; 0 ≤ e ≤ 1; 0 ≤ f ≤ 1; 0 ≤ g ≤ 1; 0 < h ≤ 2; 1 ≤ x ≤ 2; und 1 ≤ y ≤ 5.
  17. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Phosphore eine Verbindung einschließen, welche die Formel (5) a(M'O)·b(M''O)·c(Al2O3)·d(M'''2O3)·e(M''''O2)·f(M'''''xOy) (5)hat, wobei M' Pb, Cu oder jegliche Kombination davon ist; M'' Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn oder jegliche Kombination davon ist; M''' B, Ga, In oder jegliche Kombination davon ist; M'''' Si, Ge, Ti, Zr, Hf oder jegliche Kombination davon ist; M''''' Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu oder jegliche Kombination davon ist; 0 < a ≤ 1; 0 ≤ b ≤ 2; 0 < c ≤ 8; 0 ≤ d ≤ 1; 0 ≤ e ≤ 1; 0< f ≤ 2; 1 ≤ x ≤ 2; und 1 ≤ y ≤ 5.
  18. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Phosphore eine Verbindung einschließen, welche die Formel (9) a(M'O)·b(M''O)·c(M'''X)·d(M'''2O)·e(M''''2O3)·f(M'''''oOp)·g(SiO2)·h(M''''''xOy) (9)hat, wobei M' Pb, Cu oder jegliche Kombination davon ist; M'' Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn oder jegliche Kombination davon ist; M''' Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag oder jegliche Kombination davon ist; M'''' Al, Ga, In oder jegliche Kombination davon ist; M''''' Ge, V, Nb, Ta, W, Mo, Ti, Zr, Hf oder jegliche Kombination davon ist; M'''''' Bi, Sn, Sb, Sc, Y, La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu oder jegliche Kombination davon ist; X F, Cl, Br, J und jegliche Kombination davon ist; 0 < a ≤ 2; 0 < b ≤ 8; 0 ≤ c ≤ 4; 0 ≤ d ≤ 2; 0 ≤ e ≤ 2; 0 ≤ f ≤ 2; 0 ≤ g ≤ 10; 0 < h ≤ 5; 1 ≤ o ≤ 2; 1 ≤ p ≤ 5; 1 ≤ x ≤ 2; und 1 ≤ y ≤ 5.
  19. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Phosphore eine Verbindung einschließen, welche die Formel (14) a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·d(Sb2O5)·e(M'''O)·f(M''''xOy) (14)hat, wobei M' Pb, Cu oder jegliche Kombination davon ist; M'' Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag oder jegliche Kombination davon ist; M''' Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn oder jegliche Kombination davon ist; M'''' Bi, Sn, Sc, Y, La, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Gd oder jegliche Kombination davon ist; X F, Cl, Br, J oder jegliche Kombination davon ist; 0 < a ≤ 2; 0 ≤ b ≤ 2; 0 ≤ c ≤ 4; 0 < d ≤ 8; 0 ≤ e ≤ 8; 0 ≤ f ≤ 2; 1 ≤ x ≤ 2; und 1 ≤ y ≤ 5.
  20. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Phosphore eine Verbindung einschließen, welche die Formel (17) a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dGeO2·e(M'''O)·f(M''''2O3)·g(M'''''oOp)·h(M''''''xOy) (17)hat, wobei M' Pb, Cu oder jegliche Kombination davon ist; M'' Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag oder jegliche Kombination davon ist; M''' Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd oder jegliche Kombination davon ist; M'''' Sc, Y, B, Al, La, Ga, In oder jegliche Kombination davon ist; M''''' Si, Ti, Zr, Mn, V, Nb, Ta, W, Mo oder jegliche Kombination davon ist; M'''''' Bi, Sn, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy oder jegliche Kombination davon ist; X F, Cl, Br, J oder jegliche Kombination davon ist; 0 < a ≤ 2; 0 ≤ b ≤ 2; 0 ≤ c ≤ 10; 0 < d ≤ 10; 0 ≤ e ≤ 14; 0 ≤ f ≤ 14; 0 ≤ g ≤ 10; 0 ≤ h ≤ 2; 1 ≤ o ≤ 2; 1 ≤ P ≤ 5; 1 ≤ x ≤ 2; und 1 ≤ y ≤ 5.
  21. Die Licht emittierende Vorrichtung gemäß Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Phosphore eine Verbindung einschließen, welche die Formel (20) a(M'O)·b(M''2O)·c(M''X)·dP2O5·e(M''''O)·f(M''''2O3)·g(M'''''O2)·h(M''''''xOy) (20)hat, wobei M' Pb, Cu oder jegliche Kombination davon ist; M'' Li, Na, K, Rb, Cs, Au, Ag oder jegliche Kombination davon ist; M''' Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Zn, Cd, Mn oder jegliche Kombination davon ist; M'''' Sc, Y, B, Al, La, Ga, In oder jegliche Kombination davon ist; M''''' Si, Ge, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, W, Mo oder jegliche Kombination davon ist; M'''''' Bi, Sn, Pr, Sm, Eu, Gd, Dy, Ce, Tb oder jegliche Kombination davon ist; X F, Cl, Br, J oder jegliche Kombination davon ist; 0 < a ≤ 2; 0 ≤ b ≤ 12; 0 ≤ c ≤ 16; 0 < d ≤ 3; 0 ≤ e ≤ 5; 0 ≤ f ≤ 3; 0 ≤ g ≤ 2; 0 < h ≤ 2; 1 ≤ x ≤ 2; und 1 ≤ y ≤ 5.
DE202004021351U 2004-06-10 2004-12-22 Licht emittierende Vorrichtung Expired - Lifetime DE202004021351U1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE202004021351U DE202004021351U1 (de) 2004-06-10 2004-12-22 Licht emittierende Vorrichtung

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040042396A KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2004-06-10 발광장치
KR2004042396 2004-06-10
DE202004021351U DE202004021351U1 (de) 2004-06-10 2004-12-22 Licht emittierende Vorrichtung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE202004021351U1 true DE202004021351U1 (de) 2007-10-11

Family

ID=34930126

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602004028710T Active DE602004028710D1 (de) 2004-06-10 2004-12-22 Lichtemittierende Vorrichtung
DE202004021351U Expired - Lifetime DE202004021351U1 (de) 2004-06-10 2004-12-22 Licht emittierende Vorrichtung

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE602004028710T Active DE602004028710D1 (de) 2004-06-10 2004-12-22 Lichtemittierende Vorrichtung

Country Status (11)

Country Link
US (4) US7554129B2 (de)
EP (3) EP2253690A3 (de)
JP (1) JP4159542B2 (de)
KR (1) KR100665298B1 (de)
CN (2) CN100442553C (de)
AT (1) ATE478126T1 (de)
DE (2) DE602004028710D1 (de)
ES (2) ES2350830T3 (de)
MX (1) MX2007007648A (de)
PT (1) PT1605030E (de)
TW (2) TWI328885B (de)

Families Citing this family (105)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004074556A2 (ja) * 2003-02-24 2004-09-02 Waseda University β‐Ｇａ2Ｏ3系単結晶成長方法、薄膜単結晶の成長方法、Ｇａ2Ｏ3系発光素子およびその製造方法
US7521667B2 (en) 2003-06-23 2009-04-21 Advanced Optical Technologies, Llc Intelligent solid state lighting
US7145125B2 (en) 2003-06-23 2006-12-05 Advanced Optical Technologies, Llc Integrating chamber cone light using LED sources
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
US7564180B2 (en) 2005-01-10 2009-07-21 Cree, Inc. Light emission device and method utilizing multiple emitters and multiple phosphors
US8125137B2 (en) 2005-01-10 2012-02-28 Cree, Inc. Multi-chip light emitting device lamps for providing high-CRI warm white light and light fixtures including the same
KR100724591B1 (ko) * 2005-09-30 2007-06-04 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
KR101258397B1 (ko) * 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
JP5249773B2 (ja) * 2005-11-18 2013-07-31 クリー インコーポレイテッド 可変電圧ブースト電流源を有する固体照明パネル
US7926300B2 (en) 2005-11-18 2011-04-19 Cree, Inc. Adaptive adjustment of light output of solid state lighting panels
US8514210B2 (en) 2005-11-18 2013-08-20 Cree, Inc. Systems and methods for calibrating solid state lighting panels using combined light output measurements
KR101055772B1 (ko) * 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
EP2372223A3 (de) 2005-12-21 2012-08-01 Cree, Inc. Beleuchtungsvorrichtung und Beleuchtungsverfahren
TWI421438B (zh) * 2005-12-21 2014-01-01 克里公司 照明裝置
KR20090009772A (ko) 2005-12-22 2009-01-23 크리 엘이디 라이팅 솔루션즈, 인크. 조명 장치
RU2315135C2 (ru) 2006-02-06 2008-01-20 Владимир Семенович Абрамов Метод выращивания неполярных эпитаксиальных гетероструктур на основе нитридов элементов iii группы
EP1999232B1 (de) 2006-03-16 2017-06-14 Seoul Semiconductor Co., Ltd Leuchtstoff und davon gebrauch machende leuchtdiode
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
KR101274044B1 (ko) * 2006-03-31 2013-06-12 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함한 ｌｅｄ 백라이트
US7828460B2 (en) 2006-04-18 2010-11-09 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US8513875B2 (en) 2006-04-18 2013-08-20 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9084328B2 (en) 2006-12-01 2015-07-14 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7997745B2 (en) 2006-04-20 2011-08-16 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US7777166B2 (en) * 2006-04-21 2010-08-17 Cree, Inc. Solid state luminaires for general illumination including closed loop feedback control
US7648257B2 (en) 2006-04-21 2010-01-19 Cree, Inc. Light emitting diode packages
US7625103B2 (en) 2006-04-21 2009-12-01 Cree, Inc. Multiple thermal path packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods
KR101340682B1 (ko) 2006-05-05 2013-12-12 크리, 인코포레이티드 조명 장치
KR101263934B1 (ko) * 2006-05-23 2013-05-10 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 및 그의 제조방법
JP2009538536A (ja) 2006-05-26 2009-11-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 固体発光デバイス、および、それを製造する方法
EP2029936B1 (de) 2006-05-31 2015-07-29 Cree, Inc. Beleuchtungsvorrichtung und beleuchtungsverfahren
WO2007142947A2 (en) * 2006-05-31 2007-12-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device with color control, and method of lighting
KR101258229B1 (ko) * 2006-06-30 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
JP5205724B2 (ja) * 2006-08-04 2013-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101258227B1 (ko) 2006-08-29 2013-04-25 서울반도체 주식회사 발광 소자
US7766508B2 (en) * 2006-09-12 2010-08-03 Cree, Inc. LED lighting fixture
US7665862B2 (en) 2006-09-12 2010-02-23 Cree, Inc. LED lighting fixture
JP3964449B1 (ja) * 2006-10-06 2007-08-22 根本特殊化学株式会社 橙色発光蛍光体
US8029155B2 (en) 2006-11-07 2011-10-04 Cree, Inc. Lighting device and lighting method
US9441793B2 (en) 2006-12-01 2016-09-13 Cree, Inc. High efficiency lighting device including one or more solid state light emitters, and method of lighting
JP2008140704A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Stanley Electric Co Ltd Ｌｅｄバックライト
CN101611259B (zh) 2006-12-07 2012-06-27 科锐公司 照明装置和照明方法
CN100503776C (zh) * 2006-12-19 2009-06-24 上海师范大学 一种CaSiO3:Pb,Mn纳米红色荧光材料的制备方法
JP2008166782A (ja) 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子
KR101423456B1 (ko) 2006-12-28 2014-07-29 서울반도체 주식회사 형광막 구조를 포함하는 백라이팅 유닛
WO2008082136A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Back lighting unit having phosphor film structure
US8258682B2 (en) * 2007-02-12 2012-09-04 Cree, Inc. High thermal conductivity packaging for solid state light emitting apparatus and associated assembling methods
TWI560405B (en) 2007-02-22 2016-12-01 Cree Inc Lighting devices, methods of lighting, light filters and methods of filtering light
KR101396588B1 (ko) * 2007-03-19 2014-05-20 서울반도체 주식회사 다양한 색온도를 갖는 발광 장치
US7824070B2 (en) * 2007-03-22 2010-11-02 Cree, Inc. LED lighting fixture
WO2008137975A1 (en) 2007-05-08 2008-11-13 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and lighting method
BRPI0811561A2 (pt) 2007-05-08 2015-06-16 Cree Led Lighting Solutions Dispositivo de iluminação e método de iluminação
CN101688644B (zh) 2007-05-08 2011-06-15 科锐Led照明科技公司 照明装置及照明方法
JP2010527156A (ja) 2007-05-08 2010-08-05 クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド 照明デバイスおよび照明方法
EP2142844B1 (de) 2007-05-08 2017-08-23 Cree, Inc. Beleuchtungsvorrichtung und beleuchtungsverfahren
US20090002979A1 (en) * 2007-06-27 2009-01-01 Cree, Inc. Light emitting device (led) lighting systems for emitting light in multiple directions and related methods
US8042971B2 (en) * 2007-06-27 2011-10-25 Cree, Inc. Light emitting device (LED) lighting systems for emitting light in multiple directions and related methods
WO2009012287A1 (en) 2007-07-17 2009-01-22 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Optical elements with internal optical features and methods of fabricating same
US7863635B2 (en) 2007-08-07 2011-01-04 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with applied wavelength conversion materials
RU2467051C2 (ru) 2007-08-22 2012-11-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Люминофоры на основе нестехиометрических тетрагональных силикатов меди и щелочноземельного металла и способ их получения
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치
CN101821544B (zh) 2007-10-10 2012-11-28 科锐公司 照明装置及制造方法
CN100546058C (zh) * 2007-10-15 2009-09-30 佛山市国星光电股份有限公司 功率发光二极管封装结构
US8866410B2 (en) 2007-11-28 2014-10-21 Cree, Inc. Solid state lighting devices and methods of manufacturing the same
TWM337834U (en) * 2007-12-10 2008-08-01 Everlight Electronics Co Ltd Package structure for light emitting diode
US8240875B2 (en) 2008-06-25 2012-08-14 Cree, Inc. Solid state linear array modules for general illumination
TW201019006A (en) * 2008-11-06 2010-05-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd LED light module
JP2010171379A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Seiko Instruments Inc 発光デバイス
TWI376043B (en) * 2009-01-23 2012-11-01 Everlight Electronics Co Ltd Light emitting device package structure and manufacturing method thereof
US8610156B2 (en) 2009-03-10 2013-12-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
KR101047603B1 (ko) * 2009-03-10 2011-07-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
KR101092063B1 (ko) 2009-04-28 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
WO2010130075A1 (zh) * 2009-05-11 2010-11-18 海洋王照明科技股份有限公司 全彩色发光材料及其制备方法
US8921876B2 (en) 2009-06-02 2014-12-30 Cree, Inc. Lighting devices with discrete lumiphor-bearing regions within or on a surface of remote elements
DE102009030205A1 (de) 2009-06-24 2010-12-30 Litec-Lp Gmbh Leuchtstoffe mit Eu(II)-dotierten silikatischen Luminophore
KR101055762B1 (ko) 2009-09-01 2011-08-11 서울반도체 주식회사 옥시오소실리케이트 발광체를 갖는 발광 물질을 채택한 발광 장치
EP2480625A4 (de) 2009-09-21 2013-04-03 Univ Georgia Nahinfrarot-dotierte phosphore mit einer zink-germanium-gallat-matrix
US8894882B2 (en) 2009-09-21 2014-11-25 University Of Georgia Research Foundation, Inc. Near infrared doped phosphors having an alkaline gallate matrix
EP2480816A1 (de) 2009-09-25 2012-08-01 Cree, Inc. Beleuchtungsvorrichtung mit geringem blendeffekt und hoher lichtstärkenuniformität
DE102009059798A1 (de) 2009-12-21 2011-06-22 LITEC-LP GmbH, 17489 Mittel zur Verbesserung der Stabilität gegenüber der auftretenden Strahlenbelastung sowie Resistenz gegenüber dem Einfluß von Luftfeuchtigkeit bei Strontiumoxyorthosilikat-Leuchtstoffen
CN102666781B (zh) 2009-12-21 2016-02-24 首尔半导体株式会社 具有氧正硅酸锶型磷光体的发光装置
US8338317B2 (en) 2011-04-06 2012-12-25 Infineon Technologies Ag Method for processing a semiconductor wafer or die, and particle deposition device
US9275979B2 (en) 2010-03-03 2016-03-01 Cree, Inc. Enhanced color rendering index emitter through phosphor separation
DE112010005456T5 (de) * 2010-03-16 2013-06-13 "Dis Plus" Ltd. Verfahren zur Lichtstromfarbregelung einer Weißleuchtdiode und Einrichtung zur Durchführung des Verfahrens
US20110309393A1 (en) * 2010-06-21 2011-12-22 Micron Technology, Inc. Packaged leds with phosphor films, and associated systems and methods
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
TWI418742B (zh) * 2011-06-30 2013-12-11 Lextar Electronics Corp 發光元件的封裝結構
KR20140082708A (ko) * 2011-09-28 2014-07-02 헨켈 아게 운트 코. 카게아아 옥세탄 함유 화합물 및 그의 조성물
CN102560659B (zh) * 2012-03-21 2015-01-07 新疆紫晶光电技术有限公司 一种非线性光学晶体及其制备方法和用途
WO2014025345A1 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 University Of South Carolina Stable phosphors for lighting applications
CN104736663A (zh) * 2012-10-31 2015-06-24 海洋王照明科技股份有限公司 锗酸盐发光材料及其制备方法
CN104241262B (zh) 2013-06-14 2020-11-06 惠州科锐半导体照明有限公司 发光装置以及显示装置
JP6682433B2 (ja) * 2013-11-13 2020-04-15 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 青緑色蛍光体、それを含む発光素子パッケージ及び照明装置
JP6519746B2 (ja) * 2014-10-23 2019-05-29 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 蛍光体材料及び発光装置
EP3431569B1 (de) * 2016-03-14 2020-12-16 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. Fluoreszente substanz
US20200093238A1 (en) * 2016-06-16 2020-03-26 Harsh Kumar Mobile phone case having mirrored surface and lighting
EP3568877A1 (de) * 2017-01-13 2019-11-20 Juha Rantala Led-struktur und leuchte zur kontinuierlichen desinfektion
US11856858B2 (en) 2017-10-16 2023-12-26 Akoustis, Inc. Methods of forming doped crystalline piezoelectric thin films via MOCVD and related doped crystalline piezoelectric thin films
CN110444644B (zh) * 2019-07-26 2022-10-14 浙江大学 一种增强硅基铒掺杂ZnO薄膜电致发光的器件及制备方法
KR102205984B1 (ko) * 2019-12-03 2021-01-21 에스지에너지주식회사 자정작용 특성을 갖는 칼라 태양광 모듈 제조방법
CN116925760A (zh) * 2023-07-12 2023-10-24 安徽三联学院 一种Mn4+激活锑酸盐红色荧光材料及其制备方法

Family Cites Families (159)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2110162A (en) 1938-03-08 Luminescent material
US2402760A (en) 1942-06-27 1946-06-25 Rca Corp Luminescent material
US2617773A (en) 1948-09-10 1952-11-11 Westinghouse Electric Corp Lead activated calcium tungstate phosphor
US2570136A (en) 1949-12-22 1951-10-02 Du Pont Infrared phosphors
US2719128A (en) 1950-06-21 1955-09-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Luminescent material
US2780600A (en) 1955-01-24 1957-02-05 Westinghouse Electric Corp Lead-and manganese-activated cadmium-sodium fluorophosphate phosphor
US3143510A (en) 1959-06-12 1964-08-04 Philips Corp Copper and tin activated orthophosphate phosphors
US3598752A (en) 1967-04-14 1971-08-10 Itt Ultraviolet emitting cathodoluminescent material
NL7013516A (de) * 1970-09-12 1972-03-14
US3644212A (en) 1971-02-18 1972-02-22 Westinghouse Electric Corp Zinc-magnesium silico-germanate phosphor composition and method of preparing same
JPS476258U (de) 1971-02-18 1972-09-21
JPS4938994A (de) 1972-08-19 1974-04-11
US3893939A (en) 1973-01-04 1975-07-08 Us Energy Activated phosphors having matrices of yttrium-transition metal compound
US3905911A (en) 1974-09-25 1975-09-16 Gte Sylvania Inc Copper activated hafnium phosphate phosphors and method of making
JPS51119388A (en) * 1975-03-19 1976-10-19 Gte Sylvania Inc Fluorescent substances
NL7807274A (nl) * 1978-03-10 1979-09-12 Philips Nv Luminescerende stof, luminescerend scherm voorzien van een dergelijke stof en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm.
JPS55135190A (en) * 1979-04-06 1980-10-21 Dainippon Toryo Co Ltd Fluorescent substance and its manufacture
DE3029389C2 (de) * 1979-08-03 1986-04-24 Kasei Optonix, Ltd., Tokio/Tokyo Borat-Leuchtstoff
NL8006223A (nl) 1980-11-14 1982-06-01 Philips Nv Luminescerend scherm en lagedrukkwikdampontladingslamp voorzien van een dergelijk scherm.
NL8201943A (nl) 1982-05-12 1983-12-01 Philips Nv Luminescerend scherm.
JPS61258892A (ja) * 1985-05-13 1986-11-17 Matsushita Electronics Corp 螢光ランプ
JPS62197487A (ja) 1986-02-25 1987-09-01 Hitachi Ltd 蛍光体の製造方法
JPS62218476A (ja) 1986-03-18 1987-09-25 Murata Mfg Co Ltd 薄膜ｅｌ素子
US5188763A (en) * 1986-08-29 1993-02-23 Gte Products Corporation Method for preparing zinc orthosilicate phosphor
JPH07110941B2 (ja) 1987-10-19 1995-11-29 化成オプトニクス株式会社 発光組成物
US4972086A (en) 1989-02-03 1990-11-20 Eastman Kodak Company X-ray intensifying screen including a titanium activated hafnium dioxide phosphor containing erbium to reduce afterglow
EP0382295B1 (de) 1989-02-07 1993-08-04 Agfa-Gevaert N.V. Reproduktion von Röntgenbildern mit photostimulierbarem Leuchtstoff
US5060118A (en) * 1989-04-06 1991-10-22 Frank A. Arone Apparatus for daylight color duplication
JPH0578659A (ja) * 1991-09-18 1993-03-30 Toshiba Corp 蛍光体および蛍光ランプ
US5518808A (en) 1992-12-18 1996-05-21 E. I. Du Pont De Nemours And Company Luminescent materials prepared by coating luminescent compositions onto substrate particles
KR940019586A (ko) 1993-02-04 1994-09-14 휴고 라이히무트, 한스 블뢰흐레 엘리베이터용 표시소자
TW353678B (en) 1994-08-17 1999-03-01 Mitsubishi Chem Corp Aluminate phosphor
US5472636A (en) * 1994-09-14 1995-12-05 Osram Sylvania Inc. Method of preparing manganese and lead coactivated calcium silicate phosphor
PT765925E (pt) * 1995-04-14 2002-06-28 Tokyo Kagaku Kenkyusho Kk Fosforo com caracteristicas de pos-luminescencia
JPH0940946A (ja) 1995-07-28 1997-02-10 Tokyo Kagaku Kenkyusho:Kk 残光特性を有する蛍光成形体
DE19539315A1 (de) 1995-10-23 1997-04-24 Hoechst Ag UV-aktive Regeneratcellulosefasern
JPH09153644A (ja) 1995-11-30 1997-06-10 Toyoda Gosei Co Ltd ３族窒化物半導体表示装置
KR200150839Y1 (ko) 1995-12-11 1999-07-15 정몽규 버스차량의 사이드 고정 유리 장착구조
DE19638667C2 (de) 1996-09-20 2001-05-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US5965192A (en) 1996-09-03 1999-10-12 Advanced Vision Technologies, Inc. Processes for oxide based phosphors
EP0835920B1 (de) 1996-10-10 2003-04-09 Agfa-Gevaert Neuer Photostimulierbarer Leuchtstoff
US5853614A (en) 1996-12-17 1998-12-29 Beijing Hongye Coating Materials Company Long decay luminescent material
WO1998039805A1 (de) * 1997-03-03 1998-09-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Weisse lumineszenzdiode
JP2992254B2 (ja) 1997-08-11 1999-12-20 北京市豊台区宏業塗装輔料廠 高速励起・高輝度低減衰性発光材料の製造方法
CN1085719C (zh) 1997-11-21 2002-05-29 中国科学院长春应用化学研究所 镝、铅共掺高压汞灯用荧光粉的制备方法
US5952681A (en) 1997-11-24 1999-09-14 Chen; Hsing Light emitting diode emitting red, green and blue light
US6278832B1 (en) 1998-01-12 2001-08-21 Tasr Limited Scintillating substance and scintillating wave-guide element
US6855515B1 (en) * 1998-04-22 2005-02-15 Merck & Co., Inc. Autoantigenic fragments, methods and assays
JP2907286B1 (ja) 1998-06-26 1999-06-21 サンケン電気株式会社 蛍光カバーを有する樹脂封止型半導体発光装置
KR100702273B1 (ko) 1998-09-28 2007-03-30 코닌클리즈케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 조명 시스템
KR100355456B1 (ko) 1999-07-30 2002-10-11 한국전자통신연구원 형광 디스플레이용 적색 형광체와 그것의 제조방법
JP2001144331A (ja) 1999-09-02 2001-05-25 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US6686691B1 (en) 1999-09-27 2004-02-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Tri-color, white light LED lamps
TWI272299B (en) 1999-10-06 2007-02-01 Sumitomo Chemical Co A process for producing aluminate-based phosphor
JP2001115157A (ja) 1999-10-15 2001-04-24 Nippon Sheet Glass Co Ltd 蛍光体およびその製造方法
US6513949B1 (en) 1999-12-02 2003-02-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED/phosphor-LED hybrid lighting systems
JP3809760B2 (ja) 2000-02-18 2006-08-16 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
GB0012377D0 (en) 2000-05-22 2000-07-12 Isis Innovation Oxide based phosphors
JP2002057376A (ja) 2000-05-31 2002-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ｌｅｄランプ
CN100567447C (zh) 2000-06-27 2009-12-09 住友化学工业株式会社 铝酸盐荧光物质的制法、荧光物质和含荧光物质的装置
US6737801B2 (en) * 2000-06-28 2004-05-18 The Fox Group, Inc. Integrated color LED chip
JP4432275B2 (ja) 2000-07-13 2010-03-17 パナソニック電工株式会社 光源装置
DE10036940A1 (de) 2000-07-28 2002-02-07 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Lumineszenz-Konversions-LED
TW459403B (en) 2000-07-28 2001-10-11 Lee Jeong Hoon White light-emitting diode
JP4396016B2 (ja) 2000-09-21 2010-01-13 三菱化学株式会社 アルミン酸塩蛍光体、蛍光体ペースト組成物及び真空紫外線励起発光装置
EP1338555A4 (de) 2000-10-17 2004-12-08 Sharp Kk Oxidmaterial, verfahren zur herstellung von oxiddünnfilm und element, bei dem dieses material verwendet wird
JP2002173677A (ja) 2000-12-04 2002-06-21 Tokin Corp 真空紫外線励起蛍光体及びそれを用いた蛍光体ペースト
KR100392363B1 (ko) 2000-12-26 2003-07-22 한국전자통신연구원 형광체 및 그 제조방법
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
CN1187428C (zh) 2001-02-12 2005-02-02 湖南师范大学 单基双能转光剂及其制造方法和应用方法
JP2002254273A (ja) 2001-02-23 2002-09-10 Mori Seiki Co Ltd 切削工機の制御装置、切削工機及びその切削方法
JP3783572B2 (ja) 2001-03-05 2006-06-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4101468B2 (ja) * 2001-04-09 2008-06-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP3891115B2 (ja) * 2001-04-17 2007-03-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100419611B1 (ko) 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
JP4055373B2 (ja) 2001-05-31 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 発光装置の製造方法
JP2002368277A (ja) 2001-06-05 2002-12-20 Rohm Co Ltd チップ型半導体発光装置
US20030030063A1 (en) * 2001-07-27 2003-02-13 Krzysztof Sosniak Mixed color leds for auto vanity mirrors and other applications where color differentiation is critical
KR200253975Y1 (ko) 2001-08-18 2001-11-23 허성유 곤충관찰통
US6737681B2 (en) 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element
JP4032682B2 (ja) 2001-08-28 2008-01-16 三菱化学株式会社 蛍光体
US7189340B2 (en) 2004-02-12 2007-03-13 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor, light emitting device using phosphor, and display and lighting system using light emitting device
EP1367655A4 (de) * 2001-09-03 2009-05-06 Panasonic Corp "halbleiter-lichtemissionsbauelement, lichtemissionsvorrichtung und herstellungsverfahren für ein halbleiter-lichtemissionsbauelement"
US6770398B1 (en) 2001-09-11 2004-08-03 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Potassium stabilized manganese dioxide for lithium rechargeable batteries
JPWO2003034508A1 (ja) 2001-10-12 2005-02-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN1152114C (zh) 2001-10-26 2004-06-02 中国科学院长春应用化学研究所 蓝紫色、绿色硅铝锌体系长余辉发光材料的制备方法
JP2003152229A (ja) 2001-11-16 2003-05-23 Rohm Co Ltd 半導体発光装置
JP4092911B2 (ja) 2001-12-21 2008-05-28 松下電器産業株式会社 プラズマディスプレイ装置の製造方法
CN1266776C (zh) 2002-01-21 2006-07-26 诠兴开发科技股份有限公司 白色发光二极管的制造方法
TWI243339B (en) 2002-03-19 2005-11-11 Casio Computer Co Ltd Image reading apparatus and drive control method
KR100961322B1 (ko) 2002-03-22 2010-06-04 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 형광체와 그 제조 방법 및 발광 장치
JP2003321675A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物蛍光体及びその製造方法
JP4280038B2 (ja) 2002-08-05 2009-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4868685B2 (ja) 2002-06-07 2012-02-01 日亜化学工業株式会社 蛍光体
JP2003306674A (ja) * 2002-04-15 2003-10-31 Sumitomo Chem Co Ltd 白色ｌｅｄ用蛍光体とそれを用いた白色ｌｅｄ
DE10233050B4 (de) 2002-07-19 2012-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquelle auf LED-Basis für die Erzeugung von Licht unter Ausnutzung des Farbmischprinzips
US7224000B2 (en) * 2002-08-30 2007-05-29 Lumination, Llc Light emitting diode component
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
JP4263453B2 (ja) 2002-09-25 2009-05-13 パナソニック株式会社 無機酸化物及びこれを用いた発光装置
JP2004127988A (ja) 2002-09-30 2004-04-22 Toyoda Gosei Co Ltd 白色発光装置
JP2004134699A (ja) 2002-10-15 2004-04-30 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
MY149573A (en) 2002-10-16 2013-09-13 Nichia Corp Oxynitride phosphor and production process thereof, and light-emitting device using oxynitride phosphor
US7009199B2 (en) 2002-10-22 2006-03-07 Cree, Inc. Electronic devices having a header and antiparallel connected light emitting diodes for producing light from AC current
JP4072632B2 (ja) 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
JP3929885B2 (ja) 2002-12-06 2007-06-13 シーケーディ株式会社 Ｌｅｄ照明装置、ｌｅｄ照明装置の製造装置、及び、ｌｅｄ照明装置の製造方法
DE10259946A1 (de) 2002-12-20 2004-07-15 Tews, Walter, Dipl.-Chem. Dr.rer.nat.habil. Leuchtstoffe zur Konversion der ultravioletten oder blauen Emission eines lichtemittierenden Elementes in sichtbare weiße Strahlung mit sehr hoher Farbwiedergabe
CN2624578Y (zh) 2003-01-21 2004-07-07 夏志清 一种交直流两用的led灯
KR100499079B1 (ko) 2003-02-10 2005-07-01 엘지전자 주식회사 녹색 산화물 형광체
JP4387119B2 (ja) * 2003-03-27 2009-12-16 三菱電機株式会社 半導体装置
CN100412156C (zh) 2003-03-28 2008-08-20 韩国化学研究所 硅酸锶基磷光体、其制造方法和使用该磷光体的led
US7320531B2 (en) 2003-03-28 2008-01-22 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Multi-colored LED array with improved brightness profile and color uniformity
US20040206970A1 (en) 2003-04-16 2004-10-21 Martin Paul S. Alternating current light emitting device
TW200501456A (en) 2003-04-23 2005-01-01 Hoya Corp Light-emitting diode
US6982045B2 (en) 2003-05-17 2006-01-03 Phosphortech Corporation Light emitting device having silicate fluorescent phosphor
AU2003902422A0 (en) * 2003-05-19 2003-06-05 Intellirad Solutions Pty. Ltd Access security system
JP2007516593A (ja) * 2003-07-08 2007-06-21 ヘルムケン， ゲラルド，エー．，ジェイ 中央平面を製造する方法
US6987353B2 (en) 2003-08-02 2006-01-17 Phosphortech Corporation Light emitting device having sulfoselenide fluorescent phosphor
US7026755B2 (en) 2003-08-07 2006-04-11 General Electric Company Deep red phosphor for general illumination applications
CN100395897C (zh) 2003-08-08 2008-06-18 厦门三安电子有限公司 一种氮化物器件倒装的方法
US7204607B2 (en) * 2003-09-16 2007-04-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. LED lamp
TWI263356B (en) 2003-11-27 2006-10-01 Kuen-Juei Li Light-emitting device
US7066623B2 (en) 2003-12-19 2006-06-27 Soo Ghee Lee Method and apparatus for producing untainted white light using off-white light emitting diodes
KR100586944B1 (ko) * 2003-12-26 2006-06-07 삼성전기주식회사 고출력 발광다이오드 패키지 및 제조방법
US7608200B2 (en) * 2004-01-16 2009-10-27 Mitsubishi Chemical Corporation Phosphor and including the same, light emitting apparatus, illuminating apparatus and image display
CN2690724Y (zh) 2004-03-05 2005-04-06 深圳市蓝科电子有限公司 高亮度发光二极管照明装置
KR100605211B1 (ko) * 2004-04-07 2006-07-31 엘지이노텍 주식회사 형광체 및 이를 이용한 백색 발광다이오드
KR100655894B1 (ko) 2004-05-06 2006-12-08 서울옵토디바이스주식회사 색온도 및 연색성이 우수한 파장변환 발광장치
KR100658700B1 (ko) 2004-05-13 2006-12-15 서울옵토디바이스주식회사 Ｒｇｂ 발광소자와 형광체를 조합한 발광장치
CN100397544C (zh) 2004-05-27 2008-06-25 株式会社日立制作所 发光装置以及使用该发光装置的图像显示装置
JP2006012770A (ja) 2004-05-27 2006-01-12 Hitachi Ltd 発光装置及び該発光装置を用いた画像表示装置
US8308980B2 (en) 2004-06-10 2012-11-13 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
KR100665298B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100665299B1 (ko) 2004-06-10 2007-01-04 서울반도체 주식회사 발광물질
US7601276B2 (en) 2004-08-04 2009-10-13 Intematix Corporation Two-phase silicate-based yellow phosphor
JP5081370B2 (ja) 2004-08-31 2012-11-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN101010413B (zh) 2004-09-07 2010-08-25 住友化学株式会社 荧光体、荧光体糊剂及发光元件
JP4880892B2 (ja) 2004-10-18 2012-02-22 株式会社東芝 蛍光体，蛍光体の製造方法およびこれを用いた発光装置
JP4836429B2 (ja) * 2004-10-18 2011-12-14 株式会社東芝 蛍光体およびこれを用いた発光装置
JP2006173433A (ja) 2004-12-17 2006-06-29 Ube Ind Ltd 光変換用セラミック複合体およびそれを用いた発光装置
AU2005319965B2 (en) 2004-12-22 2011-02-10 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device
US7138770B2 (en) 2004-12-27 2006-11-21 Top Union Globaltek Inc. LED driving circuit
US7541728B2 (en) 2005-01-14 2009-06-02 Intematix Corporation Display device with aluminate-based green phosphors
KR200382395Y1 (ko) 2005-01-20 2005-04-20 한일이화주식회사 자동차용 도어포켓의 칸막이장치
DE102005005263A1 (de) 2005-02-04 2006-08-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Gelb emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
JP4868499B2 (ja) 2005-04-08 2012-02-01 独立行政法人産業技術総合研究所 応力発光体とその製造方法およびそれを含む複合材料、並びに応力発光体の母体構造
KR100927154B1 (ko) 2005-08-03 2009-11-18 인터매틱스 코포레이션 실리케이트계 오렌지 형광체
KR100666211B1 (ko) 2005-09-22 2007-01-09 한국화학연구원 자외선 및 장파장 여기용 규산염계 형광체
US20070069869A1 (en) * 2005-09-29 2007-03-29 Arnold Vaughn R Automobile security and reporting system
KR101258397B1 (ko) 2005-11-11 2013-04-30 서울반도체 주식회사 구리 알칼리토 실리케이트 혼성 결정 형광체
KR101055772B1 (ko) 2005-12-15 2011-08-11 서울반도체 주식회사 발광장치
KR100626272B1 (ko) 2006-01-20 2006-09-20 씨엠에스테크놀로지(주) 바륨실리케이트계 형광체, 그의 제조 방법, 및 이를 이용한백색 발광소자 및 발광필름
KR100875443B1 (ko) 2006-03-31 2008-12-23 서울반도체 주식회사 발광 장치
US7820075B2 (en) 2006-08-10 2010-10-26 Intematix Corporation Phosphor composition with self-adjusting chromaticity
KR101396588B1 (ko) 2007-03-19 2014-05-20 서울반도체 주식회사 다양한 색온도를 갖는 발광 장치
JP5521273B2 (ja) 2007-06-01 2014-06-11 日立化成株式会社 シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法
RU2467051C2 (ru) 2007-08-22 2012-11-20 Сеул Семикондактор Ко., Лтд. Люминофоры на основе нестехиометрических тетрагональных силикатов меди и щелочноземельного металла и способ их получения
WO2009028818A2 (en) 2007-08-28 2009-03-05 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Light emitting device employing non-stoichiometric tetragonal alkaline earth silicate phosphors
KR101055769B1 (ko) 2007-08-28 2011-08-11 서울반도체 주식회사 비화학양론적 정방정계 알칼리 토류 실리케이트 형광체를채택한 발광 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050117164A (ko) 2005-12-14
PT1605030E (pt) 2010-11-22
CN101424388B (zh) 2011-04-13
EP2253690A3 (de) 2012-02-15
TWI344228B (en) 2011-06-21
CN1707819A (zh) 2005-12-14
EP2025734A2 (de) 2009-02-18
JP4159542B2 (ja) 2008-10-01
EP1605030A3 (de) 2007-09-19
US20080224163A1 (en) 2008-09-18
CN101424388A (zh) 2009-05-06
US7554129B2 (en) 2009-06-30
US20100301371A1 (en) 2010-12-02
TW200541105A (en) 2005-12-16
KR100665298B1 (ko) 2007-01-04
MX2007007648A (es) 2007-09-18
EP1605030A2 (de) 2005-12-14
CN100442553C (zh) 2008-12-10
US20080067920A1 (en) 2008-03-20
TWI328885B (en) 2010-08-11
EP2025734B1 (de) 2014-05-14
EP2253690A2 (de) 2010-11-24
DE602004028710D1 (de) 2010-09-30
ATE478126T1 (de) 2010-09-15
TW200952225A (en) 2009-12-16
US8089084B2 (en) 2012-01-03
EP2025734A3 (de) 2009-06-10
EP1605030B1 (de) 2010-08-18
US20050274972A1 (en) 2005-12-15
JP2005354027A (ja) 2005-12-22
ES2350830T3 (es) 2011-01-27
US8066909B2 (en) 2011-11-29
ES2490603T3 (es) 2014-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE202004021351U1 (de) Licht emittierende Vorrichtung
DE102004016232B4 (de) Weisses Licht emittierende Vorrichtung
DE102007035592B4 (de) Temperaturstabiler Leuchtstoff, Verwendung eines Leuchtstoffs und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs
EP1670875B1 (de) Hocheffizientes beleuchtungssystem auf led-basis mit verbesserter farbwiedergabe
EP1664239B1 (de) Weiss emittierende led mit definierter farbtemperatur
DE102006007799B4 (de) Licht emittierendes Halbleiterbauteil
DE102006016548B9 (de) Blau bis Gelb-Orange emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
DE69702929T3 (de) Lichtemittierende vorrichtung und anzeigevorrichtung
DE60312733T2 (de) Beleuchtungsvorrichtung mit strahlungsquelle und fluoreszenzmaterial
EP1966345B1 (de) Rot emittierender leuchtstoff und lichtquelle mit einem derartigen leuchtstoff
DE102005005263A1 (de) Gelb emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
EP2585554B9 (de) Leuchtstoff und lichtquelle mit derartigem leuchtstoff
EP1352431A1 (de) Lichtquelle mit einem lichtemittlierenden element
WO2006012833A2 (de) Lichtquelle mit niedriger farbtemperatur
DE10241140A1 (de) Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
WO2010020495A1 (de) Alpha-sialon-leuchtstoff
DE102007011348A1 (de) Lumineszenzmaterial
DE102004054093A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Emittieren von Ausgangslicht unter Verwendung eines Gruppe-IIB-Element-Selenid-basierten Phosphormaterials und/oder eines Thiogallat-basierten Phosphormaterials
WO2007140853A1 (de) Verfahren zur herstellung eines linienemitter-leuchtstoffes
WO2013041377A1 (de) Lichtquelle mit leuchtstoff und zugehörige beleuchtungseinheit
EP1670876A1 (de) Hocheffizienter leuchtstoff
DE102017101356A1 (de) Licht emittierende Vorrichtung
EP2491095B1 (de) Leuchtstoff und lichtquelle mit derartigem leuchtstoff
DE102005037455A1 (de) Weißlicht-Leuchtdiode
WO2024033022A1 (de) Leuchtstoff, verfahren zur herstellung eines leuchtstoffs und strahlungsemittierendes bauelement

Legal Events

Date Code Title Description
R207 Utility model specification

Effective date: 20071115

R150 Utility model maintained after payment of first maintenance fee after three years

Effective date: 20080124

R079 Amendment of ipc main class

Free format text: PREVIOUS MAIN CLASS: H01L0033000000

Ipc: H01L0033500000

R151 Utility model maintained after payment of second maintenance fee after six years

Effective date: 20110117

R152 Utility model maintained after payment of third maintenance fee after eight years
R152 Utility model maintained after payment of third maintenance fee after eight years

Effective date: 20121023

R071 Expiry of right