DE2009358A1 - Halbleiterbauelement mit einer integrierten Impulstorschaltung und Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements - Google Patents
Halbleiterbauelement mit einer integrierten Impulstorschaltung und Verfahren zur Herstellung dieses BauelementsInfo
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Description
Ing. (grad.) GÜNTHER M. DAVID ■ f.phn. 424ι.
Pateniassessor , V / W TM
Anmelder:N.V.PHILIPS'GLOEiLAMPENFABHiEKEN a /
Akte: PHH- 4241
Anmeldung vomi - 26. Febr. 1970 O η Π Q O C Q
Anmeldung vomi - 26. Febr. 1970 O η Π Q O C Q
Halbleiterbauelement mit einer integrierten Impulstorschaltung
und Verfahren zur Herstellung dieses Bauelements.
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauelement mit einer integrierten Halbleiterschaltung, die
mindestens ein Impulstor enthält. Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf ein Verfahren zur Herstellung eines
derartigen Bauelements.
Derartige Halbleiterbauelemente sind bekannt. Das Impulstor enthält dabei einen Kondensator, dessen eine
Seite mit einem Triggereingang und dessen zweite Seite mit dem Ausgang des Impulstors und ausserdem über einen
Widerstand mit dem Konditionierungseingang des Impulstors
verbunden ist. Diese bekannten Bauelemente weisen jedoch Nachteile auf, insbesondere wenn sie als integrierte Schaltungen
ausgebildet werden.
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Es ist bekannt, dass pn-Ubergänge, die in der Sperrichtung vorgespannt sind, sich verhalten, alsob sie
eine Parallelkapazität enthalten, deren Wert bei zunehmender Spannung über dem pn-Ubergang abnimmt.
Auch ist es bekannt, dass derartige Parallelkapazitäten über den Isolierungs-pn-Ubergängen einer Insel
in einer integrierten Schaltung häufig die Wirkung des betreffenden Bauelements entweder durch Absorption von
Ladungsträgern oder durch die Bildung eines Spannungsteilers in Verbindung mit anderen in der Schaltung vorhandenen
Kondensatoren beeinträchtigen. Falls ein Impulstor der obenbeschriebenen Art in einer integrierten Schaltung vorhanden
ist, befindet sich dadurch eine Streukapazität zwischen dem Ausgang des Impulstores und dem Substrat, das
in der Regel geerdet ist.
Der nachteilige Effekt dieser Kapazität wird oft durch die Änderung ihres Wertes mit der über dieser
Kapazität stehenden Spannung vergrössert. Die Folgen dieser Änderung sind besonders ungünstig in bestimmten Fällen,
in denen es erwünscht wäre, dass bei Erhöhung der über dieser Kapazität stehenden Spannung eine Erhöhung der
Kapazität auftritt. Dies ist namentlich in integrierten Schaltungen der Fall, in die ein Impulstor aufgenommen
ist.
Die Erfindung bezweckt, die obenerwähnten Nachteile bekannter integrierter Iiapulstorschaltungen zu vermeiden
oder wenigstens in erheblichem Masse zu verringern.
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•ι
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass, wenn eine Spannung sich in einer gegebenen Richtung
ändert, ein derartiges festes Bezugspotential gefunden werden kann, dass sich der Unterschied zwischen diesem
Bezugspotential und der veränderlichen Spannung in entgegengesetztem
Sinne ändert.
In diesem Zusammenhang ist ein Halbleiterbauelement der eingangs erwähnten Art nach der Erfindung dadurch
gekennzeichnet, dass es einen Halbleiterkörper mit einer wenigstens teilweise mit einer Isolierschicht überzogenen
Oberfläche enthält mit einem an diese Oberfläche grenzenden ersten Gebiet von einem ersten Leitungstyp, das
mit einem Anschlussleiter versehen ist, einem an diese Oberfläche grenzenden inseiförmigen Gebiet vom zweiten
Leitungstyp, das innerhalb des Körpers völlig von dem ersten
Gebiet umgeben ist'und mit diesem einen ersten pn-Ubergang
bildet, wobei dieses inseiförmige Gebiet mit einem
Anschlussleiter versehen ist, einer Oberflächenzone vom ersten Leitungstyp, die innerhalb des Körpers völlig von dem
inseiförmigen Gebiet umgeben ist und mit diesem einen zweiten
pn-Ubergang bildet, welche Oberflächenzone eine der Platten eines Kondensators bildet und mit einem Anschlussleiter
versehen ist, der gleichstrommässig mit dem Ausgang des Impulstores und über einen Widerstand mit dem Konditionierung
se ingang des Impulstores verbunden ist, während die andere; :Seite des erwähnten Kondensators über einen Anschlussleiter
mit dem Triggereingang des Impulstores verbunden ist»
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Bei dem Bauelement nach der Erfindung sind die erwähnte Oberflächenzone und das inseiförmige Gebiet voneinander
durch einen pn-übergang getrennt, der in bezug auf den pn-Ubergang zwischen dem inseiförmigen Gebiet und
dem ersten Gebiet in entgegengesetzter Richtung ("back-toback": rückenweise) geschaltet ist. Dadurch wird die Streukapazität
durch ein System zweier in Reihe geschalteter Kapazitäten ersetzt, von denen im Betriebszustand eine,
die Inselkapazität, auf der Seite des ersten Gebietes (der Substratseite) geerdet wird, während die andere Seite, (die
Insel) an die höchste Speisespannung gelegt wird und also
beim Ein-und Ausschalten des Impulstores nicht mehr störend wirken kann. Die einzige Kapazität, die eine Rolle spielt,
ist die zwischen der Oberflächenzone und dem inseiförmigen
Gebiet; diese erfüllt in dem Bauelement nach der Erfindung die Funktion der bereits erwähnten Streukapazität, Spannungsteiler
usw. Auch über dieser Kapazität steht eine veränderliche Spannung, die in diesem Falle durch den Spannungsunterschied
zwischen einem festen verhältnismässig hohen Bezugspotential und der über dem Impulstor, somit zwischen der
Oberflächenzone und der Insel, angelegten Spannung gebildet
wird. Diese veränderliche Spannung über der Kapazität ändert sich aber, in Gegensatz zur beschriebenen bekannten integrierten Impulstorschaltung, nicht mehr im gleichen Sinne
wie die erwähnte angelegte Spannung, sondern in entgegengesetztem Sinne. Infolgedessen erreicht die Kapazität zwischen der Oberflächenzone und dem inselförmigen Gebiet zu
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günstigen Zeitpunkten ihren Höchst- und ihren Mindestwert.
Nach einer besonderen Ausführungsform wird das
Dielektrikum des erwähnten teilweise durch die Oberflächenzone gebildeten Kondensators durch die Isolierschicht gebildet,
während die zweite Kondensatörplatte durch eine auf der Isolierschicht über der Oberflächenzone vom ersten
Leitungstyp liegende leitende Schicht, vorzugsweise eine
Metallschicht, gebildet wird, die gleichstrommässig mit dem Triggereingang des Impulstores verbunden ist. Beim Betrieb
des Bauelements ist der Anschlussleiter des inseiförmigen
Gebietes, wie bereits erwähnt wurde, vorzugsweise an die
höchste Speisespannung angeschlossen, während der Anschlussleiter des ersten Gebietes vorzugsweise geerdet ist..
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsform
wird der erwähnte Widerstand durch eine zweite Oberflächenzone
vom ersten Leitungetyp gebildet, die innerhalb des Körpers völlig von einem zweiten inseiförmigen Gebiet vom
zweiten Leitungstyp umgeben ist, das völlig von dem erwähnten ersten Gebiet umgeben ist. Erforderlichenfalls kann der
erwähnte Widerstand aber auch auf andere Weise, z.B. durch eine auf der Isolierschicht liegende Widerstandsschicht, .
durch ein anderes integriertes Element, wie einen vergrabenen
Widerstand, usw. , gebildet werden.
Eine weitere bevorzugte Ausführungsform des Bauelemente nach der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass
die inseiförmigen Zonen Teile einer auf dem ersten Gebiet
liegenden epitaktischen Schicht vom zweiten Leitungstyp
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bilden und durch diffundierte Trennzonen vom ersten Leitungstyp begrenzt werden, die sich von der Oberfläche her über
die ganze Dicke der epitaktischen Schicht erstrecken.
Die vorhandenen inseiförmigen Gebiete und die
Oberflächenzonen können vorteilhaft auch alle durch in den
Halbleiterkörper eindiffundierte Zonen gebildet werden.
Nach einer weiteren bevorzugten Ausführungsfcrm werden
die auf den inseiförmigen Gebieten und den Oberflächenzonen
angebrachten Anschlussleiter wenigstens teilweise durch auf der Isolierschicht angebrachte Metallschichten
gebildet, die sich über Kontaktfenster in der Isolierschicht
an den Halbleiterkörper anschliessen.
Die Erfindung bezieht sich weiterhin auf ein
Verfahren zur Herstellung eines Bauelements nach der Erfindung, bei dem in einem ersten Gebiet vom ersten Leitungstyp
die inseiförmigen Gebiete und die Oberflächenzonen angebracht werden, wonach der Halbleiterkörper mit Anschlussleitern
versehen wird; dieses Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass die inseiförmigen Gebiete und/oder die Oberflächenzonen
gleichzeitig in dem Körper angebracht werden. Wenn die inselförmigen Zonen, wie oben beschrieben, durch
Teile einer epltaktischen Schicht gebildet werden, können
vorteilhaft die erste und die zweite Oberflächenzone und die Trennzonen alle gleichzeitig in dem Körper angebracht werden.
Die Erfindung wird nachstehend für ein Ausführungsbeispiel an Hand der beiliegenden Zeichnung näher erläutert.
Es zeigen:
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F.PHN.. k2.k\
Fig. 1 das elektrische Schaltbild einer bekannten
ImpulstorSchaltung,
Fig. 2 in halblogarithmischem Masstab den Verlauf der Kapazität eines pn Übergangs als Funktion der
über dem Übergang stehenden Sperrspannung,
Fig. 3 das elektrische Ersatzschaltbild einer integrierten Schaltung mit einem Impulstor nach der Erfindung
,
Fig. h schematisch eine perspektivische Ansicht
einer integrierten Ausführung der Schaltung nach Fig. 3, und
Fig. 5 schematisch einen Querschnitt längs der Linie V-V durch das Bauelement nach Fig. h»
Die Figuren sind der Deutlichkeit halber schematisch
und nicht masstäblich gezeichnet, während entsprechende Teile in den Figuren mit den gleichen Bezugsziffern bezeichnet
sind.
Das bekannte Impulstor, dessen Schaltungsanordnung in Fig. 1 dargestellt ist, schaltet ein, wenn die
beiden Eingänge, der Konditionierungseingang und der Triggereingang,
gleichzeitig ein geeignetes Potential aufweisen, während das Impulstor in allen anderen Fällen ausschaltet
bzw, nicht einschaltet. Das Impulstorxienthält einen Kondensator
C, dessen erste Platte den Triggereingang E„ bildet,
und einen Widerstand R, dessen eines Ende den Konditionierungseingang
E1 bildet, während die zweite Platte des Kondensators
und das andere Ende des Widerstandes miteinander
und auch mit dem Ausgang S verbunden sind.
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Der Konditionierungseingang E1 kann zwei Potentiale
annehmen, und zwar ein Potential auf hohem Pegel V1,
und ein Potential auf niedrigem Pegel V.., . Dem Triggereingang
Ep werden Spannungsimpulse mit einer Amplitude Vp zugeführt.
Wenn die beiden Spannungspegel des Konditionierungseingangs positiv in bezug auf Erde sind, ist die negative
Impulsflanke wirksam, und umgekehrt. In der nachstehenden Beschreibung wird angenommen, dass die wirksame Impulsflanke
die negative Flanke ist; die Wirkung im entgegengesetzten Falle kann ohne weiteres durch Umkehrung der Leitungstype
und der Polarisationsspannungen davon abgeleitet werden.
Grundsätzlich wird die Bedingung für Ein- oder Ausschalten durch eine Grenzspannung V gegeben, d.h. im
Falle einer negativen wirksamen Impulsflanke:
V1b + V2
<Vo O)
In der Praxis sind die verwendeten Spannungsquellen nicht völlig konstant und können die angelegten Spannungen
pro Quelle und/oder mit der Zeit etwas variieren, so dass es notwendig ist, zwei Reihen von Werten zu berücksichtigen,
und zwar eine Reihe hoher Werte V1,. , V.., ,,und Vp. ,
und eine Reihe niedriger Werte V1- , , V-. ,und V2, t zwischen
welchen Werte V..., V1, und V2 variieren können, während
zwei Grenzwerte festgestellt werden können, und zwar ein hoher Wert V . und ein niedriger Wert V-., , von denen einer
für das Ausschalten und der andere für das Nichteinschalten unter den ungünstigsten Bedingungen zutrifft.
Für das Einschalten durch eine negative Impuls-
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flanke gilt:
V +V -^ V (2) .
1bh V2b ^ Ob \*f.
Für das Nichteinschalten durch eine negative Impulsflanke gilt:
V+Vn^V iT^.
1hb. 2h > Oh VJy
Naturgemäss wird man versuchen, die beiden
Schwellwerte Vn, und V einander möglichst nahe kommen zu
lassen.
Die Änderung der Streukapazität C zwischen dem
Ausgang und Erde wirkt bei diesem Impulstor in integrierter
Form nach ungünstiger. Das Impulstor wird auf dem niedrigen
Pegel einschalten, wenn der Wert der Streukapazität maximalist. Diese Streukapazität ist dadurch störend, weil sie
Ladungsträger absorbiert, und zwar in umso grösserem Masse, desto grosser diese Kapazität ist.
Zum Ausschalten bzw. Nichteinschalten ist das Vorhandensein dieser Streukapazität gerade günstig, weil
sie wie Spannungsteiler wirkt. Dieser Einfluss wird grosser
sein, je nachdem der Wert dieser Kapazität höher ist. Da die Spannung über dieser Streukapazität zu dem Ausschaltzeitpunkt
hoch ist, ist zu diesem Zeitpunkt der Kapazitätswert niedrig* während die ,Richtung, in der sich der Wert
dieser Kapazität ändört, dazu beiträgt, die beiden Schwellwerte V-., und V-,, voneinander zu entfernen.
Od Oh
In bezug auf die Spannung V„ an dem Triggerein
gang E„ wirkt die Streukapazität G in Verbindung mit dem
Kondensator C wie ein Spannungsteiler, der diese Spannung
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V2 in zwei Teile teilt: Vp1 über dem Kondensator C und V„?
über der Kapazität C :
V2 = V21 + V22*
Die wirksame Spannung über dem Kondensator C ist
also stets geringer als die Steuerspannung am Triggereingang Ε-, Ausserdem ist diese Verringerung infolge der Spannungsabhängigkeit
der Streukapazität von der Spannung am Ausgang abhängig.
Fig. 2 zeigt die Kapazitätsänderung von C in . halblogarithmischem Masstab als Funktion der Sperrspannung
V über dem pn-Ubergang.
Bei dem bekannten Impulstor nach Fig. 1 ist diese Spannungsverringerung im ausgeschalteten Zustand minimal,
wenn die Abweichung der Spannung am Ausgang herabgesetzt werden soll, während diese Spannungsverringerung zu dem
Einschaltzeitpunkt maximal ist, wenn das Umgekehrte erwünscht ist. Ausserdem absorbiert die Kapazität C zu dem
EinsehaltZeitpunkt Ladungsträger, so dass der hohe Wert
von C zu diesem Zeitpunkt noch einen zusätzlichen Nachteil ergibt.
Dies ist darauf zurückzuführen, dass, wenn bei dieser bekannten Schaltung die Gleichspannung am Konditionierung
se ingang E1 von dem einen Pegel auf den anderen, z.B.
von dem niedrigen Pegel V1, auf den hohen Pegel V1, , übergeht,
die Sperrspannung über dem pn-Ubergang, dessen veränderliche Kapazität C Einfluss auf die Wirkung des Bauelements
ausübt, gleichfalls von dem niedrigen Pegel V1, auf
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den hohen Pegel V1, übergeht.
Diese Nachteile werden bei dem Bauelement nach der Erfindung, von dem Fig. 3 ein elektrisches Ersatzschaltbild
zeigt, vermieden. Dieses in integrierter Form dargestellte
Bauelement (siehe Figuren k und 5) enthält einen
p-leitenden SiliciumkÖrper 1, der wenigstens teilweise mit
einer Isolierschicht2 aus Siliciumoxyd überzogen ist. Dieser Körper enthält ein an eine Oberfläche grenzendes p-leitendes
erstes Gebiet 3» das mit einem Anschlussleiter k in
Form einer Metallschicht versehen ist, sowie ein an diese
Oberfläche grenzendes inseiförmiges Gebiet 5 vom n-Leitfähigkeitstyp.
Dieses inselförmige Gebiet 5 wird innerhalb
des Körpers völlig von dem ersten Gebiet 3 umgeben und bildet mit diesem einen ersten pn-TJbergang 6. Das inselförmige
Gebiet 5 ist über' ein Fenster in der Isolierschicht 2 mit
einem Anschlussleiter in Form einer Metallschicht 7 verbunden.
Das Bauelement enthält ferner eine p-leitende Oberflächenzone 8, die innerhalb des Körpers völlig von dem inselförmigen
Gebiet 5 umgeben ist und mit diesem einen zweiten
pn-Übergang 9 bildet. Die Oberflächenzone. 8 bildet eine
der Platten eines Kondensators, dessen Dielektrikum durch
einen Teil 16 der Oxydschicht 2 gebildet wird, während die
andere Kondensatorplatte durch .eine auf der Oxydschicht 2
über der Oberflächenzone 8 liegende Metallschicht 12 gebildet
wird. Die Oberflächenzone 8 ist mit einem Anschlussleiter
in Form einer Metallschicht 10 versehen, die gleichstrommässig
mit dem Ausgang S des Impulstores verbunden ist. Die
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Metallschicht 12 ist gleichstrommässig mit dem Triggereingang Ep des Impulstores verbunden.
Der Halbleiterkörper enthält ferner einen Widerstand in Form einer zweiten p-leitenden Oberflächenzone R,
die innerhalb des Körpers völlig von einem zweiten inselförmigen
η-leitenden Gebiet 13 umgeben ist, das mit der Zone R einen pn-übergang 15 bildet. Das inseiförmige Gebiet
13 bildet mit dem ersten Gebiet 3 einen pn-übergang 14. Der Anschlussleiter 10 schliesst sich über ein Fenster in der
Oxydschicht 2 an die Zone R an und ist über den Widerstand R mit dem Konditionierungseingang E1 des Impulstores verbunden
.
Im Betriebszustand ist der Anschlussleiter 7 des inseiförmigen Gebietes 5 mit der höchsten positiven Speisespannung
V verbunden, während eine Metallschicht 4, die
C C
den Anschlussleiter auf dem ersten Gebiet 3 bildet, geerdet ist.
Die inseiförmigen Zonen 5 und 13 bilden in diesem
Beispiel Teile einer auf dem ersten Gebiet 3 liegenden nleitenden epitaktischen Schicht, die durch diffundierte pleitende
Trennzonen 17 begrenzt wird? die sich von der Oberfläche her über die ganze Dicke der epitaktischen Schicht
erstrecken und einen Teil des Gebietes 3 bilden. Nach einer anderen Ausführungsform des Bauelements können die inselförmigen
Gebiete 5 und 13 und die Oberflächenzonen 8 und R
durch Diffusion von der Oberfläche in den" ursprünglich völlig p-leitenden Halbleiterkörper gebildet werden.
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Da "bei dem Bauelement nach der Erfindung die
Inselkapazität C auf einer Seite geerdet und auf der anderen Seite mit der hohen Speisespannung V verbunden ist,
beeinflusst diese Kapazität das elektrische Verhalten des Impulstores nicht mehr. Die veränderliche Kapazität, die
eine Rolle spielt, ist in diesem Falle die Kapazität C des pn-Ubergangs 9· Wenn die Gleichspannung an dem Konditionierungseingang
E1 von dem niedrigen Pegel V., auf den hohen
Pegel V übergeht, ändert sich die Spannung über C von
V - V-1, zu V - V.,, , welcher Ausdruck sich in entgegen-.
cc . Ib cc lh ao
gesetztem Sinne zu dem erwähnten Spannungspegel ändert. Dem hohen Pegel V1- der Kondxtionxerungsspannung entspricht somit
ein hoher Wert der Streukapazität, während dem niedrigen Pegel V, der Konditionieruhgsspannung ein niedriger Wert
dieser Kapazität entspricht, was die Erfindung gerade bezweckt.
Das beschriebene Bauelement kann durch in der
Halbleitertechnik allgemein übliche Verfahren*hergestellt
werden. Dabei sind viele Abarten möglich. Nach der Erfindung werden dabei vorteilhaft die Inseln 5 und 13 und auch die
Zonen 8 und R gleichzeitig in dem Körper angebracht. So wurden in dem beschriebenen Beispiel die Inseln 5 und 13
gleichzeitig dadurch angebracht, dass nach dem Anwachsen der η-leitenden epitaktischen Schicht, von der diese Inseln
einen Teil bilden, in dem gleichen Diffusionsschritt die Zonen 8 und R und auch die p-leitenden diffundierten Trennzonen
17 (siehe Flg. 5) zwischen den Inseln angebracht werden. Der Teil 16 der Oxydschicht wird zum Erhalten der für
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den Kondensator C erwünschten Dicke vorzugsweise örtlich auf eine Dicke von einigen hundert A abgeätzt.
Es dürfte einleuchten, dass sich die Erfindung nicht auf das beschriebene Beispiel beschränkt, sondern dass
im Rahmen der Erfindung viele Abarten möglich sind. So können andere Halbleitermaterialien, andere Isolierschichten
und andere Metallschichten verwendet werden. Auch kann der
Kondensator (8,16,12) in bestimmten Fällen auf andere Weise, z.B. durch einen gesperrten pn-Ubergang mit einem von der
Isolierschicht 2 verschiedenen Dielektrikum, gebildet werden. Ferner können die Leitungstype und die angelegten Spannungen
gleichzeitig umgekehrt werden, während auch ganz andere Geometrien verwendet werden können, wobei z.B. das
Gebiet 3 selber durch eine auf einem Substrat angebrachte epitaktische Schicht gebildet werden kann.
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Claims (9)
1. j Halbleiterbauelement mit einer integrierten Halbleiterschaltung,
die mindestens ein Impulstor enthält, dadurch gekennzeichnet, dass das Bauelement einen Halbleiterkörper
mit einer wenigstens teilweise mit einer Isolierschicht
überzogenen Oberfläche enthält mit einem an diese
Oberflache grenzenden ersten Gebiet von einem ersten Leitungstyp,
das mit einem Anschlussleiter versehen ist, einem
an diese Oberfläche grenzenden inseiförmigen Gebiet vom
zweiten Leitungstyp, das innerhalb des Körpers völlig von dem ersten Gebiet umgeben ist und mit diesem einen ersten
pn-Ubergang' bildet, wobei dieses inselförmige Gebiet mit
einem Anschlussleiter versehen ist, einer Oberflächenzone
vom ersten Leitungstyp, die innerhalb des Körpers völlig von dem inselförmigen Gebiet umgeben ist und mit diesem
einen zweiten pn-Ubergang bildet, welche Oberflächenzone
eine der Platten eines Kondensators bildet und mit einem Anschlussleiter versehen ist, der gleichstrommässig mit dem
Ausgang des Impulstores und über einen Widerstand mit dem
Kondltionierungseingang des Impulstores verbunden ist, während
die andere Seite des erwähnten Kondensators über einen
Anschlussleiter mit dem Triggereingang des Impulstores verbunden
ist. ..-■■■*
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 , dadurch
gekennzeichnet, dass das Dielektrikum des erwähnten Kondensators
durch die Isolierschicht gebildet wird, während die zweite Kondensatorplatte durch eine auf der Isolierschicht
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200P358
über der Oberflächenzone vom ersten Leitungstyp liegende
leitende Schicht, vorzugsweise eine Metallschicht, gebildet wird, die gleichstrommässig mit dem Triggereingang des Impuls
tores verbunden ist.
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass der Anschlussleiter des inselförmigen
Gebietes an die höchste Speisespannung angeschlossen
ist, und dass der Anschlussleiter des ersten Gebietes geerdet ist.
4. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass der
Widerstand durch eine zweite Oberflächenzone vom zweiten
Leitungstyp gebildet wird, die innerhalb des Körpers völlig von einem zweiten inseiförmigen Gebiet vom zweiten Leitungstyp umgeben ist, das völlig von dem erwähnten ersten Gebiet
umgeben ist.
5. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die
inseiförmigen Zonen Teile einer auf dem ersten Gebiet liegenden
epitaktischen Schicht vom zweiten Leitungstyp bilden und durch diffundierte Trennzonen vom ersten Leitungstyp
begrenzt werden, die sich von der Oberfläche her über die ganze Dicke der epitaktischen Schicht erstrecken,
6. Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der
Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die vorhandenen inselförmigen Gebiete und Oberflächenzonen alle durch
in den Halbloiterkörper pindiffundierte Zonen gebildet
wo i'<\on,
0 098 A 1 /1112
F.PHN.
7· Halbleiterbauelement nach einem oder mehreren der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass
die Anschlussleiter der inseif, örmigen Gebiete und der Oberf
lächenz.onen wenigstens teilweise durch auf der Isolierschicht angebrachte Metallschichten gebildet werden, die
sich über Kontaktfenster in der Isolierschicht an den Halbleiterkörper
anschliessen.
8. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements nach Anspruch k, bei dem in einem ersten Gebiet
vom ersten Leitungstyp die inseiförmigen Gebiete und die
Oberflächenzonen angebracht werden, wonach der Halbleiterkörper mit Anschlussleitern versehen wird, dadurch gekennzeichnet,
dass die inseiförmigen Gebiete und/oder die Oberflächenzonmgleichzeitig
in dem Körper angebracht werden.'
9. Verfahren nach Anspruch 8 zur Herstellung eines
Halbleiterbauelements nach Ansprüchen k und 5» dadurch
gekennzeichnet, dass die erste und die zweite Oberflächenzone und die Trennzonen gleichzeitig in dem Körper angebracht
werden.
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
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ID=9031153
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