DE19963806C2 - Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle - Google Patents

Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle

Info

Publication number
DE19963806C2
DE19963806C2 DE19963806A DE19963806A DE19963806C2 DE 19963806 C2 DE19963806 C2 DE 19963806C2 DE 19963806 A DE19963806 A DE 19963806A DE 19963806 A DE19963806 A DE 19963806A DE 19963806 C2 DE19963806 C2 DE 19963806C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
phosphor
light source
emitting diode
powder
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19963806A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19963806A1 (de
Inventor
Harald Jaeger
Reinhold Brunner
Klaus Hoehn
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to DE19963806A priority Critical patent/DE19963806C2/de
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE19964252A priority patent/DE19964252A1/de
Priority to PCT/DE2000/004660 priority patent/WO2001050540A1/de
Priority to EP00991779.0A priority patent/EP1243031B9/de
Priority to CNB008180903A priority patent/CN100375299C/zh
Priority to JP2001550820A priority patent/JP2003519929A/ja
Publication of DE19963806A1 publication Critical patent/DE19963806A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19963806C2 publication Critical patent/DE19963806C2/de
Priority to US10/186,661 priority patent/US7098588B2/en
Priority to US11/456,301 priority patent/US7534634B2/en
Priority to JP2011223818A priority patent/JP2012009902A/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484Connecting portions
    • H01L2224/48463Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0102Calcium [Ca]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01039Yttrium [Y]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01079Gold [Au]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden(LED)-Weißlichtquelle, die Verwendung einer Kunststoff-Pressmasse zur Herstellung einer Leucht­ dioden(LED)-Weißlichtquelle und eine oberflächenmontierbare Leuchtdioden(LED)-Weißlichtquelle.
Eine Weißlichtquelle auf der Basis einer Halbleiter-LED und deren Herstellverfahren ist beispielsweise aus der Offenle­ gungsschrift DE 38 04 293 A1 bekannt. Darin ist eine Anord­ nung mit einer Elektrolumineszenz- oder Laserdiode beschrie­ ben, bei der das von der Diode abgestrahlte Emissionsspektrum mittels eines mit einem fluoreszierenden, lichtwandelnden organischen Farbstoff versetzten Elements aus Kunststoff zu größeren Wellenlängen hin verschoben wird. Das von der Anord­ nung abgestrahlte Licht weist dadurch eine andere Farbe auf als das von der Leuchtdiode ausgesandte Licht. Abhängig von der Art des im Kunststoff beigefügten Farbstoffes lassen sich mit ein und demselben Leuchtdiodentyp Leuchtdiodenanordnungen herstellen, die in unterschiedlichen Farben leuchten.
In vielen potentiellen Anwendungsgebieten für Leuchtdioden wie z. B. bei Anzeigeelementen im Kfz-Armaturenbereich, Be­ leuchtung in Flugzeugen und Autos und bei vollfarbtauglichen LED-Displays, tritt verstärkt die Forderung nach Leucht­ diodenanordnungen auf, mit denen sich mischfarbiges Licht, insbesondere weißes Licht, erzeugen läßt.
In der WO 98/12757 A1 ist eine wellenlängenkonvertierende Ver­ gußmasse für ein elektrolumineszierendes Bauelement mit einem ultraviolettes, blaues, oder grünes Licht aussendenden Körper auf der Basis eines transparenten Epoxidharzes beschrieben, das mit einem Leuchtstoff, insbesondere mit einem anorgani­ schen Leuchtstoffpigmentpulver, versetzt ist. Zur Herstellung der Vergußmasse ist beispielsweise beschrieben, dass zunächst ein unreagiertes viskoses Epoxidharz mit dem Leuchtstoffpig­ mentpulver versetzt wird. Der Licht aussendende Körper wird nachfolgend mit diesem nach wie vor viskosen, mit Leuchtstoff versetzten Epoxidharz vergossen.
Als bevorzugtes Ausführungsbeispiel wird in der WO 98/12757 A1 eine Weißlichtquelle beschrieben, bei welcher eine strah­ lungsemittierende Halbleiter-LED auf der Basis von GaAlN mit einem Emissionsmaximum zwischen 420 nm und 460 nm zusammen mit einem Leuchtstoff verwendet wird, der so gewählt ist, daß eine von dem Halbleiterkörper ausgesandte blaue Strahlung in komplementäre Wellenlängenbereiche, insbesondere blau und gelb, oder zu additiven Farbtripeln, z. B. blau, grün und rot, umgewandelt wird. Hierbei wird das gelbe bzw. das grüne und das rote Licht von den Leuchtstoffen erzeugt. Der Farbton (Farbort in der CIE-Farbtafel) des solchermaßen erzeugten weißen Lichts kann dabei durch geeignete Wahl des oder der Leuchtstoffe hinsichtlich Mischung und Konzentration variiert werden.
Die DE 196 38 667 A1 beschreibt ein mischfarbiges Licht ab­ strahlendes Halbleiterbauelement, bei dem einem Leuchtdioden­ chip in Abstrahlrichtung ein Lumineszenzkonversionselement nachgeordnet ist. Das Lumineszenzkonversionselement ist hier­ bei aus einem Vergußharz gebildet, in dem beispielsweise an­ organische oder organische Leuchtstoffpigmente enthalten sind.
Die WO 98/54929 A2 offenbart ein sichtbares Licht emittie­ rendes Halbleiterbauelement mit einer UV-/blauen-LED, welche in einer Vertiefung eines Trägerkörpers angeordnet ist, deren Oberfläche eine lichtreflektierende Schicht aufweist und mit einem transparenten Material gefüllt ist, welches die LED an ihren Lichtaustrittsseiten umgibt. Zur Verbesserung der Lichtaus­ kopplung weist das transparente Material einen Brechungsindex auf, der niedriger als der Brechungsindex der lichtaktiven Region der LED ist.
Bei diesen vorbekannten Bauformen wird zunächst ein vorgehäu­ stes Bauteil dadurch hergestellt, daß ein vorgefertigter Lei­ terrahmen (Leadframe) mit einem geeigneten Kunststoffmaterial umspritzt wird, welches das Gehäuse des Bauteils bildet. Die­ ses Bauteil weist an der Oberseite eine Vertiefung auf, in die von zwei gegenüberliegenden Seiten Leadframeanschlüsse eingeführt sind, auf dessen einem eine Halbleiter-LED aufge­ klebt und elektrisch kontaktiert wird. In diese Vertiefung wird dann eine mit dem Leuchtstoff versetzte Vergußmasse, in der Regel ein transparentes Epoxidharz eingefüllt.
Der Vorteil dieser bekannten Bauformen liegt darin, daß eine sehr gerichtete Abstrahlung dadurch erreicht werden kann, in­ dem die durch das Kunststoffgehäuse gebildeten Seitenwände als schräggestellte Reflektoren ausgebildet werden können. In den Anwendungsfällen, in denen jedoch eine derart gerichtete Abstrahlung nicht unbedingt erforderlich ist oder auf andere Weise erzielbar ist, stellt sich das Herstellungsverfahren als relativ aufwendig und mehrstufig dar, da der Gehäuse­ kunststoff und die Vergußmasse aus zwei verschiedenen Mate­ rialien gebildet werden und in getrennten Verfahrensschritten angeformt werden müssen. Zudem muß stets das Problem einer ausreichenden und temperaturstabilen Haftung zwischen der Vergußmasse und dem Gehäusekunststoff gelöst werden. In der Praxis führt dies insbesondere bei Verwendung hoher Lichtlei­ stungen immer wieder zu Problemen.
Ergänzend sei noch auf folgende aus dem Stand der Technik be­ kannte Verfahren und Erzeugnisse hingewiesen:
Aus der DE 196 04 492 C1 ist ein Spritzgießwerkzeug zur Her­ stellung von Leuchtdioden bekannt. Bei dem diesem Werkzeug zugrundeliegenden Verfahren wird ein Leuchtdiodenchip, der auf einem Leadframe befestigt ist, in einen Formhohlraum ein­ gelegt, in den nachfolgend Polycarbonat eingespritzt wird.
In der JP 10093146 A ist eine sogenannte Radial-LED-Bauform beschrieben, bei der sich in dem Radialverguß ein Leuchtstoff befindet.
Aus der US 5,777,433 A ist wiederum eine Radial-LED-Bauform bekannt, bei dem der Radialverguß aus einem zweikomponentigen Epoxidharz besteht und vor dem Vergießen der LED in eine der beiden oder in beide Komponenten des Epoxidharzes Nanoparti­ kel eingemischt werden, die den Brechungsindex des Vergusses erhöhen.
In der JP 60101141 A ist ein Farbstoff für Epoxidharz und dessen Herstellung beschrieben.
Schließlich ist aus der DE 31 53 142 C2 eine gratbildende Epoxidharz-Einkapselungsmasse und deren Herstellungsverfahren bekannt, die Pigmente oder Farbstoffe aufweisen kann.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle anzugeben, welches mit einer geringeren Anzahl von Herstel­ lungsschritten auskommt und die Herstellung einer Weißlicht­ quelle ermöglicht, die gegenüber den bekannten Anordnungen verbesserte Eigenschaften hinsichtlich Temperaturfestigkeit im Gebrauch aufweist.
Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Eine Verwendung einer Kunststoff- Preßmasse gemäß der Erfindung ist Gegenstand des Anspruches 20. Eine bevorzugte Leuchtdioden-Weißlichtquelle, die mit einer erfindungsgemäßen Kunststoff-Preßmasse versehen ist, ist Gegenstand des Patentanspruches 24.
Bei einem bevorzugten Verfahren zur Herstellung einer Weiß­ lichtquelle auf der Basis einer Halbleiter-LED, welche Licht­ strahlung im ultravioletten oder blauen Spektralbereich emit­ tiert, wird die LED auf ein Leadframe montiert und elektrisch kontaktiert, eine transparente Kunststoff-Preßmasse mit einem Konversionsstoff vermengt, und der Leadframe im Spritzguß derart mit der Preßmasse umformt, daß die LED an ihren Licht­ austrittsseiten von der Preßmasse umgeben ist.
Das erfindungsgemäße Verfahren verzichtet somit auf die For­ mung einer Vertiefung und den Einsatz zweier unterschiedli­ cher Materialien und sieht statt dessen die Verwendung einer einzigen transparenten Kunststoff-Preßmasse vor, die zunächst mit dem Konversionsstoff vermengt wird und dann um den Lead­ frame geformt, vorzugsweise gespritzt wird. Die ausgehärtete Preßmasse dient somit gleichzeitig sowohl als Bauteilgehäuse als auch als transparente Konversionsstoffmatrix. Dadurch wird zum einen das Herstellungsverfahren erheblich ver­ einfacht, da in einem einzigen Anformprozeß, insbesondere Spritzgußprozeß, sowohl das Gehäuse gebildet als auch der Konversionsstoff bereitgestellt wird. Weiterhin wird ein Bau­ element hergestellt, das verbesserte Stabilitätseigenschaften aufweist, da daß Problem der Haftung zwischen zwei Materia­ lien, die zudem verschiedene thermische Ausdehnungskoeffizi­ enten aufweisen können, nicht mehr auftritt.
Es wird eine reproduzierbare und gezielte Einstellung der Farborte in engen Grenzen dadurch erreicht, daß die Sedimen­ tation der Konversionsstoffe bei der Lagerung und Verarbei­ tung insbesondere durch schnelle Anhärteschritte weitestge­ hend ausgeschlossen wird. Die Qualität der Konversionsstoffe wird durch einfache Verfahrensschritte mit einfacheren Do­ siermöglichkeiten und Minimierung der Abrasion bei der Har­ zaufbereitung, Mischung und Dosierung gesteigert.
Durch die Verwendung nur noch eines einzigen Vergußmaterials für die Gehäuseform und die Konversionsstoffmatrix ergibt sich Spielraum für eine weitere Miniaturisierung. Dieses zu­ sätzliche Miniaturisierungspotential kann für die Anwendung dieser Weißlichtquellen in mobilen elektronischen Produktsystemen genutzt werden. Erhöhte Lichtausbeuten durch verstärk­ tes Ausnutzen der Seitenstrahlung in speziellen Einbausitua­ tionen mit weiteren Gestaltungsfreiheitsgraden oder reine Seitenlichtauskopplungsmöglichkeiten erweitern die Funktiona­ lität.
Die Kunststoff-Preßmasse kann als Ausgangsmaterial eine kom­ merziell erhältliche Preßmasse sein und besteht beispielswei­ se im wesentlichen aus einem Epoxykresolnovolak oder gängigen Epoxidharzsystemen mit einem Anhydrid- oder einem üblichen Phenolhärter-System.
Der Konversionsstoff kann ein anorganisches Leuchtstoffpig­ mentpulver mit Leuchtstoffpigmenten der allgemeinen Formel A3B5X12:M sein, welche in der Kunststoff-Preßmasse disper­ giert sind. Insbesondere können als Leuchtstoffpigmente Par­ tikel aus der Gruppe der Ce- dotierten Granate verwendet werden, wobei insbesondere Ce- dotiertes Yttriumaluminiumgranat (Y3Al5O12:Ce) zu nennen ist. Weitere denkbare Konversionsstoffe sind Wirtsgitter auf Sulfid- und Oxysulfidbasis, Aluminate, Borate, etc. mit ent­ sprechend im kurzwelligen Bereich anregbaren Metallzentren. Auch metallorganische Leuchtstoffsysteme sind zu berücksich­ tigen.
Der Leuchtstoff kann ebenso durch lösliche und schwer lösli­ che organische Farbstoffe und Leuchtstoffabmischungen gebil­ det werden.
Weiterhin kann dem vorzugsweise vorgetrockneten Konversions­ stoff ein Haftvermittler vorzugsweise in flüssiger Form bei­ gemengt werden, um die Haftfähigkeit des Konversionsstoffes mit der Kunststoff-Preßmasse zu verbessern. Insbesondere bei der Verwendung von anorganischen Leuchtstoffpigmenten kann als Haftvermittler 3-Glycidoxypropyltrimethoxysilan oder wei­ tere Derivate auf Trialkoxysilan-Basis verwendet werden.
Zur Modifizierung der Leuchtstoffoberflächen können einfach- und mehrfachfunktionelle polare Agentien mit Carbonsäure-, Carbonsäureester-, Ether- und Alkoholgruppen, wie beispiels­ weise Diethylenglykolmonomethylether eingesetzt werden. Damit wird die Benetzbarkeit der hochenergetischen Leuchtstoffober­ flächen und damit die Verträglichkeit und Dispergierung bei der Verarbeitung mit der Vergußmasse verbessert.
Weiterhin kann der Kunststoff-Preßmasse vor dem Vermengen mit dem Konversionsstoff ein Entformungs- oder Trennmittel beige­ mengt werden. Derartige Entformungsmittel erleichtern das Herauslösen der ausgehärteten Vergußmasse aus der Gußform. Als derartiges Entformungsmittel kann ein festes Entformungs­ mittel auf Wachsbasis oder eine Metallseife mit langkettigen Carbonsäuren, insbesondere Stearaten verwendet werden.
Als weitere Füllstoffe können beispielsweise anorganische Füllstoffe beigemengt werden, durch die der Brechungsindex der Vergußmasse gesteigert werden kann, wodurch die Lichtaus­ beute der Weißlichtquelle erhöht werden kann. Als derartige Füllstoffe können beispielsweise TiO2, ZrO2, α-Al2O3, etc. eingesetzt werden.
Bevorzugterweise wird der Konversionsstoff und gegebenenfalls die weiteren Füllstoffe dadurch vermengt, indem sie zunächst grob gemischt werden und dann das Gemisch in einer Mühle ge­ mahlen wird, wodurch ein sehr feines, homogenes Pulver gewon­ nen wird.
Die vermengte Vergußmasse kann somit die folgenden Bestand­ teile (in Gew.-%) enthalten:
  • a) Kunststoff-Preßmasse ≧ 60%
  • b) Konversionsstoff < 0 und ≦ 40%
  • c) Haftvermittler ≧ 0 und ≦ 3%
  • d) Entformungsmittel ≧ 0 und ≦ 2%
  • e) Oberflächenmodifikator ≧ 0 und ≦ 5%
  • f) Oxidationsstabilisator ≧ 0 und ≦ 5% (z. B. auf Phosphitbasis oder auf Basis sterisch gehinder­ ter Phenole)
  • g) UV-Lichtstabilisator ≧ 0 und ≦ 2%
In einer bevorzugten Ausführungsform kann das Verfahren der­ art durchgeführt werden, daß dabei ein oberflächenmontierba­ res Bauteil hergestellt wird.
In der einzigen Figur der vorliegenden Anmeldung ist ein Aus­ führungsbeispiel einer erfindungsgemäß hergestellten Weiß­ lichtquelle in einem Querschnitt entlang einer Längsachse eines Leadframes dargestellt.
In einem ursprünglich einstückigen und zusammenhängenden Lei­ terrahmen oder Leadframe 10 sind zwei Leadframeanschlüsse 11 und 12 ausgebildet, die in an sich bekannter Weise anfänglich noch durch schmale Verbindungsstege zusammengehalten werden, jedoch im Laufe einer im allgemeinen mehrstufigen Kunststoff umspritzung durch Auftrennnen der Verbindungsstege voneinan­ der isoliert werden. Auf einem Leadframeanschluß 12 wird auf dessen innenseitigem Endabschnitt eine fertigprozessierte Halbleiter-LED 1 mit einem elektrisch leitenden Verbindungs­ mittel wie Leitsilber oder dergleichen aufgeklebt, so daß die n- oder p-Seite der Halbleiter-LED 1 mit dem Leadframean­ schluß 12 verbunden ist. Die gegenüberliegende n- oder p- leitende Kontaktseite wird durch einen Bonddraht 2 mit dem Endabschnitt des anderen Leadframeanschlusses 11 verbunden.
Die Halbleiter-LED 1 weist ein Emissionsspektrum auf, daß im ultravioletten oder blauen Spektralbereich liegt. Vorzugswei­ se ist die Halbleiter-LED 1 auf der Basis von GaN oder InGaN aufgebaut. Sie kann jedoch alternativ auch aus dem Material­ system ZnS/ZnSe oder aus einem anderen für diesen Spektralbe­ reich geeigneten Materialsystem bestehen.
Nach dem Aufbringen und Kontaktieren der Halbleiter-LED 1 wird in einer geeigneten Spritzgußapparatur eine transparente Kunststoff-Preßmasse 3 an die Leadframeanschlüsse 11 und 12 angespritzt. In diese Kunststoff-Preßmasse 3 sind Leucht­ stoffpartikel 4 eingebettet, die aus einem Konversionsstoff bestehen, mit dem eine mindestens teilweise Wellenlängenkon­ version der von der Halbleiter-LED 1 emittierten Lichtstrah­ lung herbeigeführt wird. Durch diese Wellenlängenkonversion wird ein Emissionsspektrum erzeugt, daß den optischen Ein­ druck einer Weißlichtquelle hervorruft. Die Vorfertigung des Leadframes 10 und die Umspritzung durch die aus der Kunst­ stoff-Preßmasse 3, den Leuchtstoffpartikeln 4 und gegebenen­ falls weiteren Füllstoffen bestehende Vergußmasse erfolgt derart, daß die Leadframeabschnitte 11 und 12 horizontal aus der Vergußmasse herausgeführt werden. Das fertige Bauteil kann somit an den ebenen horizontalen Anschlußflächen 11A und 12A auf einer Platine im Reflow-Verfahren aufgelötet werden. Dadurch wird ein für die SMT-(Surface Mounting Technology) Montage geeignetes Bauelement hergestellt.
Die Herstellung der durch die Kunststoff-Preßmasse 3, die Leuchtstoffpartikel 4 und gegebenenfalls weitere Füllstoffe gebildeten Vergußmasse stellt ein wesentliches Element der vorliegenden Erfindung dar.
Als Ausgangsstoffe für die Kunststoff-Preßmasse können vor­ reagierte, lager- und strahlungsstabile transparente Preß­ massen aus handelsüblichen Epoxykresolnovolaken mit phenoli­ schen Härtern verwendet werden, deren Gesamtchlorgehalt un­ terhalb 1500 ppm liegt. Vorzugsweise enthalten diese Preß­ massen ein internes Entformungs- oder Trennmittel, durch wel­ ches das Herauslösen der ausgehärteten Vergußmasse aus der Spritzgußform erleichtert wird. Das Vorhandensein eines der­ artigen internen Entformungsmittels stellt jedoch keine zwin­ gende Notwendigkeit dar. Es können beispielsweise somit die folgenden kommerziell erhältlichen Preßmassen der Firmen Nit­ to und Sumitomo verwendet werden:
Nitto NT-600 (ohne internes Entformungsmittel)
Nitto NT-300H-10.000 (mit internem Entformungsmittel)
Nitto NT.300S-10.000 (mit internem Entformungsmittel)
Nitto NT 360-10.000 (mit internem Entformungsmittel)
Sumitomo EME 700L (ohne internes Entformungsmittel)
Diese Preßmassen werden standardmäßig in Stab- oder Tablet­ tenform geliefert.
Als Konversionsstoffe können sämtliche Leuchtstoffe verwendet werden, die in den Druckschriften WO 97/50132 A1 und WO 98/12757 A1 beschrieben wurden. Darüber hinaus können auch Wirtsgitter auf Sulfid- und Oxysulfidbasis sowie Aluminate, Borate, etc. mit entsprechend im kurzwelligen Bereich anreg­ baren Metallzentren oder metallorganischen Leuchtstoffsysteme verwendet werden. Weiterhin können als Konversionsstoffe lös­ liche und schwer lösliche organische Farbstoffe und Leucht­ stoffabmischungen eingesetzt werden. Insbesondere kann als Leuchtstoff ein anorganisches Leuchtstoffpigmentpulver mit Leuchtstoffpigmenten der allgemeinen Formel A3B5X12:M verwen­ det werden, wobei besonders die Gruppe der Ce-dotierten Gra­ nate zu nennen ist. Insbesondere Partikel aus dem Leucht­ stoffpigment YAG:Ce zeichnen sich durch besondere Konver­ sionseffizienz aus. Dieser Konversionsstoff ist unter der Produktbezeichnung L175 der Fa. Osram bekannt. Mit diesem Konversionsstoff wurde ein Versuch zur Vermengung mit einer Preßmasse durchgeführt, wobei eine Preßmasse vom Typ Nitto NT-300 H10.000 mit internem Entformungsmittel zum Einsatz kam. Als Versuchsvorbereitung wurde der Konversionsstoff L175 bei 200°C für ca. 8 h vorgetrocknet. Danach wurde ein Oberflä­ chenmodifikator mit der Bezeichnung Diethylenglycolmonomethy­ lether in Flüssigform dem vorgetrockneten Konverter beige­ mengt (0,1 Gew.-% bezogen auf Preßmassengewicht). Diese Mi­ schung wurde in einem Glasgefäß luftdicht verschlossen und über Nacht stehengelassen. Direkt vor der Verarbeitung wurde der Konversionsstoff der Preßmasse des oben genannten Typs beigemengt. Die Preßmasse war vorher in einer Mühle (beispielsweise Kugelmühle) in Pulverform ge­ mahlen worden. Das Mischungverhältnis betrug 20 Gew.-% Kon­ versionsstoff/DEGME-Mischung und 80 Gew.-% Nitto NT 300H- 10.000. Nach dem groben Vermengen der Mischung durch Umrühren wurde das Gemisch erneut in einer Mühle (beispielsweise Ku­ gelmühle) durchgemischt und gemahlen und somit sehr feines Pulver erzeugt.
Dann wurde mit dieser Vergußmasse ein Spritzgußversuch auf der Apparatur vom Typ FICO Brilliant 100 durchgeführt. Die bereits entsprechend vorgefertigten Leadframes 10 wurden vor dem Umspritzen bei 150°C vorgewärmt und bei dem Spritzguß wurden die folgenden Maschinenparameter eingestellt:
Werkzeugtemperatur: 150°C
Spritzzeit: 22,4 s
Spritzdruck: 73-82 bar (u. a. abhängig von der eingestellten Materialmenge)
Aushärtezeit: 120 s
Als Ergebnis konnte eine sehr homogene, ausgehärtete Verguß­ masse erzielt werden, die sich durch exzellente Blasen- und Lunkerfreiheit auszeichnete. Generell wurde festgestellt, daß das Vermahlen der Preßmasse zu sehr feinem Pulver vor der Vermengung bessere Ergebnisse hinsichtlich Blasen- und Lunkerfreiheit hervorbrachte als bei Verwendung eines grob­ körnigeren Restmassenpulvers.
Zusätzlich kann auch noch ein Haftvermittler wie 3-Glyci­ doxypropyltrimethoxysilan, beispielsweise mit der Produktbe­ zeichnung A-187 der Fa. Hüls AG, verwendet werden. Dieser Haftvermittler kann direkt nach dem Trockenprozeß dem Leucht­ stoff in Konzentrationen bis 3 Gew.-% zugegeben werden und über Nacht bei Raumtemperatur mit diesem vermischt werden.
Das erfindungsgemäße Verfahren ist gemäß Ausführungsbeispiel anhand einer SMD(surface mounted design)-Bauform beschrie­ ben worden, wobei es jedoch ebenso bei einer sogenannten Ra­ dialdiode verwirklicht werden kann.
Das erfindungsgemäße Verfahren kann ebenso zur Herstellung eines in seitlicher Richtung, d. h. mit einer Hauptabstrahl­ richtung parallel zur Ebene der Platine abstrahlenden LED- Bauelements angewandt werden.

Claims (27)

1. Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden- Weißlichtquelle mit den Verfahrensschritten:
  • a) Herstellen einer Kunststoff-Preßmasse, indem ein mit Härter vorreagiertes Harzpulver mit einem Leuchtstoffpig­ mentpulver gemischt und zu einem homogenen Pulvergemisch vermengt werden, und
  • b) Einkapseln eines Leuchtdiodenchips (1) mit der Kunststoff-Preßmasse.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das vorreagierte Harz­ pulver aus Epoxynovolak oder Epoxykresolnovolak besteht.
3. Verfahren nach Anspruch 2, bei dem das Epoxidharz mit ei­ nem Phenol- und/oder einem Anhydridhärter vorreagiert ist.
4. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprü­ che, bei dem das Leuchtstoffpigmentpulver (4) ein anorga­ nischer Leuchtstoff ist und ein Leuchtstoffmetallzentrum M in einem Wirtsgitter auf der Basis der allgemeinen For­ mel A3B5X12 oder eines Sulfids, Oxysulfids, Borats, Alumi­ nats oder von Metallchelatkomplexen enthält.
5. Verfahren nach Anspruch 4, bei dem das Leuchtstoffpig­ mentpulver vor dem Vermengen mit dem Harzpulver vorge­ trocknet wird.
6. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprü­ che, bei dem das Harz zunächst in Stab- oder Tabletten­ form vorliegt und vor dem Vermengen mit dem Leuchtstoff­ pigmentpulver gemahlen wird.
7. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprü­ che, bei dem dem Leuchtstoffpigmentpulver ein Haftver­ mittler beigemengt wird, der die Haftfähigkeit des Leuchtstoffpigmentpulvers an dem Harz verbessert.
8. Verfahren nach Anspruch 7, bei dem der Haftvermittler flüssige Form aufweist.
9. Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, bei dem als Haftver­ mittler Glycidoxypropyltrimethoxysilan oder weitere Deri­ vate auf Trialkoxysilan-Basis verwendet werden.
10. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden An­ sprüche, bei dem zur Modifizierung der Leuchtstoffober­ flächen mindestens eine einfach- und mehrfachfunktionelle polare Agentie mit Carbonsäure-, Carbonsäureester-, Ether- und Alkoholgruppen zugesetzt wird, die die Benetz­ barkeit der Leuchtstoffoberflächen verbessert.
11. Verfahren nach mindestens einem der vorhergehenden An­ sprüche, bei dem dem Harzpulver vor dem Vermengen mit dem Leuchtstoffpigmentpulver (4) ein Entformungs- oder Trenn­ mittel beigemengt wird.
12. Verfahren nach Anspruch 11, bei dem das Entformungsmit­ tel ein festes Entformungsmittel auf Wachsbasis oder eine Metallseife mit langkettigen Carbonsäuren, insbesondere Stearaten, ist.
13. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 12, bei dem anorganische Füllstoffe, insbesondere aus TiO2, ZrO2 oder α-Al2O3, beigemengt werden, durch die der Bre­ chungsindex der Kunststoff-Preßmasse erhöht wird.
14. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden An­ sprüche, bei dem ein Oxidationsstabilisator beigemengt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, bei dem der Oxidationsstabi­ lisator auf Phosphitbasis oder auf Basis sterisch gehinderter Phenole dargestellt ist.
16. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, bei dem ein UV-Lichtstabilisator beigemengt wird.
17. Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden An­ sprüche, bei dem die Vergußmasse die folgenden Bestand­ teile enthält:
  • a) Harzpulver ≧ 60%
  • b) Leuchtstoffpigmentpulver < 0 und ≦ 40%
  • c) Haftvermittler ≧ 0 und ≦ 3%
  • d) Entformungsmittel ≧ 0 und ≦ 2%
  • e) Oberflächenmodifikator ≧ 0 und ≦ 5%
  • f) Oxidationsstabilisator ≧ 0 und ≦ 5%
  • g) UV-Lichtstabilisator ≧ 0 und ≦ 2%
18. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1 bis 17, bei dem der Leuchtdiodenchip (1) auf einem Leadframe (10) montiert wird, der Leuchtdiodenchip (1) und ein Teilbe­ reich des Leadframes (10) in eine Spritzform eingebracht werden und die Kunststoff-Preßmasse (3) verflüssigt und in die Spritzform eingespritzt wird.
19. Verfahren nach Anspruch 18, bei dem das Leadframe (10) vor dem Umspritzen vorgewärmt wird.
20. Verwendung einer nach folgendem Verfahren hergestellten Kunststoff-Preßmasse zur Herstellung einer Leuchtdioden- Weißlichtquelle:
  • a) grobes Mischen eines mit Härter vorreagierten Harz­ pulvers mit einem Leuchtstoffpigmentpulver
  • b) Vermengen des groben Gemisches zu einem homogenen Pulvergemisch.
21. Verwendung nach Anspruch 20, bei der die Leuchtdioden- Weißlichtquelle eine Halbleiter-Leuchtdiode (1) aufweist, die Lichtstrahlung im ultravioletten oder blauen Spektralbereich emittiert.
22. Verwendung nach Anspruch 21, bei der das Leuchtstoffpig­ mentpulver (4) ein anorganischer Leuchtstoff ist und ein Leuchtstoffmetallzentrum M in einem Wirtsgitter auf der Basis der allgemeinen Formel A3B5X12 oder eines Sulfids, Oxysulfids, Borats, Aluminats oder von Metallchelatkom­ plexen enthält.
23. Verwendung nach Anspruch 22, bei der das Leuchtstoffpig­ mentpulver (4) Partikel aus der Gruppe der Ce-dotierten Granate, insbesondere aus Ce-dotiertem Yttriumaluminium­ granat (Y3Al5O12:Ce) enthält.
24. Oberflächenmontierbare Leuchtdioden(LED)- Weißlichtquelle, bei der ein Leuchdiodenchip mit einer Kunststoff-Preßmasse eingekapselt ist, die nach einem Verfahren gemäß mindestens einem der Ansprüche 1 bis 19 hergestellt ist.
25. Oberflächenmontierbare Leuchtdioden(LED)-Weißlichtquelle nach Anspruch 24 mit einer Halbleiter-Leuchtdiode (1), die Lichtstrahlung im ultravioletten oder blauen Spek­ tralbereich emittiert.
26. Oberflächenmontierbare Leuchtdioden(LED)-Weißlichtquelle nach Anspruch 25, bei der das Leuchtstoffpigmentpulver (4) ein anorganischer Leuchtstoff ist und ein Leucht­ stoffmetallzentrum M in einem Wirtsgitter auf der Basis der allgemeinen Formel A3B5X12 oder eines Sulfids, Oxysul­ fids, Borats, Aluminats oder von Metallchelatkomplexen enthält.
27. Oberflächenmontierbare Leuchtdioden(LED)-Weißlichtquelle nach Anspruch 26, bei der das Leuchtstoffpigmentpulver (4) Partikel aus der Gruppe der Ce-dotierten Granate, insbesondere aus Ce-dotiertem Yttriumaluminiumgranat (Y3Al5O12:Ce) enthält.
DE19963806A 1999-12-30 1999-12-30 Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle Expired - Fee Related DE19963806C2 (de)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19964252A DE19964252A1 (de) 1999-12-30 1999-12-30 Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
DE19963806A DE19963806C2 (de) 1999-12-30 1999-12-30 Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle
EP00991779.0A EP1243031B9 (de) 1999-12-30 2000-12-28 Oberflächenmontierbare leuchtdioden-lichtquelle und verfahren zur herstellung einer leuchtdioden-lichtquelle
CNB008180903A CN100375299C (zh) 1999-12-30 2000-12-28 可表面装配的发光二极管光源和制造发光二极管光源的方法
PCT/DE2000/004660 WO2001050540A1 (de) 1999-12-30 2000-12-28 Oberflächenmontierbare leuchtdioden-lichtquelle und verfahren zur herstellung einer leuchtdioden-lichtquelle
JP2001550820A JP2003519929A (ja) 1999-12-30 2000-12-28 表面に取り付け可能な発光ダイオード光源および発光ダイオード光源を製造する方法
US10/186,661 US7098588B2 (en) 1999-12-30 2002-07-01 Surface-mountable light-emitting diode light source and method of producing a light-emitting diode light source
US11/456,301 US7534634B2 (en) 1999-12-30 2006-07-10 Surface-mountable light-emitting diode light source and method of producing a light-emitting diode light source
JP2011223818A JP2012009902A (ja) 1999-12-30 2011-10-11 表面に取り付け可能な発光ダイオード光源および発光ダイオード光源を製造する方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19963806A DE19963806C2 (de) 1999-12-30 1999-12-30 Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19963806A1 DE19963806A1 (de) 2001-07-19
DE19963806C2 true DE19963806C2 (de) 2002-02-07

Family

ID=7935014

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19964252A Ceased DE19964252A1 (de) 1999-12-30 1999-12-30 Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle
DE19963806A Expired - Fee Related DE19963806C2 (de) 1999-12-30 1999-12-30 Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19964252A Ceased DE19964252A1 (de) 1999-12-30 1999-12-30 Oberflächenmontierbares Bauelement für eine LED-Weißlichtquelle

Country Status (6)

Country Link
US (2) US7098588B2 (de)
EP (1) EP1243031B9 (de)
JP (2) JP2003519929A (de)
CN (1) CN100375299C (de)
DE (2) DE19964252A1 (de)
WO (1) WO2001050540A1 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10234978A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7199470B2 (en) 2002-07-31 2007-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Surface-mountable semiconductor component and method for producing it

Families Citing this family (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AUPQ818100A0 (en) 2000-06-15 2000-07-06 Arlec Australia Limited Led lamp
AUPR570501A0 (en) * 2001-06-15 2001-07-12 Q1 (Pacific) Limited Led lamp
DE10131698A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-30 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE10134968A1 (de) * 2001-07-23 2003-02-20 Lite On Electronics Inc Leuchtdiode und Verfahren zu deren Herstellung
DE10147986A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Lichtquelle und Verfahren zur Herstellung derselben
DE10153615C1 (de) * 2001-10-31 2003-07-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektronischen Bauteilen
DE10213294B4 (de) 2002-03-25 2015-05-13 Osram Gmbh Verwendung eines UV-beständigen Polymers in der Optoelektronik sowie im Außenanwendungsbereich, UV-beständiges Polymer sowie optisches Bauelement
DE10214208B9 (de) * 2002-03-28 2006-12-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gußform für ein elektronisches Bauelement und elektronisches Bauelement
US6870311B2 (en) * 2002-06-07 2005-03-22 Lumileds Lighting U.S., Llc Light-emitting devices utilizing nanoparticles
US6841802B2 (en) 2002-06-26 2005-01-11 Oriol, Inc. Thin film light emitting diode
WO2004010472A2 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Microsemi Corporation Process for fabricating, and light emitting device resulting from, a homogenously mixed powder/pelletized compound
US20050047115A1 (en) * 2002-09-17 2005-03-03 Hsi-Huang Lin Method for making a lamp string
US6879040B2 (en) * 2002-09-18 2005-04-12 Agilent Technologies, Inc. Surface mountable electronic device
DE10250877B4 (de) * 2002-10-31 2008-09-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Halbleiterbauelement, Herstellungsverfahren und Verwendung dafür, eine Vielzahl der lichtemittierenden Halbleiterbauelemente enthaltendes Modul und dessen Verwendung
DE10258193B4 (de) 2002-12-12 2014-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von Leuchtdioden-Lichtquellen mit Lumineszenz-Konversionselement
DE10261672B4 (de) * 2002-12-31 2005-11-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Chip mit Konversionsstoff, optoelektronisches Bauelement mit einem derartigen LED-Chip und Verfahren zum Herstellen eines derartigen LED-Chips
DE10303455B4 (de) * 2003-01-29 2007-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmenband und Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Leiterrahmen-basierten Leuchtdiodenbauelementen
KR20040092512A (ko) * 2003-04-24 2004-11-04 (주)그래픽테크노재팬 방열 기능을 갖는 반사판이 구비된 반도체 발광장치
US7318659B2 (en) * 2004-03-03 2008-01-15 S. C. Johnson & Son, Inc. Combination white light and colored LED light device with active ingredient emission
US7915085B2 (en) * 2003-09-18 2011-03-29 Cree, Inc. Molded chip fabrication method
US7965031B2 (en) 2003-09-24 2011-06-21 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung White-emitting LED having a defined color temperature
JP4457110B2 (ja) 2003-09-24 2010-04-28 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 改善された演色性を有するledをベースとする高効率の照明系
TWI275189B (en) 2003-12-30 2007-03-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for producing such component
DE10361801A1 (de) * 2003-12-30 2005-08-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes und/oder strahlungsempfangendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP2005310756A (ja) * 2004-03-26 2005-11-04 Koito Mfg Co Ltd 光源モジュールおよび車両用前照灯
DE102004038199A1 (de) 2004-08-05 2006-03-16 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH LED mit niedriger Farbtemperatur
DE102004047640A1 (de) 2004-09-30 2006-04-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Gehäuse für ein optoelektronisches Bauelement
JP4757477B2 (ja) * 2004-11-04 2011-08-24 株式会社 日立ディスプレイズ 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US20060186428A1 (en) * 2005-02-23 2006-08-24 Tan Kheng L Light emitting device with enhanced encapsulant adhesion using siloxane material and method for fabricating the device
DE102005009066A1 (de) * 2005-02-28 2006-09-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optischen und eines strahlungsemittierenden Bauelementes und optisches sowie strahlungsemittierendes Bauelement
US7489073B2 (en) 2005-04-15 2009-02-10 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Blue to yellow-orange emitting phosphor, and light source having such a phosphor
DE102006016548B9 (de) 2005-04-15 2021-12-16 Osram Gmbh Blau bis Gelb-Orange emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
DE102005036520A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung
US7350933B2 (en) * 2005-05-23 2008-04-01 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Phosphor converted light source
KR100616684B1 (ko) * 2005-06-03 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 led 패키지 및 그 제조방법
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
JP2007053170A (ja) * 2005-08-16 2007-03-01 Toshiba Corp 発光装置
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102005059521A1 (de) 2005-12-13 2007-06-14 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Rot emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit einem derartigen Leuchtstoff
JP2009530798A (ja) 2006-01-05 2009-08-27 イルミテックス, インコーポレイテッド Ledから光を導くための独立した光学デバイス
US7675145B2 (en) * 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US8969908B2 (en) 2006-04-04 2015-03-03 Cree, Inc. Uniform emission LED package
US8748915B2 (en) 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8367945B2 (en) 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
WO2008042351A2 (en) 2006-10-02 2008-04-10 Illumitex, Inc. Led system and method
US10295147B2 (en) 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
KR101456266B1 (ko) * 2006-12-08 2014-11-04 서울반도체 주식회사 발광소자
WO2008073400A1 (en) 2006-12-11 2008-06-19 The Regents Of The University Of California Transparent light emitting diodes
US7968900B2 (en) * 2007-01-19 2011-06-28 Cree, Inc. High performance LED package
US9024349B2 (en) 2007-01-22 2015-05-05 Cree, Inc. Wafer level phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7510400B2 (en) * 2007-03-14 2009-03-31 Visteon Global Technologies, Inc. LED interconnect spring clip assembly
US7621752B2 (en) * 2007-07-17 2009-11-24 Visteon Global Technologies, Inc. LED interconnection integrated connector holder package
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
US7993940B2 (en) * 2007-12-05 2011-08-09 Luminus Devices, Inc. Component attach methods and related device structures
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
JP5463447B2 (ja) 2008-01-18 2014-04-09 三洋電機株式会社 発光装置及びそれを備えた灯具
WO2009100358A1 (en) 2008-02-08 2009-08-13 Illumitex, Inc. System and method for emitter layer shaping
US8637883B2 (en) 2008-03-19 2014-01-28 Cree, Inc. Low index spacer layer in LED devices
US8049230B2 (en) 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
DE102008052751A1 (de) 2008-10-22 2010-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen eines Lumineszenzkonversionselements, Lumineszenzkonversionselement und optoelektronisches Bauteil
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
KR20100087851A (ko) * 2009-01-29 2010-08-06 삼성전자주식회사 발광 유닛, 이의 제조 방법 및 발광 유닛을 포함하는 광원 장치
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
US8415692B2 (en) 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
US20110101062A1 (en) * 2009-11-04 2011-05-05 Benjamin Franklin Roberts Pouch and pouches to carry personal items and lights on a belt
DE102009058796A1 (de) 2009-12-18 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
US9653656B2 (en) 2012-03-16 2017-05-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. LED packages and related methods
US8637887B2 (en) 2012-05-08 2014-01-28 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Thermally enhanced semiconductor packages and related methods
DE102012106984A1 (de) * 2012-07-31 2014-02-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
DE102012109754A1 (de) * 2012-10-12 2014-04-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US9059379B2 (en) 2012-10-29 2015-06-16 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Light-emitting semiconductor packages and related methods
US9618191B2 (en) 2013-03-07 2017-04-11 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Light emitting package and LED bulb
US9431319B2 (en) * 2014-08-01 2016-08-30 Linear Technology Corporation Exposed, solderable heat spreader for integrated circuit packages
DE102016104790A1 (de) 2016-03-15 2017-09-21 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Materialien für die LED-Verkapselung
CN108540086A (zh) * 2018-01-18 2018-09-14 浙江人和光伏科技有限公司 一种太阳能电池接线盒的导电模块
CN111430343A (zh) * 2020-03-31 2020-07-17 深圳市唯亮光电科技有限公司 一种垂直式集成封装组件及其封装方法
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60101141A (ja) * 1983-11-07 1985-06-05 Mitsubishi Electric Corp エポキシ樹脂用着色剤
DE3804392A1 (de) * 1988-02-12 1989-08-24 Basf Ag Fuellstoffhaltige polyamid-formmassen mit verbesserter oberflaeche und lackierbarkeit
DE4003842A1 (de) * 1989-02-09 1990-08-16 Shinetsu Chemical Co Epoxidharzmassen zum einkapseln von halbleitern
DE3153142C2 (de) * 1980-01-14 1991-11-14 Plaskon Products Inc., Toledo, Ohio, Us
DE19604492C1 (de) * 1996-02-08 1997-06-12 Wustlich Hans Dieter Spritzgießwerkzeug zur Herstellung von Leuchtdioden
WO1998012757A1 (de) * 1996-09-20 1998-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Wellenlängenkonvertierende vergussmasse, deren verwendung und verfahren zu deren herstellung
US5777433A (en) * 1996-07-11 1998-07-07 Hewlett-Packard Company High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
WO1998054929A2 (en) * 1997-05-27 1998-12-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Uv/blue led-phosphor device with efficient conversion of uv/blue light to visible light

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3935501A (en) * 1975-02-13 1976-01-27 Digital Components Corporation Micro-miniature light source assemblage and mounting means therefor
GB1557685A (en) * 1976-02-02 1979-12-12 Fairchild Camera Instr Co Optically coupled isolator device
US4412135A (en) * 1979-03-23 1983-10-25 Sharp Kabushiki Kaisha Photo coupler device molding including filler particles
US4334035A (en) * 1981-03-19 1982-06-08 Mitsubishi Petrochemical Co., Ltd. Unsaturated polyester resin composition
JPS596839A (ja) * 1982-07-05 1984-01-13 Fuji Oil Co Ltd 大豆乳製品の製造法
JPS596839U (ja) * 1982-07-07 1984-01-17 日本電気株式会社 半導体装置
JPS6195581A (ja) * 1984-10-16 1986-05-14 Toshiba Corp 光結合素子
DE3804293A1 (de) 1988-02-12 1989-08-24 Philips Patentverwaltung Anordnung mit einer elektrolumineszenz- oder laserdiode
JPH02169619A (ja) * 1988-12-23 1990-06-29 Toshiba Corp 封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いてなる光半導体素子
JPH0537008A (ja) * 1991-07-29 1993-02-12 Sharp Corp 光結合装置
JPH05183075A (ja) * 1991-12-27 1993-07-23 Nitto Denko Corp 光半導体装置
TW332348B (en) * 1992-06-23 1998-05-21 Sony Co Ltd Manufacturing method for solid state motion picture device provides a highly accurate and low cost solid state motion picture device by use of empty package made of resin.
JP3232698B2 (ja) * 1992-09-14 2001-11-26 ソニー株式会社 樹脂封止型半導体装置とその製造方法
EP0646971B1 (de) 1993-09-30 1997-03-12 Siemens Aktiengesellschaft Zweipoliges SMT-Miniatur-Gehäuse für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu dessen Herstellung
JPH07309927A (ja) * 1994-05-17 1995-11-28 Nitto Denko Corp 光半導体装置
WO1996000247A1 (fr) * 1994-06-24 1996-01-04 Seiko Epson Corporation Substance plastique transparente, article d'optique realise en cette substance et procede de production
JPH08222757A (ja) * 1995-02-14 1996-08-30 Sharp Corp 光結合素子
JPH0983013A (ja) * 1995-09-14 1997-03-28 Sharp Corp 光結合装置及びその製造方法
US5803579A (en) * 1996-06-13 1998-09-08 Gentex Corporation Illuminator assembly incorporating light emitting diodes
KR20040111701A (ko) * 1996-06-26 2004-12-31 지멘스 악티엔게젤샤프트 발광 변환 소자를 포함하는 발광 반도체 소자
FR2765517B1 (fr) * 1997-07-04 1999-08-27 Oreal Article en matiere plastique, procede de fabrication et composition de moulage
JPH11163419A (ja) * 1997-11-26 1999-06-18 Rohm Co Ltd 発光装置
JP3391681B2 (ja) * 1998-01-26 2003-03-31 松下電工株式会社 光半導体封止用のエポキシ樹脂組成物および樹脂封止型光半導体装置
DE29901093U1 (de) * 1999-01-22 1999-04-08 Goang Han Technology Co Fotoabtastelement-Leuchtdiode für SMD

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3153142C2 (de) * 1980-01-14 1991-11-14 Plaskon Products Inc., Toledo, Ohio, Us
JPS60101141A (ja) * 1983-11-07 1985-06-05 Mitsubishi Electric Corp エポキシ樹脂用着色剤
DE3804392A1 (de) * 1988-02-12 1989-08-24 Basf Ag Fuellstoffhaltige polyamid-formmassen mit verbesserter oberflaeche und lackierbarkeit
DE4003842A1 (de) * 1989-02-09 1990-08-16 Shinetsu Chemical Co Epoxidharzmassen zum einkapseln von halbleitern
DE19604492C1 (de) * 1996-02-08 1997-06-12 Wustlich Hans Dieter Spritzgießwerkzeug zur Herstellung von Leuchtdioden
US5777433A (en) * 1996-07-11 1998-07-07 Hewlett-Packard Company High refractive index package material and a light emitting device encapsulated with such material
WO1998012757A1 (de) * 1996-09-20 1998-03-26 Siemens Aktiengesellschaft Wellenlängenkonvertierende vergussmasse, deren verwendung und verfahren zu deren herstellung
DE19638667A1 (de) * 1996-09-20 1998-04-02 Siemens Ag Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
WO1998054929A2 (en) * 1997-05-27 1998-12-03 Koninklijke Philips Electronics N.V. Uv/blue led-phosphor device with efficient conversion of uv/blue light to visible light

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Patent Abstracts of Japan, JP 10093146 A, JPO, 1998 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10234978A1 (de) * 2002-07-31 2004-02-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Oberflächenmontierbares Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7199470B2 (en) 2002-07-31 2007-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Surface-mountable semiconductor component and method for producing it
US7488622B2 (en) 2002-07-31 2009-02-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing a surface-mountable semiconductor component

Also Published As

Publication number Publication date
US20060244000A1 (en) 2006-11-02
CN100375299C (zh) 2008-03-12
US20020195935A1 (en) 2002-12-26
JP2003519929A (ja) 2003-06-24
DE19963806A1 (de) 2001-07-19
US7534634B2 (en) 2009-05-19
EP1243031B9 (de) 2017-07-26
WO2001050540A1 (de) 2001-07-12
DE19964252A1 (de) 2002-06-06
JP2012009902A (ja) 2012-01-12
EP1243031A1 (de) 2002-09-25
EP1243031B1 (de) 2017-03-08
CN1421048A (zh) 2003-05-28
US7098588B2 (en) 2006-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19963806C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Leuchtdioden-Weißlichtquelle, Verwendung einer Kunststoff-Preßmasse zum Herstellen einer Leuchtioden-Weißlichtquelle und oberflächenmontierbare Leuchtdioden-Weißlichtquelle
EP1399978B1 (de) Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes bauelement
EP0862794B1 (de) Wellenlängenkonvertierende vergussmasse und verfahren zu deren herstellung, verfahren zum herstellen eines licht abstrahlenden halbleiterbauelements und licht abstrahlendes halbleiterbauelement
EP1434279B1 (de) Lichtabstrahlender Halbleiterchip und Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1259990B1 (de) Verfahren zur herstellung eines lichtabstrahlenden halbleiterkörpers mit lumineszenzkonversionselement
EP1897152B1 (de) Wellenlängenkonvertierendes konvertermaterial, lichtabstrahlendes optisches bauelement und verfahren zu dessen herstellung
EP1501909B1 (de) Wellenlängenkonvertierende reaktionsharzmasse und leuchtdiodenbauelement
DE10301676A1 (de) Beschichteter Phosphorfüllstoff und Verfahren zum Bilden eines beschichteten Phosphorfüllstoffs
WO2001082385A1 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement mit lumineszenzkonversionselement
DE19655185B4 (de) Mischfarbiges Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE19655445B3 (de) Weißes Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionsschicht und Verwendung solcher Halbleiterbauelemente

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
AH Division in

Ref document number: 19964252

Country of ref document: DE

D2 Grant after examination
AH Division in

Ref document number: 19964252

Country of ref document: DE

8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH, 93049 REGENSBURG,

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee