DE19961673A1 - Flacher Röntgendetektor mit Alkalihalogenid-Scintillator - Google Patents

Flacher Röntgendetektor mit Alkalihalogenid-Scintillator

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    • G01T1/16Measuring radiation intensity
    • G01T1/20Measuring radiation intensity with scintillation detectors
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Abstract

Ein Röntgendetektor, ausgerüstet mit einem Scintillator, der ein Alkalihalogenid mit einer Dotierung enthält, und mit einem Photodioden-Array mit mindestens einer Photodiode, die ein Halbleitermaterial enthält, bei dem zwischen Scintillator und dem Photodioden-Array ein Farbwandler, der einen photolumineszenten Leuchtstoff enthält, angeordnet ist, macht einen größeren Anteil der Röntgenstrahlung für die Bildanalyse nutzbar.

Description

Die Erfindung betrifft einen Röntgendetektor, insbesondere für Röntgenradiographie und Röntgenfluoreszenzanalyse, ausgerüstet mit einem Scintillator, der ein Alkalihalogenid mit einer Dotierung enthält, und mit einem Photodioden-Array, das mindestens eine Photo­ diode, die ein Halbleitermaterial enthält, umfasst.
In der Röntgenradiographie und Röntgenfluoreszenzanalyse wird die Röntgenstrahlung analysiert, die von einer Röntgenquelle emittiert und beim Durchgang durch den mensch­ lichen Körper oder ein Werkstoff je nach dessen Dichte absorbiert und geschwächt worden ist. Es gibt verschiedene Möglichkeiten, die Röntgenstrahlung weiter zu bearbeiten. In einem Röntgendetektor wird das gewonnene Röntgenschattenbild zunächst von einem Scintillator absorbiert und in dem Scintillator in eine weniger energiereiche Lumineszenz­ strahlung im sichtbaren oder UV-Bereich transponiert. Diese Lumineszenzstrahlung wird dann an ein Array von Photodioden weitergegeben. In den Photodioden wird die Lumi­ neszenzstrahlung in ein elektrisches, Signal umgewandelt, das über eine Ausleseelektronik weiter verarbeitet werden kann. Durch die Kombination von Scintillator und Photodio­ den-Array läßt sich so ein digitales Bild der einfallenden Röntgenstrahlung erhalten.
Als Scintillatoren für Röntgendetektoren sind dotierte Alkalihalogenide besonders geeignet, weil sie einen hohen Massenextinktionskoeffizienten für Röntgenstrahlung haben. Röntgendetektoren mit derartigen Scintillatoren sind aus DE 195 19 775 bekannt.
Die spektrale Verteilung und die Lichtausbeute des im Scintillator erzeugten Lumineszenz­ lichtes ist dabei abhängig von der gewählten Dotierung für die Alkalihalogenide.
Auch die nachgeschalteten Photodioden sprechen nicht gleichmäßig über den in Frage kommenden Frequenzbereich des Lumineszenzlichtes an. Bestimmte Frequenzbereiche des Lumineszenzlichtes haben eine hohle Ansprechschwelle in den Photodioden und mindern deshalb die Empfindlichkeit des Röntgendetektors in diesem Bereich. In der Regel liegt so die Wellenlänge des Lumineszenzlichtes des Scintillators außerhalb des Maximums der Fotoempfindlichkeit der Photodioden.
Es ist die Aufgabe, der vorliegenden Erfindung, einen Röntgendetektor, ausgerüstet mit einem Scintillator, der ein Alkalihalogenid mit einer Dotierung enthält, und mit einem Photodioden-Array, das mindestens eine Photodiode, die ein Halbleitermaterial enthält, umfaßt, zur Verfügung zu stellen, der eine hohe Effizienz hat.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch einen Röntgendetektor, ausgerüstet mit einem Scintillator, der ein Alkalihalogenid mit einer Dotierung enthält, und mit einem Photodioden-Array, das mindestens eine Photodiode, die ein Halbleitermaterial enthält, umfaßt, wobei zwischen Scintillator und dem Photodioden-Array ein Farbwandler, der einen photolumineszenten Leuchtstoff enthält, angeordnet ist.
Der photolumineszente Leuchtstoff in dem Farbwandler macht einen größeren Anteil der Röntgenstrahlung für die Bildanalyse nutzbar. Der Leuchtstoff absorbiert die Lumines­ zenzstrahlung und setzt sie in Lumineszenzstrahlung um, die der spektralen Empfind­ lichkeit der Photodiode angepaßt ist, so dass das Emissionsspektrum des Scintillators und das Empfindlichkeitsspektrum der Photodiode maximal überlappen und die Photodiode mit maximaler Quanteneffektivität arbeiten kann.
Nach einer Variante der Erfindung kann der Farbwandler zwei oder mehr photolumines­ zente Leuchtstoffe enthalten. Dies gilt für den Fall, dass der Farbwandlungseffekt eines Leuchtstoffes nicht stark genug ist. Dann kann durch Kombination von mehreren Leucht­ stoffen ein Kaskadeneffekt erreicht werden, mit dem die Lumineszenzstrahlung in den gewünschten Wellenlängenbereich transferiert wird.
Nach einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung enthält der Scintillator ein Alkali­ halogenid mit einer Dotierung, das ein Emissionsmaximum bei einer Wellenlänge λ von 400 bis 440 nm hat.
Besonders bevorzugt ist, dass der Scintillator als dotiertes Alkalihalogenid CsJ:Na enthält. CsJ:Na emittiert ein energiereiches Lumineszenzspektrum im Wellenlängenbereich zwischen 400 und 440 nm, es hat eine kurze Abklingzeit; die erzeugten Bilder sind frei von Memoryeffekten und Verlusten durch strahlungslose Umwandlungsprozesse.
In einer weiteren Ausführungsform der Erfindung kann vorgesehen sein, dass die Photo­ diode als Halbleitermaterial amorphes Silicium enthält. Für Photodioden aus amorphem Silicium, insbesondere in Kombination mit einem Scintillator aus CsJ:Na oder CsJ:CO3 2- hat es sich als besonders vorteilhaft erwiesen, wenn der photolumineszente Leuchtstoff ein grüner Leuchtstoff ist.
Als grüner Leuchtstoff sind ein Perylenderivatet, SrGa2S4:Eu, ZnS:Cu,Au, BaMgAl10O17:Eu,Mn oder YAG:Ce besonders geeignet.
Besonders bevorzugt ist eine Ausführungsform, in der das Photodioden-Array ein groß­ flächiger, matrix-adressierter Bildsensor auf einer TFT-Matrix ist.
Nachfolgend wird die Erfindung weiter erläutert.
Der Röntgendetektor ist mit einem Scintillator, einem Photodioden-Array und einem da­ zwischen liegenden Farbwandler, der einen Leuchtstoff enthält, ausgerüstet. Üblicherweise sind sowohl der Scintillator als auch das Photodioden-Array und der Farbwandler jeweils als Schicht ausgebildet und zu einem Schichtsystem kombiniert.
Eine Scintillatorschicht bildet den Eingangsschirm für die Röntgenstrahlung. Unter der Scintillatorschicht ist die Farbwandlerschicht angeordnet, auf welche die Photodiodenschicht folgt. Von der Photodiodenschicht gehen elektrische Kontaktleitungen zu der Ausleseelektronik.
Der Scintillator enthält als wesentliches Element eine Schicht aus einem Alkalihalogenid, das mit einem Fremdion dotiert ist. Die Fremdionen, wie Tl(I), Ga(I), In(I) oder ein zweites Alkali-Ion werden in das Kristallgitter des Alkalihalogenids inkorporiert und er­ zeugen dadurch Lumineszenszentren. Der Scintillator muß eine gute Absorptionsfähigkeit für Röntgenstrahlung haben, d. h. er soll Elemente mit hoher Atomnummer enthalten. Durch Aufdampfverfahren können Scintillatorenschichten mit einer Säulenstruktur er­ zeugt werden, die durch Bündelung des Lichtes in den langgestreckten Scintillatorkristallen eine gute Ortsauflösung ermöglichen. Für Scintillatorkristalle mit regulärer Kristallform soll die Kristallgröße klein sein um eine gute Ortsauflösung zu ermöglichen. Zudem soll die Abklingzeit kurz sein, damit auch Bewegungsvorgänge erfaßt werden können. Eine Auswahl von dotierten Alkalihalogeniden, die diese Bedingungen erfüllen, ist in Tabelle I zusammengestellt.
Tabelle I
Die Scintillatorschichten aus dotiertem Alkalihalogenid werden üblicherweise durch Auf­ dampfen der Verbindungen auf ein Substrat hergestellt. Die Scintillatorschichten können daher auch noch ein Substrat umfassen. Als Substrat kann der Detektor dienen, z. B. ein Detektor mit Fotodioden aus amorphem Silicium auf einer Glasplatte. Auch Glasplatten selbst, Aluminiumblech und Scheiben aus Aluminiumoxid sind als Substrate für den Scintillator geeignet. Diese Scintillatoren werden mit dem Detektor verklebt.
In den Photodioden werden die Lichtsignale in elektrische Signale umgewandelt. Die durch die Strahlungsabsorption erzeugten Elektronen-Loch-Paare werden im Feld des pn- Überganges getrennt und liefern einen Strom über die äußeren Elektroden. Die langweilige Grenze des spektralen Empfindlichkeitsbereiches ist durch den Bandab­ stand des Halbleitermaterials, d. h. in der Regel Silicium, festgelegt. Die spektrale Empfind­ lichkeitsverteilung einer Silicium-Photodiode kann in begrenztem Umfang durch die Her­ stellungstechnologie beeinflusst werden.
Bevorzugt verwendet werden Photodioden-Arrays, die mit TFT-Transistoren zu großflä­ chigen Bildsensoren kombiniert sind. Als Halbleitermaterial kommt für diese großflächigen Dioden-Arrays mit Wasserstoff abgesättigtes amorphes Silicium (a-Si:H) oder polykristal­ lines Silicium (p-Si) in Einsatz. Deren Maximum der spektralen Empfindlichkeit liegt zwischen 550 und 600 nm.
Zwischen der Scintillatorschicht und der Schicht mit dem Photodioden-Array ist die Farb­ wandlerschicht eingeschoben. Die Farbwandlerschicht enthält einen photolumineszenten Leuchtstoff. Der Farbwandlersphospor transponiert das Lumineszenzlicht des Scintillators in einen Wellenlängenbereich, der mit dem Maximum der spektralen Empfindlichkeit der Photodiode übereinstimmt.
Nach dem Grundprinzip der Photolumineszenz kann Licht, einer Farbe die energetisch höher liegt, in Licht einer Farbe die energetisch tiefer liegt, umgewandelt werden. Aus Licht aus dem blauen Wellenlängenbereich können alle anderen Farben erhalten werden, da die blaue Farbe die höchstenergetische aller Spektralfarben darstellt. Beleuchtet man einen photolumineszenten Leuchtstoff, der grün emittiert, mit dem blauen Licht eines Scintillators, so wird der grüne Farbstoff durch das blaue Licht angeregt und emittiert nachfolgend grünes Licht.
Wird die Farbwandlerschicht direkt auf den Scintillator ohne Luftschicht dazwischen aufgebracht, kann die Quantenkonversionsausbeute bis zu 90% erreichen, weil so Reflexionsverluste zwischen den Schichten minimiert sind.
Grüne Farbstoffe haben im allgemeinen eine sehr gute Absorption für blaues Licht.
Rote Farbstoffe, die als Farbwandler für Photodioden geeignet sind, deren Maximum der spektralen Empfindlichkeit im roten bis infraroten Bereich liegt, zeigen meist nur eine ge­ ringe Absorption im Blauen und können daher mit blauem Licht nicht effizient angeregt werden. Sie eignen sich aber als Farbwandler für grün emittierende Scintillatoren. Alternativ kann man einen roten Farbstoff mit einem grünen koppeln und eine Kaskaden­ konversion von Blau über Grün nach Rot erzielen.
Als Leuchtstoffe für die Farbwandlerschicht werden organische und anorganische Leucht­ stoffe mit hoher Photolumineszenzquantenausbeute verwendet. Geeignet sind als grüne Leuchtstoffe Perylenderivate wie Vat Green 1, C.I. 59825 oder die anorganischen Leucht­ stoffe SrGa2S4:Eu mit einem Emissionsmaximum bei 535 nm, ZnS:Cu,Au mit einem Emissionsmaximum bei 540 nm, BaMgAl10O17:Eu,Mn mit einem Emissionsmaximum bei 520 nm oder YAG:Ce mit einem Emissionsmaxium um bei 550 nm.
Um homogene Farbwandlerschichten herstellen zu können, werden die Leuchtstoffe be­ vorzugt in eine Matrix aus einem polymeren Kunstharz eingebettet. Beispielsweise kann sie in die Polyimidschicht eingebettet werden, mit der Photodioden üblicherweise gegen Um­ welteinflüsse geschützt werden. Sie können aber auch in eine separate Schicht auf der Pho­ todiode oder auf dem Scintillator aufgebracht werden und dafür in eine Matrix aus einem Kunstharz wie Polymethylmetacrylat, Polystyrol u. ä. eingebettet werden. Als Herstellungs­ verfahren für diese Schichten eignet sich besonders das Spin-Coating-Verfahren.
Als vorteilhaft hat sich eine Kombination erwiesen mit einem Scintillator, der als dotiertes Alkalihalogenid CsJ:Na enthält, mit einem grünen Perylenpigment als Farbwandler und einem großflächigen matrix-adressierten Bildsensor aus amorphen Silicium auf einem Glas­ substrat. CsJ:Na strahlt ein energiereiches Licht ab, das von dem grünen Leuchtstoff sehr gut absorbiert wird und in eine Wellenlängenbereich um 520 nm transformiert wird. Die Photodiode aus amorphen Silicium hat in diesem Bereich das Maximum der spektralen Empfindlichkeit. Da es durch den Farbwandler vermieden wird, dass Licht aus dem roten oder infraroten Bereich von der Photodiode verarbeitet werden muß, kann die Schicht­ dicke für das Silicium relativ gering gehalten werden und Produktionskosten gespart werden. Gleichzeitig wird das Trapping von Ladungsträgern in der amorphen Silicium­ schicht, das durch transiente Fotoströme zu Geisterbildern führt, vermieden.

Claims (8)

1. Röntgendetektor, ausgerüstet mit einem Scintillator, der ein Alkalihalogenid mit einer Dotierung enthält, und mit einem Photodioden-Array mit mindestens einer Photodiode, die ein Halbleitermaterial enthält, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen Scintillator und dem Photodioden-Array ein Farbwandler, der einen photolumineszenten Leuchtstoff enthält, angeordnet ist.
2. Röntgendetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Farbwandler zwei oder mehr photolumineszente Leuchtstoffe enthält.
3. Röntgendetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Scintillator ein Alkalihalogenid mit einer Dotierung enthält, das ein Emissionsmaximum bei einer Wellenlänge λ von 400 bis 440 nm hat.
4. Röntgendetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Scintillator CsJ:Na oder CsJ:CO3 2- enthält.
5. Röntgendetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Photodiode als Halbleitermaterial amorphes Silicium enthält.
6. Röntgendetektor nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass der photolumineszente Leuchtstoff ein grüner Leuchtstoff ist.
7. Röntgendetektor nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der grüne Leuchtstoff Leuchtstoffe ein Perylenderivatet, SrGa2S4:Eu, ZnS:Cu,Au, BaMgAl10O17:Eu,Mn oder YAG:Ce ist.
8. Röntgendetektor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Photodioden-Array ein großflächiger, matrix-adressierter Bildsensor auf einer TFT-Matrix ist.
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