DE19943521A1 - Process for adjusting the defined flank angle comprises influencing the flank angle by producing or adjusting defined joint stresses in the layer to be structured whilst a metal or metal oxide layer is deposited - Google Patents

Process for adjusting the defined flank angle comprises influencing the flank angle by producing or adjusting defined joint stresses in the layer to be structured whilst a metal or metal oxide layer is deposited

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Abstract

Process for adjusting the defined flank angle alpha in the region of 1-60 degrees during the production of metal and metal oxide layers by wet chemical etching comprises influencing the flank angle by producing or adjusting defined joint stresses in the layer to be structured whilst a metal or metal oxide layer is deposited on the substrate or joint stresses are produced or adjusted in the deposited metal or metal oxide layer. Low joint stresses are used to adjust small flank angles of 0.5-5 degrees and high joint stresses are used to produce large flank angles in the region of more than 5-45 degrees.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Einstellen definierter Flankenwinkel α im Bereich von 1° bis 60° beim Herstellen von Schichtstrukturen aus Metall- oder Metalloxidschichten mittels nasschemischem Ätzen.The invention relates to a method for setting defined Flank angle α in the range from 1 ° to 60 ° when producing Layer structures made of metal or metal oxide layers by means of wet chemical etching.

Das erfindungsgemäße Verfahren ist beispielsweise anwendbar in der Dünnschicht- und Mikrosystemtechnik zur sicheren Kontaktierung zweier oder mehrerer Schichten, insbesondere dann, wenn die später aufgebrachte Schicht wesentlich dünner ist. Weitere mögliche Anwendungsgebiete sind: Die Herstellung von Abformmatritzen, z. B. für Mikrostempeltechniken oder optische Speicher, in der Mikrosystemtechnik die Herstellung von Mikrodüsen und in der Dünnschichttechnik die Herstellung von Widerstandsmonitoren zur Steuerung von reaktiven oder teilreaktiven AbscheideprozessenThe method according to the invention can be used, for example, in thin-film and microsystem technology for safe Contacting two or more layers, in particular then when the later applied layer is much thinner is. Other possible areas of application are: Manufacturing of impression matrices, e.g. B. for micro stamping techniques or optical storage, production in microsystem technology of micro nozzles and in thin-film technology the production of resistance monitors to control reactive or partially reactive deposition processes

Für die Herstellung elektronischer oder mikroelektronischer Bauelemente oder von Dünnschichtsensoren ist oft die Kontaktierung einer Vielzahl dünner Schichten notwendig. Diese Schichten werden in der Regel nacheinander abgeschieden. Ist die nachfolgend abgeschiedene Schicht wesentlich dünner als die vorhergehende, kann es an den Übergangsstellen zu Kontaktproblemen kommen, welche die Zuverlässigkeit der Bauelemente negativ beeinflussen. Diese Problematik wird bei auftretenden Temperaturwechseln wesentlich verstärkt. Zur Vermeidung dieser Effekte ist es deshalb sinnvoll, den Flankenwinkel α der Schicht, der zwischen dem Substrat und der Schichtkante gebildet wird, möglichst klein zu halten.For the manufacture of electronic or microelectronic Components or thin film sensors is often the Contacting a large number of thin layers is necessary. These Layers are usually deposited one after the other. is the subsequently deposited layer is much thinner than that previous, it can be at the transition points too Contact problems come which affect the reliability of the Affect components negatively. This problem arises with occurring temperature changes are significantly increased. To the It is therefore useful to avoid these effects Flank angle α of the layer between the substrate and the Layer edge is formed to be kept as small as possible.

Hierfür wird nach dem Stand der Technik eine Hilfsschicht aufgebracht, die im verwendeten Ätzmittel eine gegenüber der Schicht wesentlich höhere Ätzgeschwindigkeit aufweist (M. Köhler: Ätzverfahreh für die Mikrotechnik, Verlag WILEY- VCH, Weinheim, 1998, S. 20-22). Diese Technologie erfordert die Abscheidung zusätzlicher Schichten und ist technologisch aufwendig.According to the prior art, an auxiliary layer is used for this applied, which in the etchant used one compared to the Layer has a much higher etching speed (M. Köhler: Etching process for microtechnology, Verlag WILEY- VCH, Weinheim, 1998, pp. 20-22). This technology requires that Deposition of additional layers and is technological laborious.

Es ist auch bekannt, dass mechanische Spannungen einen Einfluß auf die Ätzrate haben und es gelungen ist, in Abhängigkeit vom aufgeprägten Spannungszustand unterschiedliche Flankenwinkel herzustellen (Kato et al. J. Electrochem. Soc., Vol. 138, No. 11, p. 3519) Bei dieser Verfahrensweise können allerdings nur Flankenwinkel α zwischen 45° und 90° in Molybdän realisiert werden. Zu einer Beeinflussung der Flankenwinkel α nach der Abscheidung sind allerdings keine Angaben bekannt.It is also known that mechanical stresses have an influence on the etching rate and have succeeded depending on the impressed stress state different flank angles (Kato et al. J. Electrochem. Soc., Vol. 138, No. 11, p. 3519) With this procedure, however, only Flank angle α between 45 ° and 90 ° realized in molybdenum will. To influence the flank angle α after However, no details are known about deposition.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Einstellen definierter Flankenwinkel α beim Herstellen von Schichtstrukturen aus Metall- oder Metalloxidschichten mittels nasschemischem Ätzen zu schaffen, mit dem Flankenwinkel α zwischen 1° und 60° realisiert werden können.The invention is based on the object of a method for Setting of defined flank angles α when producing Layer structures made of metal or metal oxide layers by means of To create wet chemical etching, with the flank angle α between 1 ° and 60 ° can be realized.

Die Aufgabe wird mit dem in den Patentansprüchen beschriebenen Verfahren gelöst.The object is described with that in the claims Procedure solved.

Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass man den Flankenwinkel α durch Erzeugen oder Einstellen definierter Gefügespannungen in der zu strukturierende Schicht beeinflusst, indem man auf einem Substrat eine mit Gefügespannungen behaftete Metall- oder Metalloxidschicht abscheidet oder in einer abgeschiedenen Metall- oder Metalloxidschicht Gefügespannungen erzeugt oder einstellt, wobei man niedrige Gefügespannungen zur Einstellung kleiner Flankenwinkel α von 0,5° bis ≦ 5° anwendet und wobei man hohe Gefügespannungen zur Erzeugung großer Flankenwinkel α im Bereich von < 5° bis 60° anwendet.The method is characterized in that the Flank angle α by creating or setting defined Influences structural stresses in the layer to be structured, by placing one with structural tension on a substrate deposited metal or metal oxide layer or in a deposited metal or metal oxide layer Structural tensions generated or set, whereby one low Structural stresses for setting small flank angles α of 0.5 ° to ≦ 5 ° and using high structural stresses Generation of large flank angles α in the range of <5 ° to 60 ° applies.

Durch die erfindungsgemäße Lösung können bisher nicht realisierbare Flankenwinkel α zwischen < 1° und 60° erreicht werden, so dass die Zuverlässigkeit der unter Verwendung solcher Kontakte oder Leitbahnen hergestellter Bauelemente außerordentlich hoch ist. Weiterhin können bei Bedarf durch einfache technologische Maßnahmen auch mehrere unterschiedliche Flankenwinkel α in einer Schicht realisiert werden. Dadurch ist es möglich, die angestrebten geometrischen Abmessungen mit höherer Genauigkeit zu realisieren.By the solution according to the invention can not so far achievable flank angle α between <1 ° and 60 ° be, so the reliability of using such contacts or interconnects manufactured components is extraordinarily high. Furthermore, if necessary, by simple technological measures also have several different ones Flank angle α can be realized in one layer. This is it is possible to use the desired geometric dimensions to realize higher accuracy.

Im Rahmen der vorliegenden Erfindung wurde außerdem in überraschender Weise gefunden, dass nicht die gesamte dünne Schicht einen geänderten Spannungszustand aufweisen muß, sondern dass es ausreicht, wenn dies in einer oberflächennahen Schicht realisiert ist. Daraus resultierend wird gemäß einer zweckmäßigen Ausgestaltung der Erfindung die Gefügespannung nur in einem oberflächennahen Bereich der Metall- oder Metalloxidschicht erzeugt oder eingestellt.In the context of the present invention was also in surprisingly found that not the entire thin Layer must have a changed state of stress, but that it is sufficient if this is in a near-surface Layer is realized. As a result, according to a expedient embodiment of the invention, the structural tension only in a near-surface area of the metal or Metal oxide layer generated or set.

Davon ausgehend lassen sich dann an ein und derselben Schicht beim nasschemischen Ätzen unterschiedliche Flankenwinkel α erzielen, indem der oberflächennahe Bereich, in dem eine Gefügespannung erzeugt oder eingestellt worden ist, partiell wieder abgetragen wird.Based on this, one and the same layer can then be used different flank angles α in wet chemical etching achieve by the near-surface area in which a Structural tension has been generated or set, partially is removed again.

Die Erfindung kann weiterhin wie folgt zweckmäßig und vorteilhaft ausgestaltet sein:The invention can further be useful and as follows be designed advantageously:

Als Metall- oder Metalloxidschicht wird erfindungsgemäß eine Schicht verwendet, die aus Ni oder aus einer Ni-Legierung mit maximal 20 Atom-% Cr oder aus ZnO besteht. Vorteilhaft ist es, wenn eine Metallschicht verwendet wird, die aus einer NiCr- Legierung mit 5 bis 7 Atom-% Cr besteht, und wenn im Gefüge dieser Schicht eine Zugspannung erzeugt oder eingestellt wird. According to the invention, a metal or metal oxide layer is used as the metal or metal oxide layer Layer used made from Ni or from a Ni alloy with at most 20 atomic% Cr or ZnO. It is advantageous if a metal layer is used, which consists of a NiCr- Alloy with 5 to 7 atomic% Cr exists, and if in the structure a tensile stress is generated or set in this layer.

Die Ni-Schicht kann durch Aufdampfen oder Magnetronsputtern und die NiCr-Schicht durch Magnetronsputtern abgeschieden werden.The Ni layer can be deposited by vapor deposition or magnetron sputtering and the NiCr layer can be deposited by magnetron sputtering.

Zum Erzeugen oder Einstellen der Gefügespannung wird eine Wärmebehandlung der Metall- oder Metalloxidschicht durchführt und zwar im Temperaturbereich zwischen Raumtemperatur und 500°C.To generate or adjust the structural tension, a Carries out heat treatment of the metal or metal oxide layer in the temperature range between room temperature and 500 ° C.

Die Erfindung ist nachstehend an Hand von zwei Ausführungsbeispielen näher erläutert. In den zugehörigen Zeichnungen zeigen:The invention is illustrated below with reference to two Embodiments explained in more detail. In the associated Drawings show:

Fig. 1 eine Schichtspannung-Temperatur-Kurve Fig. 1 is a layer stress-temperature curve

Fig. 2 eine geätzte Schicht mit zwei unterschiedlichen Flankenwinkeln α1 und α2. Fig. 2 is an etched layer having two different flank angles α1 and α2.

Beispiel 1example 1

Das Beispiel betrifft die Herstellung elektrischer Nanostrukturen in einer Mischtechnologie. Dabei soll in einem ersten Prozess zunächst eine Anschlußstruktur und in einem zweiten Prozess durch Elektronenstrahllithographie und Ar- Ionenstrahlätzen eine Nanostruktur erzeugt werden.The example concerns the manufacture of electrical Nanostructures in a mixed technology. It should be in one first process first a connection structure and in one second process by electron beam lithography and ar- Ion beam etching creates a nanostructure.

Zur sicheren Kontaktierung der Nanostruktur auf der Anschlußstruktur soll an den Stirnseiten der Anschlußstruktur ein möglichst flacher Flankenwinkel α hergestellt werden. Flache Flankenwinkel α sind aber generell mit größeren Toleranzen in der Maßhaltigkeit verbunden. Deshalb wird ein flacher Flankenwinkel α nur an den unbedingt notwendigen Stellen realisiert, an allen anderen Stellen sollen steiler Flankenwinkel α erzeugt werden.For secure contacting of the nanostructure on the Connection structure should be at the end faces of the connection structure a flank angle α that is as flat as possible can be produced. Flat flank angles α are generally larger, however Tolerances related to dimensional accuracy. Therefore becomes a flat flank angle α only at the absolutely necessary Places realized, in all other places should be steeper Flank angle α can be generated.

Zunächst wird ein thermisch oxidiertes Siliziumsubstrat in einer dem Stand der Technik entsprechenden Art und Weise gereinigt. Anschließend erfolgt eine ganzflächige Beschichtung des Substrats mit einer ca. 260 nm dicken NiCr6-Schicht, wobei als Beschichtungsmethode das Magnetronsputtern angewandt wird. Zum Sputtern wird ein schmelzmetallurgisch hergestelltes Target der Zusammensetzung 94 Gew.-% Ni und 6 Gew.-% Cr eingesetzt. Die Beschichtung erfolgt bei einer Leistung von 1000 W, einem Ar-Durchfluß von 30 SCCM und einem Druck von 3 × 10-3 Torr. Für die angestrebten 260 nm ist eine Beschichtungszeit von 310 s erforderlich.First, a thermally oxidized silicon substrate is cleaned in a manner corresponding to the prior art. The entire surface of the substrate is then coated with an approximately 260 nm thick NiCr6 layer, using magnetron sputtering as the coating method. A target produced by melt metallurgy and having the composition 94% by weight Ni and 6% by weight Cr is used for sputtering. The coating is carried out at a power of 1000 W, an Ar flow rate of 30 SCCM and a pressure of 3 × 10 -3 Torr. A coating time of 310 s is required for the target 260 nm.

Nach der Beschichtung werden die Substrate der Anlage entnommen und zur Einstellung des gewünschten flachen Flankenwinkels α einer Wärmebehandlung bei der Temperatur T1 unterworfen. Wie aus dem Diagramm gemäß Fig. 1 zu entnehmen ist, bewirken höhere Wärmebehandlungstemperaturen auch höhere Schichtspannungen und damit größere Flankenwinkel α. Im vorliegenden Beispiel wird ein Flankenwinkel α von ca. 1° angestrebt. Dazu wird das Substrat an Luft bei einer Temperatur von 120°C für 120 min wärmebehandelt. Diese Temperatur hat sich als günstig erwiesen, da in den nachfolgenden, den Winkel beeinflussenden Technologieprozessen maximal Temperaturen von 110°C angewandt werden und somit die Reproduzierbarkeit positiv beeinflußt wird.After coating, the substrates are removed from the system and subjected to a heat treatment at temperature T1 in order to set the desired flat flank angle α. As can be seen from the diagram according to FIG. 1, higher heat treatment temperatures also result in higher layer stresses and thus larger flank angles α. In the present example, a flank angle α of approx. 1 ° is aimed for. For this purpose, the substrate is heat-treated in air at a temperature of 120 ° C. for 120 minutes. This temperature has proven to be favorable, since in the subsequent technological processes that influence the angle, a maximum of 110 ° C. is used and thus the reproducibility is positively influenced.

Nach Abkühlung der Substrate erfolgt eine Beschichtung mit Fotoresist, z. B. AR-P 3510 (Handelsnahme der Allresist GmbH Berlin), durch spincoating. Bei einer Schleuderdrehzahl von 4000 min-1 stellt sich eine Schichtdicke von 2 µm ein. Gemäß der vom Hersteller empfohlenen Verarbeitungsrichtlinie erfolgt anschließend eine Wärmebehandlung bei 95°C für 1 min auf einer Heizplatte. Nach Abdeckung des Fotolackes mit einer Cr-Maske wird eine Belichtung im UV-Licht mit einer Wellenlänge von 308 bis 450 nm für 7 s durchgeführt.After the substrates have cooled, they are coated with photoresist, e.g. B. AR-P 3510 (trade name of Allresist GmbH Berlin), by spincoating. At a spin speed of 4000 min -1 , a layer thickness of 2 µm is established. In accordance with the processing guidelines recommended by the manufacturer, heat treatment is then carried out at 95 ° C for 1 min on a hot plate. After covering the photoresist with a Cr mask, exposure is carried out in UV light with a wavelength of 308 to 450 nm for 7 s.

Durch Behandlung in einer Entwicklerlösung AP 300-47 für 2 × 1 min werden die belichteten Resistflächen entfernt. Nach der Durchführung der notwendigen Spülprozesse werden die Substrate getrocknet und zur Entfernung von organischen Restschichten einem Sauerstoffplasma für 10 min ausgesetzt. Zur Verbesserung der Ätzbeständigkeit erfolgt eine weitere Wärmebehandlung bei 110°C für ca. 30 Minuten. Nunmehr können die freiliegenden NiCr6-Schichtanteile in bekannten Ätzlösungen, z. B. einer Lösung bestehend aus
The exposed resist areas are removed by treatment in a developer solution AP 300-47 for 2 × 1 min. After the necessary rinsing processes have been carried out, the substrates are dried and exposed to an oxygen plasma for 10 minutes to remove residual organic layers. To improve the etch resistance, a further heat treatment is carried out at 110 ° C for approx. 30 minutes. The exposed NiCr6 layer components can now be used in known etching solutions, e.g. B. a solution consisting of

(NH4)2Ce(NO3)6 (NH 4 ) 2 Ce (NO 3 ) 6 7 Gew.-%7% by weight HClO4 HClO 4 6 Gew.-%6% by weight H2OH 2 O 87 Gew.-%87% by weight

abgeätzt werden. Bei diesem Ätzprozeß stellt sich der gewünscht flache Flankenwinkel α ein.be etched away. In this etching process, the desired arises flat flank angle α.

Nach den notwendigen Spülprozessen werden die Substrate getrocknet und der Fotolack entfernt.After the necessary rinsing processes, the substrates are dried and the photoresist removed.

Zur Einstellung eines steilen Flankenwinkels α, der größer als 45° sein soll, werden die teilstrukturierten Substrate erfindungsgemäß einer zweiten Wärmebehandlung mit der Temperatur T2 unterworfen. Hierbei ist T2 < T1, wobei die konkrete Temperatur vom gewünschten Flankenwinkel α abhängt. Im vorliegenden Fall erfolgt die Wärmebehandlung bei 300°C für 120 min. Nach Beendigung dieser Wärmebehandlung erfolgt die Realisierung einer Lackmaske in der vorstehend beschriebenen Weise.To set a steep flank angle α that is greater than Should be 45 °, the partially structured substrates according to the invention a second heat treatment with the Subject to temperature T2. Here T2 <T1, where the specific temperature depends on the desired flank angle α. In the present case, the heat treatment takes place at 300 ° C for 120 min. After completion of this heat treatment, the Realization of a lacquer mask in the one described above Way.

Infolge der durch die Wärmebehandlung geänderten Spannungszustände in der NiCr6-Schicht erfolgt beim zweiten Ätzvorgang die Ausbildung eines steilen Flankenwinkels α bei hoher Maßhaltigkeit.As a result of the changed by the heat treatment Stress states in the NiCr6 layer occur in the second The etching process results in the formation of a steep flank angle α high dimensional accuracy.

In weiteren nachfolgenden Arbeitsschritten können die Nanostrukturen durch Beschichtung, Elektronenstrahllithographie und geeignete Strukturübertragungsmethoden realisiert werden.In further subsequent work steps, the Nanostructures by coating, electron beam lithography and suitable structure transfer methods are implemented.

Die so hergestellten Kontakte zeigen eine hohe Zuverlässigkeit auch bei Anwendung von Temperaturen bis in den mK-Bereich und häufigen Temperaturwechseln.The contacts produced in this way show a high level of reliability even when using temperatures up to the mK range and frequent temperature changes.

Beispiel 2Example 2

Analog der im Ausführungsbeispiel 1 beschriebenen Art und Weise werden Siliziumsubstrate gereinigt, beschichtet und zur Einstellung eines definierten Flankenwinkels α1 bei 120°C für 120 min wärmebehandelt. Anschließend wird eine Fotoresistmaske aufgetragen. Danach erfolgt die Abätzung einer ca. 30 nm dicken Oberflächenschicht mit geändertem Spannungszustand durch Behandlung mit einem geeigneten Ätzmittel, z. B. der im Ausführungsbeispiel 1 beschriebenen Lösung.Analogously to the manner described in exemplary embodiment 1 silicon substrates are cleaned, coated and used Setting of a defined flank angle α1 at 120 ° C for Heat treated for 120 min. Then a photoresist mask is applied applied. Then an approx. 30 nm thick one is etched away Surface layer with a changed state of tension through Treatment with a suitable etchant, e.g. B. the im Embodiment 1 described solution.

Nach erfolgter Fotoresistentfernung und Reinigung werden die Substrate erneut mit einem Fotoresist beschichtet, und es die gewünschte Maske aufgebracht. Zur vollständige Entfernung der nicht abgedeckten NiOr6-Schichtanteile werden die Substrate in dem oben beschriebenen Ätzmittel für ca. 6 min behandelt. Bei diesem Ätzvorgang stellt sich in Abhängigkeit vom Ausgangszustand (Oberfläche abgeätzt oder nicht) am nicht abgetragenen Bereich ein sehr flacher Flankenwinkel α1 und am abgetragenen Bereich ein sehr steiler Flankenwinkel α2 ein (siehe Fig. 2).After the photoresist has been removed and cleaned, the substrates are coated again with a photoresist and the desired mask is applied. To completely remove the uncovered NiOr6 layer portions, the substrates are treated in the etchant described above for about 6 minutes. In this etching process, depending on the initial state (surface etched off or not), a very flat flank angle α1 is established on the area not removed and a very steep flank angle α2 on the area removed (see FIG. 2).

Nach den notwendigen Spül- und Reinigungsvorgängen kann das Substrat in bekannter Weise zur Erzeugung der Nanostruktur weiterverarbeitet werden.After the necessary rinsing and cleaning processes, that can Substrate in a known manner to produce the nanostructure are further processed.

Claims (9)

1. Verfahren zum Einstellen definierter Flankenwinkel α im Bereich von 1° bis 60° beim Herstellen von Schichtstrukturen aus Metall- oder Metalloxidschichten mittels nasschemischem Ätzen, dadurch gekennzeichnet, dass man den Flankenwinkel α durch Erzeugen oder Einstellen definierter Gefügespannungen in der zu strukturierende Schicht beeinflusst, indem man auf einem Substrat eine mit Gefügespannungen behaftete Metall- oder Metalloxidschicht abscheidet oder in einer abgeschiedenen Metall- oder Metalloxidschicht Gefügespannungen erzeugt oder einstellt, wobei man niedrige Gefügespannungen zur Einstellung kleiner Flankenwinkel α von 0,5° bis ≦ 5° anwendet und wobei man hohe Gefügespannungen zur Erzeugung großer Flankenwinkel α im Bereich von < 5° bis 45° anwendet.1. A method for setting defined flank angles α in the range from 1 ° to 60 ° when producing layer structures from metal or metal oxide layers by means of wet chemical etching, characterized in that the flank angle α is influenced by generating or setting defined structural stresses in the layer to be structured, by depositing a metal or metal oxide layer afflicted with structural stresses on a substrate or by generating or setting structural stresses in a deposited metal or metal oxide layer, using low structural stresses to set small flank angles α of 0.5 ° to ≦ 5 ° and where one uses high Applies structural stresses to generate large flank angles α in the range from <5 ° to 45 °. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Gefügespannung nur in einem oberflächennahen Bereich der Metall- oder Metalloxidschicht erzeugt oder eingestellt wird.2. The method according to claim 1, characterized in that the structural tension only in an area close to the surface the metal or metal oxide layer or is set. 3. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass der oberflächennahe Bereich, in dem eine Gefügespannung erzeugt oder eingestellt worden ist, zur Erzielung unterschiedlicher Flankenwinkel α partiell wieder abgetragen wird.3. The method according to claim 2, characterized in that the area near the surface in which there is a structural tension generated or adjusted to achieve different flank angle α partially again is removed. 4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Metall- oder Metalloxidschicht eine Schicht verwendet wird, die aus Ni oder aus einer Ni-Legierung mit maximal 20 Atom-% Cr oder aus ZnO besteht. 4. The method according to claim 1, characterized in that a layer as a metal or metal oxide layer which is made of Ni or of a Ni alloy is used with a maximum of 20 atom% of Cr or of ZnO. 5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass eine Metallschicht verwendet wird, die aus einer NiCr- Legierung mit 5 bis 7 Atom-% Cr besteht, und dass im Gefüge dieser Schicht eine Zugspannung erzeugt oder eingestellt wird.5. The method according to claim 1, characterized in that a metal layer is used, which consists of a NiCr- Alloy with 5 to 7 atomic% Cr, and that im Structure of this layer generates a tensile stress or is set. 6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Ni-Schicht durch Aufdampfen oder Magnetronsputtern abgeschieden wird.6. The method according to claim 4, characterized in that the Ni layer by vapor deposition or magnetron sputtering is deposited. 7. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, dass die NiCr-Schicht durch Magnetronsputtern abgeschieden wird.7. The method according to claim 4 or 5, characterized characterized in that the NiCr layer is through Magnetron sputtering is deposited. 8. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass zum Erzeugen oder Einstellen der Gefügespannung eine Wärmebehandlung der Metall- oder Metalloxidschicht durchführt wird.8. The method according to claim 1, characterized in that to generate or adjust the structural tension a Heat treatment of the metal or metal oxide layer is carried out. 9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Wärmebehandlung zum Erzeugen oder Einstellen der Gefügespannung im Temperaturbereich zwischen Raumtemperatur und 500°C durchgeführt wird.9. The method according to claim 8, characterized in that the heat treatment for generating or adjusting the Structural stress in the temperature range between Room temperature and 500 ° C is carried out.
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