DE19929929B4 - Method and apparatus for chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers - Google Patents
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Abstract
Es wird ein Verfahren und eine Einrichtung zum Polieren von Halbleiterscheiben und insbesondere zur Zufuhr von Schmirgelpulveremulsion bereitgestellt. Die Einrichtung zur Zufuhr von Schmirgelpulveremulsion hat einen Hauptbehälter, der die Schmirgelpulveremulsion enthält, einen Puffertank, wenigstens zwei Schallgeber, eine Schmirgelpulveremulsion-Verteilerleitung und eine Pulssteuerschaltung. Das Verteilerleitungssystem hat eine erste Rohrleitung, eine zweite Rohrleitung und eine dritte Rohrleitung. Gepulste akustische Energie wird an die Schmirgelpulveremulsion in dem Verteilerleitungssystem und an den Hauptbehälter angelegt, um ein Gelieren und Klumpenbildung von Schmirgelpulveremulsion aufzubrechen. Die gepulste akustische Energie kann eine mögliche Gelierung auch verhindern. Daher kann Schmirgelpulvermittel mit einer gleichförmigen Konsistenz und einer kleinen Teilchengröße während des chemisch-mechanischen Polierverfahrens zugeführt werden.There is provided a method and apparatus for polishing semiconductor wafers, and more particularly for supplying emery powder emulsion. The emery powder emulsion supply means has a main container containing the emery powder emulsion, a buffer tank, at least two sounders, a pulp emulsion dispensing line and a pulse control circuit. The manifold system has a first pipeline, a second pipeline, and a third pipeline. Pulsed acoustic energy is applied to the emery powder emulsion in the manifold system and to the main reservoir to break up gelling and lumping of emery powder emulsion. The pulsed acoustic energy can also prevent possible gelation. Therefore, abrasive powder having a uniform consistency and a small particle size can be supplied during the chemical mechanical polishing process.
Description
Die
Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zum chemisch-mechanischen
Polieren von Halbleiterscheiben, und insbesondere ein Verfahren
und eine Einrichtung zur Zufuhr von Schmirgelpulveremulsion gemäß den Oberbegriffen
der Ansprüche
1 und 5 wie sie aus der
Bei der Halbleiterherstellung hat man den Tief-Submikrobereich erreicht. Im Tief-Submikrobereich sind die Größe der Schaltungsmerkmale und die Tiefe des fokussierten Bereichs der photolithographischen Einrichtung reduziert, und die Zahl der vielschichtigen Metallverbindungsschichten ist erhöht. Folglich wird viel Forschung dahingehend betrieben, ein hohes Maß an Oberflächenebenheit einer Halbleiterscheibe zu erreichen. Vor der Tief-Submikronära der Halbleiterproduktion wurde sogenanntes "Spin-On-Glas" als hauptsächliche Methode zum Planarisieren von Siliziumscheiben verwendet. Mit diesem Verfahren kann man jedoch nur eine moderate Ebenheit nur in lokalen Bereichen der Halbleiterscheiben der Oberfläche erreichen. Ohne eine globale Planarisierung der Scheibenoberfläche ist jedoch die Qualität, der Entwicklung nach der photographischen Belichtung schlecht, und ein Ätz-Endpunkt ist schwer zu bestimmen. Folglich ist die Ausbeute an Halbleiterscheiben gering. Chemisch-mechanisches Polieren ist nun das hauptsächliche Verfahren zum globalen Planarisieren von Siliziumscheiben, insbesondere bei der Herstellung von Tief-Submikronschaltungen, die eine Größe von Schaltungsmerkmalen kleiner als 0,18 um haben.at Semiconductor manufacturing has reached the low submicron range. In the low-submicron range are the size of the circuit features and the depth of the focused area of the photolithographic Facility reduced, and the number of multi-layered metal compound layers is increased. consequently a lot of research is done on this, a high level of surface flatness to reach a semiconductor wafer. Before the low-submicron era of semiconductor production So-called "spin-on-glass" became the main one Method used to planarize silicon wafers. With this However, one can only do a moderate flatness only in local process Reach areas of the semiconductor wafers of the surface. Without a global one However, planarization of the disk surface is the quality of development after the photographic exposure is poor, and an etching end point is hard to determine. Consequently, the yield of semiconductor wafers low. Chemical-mechanical polishing is now the main one Process for the global planarization of silicon wafers, in particular in the manufacture of deep sub-micron circuits that are a size of circuit features smaller than 0.18 um.
In dem US Patent 5,791,970 ist ein Recycling-System für Schmirgelpulveremulsion für eine chemisch-mechanische Poliervorrichtung offenbart. Das Recycling-System wird durch ein Endpunkt-Überwachungs- und Steuersystem gesteuert, das Daten über Halbleiterscheiben-Abtragsraten bereitstellt, um ein Schmirgelpulveremulsions-Recyclingventil zu regulieren.In US Pat. No. 5,791,970 is a recycling system for emery powder emulsion for a chemical-mechanical Polishing device disclosed. The recycling system is going through a Endpoint monitoring and control system that provides data on wafer removal rates, to regulate an emery powder emulsion recycling valve.
JP 10-163 141 A beschreibt eine Zusammensetzung zum Polieren von Kupfer. Hier wird beschrieben, dass zum Dispergieren oder Lösen der Komponenten der Zusammensetzung Ultraschalldispersion eingesetzt werden kann.JP 10-163 141 A describes a composition for polishing copper. Here it is described that for dispersing or dissolving the components the composition ultrasonic dispersion can be used.
JP 11-87284 A beschreibt ein System zum Polieren einer Halbleiterscheibe mit einer Schmirgelpulveremulsion. In dem System ist eine Einheit zum Übertragen von Ultraschallwellen in die Versorgungsleitung zu dem Anschluss enthalten, aus dem die Schmirgelpulveremulsion abgegeben wird.JP 11-87284 A describes a system for polishing a semiconductor wafer with an emery powder emulsion. In the system is a unit to transfer of ultrasonic waves in the supply line to the terminal from which the emery powder emulsion is dispensed.
Die Schmirgelpulveremulsion ist eine wichtige Komponente bei dem chemisch-mechanischen Polieren. Eine Halbleiterscheibe wird durch die Schmirgelpulveremulsion poliert, die sich in Kontakt mit der Oberfläche der Halbleiterscheibe befindet. Was die Schmirgelpulveremulsion betrifft, so beeinflussen die Zufuhrrate, die Temperatur, der pH-Wert und die Teilchengröße die Qualität der chemisch-mechanischen Politur. Die Schmirgelpulveremulsion umfasst gewöhnlich eine chemisch aktive Komponente und eine mechanisch aktive Komponente. Die chemisch aktive Komponente kann eine saure oder basische Lösung sein. Die mechanisch aktive Komponente umfasst ein Schmirgelpulvermittel, beispielsweise Siliziumoxid (SiO2), Aluminiumoxid (Al2O3), Zeroxid (CeO2), Titanoxid (TiO) und Zirkoniumoxid (CrO2). Das Schmirgelpulvermittel ist in einer Emulsion auf natürliche Weise oder durch Zugabe eines oberflächenaktiven Mittels suspendiert. Es kommt jedoch zu einer Gelierung und Klumpenbildung bei den Schmirgelpulverteilchen aufgrund bestimmter Bedingungen, beispielsweise aufgrund von Temperaturschwankungen, Schwankungen der Konzentration der Schmirgelpulverteilchen, einer Veränderung des pH-Wertes, einer Teilchenkollision bei hohen Durchflussraten, Sedimentation in einer toten Ecke, Scherkräften aufgrund von Umrühren oder Filtration und Verunreinigungen. Bei dem chemisch-mechanischen Polieren beeinflussen die Gelierung und die Klumpenbildung der Schmirgelpulverteilchen die Qualität der chemisch mechanischen Politur, und diese Effekte verursachen auch Fehler in der polierten Halbleiterscheibe.The emery powder emulsion is an important component in chemical mechanical polishing. A wafer is polished by the emery powder emulsion which is in contact with the surface of the wafer. As regards the emery powder emulsion, the feed rate, the temperature, the pH and the particle size influence the quality of the chemical mechanical polishing. The emery powder emulsion usually comprises a chemically active component and a mechanically active component. The chemically active component may be an acidic or basic solution. The mechanically active component comprises an emery powder agent, for example, silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), cerium oxide (CeO 2 ), titanium oxide (TiO) and zirconium oxide (CrO 2 ). The emery powder agent is suspended in an emulsion naturally or by the addition of a surfactant. However, gelling and lumping of the emery powder particles occurs due to certain conditions such as temperature variations, variations in the concentration of the emery powder particles, a change in pH, particle collision at high flow rates, sedimentation in a dead corner, shearing forces due to agitation or Fil tration and impurities. In chemical mechanical polishing, gelation and lumping of the abrasive powder particles affect the quality of the chemical mechanical polishing, and these effects also cause defects in the polished semiconductor wafer.
Der Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Einrichtung zum chemisch-mechanischen Polieren bzw. zum Zuführen von Schmirgelpulveremulsion bereitzustellen, bei dem die Gelierung und die Klumpenbildung der Schmirgelpulverteilchen stark reduziert werden.Of the Invention is in contrast the object of a method and a device for chemical-mechanical Polishing or feeding of emery powder emulsion in which gelation and greatly reduces the lumping of the emery powder particles become.
Zur Lösung dieser Aufgabe werden das erfindungsgemäße Verfahren entsprechend dem Anspruch 1, und die erfindungsgemäße Einrichtung entsprechend dem Anspruch 5 bereitgestellt.to solution this task, the inventive method according to the Claim 1, and the inventive device accordingly provided in claim 5.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren wird die Schmirgelpulveremulsion über eine erste Rohrleitung von einem Hauptbehälter einem Puffertank, und dann einer chemisch-mechanischen Polierstation über eine zweite Rohrleitung zugeführt. Das erfindungsgemäße Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass eine erste gepulste Schallschwingung an den Hauptbehälter der Schmirgelpulveremulsion, und eine zweite gepulste. Schallschwingung an die zweite Rohrleitung angelegt wird, um die Gelierung und die Klumpenbildung in der Schmirgelpulveremulsion zu unterbinden. Daher wird bei der Durchführung des chemisch-mechanischen Polierverfahrens eine Schmirgelpulveremulsion erhalten, die eine gleichmäßige Konsistenz hat und kleine Schmirgelpulverteilchen umfasst.at the method according to the invention The emery powder emulsion is passed through a first pipeline from a main container a buffer tank, and then a chemical mechanical polishing station via a supplied to the second pipe. The inventive method is characterized in that a first pulsed sound vibration to the main container the emery powder emulsion, and a second pulsed one. sound vibration is applied to the second pipe to the gelation and the To prevent lump formation in the emery powder emulsion. Therefore will be carried out of the chemical mechanical polishing process, an emery powder emulsion get that a uniform consistency has and comprises small emery powder particles.
Die Erfindung betrifft ferner eine Einrichtung zur Zufuhr von Schmirgelpulveremulsion, wobei die Zufuhreinrichtung einen Hauptbehälter für Schmirgelpulveremulsion, einen Puffertank, ein Schmirgelpulveremulsions-Verteilerleitungssystem und eine Pulssteuerschaltung aufweist. Das Verteilerleitungssystem umfasst eine erste Rohrleitung, welche den Puffertank mit dem Hauptbehälter verbindet, eine zweite Rohrleitung, die Schmirgelpulveremulsion von dem Puffertank der chemisch-mechanischen Polierstation zuführt, und eine dritte Rohrleitung, die verwendete Schmirgelpulveremulsion von der Polierstation zu dem Puffertank zurückführt. Dabei ist die erfindungsgemäße Vorrichtung gekennzeichnet durch einen ersten Schallgeber, der unter dem Hauptbehälter angebracht ist, und einen zweiten Schallgeber, der an der zweiten Rohrleitung angebracht ist, und die Vorrichtung ist weiterhin gekennzeichnet durch eine Pulssteuerschaltung, welche mit den Schallgebern verbunden ist, um die Schallgeber EIN/AUS zu schalten.The Invention further relates to a device for feeding emery powder emulsion, wherein the supply means comprises a main container for emery powder emulsion, a buffer tank, a pulp emulsion distribution piping system and a pulse control circuit. The distribution piping system comprises a first pipeline connecting the buffer tank to the main tank, a second pipeline, the emery powder emulsion from the buffer tank the chemical-mechanical polishing station, and a third pipeline, the emery powder emulsion used from the polishing station to returns to the buffer tank. there is the device according to the invention characterized by a first sounder mounted under the main tank is, and a second sounder attached to the second pipe is attached, and the device is further characterized by a pulse control circuit connected to the sounders is to turn the sounder ON / OFF.
Der Hauptbehälter liefert die Schmirgelpulveremulsion an den Puffertank über eine erste Rohrleitung. Wenn das chemisch-mechanische Polierverfahren durchgeführt wird, wird die Schmirgelpulveremulsion von dem Puffertank über eine zweite Rohrleitung an die Polierstation geliefert, um das Polierverfahren durchzuführen. Nach dem Polieren wird die Schmirgelpulveremulsion über eine dritte Rohrleitung von der Polierstation zu dem Puffertank zurückbefördert. Einer der Schallgeber ist unter dem Hauptbehälter angeordnet, und der andere Schallgeber ist an der zweiten Rohrleitung des Verteilerleitungssystems angeordnet. Die Schallgeber sind mit der Pulssteuerschaltung verbunden, so dass die Pulssteuerschaltung die Frequenz und Pulsdauer der Schallgeber steuern kann. Die Frequenz der Pulssteuerschaltung beträgt etwa 5 KHz bis 5 MHz. Die Schallgeber sind während einer Zeitdauer von 1 bis 3 Minuten im eingeschalteten Zustand und während einer Zeitdauer von 1 bis 5 Minuten im ausgeschalteten Zustand.Of the main tank delivers the emery powder emulsion to the buffer tank via a first pipeline. If the chemical-mechanical polishing process carried out is the emery powder emulsion from the buffer tank on a second piping supplied to the polishing station to the polishing process perform. After polishing, the emery powder emulsion is applied over a third pipe returned from the polishing station to the buffer tank. one the sounder is located under the main tank, and the other Sounder is on the second pipe of the distribution pipe system arranged. The sounders are connected to the pulse control circuit, so that the pulse control circuit control the frequency and pulse duration of the sounder can. The frequency of the pulse control circuit is about 5 KHz to 5 MHz. The Sounders are during a period of 1 to 3 minutes in the on state and while a period of 1 to 5 minutes in the off state.
Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nun anhand der beiliegenden Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:embodiments The invention will now be described with reference to the accompanying drawings. Show it:
Wie
in
Die
Schmirgelpulveremulsion wird von dem Hauptbehälter
Der
andere Schallgeber
Die
Schwingungsfrequenz der Schallgeber
Bei der Erfindung wird die Schmirgelpulveremulsion durch Schallimpulse in Schwingungen versetzt. Gelierendes Schmirgelpulvermittel der Schmirgelpulveremulsion wird daher aufgebrochen und wird gleichförmig in der Schmirgelpulveremulsion suspendiert. Beschädigungen auf der polierten Halbleiterscheibe werden daher vermieden.at The invention provides the emery powder emulsion by sonic pulses vibrated. Gelling emery powder agent of Emery powder emulsion is therefore broken and becomes uniform in the emery powder emulsion suspended. Damage on the polished Semiconductor wafer are therefore avoided.
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