DE19920603A1

DE19920603A1 - Verfahren und Schaltung zum Bestimmen der Redundanz einer Halbleiterspeichervorrichtung

Info

Publication number: DE19920603A1
Application number: DE19920603A
Authority: DE
Inventors: Tamiji Akita; Katsuya Yoshida
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-10-27
Filing date: 1999-05-05
Publication date: 2000-05-04
Also published as: US6256239B1; KR100355625B1; KR20000028576A; US6128234A; JP2000132990A

Abstract

Eine Redundanzbestimmungsschaltung zum Bestimmen einer redundanten Speicherzelle in einem Speicherzellenarray, wenn eine normale Zelle defekt ist. Die Schaltung enthält ein Schaltelement, eine Sicherung und eine Lastschaltung, die zwischen Zuführungen von hohen und niedrigen Potentialen seriell verbunden sind. Ein Schalttreiber betreibt das Schaltelement. Eine Halteschaltung verriegelt das Potential an einem Knoten zwischen dem Schaltelement und einer von der Sicherung und der Lastschaltung. Die Schaltung erzeugt dann ein Redundanzbestimmungssignal.

Description

HINTERGRUND DER ERFINDUNG

Die vorliegende Erfindung betrifft im allgemeinen eine Halbleiterspeichervorrichtung, und im besonderen eine Redun danzbestimmungsschaltung zum Bestimmen einer redundanten Speicherzelle in einem Speicherzellenarray, wenn eine nor male Zelle defekt ist.

Um die Qualität zu verbessern, enthält eine Halbleiter speichervorrichtung eine Redundanzfunktion, durch die eine defekte Zelle durch eine redundante Zelle in einem Zellen array bei dem Herstellungsprozeß ersetzt wird. Für die Redundanzfunktion ist eine Redundanzbestimmungsschaltung vorgesehen, die ein Redundanzsignal gemäß dem Durchtrennen einer Sicherung der defekten Zelle erzeugt. Fig. 1 ist ein schematisches Blockdiagramm einer ersten herkömmlichen Redundanzbestimmungsschaltung 100. Eine Einzelimpulserzeu gungsschaltung erzeugt ein Steuersignal ϕ1 mit einem Pegel der Energiezufuhr VDD, nachdem eine vorbestimmte Zeit nach dem Anlauf der Energiezufuhr VDD verstrichen ist. Das Steu ersignal ϕ1 wird dem Gate eines P-Kanal-MOS-Transistors Tr1 zugeführt. Die Source des Transistors ist mit der Energiezu fuhr VDD verbunden, und das Drain (ein Knoten N1) ist über eine Schmelzsicherung 2 mit einer Energiezufuhr Vss ver bunden. Der Knoten N1 ist mit einem Eingangsanschluß einer Halteschaltung 3 verbunden. Die Halteschaltung 3 führt komplementäre Redundanzsignale R, /R einem Reihendecodierer (nicht gezeigt) gemäß einem Potential an dem Knoten N1 zu, nachdem die Energie ein ist. Wenn zum Beispiel das Redun danzsignal R hoch wird und das Redundanzsignal /R niedrig wird, stoppt der Reihendecodierer den Zugriff auf die defekte Zelle in einem Speicherzellenarray und greift auf die zuvor spezifizierte redundante Zelle zu.

Fig. 2 ist ein Wellenformdiagramm der Energiezufuhr und des Steuersignals in der ersten herkömmlichen Redundanz bestimmungsschaltung 100. Wenn die Energiezufuhr VDD einge schaltet wird, steigt das Steuersignal ϕ1 auf den Pegel der Energiezufuhr VDD an, nachdem die vorbestimmte Verzögerungs zeit nach dem Anlauf der Energiezufuhr VDD verstrichen ist. Der Transistor Tr1 wird für eine vorbestimmte Zeit t1 einge schaltet, nachdem die Potentialdifferenz größer als die Schwelle geworden ist und bis die Potentialdifferenz zwi schen der Energiezufuhr VDD und dem Steuersignal ϕ1 kleiner als eine Schwelle des Transistors Tr1 wird.

Wenn die Sicherung 2 nicht durchtrennt wird, fließt der Drainstrom des Transistors Tr1 bei der Energiezufuhr Vss über die Sicherung 2, und der Knoten N1 wird im wesentlichen auf dem Pegel des niedrigen Potentials der Energiezufuhr Vss gehalten. Die Halteschaltung 3 hält den Knoten N1 auf einem L-Pegel und gibt ein Redundanzsignal R Low und ein Redun danzsignal /R High aus. Die Halteschaltung 3 behält die Aus gabezustände der Redundanzsignale R, /R bei, selbst wenn der Transistor Tr1 ausgeschaltet wird, nachdem die vorbestimmte Zeit t1 abgelaufen ist.

Wenn die Sicherung 2 abschaltet, steigt der Knoten N1 während der vorbestimmten Zeit t1 im wesentlichen auf den Pegel der Energiezufuhr VDD an. Daraufhin gibt die Halte schaltung das Redundanzsignal R High und das Redundanzsignal /R Low aus. Die Halteschaltung 3 behält die Ausgabezustände der Redundanzsignale R, /R bei, selbst wenn der Transistor Tr1 ausgeschaltet wird, nachdem die vorbestimmte Zeit t1 ab gelaufen ist.

In der ersten herkömmlichen Redundanzbestimmungsschal tung 100 wird, wie es in Fig. 2 durch gestrichelte Linien gezeigt ist, wenn der Anlauf der Energiezufuhr VDD, die der Source des Transistors Tr1 zugeleitet wird, in dem abge schalteten Zustand der Sicherung 2 langsam erfolgt, die Ein- Zeit t1 des Transistors Tr1 verkürzt. Denn das Steuersignal ϕ1 steigt an, bevor die Potentialdifferenz zwischen dem Gate und der Source des Transistors Tr1 genügend größer als die Schwelle ist. Daraufhin fließt kein ausreichender Drainstrom zu dem Transistor Tr1, und das Potential an dem Knoten N1 steigt nicht genügend an. Obwohl die Sicherung 2 abgeschal tet ist, gibt die Halteschaltung 3 als Resultat das Redun danzsignal R Low und das Redundanzsignal /R High aus. Wenn des weiteren ein Kriechstrom in der abgeschalteten Sicherung 2 fließt, wird der Potentialanstieg an dem Knoten N1 weiter unterdrückt, und die Wahrscheinlichkeit, daß eine unkorrekte Entscheidung bewirkt wird, nimmt zu.

Um solch ein Problem zu überwinden, könnte die Ein-Zeit t1 des Transistors Tr1 verlängert werden, indem die anstei gende Flanke des Steuersignals ϕ1 weiter verzögert wird. Jedoch nimmt in diesem Fall der Eindringungsstrom zu, der bei der Energiezufuhr Vss von der Energiezufuhr VDD über den Transistor Tr1 und die Sicherung 2 fließt. Darüber hinaus wird die Verzögerungszeit der Einzelimpulserzeugungsschal tung 1 unter Verwendung einer MOS-(Metall-Oxid-Halbleiter)- Kapazität eingestellt. Um die Verzögerungszeit zu verlän gern, muß daher die Kapazität erhöht werden. Eine große MOS- Kapazität vergrößert jedoch den Schaltungsbereich der Einzelimpulserzeugungsschaltung 1.

Fig. 3 ist ein schematisches Blockdiagramm einer zwei ten herkömmlichen Redundanzbestimmungsschaltung 200. Ein Steuersignal ϕ2, das durch eine Einzelimpulserzeugungsschal tung 4 erzeugt wird, wird dem Gate eines N-Kanal-MOS-Transi stors Tr2 zugeführt. Die Source des Transistors Tr2 ist mit der Energiezufuhr Vss verbunden, und sein Drain (ein Knoten N2) ist mit der Energiezufuhr VDD über die Sicherung 2 ver bunden. Ein Eingangsanschluß der Halteschaltung 3 ist mit dem Knoten N2 verbunden. Wenn das Redundanzsignal R niedrig wird und das Redundanzsignal /R hoch wird, stoppt der Rei hendecodierer (nicht gezeigt) den Zugriff auf die defekte Zelle in dem Speicherzellenarray und greift auf die zuvor spezifizierte redundante Zelle zu.

Fig. 4 ist ein Wellenformdiagramm der Energiezufuhr und des Steuersignals der zweiten herkömmlichen Redundanzbestim mungsschaltung 200. Wenn die Energiezufuhr VDD eingeschaltet wird, wird das Steuersignal ϕ2 mit dem Pegel der Energiezu fuhr VDD erzeugt, nachdem eine vorbestimmte Zeit nach dem Anlauf der Energiezufuhr VDD verstrichen ist. Der Transistor Tr2 wird für die vorbestimmte Zeit t2 eingeschaltet, bis die Potentialdifferenz zwischen der Energiezufuhr Vss und dem Steuersignal ϕ2 kleiner als die Schwelle des Transistors Tr2 wird, nachdem die Potentialdifferenz größer als die Schwelle geworden ist.

Wenn die Sicherung 2 nicht durchtrennt oder abschaltet wird, wird ein Drainstrom von der Energiezufuhr VDD dem Transistor Tr2 über die Sicherung 2 zugeführt, und der Kno ten N2 wird gemäß dem Widerstandsverhältnis zwischen der Sicherung 2 und dem Transistor Tr2 im wesentlichen auf dem Pegel der Energiezufuhr VDD gehalten. Die Halteschaltung 3 hält den Knoten N2 auf dem H-Pegel und gibt das Redundanz signal R High und das Redundanzsignal /R Low aus.

Wenn die Sicherung 2 abschaltet, fällt das Potential an dem Knoten N2 im wesentlichen auf den Pegel der Energie zufuhr Vss ab. Daraufhin gibt die Halteschaltung 3 das Redundanzsignal R Low und das Redundanzsignal /R High aus.

Wenn in der zweiten herkömmlichen Redundanzbestimmungs schaltung 200 ein Kriechstrom in der abgeschalteten Siche rung 2 fließt, wird der Potentialabfall an dem Knoten N2 unterdrückt. Obwohl die Sicherung 2 durchtrennt ist, kann daraufhin die Halteschaltung 3 das Redundanzsignal R High und das Redundanzsignal /R Low ausgeben.

Um solch ein Problem zu überwinden, könnte die Ein-Zeit t2 des Transistors Tr2 durch weiteres Verzögern der abfal lenden Flanke des Steuersignals ϕ2 verlängert werden. Jedoch erhöht sich in diesem Fall der Eindringungsstrom, der bei der Energiezufuhr Vss von der Energiezufuhr VDD über die Sicherung 2 und den Transistor Tr2 fließt. Um die Verzöge rungszeit der Einzelimpulserzeugungsschaltung 4 zu verlän gern, muß weiterhin eine MOS-Kapazität erhöht werden, wo durch der Schaltungsbereich der Einzelimpulserzeugungsschal tung 4 vergrößert wird.

Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Redundanzbestimmungsschaltung vorzusehen, die eine unkor rekte Bestimmung verhindert, wenn eine Sicherung abgeschal tet oder durchtrennt ist, ohne den Energieverbrauch und den Schaltungsbereich zu vergrößern.

ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG

Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Redundanzbestimmungsschaltung vorgesehen, die ein Schaltelement enthält, einen Schalttreiber, der mit dem Schaltelement verbunden ist, zum Betreiben des Schaltelemen tes, eine Sicherung und eine Lastschaltung, die mit der Sicherung seriell verbunden ist. Eine von der Sicherung und der Lastschaltung ist mit dem Schaltelement verbunden. Eine Halteschaltung ist mit einem Knoten zwischen dem Schaltele ment und einer von der Sicherung und der Lastschaltung ver bunden, verriegelt ein Potential an dem Knoten und erzeugt ein Redundanzbestimmungssignal.

Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Redundanzbestimmungsschaltung vorgesehen, die ein Schaltelement enthält, das zwischen einer Energiezufuhr mit hohem Potential und einem Knoten verbunden ist, einen Schalttreiber, der mit dem Schaltelement verbunden ist, zum Betreiben des Schaltelementes, eine Sicherung, eine Last schaltung, die zwischen einer Energiezufuhr mit niedrigem Potential und dem Knoten mit der Sicherung seriell verbunden ist, und eine Halteschaltung, die mit dem Knoten verbunden ist, zum Verriegeln eines Potentials an dem Knoten und Erzeugen eines Redundanzbestimmungssignals.

Gemäß einem dritten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Redundanzbestimmungsschaltung vorgesehen, die ein Schaltelement enthält, das zwischen einer Energiezufuhr mit niedrigem Potential und einem Knoten verbunden ist, einen Schalttreiber, der mit dem Schaltelement verbunden ist, zum Betreiben des Schaltelementes, eine Sicherung, eine Last schaltung, die zwischen einer Energiezufuhr mit hohem Poten tial und dem Knoten mit der Sicherung seriell verbunden ist, und eine Halteschaltung, die mit dem Knoten verbunden ist, zum Verriegeln eines Potentials an dem Knoten und Erzeugen eines Redundanzbestimmungssignals.

Gemäß einem vierten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Halbleiterspeichervorrichtung vorgesehen, die ein Speicherzellenarray enthält, das ein normales Zellenarray und ein redundantes Zellenarray umfaßt, eine Redundanz bestimmungsschaltung zum Erzeugen eines Redundanzbestim mungssignals und einen Decodierer, der mit der Redundanz bestimmungsschaltung verbunden ist, zum Ausführen einer Redundanzoperation, um eine normale Zelle des normalen Zel lenarrays oder eine redundante Zelle des redundanten Zel lenarrays gemäß dem Redundanzbestimmungssignal zu selektie ren. Die Redundanzbestimmungsschaltung enthält ein Schalt element, einen Schalttreiber, der mit dem Schaltelement ver bunden ist, zum Betreiben des Schaltelementes, eine Siche rung, eine Lastschaltung, die mit der Sicherung seriell ver bunden ist. Eine von der Sicherung und der Lastschaltung ist mit dem Schaltelement verbunden. Eine Halteschaltung ist mit einem Knoten zwischen dem Schaltelement und einer von der Sicherung und der Lastschaltung verbunden, verriegelt ein Potential an dem Knoten und erzeugt das Redundanzbestim mungssignal.

Gemäß einem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Halbleiterspeichervorrichtung vorgesehen, die ein Speicherzellenarray enthält, das ein normales Zellenarray und ein redundantes Zellenarray umfaßt, eine Redundanz bestimmungsschaltung zum Erzeugen eines Redundanzbestim mungssignals und einen Decodierer, der mit der Redundanz bestimmungsschaltung verbunden ist, zum Ausführen einer Redundanzoperation, um eine normale Zelle des normalen Zellenarrays oder eine redundante Zelle des redundanten Zellenarrays gemäß dem Redundanzbestimmungssignal zu selek tieren. Die Redundanzbestimmungsschaltung enthält ein Schal telement, das zwischen einer Energiezufuhr mit hohem Poten tial und einem Knoten verbunden ist, einen Schalttreiber, der mit dem Schaltelement verbunden ist, zum Betreiben des Schaltelementes, eine Sicherung, eine Lastschaltung, die zwischen der Energiezufuhr mit niedrigem Potential und dem Knoten mit der Sicherung seriell verbunden ist, und eine Halteschaltung, die mit dem Knoten verbunden ist, zum Ver riegeln eines Potentials an dem Knoten und Erzeugen des Redundanzbestimmungssignals.

Gemäß einem sechsten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist eine Halbleiterspeichervorrichtung vorgesehen, die ein Speicherzellenarray enthält, das ein normales Zellenarray und ein redundantes Zellenarray umfaßt, eine Redundanz bestimmungsschaltung zum Erzeugen eines Redundanzbestim mungssignals und einen Decodierer, der mit der Redundanz bestimmungsschaltung verbunden ist, zum Ausführen einer Redundanzoperation, um eine normale Zelle des normalen Zellenarrays oder eine redundante Zelle des redundanten Zellenarrays gemäß dem Redundanzbestimmungssignal zu selek tieren. Die Redundanzbestimmungsschaltung enthält ein. Schaltelement, das zwischen einer Energiezufuhr mit niedri gem Potential und einem Knoten verbunden ist, einen Schalt treiber, der mit dem Schaltelement verbunden ist, zum Betreiben des Schaltelementes, eine Sicherung, eine Last schaltung, die zwischen einer Energiezufuhr mit hohem Poten tial und dem Knoten mit der Sicherung seriell verbunden ist, und eine Halteschaltung, die mit dem Knoten verbunden ist, zum Verriegeln eines Potentials an dem Knoten und Erzeugen des Redundanzbestimmungssignals.

Gemäß einem siebten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Bestimmen der Redundanz vorgesehen. Zuerst werden eine Sicherung, eine Lastschaltung und ein Schaltelement zwischen einer Energiezufuhr mit hohem Poten tial und einer Energiezufuhr mit niedrigem Potential seriell verbunden. Dann wird das Schaltelement betrieben, um ein Potential an einem Knoten zwischen dem Schaltelement und der Sicherung zu erzeugen. Das Potential an dem Knoten verändert sich durch einen Spannungsabfall, der durch die Lastschal tung erzeugt wird. Das Potential an dem Knoten wird gehal ten, um ein Redundanzbestimmungssignal zu erzeugen.

Gemäß einem achten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Bestimmen der Redundanz vorgesehen. Zuerst wird ein Schaltelement mit einer Energiezufuhr mit hohem Potential verbunden, und eine Sicherung und eine Last schaltung werden zwischen dem Schaltelement und einer Ener giezufuhr mit niedrigem Potential seriell verbunden. Dann wird das Schaltelement betrieben, um an einem Knoten zwi schen dem Schaltelement und der Sicherung ein Potential zu erzeugen. Das Potential an dem Knoten nimmt durch einen Spannungsabfall zu, der durch die Lastschaltung erzeugt wird. Dann wird das Potential an dem Knoten gehalten, um ein Redundanzbestimmungssignal zu erzeugen.

Gemäß einem neunten Aspekt der vorliegenden Erfindung ist ein Verfahren zum Bestimmen der Redundanz vorgesehen. Zuerst wird ein Schaltelement mit einer Energiezufuhr mit niedrigem Potential verbunden, und eine Sicherung und eine Lastschaltung werden zwischen dem Schaltelement und einer Energiezufuhr mit hohem Potential seriell verbunden. Dann wird das Schaltelement betrieben, um ein Potential an einem Knoten zwischen dem Schaltelement und der Sicherung zu erzeugen. Das Potential an dem Knoten nimmt durch einen Spannungsabfall ab, der durch die Lastschaltung erzeugt wird. Dann wird das Potential an dem Knoten gehalten, um ein Redundanzbestimmungssignal zu erzeugen.

Andere Aspekte und Vorteile der Erfindung gehen aus der folgenden Beschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen hervor, welche die Prinzipien der Erfindung als Beispiel zeigen.

KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN

Die Erfindung zusammen mit ihren Zielen und Vorteilen kann am besten unter Bezugnahme auf die folgende Beschrei bung der zur Zeit bevorzugten Ausführungsformen zusammen mit den beiliegenden Zeichnungen verstanden werden, in denen:

Fig. 1 ein schematisches Blockdiagramm einer ersten herkömmlichen Redundanzbestimmungsschaltung ist;

Fig. 2 ein Wellenformdiagramm einer Energiezufuhr und eines Steuersignals in der Redundanzbestimmungsschaltung von Fig. 1 ist;

Fig. 3 ein schematisches Blockdiagramm einer zweiten herkömmlichen Redundanzbestimmungsschaltung ist;

Fig. 4 ein Wellenformdiagramm einer Energiezufuhr und eines Steuersignals in der Redundanzbestimmungsschaltung von Fig. 3 ist;

Fig. 5 ein schematisches Blockdiagramm einer Redundanz bestimmungsschaltung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;

Fig. 6 ein eingehenderes Schaltungsdiagramm der Redun danzbestimmungsschaltung von Fig. 5 ist;

Fig. 7(a)-7(d) Schaltungsdiagramme einer Lastschal tung der Redundanzbestimmungsschaltung von Fig. 6 sind;

Fig. 8 ein Blockdiagramm einer Speichervorrichtung mit der Redundanzbestimmungsschaltung von Fig. 6 ist;

Fig. 9 ein schematisches Blockdiagramm einer Redundanz bestimmungsschaltung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;

Fig. 10 ein schematisches Blockdiagramm einer Redun danzbestimmungsschaltung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist;

Fig. 11 ein schematisches Blockdiagramm einer Redundanzbestimmungsschaltung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist; und

Fig. 12(a) und 12(b) Schaltungsdiagramme einer Last schaltung der Redundanzbestimmungsschaltung von Fig. 10 sind.

EINGEHENDE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN

In den Zeichnungen werden durchgängig gleiche Bezugs zeichen für die gleichen Elemente verwendet.

(Erste Ausführungsform)

Fig. 5 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Redun danzbestimmungsschaltung 300 gemäß einer ersten Ausführungs form der vorliegenden Erfindung. Die Redundanzbestimmungs schaltung 300 enthält ein Schaltelement Tr, eine Lastschal tung 13 und eine Sicherung 14, die zwischen einer Energie zufuhr mit hohem Potential V1 und einer Energiezufuhr mit niedrigem Potential V2 seriell verbunden sind. Die Redun danzbestimmungsschaltung 300 enthält ferner einen Schalt treiber 11, der das Schaltelement Tr betreibt, und eine Hal teschaltung 17, die das Potential an einem Knoten zwischen dem Schaltelement Tr und der Lastschaltung 13 verriegelt und das verriegelte Potential ausgibt. Die Lastschaltung 13 er zeugt einen Spannungsabfall gemäß dem Strom, der in der Sicherung 14 fließt. Wenn in der Sicherung 14 ein Kriech strom fließt, bewirken der Spannungsabfall, der in der Sicherung 14 erzeugt wird, und der Spannungsabfall, der in der Lastschaltung 13 erzeugt wird, die Spannung an dem Kno ten. Durch diese Operation wird das Knotenpotential ausrei chend angehoben oder verringert und eine unkorrekte Ent scheidung verhindert, wenn die Sicherung abgeschaltet ist.

Fig. 6 ist ein Schaltungsdiagramm der Redundanzbestim mungsschaltung 300 von Fig. 5. Der Schalttreiber 11 ist eine Einzelimpulserzeugungsschaltung 11a, in der die Source eines P-Kanal-MOS-Transistors Tr11 mit der Energiezufuhr VDD ver bunden ist und das Drain des Transistors Tr11 mit dem Gate und dem Drain eines N-Kanal-MOS-Transistors Tr12 verbunden ist. Die Source (ein Knoten N3) des Transistors Tr12 ist mit dem Drain eines N-Kanal-MOS-Transistors Tr13 verbunden, und die Source des Transistors Tr13 ist mit der Energiezufuhr Vss verbunden. Die Gates der Transistoren Tr11 und Tr13 sind zusammen und mit der Energiezufuhr Vss verbünden. Der Knoten N3 ist mit der Energiezufuhr Vss über einen Kondensator C1 verbunden und mit einem Eingangsanschluß einer Inverter schaltung 12a verbunden. Der Kondensator C1 verzögert den Anstieg des Potentials an dem Knoten N3. Ein Ausgangssignal der Inverterschaltung 12a wird auf das Gate eines P-Kanal- MOS-Transistors Tr15 als Steuersignal ϕ1 über Inverterschal tungen 12b bis 12d angewendet.

Ausgangsanschlüsse der Inverterschaltungen 12a und 12c sind mit der Energiezufuhr VDD über Kondensatoren C2 und C4 verbunden, und Ausgangsanschlüsse der Inverterschaltungen 12b und 12d sind mit der Energiezufuhr Vss über Kondensato ren C3 und C5 verbunden. Die Kondensatoren C2 und C4 verzö gern die abfallenden Flanken der Ausgangssignale der Inver terschaltungen 12a bzw. 12c, und die Kondensatoren C3 und C5 verzögern die ansteigenden Flanken der Ausgangssignale der Inverterschaltungen 12b bzw. 12d.

Ein Ausgangssignal der Inverterschaltung 12c wird auf das Gate eines P-Kanal-MOS-Transistors Tr14 angewendet. Die Source des Transistors Tr14 ist mit der Energiezufuhr VDD verbunden, und das Drain ist mit dem Knoten N3 verbunden.

Wenn die Energiezufuhren VDD und Vss eingeschaltet werden, werden in der Einzelimpulserzeugungsschaltung 11 die Gatepotentiale der Transistoren Tr11 und Tr13 niedrig. Wenn zu dieser Zeit das Potential an dem Knoten N3 um einen Wert, der gleich der Schwelle des Transistors Tr13 oder größer als diese ist, niedriger als der Pegel der Energiezufuhr Vss ist, wird der Transistor Tr13 eingeschaltet, und der Knoten N3 wird auf den Pegel der Energiezufuhr Vss hochgezogen. Wenn ferner der Knoten N3 gleich dem Pegel der Energiezufuhr Vss oder größer als dieser ist, wird der Transistor Tr13 in dem Aus-Zustand gehalten. Die Transistoren Tr11 und Tr12 werden im wesentlichen gleichzeitig eingeschaltet, und das Potential an dem Knoten N3 wird in die Nähe des Pegels der Energiezufuhr VDD hochgezogen. Zu dieser Zeit wird der Anstieg des Potentials an dem Knoten N3 auf Grund des Ladens des Kondensators C1 verzögert.

Wenn das Potential an dem Knoten N3 ansteigt und größer als die Schwelle der Inverterschaltung 12a wird, gibt die Inverterschaltung 12a ein Ausgangssignal Low aus. Die abfal lende Flanke des Ausgangssignals der Inverterschaltung 12a wird durch den Kondensator C2 verzögert. Wenn das Ausgangs signal der Inverterschaltung 12a so fällt, daß es gleich der Schwelle der Inverterschaltung 12b oder größer als diese ist, gibt die Inverterschaltung 12b das Ausgangssignal High aus. Die ansteigende Flanke des Ausgangssignals der Inver terschaltung 12b wird durch den Kondensator C3 verzögert. Wenn das Ausgangssignal der Inverterschaltung 12b über die Schwelle der Inverterschaltung 12c ansteigt, gibt die Inver terschaltung 12c das Ausgangssignal Low aus. Die abfallende Flanke des Ausgangssignals der Inverterschaltung 12c wird durch den Kondensator C4 verzögert. Wenn das Ausgangssignal der Inverterschaltung 12c fällt, wird der Transistor Tr14 eingeschaltet, und das Potential an dem Knoten N3 wird im wesentlichen auf den Pegel der Energiezufuhr VDD hochgezo gen. Wenn das Ausgangssignal der Inverterschaltung 12c so fällt, daß es gleich der Schwelle der Inverterschaltung 12d oder kleiner als diese ist, gibt die Inverterschaltung 12d ein Steuersignal ϕ1 High aus. Die ansteigende Flanke des Steuersignals ϕ1 wird durch den Kondensator C5 verzögert.

Das Steuersignal ϕ1 steigt demzufolge, wie in Fig. 2 gezeigt, auf den Pegel der Energiezufuhr VDD an, nachdem die Verzögerungszeit, die durch die jeweiligen Kondensatoren C1 bis C5 und die jeweiligen Inverterschaltungen 12a bis 12d eingestellt wird, nach dem Anlauf der Energiezufuhr VDD ver strichen ist.

Die Source des P-Kanal-MOS-Transistors Tr15 ist mit der Energiezufuhr VDD verbunden, sein Drain (ein Knoten N4) ist mit der Energiezufuhr Vss über die Lastschaltung 13 und die Sicherung verbunden.

Fig. 7(a) bis 7(d) sind Schaltungsdiagramme von Varian ten, die die Lastschaltung 13 annehmen kann. Die Lastschal tung 13a von Fig. 7(a) ist ein P-Kanal-MOS-Transistor Tr16, dessen Gate mit der Erde oder der Energiezufuhr Vss verbun den ist. Die Lastschaltung 13b von Fig. 7(b) ist mit P-Ka nal-MOS-Transistoren Tr17 und Tr18 seriell verbunden, deren Gates mit der Erde oder der Energiezufuhr Vss verbunden sind. Die Lastschaltung 13c von Fig. 7(c) ist ein Widerstand 15. Die Lastschaltung 13d von Fig. 7(d) ist eine Diode 16. Jedes Element der verschiedenen Ausführungsformen 13a-13d wird so eingestellt, daß die Veränderung des Widerstandes des Elementes bei einer Veränderung des Wertes des Stromes, der hindurchfließt, klein wird.

Unter erneuter Bezugnahme auf Fig. 6 ist ein Eingangs anschluß der Halteschaltung 17 mit einem Knoten N4 verbun den. In der Halteschaltung 17 verriegelt eine Verriegelungs schaltung 19, die Inverterschaltungen 18a und 18b enthält, das Potential an dem Knoten N4. Eine Inverterschaltung 18c invertiert das Ausgangssignal der Verriegelungsschaltung 19 und gibt ein Redundanzsignal R aus. Eine Inverterschaltung 18d invertiert das Ausgangssignal der Inverterschaltung 18c und gibt ein Redundanzsignal /R aus. Wenn das Potential an dem Knoten N4 hoch ist, verriegelt die Halteschaltung 17 das Redundanzsignal R High und das Redundanzsignal /R Low und gibt sie aus. Wenn das Potential an dem Knoten N4 niedrig ist, verriegelt die Halteschaltung 17 das Redundanzsignal R Low und das Redundanzsignal /R High und gibt sie aus.

Die Lastschaltung 13 bewirkt, daß das Potential an dem Knoten N4 ansteigt, wenn der Transistor Tr15 eingeschaltet wird und die Sicherung 14 nicht abschaltet. Jedoch wird das Potential an dem Knoten N4 auf den L-Pegel für die Schwelle der Inverterschaltung 18a eingestellt. Dadurch kann die Ver riegelungsschaltung 19 den Knoten N4 Low verriegeln.

Wenn der Transistor Tr15 eingeschaltet wird und ein Kriechstrom durch die abgeschaltete Sicherung 14 fließt, fällt die Spannung der Lastschaltung 13 ab. Zu dieser Zeit wird das Potential an dem Knoten N4 auf den H-Pegel für die Schwelle der Inverterschaltung 18a eingestellt. Dadurch kann die Verriegelungsschaltung 19 das Potential des Knotens N4 High verriegeln.

Fig. 8 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Spei chervorrichtung 340 mit der Redundanzbestimmungsschaltung 300. Ein Adressenpuffer 20 empfängt ein Adressensignal AD von einer externen Vorrichtung (nicht gezeigt) und führt das Adressensignal AD einem Reihendecodierer 21 und einem Spal tendecodierer 22 zu. Gemäß einem Wortleitungsselektions signal, das von dem Reihendecodierer 21 ausgegeben wird, wird eine spezifische Wortleitung in einem Speicherzellen array 23 selektiert. Gemäß einem Spaltenselektionssignal, das von dem Spaltendecodierer 22 ausgegeben wird, wird eine spezifische Spaltenleitung in dem Speicherzellenarray 23 selektiert, und auf diese Weise wird eine spezifische Spei cherzelle selektiert.

Das Speicherzellenarray 23 hat ein normales Zellenarray 24 und ein redundantes Array 25, das angrenzend an das nor male Zellenarray 24 angeordnet ist. E/A-Schaltungen 26 und 27 sind angrenzend an die normalen und redundanten Speicher zellenarrays 24 bzw. 25 angeordnet. Der Spaltendecodierer empfängt die Redundanzsignale R und /R, die von der Redun danzbestimmungsschaltung 300 ausgegeben werden. Wenn durch einen Operationstest eine defekte Zelle in dem normalen Zel lenarray 24 detektiert wird, wird eine Sicherung (nicht ge zeigt) in einer Redundanzbestimmungsschaltung 300 abgeschal tet, und das Redundanzsignal R High und das Redundanzsignal /R Low werden von der Redundanzbestimmungsschaltung 300 aus gegeben. Der Spaltendecodierer 22 selektiert eine redundante Spaltenleitung des redundanten Zellenarrays 25 anstelle der Spaltenleitung der defekten Zelle gemäß den Redundanzsigna len R High und /R Low. Somit werden über die E/A-Schaltung 26 eine Schreiboperation und eine Leseoperation für die Speicherzelle ausgeführt, die mit der redundanten Spalten leitung verbunden ist. Die Redundanzsignale R und /R können dem Reihendecodierer 21 zugeführt werden. In diesem Fall würde eine redundante Wortleitung des redundanten Zellen arrays 25 anstelle der Wortleitung der defekten Zelle selek tiert werden.

Als nächstes wird die Operation der Redundanzbestim mungsschaltung 300 (Fig. 6) beschrieben. Wenn die Energie eingeschaltet wird und der Pegel der Energiezufuhr VDD an läuft, steigt das Steuersignal ϕ1 an, wie in Fig. 2 gezeigt, nachdem eine vorbestimmte Verzögerungszeit abgelaufen ist. Der Transistor Tr15 wird für die vorbestimmte Zeit t1 einge schaltet, bis das Steuersignal ϕ1 ansteigt, nachdem die Potentialdifferenz zwischen der Energiezufuhr VDD und dem Steuersignal ϕ1 größer als die Schwelle des Transistors Tr15 geworden ist.

In dem nichtabgeschalteten Zustand der Sicherung 14 fließt der Drainstrom des Transistors Tr15 bei der Energie zufuhr Vss über die Lastschaltung 13 und die Sicherung 14, und das Potential an dem Knoten N4 wird für die Schwelle der Inverterschaltung 18a auf dem L-Pegel gehalten. Die Halte schaltung 17 verriegelt das Potential des L-Pegels an dem Knoten N4 und gibt das Redundanzsignal R Low und das Redun danzsignal /R High aus. Die Halteschaltung 17 behält das Redundanzsignal R Low und das Redundanzsignal /R High bei, selbst wenn der Transistor Tr15 ausgeschaltet wird, nachdem die vorbestimmte Zeit t1 abgelaufen ist.

In dem abgeschalteten Zustand der Sicherung 14 steigt das Potential an dem Knoten N4 auf den Pegel der Energie zufuhr VDD an, wenn der Transistor Tr15 während der vorbe stimmten Zeit t1 eingeschaltet ist. Daraufhin gibt die Hal teschaltung 17 das Redundanzsignal R High und das Redundanz signal /R Low aus und behält den Signalzustand bei, selbst wenn der Transistor Tr15 abgeschaltet wird, nachdem die vor bestimmte Zeit t1 abgelaufen ist.

Wenn der Transistor Tr15 eingeschaltet ist und ein Kriechstrom in der abgeschalteten Sicherung 14 fließt, fließt der Kriechstrom in der Sicherung 14 über die Last schaltung 13. Daraufhin nimmt der Spannungsabfall der Siche rung 14 im Vergleich zu dem nichtabgeschalteten Zustand der Sicherung 14 ausreichend zu. Dann steigt das Potential an dem Knoten N4 von der Energiezufuhr Vss auf Grund des Span nungsabfalls der Lastschaltung 13 und der Sicherung 14 an und erreicht den H-Pegel für die Schwelle der Inverterschal tung 18a. Somit gibt die Halteschaltung 17 das Redundanz signal R High und das Redundanzsignal /R Low aus.

Die Charakteristiken der Redundanzbestimmungsschaltung 300 sind unten beschrieben.

(1) In dem nichtabgeschalteten Zustand der Sicherung 14 gibt die Redundanzbestimmungsschaltung 300 das Redundanz signal R Low und das Redundanzsignal /R High in Übereinstim mung mit dem Ein-Zustand der Energie aus.

(2) In dem abgeschalteten Zustand der Sicherung 14 gibt die Redundanzbestimmungsschaltung 300 das Redundanz- signal R High und das Redundanzsignal /R Low in Übereinstim mung mit dem Ein-Zustand der Energie aus.

(3) Wenn ein Kriechstrom in der Sicherung 14 fließt, nachdem die Sicherung 14 abgeschaltet worden ist, wird das Potential an dem Knoten N4 durch die Lastschaltung 13 hoch gezogen. Daher gibt die Redundanzbestimmungsschaltung 300 das Redundanzsignal R High und das Redundanzsignal /R Low aus.

(4) Wenn die Sicherung 14 abgeschaltet ist und die Energie eingeschaltet ist, wird die Ein-Zeit des Transistors Tr15 verkürzt, da der Start der Energiezufuhr VDD langsam erfolgt. Da in solch einem Fall das Potential an dem Knoten N4 durch die Lastschaltung 13 hochgezogen wird, gibt die Redundanzbestimmungsschaltung 300 das Redundanzsignal R High und das Redundanzsignal /R Low aus.

(5) Da die Verzögerungszeit der Einzelimpulserzeu gungsschaltung 11 nicht verlängert zu werden braucht, selbst wenn die Ein-Zeit des Transistors Tr15 verkürzt wird, wird eine Vergrößerung des Schaltungsbereiches der Einzelimpuls erzeugungsschaltung 11 verhindert.

(6) Da die Ein-Zeit des Transistors Tr15 nicht mehr als nötig verlängert zu werden braucht, wird die Erhöhung des Eindringungsstromes, d. h., des Stromverbrauchs, der in der Sicherung 14 fließt, verhindert, wenn die Sicherung 14 nicht abschaltet.

(7) Die Speichervorrichtung 340 führt gemäß dem Redun danzsignal R High und dem Redundanzsignal /R Low, die durch die Redundanzbestimmungsschaltung 300 erzeugt werden, wenn die Sicherung 14 abgeschaltet ist, eine Redundanzoperation akkurat aus.

(8) Die Speichervorrichtung 340 führt eine Redundanz operation sicher aus und verhindert die Erhöhung des Ener gieverbrauchs.

(Zweite Ausführungsform)

Fig. 9 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Redun danzbestimmungsschaltung 400 gemäß einer zweiten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung. In der zweiten Ausfüh rungsform ist der erste Anschluß der Sicherung 14 mit dem Knoten N4 verbunden, und der zweite Anschluß ist mit der Energiezufuhr Vss über die Lastschaltung 13 verbunden. Bei dieser Verbindungskonfiguration arbeitet die Lastschaltung 13 auf dieselbe Weise wie in der ersten Ausführungsform.

(Dritte Ausführungsform)

Fig. 10 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Redundanzbestimmungsschaltung 500 gemäß einer dritten Aus führungsform der vorliegenden Erfindung. Eine Einzelimpuls erzeugungsschaltung 11 der dritten Ausführungsform gibt ein Steuersignal ϕ2 High für eine vorbestimmte Zeit in Überein stimmung mit dem Ein-Zustand der Energie aus.

Das Steuersignal ϕ2 wird auf das Gate eines N-Kanal- MOS-Transistors Tr19 angewendet. Die Source des Transistors Tr19 ist mit der Energiezufuhr Vss verbunden, und das Drain (ein Knoten N5) ist mit der Energiezufuhr VDD über eine Lastschaltung 13 und die Sicherung 14 verbunden.

Fig. 12(a) und 12(b) sind Schaltungsdiagramme von Vari anten, die die Lastschaltung 13 annehmen kann. Die Last schaltung 13e von Fig. 12(a) ist ein N-Kanal-MOS-Transistor Tr20, dessen Gate mit der Energiezufuhr VDD verbunden ist. Der N-Kanal-MOS-Transistor Tr20 hält immer einen Ein-Zustand als Reaktion auf die eingeschaltete Energie der Energiezu fuhr VDD. Die Lastschaltung 13f von Fig. 12(b) umfaßt zwei seriell verbundene N-Kanal-MOS-Transistoren Tr21 und Tr22, deren Gates mit der Energiezufuhr VDD verbunden sind. Die Lastschaltung 13 kann auch ein Widerstand oder eine Diode sein.

Ein Eingangsanschluß der Halteschaltung 17 ist mit einem Knoten N5 verbunden. Bei der Schaltung 500 stoppt eine Speichervorrichtung (nicht gezeigt) den Zugriff auf eine defekte Zelle eines normalen Zellenarrays gemäß dem Redun danzsignal R Low und dem Redundanzsignal /R High und greift auf die redundante Zelle eines redundanten Zellenarrays zu.

Wenn der Pegel der Energiezufuhr VDD auf Grund des Ein- Zustandes der Energie ansteigt, wie in Fig. 4 gezeigt, gibt die Einzelimpulserzeugungsschaltung 11 das Steuersignal ϕ2 mit dem Pegel der Energiezufuhr VDD für die vorbestimmte Zeit t2 ab dem Anlaufen der Energiezufuhr VDD aus. Der Tran sistor Tr19 wird für die vorbestimmte Zeit t2 eingeschaltet, bis das Steuersignal ϕ2 fällt, nachdem die Potentialdiffe renz zwischen der Energiezufuhr Vss und dem Steuersignal ϕ2 größer als die Schwelle des Transistors Tr19 geworden ist.

In dem nichtabgeschalteten Zustand der Sicherung 14 wird ein Drainstrom dem Transistor Tr19 von der Energiezu fuhr VDD über die Sicherung 14 und die Lastschaltung 13 zu geführt. Das Potential des Knotens N5 wird für die Schwelle der Inverterschaltung 18a der Halteschaltung 17 gemäß dem Widerstandsverhältnis der Sicherung 14 und der Lastschaltung 13 zu dem Transistor Tr19 auf dem H-Pegel gehalten. Die Hal teschaltung 17 verriegelt das Potential des H-Pegels an dem Knoten N5 und gibt das Redundanzsignal R High und das Redun danzsignal /R Low aus. Die Halteschaltung 17 behält das Redundanzsignal R High und das Redundanzsignal /R Low selbst dann bei, falls der Transistor Tr19 ausgeschaltet wird, nachdem die vorbestimmte Zeit t2 abgelaufen ist.

In dem abgeschalteten Zustand der Sicherung 14 fällt das Potential an dem Knoten N5, wenn der Transistor Tr19 für die vorbestimmte Zeit t2 eingeschaltet ist, im wesentlichen auf den Pegel der Energiezufuhr Vss ab. Die Halteschaltung 17 gibt das Redundanzsignal R Low und das Redundanzsignal /R High aus und behält das Redundanzsignal R Low und das Redun danzsignal /R High bei, selbst wenn der Transistor Tr19 aus geschaltet wird, nachdem die vorbestimmte Zeit t2 abgelaufen ist.

Wenn der Transistor Tr19 eingeschaltet ist, wenn ein Kriechstrom in der Sicherung 14 fließt, obwohl die Sicherung 14 abgeschaltet ist, fließt der Kriechstrom von der Siche rung 14 zu der Lastschaltung 13. Zu dieser Zeit ist der Spannungsabfall der Sicherung 14 im Vergleich zu dem nichtabgeschalteten Zustand der Sicherungsschaltung 14 groß genug. Demzufolge fällt das Potential an dem Knoten N5 von der Energiezufuhr VDD durch den Spannungsabfall der Last schaltung 13 und der Sicherung 14 ab und erreicht den L- Pegel für die Schwelle der Inverterschaltung 18a. Somit gibt die Halteschaltung 17 das Redundanzsignal R Low und das Redundanzsignal /R High aus.

Die Operation der Redundanzbestimmungsschaltung 500 ist dieselbe wie bei der ersten Ausführungsform, außer daß die Redundanzsignale R und /R, die von der Halteschaltung 17 ausgegeben werden, umgekehrt sind.

(Vierte Ausführungsform)

Fig. 11 ist ein schematisches Blockdiagramm einer Redundanzbestimmungsschaltung gemäß einer vierten Ausfüh rungsform der vorliegenden Erfindung. In der vierten Ausfüh rungsform ist der erste Anschluß der Sicherung 14 mit dem Knoten N5 verbunden, und ihr zweiter Anschluß ist mit der Energiezufuhr VDD über die Lastschaltung 13 verbunden. Bei dieser Verbindungskonfiguration arbeitet die Lastschaltung 13 auf dieselbe Weise wie in der ersten Ausführungsform.

Der Fachwelt sollte klar sein, daß die vorliegende Erfindung in vielen anderen spezifischen Formen verkörpert werden kann, ohne vom Grundgedanken oder Schutzumfang der Erfindung abzuweichen. Es versteht sich, daß die Erfindung besonders in einer Speichervorrichtung verkörpert werden kann, die irgendeine der Redundanzbestimmungsschaltungen hat. Ferner kann jede solche Speicherausführungsform in einer Bibliothek als RAM-Makro gespeichert sein, und die Bibliothek kann an Kunden vertrieben werden. Deshalb sind die vorliegenden Beispiele und Ausführungsformen als erläu ternd und nichteinschränkend zu betrachten, und die Erfin dung soll nicht auf die hierin genannten Details begrenzt werden, sondern kann innerhalb des Schutzumfanges und der Äquivalenz der beigefügten Ansprüche abgewandelt werden.

Claims

1. Redundanzbestimmungsschaltung mit:
einem Schaltelement (Tr);
einem Schalttreiber (11), der mit dem Schaltelement verbunden ist, zum Betreiben des Schaltelementes;
einer Sicherung (14); und
einer Halteschaltung (17), die mit einem Knoten zwi schen dem Schaltelement und einer von der Sicherung und der Lastschaltung verbunden ist, zum Verriegeln eines Potentials an dem Knoten und Erzeugen eines Redundanzbestimmungs signals, welche Redundanzbestimmungsschaltung gekennzeichnet ist durch eine Lastschaltung (13), die mit der Sicherung seriell verbunden ist, wobei eine von der Sicherung und der Lastschaltung mit dem Schaltelement verbunden ist.

2. Redundanzbestimmungsschaltung mit:
einem Schaltelement (Tr15), das zwischen einer Energie zufuhr mit hohem Potential (VDD) und einem Knoten (N4) ver bunden ist;
einem Schalttreiber (11a), der mit dem Schaltelement verbunden ist, zum Betreiben des Schaltelementes;
einer Sicherung (14); und
einer Halteschaltung (17), die mit dem Knoten verbunden ist, zum Verriegeln eines Potentials an dem Knoten und Erzeugen eines Redundanzbestimmungssignals, welche Redun danzbestimmungsschaltung gekennzeichnet ist durch eine Last schaltung (13a), die zwischen einer Energiezufuhr mit nied rigem Potential und dem Knoten mit der Sicherung seriell verbunden ist.

3. Schaltung nach Anspruch 2, bei der das Schalt element ein P-Kanal-MOS-Transistor ist und die Lastschaltung ein P-Kanal-MOS-Transistor (Tr16) ist, dessen Gate mit der Energiezufuhr mit niedrigem Potential verbunden ist.

4. Schaltung nach Anspruch 2, bei der das Schalt element ein P-Kanal-MOS-Transistor ist und die Lastschaltung zwei seriell verbundene P-Kanal-MOS-Transistoren (Tr17, Tr18) umfaßt, deren Gates mit der Energiezufuhr mit niedri gem Potential verbunden sind.

5. Schaltung nach Anspruch 2, bei der das Schalt element ein P-Kanal-MOS-Transistor ist und die Lastschaltung ein Widerstand (15) ist.

6. Schaltung nach Anspruch 2, bei der das Schalt element ein P-Kanal-MOS-Transistor ist und die Lastschaltung eine Diode (16) ist.

7. Redundanzbestimmungsschaltung mit:
einem Schaltelement (Tr19), das zwischen einer Energie zufuhr mit niedrigem Potential (Vss) und einem Knoten (N5) verbunden ist;
einem Schalttreiber (11b), der mit dem Schaltelement verbunden ist, zum Betreiben des Schaltelementes;
einer Sicherung (14); und
einer Halteschaltung (17), die mit dem Knoten verbunden ist, zum Verriegeln eines Potentials an dem Knoten und Erzeugen eines Redundanzbestimmungssignals, welche Redun danzbestimmungsschaltung gekennzeichnet ist durch eine Last schaltung (13b), die zwischen einer Energiezufuhr mit hohem Potential und dem Knoten mit der Sicherung seriell verbunden ist.

8. Schaltung nach Anspruch 7, bei der das Schalt element ein N-Kanal-MOS-Transistor ist und die Lastschaltung ein N-Kanal-MOS-Transistor (Tr20) ist, dessen Gate mit der Energiezufuhr mit hohem Potential verbunden ist.

9. Schaltung nach Anspruch 7, bei der das Schalt element ein N-Kanal-MOS-Transistor ist und die Lastschaltung zwei seriell verbundene N-Kanal-MOS-Transistoren (Tr21, Tr22) umfaßt, deren Gates mit der Energiezufuhr mit hohem Potential verbunden sind.

10. Schaltung nach Anspruch 7, bei der das Schalt element ein N-Kanal-MOS-Transistor ist und die Lastschaltung ein Widerstand ist.

11. Schaltung nach Anspruch 7, bei der das Schalt element ein N-Kanal-MOS-Transistor ist und die Lastschaltung eine Diode ist.

12. Schaltung nach irgendeinem der Ansprüche 1 bis 11, bei der die Lastschaltung einen Spannungsabfall gemäß einem Strom erzeugt, der in der Sicherung fließt.

13. Halbleiterspeichervorrichtung mit:
einem Speicherzellenarray (23), das ein normales Zellenarray (24) und ein redundantes Zellenarray (25) enthält;
einer Redundanzbestimmungsschaltung (300) zum Erzeugen eines Redundanzbestimmungssignals; und
einem Decodierer (22), der mit der Redundanzbestim mungsschaltung verbunden ist, zum Ausführen einer Redundanz operation, um eine normale Zelle des normalen Zellenarrays oder eine redundante Zelle des redundanten Zellenarrays gemäß dem Redundanzbestimmungssignal zu selektieren, welche Redundanzbestimmungsschaltung enthält:
ein Schaltelement (Tr5),
einen Schalttreiber (11a), der mit dem Schaltelement verbunden ist, zum Betreiben des Schaltelementes,
eine Sicherung (14) und
eine Halteschaltung (17), die mit einem Knoten zwischen dem Schaltelement und einer von der Sicherung und der Last schaltung verbunden ist, zum Verriegeln eines Potentials an dem Knoten und Erzeugen des Redundanzbestimmungssignals, und welche Redundanzbestimmungsschaltung gekennzeichnet ist durch eine Lastschaltung (13a), die mit der Sicherung seri ell verbunden ist, wobei eine von der Sicherung und der Lastschaltung mit dem Schaltelement verbunden ist.

14. Halbleiterspeichervorrichtung mit:
einem Speicherzellenarray (23), das ein normales Zel lenarray (24) und ein redundantes Zellenarray (25) enthält;
einer Redundanzbestimmungsschaltung (300) zum Erzeugen eines Redundanzbestimmungssignals; und
einem Decodierer (22), der mit der Redundanzbestim mungsschaltung verbunden ist, zum Ausführen einer Redundanz operation, um eine normale Zelle des normalen Zellenarrays oder eine redundante Zelle des redundanten Zellenarrays gemäß dem Redundanzbestimmungssignal zu selektieren, welche Redundanzbestimmungsschaltung enthält:
ein Schaltelement (Tr15), das zwischen einer Energie zufuhr mit hohem Potential und einem Knoten verbunden ist,
einen Schalttreiber (11a), der mit dem Schaltelement verbunden ist, zum Betreiben des Schaltelementes,
eine Sicherung (14) und
eine Halteschaltung (17), die mit dem Knoten verbunden ist, zum Verriegeln eines Potentials an dem Knoten und Erzeugen des Redundanzbestimmungssignals, und welche Redun danzbestimmungsschaltung gekennzeichnet ist durch eine Last schaltung (13a), die zwischen der Energiezufuhr mit niedri gem Potential und dem Knoten mit der Sicherung seriell ver bunden ist.

15. Halbleiterspeichervorrichtung mit:
einem Speicherzellenarray (23), das ein normales Zel lenarray (24) und ein redundantes Zellenarray (25) enthält;
einer Redundanzbestimmungsschaltung (300) zum Erzeugen eines Redundanzbestimmungssignals; und
einem Decodierer (22), der mit der Redundanzbestim mungsschaltung verbunden ist, zum Ausführen einer Redundanz operation, um eine normale Zelle des normalen Zellenarrays oder eine redundante Zelle des redundanten Zellenarrays gemäß dem Redundanzbestimmungssignal zu selektieren, welche Redundanzbestimmungsschaltung enthält:
ein Schaltelement (Tr19), das zwischen einer Energie zufuhr mit niedrigem Potential und einem Knoten verbunden ist,
einen Schalttreiber (11b), der mit dem Schaltelement verbunden ist, zum Betreiben des Schaltelementes,
eine Sicherung (14) und
eine Halteschaltung (17), die mit dem Knoten verbunden ist, zum Verriegeln eines Potentials an dem Knoten und Erzeugen des Redundanzbestimmungssignals, und welche Redun danzbestimmungsschaltung gekennzeichnet ist durch eine Last schaltung (13b), die zwischen einer Energiezufuhr mit hohem Potential und dem Knoten mit der Sicherung seriell verbunden ist.

16. Verfahren zum Bestimmen der Redundanz, das die folgenden Schritte umfaßt:
serielles Verbinden einer Sicherung, einer Lastschal tung und eines Schaltelementes zwischen einer Energiezufuhr mit hohem Potential und einer Energiezufuhr mit niedrigem Potential;
Betreiben des Schaltelementes, um ein Potential an einem Knoten zwischen dem Schaltelement und der Sicherung zu erzeugen, welches Potential an dem Knoten durch einen Span nungsabfall schwankt, der durch die Lastschaltung erzeugt wird; und
Halten des Potentials an dem Knoten, um ein Redundanz bestimmungssignal zu erzeugen.

17. Verfahren zum Bestimmen der Redundanz, das die folgenden Schritte umfaßt:
Verbinden eines Schaltelementes mit einer Energiezufuhr mit hohem Potential;
serielles Verbinden einer Sicherung und einer Last schaltung zwischen dem Schaltelement und einer Energiezufuhr mit niedrigem Potential;
Betreiben des Schaltelementes, um ein Potential an einem Knoten zwischen dem Schaltelement und der Sicherung zu erzeugen, welches Potential an dem Knoten durch einen Span nungsabfall zunimmt, der durch die Lastschaltung erzeugt wird; und
Halten des Potentials an dem Knoten, um ein Redundanz bestimmungssignal zu erzeugen.

18. Verfahren zum Bestimmen der Redundanz, das die folgenden Schritte umfaßt:
Verbinden eines Schaltelementes mit einer Energiezufuhr mit niedrigem Potential;
serielles Verbinden einer Sicherung und einer Last schaltung zwischen dem Schaltelement und einer Energiezufuhr mit hohem Potential;
Betreiben des Schaltelementes, um ein Potential an einem Knoten zwischen dem Schaltelement und der Sicherung zu erzeugen, welches Potential an dem Knoten durch einen Span nungsabfall abnimmt, der durch die Lastschaltung erzeugt wird; und
Halten des Potentials an dem Knoten, um ein Redundanz bestimmungssignal zu erzeugen.