DE19906209C2 - Method for removing individual circuit units from a panel - Google Patents
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Description
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Heraustrennen einzelner Schaltkreis-Einheiten aus einem Panel, auf dem mehrere Schaltkreis-Einheiten ausgebildet sind, wobei die Schaltkreis-Einheiten durch eine Kombination eines Fräsvorgangs und eines nachgeschalteten Bearbeitungsschrittes aus dem Panel herausgetrennt werden.The present invention relates to a method for Removing individual circuit units from a panel, on which a plurality of circuit units are formed, wherein the circuit units by a combination of one Milling process and a subsequent processing step be separated from the panel.
Aus der WO 98/33364 A1 ist ein Verfahren zum Heraustrennen einzelner Schaltkreis-Einheiten aus einem Panel bekannt, auf dem mehrere Schaltkreis-Einheiten ausgebildet sind. Das Panel weist üblicherweise einen dreischichtigen Aufbau auf, wobei nicht klar ist, aus welchen Schichten das Panel genau besteht. WO 98/33364 A1 describes a method for separation individual circuit units known from a panel which several circuit units are formed. The panel usually has a three-layer structure, wherein it is not clear which layers the panel consists of exactly.
Es wird beschrieben, die Schaltkreis-Einheiten durch eine Kombination eines Fräsvorgangs und eines nachgeschalteten Bearbeitungsschritts aus dem Panel herauszutrennen.It is described by a circuit unit Combination of a milling process and a downstream one To separate processing steps from the panel.
Aus der DE 40 10 370 C2 ist ein dreischichtiger Aufbau eines Panels bekannt. Zum Heraustrennen einzelner Schaltkreis- Einheiten des Panels wird vorgeschlagen, die Einheiten Schicht für Schicht aus dem Panel herauszutrennen.DE 40 10 370 C2 describes a three-layer structure of a Panels known. To remove individual circuit Units of the panel is suggested to be the units layer for layer to separate out of the panel.
Aus dem Artikel "Mit vernachlässigbaren Belastungen", EPP, Juli 1996, S. 24 und 25 ist es bekannt, einzelne Schaltkreis- Einheiten aus einem Panel herauszutrennen. Die Einheiten werden durch eine Kombination eines Fräsvorgangs und eines nachgeschalteten Bearbeitungsschrittes aus dem Panel herausgetrennt.From the article "With negligible loads", EPP, July 1996, pp. 24 and 25, it is known to single circuit To separate units from a panel. The units are achieved by a combination of a milling process and a downstream processing step from the panel separated out.
Aus der US 4,355,457 ist es bekannt, beim Heraustrennen von Schaltkreis-Einheiten aus einem Panel, einen nachgeschalteten Bearbeitungsschritt als einfaches Herausbrechen der Schaltkreis-Einheiten aus dem Panel auszubilden. Aus der DE 38 05 487 A1 ist ein Verfahren zum Heraustrennen von Schaltkreis-Einheiten aus einem Panel mittels eines zweistufigen Fäsens bekannt.From US 4,355,457 it is known when separating Circuit units from a panel, a downstream one Processing step as simply breaking out the Form circuit units from the panel. From the DE 38 05 487 A1 is a method for separating Circuit units from a panel using a two-stage milling.
Panels mit einer Trägerschicht, einer darauf aufgebrachten Isolationsschicht und einer darauf aufgebrachten Schaltungsschicht sind aus dem Stand der Technik bekannt. Die Panels werden in der Halbleitertechnik eingesetzt und dienen bspw. als Leiterplatte, als sog. Heatsink oder als Träger für eine gedruckte Schaltung. Die Trägerschicht besteht aus einem stark wärmeleitenden Material wie bspw. Kupfer, Aluminium, Carboxymethylcellulose (CMC), Nickelstahl oder Stahl. Auf diese Trägerschicht ist die Isolationsschicht aus einem dielektrischen Material aufgebracht, die ebenfalls gute wärmeleitenden Eigenschaften aufweist. Die Isolationsschicht besteht üblicherweise aus einem Polymer-Keramik-Gemisch. Die Isolationsschicht ist derart auf die Trägerschicht aufgebracht, dass sie hohen mechanischen und thermodynamischen Beanspruchungen standhalten kann. Die Schaltungsschicht umfaßt auf die Isolationsschicht aufgebrachte Schaltungen. In der Regel ist für jede der Schaltkreis-Einheiten auf dem Panel eine gesonderte Schaltung vorgesehen. Die Schaltungsschicht besteht aus einem elektrisch leitfähigen Material, bspw. aus Kupfer.Panels with a carrier layer, one applied on top Insulation layer and an applied thereon Circuit layers are known from the prior art. The Panels are used and used in semiconductor technology For example, as a printed circuit board, as a so-called heatsink or as a carrier for a printed circuit. The carrier layer consists of a highly thermally conductive material such as copper, aluminum, Carboxymethyl cellulose (CMC), nickel steel or steel. On this carrier layer is the insulation layer made of one dielectric material applied, which is also good has heat-conducting properties. The insulation layer usually consists of a polymer-ceramic mixture. The Insulation layer is on the carrier layer applied that they are high mechanical and thermodynamic Can withstand stress. The circuit layer comprises circuits applied to the insulation layer. In the The rule is for each of the circuit units on the panel a separate circuit is provided. The circuit layer consists of an electrically conductive material, for example Copper.
Die Panels weisen bspw. Abmessungen von etwa 60 cm × 80 cm auf. Aus Kostengründen werden auf einem Panel üblicherweise mehrere Schaltkreis-Einheiten ausgebildet. Diese müssen dann aus dem Panel herausgetrennt werden. Die auf die Isolationsschicht aufgebrachten Schaltungen der Schaltungsschicht können je nach Anwenderwunsch verschieden ausgebildet sein. Je nach Ausführungsform weisen die Schaltkreis-Einheiten Abmessungen von wenigen Millimetern bis zu mehreren Zentimetern auf. The panels have dimensions of approximately 60 cm × 80 cm, for example on. For cost reasons, are usually on a panel formed several circuit units. Then they have to be separated from the panel. The on the Insulation layer applied circuits of the Circuit layer can vary depending on the user request be trained. Depending on the embodiment, the Circuit units dimensions from a few millimeters to to several centimeters.
Die Schaltkreis-Einheiten können als Heatsinks ausgebildet sein. Auf einem Heatsink werden ein oder mehrere Halbleiterelemente (ICs; Integrated Circuits) angeordnet und das Heatsink dann zusammen mit dem Halbleiterelement auf einem Leadframe befestigt. Die Reihenfolge des Aufeinander-Anordnens von Leadframe, Heatsink und Halbleiterelement kann variieren. Die Anschlusskontakte der Halbleiterelemente werden mit Anschlussarmen des Leadframes (bspw. mittels Bonding-Drähten) elektrisch leitend verbunden. Die fertige Halbleitereinheit, bestehend aus dem Heatsink, dem Halbleiterelement und dem Leadframe, wird dann mit einem Harz oder Kunststoff ummantelt. Die Ummantelung stellt einen Schutz der Halbleitereinheit gegen mechanische und chemische Einwirkungen dar. Aus der Ummantelung ragen seitlich Anschlusskontakte des Leadframes und an der Unterseite eine wärmeableitende Fläche des Heatsinks hervor. Mit den Anschlusskontakten des Leadframes kann die Halbleitereinheit dann in einen übergeordneten Schaltkreis integriert werden. Die wärmeableitende Fläche wird vorzugsweise auf einem Kühlkörper angeordnet, um die während des Betriebs des Halbleiterelements erzeugte Wärme ableiten zu können.The circuit units can be designed as heat sinks his. On a heatsink, one or more Semiconductor elements (ICs; Integrated Circuits) arranged and the heatsink then together with the semiconductor element on one Leadframe attached. The order of the order of leadframe, heatsink and semiconductor element can vary. The connection contacts of the semiconductor elements are with Connection arms of the leadframe (e.g. using bonding wires) electrically connected. The finished semiconductor unit, consisting of the heatsink, the semiconductor element and the Leadframe, is then encased in a resin or plastic. The casing protects the semiconductor unit against mechanical and chemical effects Sheathing protrudes on the side of the leadframe and on the underside a heat dissipating surface of the Heatsinks. With the connection contacts of the lead frame can then the semiconductor unit in a parent Integrated circuit. The heat dissipating surface will preferably arranged on a heat sink to the during derive heat generated during the operation of the semiconductor element can.
Bei einer als Heatsinks ausgebildeten Schaltkreis-Einheit wird auf der Isolationsschicht des Panels eine Schaltungsschicht aufgebracht, deren Schaltungen für jeden Heatsink jeweils Anschlusskontakte für das oder die Halbleiterbauelemente aufweist. Die Anschlusskontakte der Halbleiterelemente werden in der sog. Flip-Chip-Technik ohne den Einsatz von Bonding- Drähten an die Anschlusskontakte der Heatsinks gelötet. Entlang des Randes des Heatsinks weist die Schaltung Anschlusskontaktflächen (sog. die pads) auf, die nach dem Heraustrennen des Heatsinks mit den Anschlußarmen des Leadframes elektrisch leitend verbunden werden. Die Anschlusskontaktflächen werden üblicherweise mit den Anschlussarmen verlötet. Schließlich weist die Schaltungsschicht Leiterbahnen zum Verbinden der Anschlusskontakte für die Halbleiterbauelemente mit den Anschlusskontaktflächen für das Leadframe auf. Im Gegensatz zu der herkömmlichen Bonding-Technik kann durch die Flip-Chip- Technik auf den Einsatz von Bonding-Drähten verzichtet werden, und der Anschluss der Anschlusskontaktflächen an die Anschlussarme des Leadframes kann wesentlich schneller und kostengünstiger durchgeführt werden.With a circuit unit designed as a heat sink a circuit layer on the insulation layer of the panel applied, the circuits for each heatsink each Connection contacts for the semiconductor component or components having. The connection contacts of the semiconductor elements are in the so-called flip-chip technology without the use of bonding Wires soldered to the connection contacts of the heatsinks. The circuit points along the edge of the heatsink Connection contact surfaces (so-called the pads), which after the Remove the heatsink with the connecting arms of the Leadframes are electrically connected. The Connection contact surfaces are usually with the Connection arms soldered. Finally, the Circuit layer conductor tracks for connecting the Connection contacts for the semiconductor components with the Connection contact surfaces for the lead frame. In contrast to the conventional bonding technology can be Technology without the use of bonding wires, and the connection of the connection contact surfaces to the Connection arms of the leadframe can be much faster and be carried out more cost-effectively.
Nach dem Stand der Technik werden die einzelnen Schaltkreis- Einheiten aus dem Panel herausgestanzt, herausgeschnitten oder herausgeätzt. Beim Herausstanzen ergibt sich zum einen das Problem, dass es entlang der Außenkanten der herausgestanzten Schaltkreis-Einheit zu einem Abtrennen der Isolationsschicht von der Trägerschicht kommt. Zum anderen führt der Stanzvorgang zu einer Abrundung der Außenkanten der herausgestanzten Schaltkreis-Einheit. Das hat zur Folge, dass die Anschlusskontaktflächen der Schaltungsschicht uneben werden, wodurch ein Anlöten der Anschlussarme der Leadframes an die Anschlusskontaktflächen erheblich erschwert bzw. sogar unmöglich wird.According to the state of the art, the individual circuit Units punched out of the panel, cut out or etched out. On the one hand, this results in punching out Problem that it is punched out along the outside edges Circuit unit for separating the insulation layer comes from the carrier layer. On the other hand, it leads Stamping process to round off the outer edges of the punched out circuit unit. This has the consequence that the connection contact surfaces of the circuit layer are uneven , which leads to a soldering of the connection arms of the leadframes to the connection contact surfaces considerably more difficult or even becomes impossible.
Zum Herausschneiden der einzelnen Schaltkreis-Einheiten aus dem Panel kann bspw. das Laserstrahlschneiden oder das Wasserstrahlschneiden eingesetzt werden. Das Laserstrahlschneiden hat jedoch den Nachteil, dass es aufgrund der sehr guten Wärmeleiteigenschaften des Materials der Trägerschicht in Verbindung mit der relativ großen Schichtdicke der Trägerschicht nur mit einer relativ geringen Vorschubgeschwindigkeit möglich ist. Das Wasserstrahlschneiden hat den Nachteil, dass die Schaltkreis-Einheiten nur mit einer relativ schlechten Qualität aus dem Panel herausgeschnitten werden können. Außerdem führt ein beim Wasserstrahlschneiden üblicherweise hinzugefügtes abrasives Mittel zu einer erheblichen Verunreinigung der herausgeschnittenen Schaltkreis-Einheiten bzw. der Schaltungsschicht. Eine Reinigung der herausgeschnittenen Schaltkreis-Einheiten würde einen zusätzlichen Arbeitsschritt bedeuten und zu einer Erhöhung der Stückkosten führen. Da die herausgeschnittenen Schaltkreis-Einheiten in der Regel sehr kleine Abmessungen aufweisen und dementsprechend schlecht handhabbar sind, wäre eine Nachbearbeitung der einzelnen Schaltkreis-Einheiten zudem besonders schwierig und zeitaufwendig.For cutting out the individual circuit units the panel can, for example, laser beam cutting or Water jet cutting can be used. The However, laser beam cutting has the disadvantage that it is due to the very good thermal conductivity properties of the material Carrier layer in connection with the relatively large Layer thickness of the carrier layer only with a relatively small one Feed rate is possible. Water jet cutting has the disadvantage that the circuit units only have one relatively poor quality cut out of the panel can be. It also leads to water jet cutting commonly added abrasive to one considerable contamination of the cut out Circuit units or the circuit layer. A Cleaning the cut out circuit units would mean an additional step and one Increase unit costs. Because the cut out Circuit units usually have very small dimensions exhibit and are accordingly difficult to handle, would be post-processing of the individual circuit units particularly difficult and time consuming.
Aus den vorgenannten Nachteilen des Standes der Technik ergibt sich die Aufgabe der vorliegen Erfindung, ein Verfahren der eingangs genannten Art dahingehend auszugestalten und weiterzubilden, dass die einzelnen Schaltkreis-Einheiten möglichst schnell und kostengünstig aus dem Panel herausgetrennt werden können ohne dass die herausgetrennten Schaltkreis-Einheiten nachbearbeitet werden müssen.From the aforementioned disadvantages of the prior art the task of the present invention, a method of and the kind mentioned at the beginning train that individual circuit units from the panel as quickly and inexpensively as possible can be removed without the separated Circuit units need to be reworked.
Zur Lösung dieser Aufgabe schlägt die Erfindung ausgehend von dem Verfahren der eingangs genannten Art vor, dass die Schaltkreis-Einheiten durch eine Kombination eines Fräsvorgangs und eines Stanzvorgangs oder eines Fräsvorgangs und eines Laserschneidvorgangs aus dem Panel herausgetrennt werden, wobei das Panel eine Trägerschicht aus einem wärmeleitenden Trägermaterial, darauf eine Isolationsschicht aus einem dielektrischen Material und darauf eine Schaltungsschicht aus einem elektrisch leitenden Material aufweist und der Fräsvorgang von der Seite der Trägerschicht her durchgeführt wird.To achieve this object, the invention proposes starting from the procedure of the type mentioned above that the Circuit units by a combination of one Milling process and a punching process or a milling process and a laser cutting process separated from the panel be, whereby the panel is a carrier layer from a thermally conductive carrier material, an insulation layer on top made of a dielectric material and a Circuit layer made of an electrically conductive material and the milling process from the side of the carrier layer forth is carried out.
Das Herausfräsen der Schaltkreis-Einheiten aus dem Panel hat den Vorteil, dass die einzelnen Schaltkreis-Einheiten besonders schnell und kostengünstig aus dem Panel herausgetrennt werden können. Die Qualität der herausgefrästen Schaltkreis-Einheiten ist so gut, dass sie nicht mehr nachbearbeitet werden müssen. Durch die Auswahl bestimmter Fräsverfahren in Verbindung mit bestimmten Fräswerkzeugen kann die Zeit, die zum Herausfräsen einer Schaltkreis-Einheit benötigt wird, und die Qualität der herausgefrästen Schaltkreis-Einheiten weiter optimiert werden.The milling of the circuit units out of the panel has the advantage that the individual circuit units particularly quickly and inexpensively from the panel can be separated out. The quality of the milled out Circuit units are so good that they are no longer have to be reworked. By choosing certain Milling process in connection with certain milling tools can the time it takes to mill out a circuit unit is needed, and the quality of the milled out Circuit units can be further optimized.
Der Fräsvorgang stellt lediglich einen von mehreren Bearbeitungsschritten zum Heraustrennen der einzelnen Schaltkreis-Einheiten aus dem Panel dar. So kann der Fräsvorgang bspw. einen Vorbearbeitungsschritt darstellen. Die Schaltkreis-Einheiten werden erst in einem nachfolgenden zusätzlichen Bearbeitungsschritt vollständig aus dem Panel herausgetrennt. Die Handhabung des Panels während dieses zusätzlichen Bearbeitungsschritts ist problemlos möglich, da die Schaltkreis-Einheiten nach wie vor Teil des Panels darstellen und mit diesem zusammen gehandhabt werden können. Erst nach Abschluß des zusätzlichen Bearbeitungsschritts liegen die einzelnen kleinen und relativ schlecht handhabbaren Schaltkreis-Einheiten vor. Durch den vorbereitenden Fräsvorgang kann das Panel bspw. derart bearbeitet werden, dass ein nachfolgendes Herausschneiden der einzelnen Schaltkreis-Einheiten mit einer besonders hohen Schnittgeschwindigkeit und/oder mit einer besonders hohen Qualität möglich wird.The milling process is only one of several Processing steps to separate the individual Circuit units from the panel. So the Represent milling process, for example, a preprocessing step. The Circuit units are only in a subsequent one additional processing step completely from the panel separated out. The handling of the panel during this additional processing step is easily possible because the circuit units remain part of the panel represent and can be handled together with this. Only after completing the additional processing step are the individual small and relatively difficult to handle Circuit units. By the preparatory For example, the panel can be milled in such a way that that a subsequent cut out of each Circuit units with a particularly high Cutting speed and / or with a particularly high Quality becomes possible.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, dass die Schaltkreis- Einheiten durch die Kombination eines Fräsvorgangs und eines Stanzvorgangs aus dem Panel herausgetrennt werden. Es ist denkbar, dass bestimmte Bereiche der Konturen der Schaltkreis- Einheiten aus dem Panel herausgefräst werden, während andere Bereiche stehen bleiben. Die Schaltkreis-Einheiten sind über diese stehen gebliebenen Bereiche mit dem Panel verbunden. In einem nachfolgenden Stanzvorgang können die restlichen noch stehen gebliebenen Bereiche dann problemlos durchtrennt werden, ohne dass es zu einem Abtrennen der Isolationsschicht von der Trägerschicht oder zu Abrundungen an den Kanten der Schaltkreis-Einheiten kommt.According to the invention, it is proposed that the circuit Units by combining a milling process and one Punching process are separated from the panel. It is conceivable that certain areas of the contours of the circuit Units are milled out of the panel while others Areas stop. The circuit units are over these remaining areas are connected to the panel. In a subsequent punching process can still the rest areas that have remained are then easily cut through without separating the insulation layer from the carrier layer or to round off the edges of the Circuit units is coming.
Alternativ wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, dass die Schaltkreis-Einheiten durch die Kombination eines Fräsvorgangs und eines Schneidevorgangs aus dem Panel herausgetrennt werden. Die nach dem Fräsvorgang noch stehengebliebenen Bereiche zwischen den Schaltkreis-Einheiten und dem restlichen Panel werden in einem nachfolgenden Schneidevorgang herausgeschnitten.Alternatively, the invention proposes that the Circuit units through the combination of a milling process and a cutting process from the panel become. Those that remained after the milling process Areas between the circuit units and the rest Panel will be in a subsequent cutting process cut out.
Die Schaltkreis-Einheiten werden mittels eines Laserstrahls aus dem Panel herausgeschnitten. Da die nach dem Fräsvorgang noch stehen gebliebenen Bereiche eine relativ geringe Schichtdicke aufweisen und/oder eine geringe Breite aufweisen, können die Schaltkreis-Einheiten trotz der guten Wärmeleiteigenschaften des Materials der Trägerschicht auch mit relativ hohen Vorschubgeschwindigkeiten mittels des Laserstrahlschneidens aus dem restlichen Panel herausgeschnitten werden. Mit dem Laserstrahlschneiden können bereits jetzt Schnittgeschwindigkeiten im Bereich von 3 m/min erreicht werden. Da während des Laserstrahlschneidens nahezu keine Kräfte auf das Panel bzw. auf die Schaltkreis-Einheiten wirken, können die Schaltkreis-Einheiten mittels eines Vakuums gehalten und anschließend auf einfache Weise gehandhabt werden. Darüber hinaus ist die Spritzerbildung des aufgeschmolzenen Materials aufgrund der geringen Stärke der nach dem Fräsvorgang stehen gebliebenen Bereiche so gering, dass eine Verschmutzung der Schaltungsschicht der Schaltkreis- Einheiten vermieden wird.The circuit units are made using a laser beam cut out of the panel. Because after the milling process Areas still left are relatively small Have layer thickness and / or have a narrow width, can the circuit units despite the good Thermal conductivity properties of the material of the carrier layer too with relatively high feed rates using the Laser beam cutting from the rest of the panel be cut out. With laser cutting already cutting speeds in the range of 3 m / min can be achieved. Because almost during laser beam cutting no forces on the panel or on the circuit units the circuit units can act by means of a vacuum held and then handled in a simple manner become. In addition, the spattering of the melted material due to the low strength of the after the milling process, the remaining areas are so small that contamination of the circuit layer of the circuit Units is avoided.
Um besonders große Vorschubgeschwindigkeiten realisieren und dadurch das Heraustrennen der Schaltkreis-Einheiten aus dem Panel besonders schnell durchführen zu können, schlägt die Erfindung gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung vor, dass das Fräsen mit einem Fräswerkzeug durchgeführt wird, das mit einer besonders hohen Schnittgeschwindigkeit fräst, insbesondere mit über 1.000 m/min. Dabei handelt es sich um das sog. Hochgeschwindigkeitsfräsen (HSC; High Speed Cutting). Mit einer Schnittgeschwindigkeit des Fräswerkzeugs von etwa 3.000 m/min konnten besonders gute Ergebnisse erzielt werden. Die Schnittgeschwindigkeit des Fräswerkzeugs hängt insbesondere von der Anzahl der Schneiden des Fräswerkzeugs, von dem zu fräsenden Material und von der Vorschubgeschwindigkeit des Fräswerkzeugs ab.To realize particularly high feed speeds and thereby removing the circuit units from the Being able to carry out the panel particularly quickly beats Invention according to an advantageous development before that the milling is carried out with a milling tool that with at a particularly high cutting speed, especially at over 1,000 m / min. It refers to the so-called high-speed milling (HSC). With a cutting speed of the milling tool of about 3,000 m / min, particularly good results were achieved. The cutting speed of the milling tool depends especially the number of cutting edges of the milling tool, of the material to be milled and of the Feed rate of the milling tool.
Die Trägerschicht zu fräsen stellt in der Regel kein großes Problem dar, da diese üblicherweise aus einem relativ gut bearbeitbaren Material, wie bspw. Kupfer, Aluminium, Carboxymethylcellulose (CMC), Nickelstahl oder Stahl besteht. Die Isolationsschicht ist in der Regel wesentlich härter als die Trägerschicht. Sie besteht üblicherweise aus einem Keramikwerkstoff, insbesondere aus einem Polymer-Keramik- Gemisch. Um auch Panels mit einer Isolationsschicht aus einem besonders harten Material fräsen zu können, wird gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung vorgeschlagen, dass der Fräsvorgang mit einem Fräswerkzeug durchgeführt wird, das eine besonders große Härte aufweist. Ein solches besonders hartes Fräswerkzeug ist bspw. als ein diamantbeschichtetes Fräswerkzeug ausgebildet.Milling the base layer is generally not a big issue Problem since this usually consists of a relatively good one machinable material, such as copper, aluminum, Carboxymethyl cellulose (CMC), nickel steel or steel. The insulation layer is usually much harder than the backing layer. It usually consists of one Ceramic material, in particular from a polymer ceramic Mixture. To include panels with an insulation layer from one Being able to mill particularly hard material is according to one advantageous development of the invention proposed that the milling process is carried out with a milling tool that has a particularly high hardness. Such a special one hard milling tool is for example as a diamond coated Milling tool trained.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden zunächst die Konturen der Schaltkreis- Einheiten aus dem Panel herausgefräst und danach die konturierten Schaltkreis-Einheiten aus dem Panel herausgestanzt. Gemäß dieser Ausführungsform bleibt rund um die Schaltkreis-Einheiten noch ein Bereich des Panels mit einer geringen Stärke stehen. Dieser stehen gebliebene Bereich kann dann in einem nachfolgenden Stanzvorgang problemlos durchtrennt werden. Während dieses nachfolgenden Stanzvorgangs kommt es entlang des Außenkanten der herausgestanzten Schaltkreis-Einheit nicht zu einem Abtrennen der Isolationsschicht von der Trägerschicht. Außerdem führt der nachfolgende Stanzvorgang nicht zu einer Abrundung der Außenkanten der herausgestanzten Schaltkreis-Einheiten. Das hat seine Ursache insbesondere darin, dass die Stärke des herauszustanzenden Bereichs relativ gering ist. Dadurch ist die Gegenkraft, die der herauszustanzende Bereich des Panels einem Stanzwerkzeug entgegensetzt, relativ gering.According to a preferred embodiment of the present Invention, the contours of the circuit Units milled out of the panel and then the contoured circuit units from the panel stamped out. According to this embodiment, remains all around the circuit units still have an area of the panel of a low strength. This stopped area can then easily in a subsequent punching process be severed. During this subsequent punching process it comes along the outside edges of the punched out Circuit unit does not cause disconnection Insulation layer from the carrier layer. In addition, the subsequent punching process does not round off the Outer edges of the die-cut circuit units. The The main reason for this is that the strength of the area to be punched out is relatively small. This is the counterforce that is the area of the panel to be punched out opposed to a punch, relatively small.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der vorliegenden Erfindung wird vorgeschlagen, dass der Stanzvorgang von der Seite der Trägerschicht her durchgeführt wird. Vorteilhafterweise wird ein Stanzwerkzeug durch die Konturen der Schaltkreis-Einheiten auf dem Panel positioniert. Durch das Herausfräsen der Konturen auf dem Panel wird somit zum einen die Materialstärke des Panels verringert, so dass der stehen gebliebene Bereich in einem anschließenden Stanzvorgang problemlos durchtrennt werden kann, und zum anderen eine genaue Positionierung des Stanzwerkzeugs für den Stanzvorgang ermöglicht.According to an advantageous development of the present Invention it is proposed that the punching process by the Side of the carrier layer is carried out. Advantageously, a stamping tool through the contours of the circuit units positioned on the panel. By milling out the contours on the panel thus becomes one reduces the material thickness of the panel, so that the stopped area in a subsequent punching process can be easily cut, and the other one precise positioning of the punching tool for the punching process allows.
Ebenso wird gemäß noch einer anderen vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung vorgeschlagen, dass die einzelnen Schaltkreis-Einheiten durch dasselbe Stanzwerkzeug nacheinander aus dem Panel herausgestanzt werden. Das Panel wird vorteilhafterweise unter dem stationär angeordneten Stanzwerkzeug verschoben und relativ zu dem Stanzwerkzeug positioniert.Likewise, according to yet another advantageous one Further development of the invention proposed that the individual Circuit units through the same stamping tool are punched out of the panel one after the other. The panel is advantageously arranged under the stationary Punch tool moved and relative to the punch tool positioned.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden zunächst die Konturen der Schaltkreis-Einheiten aus dem Panel herausgefräst und danach die konturierten Schaltkreis- Einheiten aus dem Panel herausgeschnitten.According to a preferred embodiment of the invention first the contours of the circuit units from the panel milled out and then the contoured circuit Units cut out of the panel.
Vorteilhafterweise werden die einzelnen Schaltkreis-Einheiten durch denselben Laserstrahl nacheinander aus dem Panel herausgeschnitten. Vorzugsweise wird das Panel unter einem stationär angeordneten Laser, der den Laserstrahl erzeugt, verschoben und relativ zu dem Laser positioniert.The individual circuit units are advantageously by the same laser beam one after the other from the panel cut out. The panel is preferably placed under a stationary laser that generates the laser beam, shifted and positioned relative to the laser.
Um den Fräsvorgang auch mit Fräswerkzeugen mit einer herkömmlichen Härte über einen längeren Zeitraum hinweg durchführen zu können, ohne dass das Fräswerkzeug abstumpft, schlägt die Erfindung vor, dass der Fräsvorgang von der Seite der Trägerschicht her durchgeführt wird. Vorteilhafterweise werden die Konturen der Schaltkreis-Einheiten mit einer Frästiefe aus dem Panel herausgefräst, die geringer ist als die Schichtdicke der Trägerschicht. Auf diese Weise wird die im Verhältnis zu der Isolationsschicht relativ weiche und gut fräsbare Trägerschicht durch den Fräsvorgang abgetragen. Die relativ harte und mit einem herkömmlichen Fräswerkzeug schlecht fräsbare Isolationsschicht bleibt stehen. Die Frästiefe beträgt vorzugsweise in etwa 90% der Schichtdicke der Trägerschicht. Der nach dem Fräsvorgang noch stehen gebliebene Bereich rund um die Schaltkreis-Einheit herum umfasst neben einem noch stehen gebliebenen Bereich der Trägerschicht mit einer geringen Restschichtstärke auch die gesamte Schichtdicke der relativ harten und durch Fräsen schlecht bearbeitbaren Isolationsschicht. Der noch stehen gebliebene Bereich der Trägerschicht und insbesondere die Isolationsschicht können dann in einem anschließenden Stanzvorgang auf vorteilhafte Weise schnell und einfach durchtrennt werden.To complete the milling process with milling tools with a conventional hardness over a longer period of time to be able to perform without the milling tool becoming dull, the invention proposes that the milling process from the side the carrier layer is carried out. advantageously, the contours of the circuit units with a Milled depth from the panel that is less than the layer thickness of the carrier layer. In this way the relatively soft and good in relation to the insulation layer millable carrier layer removed by the milling process. The relatively hard and with a conventional milling tool poorly milled insulation layer remains. The Milling depth is preferably about 90% of the layer thickness the backing layer. The still standing after the milling process remaining area around the circuit unit in addition to an area that has remained standing Backing layer with a low residual layer thickness also the total layer thickness of the relatively hard and by milling poorly workable insulation layer. The still standing remaining area of the carrier layer and in particular the Insulation layer can then in a subsequent Advantageously, punching is quick and easy be severed.
Gemäß einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird vorgeschlagen, dass im Rahmen des Fräsvorgangs eine Abstufung entlang der Ränder der Schaltkreis-Einheiten ausgebildet wird, wobei die Tiefe der Abstufung geringer ist als die Frästiefe, mit der die Konturen der Schaltkreis-Einheiten aus dem Panel herausgefräst werden. Diese Abstufung dient als sog. Moldstop, durch den verhindert werden soll, dass beim Ummanteln (dem sog. Molding) der Schaltkreis-Einheit mit einem Kunststoff oder Harz dieses über den Rand der Schaltkreis-Einheit auf die wärmeableitende Fläche gelangt.According to an advantageous development of the invention suggested that as part of the milling process a gradation is formed along the edges of the circuit units the depth of the gradation is less than the milling depth, with the contours of the circuit units from the panel be milled out. This gradation serves as a so-called mold stop, which is to prevent that when sheathing (the Molding) of the circuit unit with a plastic or resin this over the edge of the circuit unit onto the heat-dissipating surface.
Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird vorgeschlagen, dass der Fräsvorgang von unterhalb des Panels durchgeführt wird. Gemäß dieser Ausführungsform ist das Panel mit der Trägerschicht nach unten über dem Fräswerkzeug angeordnet. Die Frässpäne fallen aufgrund der Erdanziehungskraft von der Schaltkreis-Einheit weg nach unten. Dadurch wird verhindert, dass die Frässpäne zu einer Verschmutzung der Schaltkreis-Einheit, insbesondere der auf der Isolationsschicht aufgebrachten Schaltungsschicht, führen. Auf diese Weise kann auf eine aufwendige und zeitintensive Nachbearbeitung der einzelnen Schaltkreis- Einheiten zur Reinigung der Schaltungsschicht verzichtet werden.According to a preferred embodiment of the present Invention is proposed that the milling process of is carried out below the panel. According to this The embodiment is the panel with the support layer facing downwards arranged above the milling tool. The milling chips fall due to the gravitational pull of the circuit unit way down. This prevents the milling chips from becoming too contamination of the circuit unit, especially the circuit layer applied on the insulation layer, to lead. In this way it can be complex and time-consuming post-processing of the individual circuit Units for cleaning the circuit layer are dispensed with become.
Zum Schutz der Schaltkreis-Einheiten, insbesondere der auf der Isolationsschicht aufgebrachten Schaltungsschicht, vor Verschmutzung bzw. Verunreinigung, werden die beim Fräsen anfallenden Späne vorteilhafterweise während der Durchführung des Verfahrens abgesaugt. Ein noch zuverlässigerer Schutz lässt sich gemäß einer bevorzugten Ausführungsform dadurch erzielen, dass die Schaltungsschicht zumindest für die Durchführung des Verfahrens mittels einer Schutzschicht abgedeckt wird. Die Schaltungsschicht wird vorzugsweise mittels einer Schutzfolie abgedeckt. Es ist denkbar, dass die Schutzfolie auf der Schaltungsschicht bzw. auf der Isolationsschicht der Schaltkreis-Einheit haftet. Nach dem Heraustrennen der Schaltkreis-Einheiten aus dem Panel kann die Schutzfolie einfach entfernt werden und eine reine Schaltungsschicht bleibt zurück. Es ist aber auch denkbar, dass die Schutzfolie auf der Schaltungsschicht bzw. der Isolationsschicht belassen wird.To protect the circuit units, especially those on the Insulation layer applied circuit layer, before Contamination or soiling will be the result of milling resulting chips advantageously during the implementation sucked off the process. Even more reliable protection according to a preferred embodiment achieve that the circuit layer at least for the Carrying out the method using a protective layer is covered. The circuit layer is preferred covered with a protective film. It is conceivable that the Protective film on the circuit layer or on the Insulation layer of the circuit unit adheres. After this The circuit units can be removed from the panel Protective film can be easily removed and a pure one Circuit layer remains. But it is also conceivable that the protective film on the circuit layer or the Insulation layer is left.
Gemäß einer anderen vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung wird vorgeschlagen, dass die Konturen der einzelnen Schaltkreis-Einheiten durch dasselbe Fräswerkzeug nacheinander aus dem Panel herausgefräst werden. Da die Trägerschicht des Panels üblicherweise aus einem nicht magnetischen Material besteht, wird das Panel auf einer Verfahrvorrichtung vorzugsweise mittels eines Vakuums befestigt. Vorteilhafterweise wird das Panel unter dem stationär angeordneten Fräswerkzeug verschoben und relativ zu dem Fräswerkzeug positioniert. Alternativ kann das Panel aber auch stationär unterhalb des Fräswerkzeugs angeordnet und das Fräswerkzeug verschoben und relativ zu dem Panel positioniert werden.According to another advantageous development of the invention it is suggested that the contours of each Circuit units by the same milling tool one after the other be milled out of the panel. Since the carrier layer of the Panels are usually made of a non-magnetic material there is, the panel on a traversing device preferably attached by means of a vacuum. Advantageously, the panel under the stationary arranged milling tool shifted and relative to that Milling tool positioned. Alternatively, the panel can also arranged stationary below the milling tool and that Milling tool moved and positioned relative to the panel become.
Ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird im Folgenden anhand der Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:A preferred embodiment of the present invention is explained in more detail below with reference to the drawings. It demonstrate:
Fig. 1 eine Ansicht eines Panel von unten im Ausschnitt, aus dem die Kontur von vier Schaltkreis-Einheiten herausgefräst ist; Figure 1 is a view of a panel from below in the detail, from which the contour of four circuit units is milled out.
Fig. 2 eine vergrößerte Ansicht einer Schaltkreis-Einheit aus Fig. 1 von unten, in einer Schnittansicht und in einer Ansicht von vorne; FIG. 2 shows an enlarged view of a circuit unit from FIG. 1 from below, in a sectional view and in a view from the front;
Fig. 3 eine perspektivische Ansicht der Schaltkreis-Einheit aus Fig. 2; Fig. 3 is a perspective view of the circuit unit of Fig. 2;
Fig. 4 eine Ansicht einer Schaltkreis-Einheit von unten, die aus dem Panel herausgetrennt ist; Fig. 4 is a bottom view of a circuit unit separated from the panel;
Fig. 5 eine Ansicht der Schaltkreis-Einheit aus Fig. 4 von oben; und Fig. 5 is a top view of the circuit unit of Fig. 4; and
Fig. 6 eine Schnittansicht des Panel aus Fig. 1 nach dem Fräsvorgang und der vor dem Stanzvorgang. Fig. 6 is a sectional view of the panel of Fig. 1 after the milling process and before the punching process.
In den Fig. 1 bis Fig. 4 ist ein Panel mit dem Bezugszeichen 1 gekennzeichnet. Das Panel 1 weist eine Trägerschicht 2 aus einem wärmeleitenden Trägermaterial, in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel aus Kupfer, auf. Auf die Trägerschicht 2 ist von oben eine Isolationsschicht 3 aus einem dielektrischen Material, in dem vorliegenden Beispiel aus einem Polymer- Keramik-Gemisch, aufgebracht. Auf der Isolationsschicht 3 ist eine Schaltungsschicht 5, 6, 7 aus einem elektrisch leitfähigen Material, in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel aus Kupfer, aufgebracht. Auf dem Panel 1 sind mehrere Schaltkreis-Einheiten 4 nebeneinander ausgebildet, von denen in Fig. 1 nur vier dargestellt sind. Für eine Weiterverarbeitung müssen die einzelnen Schaltkreis-Einheiten 4 aus dem Panel 1 herausgetrennt werden.In Figs. 1 to FIG. 4, a panel is indicated with the reference numeral 1. The panel 1 has a carrier layer 2 made of a heat-conducting carrier material, in the present exemplary embodiment made of copper. An insulating layer 3 made of a dielectric material, in the present example made of a polymer-ceramic mixture, is applied to the carrier layer 2 from above. A circuit layer 5 , 6 , 7 made of an electrically conductive material, in the present exemplary embodiment made of copper, is applied to the insulation layer 3 . A plurality of circuit units 4 are formed side by side on the panel 1 , of which only four are shown in FIG. 1. The individual circuit units 4 must be separated from the panel 1 for further processing.
Die Schaltkreis-Einheiten 4 sind in dem vorliegenden Ausführungsbeispiel als Heatsinks ausgebildet. Auf einem Heatsink werden ein oder mehrere Halbleiterelemente (ICs; Integrated Circuits; nicht dargestellt) befestigt. Auf dem Heatsink sind Anschlusskontakte 5 ausgebildet, die mittels einer Lötverbindung an Anschlusskontakte der Halbleiterelemente elektrisch leitend angeschlossen werden. The circuit units 4 are designed as heat sinks in the present exemplary embodiment. One or more semiconductor elements (ICs; integrated circuits; not shown) are attached to a heatsink. Connection contacts 5 are formed on the heatsink and are connected in an electrically conductive manner to connection contacts of the semiconductor elements by means of a solder connection.
Auf den Heatsinks sind außerdem Leiterbahnen 7 ausgebildet, durch die die Anschlusskontakte 5 für die Halbleiterelemente mit Anschlusskontaktflächen 6 (sog. die pads) elektrisch leitend verbunden sind. Die Anschlusskontaktflächen 6 sind entlang des Rands der Heatsinks angeordnet. Die Heatsinks werden auf einem Leadframe (nicht dargestellt) befestigt, wobei die Anschlusskontaktflächen 6 des Heatsinks mit Anschlussarmen des Leadframes durch Lötverbindungen elektrisch leitend verbunden werden. Auf diese Weise können die Anschlusskontakte der Halbleiterelemente schnell, einfach und kostengünstig über die Schaltkreis-Einheiten 4 (die Heatsinks) mit den Anschlussarmen der Leadframes verbunden werden. Diese Anschlusstechnik wird auch als Flip-Chip-Technik bezeichnet.Conductor tracks 7 are also formed on the heatsinks, through which the connection contacts 5 for the semiconductor elements are connected in an electrically conductive manner to connection contact surfaces 6 (so-called the pads). The connection contact surfaces 6 are arranged along the edge of the heat sink. The heatsinks are attached to a leadframe (not shown), the connection contact surfaces 6 of the heatsink being connected in an electrically conductive manner to connection arms of the leadframe by means of solder connections. In this way, the connection contacts of the semiconductor elements can be connected to the connection arms of the leadframes quickly, easily and inexpensively via the circuit units 4 (the heatsinks). This connection technology is also known as flip-chip technology.
Die fertige Halbleitereinheit, bestehend aus der Schaltkreis- Einheit 4 (dem Heatsink), dem Halbleiterelement (dem IC) und dem Leadframe, wird dann mit einem Epoxydharz ummantelt. Aus der Ummantelung ragen seitlich Anschlusskontakte des Leadframes und an der Unterseite eine wärmeableitende Fläche 12 des Heatsinks hervor. Die Ummantelung stellt einen Schutz der Halbleitereinheit gegen mechanische und chemische Einwirkungen dar. Mit den Anschlusskontakten des Leadframes kann die Halbleitereinheit dann in einen übergeordneten Schaltkreis integriert werden. Die wärmeableitende Fläche 12 wird auf einem Kühlkörper angeordnet, um die während des Betriebs des Halbleiterelements erzeugte Wärme ableiten zu können. The finished semiconductor unit, consisting of the circuit unit 4 (the heatsink), the semiconductor element (the IC) and the leadframe, is then coated with an epoxy resin. Connection contacts of the leadframe protrude laterally from the casing and a heat-dissipating surface 12 of the heat sink protrudes on the underside. The casing represents protection of the semiconductor unit against mechanical and chemical effects. With the connection contacts of the leadframe, the semiconductor unit can then be integrated into a higher-level circuit. The heat-dissipating surface 12 is arranged on a heat sink in order to be able to dissipate the heat generated during the operation of the semiconductor element.
Die Schaltungsschicht 5, 6, 7 der Schaltkreis-Einheit 4 ist in Fig. 5 verdeutlicht. Sie weist die in einem Viereck gruppierten Anschlusskontakte 5 zum Anschluss des Halbleiterelements auf. Entlang des Rands der Schaltkreis- Einheit 4 sind die Anschlusskontaktflächen 6 zum Anschluss an die Anschlussarme des Leadframes angeordnet. Zwischen den Anschlusskontakten 5 und den Anschlusskontaktflächen 6 verlaufen die Leiterbahnen 7. Die Schaltungsschicht 5, 6, 7 ist durch eine Schutzschicht 8 bedeckt (vgl. Fig. 6). Nach dem Heraustrennen der Schaltkreis-Einheit 4 aus dem Panel 1 kann die Schutzschicht 8 auf einfache Weise von der Oberseite der Schaltkreis-Einheit 4 entfernt werden. Alternativ kann die Schutzschicht 8 aber auch auf der Schaltungsschicht 5, 6, 7 verbleiben.The circuit layer 5 , 6 , 7 of the circuit unit 4 is illustrated in FIG. 5. It has the connection contacts 5 grouped in a square for connecting the semiconductor element. The connection contact surfaces 6 for connection to the connection arms of the lead frame are arranged along the edge of the circuit unit 4 . The conductor tracks 7 run between the connection contacts 5 and the connection contact surfaces 6 . The circuit layer 5 , 6 , 7 is covered by a protective layer 8 (cf. FIG. 6). After the circuit unit 4 has been removed from the panel 1 , the protective layer 8 can be removed from the top of the circuit unit 4 in a simple manner. Alternatively, the protective layer 8 can also remain on the circuit layer 5 , 6 , 7 .
Die einzelnen Schaltkreis-Einheiten 4 werden durch die Kombination eines Fräsvorgangs und eines Stanzvorgangs aus dem Panel 1 herausgetrennt. Zunächst werden die Konturen der Schaltkreis-Einheiten 4 aus dem Panel 1 herausgefräst, und danach werden die konturierten Schaltkreis-Einheiten 4 aus dem Panel 1 herausgestanzt.The individual circuit units 4 are separated from the panel 1 by the combination of a milling process and a punching process. First, the contours of the circuit units 4 are milled out of the panel 1 , and then the contoured circuit units 4 are punched out of the panel 1 .
Das Panel 1 wird derart ausgerichtet, dass die Trägerschicht 2 nach unten gerichtet ist. Dann wird mit einem Fräswerkzeug (nicht dargestellt) von unten die Kontur der Schaltkreis- Einheiten 4 aus dem Panel 1 herausgefräst. Die aus dem Panel 1 herausgefrästen Bereiche sind in Fig. 1 schraffiert dargestellt und mit dem Bezugszeichen 13 gekennzeichnet. Die Frästiefe wird dabei so gewählt, dass nicht die gesamte Stärke der Trägerschicht 2 abgetragen wird (vgl. Fig. 2, Schnitt A-A; Fig. 6). Bei dem vorliegenden Ausführungsbeispiel weist die Trägerschicht 2 eine Stärke von etwa 0,9 mm und die Isolationsschicht 3 eine Stärke von 0,1 mm auf. Die Frästiefe beträgt etwa 0,8 mm, so dass nach dem Fräsvorgang noch ein Bereich 14 der Trägerschicht 2 mit einer Stärke von 0,1 mm und die Isolationsschicht 3 mit einer Stärke von 0,1 mm stehen bleiben.The panel 1 is aligned in such a way that the carrier layer 2 is directed downward. Then the contour of the circuit units 4 is milled out of the panel 1 from below with a milling tool (not shown). The areas milled out of the panel 1 are shown hatched in FIG. 1 and identified by the reference symbol 13 . The milling depth is chosen so that the entire thickness of the carrier layer 2 is not removed (cf. FIG. 2, section AA; FIG. 6). In the present exemplary embodiment, the carrier layer 2 has a thickness of approximately 0.9 mm and the insulation layer 3 has a thickness of 0.1 mm. The milling depth is about 0.8 mm, so that after the milling process an area 14 of the carrier layer 2 with a thickness of 0.1 mm and the insulation layer 3 with a thickness of 0.1 mm remain.
Im Anschluss an den Fräsvorgang erfolgt der Stanzvorgang. Dabei wird von der Trägerschicht 2 aus ein Stanzwerkzeug 9 auf den noch stehen gebliebenen Bereich 14 der Trägerschicht 2 gesetzt. Das Stanzwerkzeug 9 ist als ein Stempel ausgebildet. Das Stanzwerkzeug 9 wird von der herausgefrästen Kontur der Schaltkreis-Einheit 4 positioniert. Von der Isolationsschicht 3 aus liegt eine Schneidplatte 10 auf dem Panel 1. Indem nun das Stanzwerkzeug 9 in Richtung der Schneidplatte 10 verfahren wird, werden der stehen gebliebene Bereich 14 der Trägerschicht 2 und die Isolationsschicht 3 durchtrennt und die Schaltkreis-Einheit 4 aus dem Panel 1 herausgestanzt.The punching process follows after the milling process. In this case, a punch 9 is placed from the carrier layer 2 onto the region 14 of the carrier layer 2 that has remained. The punch 9 is designed as a stamp. The punch 9 is positioned from the milled contour of the circuit unit 4 . A cutting plate 10 lies on the panel 1 from the insulation layer 3 . By moving the stamping tool 9 in the direction of the cutting plate 10 , the remaining area 14 of the carrier layer 2 and the insulation layer 3 are severed and the circuit unit 4 is punched out of the panel 1 .
Im Rahmen des Fräsvorgangs wird eine Abstufung 11 entlang des Randes der Schaltkreis-Einheit 4 ausgebildet. Die Tiefe der Abstufung 11 ist geringer als die Frästiefe, mit der die Konturen der Schaltkreis-Einheit 4 aus dem Panel 1 herausgefräst werden (vgl. Fig. 6). In dem vorliegenden Ausführungsbeispiel beträgt die Tiefe der Abstufungen 11 in etwa 0,2 mm. Die Abstufungen 11 dienen als Moldstop, um zu verhindern, dass beim Ummanteln der fertigen Halbleitereinheit das Epoxydharz über die wärmeableitende Fläche 12 der Schaltkreis-Einheit 4 fließt.As part of the milling process, a gradation 11 is formed along the edge of the circuit unit 4 . The depth of the gradation 11 is less than the milling depth with which the contours of the circuit unit 4 are milled out of the panel 1 (cf. FIG. 6). In the present exemplary embodiment, the depth of the gradations 11 is approximately 0.2 mm. The gradations 11 serve as a mold stop in order to prevent the epoxy resin from flowing over the heat-dissipating surface 12 of the circuit unit 4 when the finished semiconductor unit is encased.
Die Konturen der einzelnen Schaltkreis-Einheiten 4 werden durch dasselbe Fräswerkzeug nacheinander aus dem Panel 1 herausgefräst. Das Panel 1 wird unter dem stationär angeordneten Fräswerkzeug verschoben und relativ zu dem Fräswerkzeug positioniert. Ebenso werden die einzelnen Schaltkreis-Einheiten 4 durch dasselbe Stanzwerkzeug 9 nacheinander aus dem Panel 1 herausgestanzt. Dazu wird das Panel 1 unter dem stationär angeordneten Stanzwerkzeug 9 verschoben und relativ zu dem Stanzwerkzeug 9 positioniert. Alternativ kann das Panel 1 aber auch stationär unterhalb des Fräswerkzeugs bzw. des Stanzwerkzeugs angeordnet und das Fräswerkzeug bzw. das Stanzwerkzeug verschoben und relativ zu dem Panel 1 positioniert werden.The contours of the individual circuit units 4 are successively milled out of the panel 1 using the same milling tool. The panel 1 is shifted under the stationary milling tool and positioned relative to the milling tool. Likewise, the individual circuit units 4 are successively punched out of the panel 1 by the same punching tool 9 . For this purpose, the panel 1 is moved under the stationary punch 9 and positioned relative to the punch 9 . Alternatively, the panel 1 can also be arranged stationary below the milling tool or the punching tool and the milling tool or the punching tool can be moved and positioned relative to the panel 1 .
Anstatt die nach dem Fräsvorgang stehen gebliebenen Bereiche 14 wie oben beschrieben durch einen Stanzvorgang zu durchtrennen, können diese auch mittels eines Laserschneidevorgangs durchtrennt werden.Instead of cutting through the areas 14 that have remained after the milling process by a punching process, as described above, these can also be cut by means of a laser cutting process.
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