DE19901291C2 - Vorrichtung zur Ätzbehandlung eines scheibenförmigen Gegenstandes - Google Patents
Vorrichtung zur Ätzbehandlung eines scheibenförmigen GegenstandesInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zur Ätzbehandlung
eines scheibenförmigen Gegenstandes, insbesondere eines
Wafers, mit einem Träger einer Einrichtung zur berührungs
losen Aufnahme des scheibenförmigen Gegenstandes und
mindestens zwei, senkrecht zum Träger angeordneten
Führungselementen, die in der Betriebsposition der
Vorrichtung eine Kante des scheibenförmigen Gegenstandes
berühren, also die Position des scheibenförmigen
Gegenstandes umfangsseitig begrenzen.
Eine solche Vorrichtung ist beispielsweise aus der EP 0 611 274 A1
bekannt.
Dabei wird der Wafer berührungslos (auf einem Luftpolster)
auf einem zugehörigen Träger der Einrichtung positioniert
und während der Behandlung gedreht. Solche, nach dem
Bernoulli-Prinzip arbeitenden Vorrichtungen zur Wafer
behandlung haben sich grundsätzlich bewährt. Die
berührungslose "Auflage" des Wafers auf der Einrichtung
verhindert, daß die dem Träger der Einrichtung zugewandte Unterseite
bei der Behandlung beschädigt wird.
Der Wafer hat allenfalls Kontakt zu seitlichen Führungs
elementen (oft auch pins genannt), die gemäß der EP 0 611 274 A1
exzentrisch gelagert sind.
Insbesondere bei der Ätzbehandlung hat sich herausge
stellt, daß die Ätzflüssigkeit im Kantenbereich des
Wafers auf die Unterseite laufen kann, und zwar insbe
sondere im Bereich dieser pins. Die Folge ist, daß auch
die Unterseite des Wafers im Pinbereich geätzte
Abschnitte aufweist, sogenannte pinmarks.
Dieses Problem wird in der JP 9-107023 A angesprochen und
dahingehend gelöst, daß einzelne pins während der Wafer
behandlung nach und nach von der Waferkante temporär
gelöst (weggeführt) werden. Eine solche Einrichtung er
fordert jedoch einerseits einen erheblichen apparativen
und steuerungstechnischen Aufbau und weist darüber hinaus
den Nachteil auf, daß mehr pins vorgesehen werden müssen
als eigentlich zur seitlichen Führung des Wafers benötigt
werden, damit auch bei einem oder zwei weggeführten pins
der Wafer nach wie vor exakt positioniert bleibt.
JP 2-277227 A ist eine Vorrichtung zu entnehmen, bei der
ein Wafer auf einem Träger durch Unterdruck gehalten wird
(aufliegt). Eine Gasleitung mündet in die Trägerober
fläche. Austretendes Gas strömt senkrecht gegen die
Unterseite des Wafers und verteilt sich diffus weiter,
wobei auch umfangsseitig um den Wafer angeordnete
Justiermittel für den Wafer angeströmt werden können.
Die WO 97-16847 A1 offenbart einen Träger, auf dem ein
Wafer nach dem Bernoulli-Prinzip geführt wird, jedoch
rotierend gegenüber dem stationären Träger. Führungs
elemente für den Wafer erfüllen nur den Zweck, den Wafer
zu oder weg zu führen. In der Betriebsposition der Vor
richtung sind die Führungselemente im Träger versenkt. Im Randbereich des Trägers sind gegen die Unterseite des Wafers gerichtete Düsen vorgesehen, um
Wassertropfen zu entfernen, die vom vorherigen Kontakt der
Führungselemente mit dem Wafer stammen.
Insoweit liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, das in
der JP 9-107023 A angesprochene und vorstehend genannte
Problem auf alternativem Wege zu lösen. Insbesondere geht
es darum, die im Bereich der seitlichen Führungselemente
unterseitig beobachteten Ätzflächen zu vermeiden.
Dabei geht die Erfindung von der Überlegung aus, durch
eine gezielte (zusätzliche) Gasanströmung zu verhindern,
daß eine Ätzflüssigkeit oder ein sonstiges Behandlungs
medium über die Waferkante auf die Unterseite des Wafers
gelangt, und zwar gezielt im Bereich der Führungselemente
für den Wafer.
Danach schlägt die Erfindung in ihrer allgemeinsten Aus
führungsform eine Vorrichtung mit den Merkmalen des
Hauptanspruches vor.
Mit anderen Worten: jedem Führungselement wird eine
eigene Düse zugeordnet, über die ein Gas unter Druck
gezielt von unten in den Bereich des zugehörigen
Führungselementes gedüst wird. Auf diese Weise wird die
Behandlungsflüssigkeit weggeblasen, bevor sie auf die
nicht zu ätzenden Bereiche der Wafer-Unterseite gelangen
kann und eine unerwünschte Behandlung der Wafer-
Unterseite verhindert.
Die Effektivität der Bedüsungseinrichtung kann gesteigert
werden, wenn sie so ausgerichtet ist, daß das zugehörige
gasförmige Behandlungsmedium das zugehörige Führungsele
ment zumindest innenseitig umspült. Bei dieser Ausfüh
rungsform verläuft das Austrittsende der Bedüsungsein
richtung also unterhalb des Wafers und vorzugsweise in
einem Winkel < 1 und < 90° zur Ebene des Wafers. Dabei
haben sich Winkel zwischen 10 und 60° als günstig heraus
gestellt.
Die schräge Luftandüsung stellt sicher, daß etwaige
Flüssigkeit radial nach außen weggeblasen wird, bevor sie
in diesem Bereich um die Waferkante auf die Unterseite
des Wafers gelangen kann.
Eine Ausführungsform sieht vor, daß die Bedüsungsein
richtungen jeweils mindestens einen Gaszufuhrkanal auf
weisen, der innerhalb eines durch die Führungselemente
eingeschlossenen gedachten Flächenabschnitts angeordnet
ist.
Dabei wird als Träger bei einer nach dem Bernoulli-
Prinzip arbeitenden Vorrichtung die Fläche definiert,
die innerhalb der Bedüsungseinrichtung verläuft, die der
berührungsfreien Führung des Wafers dient.
Die Form der Bedüsungseinrichtung, insbesondere die Quer
schnittsform eines zugehörigen Gaszuführkanals, richtet
sich insbesondere nach der konstruktiven Gestaltung der
Führungselemente (pins). Bei zylindrischen pins wird der
Gaszuführkanal einen Kreisquerschnitt aufweisen oder
schlitzförmig sein und die Querschnittsfläche so
bemessen, daß zumindest der Bereich der Waferunterseite
benachbart zum Führungselement zusätzlich und flächig
bedüst werden kann. Die Teilung des Gasführkanals in
einzelne Teilkanäle ist ebenfalls möglich.
Dabei kann jede Bedüsungseinrichtung außerhalb und mit
Abstand zu einem Bereich angeordnet sein, über den ein
Gaspolster nach dem Bernoulli-Prinzip zwischen dem Träger
und dem scheibenförmigen Gegenstand aufgebaut wird.
In Vorversuchen wurde festgestellt, daß die über die
Bedüsungseinrichtung zugeführte Menge an gasförmigem
Behandlungsmedium mindestens 10% der Gesamtmenge an
gasförmigem Behandlungsmedium betragen sollte, die gegen
die Unterseite des scheibenförmigen Gegenstandes strömt.
Die Gesamtmenge schließt demnach auch die Gasmenge ein,
die notwendig ist, um den Wafer kontaktfrei im Abstand
auf der Einrichtung zu führen.
Hinsichtlich der Geometrie und Anzahl der Führungsele
mente unterliegt die erfindungsgemäße Vorrichtung keinen
Beschränkungen. Prinzipiell genügt es demnach, zwei Füh
rungselemente vorzusehen, die dann beispielsweise jeweils
eine Kreisabschnittform aufweisen. Hierbei entsteht
zwangsläufig ein gewisser Linien- oder Flächenkontakt zur
Kante des Wafers, der verringert werden kann, wenn bei
spielsweise zylindrische Führungselemente (Stifte) ver
wendet werden, von denen dann mindestens drei vorzusehen
sind.
In jedem Fall können die Führungselemente - wie aus der
EP 0 611 274 A1 bekannt - wiederum in mindestens zwei
unterschiedlichen Positionen, relativ zum scheibenförmi
gen Gegenstand, positioniert werden.
Mit der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird jede "Unter
ätzung" im Bereich der Führungselemente durch die
genannten Bedüsungseinrichtungen verhindert. Ein
zusätzlicher steuerungstechnischer Aufwand entsteht
dadurch nicht, da das gleiche Behandlungsmedium auch zur
Einstellung des Bernoulli-Effektes (zur Führung des
Wafers) verwendet werden kann.
Die erfindungsgemäße Lehre ist so aufgebaut, daß auch
bekannte Vorrichtungen beispielsweise gemäß der EP 0 611 274 A1
erfindungsgemäß nachgerüstet werden können. Hierzu
ist es lediglich notwendig, im Bereich der pins (Füh
rungselemente) zusätzliche Bohrungen vorzusehen, über die
das Gas unter Druck gegen die pins und die benachbarte
Wafer-Unterseite gedüst wird. Dieser Druck kann höher
sein als der Gasdruck zur berührungslosen Führung des
Wafers.
Die Erfindung wird nachstehend anhand eines Ausführungs
beispieles und der Figur näher beschrieben, wobei die Figur - in schematisier
ter Darstellung - einen Teilschnitt durch eine erfin
dungsgemäße Vorrichtung zeigt.
Zu erkennen ist dabei ein Träger 10 als Bestandteil einer
Einrichtung 12 mit einer ringförmigen Düse 14, über die
ein Gas in Pfeilrichtung P gedüst wird. Auf diese Weise
wird sichergestellt, daß ein auf dem Träger 10 (der Ein
richtung 12) angeordneter scheibenförmiger Gegenstand
(Wafer 16) sicher im Abstand zur Trägeroberfläche 10o
geführt wird, wobei die eigentliche "Führung" über seit
liche Führungsmittel (pins 18) erfolgt, die senkrecht aus
der Einrichtung 12 vorstehen. Die pins 18 sind
exzentrisch geführt und berühren in der Betriebsposition
die zugehörige Kante des Wafers 16 entsprechend punkt-
oder linienförmig.
Benachbart zur Düse 14 ist in der Einrichtung 12 ein Gas
zuführungskanal 20 angeordnet, der unter einem Winkel α
von etwa 45° zur Trägeroberfläche 10o verläuft und so
ausgerichtet ist, daß ein über den Kanal 20 zugeführtes
Gas gegen einen zugehörigen pin 18 beziehungsweise dessen
benachbarten Abschnitt der Unterseite 16u des Wafers 16
gedüst wird. Mit anderen Worten: die Mittenlängsachse des
Kanals 20 und des pins 18 liegen in einer Ebene. Auf
diese Weise wird zuverlässig verhindert, daß etwaige Ätz
flüssigkeit auf den Flächenabschnitt 16u des Wafers 16
gelangt und dort unerwünschte Ätzungen (sogenannte
pinmarks) erfolgen.
Im dargestellten Ausführungsbeispiel beträgt die Gas
menge, die durch den Kanal 20 strömt, ca. 2 Volumen-Ein
heiten je Minute, während die Gasmenge, die durch die
Düse 14 strömt, ca. 8 Volumen-Einheiten je Minute umfaßt.
Claims (8)
1. Vorrichtung zur Ätzbehandlung eines scheibenförmigen
Gegenstandes (16), insbesondere eines Wafers, mit
einem Träger (10) zur berührungslosen Aufnahme des
scheibenförmigen Gegenstandes (16) und mindestens
zwei, senkrecht zum Träger (10) angeordneten
Führungselementen (18), die in der Betriebsposition
eine Kante des scheibenförmigen Gegenstandes (16)
berühren, wobei jedem Führungselement (18) mindestens
eine Bedüsungseinrichtung (20) zugeordnet ist, über
die ein gasförmiges Behandlungsmedium unmittelbar
benachbart zum jeweiligen Führungselement (18) gegen
die Unterseite (16u) des scheibenförmigen Gegenstandes
(16) leitbar ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der jede Bedüsungs
einrichtung (20) einen innerhalb eines durch die
Führungselemente (18) eingeschlossenen gedachten
Flächenabschnitts verlaufenden Gaszuführkanal umfaßt.
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der jede Bedüsungs
einrichtung (20) unter einem Winkel < 1 und < 90° zur
Ebene des scheibenförmigen Gegenstandes (16) ausge
richtet ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3, bei der jede Bedüsungs
einrichtung (20) unter einem Winkel < 10 und < 60° zur
Ebene des scheibenförmigen Gegenstandes (16)
ausgerichtet ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der jede Bedüsungs
einrichtung (20) außerhalb und mit Abstand zu einem
Bereich angeordnet ist, über dem ein Gaspolster nach
dem Bernoulli-Prinzip zwischen dem Träger (10) und dem
scheibenförmigen Gegenstand (16) aufgebaut wird.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der jede Bedüsungs
einrichtung (20) so ausgerichtet ist, daß das zuge
hörige gasförmige Behandlungsmedium das zugehörige
Führungselement (18) zumindest innenseitig umspült.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der die über die
Bedüsungseinrichtungen (20) zugeführte Menge an gas
förmigem Behandlungsmedium mindestens 10% der Gesamt
menge am gasförmigen Behandlungsmedium beträgt, die
gegen die Unterseite des scheibenförmigen Gegenstandes
(16) strömt.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1, bei der jedes Führungs
element (18) in mindestens zwei unterschiedlichen
Positionen, relativ zum scheibenförmigen Gegenstand
(16), positionierbar ist.
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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EP99125780A EP1020894B1 (de) | 1999-01-15 | 1999-12-23 | Vorrichtung zur Ätzbehandlung eines scheibenförmigen Gegenstandes |
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19901291A DE19901291C2 (de) | 1999-01-15 | 1999-01-15 | Vorrichtung zur Ätzbehandlung eines scheibenförmigen Gegenstandes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19901291A1 DE19901291A1 (de) | 2000-08-31 |
DE19901291C2 true DE19901291C2 (de) | 2002-04-18 |
Family
ID=7894308
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19901291A Expired - Fee Related DE19901291C2 (de) | 1999-01-15 | 1999-01-15 | Vorrichtung zur Ätzbehandlung eines scheibenförmigen Gegenstandes |
DE59914843T Expired - Lifetime DE59914843D1 (de) | 1999-01-15 | 1999-12-23 | Vorrichtung zur Ätzbehandlung eines scheibenförmigen Gegenstandes |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE59914843T Expired - Lifetime DE59914843D1 (de) | 1999-01-15 | 1999-12-23 | Vorrichtung zur Ätzbehandlung eines scheibenförmigen Gegenstandes |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6328846B1 (de) |
EP (1) | EP1020894B1 (de) |
JP (1) | JP3547678B2 (de) |
KR (1) | KR100336145B1 (de) |
AT (1) | ATE405944T1 (de) |
DE (2) | DE19901291C2 (de) |
TW (1) | TW454226B (de) |
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- 1999-01-15 DE DE19901291A patent/DE19901291C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-23 DE DE59914843T patent/DE59914843D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-23 EP EP99125780A patent/EP1020894B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-23 AT AT99125780T patent/ATE405944T1/de active
-
2000
- 2000-01-10 TW TW089100268A patent/TW454226B/zh not_active IP Right Cessation
- 2000-01-14 KR KR1020000001622A patent/KR100336145B1/ko active IP Right Grant
- 2000-01-17 JP JP2000008343A patent/JP3547678B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2000-01-18 US US09/484,873 patent/US6328846B1/en not_active Expired - Lifetime
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---|---|
ATE405944T1 (de) | 2008-09-15 |
TW454226B (en) | 2001-09-11 |
JP2000208477A (ja) | 2000-07-28 |
JP3547678B2 (ja) | 2004-07-28 |
DE59914843D1 (de) | 2008-10-02 |
DE19901291A1 (de) | 2000-08-31 |
EP1020894A2 (de) | 2000-07-19 |
KR100336145B1 (ko) | 2002-05-10 |
US6328846B1 (en) | 2001-12-11 |
EP1020894B1 (de) | 2008-08-20 |
EP1020894A3 (de) | 2004-10-27 |
KR20000053486A (ko) | 2000-08-25 |
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OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
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|
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8327 | Change in the person/name/address of the patent owner |
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|
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