DE19806017B4 - Halbleiter-Multichip-Modul - Google Patents
Halbleiter-Multichip-Modul Download PDFInfo
- Publication number
- DE19806017B4 DE19806017B4 DE19806017A DE19806017A DE19806017B4 DE 19806017 B4 DE19806017 B4 DE 19806017B4 DE 19806017 A DE19806017 A DE 19806017A DE 19806017 A DE19806017 A DE 19806017A DE 19806017 B4 DE19806017 B4 DE 19806017B4
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- chips
- substrate
- module according
- underside
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/32—Holders for supporting the complete device in operation, i.e. detachable fixtures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5387—Flexible insulating substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L24/24—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
Abstract
Halbleiter-Multichip-Modul,
das folgendes aufweist:
– eine Vielzahl Halbleiterchips (11);
– eine statische Platte (12) mit einer Vielzahl durchgehender Einführöffnungen (12a) zur Aufnahme jeweils eines der Vielzahl von Chips (11);
– eine Schirmkappe (13) zum Befestigen auf der Unterseite der statischen Platte (12), um ein Ausweichen der Chips (11) nach unten durch die Einführöffnungen (12a) zu verhindern;
eine über den Chips (11) ausgeformte externe Anschlußeinheit (14), um elektrische Signale der Chips (11) nach außen zu liefern;
– eine Vielzahl Spannfedern (15) des Klemmentyps zum Zusammenspannen der Schirmkappe (13) und der externen Anschlußeinheit (14), um eine Verschiebung der Chips (11) zu verhindern;
– in den Einführöffnungen (12a) jeweils gesonderte elastische Einrichtungen (50), die den jeweils zugeordneten Chip (11) elastisch abstützen; bei dem
– die externe Anschlußeinheit (14) folgendes aufweist:
– ein vielschichtiges Substrat (20); und
– eine Vielzahl auf der Unterseite des Substrats...
– eine Vielzahl Halbleiterchips (11);
– eine statische Platte (12) mit einer Vielzahl durchgehender Einführöffnungen (12a) zur Aufnahme jeweils eines der Vielzahl von Chips (11);
– eine Schirmkappe (13) zum Befestigen auf der Unterseite der statischen Platte (12), um ein Ausweichen der Chips (11) nach unten durch die Einführöffnungen (12a) zu verhindern;
eine über den Chips (11) ausgeformte externe Anschlußeinheit (14), um elektrische Signale der Chips (11) nach außen zu liefern;
– eine Vielzahl Spannfedern (15) des Klemmentyps zum Zusammenspannen der Schirmkappe (13) und der externen Anschlußeinheit (14), um eine Verschiebung der Chips (11) zu verhindern;
– in den Einführöffnungen (12a) jeweils gesonderte elastische Einrichtungen (50), die den jeweils zugeordneten Chip (11) elastisch abstützen; bei dem
– die externe Anschlußeinheit (14) folgendes aufweist:
– ein vielschichtiges Substrat (20); und
– eine Vielzahl auf der Unterseite des Substrats...
Description
- Die Erfindung betrifft einen Halbleiter-Multichip-Modul gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruches 1. Ein solcher Halbleiter-Multichip-Modul ist aus der
EP 0 473 260 A1 bekannt. - Die
US 5,250,843 A beschreibt ein allgemeines instandsetzbares Multichip-Modul, bei dem ein Vergußmaterial, Metalldrähte, eine Isolierschicht und dgl. auf einem Halbleiterchip unter Anwendung von Verfahren wie Ätzen und Ultraviolettfixieren ausgeformt werden. Das heißt, daß die defekten Chips mittels eines chemischen oder physikalischen Verfahrens entfernt und durch einwandfreie Chips ersetzt werden, um dadurch das Multichip-Modul zu vervollständigen. Das auf diese Weise aufgebaute herkömmliche Multichip-Modul wird nunmehr beschrieben. -
1 zeigt eine Querschnittansicht eines instandsetzbaren Multichip-Moduls gemäß dem Stand der Technik, das folgendes enthält: ein Halbleitersubstrat1 ; einen auf dem Substrat1 aufgebrachten Kleber2 ; eine Vielzahl Halbleiterchips3 , die auf dem Kleber2 in bestimmten Abständen zueinander angebracht sind; ein Vergußmittel4 , das so strukturiert ist, daß es eine Vielzahl Kontaktierungsflecke (nicht dargestellt), die auf jedem der Chips3 durch dieses hindurch ausgeformt sind, freilegt; Metalldrähte5 entlang der Oberfläche des strukturierten Vergußmittels4 zur elektrischen Verbindung; und eine Isolierschicht6 entlang der Metalldrähte5 zur elektrischen Isolierung. Bezugszeichen7 kennzeichnet hierin einen strukturierten Leiter. - Der Kleber
2 mit einer vorgegebenen Dicke wird auf dem Substrat1 ausgeformt. Die Vielzahl der Chips3 wird an jeweils vorgegebenen Stellen auf dem Kleber2 angebracht. Das Vergußmittel4 wird die Vielzahl der Chips3 umgebend vergossen. Das Vergußmittel4 wird partiell geätzt, um die Vielzahl der Chip-Kontaktflecke (nicht dargestellt) durch es hindurch freizulegen. Zum Ausformen der Metalldrähte5 entlang der Oberfläche des Vergußmittels4 wird ein Metallisierungsprozeß und zum Ausformen der Isolierschicht6 auf der Oberfläche des Vergußmittels4 wird ein Isolierprozeß ausgeführt. Der strukturierte Leiter7 wird entlang der Isolierschicht6 unter Anwendung eines Ätzverfahrens ausgebildet, um so das Herstellungsverfahren abzuschließen. - Das instandsetzbare Multichip-Modul wird jedoch mit einer Vielzahl komplizierter Schritte, wie einem Metallisierungsschritt, einem Isolierungsschritt, einem Ätzschritt und dgl. hergestellt, wodurch es schwierig wird, die Produktivität zu verbessern und eine Kostensenkung zu erzielen.
- Des Weiteren hat das Entfernen oder der Ersatz defekter Chips durch einwandfreie Chips komplizierte Schritte erforderlich gemacht, bei denen die nach dem Zusammenbau festgestellten defekten Chips durch ein chemisches oder physikalischen Verfahren, z.B. Metalldrahtentfernung mittels Lösungsmittel und selektives ultraviolettes Abtasten, entfernt werden sollten.
- Bei der eingangs genannten
EP 0 473 260 A1 sind die Chips mittels eines Klebstoffs oder eines Lots mit der Schirmkappe fest verbunden. Die anderen Seiten der Chips liegen unmittelbar an der externen Anschlusseinheit an. Die externe Anschlusseinheit wird durch eine durchgehende Platte gebildet, die in den den Chip gegenüberliegenden Bereichen Vorsprünge aufweist. Die Vorsprünge sind als Federelemente ausgebildet, wodurch die externe Anschlusseinheit elastisch an den Chips abgestützt ist. -
DE 195 30 264 A1 offenbart ein Halbleitermodul mit einer Vielzahl Halbleiterchips, die mit ihren Unterseiten auf einer Platte verlötet sind. Die Oberseiten der Chips werden durch Kon taktstempel kontaktiert. Bei einer Ausführungsform sind die Kontaktstempel mittels Federn mit Druck beaufschlagt, so dass sie sich an den Chips abstützen. -
US 5,751,062 A offenbart ein Multichip-Modul, bei dem die Halbleiterchips jeweils mit einer ersten wärmeleitenden Element ausgestattet sind. Jedes erste wärmeleitende Element weist Finger auf, die sich zwischen Finger eines gegenüberliegenden zweiten wärmeleitenden Element erstrecken. Einander zugeordnete erste und zweite wärmeleitende Elemente werden durch eine dazwischen angeordnete Feder von einander weg gedrängt, so daß Zwischenräume zwischen den Elementen und deren Fingern aufrecht gehalten werden. - Aufgabe der Erfindung ist es, ein Halbleiter-Multichip-Modul der eingangs genannten Art bereitzustellen, das einen einfachen Austausch defekter Chips ermöglicht und dabei eine sichere Kontaktgabe zu den Chips fördert.
- Der erfindungsgemäße Halbleiter-Multichip-Modul ist im Patentanspruch 1 gekennzeichnet. Bevorzugte Ausgestaltungen sind in den abhängigen Ansprüchen beschrieben.
- Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung und den beiliegenden Zeichnungen; es zeigen:
-
1 eine Querschnittansicht eines instandsetzbaren Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß dem Stand der Technik; -
2 eine Querschnittansicht eines instandsetzbaren Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung; -
3 eine Querschnittansicht eines zerlegten Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung; -
4A eine Draufsicht einer externen Anschlußeinheit eines Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung; -
4B eine Querschnittansicht entlang der Linie A-A' in4A ; -
4C eine Ansicht von unten einer externen Anschlußeinheit eines Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung; -
5A eine Draufsicht der statischen Platte eines Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung; -
5B eine Querschnittansicht entlang der Linie B-B' in5A ; -
5C eine Ansicht von unten einer statischen Platte eines Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung; -
6A eine Draufsicht einer Schirmkappe mit elastischen Elementen eines Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung; -
6B eine Querschnittansicht entlang der Linie C-C' in6A ; und -
7 eine Querschnittansicht eines Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung zur Verdeutlichung des Austauschs defekter Halbleiterchips in diesem. - Nunmehr wird unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen ein Halbleiter-Multichip-Modul gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben, wobei
2 eine Querschnittansicht des Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung und3 eine Querschnittansicht eines zerlegten Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung zeigen. - Wie daraus ersichtlich ist, enthält das Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung folgendes: eine Vielzahl Halbleiterchips
11 , eine statische Platte12 mit einer Vielzahl Einführöffnungen12a zur Aufnahme der Vielzahl von Chips11 , eine Schirmkappe13 zum Befestigen auf der Unterseite der statischen Platte12 , um ein Ausweichen der Chips11 nach unten durch die Einführöffnungen12a zu verhindern, eine über den Chips11 ausgeformte externe Anschlußeinheit14 , um elektrische Signale der Chips11 nach außen zu liefern, und eine Vielzahl Spannfedern15 des Klemmentyps zum Zusammenspannen der Schirmkappe13 und der externen Anschlußeinheit14 , um eine Verschiebung der Chips11 zu verhindern. - Wie aus
4A bis4C ersichtlich ist, enthält die externe Anschlußeinheit14 folgendes: ein vielschichtiges Substrat20 , eine Vielzahl auf der Unterseite des Substrats20 ausgeformter Höcker21 , um den Kontakt mit einer Vielzahl Kontaktflecke (nicht dargestellt), die auf jedem der Chips11 ausgeformt sind, herzustellen, und eine Vielzahl Lötkügelchen22 , die an einer Oberfläche des Substrats20 angeformt sind, um elektrische Signale nach außen zu leiten. Eine Vielzahl Führungsnasen31 erstreckt sich von der Unterseite des Substrats20 aus. - Wie aus
5A bis5C ersichtlich ist, enthält die statische Platte12 eine Vielzahl Gabelabschnitte30 , die zwischen ihren Zinken jeweils eine Führungsöffnung30a aufweisen, die der Vielzahl Führungsnasen31 entsprechen, die sich von der Unterseite des Substrats20 der externen Anschlußeinheit14 aus erstrecken, wodurch die Führungsnasen31 jeweils in entsprechende Führungsöffnungen30a der Vielzahl Führungsöffnungen geführt werden. - Ein oberer Dichtring
41 ist in und entlang einer Umfangskante der Unterseite des Substrats20 und ein unterer Dichtring42 ist in und entlang einer Umfangskante der Oberseite der statischen Platte12 entsprechend dem oberen Dichtring41 angebracht, um die Chips11 gegen die Umgebung zu schützen. - Wie aus
6A und6B ersichtlich ist, ist in jeder der Einführöffnungen12a und unterhalb jeweils entsprechender Chips11 ein elastisches Element50 mit einer runden Kappe51 und einer Stützfeder52 zur elastischen Abstützung der runden Kappe51 installiert, um die jeweils entsprechenden Chips11 elastisch abzustützen. - Eine Wärmesenke
60 ist an der Unterseite der Schirmkappe13 angebracht, um die während des Chipbetriebs von den jeweiligen Chips11 erzeugte Wärme nach außen abzuleiten. - Ein Einrastansatz
15a ist an einem inneren Abschnitt jedes Endabschnitts der Spannfeder15 , und Einrastöffnungen20a ,60a sind jeweils in entsprechenden Randabschnitten der Oberfläche des Substrats20 und der Unterseite der Wärmesenke60 ausgeformt, so daß beim Spannen der Spannfeder15 die Einrastansätze15a in den jeweils entsprechenden Einrastöffnungen20a ,60a einrasten, um dadurch die Spannfeder15 zu sichern. - Nunmehr wird das Verfahren für den Zusammenbau des auf diese Weise aufgebauten Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung beschrieben.
- Zuerst wird die statische Platte
12 auf der Oberfläche der Schirmkappe13 positioniert und eine elastisches Element50 wird in jede Öffnung der durch die statische Platte12 ausgeformten Vielzahl Einführöffnungen12a eingeführt. - Ein Chip
11 wird in jede der Einführöffnungen12a in der statischen Platte12 eingeführt, so daß das Chip11 auf der Oberfläche jedes der elastischen Elemente50 angeordnet ist. Die externe Anschlußeinheit14 wird auf der Oberfläche der statischen Platte12 angebracht, so daß die Vielzahl der auf der Unterseite des Substrats20 ausgebildeten Höcker21 mit den Kontaktflecken (nicht dargestellt), die auf jedem der Chips11 ausgeformt sind, in Kontakt gebracht werden können. Dabei werden die Führungsnasen31 , die sich von der Unterseite des Substrats20 der externen Anschlußeinheit14 aus erstrecken, in die entsprechenden Führungsöffnungen30a der Gabelabschnitte30 geführt, die auf der Oberfläche der statischen Platte12 ausgeformt sind. Stickstoffgas N2 mit einem Druck unter dem atmosphärischen Druck wird nun in den Raum C zwischen der statischen Platte12 und dem Substrat20 eingeleitet, und der Raum C wird in einem partiellen Vakuumzustand gehalten, indem er mittels des oberen und des unteren Dichtrings41 ,42 abgedichtet wird, so daß die jeweiligen Chips11 gegen äußere Einflußfaktoren wie beispielsweise Feuchte geschützt sind. - Nach dem Anbau der Wärmesenke
60 an der Unterseite der Schirmkappe13 werden die Spannfedern15 über das Substrat20 und die Wärmesenke60 gespannt, wobei die Einrastansätze15a der Spannfeder15 in die entsprechenden Einrastöffnungen20a ,60a einrasten, die jeweils in der Oberfläche des Substrats20 und der Unterseite der Wärmesenke60 ausgebildet sind, womit das Halbleiter-Multichip-Modul gemäß der vorliegenden Erfindung fertiggestellt ist. - Wie aus
7 ersichtlich ist, die ein Verfahren zum Austausch eines defekten Chips des Halbleiter-Multichip-Moduls gemäß der vorliegenden Erfindung darstellt, wird bei Feststellen defekter Chips die Spannfeder15 abgenommen und das Substrat20 vom Modul gelöst. Die defekten Chips werden gegen einwandfreie Chips ausgetauscht, und das Multichip-Modul wird wie oben beschrieben unter eine Stickstoffgasatmosphäre wieder zusammengebaut. - Wie oben beschrieben enthält das Halbleiter-Multichip-Modul gemäß der vorliegenden Erfindung eine Vielzahl Halbleiterchips, eine statische Platte mit einer Vielzahl Einführöffnungen zur Aufnahme der Vielzahl Chips, eine Schirmkappe zum Anbringen auf der Unterseite der statischen Platte, um die Chips daran zu hindern, nach unten durch die Einführöffnungen auszuweichen, eine über den Chips ausgeformte externe Anschlußeinheit, um elektrische Signale der Chips nach außen zu liefern, und eine Vielzahl Spannfedern des Klemmentyps zum Zusammenspannen der Schirmkappe und der externen Anschlußeinheit, um eine Verschiebung der Chips zu verhindern.
- Abschließend kann festgestellt werden, daß das Halbleiter-Multichip-Modul gemäß der vorliegenden Erfindung die Produktivität durch Senken der Fertigungszeit erhöht.
- Des weiteren ermöglicht das Halbleiter-Multichip-Modul gemäß der vorliegenden Erfindung den einfachen Austausch defekter Chips gegen einwandfreie Chips, indem die Spannfedern gelöst und wieder aufgeklemmt werden.
Claims (6)
- Halbleiter-Multichip-Modul, das folgendes aufweist: – eine Vielzahl Halbleiterchips (
11 ); – eine statische Platte (12 ) mit einer Vielzahl durchgehender Einführöffnungen (12a ) zur Aufnahme jeweils eines der Vielzahl von Chips (11 ); – eine Schirmkappe (13 ) zum Befestigen auf der Unterseite der statischen Platte (12 ), um ein Ausweichen der Chips (11 ) nach unten durch die Einführöffnungen (12a ) zu verhindern; eine über den Chips (11 ) ausgeformte externe Anschlußeinheit (14 ), um elektrische Signale der Chips (11 ) nach außen zu liefern; – eine Vielzahl Spannfedern (15 ) des Klemmentyps zum Zusammenspannen der Schirmkappe (13 ) und der externen Anschlußeinheit (14 ), um eine Verschiebung der Chips (11 ) zu verhindern; – in den Einführöffnungen (12a ) jeweils gesonderte elastische Einrichtungen (50 ), die den jeweils zugeordneten Chip (11 ) elastisch abstützen; bei dem – die externe Anschlußeinheit (14 ) folgendes aufweist: – ein vielschichtiges Substrat (20 ); und – eine Vielzahl auf der Unterseite des Substrats (20 ) ausgeformter Höcker (21 ), um den Kontakt mit einer einer entsprechenden Vielzahl Kontaktflecke, die auf der Oberfläche jedes der Chips (11 ) ausgeformt sind, herzustellen; – die statische Platte (12 ) eine Vielzahl Gabelabschnitte (30 ) an der Umfangskante aufweist, die zwischen ihren Zinken jeweils eine Führungsöffnung (30a ) aufweist; und – eine Vielzahl Führungsnasen (31 ), die sich von der Unterseite des Substrats (20 ) der externen Anschlußeinheit (14 ) aus erstrecken, wodurch die Führungsnasen (31 ) jeweils in eine entsprechende Führungsöffnung (30a ) der Vielzahl Führungsöffnungen (30a ) geführt werden. - Multichip-Modul nach Anspruch 1, bei dem eine Vielzahl Lötkügelchen (
22 ), die an einer Oberfläche des Substrats (20 ) angeformt sind, um elektrische Signale nach außen zu leiten, angeordnet sind. - Multichip-Modul nach Anspruch 1, bei dem ein oberer Dichtring (
41 ) in und entlang einer Umfangskante der Unterseite des Substrats (20 ) und ein unterer Dichtring (42 ) in und entlang einer Umfangskante der Oberseite der statischen Platte (12 ) entsprechend dem oberen Dichtring (41 ) angebracht sind, um so die Chips (11 ) gegen die Umgebung zu schützen. - Multichip-Modul nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die elastische Einrichtung (
50 ) folgendes aufweist: – eine runde Kappe (51 ) unter jedem der Chips (11 ); und – eine Stützfeder (52 ) zur elastischen Abstützung der runden Kappe (51 ). - Multichip-Modul nach Anspruch 1, bei dem eine Wärmesenke (
60 ) an der Unterseite der Schirmkappe (13 ) angebracht ist, um die während des Chipbetriebs von den jeweiligen Chips (11 ) erzeugte Wärme nach außen abzuleiten. - Multichip-Modul nach Anspruch 1, bei dem ein Einrastansatz (
15a ) an einem inneren Abschnitt jedes Endabschnitts der Spannfedern (15 ) und eine Vielzahl Einrastöffnungen (20a ,60a ) jeweils in entsprechenden Randabschnitten der Oberfläche des Substrats (20 ) und der Unterseite der Wärmesenke (60 ) ausgeformt sind, so daß beim Spannen jeder Spannfeder (15 ) die Einrastansätze (15a ) in den jeweils entsprechenden Einrastöffnungen (20a ,60a ) einrasten, um dadurch die Spannfeder (15 ) darin zu sichern.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970007164A KR100214560B1 (ko) | 1997-03-05 | 1997-03-05 | 반도체 멀티칩 모듈 |
KR7164/97 | 1997-03-05 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19806017A1 DE19806017A1 (de) | 1998-09-10 |
DE19806017B4 true DE19806017B4 (de) | 2006-05-11 |
Family
ID=19498712
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19806017A Expired - Fee Related DE19806017B4 (de) | 1997-03-05 | 1998-02-13 | Halbleiter-Multichip-Modul |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6020597A (de) |
JP (1) | JP2847516B2 (de) |
KR (1) | KR100214560B1 (de) |
DE (1) | DE19806017B4 (de) |
Families Citing this family (69)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6351034B1 (en) | 1998-06-01 | 2002-02-26 | Micron Technology, Inc. | Clip chip carrier |
JP3653417B2 (ja) * | 1999-06-09 | 2005-05-25 | 株式会社日立製作所 | マルチチップモジュールの封止構造 |
US6232669B1 (en) * | 1999-10-12 | 2001-05-15 | Advantest Corp. | Contact structure having silicon finger contactors and total stack-up structure using same |
US6464513B1 (en) * | 2000-01-05 | 2002-10-15 | Micron Technology, Inc. | Adapter for non-permanently connecting integrated circuit devices to multi-chip modules and method of using same |
US6892796B1 (en) * | 2000-02-23 | 2005-05-17 | General Motors Corporation | Apparatus and method for mounting a power module |
US6284572B1 (en) * | 2000-08-14 | 2001-09-04 | St Assembly Test Services Pte Ltd. | Boat and assembly method for ball grid array packages |
KR100389920B1 (ko) * | 2000-12-12 | 2003-07-04 | 삼성전자주식회사 | 열팽창에 의한 신뢰성 저하를 개선할 수 있는 반도체 모듈 |
KR20020046755A (ko) * | 2000-12-15 | 2002-06-21 | 밍 루 | 보호용 케이스에 수납된 전자 부품의 방열 장치 |
EP1286393A3 (de) * | 2001-06-28 | 2004-03-03 | F & K Delvotec Bondtechnik GmbH | Schaltkreisgehäuse |
DE10137667B4 (de) | 2001-08-01 | 2010-05-20 | Qimonda Ag | Schutzvorrichtung für Baugruppen mit Abstandhalter |
DE10137618A1 (de) * | 2001-08-01 | 2003-02-27 | Infineon Technologies Ag | Schutzvorrichtung für Baugruppen |
US6597061B1 (en) * | 2001-08-03 | 2003-07-22 | Sandisk Corporation | Card manufacturing technique and resulting card |
US7045889B2 (en) * | 2001-08-21 | 2006-05-16 | Micron Technology, Inc. | Device for establishing non-permanent electrical connection between an integrated circuit device lead element and a substrate |
US7049693B2 (en) * | 2001-08-29 | 2006-05-23 | Micron Technology, Inc. | Electrical contact array for substrate assemblies |
US20040119485A1 (en) * | 2002-12-20 | 2004-06-24 | Koch Daniel J. | Probe finger structure and method for making a probe finger structure |
DE10352705A1 (de) * | 2003-11-12 | 2005-06-23 | Diehl Bgt Defence Gmbh & Co. Kg | Schaltungsanordnung |
DE102004056984A1 (de) * | 2004-11-25 | 2006-06-08 | Siemens Ag | Stromrichteranordnung |
DE102004061936A1 (de) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Siemens Ag | Anordnung eines Halbleitermoduls und einer elektrischen Verschienung |
DE102005013325A1 (de) * | 2005-03-22 | 2006-10-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Verbindung einer Mehrzahl integrierter Schaltungen zu einem Schaltungsmodul, entsprechendes Schaltungsmodul und entsprechendes Anwendungsverfahren |
WO2006138246A2 (en) * | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Electro Ceramic Industries | Electronic device package heat sink assembly |
KR100736891B1 (ko) * | 2006-01-13 | 2007-07-10 | 서울반도체 주식회사 | Led 램프 |
WO2008059301A1 (en) * | 2006-11-14 | 2008-05-22 | Infineon Technologies Ag | An electronic component and method for its production |
US9536815B2 (en) | 2009-05-28 | 2017-01-03 | Hsio Technologies, Llc | Semiconductor socket with direct selective metalization |
WO2011153298A1 (en) | 2010-06-03 | 2011-12-08 | Hsio Technologies, Llc | Electrical connector insulator housing |
US9276336B2 (en) | 2009-05-28 | 2016-03-01 | Hsio Technologies, Llc | Metalized pad to electrical contact interface |
WO2010147939A1 (en) | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Hsio Technologies, Llc | Semiconductor socket |
WO2010138493A1 (en) | 2009-05-28 | 2010-12-02 | Hsio Technologies, Llc | High performance surface mount electrical interconnect |
US8358003B2 (en) * | 2009-06-01 | 2013-01-22 | Electro Ceramic Industries | Surface mount electronic device packaging assembly |
US8988093B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-03-24 | Hsio Technologies, Llc | Bumped semiconductor wafer or die level electrical interconnect |
WO2010147934A1 (en) | 2009-06-16 | 2010-12-23 | Hsio Technologies, Llc | Semiconductor die terminal |
WO2011002712A1 (en) | 2009-06-29 | 2011-01-06 | Hsio Technologies, Llc | Singulated semiconductor device separable electrical interconnect |
US9930775B2 (en) | 2009-06-02 | 2018-03-27 | Hsio Technologies, Llc | Copper pillar full metal via electrical circuit structure |
WO2010141264A1 (en) | 2009-06-03 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant wafer level probe assembly |
WO2012078493A1 (en) | 2010-12-06 | 2012-06-14 | Hsio Technologies, Llc | Electrical interconnect ic device socket |
WO2010141303A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Resilient conductive electrical interconnect |
US9232654B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-01-05 | Hsio Technologies, Llc | High performance electrical circuit structure |
US9318862B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-04-19 | Hsio Technologies, Llc | Method of making an electronic interconnect |
US8525346B2 (en) | 2009-06-02 | 2013-09-03 | Hsio Technologies, Llc | Compliant conductive nano-particle electrical interconnect |
WO2011002709A1 (en) | 2009-06-29 | 2011-01-06 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit semiconductor tester interface |
US9613841B2 (en) | 2009-06-02 | 2017-04-04 | Hsio Technologies, Llc | Area array semiconductor device package interconnect structure with optional package-to-package or flexible circuit to package connection |
US8789272B2 (en) | 2009-06-02 | 2014-07-29 | Hsio Technologies, Llc | Method of making a compliant printed circuit peripheral lead semiconductor test socket |
US9414500B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-08-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed flexible circuit |
US9196980B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-11-24 | Hsio Technologies, Llc | High performance surface mount electrical interconnect with external biased normal force loading |
WO2014011226A1 (en) | 2012-07-10 | 2014-01-16 | Hsio Technologies, Llc | Hybrid printed circuit assembly with low density main core and embedded high density circuit regions |
US9276339B2 (en) | 2009-06-02 | 2016-03-01 | Hsio Technologies, Llc | Electrical interconnect IC device socket |
US9136196B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-09-15 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit wafer level semiconductor package |
US8987886B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-03-24 | Hsio Technologies, Llc | Copper pillar full metal via electrical circuit structure |
WO2010141298A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Composite polymer-metal electrical contacts |
WO2013036565A1 (en) | 2011-09-08 | 2013-03-14 | Hsio Technologies, Llc | Direct metalization of electrical circuit structures |
WO2010141316A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit wafer probe diagnostic tool |
US8928344B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-01-06 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit socket diagnostic tool |
US9093767B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-07-28 | Hsio Technologies, Llc | High performance surface mount electrical interconnect |
US9184145B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-11-10 | Hsio Technologies, Llc | Semiconductor device package adapter |
WO2010141311A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit area array semiconductor device package |
WO2010141296A1 (en) | 2009-06-02 | 2010-12-09 | Hsio Technologies, Llc | Compliant printed circuit semiconductor package |
US8955216B2 (en) | 2009-06-02 | 2015-02-17 | Hsio Technologies, Llc | Method of making a compliant printed circuit peripheral lead semiconductor package |
US8981568B2 (en) | 2009-06-16 | 2015-03-17 | Hsio Technologies, Llc | Simulated wirebond semiconductor package |
US9689897B2 (en) | 2010-06-03 | 2017-06-27 | Hsio Technologies, Llc | Performance enhanced semiconductor socket |
US8758067B2 (en) | 2010-06-03 | 2014-06-24 | Hsio Technologies, Llc | Selective metalization of electrical connector or socket housing |
US9350093B2 (en) | 2010-06-03 | 2016-05-24 | Hsio Technologies, Llc | Selective metalization of electrical connector or socket housing |
US10159154B2 (en) | 2010-06-03 | 2018-12-18 | Hsio Technologies, Llc | Fusion bonded liquid crystal polymer circuit structure |
EP2489956B2 (de) * | 2011-02-21 | 2020-09-09 | Gerdes Holding GmbH & Co. KG | Kühleinrichtung eines elektrischen, sich erwärmenden Bauelements |
US9761520B2 (en) | 2012-07-10 | 2017-09-12 | Hsio Technologies, Llc | Method of making an electrical connector having electrodeposited terminals |
US10667410B2 (en) | 2013-07-11 | 2020-05-26 | Hsio Technologies, Llc | Method of making a fusion bonded circuit structure |
US10506722B2 (en) | 2013-07-11 | 2019-12-10 | Hsio Technologies, Llc | Fusion bonded liquid crystal polymer electrical circuit structure |
US9755335B2 (en) | 2015-03-18 | 2017-09-05 | Hsio Technologies, Llc | Low profile electrical interconnect with fusion bonded contact retention and solder wick reduction |
EP3472860B1 (de) * | 2016-06-20 | 2022-08-17 | Zhuzhou CRRC Times Electric Co. Ltd | Halbleiterbauelementunteranordnung |
CN110164486A (zh) * | 2019-03-27 | 2019-08-23 | 宜鼎国际股份有限公司 | M.2适配卡的散热构造 |
EP3872851A1 (de) * | 2020-02-27 | 2021-09-01 | Infineon Technologies Austria AG | Schutzkappe für verpackung mit wärmeschnittstellenmaterial |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0473260A1 (de) * | 1990-08-28 | 1992-03-04 | International Business Machines Corporation | Herstellung von Halbleiterpackungen |
US5250843A (en) * | 1991-03-27 | 1993-10-05 | Integrated System Assemblies Corp. | Multichip integrated circuit modules |
DE19530264A1 (de) * | 1995-08-17 | 1997-02-20 | Abb Management Ag | Leistungshalbleitermodul |
DE19725464A1 (de) * | 1996-06-17 | 1997-12-18 | Lg Semicon Co Ltd | Halbleiterchip-Stapelgehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung |
US5751062A (en) * | 1994-12-15 | 1998-05-12 | Hitachi, Ltd. | Cooling device of multi-chip module |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1562139A (de) * | 1968-02-09 | 1969-04-04 | Siemens Ag | |
JPS56142660A (en) * | 1980-04-09 | 1981-11-07 | Nec Corp | Multichip package |
US4922376A (en) * | 1989-04-10 | 1990-05-01 | Unistructure, Inc. | Spring grid array interconnection for active microelectronic elements |
US5345107A (en) * | 1989-09-25 | 1994-09-06 | Hitachi, Ltd. | Cooling apparatus for electronic device |
US5682064A (en) * | 1993-08-16 | 1997-10-28 | Micron Technology, Inc. | Repairable wafer scale integration system |
JP3588503B2 (ja) * | 1995-06-20 | 2004-11-10 | 株式会社東芝 | 圧接型半導体装置 |
-
1997
- 1997-03-05 KR KR1019970007164A patent/KR100214560B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-02-13 DE DE19806017A patent/DE19806017B4/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-02 JP JP10049570A patent/JP2847516B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-04 US US09/034,699 patent/US6020597A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0473260A1 (de) * | 1990-08-28 | 1992-03-04 | International Business Machines Corporation | Herstellung von Halbleiterpackungen |
US5250843A (en) * | 1991-03-27 | 1993-10-05 | Integrated System Assemblies Corp. | Multichip integrated circuit modules |
US5751062A (en) * | 1994-12-15 | 1998-05-12 | Hitachi, Ltd. | Cooling device of multi-chip module |
DE19530264A1 (de) * | 1995-08-17 | 1997-02-20 | Abb Management Ag | Leistungshalbleitermodul |
DE19725464A1 (de) * | 1996-06-17 | 1997-12-18 | Lg Semicon Co Ltd | Halbleiterchip-Stapelgehäuse und Verfahren zu dessen Herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH10270635A (ja) | 1998-10-09 |
KR100214560B1 (ko) | 1999-08-02 |
DE19806017A1 (de) | 1998-09-10 |
US6020597A (en) | 2000-02-01 |
JP2847516B2 (ja) | 1999-01-20 |
KR19980072375A (ko) | 1998-11-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19806017B4 (de) | Halbleiter-Multichip-Modul | |
DE102014202651B4 (de) | Halbleitervorrichtungen und Halbleitermodul | |
DE102006005645B4 (de) | Stapelbarer Baustein, Bausteinstapel und Verfahren zu deren Herstellung | |
DE102005059224B4 (de) | SiC-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür | |
DE69133468T3 (de) | Halbleiterchipanordnungen, Herstellungsmethoden und Komponenten für dieselbe | |
DE10148120B4 (de) | Elektronische Bauteile mit Halbleiterchips und ein Systemträger mit Bauteilpositionen sowie Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers | |
DE10331335B4 (de) | Leistungs-Halbleitervorrichtung | |
DE10045043B4 (de) | Halbleiterbauteil und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE10333841A1 (de) | Halbleiterbauteil in Halbleiterchipgröße mit flipchipartigen Außenkontakten und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE102009044561B4 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiter-Package unter Verwendung eines Trägers | |
DE19757850A1 (de) | Lichtemittierendes Anzeigeelement, Verfahren zum Verbinden desselben mit einem elektrischen Verdrahtungssubstrat und Herstellungsverfahren hierfür | |
WO2004109812A2 (de) | Gehäuse für ein strahlungsemittierendes bauelement, verfahren zu dessen herstellung und strahlungsemittierendes bauelement | |
DE102010060798B4 (de) | Verfahren zum Verpacken einer Halbleitervorrichtung mit einer Klemme | |
EP2553525A1 (de) | Vorrichtung mit optischem modul und trägerplatte | |
DE19820319B4 (de) | Halbleiterbaustein | |
DE102004009056A1 (de) | Halbleiterbauteil mit einem Umverdrahtungssubstrat und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE19532755C1 (de) | Chipmodul, insbesondere für den Einbau in Chipkarten, und Verfahren zur Herstellung eines derartigen Chipmoduls | |
DE102013202910A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE10352671A1 (de) | Leistungsmodul | |
DE10251527B4 (de) | Verfahren zur Herstellung einer Stapelanordnung eines Speichermoduls | |
EP0009610A1 (de) | Verfahren zur Herstellung prüfbarer Halbleiter-Miniaturgehäuse in Bandform | |
DE2734798C2 (de) | ||
DE19715926B4 (de) | Herstellungsverfahren für einen externen Anschluß für ein Kugelgitterarray-(BGA)Halbleiterbauteil | |
KR100623606B1 (ko) | 비지에이형 반도체 장치의 제조방법, 비지에이형 반도체 장치용 티에이비 테이프, 및 비지에이형 반도체 장치 | |
WO1998013863A1 (de) | Verfahren zur flipchip-kontaktierung eines halbleiterchips mit geringer anschlusszahl |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: HYNIX SEMICONDUCTOR INC., ICHON, KYONGGI, KR |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD., CHEONGJU, KR |
|
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |