DE19805146A1 - Verfahren zur Chipherstellung und eine druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung - Google Patents

Verfahren zur Chipherstellung und eine druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung

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Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung eines Chips und eine druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung. Die vorliegende Erfindung betrifft besonders ein Verfahren zur Herstellung kleiner Chips wie Halbleiterchips, in denen die Chipzwischenräume ohne die Notwendigkeit, den herkömmlichen Ausdehnungsschritt durchzuführen, ver­ größert werden können, und eine druckempfindliche Haftschicht für die Chi­ pherstellung, die geeigneterweise in diesem Verfahren eingesetzt wird.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Ein Halbleiterwafer, beispielsweise aus Silicium oder Galliumarsenid, wird mit einem großen Durchmesser hergestellt, geschnitten und in Elementarchips zerlegt und anschließend dem Montageschritt unterworfen. In diesem Verfah­ ren wird der Halbleiterwafer den Schritten Zerlegung in Chips, Auseinander­ ziehen und Abheben im einem Zustand, bei dem er auf einer druckempfindli­ chen Haftschicht angebracht ist, unterzogen. Anschließend wird er dem Mon­ tageschritt zugeführt.
Bei dem Ausdehnungsschritt wird die druckempfindliche Haftschicht ge­ dehnt, so daß die Chipzwischenräume vergrößert werden. Der Ziel des Aus­ dehnungsschrittes, in dem die Chipzwischenräume vergrößert werden, ist, die Erkennung der Chipbefestigung zu erleichtern und die Zerstörung der Chips beim Abheben durch benachbarte Chips zu verhindern.
Zur Zeit wird der Ausdehnungsschritt durch Auseinanderziehen der druck­ empfindlichen Haftschicht unter Verwendung einer Dehnungsvorrichtung durchgeführt.
Bei den meisten Dehnungsvorrichtungen wird der Grad der Ausdehnung und des Drehmomentes während der Ausdehnung festgelegt, um dadurch in Abhängigkeit vom Typ der druckempfindlichen Haftschicht und der Größe der Baueinheit unterschiedliche Einstellungen vorzunehmen.
Folglich kam es vor, daß, wenn die druckempfindliche Haftschicht weich ist, die Dehnungsspannung nicht auf den Objektjustierungsabschnitt übertragen wurde, ausreichende Chipzwischenräume unmöglich wurden, und daß ande­ rerseits, wenn die druckempfindliche Haftschicht hart ist, das Drehmoment der Vorrichtung unzureichend ist oder die druckempfindliche Haftschicht reißt.
Wenn weiterhin die Chipbefestigung vollständig ist, wird die druckemp­ findliche Haftschicht im Zustand der Befestigung auf einem Ringrahmen in eine Ringrahmenkassette eingebaut. In dem herkömmlichen Verfahren muß die druckempfindliche Haftschicht, die durch die Ausdehnung verformt wurde, ihre ursprüngliche Form unter Verwendung heißer Luft zurückerhalten. Wenn die Wiederherstellung der Form unzureichend ist, haftet die druckempfindliche Haftseite der druckempfindlichen Haftschicht gelegentlich an der Ringrahmen­ kassette, wodurch dessen Einbauen unmöglich wird. Folglich wurde eine Au­ tomatisierung schwierig.
GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf die Lösung des obigen Problems des Standes der Technik ausgeführt. Ein Gegenstand der vorliegen­ den Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung eines Chips zu liefern, in dem die Chipzwischenräume gemäß des Mechanismusses, der sich beträchtlich von der herkömmlichen Dehnungsmethode unterscheidet, auseinandergezo­ gen werden können, und ein weiterer Gegenstand der vorliegende Erfindung ist es, eine druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung zu liefern, die geeigneterweise in dem obigen Verfahren eingesetzt wird.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Das Verfahren zur Herstellung eines Chips gemäß der vorliegenden Erfin­ dung umfaßt die Schritte:
Justieren eines Objektes, das auf einer druckempfindlichen Haftschicht für die Chipherstellung zerlegt wird, die wenigstens eine Schicht eines schrumpffä­ higen Films, eines ausdehnbaren Films und eines druckempfindlichen Haftfilms für das Justieren des Objektes umfaßt,
Befestigen der Ränder der druckempfindlichen Haftschicht für die Chipher­ stellung:
Zerlegen des Objektes in Chips und
Schrumpfen des schrumpffähigen Films, um dadurch die Chipzwischen­ räume zu vergrößern.
Die druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung der vorliegen­ den Erfindung wird geeigneterweise in dem obigen Verfahren verwendet und umfaßt eine Zone zum Justieren eines Objektes, um es zu zerlegen, einschließ­ lich eines ausdehnbaren Films und eines druckempfindlichen Haftfilms zum Justieren des Objektes, und eine Schrumpfzone, einschließlich wenigstens einer Schicht des schrumpffähigen Films, worin die Schrumpfzone zumindest außer­ halb der Zone zum Justieren des Objektes angeordnet ist.
Eine bevorzugte druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung ist beispielsweise eine, in der der druckempfindliche Haftfilm zum Justieren des Objektes, der schrumpffähige Film und der ausdehnbare Film in dieser Reihen­ folge, wie in Fig. 1 gezeigt wird, laminiert werden oder eine, in der der druck­ empfindliche Haftfilm zum Justieren des Objektes, der ausdehnbare Film und der schrumpffähige Film in dieser Reihenfolge, wie in Fig. 2 gezeigt wird, lami­ niert werden.
In der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, daß der ausdehnbare Film ein Elastizitätsmodul von weniger als 1×109 N/m2 hat und daß der druckemp­ findliche Haftfilm zum Justieren des Objektes aus einem durch Strahlung ver­ netzbaren, druckempfindlichen Haftmittel zusammengesetzt ist.
Weiterhin ist es bevorzugt daß der schrumpffähige Film und der ausdehn­ bare Film mittels eines Haftfilms, der ein Elastizitätsmodul von wenigstens 1×105 N/m2 hat, laminiert werden.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Die Fig. 1 bis 7 zeigen eine Auswahl druckempfindlicher Haftschichten zur Chipherstellung für die Verwendung in der vorliegenden Erfindung.
Die Fig. 8 und 9 zeigen Verfahren zur Herstellung eines Chips gemäß der vorliegenden Erfindung.
AUSFÜHRLICHE BESCHREIBUNG DER ERFINDUNG
Das Verfahren zur Herstellung eines Chips und die druckempfindliche Haftschicht zur Chipherstellung gemäß der vorliegenden Erfindung werden nachstehend ausführlich beschrieben.
In dem Verfahren zur Herstellung eines Chips gemäß der vorliegenden Er­ findung wird eine druckempfindliche Haftschicht zur Chipherstellung verwen­ det, die wenigstens eine Schicht eines schrumpffähigen Films, eines ausdehnba­ ren Films und eines druckempfindlichen Haftfilms zum Justieren des Objektes umfaßt. Obwohl die Art des schrumpffähigen Films nicht besonders einge­ schränkt ist, wird bevorzugt ein thermisch schrumpffähiger Film eingesetzt Das Schrumpfungsverhältnis des schrumpffähigen Films, der in der vorlie­ genden Erfindung eingesetzt wird, liegt vorzugsweise im Bereich zwischen 10 und 90% und besonders bevorzugt zwischen 20 und 80%. Das Schrumpfungs­ verhältnis wird aus der Größe vor der Schrumpfung und der Größe nach der Schrumpfung durch folgende Formel berechnet:
Bei der Verwendung des thermisch schrumpffähigen Films wird das obige Schrumpfungsverhältnis aus den Größen des Films vor und nach dem Erhitzen auf 120°C berechnet.
Verschiedene schrumpffähige Filme des obigen Typs sind bekannt, und je­ der dieser kann in der vorliegenden Erfindung verwendet werden, solange das Objekt nicht unter ungünstigen Effekten wie Ionenkontaminierung von diesem leidet. Beispiele geeigneter schrumpffähiger Filme schließen einaxial und biaxial orientierte Filme wie die des Polyethylenterephthalats, Polyethylens, Polysty­ rens, Polypropylens, Polyamids, Polyurethans, Polyvinylidenchlorids und Po­ lyvinykhlorids ein. Diese schrumpffähigen Filme können in Kombination ver­ wendet werden.
Die Dicke des obigen schrumpffähigen Films liegt im allgemeinen im Be­ reich von 5 bis 300 µm, vorzugsweise von 10 bis 200 µm.
Insbesondere thermisch schrumpffähige Polyethylen-, Poylpropylen- und Polyethylenterephthalatfilme werden bevorzugt als schrumpffähige Filme verwendet.
Das Substrat der druckempfindlichen Haftschicht für die Chipherstellung zur Verwendung in dem Verfahren der vorliegenden Erfindung ist eine Kom­ bination des obigen schrumpffähigen Films und eines ausdehnbaren Films.
Obwohl die Art des ausdehnbaren Films nicht besonders eingeschränkt ist, ist es bevorzugt, daß der ausdehnbare Film hohe Wasser- und Wärmebestän­ digkeit aufweist und aus einem synthetischen Harz zusammengesetzt ist.
Beispiele geeigneter ausdehnbarer Filme schließen Filme aus Polyethylen niedriger Dichte (LDPE), Polyethylen niedriger Dichte mit linearer Struktur (LLDPE), Ethylen/Propylen-Copolymer, Polypropylen, Polybuten, Polybutadi­ en, Polymethylpenten, Ethylen/Vinylacetat-Copolymer, Ethy­ len/Methacrylsäure-Copolymer, Ethylen/Methylmethacrylat-Copolymer, Ethylen/Ethylmethacrylat-Copolymer, Polyvinylchiorid, Vinylchlo­ rid/Vinylacetat-Copolymer, Ethylen/Vinylchlorid/Vinylacetat-Copolymer, Polyurethanen, Polyamiden und Ionomeren ein. Diese ausdehnbaren Filme können in Kombination verwendet werden. Überdies kann ein Film aus einem Polymer einer Komponente, die eine Carboxylgruppe als Polymerstrukturein­ heit hat, und einem Laminat dieses Films und ein im allgemeinen angewendeter Polymerfilm verwendet werden.
Die Dicke des obigen ausdehnbaren Films liegt im allgemeinen im Bereich von 5 bis 500 µm, bevorzugt von 10 bis 300 µm.
Es ist im allgemeinen bevorzugt, daß das Elastizitätsmodul des ausdehnba­ ren Films zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung bei 23°C weniger als 1×109 N/m2 ist, besonders im Bereich von 1×107 N/m2 bis 1×109 N/m2.
Die Seite, die in Kontakt mit einer anderen Schicht des schrumpffähigen Films oder des ausdehnbaren Films gebracht wurde, kann durch Oberflächen­ behandlung mittels Koronaentladung zur Verfügung gestellt werden oder eine Grund- oder andere Schicht haben, die darauf zur Verbesserung der Haftung aufgebracht wurde.
In der vorliegenden Erfindung kann der druckempfindliche Haftfilm zum Justieren des Objektes mit ultravioletten Strahlen vor oder nach dem Schrump­ fen des Films bestrahit werden, wie später beschrieben wird. Wenn die Be­ strahlung abgeschlossen ist, müssen die Filme, die das Substrat bilden, transpa­ rent sein.
Der druckempfindliche Haftfilm zum Justieren des Objektes der druckem­ pfindlichen Haftschicht für die Chipherstellung kann aus verschiedenen, her­ kömmlichen druckempfindlichen Haftmitteln hergestellt werden. Die Art dieser druckempfindlichen Haftmittel ist nicht besonders eingeschränkt, und einige Beispiele derer schließen druckempfindliche Haftmittel, die auf Gummi, Po­ lyacryl, Silicon und einem Polyvinylether basieren, ein. Ebenso können die druckempfindlichen Haftmittel, die durch Strahlung vernetzbar sind, und druck­ empfindliche Haftmittel, die schäumen, wenn sie erhitzt werden, verwendet werden. Weiterhin können Haftmittel, die sowohl beim Zerlegen als auch bei der Chipbefestigung einsetzbar sind, verwendet werden.
Obwohl dies von den Eigenschaften des Materials abhängt, liegt die Dicke des druckempfindlichen Haftfilms zum Justieren des Objektes im allgemeinen im Bereich von etwa 3 bis 100 µm, vorzugsweise von etwa 10 bis 50 µm.
Wie oben erwähnt, werden die druckempfindlichen Haftmittel ohne jede besondere Beschränkung verwendet. Beispielsweise können die in den japani­ schen Patentveröffentlichungen der Nummern 1(1989)-56112 und 7(1995)-15087 und der Japanischen Patentoffenlegungsschrift Nr. 7(1995)-135189 beschriebe­ nen bevorzugt als druckempfindliche Haftmittel, die durch Strahlung vernetz­ bar sind (vernetzbar durch Licht, ultraviolette Strahlen oder Elektronenstrah­ len) verwendet werden, die jedoch nicht die durch Strahlung vernetzbaren, druckempfindlichen Haftmittel zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung einschränken. Dennoch ist die Verwendung der druckempfindlichen Haftmittel, die durch ultraviolette Strahlen vernetzbar sind, in der vorliegende Erfindung besonders bevorzugt.
In der vorliegenden Erfindung werden der schrumpffähige Film und der ausdehnbare Film miteinander in verschiedenen Konfigurationen wie unten beschrieben verbunden. Der druckempfindliche Haftfilm zum Justieren des Objektes kann in der Filmbefestigung, wie in Fig. 3 bis 5 gezeigt wird, verwen­ det werden. Ebenso können Haftfilme, wie in den Fig. 1, 2, 6 und 7 gezeigt wird, eingesetzt werden. Die Art dieses Haftmittels ist nicht besonders einge­ schränkt, und es können allgemein verwendete Haftmittel eingesetzt werden. Beispiele geeigneter Haftmittel schließen Haftmittel ein, wie die, die auf Po­ lyacryl, Gummi und Silicon basieren; thermoplastische und wärmehärtbare Haftmittel wie die, die auf Polyester, Polyamid, Ethylencopolymer, Epoxyd und Urethan basieren; und Haftmittel, die durch ultraviolette Strahlen oder Elektro­ nenstrahlen vernetzbar sind, wie die, die auf Polyacryl und Urethan basieren. Besonders ist es bevorzugt, ein Haftmittel einzusetzen, das ein Elastizitätsmo­ dul von wenigstens 1×105 N/m2, vorzugsweise wenigstens 1×107 N/m2 hat Die Verwendung solch eines Haftmittels ermöglicht die gleichförmige Schrumpfung des schrumpffähigen Films, um die Belastung des Haftmittels zu verhindern, wodurch die Chips problemlos abgehoben werden können. Die Filmbefestigung kann ohne die Verwendung eines Haftmittels beispielsweise durch Laminieren des schrumpffähigen Films mit dem ausdehnbaren Film ge­ mäß beispielsweise der Wärmeverschmelzungstechnik bewirkt werden.
Wenn der schrumpffähige Film an der Position angeordnet ist, wo der Ringrahmen befestigt ist, wie in den Fig. 3 und 5 gezeigt wird, kann der druckempfindliche Haftfilm zum Immobilisieren des Ringrahmens auf dem schrumpffähigen Film angeordnet werden. Der druckempfindliche Haftfilm zum Immobilisieren des Ringrahmens kann aus verschiedenen, herkömmli­ chen druckempfindlichen Haftmitteln wie bei dem druckempfindlichen Haft­ film zum Justieren des Objektes bestehen.
Die druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung wird in dem Zu­ stand, in dem es ein Objekt besitzt, daß, um es zu zerlegen, auf dem druckemp­ findlichen Haftfilm zum Justieren des Objektes an der Zone zum Justieren des Objektes angebracht ist, und in dem Zustand, in dem seine Ränder mittels bei­ spielsweise einem Ringrahmen befestigt sind, verwendet. Das eingesetzte Ob­ jekt wird in Chips zerlegt, und der schrumpffähige Film wird geschrumpft. Dann wird eine Dehnungsspannung durch den schrumpffähigen Film, der au­ ßerhalb der Zone zum Justieren des Objektes (Schrumpfungszone) angeordnet ist, erzeugt, um dadurch die Chipzwischenräume zu vergrößern. In diesem Verfahren der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, daß der schrumpffähi­ ge Film der druckempfindlichen Haftschicht für die Chipherstellung zumindest außerhalb der Zone zum Justieren des Objektes angeordnet ist.
Bevorzugte Strukturen der druckempfindlichen Haftschichten 10 für die Chipherstellung zur Verwendung in der vorliegenden Erfindung zusammen mit dem Positionsverhältnis des Ringrahmens 5 und des Objektes 6 sind so, wie in den Fig. 1 bis 7 gezeigt wird. Konkrete Beispiele und bevorzugte Formen der druckempfindlichen Haftfilme 1 zum Justieren des Objektes sind schrumpffähi­ ge Filme 2, Haftfilme 3 und ausdehnbare Filme 4, wie oben beschrieben. Der Haftfilm 3 ist nicht immer erforderlich, wie oben erwähnt.
Bei der druckempfindlichen Haftschicht 10 für die Chipherstellung in Fig. 1 wird der schrumpffähige Film 2 durch den Haftfilm 3 auf die Gesamtoberfläche des ausdehnbaren Films 4 laminiert, und der druckempfindliche Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 wird auf der gegenüberliegenden Gesamtoberfläche des schrumpffähigen Films 2 angebracht. Die Ränder der druckempfindlichen Haftschicht 10 zur Chipherstellung werden mittels Ringrahmen 5 auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 an seiner Periphe­ rie befestigt. Das Objekt 6 wird auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 innerhalb seiner Peripherie angebracht.
Bei der druckempfindlichen Haftschicht 10 für die Chipherstellung in Fig. 2 wird der ausdehnbare Film 4 durch den Haftfilm 3 auf die Gesamtoberfläche des schrumpffähigen Films 2 laminiert, und der druckempfindliche Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 wird auf der gegenüberliegenden Gesamtoberflä­ che des ausdehnbaren Films 4 angebracht. Die Ränder der druckempfindlichen Haftschicht 10 zur Chipherstellung werden mittels Ringrahmen 5 auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 an seiner Periphe­ rie befestigt. Das Objekt 6 wird auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 innerhalb seiner Peripherie angebracht.
Bei der druckempfindlichen Haftschicht 10 für die Chipherstellung in Fig. 3 wird der druckempfindliche Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 auf dem ausdehnbaren Films 4 angebracht, und der schrumpffähige Film 2 wird auf dem Randteil des druckempfindlichen Haftfilms 1 zum Justieren des Objektes 6 laminiert. Die druckempfindliche Haftschicht 10 zur Chipherstellung wird mit­ tels Ringrahmen 5 befestigt und das Objekt 6 auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 angebracht. Bei dieser Struktur ist es bevorzugt, daß der druckempfindliche Haftfilm 9 zum Immobilisieren des Ring­ rahmens auf dem schrumpffähigen Film 2 aufgebracht ist.
Bei der druckempfindlichen Haftschicht 10 für die Chipherstellung in Fig. 4 wird der druckempfindliche Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 auf dem ausdehnbaren Films 4 angebracht, und der schrumpffähige Film 2 wird an dem Randteil des druckempfindlichen Haftfilms 1 zum Justieren des Objektes 6 au­ ßerhalb der Zone zum Justieren des Objektes 6, aber innerhalb des Teiles, wo die druckempfindliche Haftschicht 10 für die Chipherstellung befestigt ist, lami­ niert. Die Ränder der druckempfindlichen Haftschicht 10 zur Chipherstellung werden mittels Ringrahmen 5 auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Ju­ stieren des Objektes 6 an seiner Peripherie befestigt. Das Objekt 6 wird auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 innerhalb seiner Peripherie angebracht.
Bei der druckempfindlichen Haftschicht 10 für die Chipherstellung in Fig. 5 wird der druckempfindliche Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 auf dem ausdehnbaren Films 4 angebracht, und der schrumpffähige Film 2 wird mit sei­ nen Vorsprüngen am Außenrand auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 an seiner Peripherie laminiert. Die druckempfindliche Haftschicht 10 zur Chipherstellung wird mittels Ringrahmen 5 an den Vor­ sprüngen am Außenrand des schrumpffähigen Films 2 befestigt und das Ob­ jekt 6 auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 an­ gebracht. Bei dieser Struktur ist es bevorzugt, daß der druckempfindliche Haft­ film 9 zum Immobilisieren des Ringrahmens auf dem schrumpffähigen Film 2 aufgebracht ist.
Bei der druckempfindlichen Haftschicht 10 für die Chipherstellung in Fig. 6 wird der schrumpffähige Film 2 durch den Haftfilm 3 an der Peripherie der Un­ terseite des ausdehnbaren Films 4 laminiert, und der druckempfindliche Haft­ film 1 zum Justieren des Objektes 6 wird an der Oberseite des ausdehnbaren Films 4 angebracht. Die Ränder der druckempfindlichen Haftschicht 10 zur Chipherstellung werden mittels Ringrahmen 5 auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 an seiner Peripherie befestigt. Das Ob­ jekt 6 wird auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objek­ tes 6 innerhalb seiner Peripherie angebracht.
Bei der druckempfindlichen Haftschicht 10 für die Chipherstellung in Fig. 7 wird der schrumpffähige Film 2 durch den Haftfilm 3 an dem Teil der Untersei­ te des ausdehnbaren Films 4 laminiert, wobei sich der Teil außerhalb der Zone zum Justieren des Objektes und innerhalb der Zone, wo die druckempfindliche Haftschicht 10 für die Chipherstellung befestigt ist, befindet. Der druckemp­ findliche Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 wird an der Oberseite des ausdehnbaren Films 4 angebracht. Die Ränder der druckempfindlichen Haft­ schicht 10 zur Chipherstellung werden mittels Ringrahmen 5 auf dem druck­ empfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 an seiner Peripherie be­ festigt. Das Objekt 6 wird auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justie­ ren des Objektes 6 innerhalb seiner Peripherie angebracht.
In der vorliegenden Erfindung ist es besonders wünschenswert, die druck­ empfindliche Haftschicht 10 für die Chipherstellung mit der Struktur in Fig. 1 oder Fig. 2 einzusetzen.
Das Verfahren für die Chipherstellung gemäß der vorliegenden Erfindung wird unten unter Verwendung der druckempfindlichen Haftschicht 10 für die Chipherstellung, die in Fig. 1 gezeigt ist, beschrieben. Das Objekt 6 wird auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 der druck­ empfindlichen Haftschicht 10 für die Chipherstellung angebracht. Die druck­ empfindliche Haftschicht 10 für die Chipherstellung wird mittels Ringrahmen 5 befestigt und das Objekt 6 in Chips 7 geschnitten (zerlegt).
Das Objekt 6, das zerlegt wird, schließt beispielsweise einen Halbleiterwa­ fer, der darauf kreisförmig gebildet ist, wie einen Si-Wafer, einen Ge-Wafer und einen GaAs-Wafer;
eine keramische Platte wie Aluminiumoxid, Zirkoniumdioxid, Siliciumnitrit und Siliciumcarbid, isoliertes Substrat und elektronische Baueinheiten;
eine Glasplatte, Quarz, und ähnliche, als optisches Element verwendete;
eine Leiterplatte wie eine gedruckte Leiterplatte;
ein Leiterrahmen, der aus Eisen oder Kupfer hergestellt wurde;
ein Band für TAB (Band zum automatischen Bestücken);
harzvergossene Artikel; und
zusammengesetzte Geräte aus obigen, wie ein Halbleiter, der aus einem Leiterahmen geformt wurde, ein Harz, das diesen verschließt, und ein Harz, das den Halbleiter, der auf dem Band für TAB geformt ist, verschließt, ein.
Die Schnittiefe ist vorzugsweise so, daß der schrumpffähige Film 2 voll­ ständig abgeschnitten wird, während das Schneiden des ausdehnbaren Films 4 vor Erreichen dessen Mitte (siehe Fig. 8) angehalten wird. Die Schrumpfbe­ grenzungskraft wird abgeschwächt durch vollständiges Schneiden des schrumpffähigen Films 2, so daß die Schrumpfungsleistung des schrumpffähi­ gen Films 2 vollständig an der Zone eingesetzt werden kann, die mit "8" in Fig. 8 bezeichnet ist (nämlich die Außenseite der Zone zum Justieren des Objek­ tes 6 und die Innenseite der Zone, wo die druckempfindliche Haftschicht 10 für die Chipherstellung befestigt ist).
Anschließend wird der schrumpffähige Film 2 durch passende, erforderli­ che Mittel geschrumpft. Wenn ein thermisch schrumpffähiger Film eingesetzt wird, wird das Schrumpfen des schrumpffähigen Films 2 durch Erhitzen des Laminats des Chips 7 und der druckempfindlichen Haftschicht 10 für die Chip­ herstellung bei 60 bis 150°C bewirkt.
Die obige Schrumpfung des schrumpffähigen Films 2 verursacht die Ver­ formung des druckempfindlichen Haftfilms 1 zum Justieren des Objektes 6, das darauf angebracht ist, gemäß der Schrumpfung des schrumpffähigen Films 2, so daß nicht nur der Bereich in dem die Chips 7 in Kontakt mit dem druckemp­ findlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 verringert wird, sondern ebenso die Chipzwischenräume in sowohl Längs- als auch seitlichen Richtungen (siehe Fig. 9) einheitlich vergrößert werden. Das ist so, weil, bezüglich Fig. 9, eine Schrumpfungsspannung (durch den Pfeil in Fig. 9 gekennzeichnet) in dem schrumpffähigen Film 2 an der Nichtschnittstelle 8 erzeugt wird, der zwischen der Zone zum Justieren des Objektes und dem Ringrahmen 5 zum Befestigen der druckempfindlichen Haftschicht 10 für die Chipherstellung befestigt ist, vorhanden ist, so daß eine Zugspannung in dem ausdehnbaren Film 4 mit dem Ergebnis angewendet wird, daß der ausdehnbare Film 4 zum Ringrahmen 5 gezogen wird. Anschließend wird derselbe Effekt wie der, der durch das Deh­ nen der druckempfindlichen Haftschicht 10 für die Chipherstellung erzielt wur­ de, erhalten. Deshalb werden die Chipzwischenräume einheitlich vergrößert, so daß das gewünschte Erkennen der Befestigung ohne die Notwendigkeit den Dehnungsschritt durchzuführen realisiert werden kann.
Wenn die druckempfindliche Haftschicht 10 für die Chipherstellung gemäß der vorliegenden Erfindung bei der Herstellung eines Chips wie einem schma­ len Leitsensors eingesetzt wird, ist es bevorzugt, daß ein einaxial orientierter Film als schrumpffähiger Film 2 verwendet wird, dessen Orientierungsrichtung in Übereinstimmung mit der Richtung der kurzen Seite des Chips gebracht wird, vom dem Standpunkt, daß die Differenz des Chipzwischenraums zwi­ schen den Längs- und seitlichen Richtungen abnimmt. Die Verwendung eines biaxial orientierten Films ist bevorzugt bei Chips, deren kurze und lange Seiten identisch zueinander oder ungefähr identisch zueinander sind, vom dem Standpunkt, daß die Differenz des Chipzwischenraums zwischen den Längs- und seitlichen Richtungen abnimmt.
Überdies kann in der vorliegenden Erfindung das Verhältnis der Schrump­ fung des schrumpffähigen Films 2 durch geeignetes Einstellen der Schrump­ fungsbedingungen (Temperatur, Zeit usw.) des schrumpffähigen Films 2 gere­ gelt werden, so daß das Verhältnis der Ausdehnung des Chipzwischenraums leicht geändert werden kann.
Das Bilden des druckempfindlichen Haftfilms 1 zum Justieren des Objek­ tes 6 eines durch ultraviolettes Licht vernetzbaren druckempfindlichen Haltmit­ tels ist besonders bevorzugt von dem Standpunkt, daß dessen Haftstärke durch Bestrahlen des druckempfindlichen Haftfilms 1 zum Justieren des Objektes 6 mit ultravioletten Strahlen vor oder nach der obigen Schrumpfung verringert werden kann, um dadurch den druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 zu vernetzen. Das Vernetzen des druckempfindlichen Haft­ films 1 zum Justieren des Objektes 6 ermöglicht das weitere Verringern der vertikalen Ablösekraft mit dem Ergebnis, daß das Abnehmen der Chips 7 er­ leichtert wird.
Die druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung der vorliegen­ den Erfindung wird geeigneterweise in dem Verfahren zur Herstellung eines Chips verwendet und umfaßt eine Zone zum Justieren des Objektes, um es zu zerlegen, einschließlich einem ausdehnbaren Film 4 und eines druckempfind­ lichen Haftfilms 1 zum Justieren des Objektes 6 und eine Schrumpfungszone, einschließlich wenigstens einer Schicht eines schrumpffähigen Films 2, wobei die Schrumpfungszone zumindest außerhalb der Zone zum Justieren des Ob­ jektes angeordnet ist.
Beispiele der druckempfindlichen Haftfilme 1 zum Justieren des Objektes 6, der schrumpffähigen Filme 2 und ausdehnbaren Filme 4 sind dieselben wie die zuvor beschriebenen. Die Befestigung des schrumpffähigen Films 2 und des ausdehnbaren Films 4 kann entweder unter Verwendung des oben erwähnten Haftmittels 3 oder durch direkte Mittel wie Wärmeverschluß ausgeführt wer­ den.
Beispielhafte Strukturen von druckempfindlichen Haftschichten zur Her­ stellung der Chips gemäß der vorliegenden Erfindung sind in Fig. 1 bis 7 ge­ neigt. Von diesen werden besonders die Strukturen aus Fig. 1 oder Fig. 2 be­ vorzugt angewendet.
Das heißt, eine besonders bevorzugte druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung gemäß der vorliegenden Erfindung ist beispielsweise eine, in der der druckempfindliche Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6, der schrumpffähige Film und der ausdehnbare Film auf der Gesamtoberfläche in der Reihenfolge, wie in Fig. 1 gezeigt wird, laminiert werden, oder eine, in der der druckempfindliche Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6, der ausdehnba­ re Film und der schrumpffähige Film auf der Gesamtoberfläche in der Reihen­ folge, wie in Fig. 2 gezeigt wird, laminiert werden.
Weiterhin ist es bevorzugt, daß der ausdehnbare Film ein Elastizitätsmodul von weniger als 1×109 N/m2 hat.
Außerdem ist es bevorzugt, daß der druckempfindliche Haftfilm 1 zum Ju­ stieren des Objektes 6 aus einem durch Strahlung vernetzbaren, druckempfind­ lichen Haftmittel zusammengesetzt ist.
Weiterhin ist es bevorzugt, daß der schrumpffähige Film und der ausdehn­ bare Film mittels eines Haftfilms, der ein Elastizitätsmodul von wenigstens 1×105 N/m2 hat, laminiert werden.
Die druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung der vorliegen­ den Erfindung kann geeigneter Weise in anderen Anwendungen als der oben beschriebenen Herstellung eines Chips eingesetzt werden, beispielsweise für zeitweises Befestigen von elektronischen Erzeugnissen und zum Oberflächen­ schutz.
WIRKUNG DER ERFINDUNG
In der vorliegenden Erfindung können ausreichend einheitliche Chipzwi­ schenräume ohne die Probleme des Reißens der druckempfindlichen Haft­ schicht für die Chipherstellung und der unzureichenden Chipzwischenräume erhalten werden. Die druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung der vorliegenden Erfindung ist frei von Deformation in Richtung der Dicke, so daß sie für die Automatisierung eines Produktionsablaufs geeignet ist. Überdies kann das Verhältnis der Ausdehnung der Chipzwischenräume frei durch ge­ eignetes Einstellen der Schrumpfungsbedingungen wie Temperatur und Zeit geregelt werden, um dadurch eine Produtivitätssteigerung zu erlangen.
BEISPIELE
Die vorliegende Erfindung wird unten mit Bezug auf die folgenden Bei­ spiele, die in keiner Weise den Umfang der Erfindung begrenzen, ausführlich erläutert.
In den folgenden Beispielen und dem Vergleichsbeispiel werden der Chip­ zwischenraum und die Chipausrichtung in der folgenden Weise bewertet.
Chipzwischenraum
Ein 8 Inches Siliciumwafer wurde auf dem druckempfindlichen Haftfilm 1 zum Justieren des Objektes 6 der druckempfindlichen Haftschicht für die Chi­ pherstellung, der in jedem der folgenden Beispiele und dem Vergleichsbeispiel hergestellt wurde, angebracht, und die druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung wurde mittels eines Ringrahmens befestigt. Der Wafer wurde durch die gewöhnliche Prozedur in 10 mm×10 mm IC-Chips zerlegt.
Danach wurde die druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung bei 90°C 1 min wärmebehandelt. Weiterhin wurden die Chipzwischenräume nach der Wärmebehandlung (in seitlicher Richtung (= X) und Längsrichtung (= Y) in Orientierung flach auf dem Wafer) durch die Verwendung eines opti­ schen Mikroskopes gemessen.
Chipanordnung
Die Chipanordnung wurde durch die folgende Formel unter Verwendung der Daten, die bei der Messung des Chipzwischenraums erhalten wurden, be­ wertet.
(Ein kleiner Wert zeigt eine ausgezeichnete Chipanordnung.)
Beispiel 1
1 (1) Herstellung eines druckempfindlichen Haftmittels 1 zum Justieren des Objektes:
100 Gewichtsteile eines druckempfindlichen Polyacrylhaftmittels (Copolymer von n-Butylacrylat und Aaylsäure), 200 Gewichtsteile eines Ure­ thanacrylatoligomers, das ein Molekulargewicht von 7000 hat, 10 Gewichtsteile eines Vernetzers (Isocyanattyp) und 10 Gewichtsteile eines durch ultraviolettes Licht vernetzbaren Reaktionsinitiators (Benzophenontyp) wurden vermischt, wodurch eine durch ultraviolettes Licht vernetzbare druckempfindliche Haft­ mittelzusammensetzung zum Justieren des Objektes erhalten wurde. 1 (2) Haftmittel 3 für die Filmbefestigung:
Ein Haftmittel vom Polyurethantyp (Elastizitätsmodul von 3×108 N/m2) wurde als Haftmittel zum Befestigen der Filme verwendet.
1 (3) Laminierung des schrumpffähigen Films und ausdehnbaren Films:
Ein ausdehnbarer Ethylen/Methacrylsäure-Copdymerfilm (der eine Dicke von 100 µm und ein Elastizitätsmodul von 2,15×108 N/m2 hat) wurde mit dem Haftmittel aus dem obigen Schritt 1 (2) beschichtet, so daß die Dicke der Schicht 5 µm war, und bei 100°C 30 s erwärmt. Danach wurde ein thermisch schrumpf­ fähiger Polyethylenterephthalatfilm (der eine Dicke von 30 µm und ein Schrumpfungsverhältnis von 50% bei 120°C hat) auf die Haftmittelseite des obigen beschichteten Ethylen/Methacrylsäure-Copolymerfilms laminiert, wo­ durch ein Laminat eines schrumpffähigen Films und eines ausdehnbaren Films erhalten wurde.
1 (4) Herstellung einer druckempfindlichen Haftschicht für die Chipherstellung:
Ein 25 µm dicker Polyethylenterephthalatfilm, der einer Lösebehandlung unterlag, wurde mit der druckempfindlichen Haftmittelzusammensetzung, die im obigen Schritt 1 (1) erhalten wurde, beschichtet,so daß die Dicke der Be­ schichtung 10 µm war, und bei 100°C 1 min erhitzt und an der Seite des schrumpffähigen Films des im obigen Schritt 1 (3) erhaltenen Laminats befe­ stigt. Ein kreisförmige Scheibe von 270 mm Durchmesser wurde davon abge­ schnitten, wodurch eine durch ultraviolettes Licht vernetzbare, druckempfindli­ che Haftschicht für die Chipherstellung 10 erhalten wurde, die die Struktur von Fig. 1 hat.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
Beispiel 2
2 (1) Herstellung eines druckempfindlichen Haftmittels 1 zum Justieren des Objektes:
Eine durch ultraviolettes Licht vernetzbare, druckempfindliche Haftmittel­ zusammensetzung wurde in derselben Weise wie in Schritt 1 (1) des Beispiels 1 hergestellt.
2 (2) Laminierung des schrumpffähigen Films auf einen druckempfindlichen Haftfilm:
Ein 25 µm dicker Polyethylenterephthalatfilm, der einer Lösebehandlung unterlag, wurde mit der druckempfindlichen Haftmittelzusammensetzung, die im obigen Schritt 2 (1) erhalten wurde, beschichtet,so daß die Dicke der Be­ schichtung 10 µm war, und bei 100°C 1 min erhitzt. Danach wurde ein ther­ misch schrumpffähiger Polyethylenterephthalatfilm (der eine Dicke von 30 µm und ein Schrumpfungsverhältnis von 50% bei 120°C hat) an der Seite des druckempfindlichen Haftmittels des beschichteten Polyethylenterephthalatfilms befestigt, wodurch ein schrumpffähiger Film, der einen druckempfindlichen Haftfilm aufweist, erhalten wurde.
2 (3) Herstellung eines Haftmittels für die Filmbefestigung:
100 Gewichtsteile eines druckempfindlichen Polyacrylathaftmittels (Copolymer von n-Butylacrylat und Acrylsäure) und 2 Gewichtsteile eines Ver­ netzers (Isocyanattyp) wurden vermischt, wodurch eine Haftmittelzusammen­ setzung zur Filmbefestigung erhalten wurde. Das resultierende Haftmittel hatte ein Elastizitätsmodul von 1×105 N/m2.
2 (4) Laminierung des Haftmittels für die Filmbefestigung auf einen ausdehnba­ ren Film:
Ein 25 µm dicker Polyethylenterephthalatfilm, der einer Lösebehandlung unterlag, wurde mit der Haftmittelzusammensetzung, die im obigen Schritt 2 (3) hergestellt wurde, beschichtet,so daß die Dicke der Beschichtung 25 µm war, und bei 100°C 1 min erhitzt. Danach wurde ein ausdehnbarer Ethylen/Methacrylsäure-Copolymerfilm (der eine Dicke von 100 µm und ein Elastizitätsmodul von 2,15×108 N/m2 hat) auf die Haftseite des beschichteten Polyethylenterephthalatfilms laminiert.
2 (5) Herstellung einer druckempfindlichen Haftschicht für die Chipherstellung:
Während des Ablösens des lösebehandelten Polyethylenterephthalatfilms von dem Haftfilm des im obigen Schritt 2 (4) hergestellten ausdehnbaren Films wurde die Haftfilmseite des ausdehnbaren Films an der Seite des schrumpffähi­ gen Films befestigt, die keinen druckempfindlichen Haftfilm aufweist, wobei der schrumpffähige Film einen druckempfindlichen Haftfilm, der im obigen Schritt 2 (2) hergestellt wurde, besitzt. Eine kreisförmige Scheibe von 270 mm Durchmesser wurde davon abgeschnitten, wodurch eine durch ultraviolettes Licht vernetzbare, druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung 10 erhalten wurde, die die Struktur von Fig. 1 hat.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
Beispiel 3
Eine ablösbare, druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung wurde in derselben Weise wie in Beispiel 1 hergestellt, außer das eine ablösbare, druckempfindliche Haftmittelzusammensetzung, die 100 Gewichtsteile eines druckempfindlichen Polyacrylhaftmittels (Copolymer von n-Butylacrylat und 2-Hydroxyethylacrylat) und 10 Gewichtsteile eines Vernetzers (Isocyanattyp) wurden als druckempfindliche Haftmittelzusammensetzung zum Justieren des Objektes verwendet.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
Beispiel 4
4 (1) Herstellung eines druckempfindlichen Haftmittels 1 zum Justieren des Objektes:
Eine durch ultraviolettes Licht vernetzbare, druckempfindliche Haftmittel­ zusammensetzung wurde in derselben Weise wie in Schritt 1 (1) des Beispiels 1 hergestellt.
4 (2) Laminierung des ausdehnbaren Films auf den druckempfindlichen Haft­ film 1:
Ein 25 µm dicker Polyethylenterephthalatfilm, der einer Lösebehandlung unterlag, wurde mit der druckempfindlichen Haftmittelzusammensetzung, die im obigen Schritt 4 (1) erhalten wurde, beschichtet, so daß die Dicke der Be­ schichtung 10 µm war, und bei 100°C 1 min erhitzt. Danach wurde ein aus­ dehnbarer Polyethylen/Methacrylsäurecopolymerfilm (der eine Dicke von 100 µm und ein Elastizitätsmodul von 2,15×108 N/m2 hat) auf die druckemp­ findliche Haftmittelseite des beschichteten Polyethylenterephthalatfilms lami­ niert.
4 (3) Herstellung eines Haftmittels für die Filmbefestigung:
Eine Haftmittelzusammensetzung für die Filmbefestigung wurde in dersel­ ben Weise wie in Schritt 2 (3) des Beispiels 2 hergestellt.
4 (4) Laminierung des Haftmittels für die Filmbefestigung auf einen schrumpf­ fähigen Film:
Ein 25 µm dicker Polyethylenterephthalatfilm, der einer Lösebehandlung unterlag, wurde mit der Haftmittelzusammensetzung, die im obigen Schritt 4 (3) erhalten wurde, beschichtet, so daß die Dicke der Beschichtung 25 µm war, und bei 100°C 1 min erhitzt. Danach wurde ein schrumpffähiger Polyethylenterephthalatfilm (der eine Dicke von 30 µm und ein Schrumpfungs­ verhältnis von 50% bei 120°C hat) an der Seite des druckempfindlichen Haft­ mittels des beschichteten Polyethylenterephthalatfilms befestigt, wodurch ein schrumpffähiger Film, der einen Haftfilm aufweist, erhalten wurde.
4 (5) Herstellung einer druckempfindlichen Haftschicht für die Chipherstellung:
Während des Ablösens des lösebehandelten Polyethylenterephthalatfilms von dem Haftfilm des im obigen Schritt 4 (4) hergestellten schrumpffähigen Films wurde die Haftmittelseite des schrumpffähigen Films an der Seite des ausdehnbaren Films befestigt, die keinen druckempfindlichen Haftfilm auf­ weist, wobei der ausdehnbare Film einen druckempfindlichen Haftfilm, der im obigen Schritt 4 (2) hergestellt wurde, besitzt. Ein kreisförmige Scheibe von 270 mm Durchmesser wurde daraus ausgestanzt, wodurch eine durch ultra­ violettes Licht vernetzbare, druckempfindliche Haftschicht 10 für die Chipher­ stellung erhalten wurde, die die Struktur von Fig. 2 hat.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
Beispiel 5
Eine ablösbare, druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung wurde in derselben Weise wie in Beispiel 4 hergestellt, außer das eine ablösbare, druckempfindliche Haftmittelzusammensetzung wie in Beispiel 3 als druckemp­ findliche Haftmittelzusammensetzung zum Justieren des Objektes verwendet wurde.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
Beispiel 6
6 (1) Herstellung eines druckempfindlichen Haftmittels 1 zum Justieren des Objektes:
Eine durch ultraviolettes Licht vernetzbare, druckempfindliche Haftmittel­ zusammensetzung wurde in derselben Weise wie in Schritt 1 (1) des Beispiels 1 hergestellt.
6 (2) Laminierung des ausdehnbaren Films auf den druckempfindlichen Haft­ film:
Ein ausdehnbarer Film, der einen druckempfindlichen Haftfilm aufweist, der sich aus der in Schritt 6 (1) hergestellten druckempfindlichen Haftmittelzu­ sammensetzung zusammensetzt, wurde in derselben Weise wie in Schritt 4 (2) des Beispiel 4 hergestellt.
6 (3) Herstellung eines Haftmittels für die Filmbefestigung:
Eine Haftmittelzusammensetzung wurde in derselben Weise wie in Schritt 2 (3) des Beispiels 2 hergestellt.
6 (4) Laminierung des Haftmittels für die Filmbefestigung an einem schrumpf­ fähigen Film:
Der schrumpffähige Film wurde in derselben Weise wie in Schritt 4 (4) des Beispiels 4 auf die Filme, die an dem Haftfilm des Schritts 6 (3) befestigt sind, laminiert. Eine kreisförmige Scheibe wurde davon abgeschnitten, wodurch ein schrumpffähiger Film, der einen Haftfilm mit einer Öffnung von 210 mm im Innendurchmesser aufweist, erhalten wurde.
6 (5) Herstellung einer druckempfindlichen Haftschicht für die Chipherstellung:
Während des Ablösens des lösebehandelten Polyethylenterephthalatfilms von dem schrumpffähigen Film des im obigen Schritt 6 (4) hergestellten Haft­ films wurde die Haftmittelseite des schrumpffähigen Films an der Seite des ausdehnbaren Films befestigt, die keinen druckempfindlichen Haftfilm auf­ weist, wobei der ausdehnbare Film einen druckempfindlichen Haftfilm, der im obigen Schritt 6 (2) hergestellt wurde, besitzt. Ein kreisförmige Scheibe von 270 mm Durchmesser, die konzentrisch zu der obigen Öffnung ist, wurde dar­ aus ausgestanzt, wodurch eine durch ultraviolettes Licht vernetzbare, druck­ empfindliche Haftschicht für die Chipherstellung erhalten wurde, die die Struk­ tur von Fig. 6 hat.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
Beispiel 7
7 (1) Herstellung eines druckempfindlichen Haftmittels 1 zum Justieren des Objektes:
Eine ablösbare, druckempfindliche Haftmittelzusammensetzung wurde in derselben Weise wie in Schritt 3 (1) des Beispiels 3 hergestellt.
7 (2) Laminierung des ausdehnbaren Films auf den druckempfindlichen Haft­ film:
Ein ausdehnbarer Film, der einen druckempfindlichen Haftfilm aufweist, der sich aus der in Schritt 7 (1) hergestellten druckempfindlichen Haftmittelzu­ sammensetzung zusammensetzt, wurde in derselben Weise wie in Schritt 4 (2) in Beispiel 4 hergestellt.
7 (3) Herstellung eines druckempfindlichen Haftmittels zum Immobolisieren des Ringrahmens:
Eine druckempfindliche Haftmittelzusammensetzung, die dieselbe Zusam­ mensetzung wie in Schritt 2 (3) des Beispiels 2 hat, wurde hergestellt.
7 (4) Laminierung des druckempfindlichen Haftmittels zum Immobilisieren des Ringrahmens auf den schrumpffähigen Film:
Dieselbe Prozedur wie Schritt 6 (4) des Beispiels 6 wurde wiederholt, außer daß die druckempfindliche Haftmittelzusammensetzung, die im obigen Schritt 7 (3) erhalten wurde, in einer Dicke von 10 µm aufgetragen wurde wo­ durch ein schrumpffähiger Film, der einen druckempfindlichen Haftfilm aus Schritt 7 (3) mit einer Öffnung von 210 mm im Innendurchmesser aufweist, er­ halten wurde.
7 (5) Herstellung einer druckempfindlichen Haftschicht für die Chipherstellung:
Während des Ablösens des lösebehandelten Polyethylenterephthalatfilms von dem ablösbaren, druckempfindlichen Haftfilm des im obigen Schritt 7 (2) hergestellten ausdehnbaren Films wurde die druckempfindliche Haftmittelseite dies ausdehnbaren Films an der Seite des schrumpffähigen Film befestigt, die deinen druckempfindlichen Haftfilm aufweist, wobei der schrumpffähige Film einen druckempfindlichen Haftfilm, der im obigen Schritt 7 (4) hergestellt wur­ de, besitzt. Ein kreisförmige Scheibe von 270 mm Durchmesser, die konzen­ trisch zu der obigen Öffnung ist, wurde daraus ausgestanzt, wodurch eine ab­ lösbare druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung erhalten wurde, die die Struktur von Fig. 3 hat.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
Vergleichsbeispiel 1
Dieselbe Prozedur wie in Beispiel 2 wurde wiederholt, außer daß das aus­ dehnbare Substrat durch ein nicht ausdehnbares Substrat (Polyethylen­ terephthalatfilm von 100 µm Dicke, der ein Elastizitätsmodul von 4,53×109 N/m2 hat) ersetzt wurde.
Die Ergebnisse sind in Tabelle 1 angegeben.
Tabelle 1

Claims (7)

1. Verfahren zur Herstellung eines Chips dadurch gekennzeichnet, daß es die Schritte:
Justieren eines Objektes, das auf einer druckempfindlichen Haftschicht für die Chipherstellung zerlegt wird, die wenigstens eine Schicht eines schrumpffä­ higen Films, eines ausdehnbaren Films und eines druckempfindlichen Haftfilms für das Justieren des Objektes umfaßt;
Befestigen der Ränder der druckempfindlichen Haftschicht für die Chipher­ stellung;
Zerlegen des Objektes in Chips und
Schrumpfen des schrumpffähigen Films, um dadurch die Chipzwischen­ räume zu vergrößern, umfaßt.
2. Eine druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Zone zum Justieren eines Objektes, um es zu zer­ legen, einschließlich eines ausdehnbaren Films und eines druckempfindlichen Haftfilms zum Justieren des Objektes, und eine Schrumpfzone, einschließlich wenigsten einer Schicht des schrumpffähigen Films, worin die Schrumpfzone zumindest außerhalb der Zone zum Justieren des Objektes angeordnet ist, um­ faßt.
3. Die druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung nach An­ spruch 2., dadurch gekennzeichnet, daß der druckempfindliche Haftfilm zum Justieren des Objektes, der schrumpffähige Film und der ausdehnbare Film in dieser Reihenfolge laminiert sind.
4. Die druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung nach An­ spruch 2., dadurch gekennzeichnet, daß der druckempfindliche Haftfilm zum Justieren des Objektes, der ausdehnbare Film und der schrumpffähige Film in dieser Reihenfolge laminiert sind.
5. Die druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung nach je­ dem der Ansprüche 2. bis 4., dadurch gekennzeichnet, daß der ausdehnbare Film ein Elastizitätsmodul von weniger als 1×109 N/m2 hat.
6. Die druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung nach je­ dem der Ansprüche 2. bis 5., dadurch gekennzeichnet, daß der druckempfindli­ che Haftfilm zum Justieren des Objektes aus einem durch Strahlung vernetzba­ ren, druckempfindlichen Haftmittel zusammengesetzt ist.
7. Die druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung nach je­ dem der Ansprüche 2. bis 6., dadurch gekennzeichnet, daß der schrumpffähige Film und der ausdehnbare Film mittels eines Haftfilms, der ein Elastizitätsmo­ dul von wenigstens 1×105 N/m2 hat, laminiert sind.
DE1998105146 1997-02-10 1998-02-09 Verfahren zur Chipherstellung und eine druckempfindliche Haftschicht für die Chipherstellung Expired - Fee Related DE19805146B4 (de)

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Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6235387B1 (en) * 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
JP3410371B2 (ja) * 1998-08-18 2003-05-26 リンテック株式会社 ウエハ裏面研削時の表面保護シートおよびその利用方法
US6649259B1 (en) * 2000-02-29 2003-11-18 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Adhesives for thermally shrinkable films or labels
US6759121B2 (en) 2000-07-13 2004-07-06 3M Innovative Properties Company Clear adhesive sheet
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
JP2002164414A (ja) * 2000-11-27 2002-06-07 Shinkawa Ltd 半導体ペレット処理方法及び装置
US6715307B2 (en) * 2001-01-24 2004-04-06 Calsonic Kansei Corporation Air conditioner for vehicle
US20040007252A1 (en) * 2001-04-09 2004-01-15 Makoto Namikawa Label sheet for cleaning and conveying member having cleaning function
JP3978345B2 (ja) * 2002-02-06 2007-09-19 日本碍子株式会社 切断加工部品保持構造の形成方法および切断加工部品の製造方法
TWI326626B (en) 2002-03-12 2010-07-01 Hamamatsu Photonics Kk Laser processing method
ES2377521T3 (es) 2002-03-12 2012-03-28 Hamamatsu Photonics K.K. Método para dividir un sustrato
DE60335538D1 (de) 2002-03-12 2011-02-10 Hamamatsu Photonics Kk Verfahren zum schneiden eines bearbeiteten objekts
JP4107417B2 (ja) * 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
TWI520269B (zh) 2002-12-03 2016-02-01 Hamamatsu Photonics Kk Cutting method of semiconductor substrate
FR2852250B1 (fr) * 2003-03-11 2009-07-24 Jean Luc Jouvin Fourreau de protection pour canule, un ensemble d'injection comportant un tel fourreau et aiguille equipee d'un tel fourreau
EP1609559B1 (de) 2003-03-12 2007-08-08 Hamamatsu Photonics K. K. Laserstrahlbearbeitungsverfahren
JP4283596B2 (ja) * 2003-05-29 2009-06-24 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
CN100463114C (zh) * 2003-12-15 2009-02-18 古河电气工业株式会社 晶片加工带及其制造方法
US7135385B1 (en) 2004-04-23 2006-11-14 National Semiconductor Corporation Semiconductor devices having a back surface protective coating
KR20090077860A (ko) * 2004-05-18 2009-07-15 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 점접착 시트
US7101620B1 (en) * 2004-09-07 2006-09-05 National Semiconductor Corporation Thermal release wafer mount tape with B-stage adhesive
TWI333672B (en) * 2005-03-29 2010-11-21 Furukawa Electric Co Ltd Wafer-dicing adhesive tape and method of producing chips using the same
JP4707548B2 (ja) * 2005-12-08 2011-06-22 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置、及び半導体装置の製造方法
WO2007122438A1 (en) * 2006-04-21 2007-11-01 Infineon Technologies Ag A method for producing a thin semiconductor chip
US8030138B1 (en) 2006-07-10 2011-10-04 National Semiconductor Corporation Methods and systems of packaging integrated circuits
EP2063460A4 (de) * 2006-09-12 2011-08-03 Nitto Denko Corp Zerteilungs-/chipbondfilm
KR101271225B1 (ko) * 2006-10-31 2013-06-03 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 칩 및 발광 다이오드 광원 모듈의 제조 방법
KR100886732B1 (ko) 2006-11-10 2009-03-04 닛토덴코 가부시키가이샤 자동 롤링 적층 시트 및 자동 롤링 감압성 접착제 시트
JP2008235398A (ja) * 2007-03-19 2008-10-02 Disco Abrasive Syst Ltd デバイスの製造方法
EP2132273A1 (de) 2007-04-05 2009-12-16 Avery Dennison Corporation Druckempfindliches schrumpfetikett
US20110198024A1 (en) * 2007-04-05 2011-08-18 Avery Dennison Corporation Systems and Processes for Applying Heat Transfer Labels
US8282754B2 (en) * 2007-04-05 2012-10-09 Avery Dennison Corporation Pressure sensitive shrink label
US7749809B2 (en) * 2007-12-17 2010-07-06 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
US8048781B2 (en) * 2008-01-24 2011-11-01 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits
PL2285924T3 (pl) * 2008-04-22 2014-11-28 3M Innovative Properties Co Artykuł przylepny
US20100015329A1 (en) * 2008-07-16 2010-01-21 National Semiconductor Corporation Methods and systems for packaging integrated circuits with thin metal contacts
KR101019756B1 (ko) * 2009-12-24 2011-03-09 제일모직주식회사 비자외선형 다이접착필름 및 제조방법
EP2752368A1 (de) 2010-01-28 2014-07-09 Avery Dennison Corporation Gurtsystem für Etikettenapplikator
TWI546934B (zh) * 2014-10-20 2016-08-21 Playnitride Inc Led陣列擴張方法及led陣列單元
JP6741529B2 (ja) * 2016-09-09 2020-08-19 株式会社ディスコ チップ間隔維持方法
CN112552832A (zh) * 2020-12-10 2021-03-26 广东盈通新材料有限公司 一种感压型热封胶带及其制备方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL284964A (de) * 1961-11-10 1900-01-01
JPH0616524B2 (ja) * 1984-03-12 1994-03-02 日東電工株式会社 半導体ウエハ固定用接着薄板
JPH06105753B2 (ja) * 1984-03-27 1994-12-21 日東電工株式会社 半導体ウエハの処理方法
JPS6181652A (ja) * 1984-09-28 1986-04-25 Shin Etsu Polymer Co Ltd ダイシングフイルム
DE3639266A1 (de) 1985-12-27 1987-07-02 Fsk K K Haftfolie
JPS62153376A (ja) * 1985-12-27 1987-07-08 F S K Kk ウェハダイシング用粘着シート
US5187007A (en) 1985-12-27 1993-02-16 Lintec Corporation Adhesive sheets
JP2521459B2 (ja) * 1987-02-23 1996-08-07 日東電工株式会社 半導体チツプの製造方法
US5281473A (en) * 1987-07-08 1994-01-25 Furakawa Electric Co., Ltd. Radiation-curable adhesive tape
JPH0715087B2 (ja) 1988-07-21 1995-02-22 リンテック株式会社 粘接着テープおよびその使用方法
JPH02265258A (ja) * 1989-04-05 1990-10-30 Fujitsu Ltd ダイシング装置
JPH0353546A (ja) 1989-07-21 1991-03-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法およびその製造装置
US5538771A (en) * 1991-06-28 1996-07-23 Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor wafer-securing adhesive tape
KR930006846A (ko) 1991-09-02 1993-04-22 사와무라 하루오 반도체 웨이퍼의 이면 연삭방법 및 그 방법에 이용하는 점착 테이프
US5252694A (en) * 1992-01-22 1993-10-12 Minnesota Mining And Manufacturing Company Energy-polymerization adhesive, coating, film and process for making the same
JP3410202B2 (ja) 1993-04-28 2003-05-26 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ウェハ貼着用粘着シートおよびこれを用いた半導体装置の製造方法
JP3534347B2 (ja) * 1993-11-04 2004-06-07 日東電工株式会社 半導体素子の製造方法，ウエハ貼付用粘着シート
US5670260A (en) * 1995-04-21 1997-09-23 Adhesives Research, Inc. Radiation-cured adhesive film having differential surface adhesion
TW311927B (de) * 1995-07-11 1997-08-01 Minnesota Mining & Mfg
MY118036A (en) * 1996-01-22 2004-08-30 Lintec Corp Wafer dicing/bonding sheet and process for producing semiconductor device
JP3388674B2 (ja) * 1996-04-19 2003-03-24 リンテック株式会社 エネルギー線硬化型感圧接着剤組成物およびその利用方法
GB2320615B (en) * 1996-12-19 2001-06-20 Lintec Corp Process for producing a chip and pressure sensitive adhesive sheet for said process
JP3955659B2 (ja) * 1997-06-12 2007-08-08 リンテック株式会社 電子部品のダイボンディング方法およびそれに使用されるダイボンディング装置

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Publication number Publication date
KR19980071222A (ko) 1998-10-26
MY122256A (en) 2006-04-29
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