DE19802579A1 - Substrate treatment apparatus e.g. for wet treatment of wafers for chip manufacture - Google Patents

Substrate treatment apparatus e.g. for wet treatment of wafers for chip manufacture

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Abstract

A substrate treatment apparatus has a substrate raising and lowering device (20), the speed or stroke of which is variable in accordance with the substrate size. Independent claims are also included for the following: (i) a substrate treatment process in which substrates (32) are raised from and lowered into a treatment fluid (10) at a speed which varies according to their size; and (ii) a substrate treatment process in which substrates are lowered into a treatment fluid to different depths depending on their size.

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrich­ tung und auf ein Verfahren zur Behandlung von Substraten in einem ein Behandlungsfluid enthaltenden Becken, mit einer Absenk- und Anhebeinrichtung für die Substrate.The present invention relates to a device device and on a method for the treatment of substrates in a basin containing a treatment fluid, with a lowering and lifting device for the substrates.

Bei Fertigungsprozessen, insbesondere in der Halbleiter­ industrie ist es notwendig, Substrate mit einem Behand­ lungsfluid zu behandeln. Ein Beispiel hierfür ist die Naßbehandlung von Substraten bei der Chipfertigung.In manufacturing processes, especially in semiconductors industry it is necessary to treat substrates with a treatment treatment fluid. An example of this is the Wet treatment of substrates in chip production.

Aus der EP-B-0 385 536 und der nicht veröffentlichten DE-A-197 03 646 derselben Patentinhaberin sind Vorrichtungen zur Naßbehandlung von Substraten in einem ein Behand­ lungsfluid enthaltenden Behälter beschrieben, bei der die Substrate zusammen mit einem Substratträger in den Behäl­ ter einsetzbar sind. Die Substrate, z. B. Halbleiter­ wafer, werden über eine Absenk- und Anhebeinrichtung in den das Behandlungsfluid enthaltenden Behälter gebracht und dann mit dem Behandlungsfluid behandelt. Nach der Naßbehandlung werden die Halbleiterwafer mittels einer messerartigen Vorrichtung aus dem Behandlungsfluid herausbewegt und beispielsweise gemäß dem aus der EP-B-0 385 536 bekannten Marangoni-Verfahren getrocknet, um nachfolgend in einer oberhalb des Behälters befindlichen Haube aufgenommen zu werden. Bei diesen Vorrichtungen sind die Becken jeweils für die Behandlung von Substraten mit bestimmten Abmessungen, wie z. B. Halbleiterwafern mit Durchmessern von 65 mm, 84 mm, 95 mm, 130 mm oder 200 mm, ausgelegt. Aufgrund der speziellen Auslegung für spe­ zielle Abmessungen der Substrate erfolgt das Absenken und Anheben der Substrate immer konstant und die Substrate werden zur Behandlung immer zu einem festgelegten Punkt nahe des Behälterbodens abgesenkt. From EP-B-0 385 536 and the unpublished one DE-A-197 03 646 by the same patentee are devices for wet treatment of substrates in one treatment described fluid containing container, in which the Substrates together with a substrate carrier in the container ter can be used. The substrates, e.g. B. semiconductors wafers, are lowered and raised in brought the container containing the treatment fluid and then treated with the treatment fluid. After The semiconductor wafers are wet-treated by means of a knife-like device from the treatment fluid moved out and for example according to that from EP-B-0 385 536 known Marangoni process dried to subsequently in a located above the container Hood to be included. With these devices are the pools for the treatment of substrates with certain dimensions, such as. B. semiconductor wafers with diameters of 65 mm, 84 mm, 95 mm, 130 mm or 200 mm, designed. Due to the special design for spe The dimensions of the substrates are lowered and Always raise the substrates constantly and the substrates are always at a fixed point for treatment lowered near the bottom of the container.  

Bei den bekannten Vorrichtungen wäre es zur Erhöhung der Flexibilität wünschenswert, Substrate mit unterschiedli­ chen Abmessungen behandeln zu können. Grundsätzlich ist dies auch möglich, wobei in einer Vorrichtung natürlich nur Substrate behandelt werden können, deren Abmessungen kleiner oder gleich den Abmessungen der Substrate sind, für welche die Vorrichtung ausgelegt ist. Dabei würden Halbleiterwafer mit kleineren Durchmessern genauso wie Halbleiterwafer mit größeren Durchmessern mit einer kon­ stanten Geschwindigkeit in den Behälter abgesenkt und aus diesem herausgehoben, und zwar von der zuvor genannten festgelegten Position aus. Das Absenken sowie das Anheben erfolgt somit in einer bestimmten Zeit unabhängig von den Abmessungen des Substratträgers.In the known devices, it would increase the Flexibility desirable, substrates with different Chen dimensions to be able to treat. Basically is this is also possible, of course in one device only substrates whose dimensions can be treated are smaller than or equal to the dimensions of the substrates, for which the device is designed. Doing so Semiconductor wafers with smaller diameters as well Semiconductor wafers with larger diameters with a con constant speed lowered into the container and off highlighted this, from the aforementioned specified position. Lowering and lifting takes place in a certain time regardless of the Dimensions of the substrate carrier.

Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zu­ grunde, eine einfache und effiziente Vorrichtung und ein Verfahren zur Behandlung von Substraten in einem ein Behandlungsfluid enthaltenden Becken vorzusehen, bei dem die Zeiten zum Einbringen der Substrate in das Becken so­ wie zum Herausheben der Substrate aus dem Becken opti­ miert werden.The present invention therefore has the object reasons, a simple and efficient device and a Process for treating substrates in one Provide treatment fluid-containing pools in which the times for the introduction of the substrates into the basin like this how to lift the substrates out of the basin opti be lubricated.

Die Erfindung löst diese Aufgabe dadurch, daß die Hubgeschwindigkeit der Absenk- und Anhebeinrichtung in Abhängigkeit von den Abmessungen der Substrate veränder­ bar ist. Dadurch ergibt sich der Vorteil, daß Substrate mit unterschiedlichen Abmessungen unterschiedlich schnell gemäß den jeweiligen Anforderungen in das Becken abge­ senkt und in diesem angehoben werden können. Insbesondere können die Anhebzeiten für Substrate mit geringeren Abmessungen optimiert werden.The invention solves this problem in that the Lifting speed of the lowering and lifting device in Change depending on the dimensions of the substrates is cash. This has the advantage that substrates with different dimensions at different speeds according to the respective requirements in the pool lowers and can be raised in this. In particular can the lifting times for substrates with less Dimensions are optimized.

Vorteilhafterweise werden die Substrate, solange sie vollständig von dem Behandlungsfluid bedeckt sind, mit einer höheren Geschwindigkeit angehoben als beim nachfol­ genden Herausbewegen der Substrate aus dem Behandlungs­ fluid. Während die Substrate von dem Behandlungsfluid bedeckt sind, können die Substrate beliebig schnell angehoben werden, ohne daß sich dadurch Nachteile hinsichtlich der Behandlung und insbesondere Trocknung der Substrate ergeben, wohingegen es beim nachfolgenden Herausbewegen der Substrate aus dem Behandlungsfluid wichtig ist, daß diese mit einer bestimmten, relativ langsamen und konstanten Geschwindigkeit aus dem Behandlungsfluid herausgehoben werden, um dabei eine gleichmäßige und vollständige Trocknung der Substrate zu erreichen.Advantageously, the substrates, as long as they are completely covered with the treatment fluid raised at a higher speed than the successor moving the substrates out of the treatment  fluid. While the substrates from the treatment fluid the substrates can be covered as quickly as desired can be raised without disadvantages with regard to treatment and especially drying of the substrates, whereas in the following Moving the substrates out of the treatment fluid it is important that this with a certain, relative slow and constant speed from the Treatment fluid to be lifted out to a uniform and complete drying of the substrates to reach.

Die erfindungsgemäße Aufgabe wird ferner dadurch gelöst, daß die Hubhöhe der Absenk- und Anhebeinrichtung in Abhängigkeit von den Abmessungen der Substrate veränder­ bar ist. Dadurch ergibt sich der Vorteil, daß Substrate mit unterschiedlichen Abmessungen unterschiedlich tief in das das Behandlungsfluid enthaltende Becken abgesenkt werden können.The object of the invention is further achieved by that the lifting height of the lowering and lifting device in Change depending on the dimensions of the substrates is cash. This has the advantage that substrates with different dimensions in different depths the pool containing the treatment fluid is lowered can be.

Vorteilhafterweise werden die Substrate nur soweit in das Behandlungsfluid abgesenkt, bis sie vollständig von dem Behandlungsfluid bedeckt sind. Dies ermöglicht eine voll­ ständige Behandlung der Substrate und insbesondere bei Substraten mit kleineren Abmessungen einen geringeren Hub und somit eine Zeitersparnis beim Einbringen und Heraus­ heben der Substrate.Advantageously, the substrates are only so far in the Treatment fluid lowered until it is completely from the Treatment fluid are covered. This enables a full constant treatment of the substrates and especially at Substrates with smaller dimensions have a smaller stroke and thus a time saving when inserting and removing lifting the substrates.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die Abmessungen der Substrate mit einem Sensor abgefühlt, um die erforderlichen Einstellungen und Steuerungen hinsichtlich der Hubgeschwindigkeit und/oder Hubhöhe insbesondere automatisch vornehmen zu können.According to a preferred embodiment of the invention the dimensions of the substrates with a sensor sensed to the required settings and Controls regarding the lifting speed and / or To be able to make lifting height automatically in particular.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung werden die Substrate durch mindestens eine über dem Becken be­ findliche Haube aufgenommen, wobei vorteilhafterweise un­ terschiedliche Hauben für Substrate mit unterschiedlichen Abmessungen vorgesehen sind. Durch das Vorsehen unter­ schiedlicher Hauben für Substrate mit unterschiedlichen Abmessungen ergibt sich eine einfache Möglichkeit, die Substrate aufzunehmen und zu dem Becken bzw. von diesem weg zu transportieren.According to a further embodiment of the invention the substrates by at least one above the basin sensitive hood added, advantageously being un  Different hoods for substrates with different Dimensions are provided. By providing under different hoods for substrates with different Dimensions gives an easy way to Record substrates and to or from the basin to transport away.

Vorteilhafterweise sind die Hauben bezüglich ihrer Verwendung für Substrate mit unterschiedlichen Abmessungen markiert, wodurch anhand der Markierung an der Haube die Abmessungen der Substrate festgestellt wer­ den können, ohne daß die Substrate selbst abgefühlt wer­ den müßten. Vorteilhafterweise ist die Markierung ein Strichcode, der eine automatische Erkennung ermöglicht.The hoods are advantageous in terms of their Use for substrates with different Dimensions marked, resulting in the marking the hood the dimensions of the substrates who determined can, without the substrates themselves being felt should have. The marking is advantageously a Barcode that enables automatic recognition.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung werden die Abmessungen der Substrate automatisch festge­ stellt und die Hubgeschwindigkeit bzw. die Hubhöhe auto­ matisch eingestellt, um eine vollständige Automatisierung der Vorrichtung und dadurch die Einsparung von Bedie­ nungspersonal zu gewährleisten und Fehlbedienungen zu vermeiden.According to a preferred embodiment of the invention the dimensions of the substrates are automatically determined sets and the lifting speed or lifting height auto matically set to full automation the device and thereby the saving of operator guarantee personnel and incorrect operation avoid.

Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird ferner durch ein Verfahren gelöst, bei dem die Hubgeschwindig­ keit und/oder Hubhöhe in Abhängigkeit von den Abmessungen der Substrate verändert wird.The object underlying the invention is furthermore solved by a method in which the lifting speed speed and / or lifting height depending on the dimensions the substrates are changed.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines bevorzugten Ausführungsbeispiels unter Bezugnahme auf eine einzige Schemazeichnung, die eine schematische Vorrichtung zum Behandeln von Substraten darstellt, beschrieben.The invention is based on a preferred Embodiment with reference to a single Schematic drawing showing a schematic device for Treating substrates is described.

Die Vorrichtung 1 weist ein Becken 3 mit einem halbkreis­ förmigen Boden 5 sowie daran anschließenden Seitenwänden 6 und 7 auf. Am Boden 5 ist ein Zu- und/oder Ablauf 9 ausgebildet, über den ein Behandlungsfluid 10 zu- bzw. abgeführt werden kann.The device 1 has a basin 3 with a semicircular bottom 5 and adjoining side walls 6 and 7 . At the bottom 5 , an inlet and / or outlet 9 is formed, via which a treatment fluid 10 can be supplied or removed.

An den Seitenwänden 6 und 7 befindet sich jeweils ein L-förmiger Flansch 12 bzw. 13. An dem Flansch 13 ist ein Ablauf 15 für die über die Seitenwände 6, 7 des Beckens 3 fließende Behandlungsflüssigkeit 10 ausgebildet.There is an L-shaped flange 12 and 13 on each of the side walls 6 and 7 . A drain 15 for the treatment liquid 10 flowing over the side walls 6 , 7 of the basin 3 is formed on the flange 13 .

Innerhalb des Beckens 3 befindet sich eine Anheb- bzw. Absenkvorrichtung 20, für einen Substratträger 30 sowie ein messerartiges Element 25 zum Anheben der Wafer, das nachfolgend einfach als Messer 25 bezeichnet wird.Inside the basin 3 there is a lifting or lowering device 20 for a substrate carrier 30 and a knife-like element 25 for lifting the wafers, which is simply referred to below as a knife 25 .

Eine derartige Anheb- und Absenkvorrichtung ist beispielsweise in der, auf dieselbe Anmelderin zurück­ gehenden, nicht vorveröffentlichten DE-A-197 37 802 beschrieben. Um Wiederholungen zu vermeiden wird der Inhalt der DE-A-197 37 802 zum Gegenstand dieser Anmel­ dung gemacht.Such a lifting and lowering device is for example in the, to the same applicant going unpublished DE-A-197 37 802 described. To avoid repetitions, the Content of DE-A-197 37 802 on the subject of this application made.

In einem Substratträger 30 sind in Blickrichtung hinter­ einander mehrere Wafer 32 (von denen nur einer in der Figur zu sehen ist) aufgenommen. Der Substratträger 30 wird durch die Anheb- und Absenkvorrichtung 20 getragen und wird durch diese in dem Becken auf und ab bewegt. Das Messer 25 steht in Kontakt mit dem untersten Punkt der in dem Substratträger 30 aufgenommenen Wafer 32 und dient dazu, auf die in der DE-A-197 37 802 beschriebene Art, die Wafer 32 aus dem Substratträger 30 heraus und in eine nachfolgend beschriebene Haube 35 hinein zu bewegen.A plurality of wafers 32 (only one of which can be seen in the figure) are received in succession in a substrate carrier 30 in the viewing direction. The substrate carrier 30 is carried by the lifting and lowering device 20 and is moved up and down by this in the basin. The knife 25 is in contact with the lowest point of the wafers 32 accommodated in the substrate carrier 30 and serves, in the manner described in DE-A-197 37 802, the wafers 32 out of the substrate carrier 30 and into a hood described below 35 to move into it.

Oberhalb des Beckens 3 befindet sich die Haube 35 mit seitlichen Führungen 36 in ihrem Innenraum zur Aufnahme der Wafer 32. Wie die Wafer in der Haube 35 aufgenommen sind, ist durch einen gestrichelten Wafer 32' in der Figur dargestellt. An der Haube 35 ist eine Zuführung 37 für IPA ein Gas oder ein Gasgemisch vorgesehen, das für die Trocknung der Wafer 32 gemäß dem aus der obengenann­ ten EP-B-0 385 536 bekannten Marangoni-Verfahren vorgese­ hen ist.Above the basin 3 there is the hood 35 with lateral guides 36 in its interior for receiving the wafers 32 . How the wafers are accommodated in the hood 35 is shown in the figure by a dashed wafer 32 '. On the hood 35 , a feed 37 for IPA, a gas or a gas mixture is provided, which is hen for the drying of the wafers 32 according to the Marangoni method known from the above-mentioned EP-B-0 385 536 method.

Die in der Figur dargestellte Haube 35 besitzt Innenab­ messungen, die für die Aufnahme von Wafern 32 mit bestimmten Abmessungen geeignet sind. Zur Aufnahme von Wafern 32 mit anderen Abmessungen, sind unterschiedliche, nicht dargestellte Hauben vorgesehen, die jeweils derart ausgebildet sind, daß sie auf das Becken 3 passen.The hood 35 shown in the figure has internal dimensions which are suitable for receiving wafers 32 with certain dimensions. To accommodate wafers 32 with different dimensions, different hoods, not shown, are provided, each of which is designed such that they fit on the basin 3 .

Auf der Außenseite der Haube 35 ist ein Strichcode 40 vorgesehen, der zur Identifizierung der Innenabmessungen der Haube 35 und somit indirekt zur Identifizierung der Abmessungen der darin aufnehmbaren Wafer und damit der Wafer selbst dient.A bar code 40 is provided on the outside of the hood 35 , which serves to identify the internal dimensions of the hood 35 and thus indirectly to identify the dimensions of the wafers that can be accommodated therein and thus the wafer itself.

Eine Steuervorrichtung 45 dient zur Steuerung der Anheb- und Absenkvorrichtung 20 und ist mit ihr über eine Leitung 46 verbunden. Ferner ist ein Strichcodeleser 48 zum Lesen des auf der Haube 35 befindlichen Strichcodes 40 vorgesehen.A control device 45 serves to control the lifting and lowering device 20 and is connected to it via a line 46 . Furthermore, a bar code reader 48 is provided for reading the bar code 40 located on the hood 35 .

Der Strichcodeleser 48 ist über eine Leitung 50 mit der Steuervorrichtung 45 verbunden, um ihr den Haubentyp und damit indirekt die Abmessungen der Wafer 32 mitzuteilen. Die Steuervorrichtung 45 steuert dann anhand dieser Information die Anheb- und Absenkvorrichtung 20.The bar code reader 48 is connected to the control device 45 via a line 50 in order to inform it of the hood type and thus indirectly the dimensions of the wafers 32 . The control device 45 then controls the lifting and lowering device 20 on the basis of this information.

Während des Betriebs der Vorrichtung werden Wafer 32 mit unterschiedlichen Abmessungen mit unterschiedlichen Hauben 35 zum und vom Becken 3 transportiert. Während sich die jeweilige Haube 35 mit Wafern einer bestimmten Abmessung oder eines bestimmten Durchmessers über dem Becken 3 befindet, wird der Strichcodeleser 48 aktiviert, um den Strichcode zu lesen und die Information bezüglich der Abmessungen der Substrate über die Leitung 50 an die Steuervorrichtung 45 weiterzuleiten.During operation of the device, wafers 32 with different dimensions are transported to and from the basin 3 with different hoods 35 . While the respective hood 35 with wafers of a certain dimension or a certain diameter is located above the basin 3 , the bar code reader 48 is activated in order to read the bar code and to forward the information regarding the dimensions of the substrates to the control device 45 via the line 50 .

In Abhängigkeit von der Information über die Abmessungen der Wafer steuert die Steuervorrichtung die Anheb- und Absenkvorrichtung 20, um die Wafer 32 in das Becken 3 ab­ zusenken. Zu diesem Zeitpunkt ist das Becken 3 in der Regel mit Behandlungsfluid 10 gefüllt.Depending on the information about the dimensions of the wafers, the control device controls the lifting and lowering device 20 in order to lower the wafers 32 into the basin 3 . At this time, the basin 3 is usually filled with treatment fluid 10 .

Gemäß einer Ausführung der vorliegenden Erfindung werden die Wafer 32 nur so weit in das Behandlungsfluid 10 abge­ senkt, bis sie vollständig von dem Behandlungsfluid 10 bedeckt sind. Das heißt, bei Wafern 32 mit kleinem Durchmesser wird die Anheb- und Absenkvorrichtung 20 nicht so weit angesenkt wie bei Wafern 32 mit einem grö­ ßeren Durchmesser. Dadurch ergibt sich eine Zeitersparnis beim Einbringen der Wafer 32 in das Becken 3. Wenn sich die Wafer 32 in dem Behandlungsfluid befinden, wird der Behandlungsvorgang gestartet, beispielsweise indem über nicht dargestellte Düsen unter Druck Behandlungsfluid 10 in das Becken 3 eingeleitet wird, um die Wafer 32 zu spü­ len.According to an embodiment of the present invention, the wafers 32 are lowered into the treatment fluid 10 only until they are completely covered by the treatment fluid 10 . That is, with wafers 32 with a small diameter, the lifting and lowering device 20 is not lowered as much as with wafers 32 with a larger diameter. This saves time when the wafers 32 are introduced into the basin 3 . If the wafers 32 are in the treatment fluid, the treatment process is started, for example by introducing treatment fluid 10 into the basin 3 under pressure via nozzles (not shown ) in order to rinse the wafers 32 .

Nach der Behandlung hebt die Anheb- und Absenkvorrichtung 20 die Wafer 32 aus dem Becken 3 heraus, wobei die Herausbewegung des Wafers 32 aus dem Behandlungsfluid 10 langsam und kontinuierlich erfolgt, während über die Haube 35 ein Gas oder Gasgemisch zugeführt wird, um die Wafer gemäß dem Marangoni-Verfahren zu trocknen. Da die Anheb- und Absenkvorrichtung 20 die Wafer 32 nur so weit abge­ senkt hat, bis sie vollständig von dem Behandlungsfluid bedeckt sind, erfolgt das Anheben der Wafer 32 von Anfang an kontinuierlich und gleichmäßig, da die Wafer 32 bereits kurz nach Beginn des Anhebens mit ihrer Oberkante aus dem Behandlungsfluid 10 austreten, d. h. die Fluidoberfläche durchstoßen. Da Wafer 32 mit kleinerem Durchmesser nicht so weit abgesenkt werden, wie Wafer mit größeren Durch­ messern, ergibt sich auch beim Herausheben der Wafer 32 aus dem Becken 3 eine Zeitersparnis, so daß die Behand­ lungszeit verringert und die Produktivität erhöht wird.After the treatment, the lifting and lowering device 20 lifts the wafers 32 out of the basin 3 , the movement of the wafers 32 out of the treatment fluid 10 taking place slowly and continuously, while a gas or gas mixture is supplied via the hood 35 in accordance with the wafers to dry using the Marangoni process. Since the lifting and lowering device 20 has the wafer 32 only so far abge lowers until they are completely covered by the treatment fluid, raising the wafer 32 is carried out from the beginning continuously and uniformly because the wafer 32 shortly after the start of raising with emerge from the upper edge of the treatment fluid 10 , ie penetrate the fluid surface. Since wafers 32 with a smaller diameter are not lowered as much as wafers with larger diameters, there is also a time saving when the wafers 32 are lifted out of the basin 3 , so that the treatment time is reduced and productivity is increased.

Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung werden alle Wafer unabhängig von deren Abmessungen bis zu einem tiefsten festgelegten Punkt in dem Becken 3 abgesenkt. Diese Vorgehensweise hat insofern Vorteile, als die zuvor genannten, nicht dargestellten Düsen, mit denen die Be­ handlungsflüssigkeit eingeleitet wird, derart eingestellt sind, daß sie eine optimale Wirkung erzeugen, wenn sich die Anheb- und Absenkvorrichtung 20 in einer bestimmten Position befindet. Ferner ergibt sich der Vorteil, daß nur ein Referenzpunkt, am tiefsten festgelegten Punkt in dem Becken 3 benötigt wird. Dieser Referenzpunkt wird als Anlagennullstellung genutzt, die anzeigt, daß z. B. die Haube 35 oberhalb des Beckens 3 frei bewegt werden kann, ohne die in dem Becken 3 aufgenommenen Wafer 32 zu gefährden, und zwar unabhängig von der Wafergröße.According to a further embodiment of the invention, all wafers, regardless of their dimensions, are lowered to a lowest fixed point in the basin 3 . This procedure has advantages in that the aforementioned, not shown nozzles, with which the treatment liquid is introduced, are set such that they produce an optimal effect when the lifting and lowering device 20 is in a certain position. There is also the advantage that only one reference point, at the lowest fixed point in the basin 3 , is required. This reference point is used as the system zero, which indicates that, for. B. the hood 35 above the basin 3 can be moved freely without endangering the wafer 32 received in the basin 3 , regardless of the wafer size.

Bei dieser Absenkung zu einem festgelegten Punkt entsteht oberhalb der Wafer 32 mit kleinerem Durchmesser ein rela­ tiv großer, mit Behandlungsfluid 10 gefüllter Raum. Beim Herausheben können die Wafer 32 dann, solange sie voll­ ständig von dem Behandlungsfluid bedeckt sind, mit einer höheren Geschwindigkeit angehoben werden als beim nach­ folgenden Herausbewegen der Wafer 32 aus dem Behandlungs­ fluid 10, da nur während dieses Teils der Anhebbewegung eine langsame und kontinuierliche Bewegung für eine gleichmäßige Trocknung der Wafer 32 gemäß dem Marangoni- Verfahren notwendig ist. Da Wafer 32 mit kleinerem Durch­ messer zunächst schneller angehoben werden können, ergibt sich wiederum eine Zeitersparnis, wodurch sich eine Optimierung der Vorrichtung ergibt.With this lowering to a fixed point, a relatively large space filled with treatment fluid 10 is formed above the wafer 32 with a smaller diameter. When lifting out, the wafers 32 can then, as long as they are completely covered by the treatment fluid, be raised at a higher speed than when the wafers 32 are subsequently moved out of the treatment fluid 10 , since only during this part of the lifting movement is a slow and continuous movement is necessary for uniform drying of the wafers 32 in accordance with the Marangoni process. Since wafers 32 with a smaller diameter can initially be lifted faster, this again saves time, which results in an optimization of the device.

Wie schon oben genannt, erfolgt die Steuerung der Anheb- und Absenkvorrichtung 20 über die Steuervorrichtung 45, die über den Strichcodeleser 48 mit Information bezüglich der Abmessungen der Wafer versorgt wird.As already mentioned above, the lifting and lowering device 20 is controlled via the control device 45 , which is supplied with information regarding the dimensions of the wafers via the bar code reader 48 .

Die Erfindung wurde zuvor anhand eines bevorzugten Aus­ führungsbeispiels erläutert. Dem Fachmann sind jedoch zahlreiche Abwandlungen und Ausgestaltungen möglich ohne daß dadurch der Erfindungsgedanke verlassen wird. Insbe­ sondere sind andere Formen der Anheb- und Absenkvorrich­ tung 20 sowie andere Formen des dargestellten Beckens 3 einsetzbar. Ferner können die Abmessungen der Wafer 32 direkt durch einen, z. B. im Becken 3 befindlichen Sensor abgefühlt werden, statt vom Strichcode 40 an der Haube 35 abgeleitet zu werden. Auch sind andere Markierungen als der beispielhafte Strichcode 40 an der Haube 35 verwen­ dbar, um die Abmessungen der darin aufgenommenen Wafer zu kennzeichnen. Ferner können auch andere Arten von Hauben, z. B. solche, die die Wafer gemeinsam mit einem Substrat­ träger aufnehmen, verwendet werden.The invention was explained above using a preferred exemplary embodiment. However, numerous modifications and refinements are possible for the person skilled in the art without departing from the inventive idea. In particular, special forms of lifting and lowering device 20 and other forms of the basin 3 shown can be used. Furthermore, the dimensions of the wafers 32 can be determined directly by a z. B. in the basin 3 sensor can be sensed instead of being derived from the bar code 40 on the hood 35 . Markings other than the exemplary bar code 40 on the hood 35 can also be used to identify the dimensions of the wafers accommodated therein. Furthermore, other types of hoods, e.g. B. those that receive the wafer carrier together with a substrate can be used.

Claims (19)

1. Vorrichtung zur Behandlung von Substraten (32) in einem ein Behandlungsfluid (10) enthaltenden Becken (3), mit einer Absenk- und Anhebeinrichtung (20) für die Substrate (32), dadurch gekennzeichnet, daß die Hubgeschwindigkeit der Absenk- und Anhebeinrichtung (20) in Abhängigkeit von den Abmessungen der Substrate (32) veränderbar ist.1. Device for the treatment of substrates ( 32 ) in a treatment fluid ( 10 ) containing basin ( 3 ) with a lowering and lifting device ( 20 ) for the substrates ( 32 ), characterized in that the lifting speed of the lowering and lifting device ( 20 ) depending on the dimensions of the substrates ( 32 ) can be changed. 2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrate (32), solange sie vollständig von dem Behandlungsfluid (10) bedeckt sind, mit einer höheren Geschwindigkeit anhebbar sind als beim nach­ folgenden Herausbewegen der Substrate (32) aus dem Behandlungsfluid (10).2. Device according to claim 1, characterized in that the substrates ( 32 ), as long as they are completely covered by the treatment fluid ( 10 ), can be raised at a higher speed than when the substrates ( 32 ) are subsequently moved out of the treatment fluid ( 10 ). 3. Vorrichtung zur Behandlung von Substraten (32) in einem ein Behandlungsfluid (10) enthaltenden Becken (3), mit einer Absenk- und Anhebeinrichtung (20) für die Substrate (32), dadurch gekennzeichnet, daß die Hubhöhe der Absenk- und Anhebeinrichtung (20) in Abhängigkeit von den Abmessungen der Substrate (32) veränderbar ist.3. Device for treating substrates ( 32 ) in a treatment fluid ( 10 ) containing basin ( 3 ), with a lowering and lifting device ( 20 ) for the substrates ( 32 ), characterized in that the lifting height of the lowering and lifting device ( 20 ) depending on the dimensions of the substrates ( 32 ) can be changed. 4. Vorrichtung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Hubhöhe derart veränderbar ist, daß die Substrate (32) im abgesenkten Zustand immer voll­ ständig von dem Behandlungsfluid (10) bedeckt sind.4. The device according to claim 3, characterized in that the lifting height can be changed such that the substrates ( 32 ) in the lowered state are always fully covered by the treatment fluid ( 10 ). 5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch wenigstens einen Sensor zum Ermitteln der Substratabmessungen. 5. Device according to one of the preceding claims, characterized by at least one sensor for Determine the substrate dimensions.   6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch mindestens eine Haube (35) zur Aufnahme der Substrate (32).6. Device according to one of the preceding claims, characterized by at least one hood ( 35 ) for receiving the substrates ( 32 ). 7. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß unterschiedliche Hauben (35) für Substrate (32) mit unterschiedlichen Abmessungen vorgesehen sind.7. Device according to one of the preceding claims, characterized in that different hoods ( 35 ) for substrates ( 32 ) are provided with different dimensions. 8. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Hauben (35) bezüg­ lich ihrer Verwendung für Substrate (32) mit unter­ schiedlichen Abmessungen markiert sind.8. Device according to one of the preceding claims, characterized in that the hoods ( 35 ) are marked with reference to their use for substrates ( 32 ) with under different dimensions. 9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Markierung ein Strichcode (40) ist.9. The device according to claim 8, characterized in that the marking is a bar code ( 40 ). 10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß Mittel (48; 45) zur au­ tomatischen Erkennung der Substratabmessungen und zur Einstellung der Hubgeschwindigkeit vorgesehen sind.10. Device according to one of the preceding claims, characterized in that means ( 48 ; 45 ) for the automatic detection of the substrate dimensions and for adjusting the lifting speed are provided. 11. Verfahren zum Behandeln von Substraten (32) in einem ein Behandlungsfluid (10) enthaltenden Becken (3), bei dem die Substrate (32) zur Behandlung in das Behandlungsfluid (10) abgesenkt und angehoben wer­ den, dadurch gekennzeichnet, daß die Hubgeschwindigkeit in Abhängigkeit von den Abmessungen der Substrate (32) verändert wird.11. A method for treating substrates ( 32 ) in a treatment fluid ( 10 ) containing basin ( 3 ), in which the substrates ( 32 ) for treatment in the treatment fluid ( 10 ) are lowered and raised, characterized in that the lifting speed is changed depending on the dimensions of the substrates ( 32 ). 12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrate (32), solange sie vollständig von dem Behandlungsfluid (10) bedeckt sind, mit einer höheren Geschwindigkeit angehoben werden als beim nachfolgenden Herausbewegen der Substrate (32) aus dem Behandlungsfluid (10). 12. The method according to claim 11, characterized in that the substrates ( 32 ), as long as they are completely covered by the treatment fluid ( 10 ), are raised at a higher speed than when subsequently moving the substrates ( 32 ) out of the treatment fluid ( 10 ) . 13. Verfahren zum Behandeln von Substraten (32) in einem ein Behandlungsfluid (10) enthaltenden Becken (3), bei dem die Substrate (32) zur Behandlung in das Behandlungsfluid (10) abgesenkt und angehoben wer­ den, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrate (32) in Abhängigkeit von ihren Abmessungen unterschied­ lich tief in das Behandlungsfluid (10) abgesenkt werden.13. A method for treating substrates ( 32 ) in a treatment fluid ( 10 ) containing basin ( 3 ), in which the substrates ( 32 ) for treatment in the treatment fluid ( 10 ) are lowered and raised, characterized in that the substrates ( 32 ), depending on their dimensions, can be lowered differently into the treatment fluid ( 10 ). 14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Substrate (32) nur soweit in das Behandlungsfluid (10) abgesenkt werden bis sie voll­ ständig von dem Behandlungsfluid (10) bedeckt sind.14. The method according to claim 13, characterized in that the substrates ( 32 ) are only lowered so far into the treatment fluid ( 10 ) until they are completely covered by the treatment fluid ( 10 ). 15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, da­ durch gekennzeichnet, daß die Abmessungen der Substrate (32) mittels eines Sensors abgefühlt wer­ den.15. The method according to any one of claims 11 to 14, characterized in that the dimensions of the substrates ( 32 ) are sensed by means of a sensor who the. 16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, da­ durch gekennzeichnet, daß die Substrate (32) durch mindestens eine über dem Becken befindliche Haube (35) aufgenommen werden.16. The method according to any one of claims 11 to 15, characterized in that the substrates ( 32 ) are received by at least one hood ( 35 ) located above the basin. 17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Hauben (35) bezüglich ihrer Verwendung für Substrate (32) mit unterschiedlichen Abmessungen markiert werden.17. The method according to claim 16, characterized in that the hoods ( 35 ) are marked with respect to their use for substrates ( 32 ) with different dimensions. 18. Verfahren nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die Markierung ein Strichcode (40) ist.18. The method according to claim 17, characterized in that the marking is a bar code ( 40 ). 19. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 18, da­ durch gekennzeichnet, daß die Abmessungen der Substrate (32) automatisch festgestellt werden, und daß die Hubgeschwindigkeit und/oder die Hubhöhe automatisch eingestellt wird.19. The method according to any one of claims 11 to 18, characterized in that the dimensions of the substrates ( 32 ) are automatically determined, and that the lifting speed and / or the lifting height is set automatically.
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