DE19726077A1 - Speicherzellenstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents

Speicherzellenstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff und Verfahren zu deren Herstellung

Info

Publication number
DE19726077A1
DE19726077A1 DE19726077A DE19726077A DE19726077A1 DE 19726077 A1 DE19726077 A1 DE 19726077A1 DE 19726077 A DE19726077 A DE 19726077A DE 19726077 A DE19726077 A DE 19726077A DE 19726077 A1 DE19726077 A1 DE 19726077A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
memory cell
cell structure
magnetic
conductor
random access
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19726077A
Other languages
English (en)
Inventor
Eugene Chen
Saied N Tehrani
Herbert Goronkin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Everspin Technologies Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of DE19726077A1 publication Critical patent/DE19726077A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/02Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
    • G11C11/14Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using thin-film elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B61/00Magnetic memory devices, e.g. magnetoresistive RAM [MRAM] devices
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N50/00Galvanomagnetic devices
    • H10N50/10Magnetoresistive devices

Description

GEBIET DER ERFINDUNG
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Speicherzell­ struktur mit wahlfreiem Zugriff in einem magnetischen Spei­ cher mit wahlfreiem Zugriff und deren Herstellungsverfahren und insbesondere auf eine Speicherzellstruktur mit mehrfacher Verwendung desselben Wortstroms auf einem Teil eines Riesen­ magnetwiderstandsspeicherelements und deren Herstellungsver­ fahren.
HINTERGRUND DER ERFINDUNG
Ein magnetischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff (MRAM) ist ein nichtflüchtiger Speicher, der im Grunde einen Teil eines Riesenmagnetwiderstands-(GMR)-Materials als Speicherelement, eine Meßleitung und eine Wortleitung verwendet. Der MRAM verwendet eine Magnetvektorrichtung in einem GMR-Teil, um Speicherzustände zu speichern, und den GMR-Effekt für ein Auslesen des Speichers. Magnetvektoren im GMR-Material werden sehr schnell von einer Richtung in eine entgegengesetzte Richtung geschaltet, wenn ein Magnetfeld, das einen gewissen Schwellwert überschreitet, auf den GMR-Materialteil angewandt wird. Gemäß der Richtung der Magnetvektoren im GMR-Material werden Zustände gespeichert, wobei beispielsweise eine Rich­ tung als logisch "0" und die andere Richtung als logisch "1" definiert werden kann. Das GMR-Material hält diese Zustände aufrecht, sogar ohne daß ein Magnetfeld angelegt wird. Die im GMR-Material gespeicherten Zustände können durch eine Meßlei­ tung gelesen werden, die die GMR-Teile in Serie verbindet. Das heißt, die verschiedenen Magnetvektorrichtungen im GMR-Material verursachen eine unterschiedliche Spannungsausgabe in der Meßleitung durch einen unterschiedlichen Widerstand des GMR-Teils, verursacht durch die Richtung der Magnetvekto­ ren.
Eine Wortleitung ist typischerweise eine einfache Metallei­ tung, die oben oder unten auf dem GMR-Material angeordnet ist. Um die Zustände im GMR-Material-Teil zu wechseln, wird ein Wortstrom von mehr als 10 mA in einem MRAM hoher Dichte benötigt. Dieser Strom verbraucht viel Energie und verhin­ dert, daß ein MRAM ein starker Kandidat für tragbare Anwen­ dungen wird.
Somit besteht ein Bedürfnis nach einer Speicherzellstruktur mit einem verminderten Wortstrom und ein Verfahren zur Her­ stellung der Speicherzellstruktur.
ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
Diese und andere Bedürfnisse werden im wesentlichen durch das Bereitstellen einer Speicherzellstruktur in einem magneti­ schen Speicher mit wahlfreiem Zugriff geschaffen, der einen Teil eines Riesenmagnetwiderstandsmaterials umfaßt und einen Leiter (Wortleitung), der ein erstes Bein auf einer Seite des Teiles, ein zweites Bein auf einer anderen Seite des Teiles und eine Verbindungsschleife hat für das Anlegen von das Magnetfeld nutzenden Strömen an den GMR-Material-Teil. Es gibt dielektrische Schichten, die den Leiter und den GMR-Material-Teil trennen.
KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
Fig. 1 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische Ansicht, die eine Speicherzellstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 2 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische Ansicht, die eine andere Speicherzellstruktur gemäß der vor­ liegenden Erfindung zeigt.
Fig. 3 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische Ansicht, die eine andere Speicherzellstruktur zeigt, die eine Vielzahl von Teilen eines GMR-Materials aufweist, in Überein­ stimmung mit der vorliegenden Erfindung.
Fig. 4 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische Ansicht, die eine andere Speicherzellstruktur mit Flußkonzen­ tratoren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 5 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische Ansicht, die nochmals eine andere Speicherzellstruktur mit Flußkonzentratoren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 6 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische Ansicht, die eine Speicherzellstruktur zeigt, die einen ein­ zelnen Flußkonzentrator hat, um den die Wortleitung herum­ gewunden ist, gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 7 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische Ansicht, die eine Speicherzellstruktur hat, die eine Vielzahl von Flußkonzentratoren hat, um die Wortleitung herumgewunden ist, gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 8-11 sind vereinfachte und vergrößerte perspektivi­ sche Ansichten, die mehrere sequentielle Schritte eines Ver­ fahrens zur Herstellung einer Speicherzellstruktur, die die vorliegende Erfindung umfaßt, zeigen.
GENAUE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜRUNGSFORMEN
Fig. 1 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische Ansicht, die eine Speicherzellstruktur gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt. Eine Speicherzellstruktur 10 umfaßt einen Teil eines magnetischen Materials 11, insbesondere Riesenma­ gnetwiderstands-(GMR)-Material, und eine Wortleitung 12, die Beine 12a, 12b und eine Schleife 12c hat. Die Speicherzell­ struktur 10 ist mit einem dielektrischen Material bedeckt, das in Fig. 1 nicht gezeigt ist. Teile des GMR-Materials 11 können Magnetschichten, wie beispielsweise Nickel oder Eisen oder Kobalt oder Legierungen davon sein, die durch eine nichtmagnetische Zwischenschicht, wie Cu getrennt sind. Ein Teil des GMR-Materials 11 hat typischerweise eine Länge von 1,25 µm, eine Breite von 0,25 µm und eine Dicke von 100 Ang­ ström. Die Wortleitung 12 ist eine kontinuierliche Leiterlei­ tung, wie beispielsweise Alluminium oder Kupfer oder Legie­ rungen daraus oder Wolfram, wobei jeder Teil davon in ver­ schiedenen Schritten hergestellt werden kann, wie das nachher erläutert wird. Die Wortleitung 12 ist vom Magnetwiderstands­ material 11 durch ein Isolationsmaterial isoliert.
Um die Zustände, die in einem Teil des GMR-Materials 11 ent­ halten sind, zu lesen oder zu schreiben, werden ein Wortstrom und ein Meßstrom bereitgestellt und die MRAM-Zelle, die von der Wortleitung 12 und einer (nicht gezeigten) Meßleitung gekreuzt werden, werden ausgewählt. Ein Wortstrom, der durch die Pfeile 13 und 14 dargestellt ist, erzeugt magnetische Felder 15 beziehungsweise 16. Die Magnetfelder 15 und 16 werden in Teilen des GMR-Materials 11 überlagert, so daß sich das Gesamtmagnetfeld darin auf das nahezu Zweifache erhöht, verglichen mit dem Magnetfeld in einer Magnetzelle des Stan­ des der Technik. Wenn die gleiche Stärke des Magnetfeldes in Teilen des GMR-Materials 11 benötigt wird, kann die halbe Menge des Stroms genügen, um die Zustände aus dem Teil des GMR-Materials 11 zu lesen und in ihn hineinzuschreiben, ver­ glichen mit dem Wortstrom des Standes der Technik.
Fig. 2 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische Ansicht, die eine andere Speicherzellstruktur gemäß der vor­ liegenden Erfindung zeigt. Die Teile der folgenden Zeichnun­ gen, die die gleichen Bezugszeichen wie Fig. 1 haben, sind die gleichen, wie die entsprechenden Elemente der Fig. 1.
Eine Speicherzellstruktur 20 ist als Hauptmerkmal mit einer Wortleitung 12 versehen, die sich mehr als einmal um den einzelnen Teil des GMR-Materials 11 windet. Die Speicherzell­ struktur 20 ist mit einem dielektrischen Material bedeckt, das in Fig. 2 nicht gezeigt ist. Die Stärke des Magnetfeldes im Teil des GMR-Materials 11 nimmt ungefähr im Verhältnis zur Zahl der Windungen der Wortleitung 12, in der der Wortstrom fließt, zu. Somit kann die Speicherzellstruktur 20 entspre­ chend die Menge des Stromes vermindern, der in der Wortlei­ tung 12 fließt, und somit den Leistungsverbrauch. Dies wird erzielt, indem derselbe Wortstrom um den GMR-Teil mehrere Male herumgeführt wird. Die Wortleitung 12 und die Speicher­ zelle 11 sind durch dielektrisches Material getrennt.
Fig. 3 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische Ansicht, die nochmals eine andere Speicherzellstruktur zeigt, die eine Vielzahl von Teilen von GMR-Material aufweist. Eine Speicherzellstruktur 30 hat eine Vielzahl von Teilen des GMR-Materials 11a, 11b, 11c und 11d, die die gleichen sind, wie die eine in Fig. 2 gezeigte, wobei um ein Bündel von diesen, die Wortleitung 12 gewickelt ist. Die Speicherzellstruktur 30 ist mit einem dielektrischen Material bedeckt, das in Fig. 3 nicht gezeigt ist. Fig. 3 zeigt eine Vielzahl von Teilen des GMR-Materials 11a-11d, die in derselben Ebene plaziert sind, wobei sich die Wortleitung 12 jedoch um gestapelte Teile des GMR-Materials winden kann. Magnetfelder, die durch einen Wortstrom erzeugt werden, der in der Wortleitung 12 fließt, werden überlagert, so daß die Stärke des Magnetfeldes in einem Teil des GMR-Materials 11 ungefähr proportional zur Zahl der Windungen der Wortleitung 12 zunimmt. Somit kann die Speicherzellstruktur 30 die Menge des Wortstroms vermindern, während weniger vertikale Verbindungen der Wortleitung 12 zwischen Teilen des GMR-Materials 11a-11d es leichter machen, die Speicherzellstruktur 30 herzustellen. Weiterhin kann durch weniger vertikale Verbindungen der Wortleitung 12 eine höhere Speicherzelldichte erreicht werden.
Fig. 4 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische Ansicht, die eine Zellstruktur mit Flußkonzentratoren zeigt. Eine Speicherzellstruktur 40 hat zwei Flußkonzentratoren 41 und 43, die durch dielektrische Schichten 42 und 44 auf dem Teil des GMR-Materials 11, um das jede Wortleitung 12 gewun­ den ist, getrennt sind. Die Flußkonzentratoren 41 und 43 sind aus einem magnetischen Material ausgebildet, das eine hohe Permeabilität hat, wie beispielsweise Permalloy. Der Magnet­ fluß, der durch den Wortstrom in Wortleitung 12 erzeugt wird, wird im Teil des GMR-Materials 11 durch die hohe Permeabili­ tät der Konzentratoren 41 und 43 konzentriert und verstärkt, wodurch die Flußkonzentratoren einen ebenso kleinen Wortstrom und Leistungsverbrauch ergibt. Alternativ können die Flußkon­ zentratoren 41 und 43 als Teil der Wortleitung 12 ausgebildet werden, wobei die Struktur ähnlich wie in Fig. 2 ist.
Fig. 5 ist eine vereinfachte und vergrößerte, perspektivische Ansicht, die nochmals eine andere Speicherzellstruktur mit Flußkonzentratoren zeigt. Eine Speicherzellstruktur 50 hat zwei Flußkonzentratoren 51 und 53, die durch dielektrische Schichten 52 und 54 auf einer Vielzahl von Teilen des GMR-Materials 11a-11d, um das die Wortleitung 12 herumgewunden ist, getrennt sind. Die Flußkonzentratoren 51 und 53 sind aus einem magnetischen Material geformt, das eine hohe Permeabi­ lität hat, wie beispielsweise Permalloy. Die Flußkonzentrato­ ren 51 und 53, die oben auf der Wortleitung angeordnet und mit ihr verbunden sein können, konzentrieren darin den magne­ tischen Fluß, der durch den Wortstrom erzeugt wird, der in der Wortleitung 12 fließt, und der magnetische Fluß wird in jedem Teil des GMR-Materials 11a-11d verstärkt. Somit kann die Speicherzellstruktur 50 ein höheres magnetisches Feld in Teilen des GMR-Materials 11a-11d erzielen als eine Struktur ohne Flußkonzentratoren, so daß ein weit geringerer Wortstrom erforderlich ist, um die Zustände in der Speicherzellstruktur 50 zu ändern. Darüberhinaus ergibt die Speicherzellstruktur 50 eine höhere Speicherzelldichte und ein einfacheres Her­ stellverfahren der Speicherzelle, da weniger vertikale Ver­ bindungen der Wortleitung 12 zwischen Teilen des GMR-Mate­ rials 11a-11d erforderlich sind, so wie in der Struktur der Fig. 3. Alternativ können die Flußkonzentratoren 51 und 53 als Teil der Wortleitung 12 ausgebildet sein, und die Struk­ tur ist ähnlich der Fig. 3.
Fig. 6 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische Ansicht, die eine Speicherzellstruktur zeigt, die einen ein­ zelnen Flußkonzentrator hat, der um eine Wortleitung herumge­ wunden ist. Eine Speicherzellstruktur 60 hat einen Flußkon­ zentrator 61, der um eine Wortleitung 12 gewunden ist und einen Teil des GMR-Materials 11, das zwischen beiden Enden des Flußkonzentrators 61 plaziert ist, durch Lücken zwischen dem Flußkonzentrator 61 und dem Teil des GMR-Materials 11. Der Flußkonzentrator 61 und der Teil der GMR-Materials 11 sind mit dielektrischem Material bedeckt, was in Fig. 6 nicht gezeigt ist. Der Konzentrator 61, typischerweise Permalloy, konzentriert darin den magnetischen Fluß, der durch den Wort­ strom, der in der Wortleitung 12 fließt, erzeugt wird. Die Speicherzellstruktur 60 hat als Hauptmerkmal eine Wortleitung 12, die um den Konzentrator 61 gewunden ist, und sich von der vorherigen Ausführungsform darin unterscheidet, daß sich die Wortleitung 12 um einen Teil des GMR-Materials 11 windet. Somit erfordert die Speicherzellstruktur 60 einen geringeren Wortstrom durch das konzentriertere Magnetfeld im Teil des GMR-Materials 11.
Fig. 7 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische Ansicht, die nochmals eine andere Speicherzellstruktur zeigt, die eine Vielzahl von Flußkonzentratoren hat, um die die Wortleitung gewunden ist. Eine Speicherzellstruktur 70 hat eine Vielzahl von Flußkonzentratoren 61a-61d, um die die Wortleitung 12 gewunden ist, und eine Vielzahl von Teilen des GMR-Materials 11a-11d. Die Flußkonzentratoren 61a-61d und Teile des GMR-Materials 11a-11d sind mit dielektrischen Mate­ rial bedeckt, das in Fig. 7 nicht gezeigt ist. Jeder Teil des GMR-Materials 11a-11d ist jeweils zwischen den Enden der Konzentratoren 61a-61d plaziert. Die Konzentratoren 61a-61d konzentrieren darin den magnetischen Fluß, der vom Wortstrom in der Wortleitung 12 erzeugt wird. Dann wird der magnetische Fluß zu Teilen des GMR-Materials 11a-11d geleitet, um die Zustände in einem der Teile des GMR-Materials 11a-11d, das durch eine (nicht gezeigte) Meßleitung bezeichnet wird, zu ändern. Nur die Konzentration des Wortfeldes und des Meßfel­ des können Zustände ändern. Die Speicherzellstruktur 70 ist gekennzeichnet durch eine Vielzahl von Flußkonzentratoren 61a-61d, um die die Wortleitung 12 gewickelt ist, und eine geringere vertikale Verbindung der Wortleitung 12 zwischen Teilen der Flußkonzentratoren 61a-61d, so daß die Speicher­ zellstruktur 70 den Vorteil einer leichteren Herstellung und einer höheren Speicherdichte aufweist.
Als nächstes wird ein Herstellverfahren für die MRAM-Zell­ struktur nachfolgend beschrieben. Die Fig. 8-11 sind ver­ einfachte und vergrößerte perspektivische Ansichten, die mehrere sequentielle Schritte in einem Verfahren zur Herstel­ lung einer Speicherzellstruktur zeigt, die die vorliegende Erfindung umfaßt. Bezieht man sich insbesondere auf Fig. 8, so wird eine untere Wortleitung 80 ausgebildet. Ein Substrat 81 jedes geeigneten Materials wird bereitgestellt, wobei es sich im allgemeinen um Silizium handelt, eine Siliziumdioxyd (SiO₂)- oder Siliziumnitrid (Si₃N₄)-Schicht 82 wird auf einem Siliziumsubstrat 81 aufgewachsen. Dann wird die untere Wort­ leitung 80, die aus Alluminium (AL), Kupfer (Cu) oder einer Legierung daraus (AL1-xCux) oder Wolfram (W) besteht, auf der Schicht 82 abgesetzt und in einem Muster aufgebracht, bevor eine dielektrische Schicht 83 auf die Schicht 82 und die untere Wortleitung 80 durch chemische Dampfabsetztechniken (CVD) abgelagert wird, um diese von anderen Elementen zu isolieren.
Bezieht man sich auf Fig. 9, so ist ein Teil des GMR-Materi­ als 84 über der unteren Wortleitung 80 auf der dielektrischen Schicht 83 ausgebildet. Ein Teil des GMR-Materials 84 wird durch ein Sputter-Verfahren, gefolgt von einem lithographi­ schen Maskieren und Ätzen ausgebildet. Nach Ausbildung des Teils des GMR-Materials 84 wird die dielektrische Schicht 85 durch CVD abgelagert, um die untere Wortleitung 80 und einen Teil des GMR-Materials 84 zu bedecken.
Bezieht man sich auf Fig. 10, so werden Kontaktlöcher (oder Durchgänge) 86, die die untere Wortleitung berühren, ausge­ bildet. Zuerst wird eine Ätzmaske als Muster auf der oberen Oberfläche der dielektrischen Schicht 85 unter Verwendung eine photolithographischen Technik aufgebracht. Dann werden Kon­ taktlöcher 86 vertikal zur unteren Wortleitung 80 durch eine konventionelle reaktive Ionenätztechnik geätzt. Bei diesem Ätzschritt kann jedes gebräuchliche Ätzverfahren verwendet werden, einschließlich chemisch unterstütztem Ionenstrahl­ ätzen oder dergleichen. Wenn die Kontaktlöcher 86 ausgebildet sind, und die Ätzmaske entfernt wird, wird ein leitendes Me­ tall, das beispielsweise Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) oder eine Legierung davon, oder Wolfram (W) umfaßt, in die Kon­ taktlöcher 86 gefüllt, was einen ohmschen Kontakt mit der unteren Wortleitung 80 durch eine Metallabsetzung ergibt, und es wird eine chemische und mechanische Polierung durchge­ führt, um Metall überall mit Ausnahme der Kontaktdurchgänge zu entfernen.
Bezieht man sich auf Fig. 11, so ist die obere Wortleitung 87 auf der dielektrischen Schicht 85 und den Kontaktlöchern 86 ausgebildet. Die obere Wortleitung 87, die das gleiche Metall verwendet, wie die untere Wortleitung 80, wird abgesetzt, gemustert und bildet einen ohmschen Kontakt mit dem Metall, das in die Kontaktlöcher 86 gefüllt wurde, so daß die untere Wortleitung 80 mit der oberen Wortleitung 87 in Serie über Kontaktlöcher 86 verbunden ist.
Somit wurde ein Herstellungsverfahren der typischen MRAM-Zellstruktur beschrieben. Ein Fachmann wird verstehen, daß eine MRAM-Zellstruktur mit Flußkonzentratoren durch das Hin­ zufügen von Verfahren für das Ausbilden von Flußkonzentra­ toren vor dem Absetzen der unteren Wortleitung 80 und nach dem Absetzen der oberen Wortleitung 87 hergestellt werden kann.

Claims (10)

1. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff, umfassend:
einen Teil (10) eines magnetischen Materials (11); und
einen Leiter (12), der ein erstes Bein (12a) auf einer Seite des Teils, ein zweites Bein (12b) auf der anderen Seite des Teils und eine Verbindungsschleife (12c) für das Aufbrin­ gen des Magnetfeldes auf das Teil hat.
2. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 1, weiter umfassend einen Flußkonzentrator (41, 43), der nahe dem Leiter (12) auf der entgegengesetzten Seite des Teiles des magnetischen Materials (11) angeordnet ist, für das Konzentrieren des magnetischen Flusses zum Teil des magnetischen Materials (11).
3. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 2, weiter umfassend eine dielektrische Schicht (42, 44), die zwischen den Flußkonzen­ trator (41, 43) und den Teil des magnetischen Materials (11) eingefügt ist.
4. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher (60) mit wahlfreiem Zugriff, umfassend:
einen Flußkonzentrator (61) für das Konzentrieren des magnetischen Flusses;
einen Leiter (12), der ein erstes Bein auf einer Seite des Flußkonzentrators, ein zweites Bein auf einer anderen Seite des Flußkonzentrators und eine Verbindungsschleife hat;
und
einen Teil des magnetischen Materials (11), das magne­ tisch mit dem Flußkonzentrator verbunden ist.
5. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 4, wobei der Leiter (12) weiter einen Leiterteil umfaßt, der um den Flußkonzentrator herumgewunden ist.
6. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 4, wobei der Flußkonzentra­ tor (61) weiter eine Vielzahl von Flußkonzentratoren (61a, 61b, 61c, 61d) umfaßt.
7. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff des Anspruchs 6, wobei die Vielzahl der Flußkonzentratoren (61a, 61b, 61c, 61d) auf derselben Ebene angeordnet sind.
8. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher des wahlfreien Zugriffs nach Anspruch 7, wobei der Leiter (12) ferner einen Leiterteil umfaßt, der um den Flußkonzentrator gewunden ist.
9. Verfahren zur Herstellung einer Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff, folgende Schritte umfassend:
Bereitstellen eines Substrats (81), auf dem der magneti­ sche Speicher mit wahlfreiem Zugriff ausgebildet wird;
Ausbilden einer ersten Leiterleitung (80) auf dem Substrat (81);
Ausbilden einer ersten dielektrischen Schicht (83);
Ausbilden eines Teils des magnetischen Materials (84), so daß es die erste Leiterleitung (80) kreuzt;
Absetzen einer dielektrischen Schicht (85) auf dem Substrat (81), dem Teil des magnetischen Materials (84) und der ersten Leiterleitung (80);
Herstellen von Durchgangslöchern (86) in Kontakt mit der ersten Leiterleitung (80) durch die dielektrischen Schichten (85);
Füllen eines Leitermaterials in die Durchgangslöcher (86); und
Ausbilden einer zweiter Leiterleitung (87) auf der die­ lektrischen Schicht (85), elektrisch in Verbindung mit dem Leitermaterial.
DE19726077A 1996-07-02 1997-06-19 Speicherzellenstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff und Verfahren zu deren Herstellung Withdrawn DE19726077A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/674,387 US5732016A (en) 1996-07-02 1996-07-02 Memory cell structure in a magnetic random access memory and a method for fabricating thereof

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19726077A1 true DE19726077A1 (de) 1998-01-08

Family

ID=24706389

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19726077A Withdrawn DE19726077A1 (de) 1996-07-02 1997-06-19 Speicherzellenstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff und Verfahren zu deren Herstellung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5732016A (de)
JP (1) JPH10116489A (de)
DE (1) DE19726077A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7072207B2 (en) 2001-12-21 2006-07-04 Renesas Technology Corp. Thin film magnetic memory device for writing data of a plurality of bits in parallel

Families Citing this family (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5946227A (en) * 1998-07-20 1999-08-31 Motorola, Inc. Magnetoresistive random access memory with shared word and digit lines
DE19836567C2 (de) * 1998-08-12 2000-12-07 Siemens Ag Speicherzellenanordnung mit Speicherelementen mit magnetoresistivem Effekt und Verfahren zu deren Herstellung
US6236590B1 (en) 2000-07-21 2001-05-22 Hewlett-Packard Company Optimal write conductors layout for improved performance in MRAM
US6579625B1 (en) * 2000-10-24 2003-06-17 Motorola, Inc. Magnetoelectronics element having a magnetic layer formed of multiple sub-element layers
US6798599B2 (en) 2001-01-29 2004-09-28 Seagate Technology Llc Disc storage system employing non-volatile magnetoresistive random access memory
US6358756B1 (en) 2001-02-07 2002-03-19 Micron Technology, Inc. Self-aligned, magnetoresistive random-access memory (MRAM) structure utilizing a spacer containment scheme
US6475812B2 (en) * 2001-03-09 2002-11-05 Hewlett Packard Company Method for fabricating cladding layer in top conductor
JP4731041B2 (ja) 2001-05-16 2011-07-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜磁性体記憶装置
US20030120346A1 (en) * 2001-08-07 2003-06-26 James Mercinek Patellar prosthetic arrangement and associated surgical method
US6545906B1 (en) * 2001-10-16 2003-04-08 Motorola, Inc. Method of writing to scalable magnetoresistance random access memory element
US6821907B2 (en) 2002-03-06 2004-11-23 Applied Materials Inc Etching methods for a magnetic memory cell stack
US6893893B2 (en) 2002-03-19 2005-05-17 Applied Materials Inc Method of preventing short circuits in magnetic film stacks
US20030181056A1 (en) * 2002-03-22 2003-09-25 Applied Materials, Inc. Method of etching a magnetic material film stack using a hard mask
JP4047615B2 (ja) 2002-04-03 2008-02-13 株式会社ルネサステクノロジ 磁気記憶装置
US6927073B2 (en) * 2002-05-16 2005-08-09 Nova Research, Inc. Methods of fabricating magnetoresistive memory devices
US6879512B2 (en) * 2002-05-24 2005-04-12 International Business Machines Corporation Nonvolatile memory device utilizing spin-valve-type designs and current pulses
US6891193B1 (en) * 2002-06-28 2005-05-10 Silicon Magnetic Systems MRAM field-inducing layer configuration
US7095646B2 (en) * 2002-07-17 2006-08-22 Freescale Semiconductor, Inc. Multi-state magnetoresistance random access cell with improved memory storage density
US6984585B2 (en) * 2002-08-12 2006-01-10 Applied Materials Inc Method for removal of residue from a magneto-resistive random access memory (MRAM) film stack using a sacrificial mask layer
US20040026369A1 (en) * 2002-08-12 2004-02-12 Chentsau Ying Method of etching magnetic materials
US6771533B2 (en) 2002-08-27 2004-08-03 Micron Technology, Inc. Magnetic non-volatile memory coil layout architecture and process integration scheme
US6759263B2 (en) 2002-08-29 2004-07-06 Chentsau Ying Method of patterning a layer of magnetic material
US6964928B2 (en) * 2002-08-29 2005-11-15 Chentsau Ying Method for removing residue from a magneto-resistive random access memory (MRAM) film stack using a dual mask
JP4063035B2 (ja) 2002-10-08 2008-03-19 ソニー株式会社 強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置
JP4365576B2 (ja) * 2002-11-22 2009-11-18 Tdk株式会社 磁気メモリデバイスおよび書込電流駆動回路、並びに書込電流駆動方法
CN1717743B (zh) * 2002-11-28 2014-05-14 Nxp股份有限公司 用于在磁致电阻存储器件的写操作期间改善磁场产生的方法和设备
US7126200B2 (en) * 2003-02-18 2006-10-24 Micron Technology, Inc. Integrated circuits with contemporaneously formed array electrodes and logic interconnects
JP4248911B2 (ja) * 2003-03-28 2009-04-02 Tdk株式会社 磁気メモリデバイスおよび磁気メモリデバイスの書込方法
US7020009B2 (en) * 2003-05-14 2006-03-28 Macronix International Co., Ltd. Bistable magnetic device using soft magnetic intermediary material
US6956763B2 (en) * 2003-06-27 2005-10-18 Freescale Semiconductor, Inc. MRAM element and methods for writing the MRAM element
US6967366B2 (en) * 2003-08-25 2005-11-22 Freescale Semiconductor, Inc. Magnetoresistive random access memory with reduced switching field variation
US6990012B2 (en) * 2003-10-07 2006-01-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Magnetic memory device
US20070279971A1 (en) * 2004-06-04 2007-12-06 Micron Technology, Inc. Modified pseudo-spin valve (psv) for memory applications
US7112957B2 (en) * 2004-06-16 2006-09-26 Honeywell International Inc. GMR sensor with flux concentrators
US20060102197A1 (en) * 2004-11-16 2006-05-18 Kang-Lie Chiang Post-etch treatment to remove residues
US7129098B2 (en) * 2004-11-24 2006-10-31 Freescale Semiconductor, Inc. Reduced power magnetoresistive random access memory elements
US9000760B2 (en) 2012-02-27 2015-04-07 Everspin Technologies, Inc. Apparatus and method for resetting a Z-axis sensor flux guide
US9263667B1 (en) 2014-07-25 2016-02-16 Spin Transfer Technologies, Inc. Method for manufacturing MTJ memory device
US9337412B2 (en) 2014-09-22 2016-05-10 Spin Transfer Technologies, Inc. Magnetic tunnel junction structure for MRAM device
US9747967B2 (en) 2014-09-26 2017-08-29 Intel Corporation Magnetic field-assisted memory operation
US20160188495A1 (en) * 2014-12-26 2016-06-30 Intel Corporation Event triggered erasure for data security
US10468590B2 (en) 2015-04-21 2019-11-05 Spin Memory, Inc. High annealing temperature perpendicular magnetic anisotropy structure for magnetic random access memory
US9728712B2 (en) 2015-04-21 2017-08-08 Spin Transfer Technologies, Inc. Spin transfer torque structure for MRAM devices having a spin current injection capping layer
US9853206B2 (en) 2015-06-16 2017-12-26 Spin Transfer Technologies, Inc. Precessional spin current structure for MRAM
US9773974B2 (en) 2015-07-30 2017-09-26 Spin Transfer Technologies, Inc. Polishing stop layer(s) for processing arrays of semiconductor elements
US10163479B2 (en) 2015-08-14 2018-12-25 Spin Transfer Technologies, Inc. Method and apparatus for bipolar memory write-verify
US9741926B1 (en) 2016-01-28 2017-08-22 Spin Transfer Technologies, Inc. Memory cell having magnetic tunnel junction and thermal stability enhancement layer
US10366774B2 (en) 2016-09-27 2019-07-30 Spin Memory, Inc. Device with dynamic redundancy registers
US10437491B2 (en) 2016-09-27 2019-10-08 Spin Memory, Inc. Method of processing incomplete memory operations in a memory device during a power up sequence and a power down sequence using a dynamic redundancy register
US10446210B2 (en) 2016-09-27 2019-10-15 Spin Memory, Inc. Memory instruction pipeline with a pre-read stage for a write operation for reducing power consumption in a memory device that uses dynamic redundancy registers
US11151042B2 (en) 2016-09-27 2021-10-19 Integrated Silicon Solution, (Cayman) Inc. Error cache segmentation for power reduction
US10991410B2 (en) 2016-09-27 2021-04-27 Spin Memory, Inc. Bi-polar write scheme
US10360964B2 (en) 2016-09-27 2019-07-23 Spin Memory, Inc. Method of writing contents in memory during a power up sequence using a dynamic redundancy register in a memory device
US10546625B2 (en) 2016-09-27 2020-01-28 Spin Memory, Inc. Method of optimizing write voltage based on error buffer occupancy
US10818331B2 (en) 2016-09-27 2020-10-27 Spin Memory, Inc. Multi-chip module for MRAM devices with levels of dynamic redundancy registers
US11119936B2 (en) 2016-09-27 2021-09-14 Spin Memory, Inc. Error cache system with coarse and fine segments for power optimization
US10437723B2 (en) 2016-09-27 2019-10-08 Spin Memory, Inc. Method of flushing the contents of a dynamic redundancy register to a secure storage area during a power down in a memory device
US10628316B2 (en) 2016-09-27 2020-04-21 Spin Memory, Inc. Memory device with a plurality of memory banks where each memory bank is associated with a corresponding memory instruction pipeline and a dynamic redundancy register
US10460781B2 (en) 2016-09-27 2019-10-29 Spin Memory, Inc. Memory device with a dual Y-multiplexer structure for performing two simultaneous operations on the same row of a memory bank
US11119910B2 (en) 2016-09-27 2021-09-14 Spin Memory, Inc. Heuristics for selecting subsegments for entry in and entry out operations in an error cache system with coarse and fine grain segments
US10672976B2 (en) 2017-02-28 2020-06-02 Spin Memory, Inc. Precessional spin current structure with high in-plane magnetization for MRAM
US10665777B2 (en) 2017-02-28 2020-05-26 Spin Memory, Inc. Precessional spin current structure with non-magnetic insertion layer for MRAM
US10032978B1 (en) 2017-06-27 2018-07-24 Spin Transfer Technologies, Inc. MRAM with reduced stray magnetic fields
US10481976B2 (en) 2017-10-24 2019-11-19 Spin Memory, Inc. Forcing bits as bad to widen the window between the distributions of acceptable high and low resistive bits thereby lowering the margin and increasing the speed of the sense amplifiers
US10489245B2 (en) 2017-10-24 2019-11-26 Spin Memory, Inc. Forcing stuck bits, waterfall bits, shunt bits and low TMR bits to short during testing and using on-the-fly bit failure detection and bit redundancy remapping techniques to correct them
US10529439B2 (en) 2017-10-24 2020-01-07 Spin Memory, Inc. On-the-fly bit failure detection and bit redundancy remapping techniques to correct for fixed bit defects
US10656994B2 (en) 2017-10-24 2020-05-19 Spin Memory, Inc. Over-voltage write operation of tunnel magnet-resistance (“TMR”) memory device and correcting failure bits therefrom by using on-the-fly bit failure detection and bit redundancy remapping techniques
US10679685B2 (en) 2017-12-27 2020-06-09 Spin Memory, Inc. Shared bit line array architecture for magnetoresistive memory
US10891997B2 (en) 2017-12-28 2021-01-12 Spin Memory, Inc. Memory array with horizontal source line and a virtual source line
US10395711B2 (en) 2017-12-28 2019-08-27 Spin Memory, Inc. Perpendicular source and bit lines for an MRAM array
US10424726B2 (en) 2017-12-28 2019-09-24 Spin Memory, Inc. Process for improving photoresist pillar adhesion during MRAM fabrication
US10811594B2 (en) 2017-12-28 2020-10-20 Spin Memory, Inc. Process for hard mask development for MRAM pillar formation using photolithography
US10395712B2 (en) 2017-12-28 2019-08-27 Spin Memory, Inc. Memory array with horizontal source line and sacrificial bitline per virtual source
US10516094B2 (en) 2017-12-28 2019-12-24 Spin Memory, Inc. Process for creating dense pillars using multiple exposures for MRAM fabrication
US10360962B1 (en) 2017-12-28 2019-07-23 Spin Memory, Inc. Memory array with individually trimmable sense amplifiers
US10546624B2 (en) 2017-12-29 2020-01-28 Spin Memory, Inc. Multi-port random access memory
US10424723B2 (en) 2017-12-29 2019-09-24 Spin Memory, Inc. Magnetic tunnel junction devices including an optimization layer
US10886330B2 (en) 2017-12-29 2021-01-05 Spin Memory, Inc. Memory device having overlapping magnetic tunnel junctions in compliance with a reference pitch
US10270027B1 (en) 2017-12-29 2019-04-23 Spin Memory, Inc. Self-generating AC current assist in orthogonal STT-MRAM
US10840436B2 (en) 2017-12-29 2020-11-17 Spin Memory, Inc. Perpendicular magnetic anisotropy interface tunnel junction devices and methods of manufacture
US10360961B1 (en) 2017-12-29 2019-07-23 Spin Memory, Inc. AC current pre-charge write-assist in orthogonal STT-MRAM
US10199083B1 (en) 2017-12-29 2019-02-05 Spin Transfer Technologies, Inc. Three-terminal MRAM with ac write-assist for low read disturb
US10367139B2 (en) 2017-12-29 2019-07-30 Spin Memory, Inc. Methods of manufacturing magnetic tunnel junction devices
US10236047B1 (en) 2017-12-29 2019-03-19 Spin Memory, Inc. Shared oscillator (STNO) for MRAM array write-assist in orthogonal STT-MRAM
US10236048B1 (en) 2017-12-29 2019-03-19 Spin Memory, Inc. AC current write-assist in orthogonal STT-MRAM
US10840439B2 (en) 2017-12-29 2020-11-17 Spin Memory, Inc. Magnetic tunnel junction (MTJ) fabrication methods and systems
US10784439B2 (en) 2017-12-29 2020-09-22 Spin Memory, Inc. Precessional spin current magnetic tunnel junction devices and methods of manufacture
US10319900B1 (en) 2017-12-30 2019-06-11 Spin Memory, Inc. Perpendicular magnetic tunnel junction device with precessional spin current layer having a modulated moment density
US10339993B1 (en) 2017-12-30 2019-07-02 Spin Memory, Inc. Perpendicular magnetic tunnel junction device with skyrmionic assist layers for free layer switching
US10141499B1 (en) 2017-12-30 2018-11-27 Spin Transfer Technologies, Inc. Perpendicular magnetic tunnel junction device with offset precessional spin current layer
US10229724B1 (en) 2017-12-30 2019-03-12 Spin Memory, Inc. Microwave write-assist in series-interconnected orthogonal STT-MRAM devices
US10236439B1 (en) 2017-12-30 2019-03-19 Spin Memory, Inc. Switching and stability control for perpendicular magnetic tunnel junction device
US10255962B1 (en) 2017-12-30 2019-04-09 Spin Memory, Inc. Microwave write-assist in orthogonal STT-MRAM
US10468588B2 (en) 2018-01-05 2019-11-05 Spin Memory, Inc. Perpendicular magnetic tunnel junction device with skyrmionic enhancement layers for the precessional spin current magnetic layer
US10438996B2 (en) 2018-01-08 2019-10-08 Spin Memory, Inc. Methods of fabricating magnetic tunnel junctions integrated with selectors
US10438995B2 (en) 2018-01-08 2019-10-08 Spin Memory, Inc. Devices including magnetic tunnel junctions integrated with selectors
US10388861B1 (en) 2018-03-08 2019-08-20 Spin Memory, Inc. Magnetic tunnel junction wafer adaptor used in magnetic annealing furnace and method of using the same
US10446744B2 (en) 2018-03-08 2019-10-15 Spin Memory, Inc. Magnetic tunnel junction wafer adaptor used in magnetic annealing furnace and method of using the same
US11107978B2 (en) 2018-03-23 2021-08-31 Spin Memory, Inc. Methods of manufacturing three-dimensional arrays with MTJ devices including a free magnetic trench layer and a planar reference magnetic layer
US10529915B2 (en) 2018-03-23 2020-01-07 Spin Memory, Inc. Bit line structures for three-dimensional arrays with magnetic tunnel junction devices including an annular free magnetic layer and a planar reference magnetic layer
US10784437B2 (en) 2018-03-23 2020-09-22 Spin Memory, Inc. Three-dimensional arrays with MTJ devices including a free magnetic trench layer and a planar reference magnetic layer
US11107974B2 (en) 2018-03-23 2021-08-31 Spin Memory, Inc. Magnetic tunnel junction devices including a free magnetic trench layer and a planar reference magnetic layer
US10411185B1 (en) 2018-05-30 2019-09-10 Spin Memory, Inc. Process for creating a high density magnetic tunnel junction array test platform
US10692569B2 (en) 2018-07-06 2020-06-23 Spin Memory, Inc. Read-out techniques for multi-bit cells
US10600478B2 (en) 2018-07-06 2020-03-24 Spin Memory, Inc. Multi-bit cell read-out techniques for MRAM cells with mixed pinned magnetization orientations
US10559338B2 (en) 2018-07-06 2020-02-11 Spin Memory, Inc. Multi-bit cell read-out techniques
US10593396B2 (en) 2018-07-06 2020-03-17 Spin Memory, Inc. Multi-bit cell read-out techniques for MRAM cells with mixed pinned magnetization orientations
US10650875B2 (en) 2018-08-21 2020-05-12 Spin Memory, Inc. System for a wide temperature range nonvolatile memory
US10699761B2 (en) 2018-09-18 2020-06-30 Spin Memory, Inc. Word line decoder memory architecture
US10971680B2 (en) 2018-10-01 2021-04-06 Spin Memory, Inc. Multi terminal device stack formation methods
US11621293B2 (en) 2018-10-01 2023-04-04 Integrated Silicon Solution, (Cayman) Inc. Multi terminal device stack systems and methods
US10580827B1 (en) 2018-11-16 2020-03-03 Spin Memory, Inc. Adjustable stabilizer/polarizer method for MRAM with enhanced stability and efficient switching
US11107979B2 (en) 2018-12-28 2021-08-31 Spin Memory, Inc. Patterned silicide structures and methods of manufacture

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4455626A (en) * 1983-03-21 1984-06-19 Honeywell Inc. Thin film memory with magnetoresistive read-out
US5448515A (en) * 1992-09-02 1995-09-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Magnetic thin film memory and recording/reproduction method therefor
US5396455A (en) * 1993-04-30 1995-03-07 International Business Machines Corporation Magnetic non-volatile random access memory
US5587943A (en) * 1995-02-13 1996-12-24 Integrated Microtransducer Electronics Corporation Nonvolatile magnetoresistive memory with fully closed flux operation
US5640343A (en) * 1996-03-18 1997-06-17 International Business Machines Corporation Magnetic memory array using magnetic tunnel junction devices in the memory cells

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7072207B2 (en) 2001-12-21 2006-07-04 Renesas Technology Corp. Thin film magnetic memory device for writing data of a plurality of bits in parallel
US7272064B2 (en) 2001-12-21 2007-09-18 Renesas Technology Corp. Thin film magnetic memory device for writing data of a plurality of bits in parallel

Also Published As

Publication number Publication date
US5732016A (en) 1998-03-24
JPH10116489A (ja) 1998-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19726077A1 (de) Speicherzellenstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff und Verfahren zu deren Herstellung
DE60013079T2 (de) Doppeltes magnetisches Element mit zwei magnetischen Zuständen und Herstellungsverfahren dafür
DE60312713T2 (de) Amorphe legierungen für magneteinrichtungen
DE69923244T2 (de) Magnetoresistiven Speicheranordnungen
DE60128678T2 (de) Magnetisches element mit isolierenden beuteln und zugehöriges herstellungsverfahren
DE19726852A1 (de) Magnetischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff mit gestapelten Speicherzellen und Herstellungsverfahren desselben
DE60025418T2 (de) Magnetische Mehrschichtenstruktur
DE69932589T2 (de) Magnetischer tunnelübergang mit geringer umschaltfeldstärke für magnetische mehrzustandsspeicherzelle
DE60110944T2 (de) Magnetoresistive Anordnung und diese verwendendes magnetisches Speicherelement
DE19836567C2 (de) Speicherzellenanordnung mit Speicherelementen mit magnetoresistivem Effekt und Verfahren zu deren Herstellung
DE69629264T2 (de) Ferromagnetisches GMR Material
DE60037784T2 (de) Magnetoresistives Element und magnetische Speicheranordnung
DE102005034665B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer Leiterbahn einer resistiven Speichereinrichtung
DE60201036T2 (de) Verfahren zum Herstellen von Verkleidungsschicht auf einem Top-leiter
DE60208224T2 (de) Magnetoresistive hochleistungs-spinventilanordnung
DE19848776B4 (de) Austauschkopplungsschicht, diese Austauschkopplungsschicht verwendendes Element vom Magnetowiderstandseffekt-Typ und das Element vom Magnetowiderstandseffekt-Typ verwendender Dünnschicht-Magnetkopf
DE69912164T2 (de) Wechselkupplungsfilm, magnetoresistive Anordnung, magnetoresistiver Kopf und Verfahren zur Herstellung von einem Wechselkupplungsfilm
DE19528245B4 (de) Magneto-Widerstandskopf und dessen Verwendung in einer Magnetaufzeichnungsvorrichtung
DE602005001829T2 (de) Magnetische Multibit-Direktzugriffspeicheranordnung und deren Schreibverfahren
DE3404273A1 (de) Duennfilm-magnetkopf
DE102005035165B4 (de) Magnetischer Speicher mit statischem magnetischen Verschiebungsfeld
DE19717123A1 (de) Verfahren zur Erkennung von Informationen, die in einer Mram Zelle gespeichert ist, die zwei Schichten unterschiedlicher Dicke aufweist
DE19804339C2 (de) Spinventil-Magnetowiderstandskopf und Herstellungsverfahren dafür
DE60212903T2 (de) Magnetisches Aufzeichnungselement, magnetischer Speicher, magnetisches Aufzeichnungsverfahren, Herstellungsverfahren für ein magnetisches Aufzeichnungselement, und Herstellungsverfahren für einen magnetischen Speicher
DE102004031139A1 (de) Verfahren zum Herstellen magnetischer Speicherstrukturen, die Speicherzellschichten mit unterschiedlicher Größe aufweisen

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. (N.D.GES.D. STAATES

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: EVERSPIN TECHNOLOGIES,INC., CHANDLER, ARIZ., US

8139 Disposal/non-payment of the annual fee