DE19726077A1 - Speicherzellenstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff und Verfahren zu deren Herstellung - Google Patents
Speicherzellenstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff und Verfahren zu deren HerstellungInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Speicherzell
struktur mit wahlfreiem Zugriff in einem magnetischen Spei
cher mit wahlfreiem Zugriff und deren Herstellungsverfahren
und insbesondere auf eine Speicherzellstruktur mit mehrfacher
Verwendung desselben Wortstroms auf einem Teil eines Riesen
magnetwiderstandsspeicherelements und deren Herstellungsver
fahren.
Ein magnetischer Speicher mit wahlfreiem Zugriff (MRAM) ist
ein nichtflüchtiger Speicher, der im Grunde einen Teil eines
Riesenmagnetwiderstands-(GMR)-Materials als Speicherelement,
eine Meßleitung und eine Wortleitung verwendet. Der MRAM
verwendet eine Magnetvektorrichtung in einem GMR-Teil, um
Speicherzustände zu speichern, und den GMR-Effekt für ein
Auslesen des Speichers. Magnetvektoren im GMR-Material werden
sehr schnell von einer Richtung in eine entgegengesetzte
Richtung geschaltet, wenn ein Magnetfeld, das einen gewissen
Schwellwert überschreitet, auf den GMR-Materialteil angewandt
wird. Gemäß der Richtung der Magnetvektoren im GMR-Material
werden Zustände gespeichert, wobei beispielsweise eine Rich
tung als logisch "0" und die andere Richtung als logisch "1"
definiert werden kann. Das GMR-Material hält diese Zustände
aufrecht, sogar ohne daß ein Magnetfeld angelegt wird. Die im
GMR-Material gespeicherten Zustände können durch eine Meßlei
tung gelesen werden, die die GMR-Teile in Serie verbindet.
Das heißt, die verschiedenen Magnetvektorrichtungen im
GMR-Material verursachen eine unterschiedliche Spannungsausgabe
in der Meßleitung durch einen unterschiedlichen Widerstand
des GMR-Teils, verursacht durch die Richtung der Magnetvekto
ren.
Eine Wortleitung ist typischerweise eine einfache Metallei
tung, die oben oder unten auf dem GMR-Material angeordnet
ist. Um die Zustände im GMR-Material-Teil zu wechseln, wird
ein Wortstrom von mehr als 10 mA in einem MRAM hoher Dichte
benötigt. Dieser Strom verbraucht viel Energie und verhin
dert, daß ein MRAM ein starker Kandidat für tragbare Anwen
dungen wird.
Somit besteht ein Bedürfnis nach einer Speicherzellstruktur
mit einem verminderten Wortstrom und ein Verfahren zur Her
stellung der Speicherzellstruktur.
Diese und andere Bedürfnisse werden im wesentlichen durch das
Bereitstellen einer Speicherzellstruktur in einem magneti
schen Speicher mit wahlfreiem Zugriff geschaffen, der einen
Teil eines Riesenmagnetwiderstandsmaterials umfaßt und einen
Leiter (Wortleitung), der ein erstes Bein auf einer Seite des
Teiles, ein zweites Bein auf einer anderen Seite des Teiles
und eine Verbindungsschleife hat für das Anlegen von das
Magnetfeld nutzenden Strömen an den GMR-Material-Teil. Es
gibt dielektrische Schichten, die den Leiter und den
GMR-Material-Teil trennen.
Fig. 1 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische
Ansicht, die eine Speicherzellstruktur gemäß der vorliegenden
Erfindung zeigt.
Fig. 2 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische
Ansicht, die eine andere Speicherzellstruktur gemäß der vor
liegenden Erfindung zeigt.
Fig. 3 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische
Ansicht, die eine andere Speicherzellstruktur zeigt, die eine
Vielzahl von Teilen eines GMR-Materials aufweist, in Überein
stimmung mit der vorliegenden Erfindung.
Fig. 4 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische
Ansicht, die eine andere Speicherzellstruktur mit Flußkonzen
tratoren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 5 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische
Ansicht, die nochmals eine andere Speicherzellstruktur mit
Flußkonzentratoren gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt.
Fig. 6 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische
Ansicht, die eine Speicherzellstruktur zeigt, die einen ein
zelnen Flußkonzentrator hat, um den die Wortleitung herum
gewunden ist, gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 7 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische
Ansicht, die eine Speicherzellstruktur hat, die eine Vielzahl
von Flußkonzentratoren hat, um die Wortleitung herumgewunden
ist, gemäß der vorliegenden Erfindung.
Fig. 8-11 sind vereinfachte und vergrößerte perspektivi
sche Ansichten, die mehrere sequentielle Schritte eines Ver
fahrens zur Herstellung einer Speicherzellstruktur, die die
vorliegende Erfindung umfaßt, zeigen.
Fig. 1 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische
Ansicht, die eine Speicherzellstruktur gemäß der vorliegenden
Erfindung zeigt. Eine Speicherzellstruktur 10 umfaßt einen
Teil eines magnetischen Materials 11, insbesondere Riesenma
gnetwiderstands-(GMR)-Material, und eine Wortleitung 12, die
Beine 12a, 12b und eine Schleife 12c hat. Die Speicherzell
struktur 10 ist mit einem dielektrischen Material bedeckt,
das in Fig. 1 nicht gezeigt ist. Teile des GMR-Materials 11
können Magnetschichten, wie beispielsweise Nickel oder Eisen
oder Kobalt oder Legierungen davon sein, die durch eine
nichtmagnetische Zwischenschicht, wie Cu getrennt sind. Ein
Teil des GMR-Materials 11 hat typischerweise eine Länge von
1,25 µm, eine Breite von 0,25 µm und eine Dicke von 100 Ang
ström. Die Wortleitung 12 ist eine kontinuierliche Leiterlei
tung, wie beispielsweise Alluminium oder Kupfer oder Legie
rungen daraus oder Wolfram, wobei jeder Teil davon in ver
schiedenen Schritten hergestellt werden kann, wie das nachher
erläutert wird. Die Wortleitung 12 ist vom Magnetwiderstands
material 11 durch ein Isolationsmaterial isoliert.
Um die Zustände, die in einem Teil des GMR-Materials 11 ent
halten sind, zu lesen oder zu schreiben, werden ein Wortstrom
und ein Meßstrom bereitgestellt und die MRAM-Zelle, die von
der Wortleitung 12 und einer (nicht gezeigten) Meßleitung
gekreuzt werden, werden ausgewählt. Ein Wortstrom, der durch
die Pfeile 13 und 14 dargestellt ist, erzeugt magnetische
Felder 15 beziehungsweise 16. Die Magnetfelder 15 und 16
werden in Teilen des GMR-Materials 11 überlagert, so daß sich
das Gesamtmagnetfeld darin auf das nahezu Zweifache erhöht,
verglichen mit dem Magnetfeld in einer Magnetzelle des Stan
des der Technik. Wenn die gleiche Stärke des Magnetfeldes in
Teilen des GMR-Materials 11 benötigt wird, kann die halbe
Menge des Stroms genügen, um die Zustände aus dem Teil des
GMR-Materials 11 zu lesen und in ihn hineinzuschreiben, ver
glichen mit dem Wortstrom des Standes der Technik.
Fig. 2 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische
Ansicht, die eine andere Speicherzellstruktur gemäß der vor
liegenden Erfindung zeigt. Die Teile der folgenden Zeichnun
gen, die die gleichen Bezugszeichen wie Fig. 1 haben, sind
die gleichen, wie die entsprechenden Elemente der Fig. 1.
Eine Speicherzellstruktur 20 ist als Hauptmerkmal mit einer
Wortleitung 12 versehen, die sich mehr als einmal um den
einzelnen Teil des GMR-Materials 11 windet. Die Speicherzell
struktur 20 ist mit einem dielektrischen Material bedeckt,
das in Fig. 2 nicht gezeigt ist. Die Stärke des Magnetfeldes
im Teil des GMR-Materials 11 nimmt ungefähr im Verhältnis zur
Zahl der Windungen der Wortleitung 12, in der der Wortstrom
fließt, zu. Somit kann die Speicherzellstruktur 20 entspre
chend die Menge des Stromes vermindern, der in der Wortlei
tung 12 fließt, und somit den Leistungsverbrauch. Dies wird
erzielt, indem derselbe Wortstrom um den GMR-Teil mehrere
Male herumgeführt wird. Die Wortleitung 12 und die Speicher
zelle 11 sind durch dielektrisches Material getrennt.
Fig. 3 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische
Ansicht, die nochmals eine andere Speicherzellstruktur zeigt,
die eine Vielzahl von Teilen von GMR-Material aufweist. Eine
Speicherzellstruktur 30 hat eine Vielzahl von Teilen des
GMR-Materials 11a, 11b, 11c und 11d, die die gleichen sind, wie
die eine in Fig. 2 gezeigte, wobei um ein Bündel von diesen,
die Wortleitung 12 gewickelt ist. Die Speicherzellstruktur 30
ist mit einem dielektrischen Material bedeckt, das in Fig. 3
nicht gezeigt ist. Fig. 3 zeigt eine Vielzahl von Teilen des
GMR-Materials 11a-11d, die in derselben Ebene plaziert sind,
wobei sich die Wortleitung 12 jedoch um gestapelte Teile des
GMR-Materials winden kann. Magnetfelder, die durch einen
Wortstrom erzeugt werden, der in der Wortleitung 12 fließt,
werden überlagert, so daß die Stärke des Magnetfeldes in
einem Teil des GMR-Materials 11 ungefähr proportional zur
Zahl der Windungen der Wortleitung 12 zunimmt. Somit kann die
Speicherzellstruktur 30 die Menge des Wortstroms vermindern,
während weniger vertikale Verbindungen der Wortleitung 12
zwischen Teilen des GMR-Materials 11a-11d es leichter machen,
die Speicherzellstruktur 30 herzustellen. Weiterhin kann
durch weniger vertikale Verbindungen der Wortleitung 12 eine
höhere Speicherzelldichte erreicht werden.
Fig. 4 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische
Ansicht, die eine Zellstruktur mit Flußkonzentratoren zeigt.
Eine Speicherzellstruktur 40 hat zwei Flußkonzentratoren 41
und 43, die durch dielektrische Schichten 42 und 44 auf dem
Teil des GMR-Materials 11, um das jede Wortleitung 12 gewun
den ist, getrennt sind. Die Flußkonzentratoren 41 und 43 sind
aus einem magnetischen Material ausgebildet, das eine hohe
Permeabilität hat, wie beispielsweise Permalloy. Der Magnet
fluß, der durch den Wortstrom in Wortleitung 12 erzeugt wird,
wird im Teil des GMR-Materials 11 durch die hohe Permeabili
tät der Konzentratoren 41 und 43 konzentriert und verstärkt,
wodurch die Flußkonzentratoren einen ebenso kleinen Wortstrom
und Leistungsverbrauch ergibt. Alternativ können die Flußkon
zentratoren 41 und 43 als Teil der Wortleitung 12 ausgebildet
werden, wobei die Struktur ähnlich wie in Fig. 2 ist.
Fig. 5 ist eine vereinfachte und vergrößerte, perspektivische
Ansicht, die nochmals eine andere Speicherzellstruktur mit
Flußkonzentratoren zeigt. Eine Speicherzellstruktur 50 hat
zwei Flußkonzentratoren 51 und 53, die durch dielektrische
Schichten 52 und 54 auf einer Vielzahl von Teilen des
GMR-Materials 11a-11d, um das die Wortleitung 12 herumgewunden
ist, getrennt sind. Die Flußkonzentratoren 51 und 53 sind aus
einem magnetischen Material geformt, das eine hohe Permeabi
lität hat, wie beispielsweise Permalloy. Die Flußkonzentrato
ren 51 und 53, die oben auf der Wortleitung angeordnet und
mit ihr verbunden sein können, konzentrieren darin den magne
tischen Fluß, der durch den Wortstrom erzeugt wird, der in
der Wortleitung 12 fließt, und der magnetische Fluß wird in
jedem Teil des GMR-Materials 11a-11d verstärkt. Somit kann
die Speicherzellstruktur 50 ein höheres magnetisches Feld in
Teilen des GMR-Materials 11a-11d erzielen als eine Struktur
ohne Flußkonzentratoren, so daß ein weit geringerer Wortstrom
erforderlich ist, um die Zustände in der Speicherzellstruktur
50 zu ändern. Darüberhinaus ergibt die Speicherzellstruktur
50 eine höhere Speicherzelldichte und ein einfacheres Her
stellverfahren der Speicherzelle, da weniger vertikale Ver
bindungen der Wortleitung 12 zwischen Teilen des GMR-Mate
rials 11a-11d erforderlich sind, so wie in der Struktur der
Fig. 3. Alternativ können die Flußkonzentratoren 51 und 53
als Teil der Wortleitung 12 ausgebildet sein, und die Struk
tur ist ähnlich der Fig. 3.
Fig. 6 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische
Ansicht, die eine Speicherzellstruktur zeigt, die einen ein
zelnen Flußkonzentrator hat, der um eine Wortleitung herumge
wunden ist. Eine Speicherzellstruktur 60 hat einen Flußkon
zentrator 61, der um eine Wortleitung 12 gewunden ist und
einen Teil des GMR-Materials 11, das zwischen beiden Enden
des Flußkonzentrators 61 plaziert ist, durch Lücken zwischen
dem Flußkonzentrator 61 und dem Teil des GMR-Materials 11.
Der Flußkonzentrator 61 und der Teil der GMR-Materials 11
sind mit dielektrischem Material bedeckt, was in Fig. 6 nicht
gezeigt ist. Der Konzentrator 61, typischerweise Permalloy,
konzentriert darin den magnetischen Fluß, der durch den Wort
strom, der in der Wortleitung 12 fließt, erzeugt wird. Die
Speicherzellstruktur 60 hat als Hauptmerkmal eine Wortleitung
12, die um den Konzentrator 61 gewunden ist, und sich von der
vorherigen Ausführungsform darin unterscheidet, daß sich die
Wortleitung 12 um einen Teil des GMR-Materials 11 windet.
Somit erfordert die Speicherzellstruktur 60 einen geringeren
Wortstrom durch das konzentriertere Magnetfeld im Teil des
GMR-Materials 11.
Fig. 7 ist eine vereinfachte und vergrößerte perspektivische
Ansicht, die nochmals eine andere Speicherzellstruktur zeigt,
die eine Vielzahl von Flußkonzentratoren hat, um die die
Wortleitung gewunden ist. Eine Speicherzellstruktur 70 hat
eine Vielzahl von Flußkonzentratoren 61a-61d, um die die
Wortleitung 12 gewunden ist, und eine Vielzahl von Teilen des
GMR-Materials 11a-11d. Die Flußkonzentratoren 61a-61d und
Teile des GMR-Materials 11a-11d sind mit dielektrischen Mate
rial bedeckt, das in Fig. 7 nicht gezeigt ist. Jeder Teil des
GMR-Materials 11a-11d ist jeweils zwischen den Enden der
Konzentratoren 61a-61d plaziert. Die Konzentratoren 61a-61d
konzentrieren darin den magnetischen Fluß, der vom Wortstrom
in der Wortleitung 12 erzeugt wird. Dann wird der magnetische
Fluß zu Teilen des GMR-Materials 11a-11d geleitet, um die
Zustände in einem der Teile des GMR-Materials 11a-11d, das
durch eine (nicht gezeigte) Meßleitung bezeichnet wird, zu
ändern. Nur die Konzentration des Wortfeldes und des Meßfel
des können Zustände ändern. Die Speicherzellstruktur 70 ist
gekennzeichnet durch eine Vielzahl von Flußkonzentratoren
61a-61d, um die die Wortleitung 12 gewickelt ist, und eine
geringere vertikale Verbindung der Wortleitung 12 zwischen
Teilen der Flußkonzentratoren 61a-61d, so daß die Speicher
zellstruktur 70 den Vorteil einer leichteren Herstellung und
einer höheren Speicherdichte aufweist.
Als nächstes wird ein Herstellverfahren für die MRAM-Zell
struktur nachfolgend beschrieben. Die Fig. 8-11 sind ver
einfachte und vergrößerte perspektivische Ansichten, die
mehrere sequentielle Schritte in einem Verfahren zur Herstel
lung einer Speicherzellstruktur zeigt, die die vorliegende
Erfindung umfaßt. Bezieht man sich insbesondere auf Fig. 8,
so wird eine untere Wortleitung 80 ausgebildet. Ein Substrat
81 jedes geeigneten Materials wird bereitgestellt, wobei es
sich im allgemeinen um Silizium handelt, eine Siliziumdioxyd
(SiO₂)- oder Siliziumnitrid (Si₃N₄)-Schicht 82 wird auf einem
Siliziumsubstrat 81 aufgewachsen. Dann wird die untere Wort
leitung 80, die aus Alluminium (AL), Kupfer (Cu) oder einer
Legierung daraus (AL1-xCux) oder Wolfram (W) besteht, auf der
Schicht 82 abgesetzt und in einem Muster aufgebracht, bevor
eine dielektrische Schicht 83 auf die Schicht 82 und die
untere Wortleitung 80 durch chemische Dampfabsetztechniken
(CVD) abgelagert wird, um diese von anderen Elementen zu
isolieren.
Bezieht man sich auf Fig. 9, so ist ein Teil des GMR-Materi
als 84 über der unteren Wortleitung 80 auf der dielektrischen
Schicht 83 ausgebildet. Ein Teil des GMR-Materials 84 wird
durch ein Sputter-Verfahren, gefolgt von einem lithographi
schen Maskieren und Ätzen ausgebildet. Nach Ausbildung des
Teils des GMR-Materials 84 wird die dielektrische Schicht 85
durch CVD abgelagert, um die untere Wortleitung 80 und einen
Teil des GMR-Materials 84 zu bedecken.
Bezieht man sich auf Fig. 10, so werden Kontaktlöcher (oder
Durchgänge) 86, die die untere Wortleitung berühren, ausge
bildet. Zuerst wird eine Ätzmaske als Muster auf der oberen
Oberfläche der dielektrischen Schicht 85 unter Verwendung eine
photolithographischen Technik aufgebracht. Dann werden Kon
taktlöcher 86 vertikal zur unteren Wortleitung 80 durch eine
konventionelle reaktive Ionenätztechnik geätzt. Bei diesem
Ätzschritt kann jedes gebräuchliche Ätzverfahren verwendet
werden, einschließlich chemisch unterstütztem Ionenstrahl
ätzen oder dergleichen. Wenn die Kontaktlöcher 86 ausgebildet
sind, und die Ätzmaske entfernt wird, wird ein leitendes Me
tall, das beispielsweise Aluminium (Al) oder Kupfer (Cu) oder
eine Legierung davon, oder Wolfram (W) umfaßt, in die Kon
taktlöcher 86 gefüllt, was einen ohmschen Kontakt mit der
unteren Wortleitung 80 durch eine Metallabsetzung ergibt, und
es wird eine chemische und mechanische Polierung durchge
führt, um Metall überall mit Ausnahme der Kontaktdurchgänge
zu entfernen.
Bezieht man sich auf Fig. 11, so ist die obere Wortleitung 87
auf der dielektrischen Schicht 85 und den Kontaktlöchern 86
ausgebildet. Die obere Wortleitung 87, die das gleiche Metall
verwendet, wie die untere Wortleitung 80, wird abgesetzt,
gemustert und bildet einen ohmschen Kontakt mit dem Metall,
das in die Kontaktlöcher 86 gefüllt wurde, so daß die untere
Wortleitung 80 mit der oberen Wortleitung 87 in Serie über
Kontaktlöcher 86 verbunden ist.
Somit wurde ein Herstellungsverfahren der typischen
MRAM-Zellstruktur beschrieben. Ein Fachmann wird verstehen, daß
eine MRAM-Zellstruktur mit Flußkonzentratoren durch das Hin
zufügen von Verfahren für das Ausbilden von Flußkonzentra
toren vor dem Absetzen der unteren Wortleitung 80 und nach
dem Absetzen der oberen Wortleitung 87 hergestellt werden
kann.
Claims (10)
1. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher mit
wahlfreiem Zugriff, umfassend:
einen Teil (10) eines magnetischen Materials (11); und
einen Leiter (12), der ein erstes Bein (12a) auf einer Seite des Teils, ein zweites Bein (12b) auf der anderen Seite des Teils und eine Verbindungsschleife (12c) für das Aufbrin gen des Magnetfeldes auf das Teil hat.
einen Teil (10) eines magnetischen Materials (11); und
einen Leiter (12), der ein erstes Bein (12a) auf einer Seite des Teils, ein zweites Bein (12b) auf der anderen Seite des Teils und eine Verbindungsschleife (12c) für das Aufbrin gen des Magnetfeldes auf das Teil hat.
2. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher mit
wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 1, weiter umfassend einen
Flußkonzentrator (41, 43), der nahe dem Leiter (12) auf der
entgegengesetzten Seite des Teiles des magnetischen Materials
(11) angeordnet ist, für das Konzentrieren des magnetischen
Flusses zum Teil des magnetischen Materials (11).
3. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher mit
wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 2, weiter umfassend eine
dielektrische Schicht (42, 44), die zwischen den Flußkonzen
trator (41, 43) und den Teil des magnetischen Materials (11)
eingefügt ist.
4. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher (60)
mit wahlfreiem Zugriff, umfassend:
einen Flußkonzentrator (61) für das Konzentrieren des magnetischen Flusses;
einen Leiter (12), der ein erstes Bein auf einer Seite des Flußkonzentrators, ein zweites Bein auf einer anderen Seite des Flußkonzentrators und eine Verbindungsschleife hat;
und
einen Teil des magnetischen Materials (11), das magne tisch mit dem Flußkonzentrator verbunden ist.
einen Flußkonzentrator (61) für das Konzentrieren des magnetischen Flusses;
einen Leiter (12), der ein erstes Bein auf einer Seite des Flußkonzentrators, ein zweites Bein auf einer anderen Seite des Flußkonzentrators und eine Verbindungsschleife hat;
und
einen Teil des magnetischen Materials (11), das magne tisch mit dem Flußkonzentrator verbunden ist.
5. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher mit
wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 4, wobei der Leiter (12)
weiter einen Leiterteil umfaßt, der um den Flußkonzentrator
herumgewunden ist.
6. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher mit
wahlfreiem Zugriff nach Anspruch 4, wobei der Flußkonzentra
tor (61) weiter eine Vielzahl von Flußkonzentratoren (61a,
61b, 61c, 61d) umfaßt.
7. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher mit
wahlfreiem Zugriff des Anspruchs 6, wobei die Vielzahl der
Flußkonzentratoren (61a, 61b, 61c, 61d) auf derselben Ebene
angeordnet sind.
8. Speicherzellstruktur in einem magnetischen Speicher des
wahlfreien Zugriffs nach Anspruch 7, wobei der Leiter (12)
ferner einen Leiterteil umfaßt, der um den Flußkonzentrator
gewunden ist.
9. Verfahren zur Herstellung einer Speicherzellstruktur in
einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff, folgende
Schritte umfassend:
Bereitstellen eines Substrats (81), auf dem der magneti sche Speicher mit wahlfreiem Zugriff ausgebildet wird;
Ausbilden einer ersten Leiterleitung (80) auf dem Substrat (81);
Ausbilden einer ersten dielektrischen Schicht (83);
Ausbilden eines Teils des magnetischen Materials (84), so daß es die erste Leiterleitung (80) kreuzt;
Absetzen einer dielektrischen Schicht (85) auf dem Substrat (81), dem Teil des magnetischen Materials (84) und der ersten Leiterleitung (80);
Herstellen von Durchgangslöchern (86) in Kontakt mit der ersten Leiterleitung (80) durch die dielektrischen Schichten (85);
Bereitstellen eines Substrats (81), auf dem der magneti sche Speicher mit wahlfreiem Zugriff ausgebildet wird;
Ausbilden einer ersten Leiterleitung (80) auf dem Substrat (81);
Ausbilden einer ersten dielektrischen Schicht (83);
Ausbilden eines Teils des magnetischen Materials (84), so daß es die erste Leiterleitung (80) kreuzt;
Absetzen einer dielektrischen Schicht (85) auf dem Substrat (81), dem Teil des magnetischen Materials (84) und der ersten Leiterleitung (80);
Herstellen von Durchgangslöchern (86) in Kontakt mit der ersten Leiterleitung (80) durch die dielektrischen Schichten (85);
Füllen eines Leitermaterials in die Durchgangslöcher
(86); und
Ausbilden einer zweiter Leiterleitung (87) auf der die lektrischen Schicht (85), elektrisch in Verbindung mit dem Leitermaterial.
Ausbilden einer zweiter Leiterleitung (87) auf der die lektrischen Schicht (85), elektrisch in Verbindung mit dem Leitermaterial.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/674,387 US5732016A (en) | 1996-07-02 | 1996-07-02 | Memory cell structure in a magnetic random access memory and a method for fabricating thereof |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19726077A1 true DE19726077A1 (de) | 1998-01-08 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19726077A Withdrawn DE19726077A1 (de) | 1996-07-02 | 1997-06-19 | Speicherzellenstruktur in einem magnetischen Speicher mit wahlfreiem Zugriff und Verfahren zu deren Herstellung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5732016A (de) |
JP (1) | JPH10116489A (de) |
DE (1) | DE19726077A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7072207B2 (en) | 2001-12-21 | 2006-07-04 | Renesas Technology Corp. | Thin film magnetic memory device for writing data of a plurality of bits in parallel |
Families Citing this family (113)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5946227A (en) * | 1998-07-20 | 1999-08-31 | Motorola, Inc. | Magnetoresistive random access memory with shared word and digit lines |
DE19836567C2 (de) * | 1998-08-12 | 2000-12-07 | Siemens Ag | Speicherzellenanordnung mit Speicherelementen mit magnetoresistivem Effekt und Verfahren zu deren Herstellung |
US6236590B1 (en) | 2000-07-21 | 2001-05-22 | Hewlett-Packard Company | Optimal write conductors layout for improved performance in MRAM |
US6579625B1 (en) * | 2000-10-24 | 2003-06-17 | Motorola, Inc. | Magnetoelectronics element having a magnetic layer formed of multiple sub-element layers |
US6798599B2 (en) | 2001-01-29 | 2004-09-28 | Seagate Technology Llc | Disc storage system employing non-volatile magnetoresistive random access memory |
US6358756B1 (en) | 2001-02-07 | 2002-03-19 | Micron Technology, Inc. | Self-aligned, magnetoresistive random-access memory (MRAM) structure utilizing a spacer containment scheme |
US6475812B2 (en) * | 2001-03-09 | 2002-11-05 | Hewlett Packard Company | Method for fabricating cladding layer in top conductor |
JP4731041B2 (ja) | 2001-05-16 | 2011-07-20 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 薄膜磁性体記憶装置 |
US20030120346A1 (en) * | 2001-08-07 | 2003-06-26 | James Mercinek | Patellar prosthetic arrangement and associated surgical method |
US6545906B1 (en) * | 2001-10-16 | 2003-04-08 | Motorola, Inc. | Method of writing to scalable magnetoresistance random access memory element |
US6821907B2 (en) | 2002-03-06 | 2004-11-23 | Applied Materials Inc | Etching methods for a magnetic memory cell stack |
US6893893B2 (en) | 2002-03-19 | 2005-05-17 | Applied Materials Inc | Method of preventing short circuits in magnetic film stacks |
US20030181056A1 (en) * | 2002-03-22 | 2003-09-25 | Applied Materials, Inc. | Method of etching a magnetic material film stack using a hard mask |
JP4047615B2 (ja) | 2002-04-03 | 2008-02-13 | 株式会社ルネサステクノロジ | 磁気記憶装置 |
US6927073B2 (en) * | 2002-05-16 | 2005-08-09 | Nova Research, Inc. | Methods of fabricating magnetoresistive memory devices |
US6879512B2 (en) * | 2002-05-24 | 2005-04-12 | International Business Machines Corporation | Nonvolatile memory device utilizing spin-valve-type designs and current pulses |
US6891193B1 (en) * | 2002-06-28 | 2005-05-10 | Silicon Magnetic Systems | MRAM field-inducing layer configuration |
US7095646B2 (en) * | 2002-07-17 | 2006-08-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Multi-state magnetoresistance random access cell with improved memory storage density |
US6984585B2 (en) * | 2002-08-12 | 2006-01-10 | Applied Materials Inc | Method for removal of residue from a magneto-resistive random access memory (MRAM) film stack using a sacrificial mask layer |
US20040026369A1 (en) * | 2002-08-12 | 2004-02-12 | Chentsau Ying | Method of etching magnetic materials |
US6771533B2 (en) | 2002-08-27 | 2004-08-03 | Micron Technology, Inc. | Magnetic non-volatile memory coil layout architecture and process integration scheme |
US6759263B2 (en) | 2002-08-29 | 2004-07-06 | Chentsau Ying | Method of patterning a layer of magnetic material |
US6964928B2 (en) * | 2002-08-29 | 2005-11-15 | Chentsau Ying | Method for removing residue from a magneto-resistive random access memory (MRAM) film stack using a dual mask |
JP4063035B2 (ja) | 2002-10-08 | 2008-03-19 | ソニー株式会社 | 強磁性トンネル接合素子を用いた磁気記憶装置 |
JP4365576B2 (ja) * | 2002-11-22 | 2009-11-18 | Tdk株式会社 | 磁気メモリデバイスおよび書込電流駆動回路、並びに書込電流駆動方法 |
CN1717743B (zh) * | 2002-11-28 | 2014-05-14 | Nxp股份有限公司 | 用于在磁致电阻存储器件的写操作期间改善磁场产生的方法和设备 |
US7126200B2 (en) * | 2003-02-18 | 2006-10-24 | Micron Technology, Inc. | Integrated circuits with contemporaneously formed array electrodes and logic interconnects |
JP4248911B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2009-04-02 | Tdk株式会社 | 磁気メモリデバイスおよび磁気メモリデバイスの書込方法 |
US7020009B2 (en) * | 2003-05-14 | 2006-03-28 | Macronix International Co., Ltd. | Bistable magnetic device using soft magnetic intermediary material |
US6956763B2 (en) * | 2003-06-27 | 2005-10-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | MRAM element and methods for writing the MRAM element |
US6967366B2 (en) * | 2003-08-25 | 2005-11-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Magnetoresistive random access memory with reduced switching field variation |
US6990012B2 (en) * | 2003-10-07 | 2006-01-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Magnetic memory device |
US20070279971A1 (en) * | 2004-06-04 | 2007-12-06 | Micron Technology, Inc. | Modified pseudo-spin valve (psv) for memory applications |
US7112957B2 (en) * | 2004-06-16 | 2006-09-26 | Honeywell International Inc. | GMR sensor with flux concentrators |
US20060102197A1 (en) * | 2004-11-16 | 2006-05-18 | Kang-Lie Chiang | Post-etch treatment to remove residues |
US7129098B2 (en) * | 2004-11-24 | 2006-10-31 | Freescale Semiconductor, Inc. | Reduced power magnetoresistive random access memory elements |
US9000760B2 (en) | 2012-02-27 | 2015-04-07 | Everspin Technologies, Inc. | Apparatus and method for resetting a Z-axis sensor flux guide |
US9263667B1 (en) | 2014-07-25 | 2016-02-16 | Spin Transfer Technologies, Inc. | Method for manufacturing MTJ memory device |
US9337412B2 (en) | 2014-09-22 | 2016-05-10 | Spin Transfer Technologies, Inc. | Magnetic tunnel junction structure for MRAM device |
US9747967B2 (en) | 2014-09-26 | 2017-08-29 | Intel Corporation | Magnetic field-assisted memory operation |
US20160188495A1 (en) * | 2014-12-26 | 2016-06-30 | Intel Corporation | Event triggered erasure for data security |
US10468590B2 (en) | 2015-04-21 | 2019-11-05 | Spin Memory, Inc. | High annealing temperature perpendicular magnetic anisotropy structure for magnetic random access memory |
US9728712B2 (en) | 2015-04-21 | 2017-08-08 | Spin Transfer Technologies, Inc. | Spin transfer torque structure for MRAM devices having a spin current injection capping layer |
US9853206B2 (en) | 2015-06-16 | 2017-12-26 | Spin Transfer Technologies, Inc. | Precessional spin current structure for MRAM |
US9773974B2 (en) | 2015-07-30 | 2017-09-26 | Spin Transfer Technologies, Inc. | Polishing stop layer(s) for processing arrays of semiconductor elements |
US10163479B2 (en) | 2015-08-14 | 2018-12-25 | Spin Transfer Technologies, Inc. | Method and apparatus for bipolar memory write-verify |
US9741926B1 (en) | 2016-01-28 | 2017-08-22 | Spin Transfer Technologies, Inc. | Memory cell having magnetic tunnel junction and thermal stability enhancement layer |
US10366774B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-07-30 | Spin Memory, Inc. | Device with dynamic redundancy registers |
US10437491B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-10-08 | Spin Memory, Inc. | Method of processing incomplete memory operations in a memory device during a power up sequence and a power down sequence using a dynamic redundancy register |
US10446210B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-10-15 | Spin Memory, Inc. | Memory instruction pipeline with a pre-read stage for a write operation for reducing power consumption in a memory device that uses dynamic redundancy registers |
US11151042B2 (en) | 2016-09-27 | 2021-10-19 | Integrated Silicon Solution, (Cayman) Inc. | Error cache segmentation for power reduction |
US10991410B2 (en) | 2016-09-27 | 2021-04-27 | Spin Memory, Inc. | Bi-polar write scheme |
US10360964B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-07-23 | Spin Memory, Inc. | Method of writing contents in memory during a power up sequence using a dynamic redundancy register in a memory device |
US10546625B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-01-28 | Spin Memory, Inc. | Method of optimizing write voltage based on error buffer occupancy |
US10818331B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-10-27 | Spin Memory, Inc. | Multi-chip module for MRAM devices with levels of dynamic redundancy registers |
US11119936B2 (en) | 2016-09-27 | 2021-09-14 | Spin Memory, Inc. | Error cache system with coarse and fine segments for power optimization |
US10437723B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-10-08 | Spin Memory, Inc. | Method of flushing the contents of a dynamic redundancy register to a secure storage area during a power down in a memory device |
US10628316B2 (en) | 2016-09-27 | 2020-04-21 | Spin Memory, Inc. | Memory device with a plurality of memory banks where each memory bank is associated with a corresponding memory instruction pipeline and a dynamic redundancy register |
US10460781B2 (en) | 2016-09-27 | 2019-10-29 | Spin Memory, Inc. | Memory device with a dual Y-multiplexer structure for performing two simultaneous operations on the same row of a memory bank |
US11119910B2 (en) | 2016-09-27 | 2021-09-14 | Spin Memory, Inc. | Heuristics for selecting subsegments for entry in and entry out operations in an error cache system with coarse and fine grain segments |
US10672976B2 (en) | 2017-02-28 | 2020-06-02 | Spin Memory, Inc. | Precessional spin current structure with high in-plane magnetization for MRAM |
US10665777B2 (en) | 2017-02-28 | 2020-05-26 | Spin Memory, Inc. | Precessional spin current structure with non-magnetic insertion layer for MRAM |
US10032978B1 (en) | 2017-06-27 | 2018-07-24 | Spin Transfer Technologies, Inc. | MRAM with reduced stray magnetic fields |
US10481976B2 (en) | 2017-10-24 | 2019-11-19 | Spin Memory, Inc. | Forcing bits as bad to widen the window between the distributions of acceptable high and low resistive bits thereby lowering the margin and increasing the speed of the sense amplifiers |
US10489245B2 (en) | 2017-10-24 | 2019-11-26 | Spin Memory, Inc. | Forcing stuck bits, waterfall bits, shunt bits and low TMR bits to short during testing and using on-the-fly bit failure detection and bit redundancy remapping techniques to correct them |
US10529439B2 (en) | 2017-10-24 | 2020-01-07 | Spin Memory, Inc. | On-the-fly bit failure detection and bit redundancy remapping techniques to correct for fixed bit defects |
US10656994B2 (en) | 2017-10-24 | 2020-05-19 | Spin Memory, Inc. | Over-voltage write operation of tunnel magnet-resistance (“TMR”) memory device and correcting failure bits therefrom by using on-the-fly bit failure detection and bit redundancy remapping techniques |
US10679685B2 (en) | 2017-12-27 | 2020-06-09 | Spin Memory, Inc. | Shared bit line array architecture for magnetoresistive memory |
US10891997B2 (en) | 2017-12-28 | 2021-01-12 | Spin Memory, Inc. | Memory array with horizontal source line and a virtual source line |
US10395711B2 (en) | 2017-12-28 | 2019-08-27 | Spin Memory, Inc. | Perpendicular source and bit lines for an MRAM array |
US10424726B2 (en) | 2017-12-28 | 2019-09-24 | Spin Memory, Inc. | Process for improving photoresist pillar adhesion during MRAM fabrication |
US10811594B2 (en) | 2017-12-28 | 2020-10-20 | Spin Memory, Inc. | Process for hard mask development for MRAM pillar formation using photolithography |
US10395712B2 (en) | 2017-12-28 | 2019-08-27 | Spin Memory, Inc. | Memory array with horizontal source line and sacrificial bitline per virtual source |
US10516094B2 (en) | 2017-12-28 | 2019-12-24 | Spin Memory, Inc. | Process for creating dense pillars using multiple exposures for MRAM fabrication |
US10360962B1 (en) | 2017-12-28 | 2019-07-23 | Spin Memory, Inc. | Memory array with individually trimmable sense amplifiers |
US10546624B2 (en) | 2017-12-29 | 2020-01-28 | Spin Memory, Inc. | Multi-port random access memory |
US10424723B2 (en) | 2017-12-29 | 2019-09-24 | Spin Memory, Inc. | Magnetic tunnel junction devices including an optimization layer |
US10886330B2 (en) | 2017-12-29 | 2021-01-05 | Spin Memory, Inc. | Memory device having overlapping magnetic tunnel junctions in compliance with a reference pitch |
US10270027B1 (en) | 2017-12-29 | 2019-04-23 | Spin Memory, Inc. | Self-generating AC current assist in orthogonal STT-MRAM |
US10840436B2 (en) | 2017-12-29 | 2020-11-17 | Spin Memory, Inc. | Perpendicular magnetic anisotropy interface tunnel junction devices and methods of manufacture |
US10360961B1 (en) | 2017-12-29 | 2019-07-23 | Spin Memory, Inc. | AC current pre-charge write-assist in orthogonal STT-MRAM |
US10199083B1 (en) | 2017-12-29 | 2019-02-05 | Spin Transfer Technologies, Inc. | Three-terminal MRAM with ac write-assist for low read disturb |
US10367139B2 (en) | 2017-12-29 | 2019-07-30 | Spin Memory, Inc. | Methods of manufacturing magnetic tunnel junction devices |
US10236047B1 (en) | 2017-12-29 | 2019-03-19 | Spin Memory, Inc. | Shared oscillator (STNO) for MRAM array write-assist in orthogonal STT-MRAM |
US10236048B1 (en) | 2017-12-29 | 2019-03-19 | Spin Memory, Inc. | AC current write-assist in orthogonal STT-MRAM |
US10840439B2 (en) | 2017-12-29 | 2020-11-17 | Spin Memory, Inc. | Magnetic tunnel junction (MTJ) fabrication methods and systems |
US10784439B2 (en) | 2017-12-29 | 2020-09-22 | Spin Memory, Inc. | Precessional spin current magnetic tunnel junction devices and methods of manufacture |
US10319900B1 (en) | 2017-12-30 | 2019-06-11 | Spin Memory, Inc. | Perpendicular magnetic tunnel junction device with precessional spin current layer having a modulated moment density |
US10339993B1 (en) | 2017-12-30 | 2019-07-02 | Spin Memory, Inc. | Perpendicular magnetic tunnel junction device with skyrmionic assist layers for free layer switching |
US10141499B1 (en) | 2017-12-30 | 2018-11-27 | Spin Transfer Technologies, Inc. | Perpendicular magnetic tunnel junction device with offset precessional spin current layer |
US10229724B1 (en) | 2017-12-30 | 2019-03-12 | Spin Memory, Inc. | Microwave write-assist in series-interconnected orthogonal STT-MRAM devices |
US10236439B1 (en) | 2017-12-30 | 2019-03-19 | Spin Memory, Inc. | Switching and stability control for perpendicular magnetic tunnel junction device |
US10255962B1 (en) | 2017-12-30 | 2019-04-09 | Spin Memory, Inc. | Microwave write-assist in orthogonal STT-MRAM |
US10468588B2 (en) | 2018-01-05 | 2019-11-05 | Spin Memory, Inc. | Perpendicular magnetic tunnel junction device with skyrmionic enhancement layers for the precessional spin current magnetic layer |
US10438996B2 (en) | 2018-01-08 | 2019-10-08 | Spin Memory, Inc. | Methods of fabricating magnetic tunnel junctions integrated with selectors |
US10438995B2 (en) | 2018-01-08 | 2019-10-08 | Spin Memory, Inc. | Devices including magnetic tunnel junctions integrated with selectors |
US10388861B1 (en) | 2018-03-08 | 2019-08-20 | Spin Memory, Inc. | Magnetic tunnel junction wafer adaptor used in magnetic annealing furnace and method of using the same |
US10446744B2 (en) | 2018-03-08 | 2019-10-15 | Spin Memory, Inc. | Magnetic tunnel junction wafer adaptor used in magnetic annealing furnace and method of using the same |
US11107978B2 (en) | 2018-03-23 | 2021-08-31 | Spin Memory, Inc. | Methods of manufacturing three-dimensional arrays with MTJ devices including a free magnetic trench layer and a planar reference magnetic layer |
US10529915B2 (en) | 2018-03-23 | 2020-01-07 | Spin Memory, Inc. | Bit line structures for three-dimensional arrays with magnetic tunnel junction devices including an annular free magnetic layer and a planar reference magnetic layer |
US10784437B2 (en) | 2018-03-23 | 2020-09-22 | Spin Memory, Inc. | Three-dimensional arrays with MTJ devices including a free magnetic trench layer and a planar reference magnetic layer |
US11107974B2 (en) | 2018-03-23 | 2021-08-31 | Spin Memory, Inc. | Magnetic tunnel junction devices including a free magnetic trench layer and a planar reference magnetic layer |
US10411185B1 (en) | 2018-05-30 | 2019-09-10 | Spin Memory, Inc. | Process for creating a high density magnetic tunnel junction array test platform |
US10692569B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-06-23 | Spin Memory, Inc. | Read-out techniques for multi-bit cells |
US10600478B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-03-24 | Spin Memory, Inc. | Multi-bit cell read-out techniques for MRAM cells with mixed pinned magnetization orientations |
US10559338B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-02-11 | Spin Memory, Inc. | Multi-bit cell read-out techniques |
US10593396B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-03-17 | Spin Memory, Inc. | Multi-bit cell read-out techniques for MRAM cells with mixed pinned magnetization orientations |
US10650875B2 (en) | 2018-08-21 | 2020-05-12 | Spin Memory, Inc. | System for a wide temperature range nonvolatile memory |
US10699761B2 (en) | 2018-09-18 | 2020-06-30 | Spin Memory, Inc. | Word line decoder memory architecture |
US10971680B2 (en) | 2018-10-01 | 2021-04-06 | Spin Memory, Inc. | Multi terminal device stack formation methods |
US11621293B2 (en) | 2018-10-01 | 2023-04-04 | Integrated Silicon Solution, (Cayman) Inc. | Multi terminal device stack systems and methods |
US10580827B1 (en) | 2018-11-16 | 2020-03-03 | Spin Memory, Inc. | Adjustable stabilizer/polarizer method for MRAM with enhanced stability and efficient switching |
US11107979B2 (en) | 2018-12-28 | 2021-08-31 | Spin Memory, Inc. | Patterned silicide structures and methods of manufacture |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4455626A (en) * | 1983-03-21 | 1984-06-19 | Honeywell Inc. | Thin film memory with magnetoresistive read-out |
US5448515A (en) * | 1992-09-02 | 1995-09-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Magnetic thin film memory and recording/reproduction method therefor |
US5396455A (en) * | 1993-04-30 | 1995-03-07 | International Business Machines Corporation | Magnetic non-volatile random access memory |
US5587943A (en) * | 1995-02-13 | 1996-12-24 | Integrated Microtransducer Electronics Corporation | Nonvolatile magnetoresistive memory with fully closed flux operation |
US5640343A (en) * | 1996-03-18 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory array using magnetic tunnel junction devices in the memory cells |
-
1996
- 1996-07-02 US US08/674,387 patent/US5732016A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-06-19 DE DE19726077A patent/DE19726077A1/de not_active Withdrawn
- 1997-07-01 JP JP9191829A patent/JPH10116489A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7072207B2 (en) | 2001-12-21 | 2006-07-04 | Renesas Technology Corp. | Thin film magnetic memory device for writing data of a plurality of bits in parallel |
US7272064B2 (en) | 2001-12-21 | 2007-09-18 | Renesas Technology Corp. | Thin film magnetic memory device for writing data of a plurality of bits in parallel |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5732016A (en) | 1998-03-24 |
JPH10116489A (ja) | 1998-05-06 |
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