DE19654638A1

DE19654638A1 - Flüssigkristallzelle und Herstellungsverfahren dafür

Info

Publication number: DE19654638A1
Application number: DE19654638A
Authority: DE
Inventors: Jong Hyun Kim; Ki Hyuk Yoon; Joung Won Woo; Mi Sook Nam; Yoo Jin Choi; Kyeong Jin Kim
Original assignee: LG Electronics Inc
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 1995-12-29
Filing date: 1996-12-28
Publication date: 1997-07-03
Anticipated expiration: 2016-12-29
Also published as: FR2743156A1; DE19654638B9; DE19654638B4; US20010000438A1; JP3926874B2; KR100208970B1; GB2310934A; JPH09197409A; US20020130999A1; KR970048802A; US6469763B2; GB9626828D0; US6295111B1; US6268897B1; US6091471A; FR2743156B1; US7075607B2; GB2310934B

Description

Die Erfindung betrifft eine Flüssigkristallzelle und insbesondere eine Flüssigkristallzelle, die ein mit einer geriebenen Ausrichtungsschicht beschichtetes Substrat und ein anderes, mit einer photoausrichtbaren Ausrichtungsschicht beschichtetes Substrat aufweist, sowie das Herstellungsverfahren dafür.

Im Allgemeinen weist eine Flüssigkristallzelle zwei Substrate und zwischen diesen Substraten ausgebildeten Flüssigkristall auf, wobei der Flüssigkristall anisotrope Moleküle aufweist. Um eine wohlgeordnete Ausrichtung des Flüssigkristalls in der Zelle für eine gleichmäßige Helligkeit und ein hohes Kontrastverhältnis der Flüssigkristallzelle sicherzustellen, wird auf den Ausrichtungsschichten auf den Substraten ein herkömmliches Reibeverfahren angewendet. Dieses Reibeverfahren weist ein mechanisches Reiben der Ausrichtungsschicht auf, um die Flüssigkristallmoleküle in eine Vorkippung zu bringen, die durch einen Kippwinkel und eine Kipprichtung definiert ist. Der Kippwinkel entspricht einem Polarwinkel und die Kipprichtung entspricht einem Azimuthalwinkel zwischen der Oberfläche der Ausrichtungsschicht und der Vorkippung. Die Vorkippung eines zur ersten Ausrichtungsschicht benachbarten Flüssigkristallmoleküls wird erste Vorkippung der ersten Ausrichtungsschicht genannt, und die Vorkippung eines zur zweiten Ausrichtungsschicht benachbarten Flüssigkristallmoleküls wird zweite Vorkippung der zweiten Ausrichtungsschicht genannt. Dadurch wird die Vorkippung eines Flüssigkristallmoleküls zwischen den beiden Schichten durch die Wechselwirkung der Vorkippung der ersten Ausrichtungsschicht mit der Vorkippung der zweiten Ausrichtungsschicht bestimmt.

Flüssigkristallzellen werden abhängig vom Kippwinkel in vertikal ausgerichtete Flüssigkristallzellen und horizontal ausgerichtete Flüssigkristallzellen eingeteilt. Mit der vertikal ausgerichteten Flüssigkristallzelle wird typischerweise eine Flüssigkristallzelle bezeichnet, die in einer Ausrichtungsschicht einen Kippwinkel von mehr als 60° aufweist, der Begriff der horizontal ausgerichteten Flüssigkristallzelle bezieht sich typischerweise auf eine Flüssigkristallzelle, die in einer Ausrichtungsschicht einen Kippwinkel von weniger als 5° aufweist.

Es existieren verschiedene Arten von Flüssigkristallzellen, die sich in der Beziehung zwischen der ersten Kipprichtung der ersten Ausrichtungsschicht und der zweiten Kipprichtung der zweiten Ausrichtungsschicht, die dem ersten Substrat gegenübersteht, unterscheiden. Wenn die erste Kipprichtung senkrecht zu der zweiten Kipprichtung ausgerichtet ist, wird die Zelle als verdrillt nematische (twisted nematic, TN) Flüssigkristallzelle bezeichnet. Wenn die Kipprichtungen parallel zueinander sind, wird die Flüssigkristallzelle als elektrisch gesteuerte, doppelbrechende (electrically controlled birefringence, ECB) Flüssigkristallzelle und als "Bend Mode"-Flüs sigkristallzelle bezeichnet. Außerdem wird sie als "In Plane Switching Mode"-Flüssigkristallzelle (IPS-Flüs sigkristallzelle) bezeichnet, falls sich die Kipprichtung in Abhängigkeit von der Spannung verschiebt.

Herkömmlich verwendete Flüssigkristallanzeigen sind hauptsächlich verdrillt nematische Flüssigkristallanzeigen (TNLCD), bei denen die Transmission bei jeder Graustufe vom Betrachtungswinkel abhängt. Insbesondere ist die Transmission in der horizontalen Richtung symmetrisch, während sie in der vertikalen Richtung asymmetrisch ist. Deshalb tritt in der vertikalen Richtung ein Bereich auf, in dem das Bild von der Helligkeit her invertiert erscheint, womit der Betrachtungswinkel stark eingeschränkt ist.

Um diese Probleme zu beseitigen, wird eine verdrillt nematische Mehr-Bereichs-Flüssigkristallzelle, wie eine Zwei-Bereichs-Flüs sigkristallzelle und eine Vier-Bereichs-Zelle, eingeführt. Die Mehr-Bereichs-Flüssigkristallzelle weist einen größeren Betrachtungswinkel auf, da in jedem Pixel (Bildpunkt) mehrere Bereiche bereitgestellt werden, die voneinander verschiedene Kipprichtungen aufweisen, so daß die Abhängigkeit vom Betrachtungswinkel für jeden Bereich ausgeglichen wird. Das bekannteste Verfahren zum Herstellen der Mehr-Bereichs-Flüs sigkristallzellen ist ein mechanisches Reibeverfahren, wie aus Fig. 1 ersichtlich. Das Reiben wird mechanisch auf dem gesamten, mit der Ausrichtungsschicht 8 (z. B. ein Polyimid) beschichteten Substrat 1 durchgeführt, so daß in der Oberfläche der Ausrichtungsschicht 8 Mikrorillen gebildet werden, wie aus den Fig. 1a und 1b ersichtlich. Um innerhalb eines Pixels zwei Bereich voneinander abzutrennen wird, wie aus den Fig. 1c und 1d ersichtlich, die gesamte Ausrichtungsschicht 8 mit einem Photoresistüberzug 11 beschichtet, und der Photoresistüberzug 11 eines Bereiches wird mittels Einstrahlen von Licht entfernt. Dann wird, wie aus Fig. 1e ersichtlich, auf einem der Bereiche ein Reibeverfahren in zur ersten Reiberichtung entgegengesetzter Reiberichtung durchgeführt. Der verbliebene Photoresistüberzug wird mittels Einstrahlen von Licht entfernt, und dann stehen, wie aus Fig. 1f ersichtlich, auf dem Substrat 1 zwei Bereiche zur Verfügung. In der so erhaltenen Zwei-Bereichs-Flüssigkristallzelle ist die Helligkeitsinvertierung bei unterschiedlichen Betrachtungswinkel durch das zuvor dargestellte Verfahren ausgeglichen.

Durch das Reibeverfahren werden jedoch Teilchenstaub und/oder elektrische Entladungen erzeugt, so daß die Ausbeute verringert und/oder das Substrat beschädigt wird. Das Herstellungsverfahren ist somit für eine industrielle Anwendbarkeit zu aufwendig, da das Verfahren photolithographische Schritte aufweist, wie Beschichten mit einem Photoresistüberzug und Entfernen eines Teils des Photoresistüberzugs zum Aufteilen in verschiedene Bereiche.

Aus diesem Grund wird ein Photoausrichtungsverfahren eingeführt, um das Ausrichtungsverfahren zu vereinfachen, als auch um das Substrat vor Beschädigung zu schützen. Das Photoausrichtungsverfahren ist ein Verfahren, bei dem der Ausrichtungsschicht mittels Einstrahlen von linear polarisiertem ultraviolettem Licht eine Kipprichtung aufgezwungen wird. Die für die Photoausrichtung verwendete Ausrichtungsschicht weist hauptsächlich PVCN (Polyvinylzimtsäurester) auf. Wenn auf die auf das Substrat aufgebrachte Photoausrichtungsschicht ultraviolettes Licht eingestrahlt wird, führt dies zu Zykloadditionen zwischen den Cinnamoyl-Gruppen der zu verschiedenen Photopolymeren gehörigen Zimtsäureseitenketten. Dadurch wird die Richtung der Photopolymer-Anordnung, d. h. die Kipprichtung der Ausrichtungsschicht, gleichförmig ausgerichtet. Ein Beispiel für das Photoausrichtungsverfahren ist folgendes Verfahren: Das Photoausrichtungsverfahren weist ein zweimaliges Einstrahlen von linear polarisiertem, ultravioletten Licht auf ein mit PVCN beschichtetes Substrat auf, um eine Vorkippung festzulegen, wobei die Vorkippung eine Ausrichtungsrichtung, eine Kipprichtung und einen Kippwinkel aufweist. Zuerst wird linear polarisiertes ultraviolettes Licht senkrecht auf das mit der Ausrichtungsschicht beschichtete Substrat eingestrahlt, um eine Vielzahl von Kipprichtungen festzulegen. Dann wird zweites linear polarisiertes Licht schräg auf die Ausrichtungsschicht eingestrahlt, um einen Kippwinkel und eine Kipprichtung festzulegen. Der Kippwinkel und die Kipprichtung werden durch Steuern der zweiten, schrägen Einstrahlrichtung relativ zum mit der Ausrichtungsschicht beschichteten Substrat erhalten.

Allerdings bestehen bei diesem Photoausrichtungsverfahren Probleme derart, daß das Verfahren aufgrund des zweimaligen Bestrahlens kompliziert und der Kippwinkel zu klein ist. Zum Beispiel liegen die erzielbaren Kippwinkel ungefähr bei jeweils 0,15°, 0,26° bzw. 0,30°, wenn die Winkel für das schräge Bestrahlen jeweils 30°, 45° bzw. 60° betragen. Zusätzlich nimmt das Bestrahlen der Ausrichtungsschicht viel Zeit in Anspruch, so daß die gesamte Herstellzeit verlängert wird. Außerdem ist die Stabilität der Ausrichtung durch das Photoausrichtungsverfahren geringer als durch das Reibeverfahren.

Es ist ein Ziel der Erfindung, eine Flüssigkristallzelle, die eine große Stabilität der Ausrichtung und einen größeren Betrachtungswinkel aufweist, sowie ein einfaches Herstellungsverfahren dafür bereitzustellen.

Dazu weist das erfindungsgemäße Herstellungsverfahren für die Flüssigkristallzelle folgende Schritte auf: Aufbringen einer ersten Ausrichtungsschicht auf ein erstes Substrat; Reiben der ersten Ausrichtungsschicht, so daß die erste Ausrichtungsschicht einen ersten Kippwinkel aufweist; Aufbringen einer zweiten Ausrichtungsschicht auf ein zweites Substrat; Bestrahlen der zweiten Ausrichtungsschicht mit Licht, so daß die zweite Ausrichtungsschicht mindestens einen zweiten Kippwinkel aufweist; und Einbringen von Flüssigkristallmaterial zwischen das erste Substrat und das zweite Substrat.

Die erste Ausrichtungsschicht weist Polyimid auf, die zweite Ausrichtungsschicht weist jedoch Photopolymere auf, wobei die Photopolymere auf Polysiloxan basierende Materialien aufweisen. Der Kippwinkel wird erfindungsgemäß abhängig von der Lichtenergie der ultravioletten Lichtstrahlung gesteuert.

Um die zweite Vorkippung festzulegen, weist die Erfindung ein zweimaliges Bestrahlen mit Licht auf. Das zweimalige Bestrahlen mit Licht weist folgende Schritte auf: senkrechtes Einstrahlen von polarisiertem Licht auf die zweite Ausrichtungsschicht und schräges Einstrahlen von unpolarisiertem Licht auf die zweite Ausrichtungsschicht. Was diese beiden Schritte angeht, so kann der zweite Schritt auch vor dem ersten erfolgen.

Ein anderes erfindungsgemäßes Verfahren zum Festlegen der zweiten Vorkippung nutzt die Fließwirkung des Flüssigkristallmaterials aus. Dieses Verfahren weist folgende Schritte auf: senkrechtes Einstrahlen von polarisiertem Licht auf das zweite Substrat, um einen zweiten Kippwinkel und zwei Kipprichtungen festzulegen; Einspritzen von Flüssigkristallmaterial zwischen das erste Substrat und das zweite Substrat in einer Richtung senkrecht zur Polarisationsrichtung des Lichtes, um einen Kippwinkel und eine zweite Kipprichtung auszuwählen.

Diese und andere Ziele und Vorteile der Erfindung werden anhand der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsformen näher beschrieben.

Fig. 1 zeigt ein herkömmliches, in zueinander entgegengesetzte Richtungen erfolgendes Reibeverfahren.

Fig. 2 zeigt eine Schnittansicht einer erfindungsgemäßen Flüssigkristallzelle.

Fig. 3 zeigt eine für die Photoausrichtung verwendbare Lichtbestrahlvorrichtung.

Fig. 4 ist eine Darstellung, die die Beziehung zwischen der Energie des ultravioletten Lichtes und dem Kippwinkel in der aus auf Polysiloxan basierenden Materialien gebildeten photoausrichtbaren Schicht zeigt.

Fig. 5 zeigt ein Verfahren zum Herstellen einer erfindungsgemäßen Flüssigkristallzelle.

Fig. 6 zeigt ein anderes Verfahren zum Herstellen einer erfindungsgemäßen Flüssigkristallzelle.

Fig. 7 ist eine Schnittansicht einer erfindungsgemäßen verdrillt nematischen Flüssigkristallzelle.

Fig. 8 zeigt eine Schnittansicht einer erfindungsgemäßen ECB-Flüssigkristallzelle.

Fig. 9 zeigt eine Schnittansicht einer erfindungsgemäßen "Bend Mode"-Flüssigkristallzelle.

Fig. 10 zeigt eine Schnittansicht einer erfindungsgemäßen IPS-Flüssigkristallzelle.

Fig. 11 zeigt ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen einer Mehr-Bereichs-Flüssigkristallzelle.

Fig. 12 zeigt ein anderes erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen einer Mehr-Bereichs-Flüssigkristallzelle.

Fig. 13 zeigt noch ein anderes erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen einer Mehr-Bereichs-Flüssigkristallzelle.

Fig. 14 zeigt noch ein anderes erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen einer Mehr-Bereichs-Flüssigkristallzelle.

Fig. 2 ist eine Zeichnung, aus der die Flüssigkristallzelle ersichtlich ist. 1 bzw. 2 bezeichnen jeweils ein erstes Substrat bzw. ein zweites Substrat der Flüssigkristallzelle. Das erste Substrat 1 ist mit der ersten aus Polyimid gebildeten Ausrichtungsschicht 8 beschichtet und wird so gerieben, daß eine erste Vorkippung, bestimmt durch eine ersten Kippwinkel und einer ersten Kipprichtung, festgelegt wird. Das zweite Substrat 2 ist mit der zweiten Ausrichtungsschicht 9 beschichtet. Das Material der zweiten Ausrichtungsschicht weist Photopolymere auf, wie auf Polysiloxan basierende Materialien. Polysiloxanzimtsäureester, eines der auf Polysiloxan basierenden Materialien, weist folgende Strukturformeln auf:

Polysiloxanzimtsäureester I

wobei Z aus der Gruppe bestehend aus OH, CH₃ oder einer Mischung davon ausgewählt werden kann,
m = 10-100,
l = 1-11,
L = 0 oder 1,
K = 0 oder 1,
X, X₁, X₂, Y = H, F, Cl, CN, CF₃, C_nH_2n+1 oder OC_nH_2n+1, wobei n 1 bis 10 sein kann, oder eine Mischung davon.

Polysiloxanzimtsäureester II

wobei Z aus der Gruppe bestehend aus OH, CH₃ oder einer Mischung davon ausgewählt werden kann,
m = 10-100,
l = 1-11,
L = 0 oder 1,
K = 0 oder 1,
X, X₁, X₂, y = H, F, Cl, CN, CF₃, C_nH_2n+1 oder OC_nH_2n+1 wobei n 1 bis 10 sein kann, oder eine Mischung davon.

Dann wird das mit der zweiten Ausrichtungsschicht 9 beschichtete zweite Substrat mittels einer Lichtbestrahlvorrichtung, wie aus Fig. 3 ersichtlich, mit ultraviolettem Licht bestrahlt. Die Lichtbestrahlvorrichtung weist eine ultraviolettes Licht erzeugende Lampe 3, eine Linse 4 und einen Polarisator 5 auf, der das von der Lampe 3 kommende ultraviolette Licht linear polarisiert. Zum Bestrahlen der Ausrichtungsschicht 9 des Substrats 2 mit ultraviolettem Licht, wird das von der Lampe 3 erzeugte ultraviolette Licht durch die Linse 4 hindurchgeführt und von dem Polarisator 5 linear polarisiert und dann auf die Ausrichtungsschicht 9 des Substrates 2 eingestrahlt. Die Lampe 3 ist eine Quecksilberdampflampe mit einer Wellenlänge von 365 nm.

Zu diesem Zeitpunkt kann der auf der Ausrichtungsschicht 9 gebildete Kippwinkel mittels der Lichtenergie gesteuert werden. Wenn ultraviolettes Licht senkrecht auf das mit der auf Polysiloxan basierende Materialien aufweisenden Ausrichtungsschicht 9 beschichtete Substrat 2 eingestrahlt wird, wird der Kippwinkel auf der Oberfläche der Ausrichtungsschicht 9 in einem großen Bereich gemäß der Lichtenergie gesteuert, wie aus Fig. 4 ersichtlich. Wie aus dieser Figur ersichtlich, kann der Kippwinkel in Abhängigkeit von der auf die Ausrichtungsschicht 9 eingestrahlten Lichtenergie gesteuert werden (die Wellenlänge des ultravioletten Lichtes beträgt 350 nm). Die Größe des Kippwinkels fällt exponentiell mit steigender Lichtenergie bis nahezu 0° bei 6000 mJ/cm. Der Kippwinkel fällt also exponentiell mit größer werdender Bestrahlung und beträgt praktisch Null bei einer Bestrahlung von 6000 mJ/cm².

Eine vertikal ausgerichtete Flüssigkristallzelle kann mittels der Wahl einer Lichtenergie von weniger als 2000 mJ/cm² hergestellt werden, und eine horizontal ausgerichtete Flüssigkristallzelle kann mittels der Wahl einer Lichtenergie von mehr als 5000 mJ/cm² hergestellt werden.

Aus Fig. 5 ist eine Ausführungsform eines Herstellungsverfahrens für eine Flüssigkristallzelle ersichtlich, die ein erstes Substrat, ein zweites Substrat und eine zwischen die beiden Substrate eingespritzte Flüssigkristallschicht aufweist. Das erste, mit einer ersten Ausrichtungsschicht 8 beschichtete Substrat 1 wird mechanische gerieben, um eine Vorkippung festzulegen, wobei Vorkippung bedeutet, daß ein Kippwinkel und eine Kipprichtung ausgebildet werden, wie aus den Fig. 5a und 5b ersichtlich.

Polarisiertes Licht wird senkrecht auf das mit der zweiten Ausrichtungsschicht 9 beschichtete Substrat 2 eingestrahlt, um einen zweiten Kippwinkel und zwei Kipprichtungen auszubilden, wobei die Kipprichtungen so zueinander stehen, wie aus den Fig. 5c und 5d ersichtlich. Um eine Kipprichtung auszuwählen, wird nichtpolarisiertes Licht schräg auf das mit der Ausrichtungsschicht 9 beschichtete Substrat 2 eingestrahlt, um eine zweite, in einer Kipprichtung orientierte Vorkippung festzulegen. Wie aus Fig. 5f ersichtlich, wird das Substrat 1 mit dem Substrat 2 zusammengefügt und zwischen die zusammengefügten Substrate 1, 2 wird Flüssigkristallmaterial eingespritzt, um eine gleichförmige Ausrichtung aufgrund der festen Haftung wegen der ersten Vorkippung zu erzielen.

Zusätzlich ist es bei dieser Ausführungsform auch möglich, das schräge Bestrahlen vor dem senkrechten Bestrahlen durchzuführen.

Aus Fig. 6 ist eine andere Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für eine Flüssigkristallzelle ersichtlich, wobei die Flüssigkristallzelle ein erstes Substrat, ein zweites Substrat und eine zwischen die beiden Substrate eingespritzte Flüssigkristallschicht aufweist. Das erste, mit einer ersten Ausrichtungsschicht 8 beschichtete Substrat 1 wird mechanische gerieben, um eine Vorkippung festzulegen, wobei Vorkippung bedeutet, daß ein Kippwinkel und eine Kipprichtung ausgebildet werden, wie aus den Fig. 6a und 6b ersichtlich.

Polarisiertes Licht wird senkrecht auf das mit der zweiten Ausrichtungsschicht 9 beschichtete Substrat 2 eingestrahlt, um einen zweiten Kippwinkel und zwei Kipprichtungen auszubilden, wobei die Kipprichtungen so zueinander stehen, wie aus den Fig. 6c und 6d ersichtlich. Um eine Kipprichtung auszuwählen, nutzt diese Ausführungsform die Fließwirkung des Flüssigkristallmaterials aus, bei der die Kipprichtung gemäß der Fließrichtung des fließenden Flüssigkristallmaterials festgelegt wird, wie aus den Fig. 6e und 6f ersichtlich. Das erste, eine aufgrund des Reibens eine gleichförmige Vorkippung aufweisende Ausrichtungsschicht aufweisende Substrat 1 und das zweite, eine in zwei unterschiedliche Vorkippungen orientierte Ausrichtungsschicht 9 aufweisende Substrat 2 werden zusammengesetzt, und dann wird Flüssigkristallmaterial zwischen die beiden Substrate eingespritzt. Aufgrund der Fließwirkung des Flüssigkristallmaterials wird das der Ausrichtungsschicht 9 benachbarte Flüssigkristallmaterial mittels eines einmaligen Bestrahlens von Licht gleichförmig in die zweite Kipprichtung ausgerichtet.

Es existieren unterschiedliche Arten von Flüssigkristallzellen, abhängig von der Anordnung zwischen der ersten Kipprichtung und der zweiten Kipprichtung, wobei die Kipprichtungen mittels einem der beiden oben genannten Verfahren festgelegt wurden.

Fig. 7 bezieht sich auf eine verdrillt nematische Flüssigkristallzelle. Aus den Fig. 7a und 7b ist eine vertikal ausgerichtete Flüssigkristallzelle ersichtlich, die abhängig von der Spannung gesteuert werden kann. Aus den Fig. 7c und 7d ist eine horizontal ausgerichtete Flüssigkristallzellen ersichtlich.

Fig. 8 bezieht sich auf eine ECB-Flüssigkristallzelle. Aus den Fig. 8a und 8b ist eine vertikal ausgerichtete Flüssigkristallzellen ersichtlich, die abhängig von der Spannung gesteuert werden kann. Aus den Fig. 8c und 8d ist eine horizontal ausgerichtete Flüssigkristallzellen ersichtlich.

Fig. 9 bezieht sich auf eine "Bend Mode"-Flüssigkristallzelle. Aus den Fig. 9a und 9b ist eine vertikal ausgerichtete Flüssigkristallzellen ersichtlich, die abhängig von der Spannung gesteuert werden kann. Aus den Fig. 9c und 9d ist eine horizontal ausgerichtete Flüssigkristallzellen ersichtlich.

Fig. 10 bezieht sich auf eine IPS-Flüssigkristallzelle, bei der sich die Flüssigkristallmoleküle 6 in Abhängigkeit von der Spannung verschieben, wobei mit 7a die Gate-Elektrode und mit 7b die gemeinsame Elektrode bezeichnet sind.

Diese Erfindung kann für eine Mehr-Bereichs-Flüs sigkristallzelle angewendet werden, um einen größeren Betrachtungswinkel zu ermöglichen. Verschiedene Ausführungsformen des Herstellungsverfahrens für Mehr-Bereichs-Flüs sigkristallzellen sind aus den Fig. 11, 12, 13 und 14 ersichtlich.

Aus Fig. 11 ist eine Ausführungsform der Erfindung ersichtlich, um eine Mehr-Bereichs-Flüssigkristallzelle bereitzustellen, bei der die erste Ausrichtungsschicht 8 eine erste Vorkippung aufgrund mechanischen Reibens aufweist, und die zweite Ausrichtungsschicht 9 zwei Vorkippungen in zwei Bereichen aufgrund der Verwendung von Licht aufweist.

Aus den Fig. 11a und 11b ist das Reibeverfahren zum Erzielen einer ersten Vorkippung auf der Ausrichtungsschicht 8 mit einem geringen, nahezu 0° betragenden Kippwinkel ersichtlich. Aus den Fig. 11c bis 11f ist das Verfahren zum Ausbilden von zwei zweiten Vorkippungen in zwei Bereichen der zweiten Ausrichtungsschicht 9 mit einer großen Lichtenergie ersichtlich, um einen geringen Kippwinkel von unter 5° zu erzielen. Polarisiertes Licht wird senkrecht auf die zweite Ausrichtungsschicht 9 eingestrahlt, um einen zweiten Kippwinkel und zwei Kipprichtungen festzulegen, wie aus Fig. 11d ersichtlich. Um eine erste Kipprichtung für einen ersten Bereich I auszuwählen, wird nichtpolarisiertes Licht in einer ersten Richtung schräg auf das Substrat 2 eingestrahlt, bei dem der zweite Bereich II mit einer Maske 10 abgedeckt ist. Dadurch wird die 2-1-Vorkippung im ersten Bereich I ausgebildet, wobei die 2-1-Vorkippung durch den zweiten Kippwinkel und die erste Kipprichtung definiert ist, wie aus Fig. 11e ersichtlich.

Um die 2-2-Kipprichtung für den zweiten Bereich auszuwählen, wird die den zweiten Bereich II bedeckende Maske 10 nun über den ersten Bereich I gelegt. Nichtpolarisiertes Licht wird in einer zweiten Richtung schräg auf das zweite Substrat 2 eingestrahlt, bei dem der erste Bereich I mit der Maske 10 abgedeckt ist. Dadurch wird die 2-2-Vorkippung im zweiten Bereich II ausgebildet, wie aus Fig. 11f ersichtlich, wobei die 2-2-Vorkippung eine Vorkippung mit dem zweiten Kippwinkel und in der zweiten Kipprichtung bedeutet.

Das erste Substrat 1 und das zweite Substrat 2 werden zusammengesetzt, und Flüssigkristallmaterial wird zwischen die beiden Substrate 1, 2 eingespritzt. Die Moleküle des Flüssigkristallmaterials richten sich gemäß den zweiten Vorkippungen zwischen den verschiedenen Bereichen in unterschiedliche Richtungen aus, wie aus Fig. 11g ersichtlich.

Dadurch wird der Betrachtungswinkel mittels der gemäß der Bereiche unterschiedlich ausgerichteten Flüssigkristallmoleküle ausgeglichen, um einen größeren Betrachtungswinkel für die Flüssigkristallzelle zu erhalten.

Bei dieser Ausführungsform können mittels der Zwei-Bereichs-Flüs sigkristallzellen Mehr-Bereichs-Zellen ohne Photolithographie-Verfahren erhalten werden. Zusätzlich wird die Stabilität der Ausrichtung von der ersten Vorkippung sichergestellt.

Aus Fig. 12 ist eine andere Ausführungsform der Erfindung ersichtlich, um eine vertikal ausgerichtete Mehr-Bereichs-Flüs sigkristallzelle bereitzustellen, bei der die erste Ausrichtungsschicht 8 eine erste Vorkippung aufgrund eines mechanischen Reibeverfahrens aufweist, und die zweite Ausrichtungsschicht 9 zwei Vorkippungen in zwei Bereichen aufgrund der Verwendung von Licht aufweist.

Aus den Fig. 12a und 12b ist das Reibeverfahren zum Erzielen einer ersten Vorkippung auf der Ausrichtungsschicht 8 mit einem großen Kippwinkel von über 60° ersichtlich. Aus den Fig. 12c bis 12f ist das Verfahren zum Ausbilden von zwei zweiten Vorkippungen in zwei Bereichen der zweiten Ausrichtungsschicht 9 mit einer geringen Lichtenergie ersichtlich, um einen großen Kippwinkel von weniger als 60° zu erzielen. Polarisiertes Licht wird senkrecht auf die zweite Ausrichtungsschicht 9 eingestrahlt, um einen zweiten Kippwinkel und zwei Kipprichtungen festzulegen, wie aus Fig. 12d ersichtlich. Um eine erste Kipprichtung für einen ersten Bereich I auszuwählen, wird nichtpolarisiertes Licht in einer ersten Richtung schräg auf das Substrat 2 eingestrahlt, bei dem der zweite Bereich II mit einer Maske 10 abgedeckt ist. Dadurch wird die 2-1-Vorkippung im ersten Bereich I ausgebildet, wobei die 2-1-Vorkippung durch den zweiten Kippwinkel und die erste Kipprichtung definiert ist, wie aus Fig. 12e ersichtlich.

Um die 2-2-Kipprichtung für den zweiten Bereich auszuwählen, wird die den zweiten Bereich II bedeckende Maske 10 nun über den ersten Bereich I gelegt. Nichtpolarisiertes Licht wird in einer zweiten Richtung schräg auf das zweite Substrat 2 eingestrahlt, bei dem der erste Bereich I mit der Maske 10 abgedeckt ist. Dadurch wird die 2-2-Vorkippung im zweiten Bereich II ausgebildet, wie aus Fig. 12f ersichtlich, wobei die 2-2-Vorkippung eine Vorkippung mit dem zweiten Kippwinkel und in der zweiten Kipprichtung bedeutet.

Das erste Substrat 1 und das zweite Substrat 2 werden zusammengesetzt, und Flüssigkristallmaterial wird zwischen die beiden Substrate 1, 2 eingespritzt. Die Moleküle des Flüssigkristallmaterials richten sich gemäß den zweiten Vorkippungen zwischen den verschiedenen Bereichen in unterschiedliche Richtungen aus, wie aus Fig. 12g ersichtlich. Diese vertikal ausgerichtete Flüssigkristallzelle entspricht im ersten Bereich I einer "Bend Mode"-Flüssigkristallzelle und im zweiten Bereich II einer ECB-Flüssigkristallzelle.

Bei dieser Ausführungsform wird eine Zwei-Bereichs-Flüs sigkristallzelle durch eine geringe Lichtenergie erreicht, so daß es möglich ist, Mehr-Bereichs-Flüssigkristallzellen ohne Photolithographie zu erhalten. Zusätzlich wird die Stabilität der Ausrichtung von der ersten Vorkippung sichergestellt.

Aus Fig. 13 ist eine weitere Ausführungsform des Herstellungsverfahrens für eine Mehr-Bereichs-Flüs sigkristallzelle ersichtlich. Aus den Fig. 13a und 13b ist das Reibeverfahren ersichtlich, um eine 1-1-Vorkippung bzw. eine 1-2-Vorkippung im ersten Bereich I bzw. im zweiten Bereich II zu erzielen, wobei die Kippwinkel unterschiedlich sind, z. B. ist der 1-1-Kippwinkel größer als der 1-2-Kippwinkel.

Eine Ausrichtungsschicht für die voneinander getrennten Bereiche ist aus Fig. 13a ersichtlich: Eine organische Ausrichtungsschicht 8A ist mit einer anorganischen Ausrichtungsschicht 8B auf dem ersten Substrat 1 bedeckt. In der organischen Ausrichtungsschicht 8A ist der Kippwinkel größer als in der anorganischen Ausrichtungsschicht 8B. Damit wird durch die 1-1-Vorkippung ein kleiner 1-1-Kippwinkel und die erste Kipprichtung festgelegt, und durch die 1-2-Vorkippung wird ein großer 1-2-Kippwinkel und ebenfalls die erste Kipprichtung festgelegt.

Aus den Fig. 13c bis 13d ist ein Verfahren ersichtlich, bei dem auf dem zweiten Substrat 2 zwei Bereich mit unterschiedlich großen Kippwinkeln voneinander abgetrennt werden. Das mit der zweiten Ausrichtungsschicht 9 beschichtete Substrat 2 ist mit einer Maske abgedeckt, die einen durchlässigen Teil für den ersten Bereich I und einen halbdurchlässigen Teil für den zweiten Bereich II aufweist. Polarisiertes Licht wird senkrecht auf das zweite Substrat eingestrahlt, um einen großen 2-1-Kippwinkel, eine zweite Ausrichtungsrichtung und zwei zweite Kipprichtungen im ersten Bereich I, und eine geringen 2-2-Kippwinkel und zwei zweite Kipprichtungen im zweiten Bereich II festzulegen. Um eine zweite Kipprichtung im ersten Bereich I und im zweiten Bereich II auszuwählen, wird nichtpolarisiertes Licht schräg auf das zweite Substrat 2 eingestrahlt. Dadurch werden die 2-1-Vorkippung bzw. die 2-2-Vorkippung im ersten Bereich I bzw. im zweiten Bereich II gebildet. Dabei bedeutet die 2-1-Vorkippung einen großen 2-1-Kippwinkel und die zweite Kipprichtung, und die 2-2-Vorkippung bedeutet einen geringen 2-2-Kippwinkel und ebenfalls die zweite Kipprichtung, wie aus Fig. 13e ersichtlich.

Das erste Substrat 1 und das zweite Substrat 2 werden zusammengesetzt, und Flüssigkristallmaterial wird zwischen die beiden Substrate 1, 2 eingespritzt. Die Moleküle des Flüssigkristallmaterials richten sich gemäß den zweiten Vorkippungen zwischen den verschiedenen Bereichen in unterschiedliche Richtungen aus, wie aus Fig. 13f ersichtlich.

Bei dieser Ausführungsform können mittels der Zwei-Bereichs-Flüs sigkristallzellen Mehr-Bereichs-Zellen ohne Photolithographie-Verfahren erhalten werden. Zusätzlich wird die Stabilität der Ausrichtung aufgrund der mittels des Reibens erzielten, ersten Ausrichtung sichergestellt.

Aus Fig. 14 ist ein Herstellungsverfahren für eine Vier-Bereich-Flüssigkristallzelle ersichtlich. Ein erstes Zwei- Bereichs-Substrat 1 wird mittels in zueinander entgegengesetzte Richtungen erfolgendes Reiben erstellt, wie aus den Fig. 14a, 14b und 14c ersichtlich. Das zweite Vier-Bereichs-Substrat 2 wird erstellt, indem die Einstrahlrichtung des eingestrahlten Lichtes verändert wird, wie aus den Fig. 14d bis 14i ersichtlich.

Das erste Substrat 1 und das zweite Substrat 2 werden zusammengesetzt, und Flüssigkristallmaterial wird zwischen die beiden Substrate 1, 2 eingespritzt. Die Moleküle des Flüssigkristallmaterials richten sich gemäß den zweiten Vorkippungen zwischen den verschiedenen Bereichen in unterschiedliche Richtungen aus, wie aus Fig. 14g ersichtlich.

Diese Erfindung kann durch die Steuerung der Ausrichtungsrichtung auf verschieden Arten von Flüssigkristallzellen angewendet werden, wie verdrillt nematische Flüssigkristallzellen, ECB-Flüssigkristallzellen, "Bend Mode"-Flüssigkristallzellen und IPS-Flüssigkristallzellen.

Bei dieser Erfindung ist es möglich, die Stabilität aufgrund der geriebenen ersten Ausrichtungsschicht sicherzustellen, und die Ausbeute durch das Ausrichten mittels Licht statt Reibens zu erhöhen, da Beschädigungen aufgrund des Reibeverfahrens ausgeschlossen werden.

Zuätzlich können Mehr-Bereichs-Flüssigkristallzellen mit einem einfachen Verfahren ohne Photolithographie für in zueinander entgegengesetzte Richtungen erfolgendes Reiben erhalten werden.

Claims

1. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige, das folgende Schritte aufweist:
Versehen eines ersten Substrats (1) mit einer ersten Ausrichtungsschicht (8);
Reiben der ersten Ausrichtungsschicht (8), so daß sie einen ersten Kippwinkel aufweist;
Versehen eines zweiten Substrats (2) mit einer zweiten Ausrichtungsschicht (9);
Bestrahlen der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit Licht, so daß sie zumindest einen Kippwinkel aufweist; und
Einbringen von Flüssigkristallmaterial zwischen das erste Substrat (1) und das zweite Substrat (2).

2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die erste Ausrichtungsschicht (8) Polyimid aufweist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die zweite Ausrichtungsschicht (9) auf Polysiloxan basierende Materialien aufweist.

4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Licht linear polarisiertes Licht aufweist.

5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Bestrahlens mit Licht aufweist:
Erzeugen von unpolarisiertem Licht; und
Lenken des unpolarisierten Lichts durch einen Polarisator hindurch, um linear polarisiertes Licht zu erzeugen.

6. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das linear polarisierte Licht linear polarisiertes ultraviolettes Licht aufweist.

7. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Licht im Wesentlichen senkrecht auf die Ausrichtungsschicht (9) eingestrahlt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Licht ultraviolettes Licht aufweist.

9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Bestrahlens mit Licht ein einmaliges Bestrahlen mit Licht aufweist.

10. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Ausrichtungsschicht (9) nach dem Schritt des Bestrahlens eine Vielzahl von Winkeln aufweist, wobei die Kippwinkel in entsprechenden Kipprichtungen orientiert sind, und wobei der Schritt des Einbringens einen Schritt aufweist, in dem Flüssigkristallmaterial zwischen das erste Substrat (1) und das zweite Substrat (2) eingespritzt wird, so daß von der Vielzahl der Kippwinkel ein in nur einer Richtung orientierter Kippwinkel ausgewählt wird.

11. Verfahren nach Anspruch 7, wobei der Schritt des Bestrahlens mit Licht einen Schritt aufweist, in dem zusätzlich Licht eingestrahlt wird, um von der Vielzahl der Kippwinkel einen in nur einer Richtung orientierten Kippwinkel auszuwählen.

12. Verfahren nach Anspruch 11, wobei dieses zusätzliche Licht unpolarisiertes Licht aufweist.

13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das unpolarisierte zusätzliche Licht schräg auf die zweite Ausrichtungsschicht (9) eingestrahlt wird.

14. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Bestrahlens folgende Schritte aufweist:
senkrechtes Bestrahlen der Ausrichtungsschicht (9) mit polarisiertem Licht;
schräges Bestrahlen der Ausrichtungsschicht (9) mit unpolarisiertem Licht.

15. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Bestrahlens folgende Schritte aufweist:
schräges Bestrahlen der Ausrichtungsschicht (9) mit unpolarisiertem Licht;
senkrechtes Bestrahlen der Ausrichtungsschicht (9) mit polarisiertem Licht.

16. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Bestrahlens folgende Schritte aufweist:
Bestrahlen der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit erstem Licht, so daß die Ausrichtungsschicht (9) eine Vielzahl von Kippwinkeln aufweist, die in entsprechenden Kipprichtungen orientiert sind;
Bestrahlen eines ersten Teils I der Ausrichtungsschicht (9) mit zweitem Licht, um einen nur in einer ersten Richtung orientierten Kippwinkel im ersten Teil I auszuwählen;
Bestrahlen eines zweiten Teils II der Ausrichtungsschicht (9) mit drittem Licht, um einen nur in einer zweiten Richtung orientierten Kippwinkel im zweiten Teil II auszuwählen.

17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das erste Licht linear polarisiertes Licht aufweist.

18. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das erste Licht im Wesentlichen senkrecht auf die Oberfläche der zweiten Ausrichtungsschicht (9) eingestrahlt wird.

19. Verfahren nach Anspruch 16, wobei das zweite Licht und/oder das dritte Licht unpolarisiertes Licht aufweist/aufweisen.

20. Verfahren nach Anspruch 19, wobei das zweite Licht und/oder das dritte Licht schräg auf die Oberfläche der zweiten Ausrichtungsschicht (9) eingestrahlt wird/werden.

21. Verfahren nach Anspruch 1, das folgende Schritte aufweist:
Versehen eines Teils der ersten Ausrichtungsschicht (8A) mit einer dritten Ausrichtungsschicht (8B);
Reiben der dritten Ausrichtungsschicht (8B), so daß sie einen dritten Kippwinkel aufweist.

22. Verfahren nach Anspruch 21, wobei sich die Größe des Kippwinkels der dritte Ausrichtungsschicht (8B) von der Größe des Kippwinkels der ersten Ausrichtungsschicht (8A) deutlich unterscheidet.

23. Verfahren nach Anspruch 21, wobei der dritte Kippwinkel größer als der erste Kippwinkel ist.

24. Verfahren nach Anspruch 1, das folgende Schritte aufweist:
Bestrahlen eines ersten Teils I der zweiten
Ausrichtungsschicht (9) mit einer ersten Dosis ersten Lichts, so daß eine erste Vielzahl von Kippwinkeln und entsprechenden Kipprichtungen in dem ersten Teil I der zweiten Ausrichtungsschicht (9) ausgebildet werden, und
Bestrahlen eines zweiten Teils II der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit einer zweiten Dosis des ersten Lichts, so daß eine zweite Vielzahl von Kippwinkeln und entsprechenden Kipprichtungen im zweiten Teil II der Ausrichtungsschicht (9) ausgebildet werden.

25. Verfahren nach Anspruch 24, das folgende Schritte aufweist:
Bestrahlen des ersten Teils I der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit einer ersten Dosis von zweitem Licht, um einen der Kippwinkel in dem ersten Teil I der Ausrichtungsschicht (9) auszuwählen, und
Bestrahlen des zweiten Teils II der Ausrichtungsschicht (9) mit einer zweiten Dosis des zweiten Lichts, um einen der Kippwinkel in dem zweiten Teil II der zweiten Ausrichtungsschicht (9) auszuwählen.

26. Verfahren nach Anspruch 24, wobei das erste Licht linear polarisiertes Licht aufweist.

27. Verfahren nach Anspruch 24, wobei das erste Licht im Wesentlichen senkrecht auf die Oberfläche der zweiten Ausrichtungsschicht (9) eingestrahlt wird.

28. Verfahren nach Anspruch 24, wobei die Kippwinkel aus der ersten Vielzahl von Kippwinkeln alle größer sind als die Kippwinkel aus der zweiten Vielzahl der Kippwinkel.

29. Verfahren nach Anspruch 25, wobei das zweite Licht unpolarisiertes Licht aufweist.

30. Verfahren nach Anspruch 25, wobei das zweite Licht schräg auf die Oberfläche der zweiten Ausrichtungsschicht (9) eingestrahlt wird.

31. Verfahren nach Anspruch 24, wobei das erste Licht auf die zweite Ausrichtungsschicht (9) durch eine Platte (10) hindurch eingestrahlt wird, die einen ersten, zum ersten Teil I des Substrats gehörigen Teil mit einer ersten Durchlässigkeit und einen zweiten, zum zweiten Teil II des Substrats gehörigen zweiten Teil mit einer zweiten Durchlässigkeit aufweist.

32. Verfahren nach Anspruch 25, wobei das zweite Licht auf die zweite Ausrichtungsschicht (9) durch eine Platte (10) hindurch eingestrahlt wird, die einen ersten, zum ersten Teil I des Substrats gehörigen Teil mit einer ersten Durchlässigkeit und einen zweiten, zum zweiten Teil II des Substrats gehörigen zweiten Teil mit einer zweiten Durchlässigkeit aufweist.

33. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Bestrahlens folgende Schritte aufweist:
Bestrahlen des ersten Teils I der zweiten Ausrichtungsschicht mit erstem Licht, so daß der erste Teil I der zweiten Ausrichtungsschicht (9) einen ersten, in einer ersten Richtung orientierten Kippwinkel aufweist;
Bestrahlen des zweiten Teils II der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit zweitem Licht, so daß der zweite Teil II der zweiten Ausrichtungsschicht (9) einen zweiten in einer zweiten Richtung orientierten Kippwinkel aufweist; Bestrahlen eines dritten Teils III der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit drittem Licht, so daß der dritte Teil III der zweiten Ausrichtungsschicht (9) einen dritten in einer dritten Richtung orientierten Kippwinkel aufweist;
Bestrahlen eines vierten Teils IV der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit viertem Licht, so daß der vierte Teil IV der Ausrichtungsschicht (9) einen vierten in einer vierten Richtung orientierten Kippwinkel aufweist.

34. Verfahren nach Anspruch 33, wobei mindestens in einem der Schritte des Bestrahlens mit erstem Licht, des Bestrahlens mit zweitem Licht, des Bestrahlens mit drittem Licht und des Bestrahlens mit viertem Licht das Licht unpolarisiertes Licht aufweist.

35. Verfahren nach Anspruch 34, wobei mindestens in einem der Schritte des Bestrahlens mit erstem Licht, des Bestrahlens mit zweitem Licht, des Bestrahlens mit drittem Licht und des Bestrahlens mit viertem Licht das Licht schräg auf die Oberfläche der zweiten Ausrichtungsschicht (9) eingestrahlt wird.

36. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Schritt des Bestrahlens folgende Schritte aufweist:
senkrechtes Bestrahlen des ersten Teils I der zweiten Ausrichtungsschicht mit erstem polarisierten Licht in einer ersten Richtung; und
senkrechtes Bestrahlen des zweiten Teils II der zweiten Ausrichtungsschicht mit zweitem polarisierten Licht in einer zweiten Richtung.

37. Verfahren nach Anspruch 36, wobei der Schritt des Bestrahlens folgende Schritte aufweist:
schräges Bestrahlen des ersten Teils I der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit unpolarisiertem Licht in einer ersten Richtung;
schräges Bestrahlen des zweiten Teils II der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit zweitem unpolarisierten Licht in einer zweiten Richtung.

38. Verfahren nach Anspruch 36, wobei der Schritt des Bestrahlens folgende Schritte aufweist:
schräges Bestrahlen eines ersten Bereichs des ersten Teils I der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit erstem unpolarisierten Licht in einer ersten Richtung;
schräges Bestrahlen eines zweiten Bereichs des ersten Teils I der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit zweitem unpolarisierten Licht in einer zweiten Richtung;
schräges Bestrahlen eines ersten Bereichs des zweiten Teils II der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit drittem unpolarisierten Licht in einer dritten Richtung;
schräges Bestrahlen eines zweiten Bereichs des zweiten Teils II der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit viertem unpolarisierten Licht in einer vierten Richtung.

39. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeige mit folgenden Schritten:
Beschichten eines ersten Substrats 1 mit einer ersten Ausrichtungsschicht (8);
Reiben der ersten Ausrichtungsschicht (8), um eine erste Ausrichtungsrichtung, eine erste Kipprichtung und einen ersten Kippwinkel mit einer bestimmten Größe auszubilden;
Beschichten eines zweiten Substrats (2) mit einer zweiten Ausrichtungsschicht (9);
Bestrahlen der zweiten Ausrichtungsschicht (9), um eine zweite Ausrichtungsrichtung und eine Vielzahl von zweiten, in einer Vielzahl von Kipprichtungen orientierte Kippwinkel auszubilden; und
Einspritzen von Flüssigkristallmaterial zwischen das erste Substrat (1) und das zweite Substrat (2), um aus der Vielzahl der in einer Vielzahl von Kipprichtungen orientierten Kippwinkeln einen auszuwählen.

40. Verfahren nach Anspruch 39, wobei die erste Ausrichtungsschicht (8) Polyimid aufweist.

41. Verfahren nach Anspruch 39, wobei die zweite Ausrichtungsschicht (9) auf Polysiloxan basierende Materialien aufweist.

42. Verfahren nach Anspruch 39, wobei während des Bestrahlens das Licht im Wesentlichen senkrecht auf die zweite Ausrichtungsschicht (9) eingestrahlt wird.

43. Verfahren nach Anspruch 39, wobei das Licht ultraviolettes Licht aufweist.

44. Verfahren nach Anspruch 43, wobei das ultraviolette Licht linear polarisiertes ultraviolettes Licht aufweist.

45. Verfahren nach Anspruch 39, wobei der Schritt des Bestrahlens mit Licht ein einmaliges Bestrahlen der zweiten Ausrichtungsschicht (9) mit Licht aufweist.

46. Verfahren nach Anspruch 39, wobei die erste Kipprichtung von der zweiten Kipprichtung verschieden ist.

47. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit:
einem ersten Substrat (1);
einer geriebenen Schicht (8) auf dem ersten Substrat (1);
einem zweiten Substrat (9);
einer photoausrichtbaren Schicht (9) auf dem zweiten Substrat (2); und
zwischen das Substrat (1) und das Substrat (2) eingebrachtem Flüssigkristallmaterial.

48. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 47, wobei die geriebene Schicht Polyimid aufweist.

49. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 47, wobei die photoausrichtbare Schicht (9) auf Polysiloxan basierende Materialien aufweist.

50. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 47, wobei erste Moleküle des zur geriebenen Schicht (8) benachbarten Flüssigkristallmaterials in einer ersten Richtung ausgerichtet sind, wobei aufgrund der ersten Richtung in der geriebenen Schicht (8) ein erster Kippwinkel und eine erste Kipprichtung festgelegt sind.

51. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 47, wobei zweite Moleküle des zur photoausrichtbaren Schicht (9) benachbarten Flüssigkristallmaterials in einer zweiten Richtung ausgerichtet sind, wobei aufgrund der zweiten Richtung in der photoausrichtbaren Schicht (9) ein zweiter Kippwinkel und eine zweite Kipprichtung festgelegt sind.

52. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 47, wobei der erste Kippwinkel und/oder der zweite Kippwinkel größer als 60° ist/sind.

53. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 52, wobei der erste Kippwinkel und/oder der zweite Kippwinkel im Bereich von 75°-87° liegt/liegen.

54. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 47, wobei die erste Kipprichtung im Wesentlichen parallel zur zweiten Kipprichtung ist.

55. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 47, wobei die erste Kipprichtung von der zweiten Kipprichtung verschieden ist.

56. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 55, wobei die erste Kipprichtung im Wesentlichen senkrecht zur zweiten Kipprichtung ist.

57. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 55, wobei die erste Kipprichtung im Wesentlichen antiparallel zur zweiten Kipprichtung ist.

58. Flüssigkristallanzeigevorrichtung nach Anspruch 47, wobei jeweils eine Vielzahl von Flüssigkristallmolekülen zu jeweiligen Teilen der photoausrichtbaren Schicht (9) benachbart angeordnet sind, wobei jede Vielzahl von Flüssigkristallmolekülen entsprechende Kippwinkel und Kipprichtungen aufweist.