DE19638501A1 - Capillary especially micro-capillary production - Google Patents
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Abstract
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Kapillare.The invention relates to a method for producing a Capillary.
Für mikromechanische oder mikrooptische Komponenten und Modu le der Mikrosystemtechnik werden vielfach mit Mikrokapillaren versehene Körper aus beispielsweise Glas oder Silizium benö tigt. Für den Transport von Flüssigkeiten, beispielsweise im Kühlkörper eines Mikrokühlers, im Druckkopf eines Tinten strahldruckers oder in Mikrozerstäubern, für die Trennung von Flüssigkeiten oder Gasen mittels planaren Mikrosäulen-Chromatographen, oder für chemische oder biochemische Reak tionen in Mikroreaktoren werden feine Kanäle oder Kanalnetz werke herstellt. In der Sensortechnik können Glaskapillaren als Küvetten für Mikrospektralphotometer benutzt werden.For micromechanical or micro-optical components and modules le of microsystem technology are often with microcapillaries provided body made of, for example, glass or silicon does. For the transport of liquids, for example in Heat sink of a micro cooler, in the printhead of an ink jet printer or in micro atomizers, for the separation of Liquids or gases using planar microcolumn chromatographs, or for chemical or biochemical reak Micro channels become fine channels or a network of channels works. Glass capillaries can be used in sensor technology can be used as cuvettes for microspectrophotometers.
Luftgefüllte Mikrokapillaren, deren Wandung geeignet be schichtet ist, können auch als Lichtwellenleiter für Laser strahlung im Infraroten genutzt werden, beispielsweise zur Lichtleitung bei 10,6 µm mit GeO₂ beschichteten Kapillaren. Ebenso können flüssigkeitsgefüllte Kapillaren als Lichtleiter genutzt werden, beispielsweise CCl₄ wegen seiner hohen Ver det-Konstanten.Air-filled microcapillaries, the walls of which are suitable layers can also be used as optical fibers for lasers radiation in the infrared can be used, for example, for Light guide at 10.6 µm with GeO₂ coated capillaries. Likewise, liquid-filled capillaries can be used as light guides are used, for example CCl₄ because of its high ver det constants.
Üblicherweise werden planare Mikro-Kapillarsysteme durch Ät zen von Nuten nach photolithographischer Strukturdefinition hergestellt. Bevorzugtes Substratmaterial ist Silizium, das in Form von einkristallinen Scheiben zur Verfügung steht, oder Glas. Das planare strukturierte System wird dann durch Aufbringen einer Deckplatte geschlossen.Planar micro-capillary systems are usually replaced by etching zen of grooves according to the photolithographic structure definition produced. Preferred substrate material is silicon, which is available in the form of single-crystal wafers, or glass. The planar structured system is then through Application of a cover plate closed.
Eine häufig angewandte Verbindungstechnik für temperaturfeste Verbindungen ist das anodische Bonden, bei dem eine oxidierte Siliziumscheibe mit einer Alkali-Ionen enthaltenden Glas schicht verbunden wird. Diese Technik ist auf das Vorhanden sein von im elektrischen Feld beweglichen Ionen angewiesen. Zudem müssen die zu verbindenden Materialien eine hinreichen de Leitfähigkeit aufweisen. Außerdem erfordert sie den Ein satz einer Deckelscheibe, die aus mechanischen Gründen ver gleichsweise dick ist und daher in häufig unerwünscht er Weise hoch aufträgt.A frequently used connection technology for temperature-resistant Bonding is anodic bonding, in which one is oxidized Silicon wafer with a glass containing alkali ions layer is connected. This technique is based on the presence depend on ions moving in the electric field. In addition, the materials to be joined must suffice have conductivity. It also requires the one set of a cover plate that ver is equally thick and therefore he is often undesirable applies high.
Der im Anspruch 1 angegebenen Erfindung liegt die Aufgabe zu grunde, ein besonders einfaches und wirksames Verfahren zur Herstellung einer Kapillare bereitzustellen.The invention specified in claim 1 has the object reasons, a particularly simple and effective method for Provide production of a capillary.
Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt darin, daß kein diskrekter Körper in Form eines Deckels zum Abdecken der die Kapillare definierenden Nut erforderlich ist.A major advantage of the method according to the invention is that there is no discreet body in the form of a lid required to cover the groove defining the capillary is.
Wie bei dem herkömmlichen Verfahren können vorteilhafterweise ganze Systeme aus sich kreuz enden und/oder nicht kreuzenden Kapillaren hergestellt werden, indem in der Oberfläche des Substrats mehrere, jeweils eine Kapillare definierende Nuten erzeugt werden (Anspruch 2).As with the conventional method, advantageously whole systems of crossing and / or not crossing Capillaries are made by placing in the surface of the Several grooves, each defining a capillary are generated (claim 2).
Es kann vorkommen, daß die aus der Gasphase abgeschiedene und eine Nut abdeckende Schicht, insbesondere bei einer später beschriebenen Weiterbehandlung, in die Nut einsinkt und da durch die Gefahr besteht, daß der zur Bildung der Kapillare zu verbleibende Hohlraum in der Nut verschlossen wird. Um dies möglichst zu vermeiden, ist es zweckmäßig, eine Nut mit einer größeren Tiefe als Breite zu verwenden (Anspruch 3).It can happen that the separated from the gas phase and a groove covering layer, especially in a later one described further treatment, sinks into the groove and there due to the risk that the capillary remaining cavity in the groove is closed. Around To avoid this if possible, it is advisable to use a groove to use a greater depth than width (claim 3).
Ein besonderer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt darin, daß es nicht nur für die Herstellung von Kapillaren kleiner lichter Weite, sondern auch zur Herstellung von Ka pillaren relativ großer lichter Weite zwischen 2 µm und 100 µm geeignet ist. A particular advantage of the method according to the invention lies in that it's not just for the production of capillaries small clear width, but also for the production of Ka pillaren relatively large clear width between 2 µm and 100 µm is suitable.
Vorteilhafterweise wird eine Schicht mit einer Schichtdicke von mindestens 10 µm abgeschieden (Anspruch 4). Bei dieser Schichtdicke ist gewährleistet, daß die abgeschiedene Schicht nicht abreißt.A layer with a layer thickness is advantageously used deposited by at least 10 µm (claim 4). At this Layer thickness ensures that the deposited layer does not tear off.
Bevorzugter- und vorteilhafterweise wird auf der Oberfläche eine Schicht aus einem Material auf der Basis von SiO₂ abge schieden (Anspruch 5). Es ist dabei zweckmäßig, ein Material auf der Basis von SiO₂ abzuscheiden, das zu mehr als 60 Molprozent aus SiO₂ besteht (Anspruch 6), wobei reines SiO₂ mit umfaßt ist.It is preferred and advantageous on the surface Abge a layer of a material based on SiO₂ divorced (claim 5). It is advisable to use a material to deposit on the basis of SiO₂, the more than 60 Mol percent of SiO₂ consists (claim 6), wherein pure SiO₂ is included.
Bei bevorzugten Ausführungsformen wird ein Material auf der Basis von SiO₂ abgeschieden, das mit zumindest einem Stoff aus der Stoffgruppe B₂O₃, P₂O₅, GeO₂, Al₂O₃, Ga₂O₃, TiO₂, ZrO₂, ZnO, MgO, As₂O₃, Sb₂O₅, Bi₂O₃, SnO₂ dotiert ist (Anspruch 7).In preferred embodiments, a material is on the Base of SiO₂ deposited, with at least one substance from the group of substances B₂O₃, P₂O₅, GeO₂, Al₂O₃, Ga₂O₃, TiO₂, ZrO₂, ZnO, MgO, As₂O₃, Sb₂O₅, Bi₂O₃, SnO₂ is doped (Claim 7).
Günstig ist es, wenn die für die abzuscheidende Schicht und die Oberfläche verwendeten Materialien einen zumindest annä hernd gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweisen (Anspruch 8). "Annähernd" bedeutet in diesem Zusammenhang, daß bei vorgegebenem Temperaturschwankungsbereich, in welchem die Kapillaren verwendet werden, eine Differenz zwischen dem Wärmeausdehnungskoeffizienten der Oberfläche und dem Wärme ausdehnungskoeffizienten der aufgebrachten Schicht so klein ist, daß keine mechanischen Verformungen und/oder eine Ablö sung der Schicht von der Oberfläche auftritt. In anderen Wor ten bedeutet dies, daß sich die Oberfläche und die aufge brachte Schicht thermomechanisch vertragen.It is favorable if the for the layer to be deposited and the surface used materials at least approximately have the same coefficient of thermal expansion (Claim 8). "Approximately" in this context means that for a given temperature fluctuation range, in which the capillaries are used, a difference between that Coefficient of thermal expansion of the surface and heat expansion coefficient of the applied layer so small is that no mechanical deformation and / or a detachment solution of the layer from the surface occurs. In other wor ten means that the surface and the surface brought layer tolerated thermomechanically.
Bei den angegebenen Schichtmaterialien auf der Basis von SiO₂ ist in diesem Sinne eine Oberfläche verträglich, die aus ei nem Material aus der Stoffgruppe Si, Al₂O₃ und/oder einem Ma terial auf der Basis von SiO₂ besteht (Anspruch 9). With the specified layer materials based on SiO₂ is a surface compatible in this sense, which consists of egg Nem material from the group Si, Al₂O₃ and / or a Ma material based on SiO₂ (claim 9).
Zweckmäßig ist es, wenn die Schicht aus der Gasphase in Form einer porösen Partikelschicht abgeschieden wird (Anspruch 10). Dies ist bei den üblichen Abscheidungsverfahren aus der Gasphase, beispielsweise Flammenhydrolyse und CVD-Verfahren, gegeben.It is useful if the layer from the gas phase in shape a porous particle layer is deposited (claim 10). This is the usual deposition process from the Gas phase, for example flame hydrolysis and CVD processes, given.
Die abgeschiedene poröse Partikelschicht wird zweckmäßiger weise zu einer kompakten Schicht gesintert (Anspruch 11). Dies bedeutet bei Materialien auf der Basis von SiO₂ bei spielsweise, daß die Schicht beim Sintern eine Glasschicht wird, die beispielsweise klar ist.The deposited porous particle layer becomes more expedient as sintered into a compact layer (claim 11). This means for materials based on SiO₂ for example, that the layer during sintering is a layer of glass that is clear, for example.
Die Partikelschicht wird vorteilhafterweise in einer Gasatmo sphäre gesintert (Anspruch 12).The particle layer is advantageously in a gas atmosphere sphere sintered (claim 12).
Zweckmäßigerweise werden zur Bildung der Partikelschicht Par tikel in Form eines auf die Oberfläche gerichteten Partikel stroms aus der Gasphase abgeschieden (Anspruch 13), wobei der Partikelstrom bevorzugterweise unter einem Winkel von weniger als 45° auf die Oberfläche gerichtet wird (Anspruch 14).Expediently, par particle in the form of a particle directed towards the surface stream separated from the gas phase (claim 13), wherein the Particle flow is preferably at an angle of less is directed at 45 ° to the surface (claim 14).
Bevorzugter- und vorteilhafterweise wird die Schicht mittels Flammenhydrolyse auf der Oberfläche abgeschieden (Anspruch 15). Dieses Verfahren ist insbesondere zum Abscheiden der Schicht in Form eines gerichteten Partikelstroms geeignet.The layer is preferably and advantageously by means of Flame hydrolysis deposited on the surface 15). This procedure is particularly useful for separating the Layer in the form of a directed particle stream suitable.
Es ist zweckmäßig, die Schicht auf einer relativ zur Gasphase kühleren Oberfläche abzuscheiden (Anspruch 16).It is appropriate to lay the layer on a gas phase deposit cooler surface (claim 16).
Das erfindungsgemäße Verfahren ist zur vorteilhaften Herstel lung von Mikrokapillaren für Strahlumsetzer, Power- bzw. Lei stungslaser, Kapillaren für Flüssigkeitstransport, zur Tren nung von Gasen oder Flüssigkeiten, für Chromatographie-Trennsäulen, Chemische Mikroreaktoren, für die Sensortechnik, als Küvetten für die Mikrospektralphotometrie, für die Licht wellenleitertechnik, als Hohlleiter für CO₂-Laserstrahlung, als flüssigkeitsgefüllte Leiter für magnetooptische Effekte oder nichtlineare Effekte geeignet.The method according to the invention is for advantageous manufacture development of microcapillaries for beam converters, power or lei laser, capillaries for liquid transport, for doors of gases or liquids, for chromatography columns, Chemical microreactors, for sensor technology, as cuvettes for microspectrophotometry, for light waveguide technology, as a waveguide for CO₂ laser radiation, as a liquid-filled conductor for magneto-optical effects or nonlinear effects.
Die Erfindung wird in der nachfolgenden Beschreibung anhand der Figuren beispielhaft näher erläutert. Es zeigen:The invention is described in the following description of the figures explained in more detail by way of example. Show it:
Fig. 1 einen vertikalen Schnitt durch ein plattenförmiges Substrat mit einer Oberfläche, in der Kapillaren zu erzeugen sind, Fig. 1 is a vertical section through a plate-shaped substrate having a surface, to be produced in the capillary,
Fig. 2 das Substrat nach Fig. 1 in der gleichen Schnitt darstellung, wobei in der Oberfläche drei jeweils eine Kapillare definierende Nuten mit einer zur Zeichenebene vertikalen Längsachse eingebracht sind,Illustration of Fig. 2, the substrate of Fig. 1 in the same section, wherein in each case a capillary-defining grooves are provided with a vertical to the plane of the longitudinal axis in the surface of three,
Fig. 3 das Substrat nach Fig. 2 in der gleichen Schnitt darstellung, wobei auf der Oberfläche eine aus der Gasphase abgeschiedene und die Nuten abdeckende Schicht in Form einer porösen Partikelschicht abge schieden ist, und Fig. 3 shows the substrate of FIG. 2 in the same sectional view, wherein on the surface a layer separated from the gas phase and covering the grooves in the form of a porous particle layer is separated, and
Fig. 4 das Substrat nach Fig. 3 in der gleichen Schnitt darstellung nach dem Sintern der abgeschiedenen Partikelschicht zu kompaktem Glas. Fig. 4 shows the substrate of FIG. 3 in the same sectional view after sintering the deposited particle layer to compact glass.
Die Figuren sind schematisch und nicht maßstäblich.The figures are schematic and not to scale.
Das erfindungsgemäße Verfahren startet mit dem Substrat 2 nach Fig. 1, wobei die Oberfläche 20 des Substrats zur Aus bildung der zu erzeugenden Kapillaren vorgesehen ist.The method according to the invention starts with the substrate 2 according to FIG. 1, the surface 20 of the substrate being provided for forming the capillaries to be produced.
Im Hinblick auf die auf der Oberfläche 20 aus der Gasphase abzuscheidenden Schicht sollte das Substrat 2 aus einem Mate rial bestehen, welches sich hinsichtlich der thermomechani schen Eigenschaften mit dem Material der Schicht verträgt. Besteht die abzuscheidende Schicht beispielsweise aus einem Material auf der Basis von SiO₂₁ kann das Substrat 2 aus Si, Al₂O₃ oder einem Material auf der Basis SiO₂ bestehen.With regard to the layer to be deposited on the surface 20 from the gas phase, the substrate 2 should consist of a material which is compatible with the material of the layer with regard to the thermomechanical properties. If the layer to be deposited consists, for example, of a material based on SiO₂₁, the substrate 2 can be made of Si, Al₂O₃ or a material based on SiO₂.
Die letztgenannten Materialien für das Substrat 2 haben auch den Vorteil, daß die in die Oberfläche 20 einzubringenden und jeweils eine Kapillare 1 definierenden Nuten 21 (siehe Fig. 2, 3 oder 4) auf photolithographischem Wege hergestellt werden können.The latter materials for the substrate 2 also have the advantage that the grooves 21 (see FIGS. 2, 3 or 4) to be introduced into the surface 20 and each defining a capillary 1 can be produced by photolithography.
In der Fig. 2 ist angenommen, daß auf diese Weise drei je weils eine Kapillare 1 definierende Nuten 21 in die Oberflä che 20 eingebracht, beispielsweise geätzt worden sind, deren nicht dargestellte Längsachse vertikal zur Zeichenebene ver läuft, so daß die Nuten 21 nur im Querschnitt zu sehen sind.In Fig. 2 it is assumed that in this way three each defining a capillary 1 grooves 21 are introduced into the surface 20 , for example etched, the longitudinal axis, not shown, of which runs vertically to the plane of the drawing, so that the grooves 21 only in Cross section can be seen.
Auf der die Nuten 21 enthaltenden Oberfläche 20 des Substrats 2 wird erfindungsgemäß aus der Gasphase eine die Nuten 21 ab deckenden Schicht abgeschieden, wonach der in Fig. 3 darge stellte Gegenstand entstanden ist, in der die abgeschiedene Schicht mit 3 bezeichnet ist.On the surface 20 containing the grooves 21 of the substrate 2 , according to the invention, a layer covering the grooves 21 is deposited from the gas phase, after which the object shown in FIG. 3 has been created, in which the deposited layer is designated by 3.
Voraussetzung dafür ist erfindungsgemäß, daß die Oberfläche 20 durch Gasphasenbeschichtung beschichtbar ist. Die oben nä her angegebenen Materialien für das Substrat 2 sind dafür ge eignet.The prerequisite for this is that the surface 20 can be coated by gas phase coating. The materials specified above for the substrate 2 are suitable for this purpose.
In der Fig. 3 ist die Gasphase, aus der abgeschieden wird, bei 5 angedeutet. Als Verfahren zur Abscheidung der Schicht 3 aus der Gasphase 5 sind prinzipiell alle bekannten Verfahren, darunter das bekannte CVD-Verfahren und insbesondere die be kannte Flammenhydrolyse geeignet.In Fig. 3 the gas phase from which is separated is indicated at 5. In principle, all known processes, including the known CVD process and in particular the known flame hydrolysis, are suitable as processes for the deposition of layer 3 from the gas phase 5 .
Als besonders vorteilhaft hat sich die Flammenhydrolyse er wiesen. Bei diesem Verfahren werden hydrolisierbare oder oxi dierbare chemische Verbindungen in vergleichsweise hoher Kon zentration in eine aus Gas und O₂ bestehenden Flamme einge speist, so daß ein aus Oxid bestehender Partikelstrom 32 er zeugt wird. Dieser Partikelstrom 32 wird vorzugsweise unter einem flachen Winkel α zur Oberfläche 20 von typischerweise 25° bis 30° auf die vergleichsweise kühle Oberfläche 20 einer Temperatur von typischerweise 200 bis 300°C gerichtet, auf der sich die Schicht 3 in Form einer Partikelschicht ausbil det.Flame hydrolysis has proven to be particularly advantageous. In this method, hydrolyzable or oxidizable chemical compounds are fed in at a comparatively high concentration into a flame consisting of gas and O₂, so that an oxide particle stream 32 is generated. This particle stream 32 is preferably directed at a flat angle α to the surface 20 of typically 25 ° to 30 ° onto the comparatively cool surface 20 of a temperature of typically 200 to 300 ° C., on which the layer 3 forms in the form of a particle layer.
Wegen der Größe der im Partikelstrom 32 enthaltenen Partikel 31, die typischerweise mehr als 50 nm beträgt, ist die Ein diffusion der Partikel 31 in eine stagnate Gasfüllung der Nu ten 21 erschwert. Es kommt statt dessen zu einem Brücken wachstum, das bewirkt, daß in den von der Schicht 3 abgedeck ten Nuten 21 jeweils ein eine Kapillare 1 definierender Hohl raum bestehen bleibt.Because of the size of the particles 31 contained in the particle stream 32 , which is typically more than 50 nm, diffusion of the particles 31 into a stagnant gas filling of the nu 21 is difficult. Instead, there is a bridging growth, which causes a cavity 1 defining a capillary 1 to remain in the grooves 21 covered by the layer 3 .
Die so erzeugte Partikelschicht 3 ist porös und zeichnet sich durch relativ gute Haftung zwischen den Partikeln 31 aus, wo gegen ihre Haftung zur Oberfläche 20 des Substrats 2 geringer ist.The particle layer 3 produced in this way is porous and is distinguished by relatively good adhesion between the particles 31 , where its adhesion to the surface 20 of the substrate 2 is lower.
In einem anschließenden Sinterprozeß in beispielsweise einem Ofen wird die Partikelschicht 3 bei erhöhter Temperatur, die je nach Komposition der Schicht 3 beispielsweise 900 bis 1000°C betragen kann, zur glasklaren Schicht 30 gesintert, wonach der das Endprodukt darstellende Gegenstand nach Fig. 4 entstanden ist.In a subsequent sintering process in, for example, an oven the particle layer 3 at an elevated temperature which can 3, for example 900 amounted to 1000 ° C depending on the composition of the layer is sintered to the glass-clear layer 30, which originated the the final product Performing article according to Fig. 4 .
Das Sintern erfolgt vorzugsweise in einer Gasatmosphäre, die in der Fig. 4 bei 4 angedeutet ist. Die Gasatmosphäre 4 kann aus O₂, N₂ und/oder Ar bestehen.The sintering is preferably carried out in a gas atmosphere, which is indicated at 4 in FIG. 4. The gas atmosphere 4 can consist of O₂, N₂ and / or Ar.
Wird das Sintern bei möglichst niedriger Temperatur ausge führt, so schrumpft die Schicht 3 lediglich von der Dicke d auf eine kleinere Dicke dl (siehe Fig. 4) zusammen, ohne in die darunterliegenden Nuten 21 einzusinken. Die geringe Haf tung der Schicht 3 zur Oberfläche 20 des Substrats 2 begüns tigt das Abheben der Schicht 3 während des Schrumpfungspro zesses, so daß sich die Schicht 3 über die Nuten 21 spannen kann.If the sintering takes place at the lowest possible temperature, the layer 3 only shrinks from the thickness d to a smaller thickness dl (see FIG. 4) without sinking into the grooves 21 underneath. The low adhesion of the layer 3 to the surface 20 of the substrate 2 favors lifting of the layer 3 during the shrinking process, so that the layer 3 can span over the grooves 21 .
Einmal eingefangene Gasvolumen bleiben auch bei weiterer Be heizung erhalten, sofern die Dicke d der Schicht 3 lediglich groß genug ist, um die Ausdiffusion des Gases der Gasatmo sphäre 4 zu verhindern. Es reicht dazu eine Dicke d von eini gen Mikrometern aus.Once the gas volume has been captured, it is retained even with further heating, provided that the thickness d of the layer 3 is only large enough to prevent the gas from diffusing out of the gas atmosphere 4 . A thickness d of a few micrometers is sufficient for this.
Es wird eine gewisse Deformation der erzeugten und durch die Nuten 21 definierten Kapillaren 1 beobachtet, die unschädlich ist und ihre Ursache zum einen in einer Verrundung der Innen fläche der Nuten 21 unter der Einwirkung der Oberflächenspan nung, zum anderen in einem geringen Einsinken der Schicht 3 bzw. 30 in die Nuten 21 hat, das auch infolge einer Schrump fung der Kapillare 1 beim Abkühlen eintreten kann.A certain deformation of the capillaries 1 produced and defined by the grooves 21 is observed, which is harmless and its cause on the one hand in a rounding of the inner surface of the grooves 21 under the action of the surface tension, and on the other hand in a slight sinking of the layer 3 or 30 in the grooves 21 , which can also occur due to a shrinkage of the capillary 1 when cooling.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren lassen sich Kapillaren 1 von etwa 2 µm bis 100 µm lichter Weite w herstellen. In der Regel sollte das Verhältnis t/b zwischen der Tiefe t und der Breite b einer Nut 21 nicht kleiner als eins sein. In tiefen Nuten 21 bleiben Kapillaren 1 definierende Hohlräume auch dann erhalten, wenn die Schicht 3 bzw. 30 geringfügig in die nuten 21 einsinkt. Die abgeschiedene Schicht 3 sollte eine Dicke d von mindestens 10 µm aufweisen. Ist die Schicht 3 zu dünn, so neigt sie zum Abreißen.With the method according to the invention, capillaries 1 of about 2 µm to 100 µm inside width w can be produced. As a rule, the ratio t / b between the depth t and the width b of a groove 21 should not be less than one. Cavities 1 defining cavities are retained in deep grooves 21 even if layer 3 or 30 sinks slightly into grooves 21. The deposited layer 3 should have a thickness d of at least 10 μm. If layer 3 is too thin, it tends to tear off.
Günstig wirkt es sich aus, wenn die Schicht 3 bzw. 30 hinrei chend durch die Oberfläche 20 des Substrats 2 gestützt. Das Flächenverhältnis Fg/F zwischen der von den Nuten 21 einge nommenen Fläche Fg zu der durch die Oberfläche 20 gegebenen Gesamtfläche F sollte möglichst geringer als 0,5 sein. Unter der Fläche Fg ist die Summe der Flächen aller einzelnen Nuten 21 zu verstehen, wobei die Fläche einer einzelnen Nut 21 durch das Produkt aus ihrer Breite b multipliziert mit ihrer vertikal zur Zeichenebene gemessenen Länge ist. It has a favorable effect if the layer 3 or 30 is adequately supported by the surface 20 of the substrate 2 . The area ratio Fg / F between the area Fg occupied by the grooves 21 and the total area F given by the surface 20 should be as small as possible less than 0.5. The area Fg is to be understood as the sum of the areas of all individual grooves 21 , the area of an individual groove 21 being multiplied by the product of its width b by its length measured vertically to the plane of the drawing.
Die Schicht 3 bzw. 30 besteht vorzugsweise aus einem Material auf der Basis von SiO₂, das vorzugsweise zu mehr als 60 Molprozent aus SiO₂ besteht. Neben SiO₂ kann die Schicht 3 bzw. 30 beispielsweise die Stoffe B₂O₃, P₂O₅, GeO₂, Al₂O₃, Ga₂O₃, TiO₂, ZrO₂, ZnO, MgO, As₂O₃, Sb₂O₅, Bi₂O₃ und/oder SnO₂ enthalten. Vorteilhaft sind SiO₂-Glaser mit geringem Do tierstoffanteil, da diese Gläser weniger leicht absinken.The layer 3 or 30 preferably consists of a material based on SiO₂, which preferably consists of more than 60 mole percent SiO₂. In addition to SiO₂, layer 3 or 30 can contain, for example, the substances B₂O₃, P₂O₅, GeO₂, Al₂O₃, Ga₂O₃, TiO₂, ZrO₂, ZnO, MgO, As₂O₃, Sb₂O₅, Bi₂O₃ and / or SnO₂. SiO₂ glasses with a low proportion of animal substances are advantageous because these glasses sink less easily.
Claims (16)
- - die die Kapillare (1) definierende Nut (21) in einer mit tels Gasphasenbeschichtung beschichtbaren Oberfläche (20) des Substrats (2) erzeugt und danach
- - auf der Oberfläche (20) aus der Gasphase (5) eine die Nut (21) abdeckende Schicht (3, 30) abgeschieden wird.
- - The capillary ( 1 ) defining groove ( 21 ) in a coatable by means of gas phase coating surface ( 20 ) of the substrate ( 2 ) and then produced
- - A layer ( 3 , 30 ) covering the groove ( 21 ) is deposited on the surface ( 20 ) from the gas phase ( 5 ).
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1996
- 1996-09-19 DE DE19638501A patent/DE19638501A1/en not_active Withdrawn
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Legal Events
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