DE19635406A1 - Vielschichtkondensator mit wolframhaltigem BATI03 - Google Patents
Vielschichtkondensator mit wolframhaltigem BATI03Info
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- H01G4/1218—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates
- H01G4/1227—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material based on titanium oxides or titanates based on alkaline earth titanates
Description
Gegenstand der Erfindung ist ein Kondensator, insbesondere ein Vielschichtkonden
sator mit inneren Elektroden aus Unedelmetallen, mit einem keramischen Dielektri
kum und mindestens zwei Elektroden, wobei das Dielektrikum im wesentlichen aus
einer dielektrischen Zusammensetzung mit einem dotierten Barium-Calcium-Zirkon-
Titanat besteht.
Keramische Vielschichtkondensatoren werden üblicherweise hergestellt, indem man
Schichten für das Dielektrikum aus einer grünen, dielektrischen keramischen Zu
bereitung abwechselnd mit Schichten für die Elektroden aus einer Metallpaste
übereinanderstapelt und anschließend die Stapel aus Keramik- und Metallschichten
gemeinsam sintert.
Die Qualität von Vielschichtkondensatoren wird sowohl durch die chemische
Zusammensetzung des Materials für das Dielektrikums bzw. die Elektroden als
auch durch die Herstellungsbedingungen bestimmt. Bei den Herstellungsbedingungen
spielen vor allem die Bedingungen für die Sinterung eine Rolle. Abhängig von der
Sinteratmosphäre können bei der Sinterung verschiedene, gegenläufige Oxidations- und
Reduktionsreaktionen ablaufen. Beim Sintern in reduzierender Atmosphäre
werden Bariumtitanat und seine Derivate, wie die dotierten Barium-Calcium-Zirkon-
Titanate, halbleitend, sie sind in diesem Zustand als Dielektrikum ungeeignet. Die
Sinterung der Vielschichtkondensatoren unter oxidierenden Bedingungen kann nur
dann erfolgen, wenn das Elektrodenmaterial aus Rhodium, Palladium oder Platin
besteht. Rhodium und Platin sind jedoch sehr teuer, ihr Anteil an den Herstellungs
kosten kann bis zu 50% betragen. Die Entwicklung geht daher dahin, statt Rhodium
und Platin das sehr viel billigere Nickel oder dessen Legierungen zu verwenden.
Nickel oxidiert jedoch bei einer Sinterung unter oxidierenden Bedingungen, deshalb
müssen Vielschichtkondensatoren mit Nickelelektroden in inerter oder leicht reduzie
render Atmosphäre gesintert werden. An sich würde bei einer reduzierenden Sinte
rung das vierwertige Titan im Bariumtitanat zu dreiwertigem reduziert, wodurch der
Isolationswiderstand der Kondensatoren extrem erniedrigt wird. Inzwischen ist es
aber gelungen, die Reduzierbarkeit des Bariumtitanantes durch Dotierung mit
Additiven, die Akzeptoren sind, wie Cr₂O₃, Co₂O₃ oder MnO, abzuschwächen.
Durch diese Dotierungen läßt es sich aber nicht verhindern, daß während des
Sinterprozesses in reduzierender Atmosphäre auch Sauerstoffleerstellen im Kristall
entstehen, die die Lebensdauer der Kondensatoren drastisch verkürzen. Die Sauer
stoffleerstellen haben eine hohe Beweglichkeit im Kristallgitter und wandern unter
dem Einfluß von elektrischer Spannung und Temperatur. Dadurch verringert sich
mit der Zeit der Isolationswiderstand.
Die Bildung von Sauerstoffleerstellen kann teilweise rückgängig gemacht werden,
wenn die Kondensatoren anschließend an das Sintern in reduzierender Atmosphäre
in schwachoxidierender Atmosphäre bei Temperaturen zwischen 600°C und 1100°C
getempert werden. Dabei füllen sich die Sauerstoffleerstellen im Gitter wieder auf.
Nachteil der Temperung ist die deutliche Abnahme der Dielektrizitätskonstante ε und
der negative Einfluß auf die ΔC/Δt-Kurve, d. h. auf die Temperaturabhängigkeit
der Dielektrizitätskonstante.
Um diese komplexen Schwierigkeiten bei der Herstellung von keramischen Konden
satoren mit Unedelmetallelektroden zu überwinden, wird von der US 5,319,517 ein
keramischer Vielschichtchipkondensator mit inneren Elektroden und dielektrischen
Schichten vorgeschlagen, dessen dielektrisches Material ein dielektrisches Oxid
enthält, das die folgende Zusammensetzung hat: [(Ba1-x-yCaxSry)O]m(Ti1-xZrx)O₂,
wobei 0 x 0,2, 0 y 0,0, 0,1 z 0,3 und 1,000 m 1,020 ist
und dem ein Manganoxid und/oder eine Verbindung, die beim Brennen in das Oxid
umgewandelt wird, in einer Menge von 0,01 bis 0,5 Gew.-%, berechnet als Oxid
(MnO), ein Yttriumoxid und/oder eine Verbindung, die beim Brennen in das Oxid
umgewandelt wird, in einer Menge von 0,05 bis 0,5 Gew.-%, berechnet als Oxid
(Y₂O₃), ein Vanadinoxid und/oder eine Verbindung, die beim Brennen in das Oxid
umgewandelt wird, in einer Menge von 0,005 bis 0,3 Gew.-%, berechnet als Oxid
(V₂O₅), ein Wolframoxid und/oder eine Verbindung, die beim Brennen in das Oxid
umgewandelt wird, in einer Menge von 0,005 bis 0,3 Gew.-%, berechnet als Oxid
(MnO), zugefügt ist und dessen Material für die inneren Elektroden Nickel oder eine
Nickellegierung ist. Die ständig steigenden Anforderungen an Lebensdauer und Zu
verlässigkeit können diese Vielschichtkondensatoren jedoch noch nicht erfüllen.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen keramischen Kondensa
tor, insbesondere einen Vielschichtkondensator mit Elektroden aus Unedelmetallen,
zu schaffen, mit einem keramischen Dielektrikum und mindestens zwei Elektroden,
wobei das Dielektrikum im wesentlichen aus einer dielektrischen keramischen Zu
bereitung mit einem dotierten Barium-Calcium-Zirkon-Titanat besteht der sich
durch eine verlängerte Lebensdauer, größere Zuverlässigkeit, eine hohe Dielektrizi
tätskonstante und eine niedrige Temperaturabhängigkeit der Dielektrizitätskonstanten
über einen weiten Temperaturbereich auszeichnet.
Erfindungsgemäß wird die Aufgabe gelöst durch einen Kondensator mit einem
keramischen Dielektrikum und mindestens zwei Elektroden, wobei das Dielektrikum
im wesentlichen aus einer dielektrischen keramischen Zubereitung mit einem
dotierten Barium-Calcium-Zirkon-Titanat besteht, der dadurch gekennzeichnet ist,
daß das dotierte Barium-Calcium-Zirkon-Titanat die Zusammensetzung
(Ba0.96Ca0.04)a[Ti0.82-yZr0.18Mny]O₃ mit 0.001 y 0.01, 1.00 < a 1.02 hat
und mit Wolfram in einer Menge r von 0.001 bis 0.005 Mol/Formeleinheit und mit
mindestens einem Element A aus der Gruppe Aluminium, Gallium, Yttrium, Zink,
Nickel und Ytterbium in einer Menge s mit 0.001 bis 0.005 Mol/Formeleinheit
dotiert ist. Er zeichnet sich durch eine hohe Dielektrizitätskonstante ε bei gleich
zeitig hoher Stabilität des Kapazitätswertes, niedrigem Verlustfaktor, hohem
Isolationswiderstand und einer wenig spannungsunabhängigen Kapazität aus. Die
Temperaturabhängigkeit seiner Dielektrizitätszahl ε entspricht der EIA-Norm Y5V.
Der Einsatzbereich umfaßt insbesondere Kopplung und Entkopplung sowie die
Funkentstörung bei Kleinspannungsanwendungen.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung ist es bevorzugt, daß das Material für die
Elektroden Nickel oder eine Nickellegierung ist.
Es ist besonders bevorzugt, daß er ein Vielschichtkondensator mit inneren Elek
troden aus Nickel oder einer Nickellegierung ist.
Es ist weiterhin bevorzugt, daß y 0.005 und das atomare Verhältnis n von Mn
+ A/W kleiner 1 ist. Durch dieses atomare Verhältnis zwischen Mangan, Yttrium
und Wolfram mit einem ausgewogenen Verhältnis von Donatoren und Akzeptoren
wird eine geringe Ionenbeweglichkeit und damit eine besonders hohe Lebensdauer
bei hohen Temperauren und elektrischen Feldern erreicht. Gleichzeitig ist die
Akzeptorkonzentration hoch genug, um die Redoxreaktionen bei der Sinterung des
Vielschichtkondensators mit Unedelmetallelektroden kontrollierbar zu machen und
um ein gutes Kornwachstum zu erreichen.
Es ist besonders bevorzugt, daß y 0.005, 1 < a= 1.01, r = 0.0025
Mol/Formeleinheit und s < 0,010 Mol/Formeleinheit ist. Mit dieser Zusammenset
zung des Barium-Calcium-Zirkon-Titanates wird ein optimales Kornwachstum und
ein hohes dielektrisches Maximum bei Raumtemperatur erreicht.
Es kann ebenfalls bevorzugt sein, daß die dielektrische keramische Zubereitung 0,1-1
Gew.-% Sinterhilfsmittel, bestehend aus 0,16 bis 0,29 Mol Lithiumoxid, 0,004
bis 0,39 Mol eines der Oxide CaO, MgO, BaO oder SrO sowie Siliziumoxid,
enthält. Durch Zugabe dieses Gemisches kann die Sintertemperatur auf 1150°C
gesenkt werden.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand einer Figur und von Beispielen weiter
erläutert.
Fig. 1 zeigt die Querschnittsansicht einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen
Kondensators. In dieser bevorzugten Ausführungsform ist der erfindungsgemäße
Kondensator ein Vielschichtkondensator.
Der erfindungsgemäße keramische Vielschichtkondensator umfaßt ein keramisches
Dielektrikum 1, das aus einer Vielzahl von oxidischen dielektrischen Schichten mit
einer Dicke von nicht mehr als 50 µ besteht, sowie einer Vielzahl von inneren
Elektroden 2, die schichtförmig in dem Dielektrikum übereinander angeordnet sind
und sich abwechselnd zu zwei gegenüberliegenden Endflächen des Dielektrikums
erstrecken. Auf den Endflächen des keramischen Dielektrikums sind metallische
Kontaktelektroden 3 als äußere Anschlüsse vorgesehen, die mit den entsprechenden
inneren metallischen Elektroden verbunden sind.
Die Herstellung erfolgt nach den üblichen Fertigungstechniken für keramische
Kondensatoren, wobei je nach der gewünschten Form und den Abmessungen, der
angestrebten Genauigkeit und dem Anwendungsgebiet zahlreiche Herstellungs
varianten möglich sind.
Material für das keramische Dielektrikum ist eine dielektrische keramische Zu
bereitung mit einem dotierten Barium-Calcium-Zirkon-Titanat mit der Zusammenset
zung (Ba0.96Ca0.04)a[Ti0.82-yZr0.18Mny]O₃ mit 0.001 y 0.01, 1.000 < a 1.02
und das mit Wolfram in einer Menge r von 0.001 bis 0.005 Mol/Formeleinheit und
Yttrium in einer Menge s mit 0.001 bis 0.005 Mol/Formeleinheit dotiert ist.
Vorzugsweise enthält die dielektrische keramische Zubereitung SiO₂ als Sinterhilfs
mittel. Für ein erfindungsgemäßes Barium-Calcium-Zirkon-Titanat mit a= 1,005
wird der Zubereitung 0,125 Gew.-% SiO₂, für a = 1,01 wird 0,25 Gew.-% SiO₂
zugefügt. Alternativ zu dieser Standardsinterhilfe kann der Mischung auch 0,1-1
Gew.-% Sinterhilfsmittel, bestehend aus 0,16 bis 0,29 Mol Lithiumoxid, 0,004 bis
0,39 Mol eines der Oxide CaO, MgO, BaO oder SrO sowie Siliziumoxid, zugefügt
werden. Durch dieses Sinterhilfsmittel kann die Sintertemperatur von 1300°C auf
1150°C gesenkt werden.
Die Materialauswahl für die Elektroden unterliegt keinen besonderen Beschränkun
gen, so daß man hierfür ein Metall oder eine Kombination von zwei oder mehreren
üblicherweise angewandten Metallen verwenden kann. Die Elektroden können aus
Edelmetallen, wie Platin, Palladium, Gold oder Silber bestehen. Sie können auch
Chrom, Zirkonium, Vanadium, Zink, Kupfer, Zinn, Blei, Mangan, Molybdän,
Wolfram, Titan oder Aluminium enthalten. Bevorzugt bestehen sie aus einem
Nichtedelmetall ausgewählt aus der Gruppe Nickel, Eisen, Cobalt und deren
Legierungen.
Die Herstellung der dielektrischen keramischen Zubereitung kann nach den üblichen
Methoden zur Pulverherstellung, z. B. durch das Mischoxid-Verfahren, Copräzipita
tion, Sprühtrocknung, Sol/Gel-Verfahren, Hydrothermalverfahren oder Alkoxid-
Verfahren erfolgen. Bevorzugt ist das Mischoxid-Verfahren, bei dem die Ausgangs
oxide oder thermisch zersetzbare Verbindungen, wie z. B. Carbonate, Hydroxide,
Oxalate oder Acetate, gemischt und gemahlen werden. Anschließend wird das
Ausgangspulver bei 1000°C bis 1400°C kalziniert.
Für die Formgebung zum Grünkörper können ebenfalls alle üblichen Methoden
verwendet werden. Für keramische Kondensatoren in Vielschichttechnologie wird
zur Formgebung aus dem kalzinierten Pulver zunächst eine Suspension hergestellt,
die neben dem Pulver als weitere Komponente Lösungsmittel, Bindemittel und
gegebenenfalls Weichmacher und Dispergierhilfsmittel enthält. Das Lösungsmittel
kann beispielsweise Wasser, ein Alkohol, Toluol, Xylol oder Trichloräthylen sein.
Als Bindemittel werden üblicherweise organische Polymere wie Polyvinylalkohol,
Polyvinylbutyral oder Polymethymetacrylat verwendet. Als Weichmacher kann man
Glyzerin, Polyglykole oder Phtalate verwenden. Weiterhin kann man der Suspension
Dispergiermittel wie Alkylarylpolyätheralkohole, Polyäthylenglykoläthyläther oder
Octylphenoxyäthanol zusetzen.
Aus der Suspension werden nach dem bevorzugten Verfahren durch ein Foliengieß
verfahren grünen keramischen Folien hergestellt. Bei dem Foliengießverfahren wird
die Suspension auf eine sich bewegende Trägeroberfläche gegossen. Nach dem
Verdampfen des Lösungsmittels bleibt je nach Bindersystem eine mehr oder weniger
flexible Folie zurück, die geschnitten, mit einer Metallpaste im Muster der inneren
Elektroden im Siebdruckverfahren bedruckt und laminiert wird. Aus dem Laminat
werden die einzelnen Vielschichtkondensatoren ausgeschnitten. Diese werden
zunächst in schwach reduzierender Atmosphäre bei Temperaturen zwischen 1100
und 1400°C gesintert und anschließend in schwach oxidierender Atmosphäre bei
Temperaturen zwischen 600 und 1100°C getempert. Als schwach reduzierende
Atmosphäre kann man mit Wasserdampf gesättigten Stickstoff mit einer Beimengung
von 0,5 bis 2 Vol.-% Wasserstoff, als schwach oxidierende Atmosphäre Stickstoff
mit 5 ppm bis 100 ppm Sauerstoff verwenden.
Zur Bildung der äußeren Elektroden werden an den Endflächen der Kondensatoren
eine Metallpaste, die beispielsweise Nickel enthält, aufgetragen und eingebrannt.
Die äußeren Elektroden können aber auch durch Aufdampfen einer Metallschicht,
beispielsweise aus Gold, aufgebracht werden.
Das gesinterte keramische Dielektrikum hat eine homogene Mikrostruktur mit
Korngrößen unter 5 µm.
Zur Charakterisierung der erfindungsgemäßen Kondensatoren wurden in bekannter
Weise die Dielektrizitätskonstante ε bei 25°C, der Verlustfaktor tg δ gemessen. Die
Lebensdauer τ wird in einem beschleunigten Lebensdauertest (ALT) bei 350°C und
900 V gemessen. Dazu werden mit Elektroden kontaktierte Test-Pillen mit 5 mm
Durchmesser und einer Schichtdicke von 0,05 mm hergestellt, auf 350°C aufgeheizt
und es wird Spannung von 1800 V/mm angelegt. Man mißt den Strom, aus dem der
Isolationswiderstand berechnet wird. Nach Start des Tests ist der Isolationswider
stand zunächst hoch. Im weiteren bleibt der Isolationswiderstand im wesentlichen
konstant auf hohem Niveau. Erst nach einer gewissen charakteristischen Degrada
tionszeit beginnt der Isolationswiderstand abzufallen. Der Leckstrom wächst in einer
zur bisherigen Meßzeit kurzen Zeit um mehrere Größenordnungen an. Die Lebens
dauer τ ist definiert als die Zeit, in dem der Leckstrom um eine Größenordnung
angewachsen ist.
Für die Herstellung eines Vielschichtkondensators mit einem keramischen Dielektri
kum mit der Zusammensetzung (Ba0.96Ca0.04)1.005[Ti0.815Zr0.18Mn0.005]O₃ mit Wolfram
und Yttrium in einer Menge von jeweils 0,0025 Mol/Formeleinheit und 0,125 Gew.-%
SiO₂ als Sinterhilfe werden 190,40 g BaCO₃ (d₅₀ = 1,1 µm, BET: 2,1 m²/g),
1,03 g CaCO₃ (d₅₀ = 0,8 µm), 65,12 g TiO₂ (d₅₀= 0,48 µm, BET: 7 m²/g), 22,18 g
ZrO₂ (d₅₀ = 0,12 µm, BET: 21,9 m²/g), 0,57 g MnCO₃, 0,58 g WO₃ (d₅₀ = 0,15 µm),
0,56 g Y₂O₃ (d₅₀ = 0,34 µm) und 0,36 g SiO₂ (kolloidal, 22 nm) in einer Planetku
gelmühle zwei Stunden gemahlen und gemischt. Als Mahlflüssigkeit wird Cyclohe
xan, als Mahlkugeln Achat benutzt. Anschließend wird die Mischung 24 h mit 2 mm-
YTZ-Kugeln in Isopropanol gemahlen. Nach dem Mahlen in der Planetkugelmühle
wird das Gemisch unter einem Oberflächenverdampfer an Luft getrocknet und
danach 6 h bei 1250°C kalziniert. Man mischt das pulverförmige Material mit
Polyvinylalkohol als Bindemittel, einem oberflächenaktiven Mittel, einem Disper
giermittel und Wasser zu einem Schlicker. Den Schlicker verarbeitet man in einer
Rakelbeschichtungseinrichtung zu grünen keramischen Folien mit einer Dicke von
20 µm.
Die grüne Folie wird zu Folienkarten geschnitten, mit einer Nickelpaste mit dem
Muster der inneren Elektroden bedruckt, gestapelt und zusammengepreßt und in die
einzelnen Kondensatoren getrennt. Die Kondensatoren werden bei einer Temperatur
von 1300°C gesintert. Die Aufheizrate beträgt 300°C/h bis 1000°C und 50°C/h
bis 1300°C. Während des Sinterprozesses wird durch den Ofen ein Gasgemisch
bestehend aus 99% N₂ und 1% H₂ geleitet, das mit Wasserdampf gesättigt ist. Es
wird mit 300°C/h abgekühlt. Nach dem Sintern werden die Kondensatoren in einem
Temperofen bei einer Temperatur von 1000°C getempert. Während des Temper
prozesses wird durch den Ofen ein Gasgemisch bestehend aus Stickstoff mit 50-100
ppm Sauerstoff geleitet.
Als äußere Elektroden werden eine 6 nm dicke CrNi-Schicht aufgedampft, die mit
0, 15 µm Au beschichtet wird.
Testergebnisse: ε = 19 000; tan δ < 5%, τ < 280 h.
Testergebnisse: ε = 19 000; tan δ < 5%, τ < 280 h.
Für die Herstellung eines Vielschichtkondensators mit einem keramischen Dielektri
kum mit der Zusammensetzung (Ba0.96Ca0.04)1.01[Ti0.8175Zr0.18Mn0.0025]O₃ mit Wolfram
in einer Menge von 0,0025 Mol/Formeleinheit, Yttrium in einer Menge von 0,005
Mol/Formeleinheit und 0,25 Gew.-% SiO₂ als Sinterhilfe werden 191,35 g BaCO₃
(d₅₀ = 1,1 µm, BET: 2,1 m²/g), 1,04 g CaCO₃ (d₅₀ = 0,8 µm), 65,32 g TiO₂ (d₅₀ =
0,48 µm, BET: 7 m²/g), 22,18 g ZrO₂ (d₅₀ = 0,12 µm, BET: 21,9 m²/g), 0,29 g
MnCO₃, 0,58 g WO₃ (d₅₀ = 0,15 µm), 1,12 g Y₂O₃ (d₅₀ = 0,34 µm) und 0,71 g SiO₂
(kolloidal, 22 nm) in einer Planetkugelmühle zwei Stunden gemahlen und gemischt.
Als Mahlflüssigkeit wird Cyclohexan, als Mahlkugeln Achat benutzt. Anschließend
wird die Mischung 24 h mit 2 mm-YTZ-Kugeln in Isopropanol gemahlen.
Nach dem Mahlen in der Planetkugelmühle wird das Gemisch unter einem Ober
flächenverdampfer an Luft getrocknet und danach 6 h bei 1250°C kalziniert. Man
mischt das pulverförmige Material mit Polyvinylalkohol als Bindemittel, einem
oberflächenaktiven Mittel, einem Dispergiermittel und Wasser zu einer Suspension.
Die Suspension verarbeitet man in einer Rakelbeschichtungseinrichtung zu grünen
keramischen Folien mit einer Dicke von 20 µm.
Die grüne Folie wird zu Folienkarten geschnitten, mit einer Nickelpaste mit dem
Muster der inneren Elektroden bedruckt, gestapelt und zusammengepreßt und in die
einzelnen Kondensatoren getrennt. Die Kondensatoren werden bei einer Temperatur
von 1300°C gesintert. Die Aufheizrate beträgt 300°C/h bis 1000°C und 50°C/h bis
1300°C. Während des Sinterprozesses wird durch den Ofen ein Gasgemisch
bestehend aus 99% N₂ und 1% H₂ geleitet, das mit Wasserdampf gesättigt ist. Es
wird mit 300°C/h abgekühlt. Nach dem Sintern werden die Kondensatoren in einem
Temperofen bei einer Temperatur von 1000°C getempert. Während des Temper
prozesses wird durch den Ofen ein Gasgemisch bestehend aus Stickstoff mit 10-50 ppm
Sauerstoff geleitet.
Als äußere Elektroden werden eine 6 nm dicke CrNi-Schicht aufgedampft, die mit
0,15 µm Au beschichtet wird.
Testergebnisse: ε = 21 3000; tan δ < 5%, τ < 100 h.
Testergebnisse: ε = 21 3000; tan δ < 5%, τ < 100 h.
Für die Herstellung eines Vielschichtkondensators mit einem keramischen Dielektri
kum mit der Zusammensetzung (Ba0.96Ca0.04)1.01[Ti0.815Zr0.18Mn0.005]O₃ mit Yttrium in
einer Menge von 0,01 Mol/Formeleinheit, Wolfram in einer Menge von 0,025
Mol/Formeleinheit und 0, 125 Gew.-% SiO₂ als Sinterhilfe werden 191,35 g BaCO₃
(d₅₀ = 1,1 µm, BET: 2,1 m²/g), 1,04 g CaCO₃ (d₅₀ = 0,8 µm), 65,12 g TiO₂ (d₅₀ =
0,48 µm, BET: 7 m²/g), 22,18 g ZrO₂ (d₅₀ = 0,12 µm, BET: 21,9 m²/g), 0,57 g
MnCO₃, 0,58 g WO₃ (d₅₀ = 0,15 µm), 2,24 g Y₂O₃ (d₅₀ = 0,34 µm) und 0,36 g
SiO₂ (kolloidal, 22 nm) in einer Planetkugelmühle zwei Stunden gemahlen und
gemischt. Als Mahlflüssigkeit wird Cyclohexan, als Mahlkugeln Achat benutzt.
Anschließend wird die Mischung 24 h mit 2 mm-YTZ-Kugeln in Isopropanol
gemahlen.
Nach dem Mahlen in der Planetkugelmühle wird das Gemisch unter einem Ober
flächenverdampfer an Luft getrocknet und danach 6 h bei 1250°C kalziniert. Man
mischt das pulverförmige Material mit Polyvinylalkohol als Bindemittel, einem
oberflächenaktiven Mittel, einem Dispergiermittel und Wasser zu einem Schlicker.
Den Schlicker verarbeitet man in einer Rakelbeschichtungseinrichtung zu grünen
keramischen Folien mit einer Dicke von 20 µm.
Die grüne Folie wird zu Folienkarten geschnitten, mit einer Nickelpaste mit dem
Muster der inneren Elektroden bedruckt, gestapelt und zusammengepreßt und in die
einzelnen Kondensatoren getrennt. Die Kondensatoren werden bei einer Temperatur
von 1300°C gesintert. Die Aufheizrate beträgt 300°C/h bis 1000°C und 50°C/h bis
1300°C. Während des Sinterprozesses wird durch den Ofen ein Gasgemisch
bestehend aus 99% N₂ und 1% H₂ geleitet, das mit Wasserdampf gesättigt ist. Es
wird mit 300°C/h abgekühlt. Nach dem Sintern werden die Kondensatoren in einem
Temperofen bei einer Temperatur von 1000°C getempert. Während des Temper
prozesses wird durch den Ofen ein Gasgemisch bestehend aus Stickstoff mit 50-100 ppm
Sauerstoff geleitet.
Als äußere Elektroden werden eine 6 nm dicke CrNi-Schicht aufgedampft, die mit
0,15 µm Au beschichtet wird.
Testergebnisse: ε = 14 300; tan δ < 5%, τ < 220 h.
Testergebnisse: ε = 14 300; tan δ < 5%, τ < 220 h.
Für die Herstellung eines Vielschichtkondensators mit einem keramischen Dielektri
kum mit der Zusammensetzung (Ba0.96Ca0.04)1.01[Ti0.815Zr0.18Mn0.005]O₃ mit Wolfram
und Zink in einer Menge von jeweils 0,0025 Mol/Formeleinheit und 0,125 Gew.-%
SiO₂ als Sinterhilfe werden 191,35 g BaCO₃ (d₅₀ = 1,1 µm, BET: 2,1 m²/g), 1,04 g
CaCO₃ (d₅₀ = 0,8 µm), 65,12 g TiO₂ (d₅₀ = 0,48 µm, BET: 7 m²/g), 22,18 g ZrO₂
(d₅₀ = 0,12 µm, BET: 21,9 m²/g), 0,57 g MnCO₃, 0,58 g WO₃ (d₅₀ = 0,15 µm), 0,20 g
ZnO und 0,36 g SiO₂ (kolloidal, 22 nm) in einer Planetkugelmühle zwei Stunden
gemahlen und gemischt. Als Mahlflüssigkeit wird Cyclohexan, als Mahlkugeln
Achat benutzt. Anschließend wird die Mischung 24 h mit 2 mm-YTZ-Kugeln in
Isopropanol gemahlen.
Nach dem Mahlen in der Planetkugelmühle wird das Gemisch unter einem Ober
flächenverdampfer an Luft getrocknet und danach 6 h bei 1250°C kalziniert. Man
mischt das pulverförmige Material mit Polyvinylalkohol als Bindemittel, einem
oberflächenaktiven Mittel, einem Dispergiermittel und Wasser zu einem Schlicker.
Den Schlicker verarbeitet man in einer Rakelbeschichtungseinrichtung zu grünen
keramischen Folien mit einer Dicke von 20 µm.
Die grüne Folie wird zu Folienkarten geschnitten, mit einer Nickelpaste mit dem
Muster der inneren Elektroden bedruckt, gestapelt und zusammengepreßt und in die
einzelnen Kondensatoren getrennt. Die Kondensatoren werden bei einer Temperatur
von 1300°C gesintert. Die Aufheizrate beträgt 300°C/h bis 1000°C und 50°C/h bis
1300°C. Während des Sinterprozesses wird durch den Ofen ein Gasgemisch
bestehend aus 99% N₂ und 1% H₂ geleitet, das mit Wasserdampf gesättigt ist. Es
wird mit 300°C/h abgekühlt. Nach dem Sintern werden die Kondensatoren in einem
Temperofen bei einer Temperatur von 1000°C getempert. Während des Temper
prozesses wird durch den Ofen ein Gasgemisch bestehend aus Stickstoff mit 50-100 ppm
Sauerstoff geleitet.
Als äußere Elektroden werden eine 6 nm dicke CrNi-Schicht aufgedampft, die mit
0,15 µm Au beschichtet wird.
Testergebnisse: ε = 13 600; tan δ < 5%, τ < 150 h.
Testergebnisse: ε = 13 600; tan δ < 5%, τ < 150 h.
Für die Herstellung eines Vielschichtkondensators mit einem keramischen Dielektri
kum mit der Zusammensetzung (Ba0.96C0.04)1.01[Ti0.8175Zr0.18M0.0025]O₃ mit Wolfram
in einer Menge von 0,0025 Mol/Formeleinheit, Nickel in einer Menge von 0,0025
Mol/Formeleinheit und 0,25 Gew.-% SiO₂ als Sinterhilfe werden 191,35 g BaCO₃
(d₅₀ = 1,1 µm, BET: 2,1 m²/g), 1,04 g CaCO₃ (d₅₀ = 0,8 µm), 65,32 g TiO₂ (d₅₀ =
0,48 µm, BET: 7 m²/g), 22,18 g ZrO₂ (d₅₀ = 0,12 µm, BET: 21,9 m²/g), 0,29 g
MnCO₃, 0,58 g WO₃ (d₅₀ = 0,15 µm), 0,37 NiO und 0,71 g SiO₂ (kolloidal, 22 nm)
in einer Planetkugelmühle zwei Stunden gemahlen und gemischt. Als Mahlflüssigkeit
wird Cyclohexan, als Mahlkugeln Achat benutzt. Anschließend wird die Mischung
24 h mit 2 mm-YTZ-Kugeln in Isopropanol gemahlen.
Nach dem Mahlen in der Planetkugelmühle wird das Gemisch unter einem Ober
flächenverdampfer an Luft getrocknet und danach 6 h bei 1250°C kalziniert. Man
mischt das pulverförmige Material mit Polyvinylalkohol als Bindemittel, einem
oberflächenaktiven Mittel, einem Dispergiermittel und Wasser zu einer Suspension.
Die Suspension verarbeitet man in einer Rakelbeschichtungseinrichtung zu grünen
keramischen Folien mit einer Dicke von 20 µm.
Die grüne Folie wird zu Folienkarten geschnitten, mit einer Nickelpaste mit dem
Muster der inneren Elektroden bedruckt, gestapelt und zusammengepreßt und in die
einzelnen Kondensatoren getrennt. Die Kondensatoren werden bei einer Temperatur
von 1300°C gesintert. Die Aufheizrate beträgt 300°C/h bis 1000°C und 50°C/h bis
1300°C. Während des Sinterprozesses wird durch den Ofen ein Gasgemisch
bestehend aus 99% N₂ und 1% H₂ geleitet, das mit Wasserdampf gesättigt ist. Es
wird mit 300°C/h abgekühlt. Nach dem Sintern werden die Kondensatoren in einem
Temperofen bei einer Temperatur von 1000°C getempert. Während des Temper
prozesses wird durch den Ofen ein Gasgemisch bestehend aus Stickstoff mit 10-50 ppm
Sauerstoff geleitet.
Als äußere Elektroden werden eine 6 nm dicke CrNi-Schicht aufgedampft, die mit
0,15 µm Au beschichtet wird.
Testergebnisse: ε = 15 800; tan δ < 5%, τ < 250 h.
Testergebnisse: ε = 15 800; tan δ < 5%, τ < 250 h.
Für die Herstellung eines Vielschichtkondensators mit einem keramischen Dielektri
kum mit der Zusammensetzung (Ba0.96Ca0.04)1.01[Ti0.8175Zr0.18Mn0.0025]O₃ mit Wolfram
in einer Menge von 0,0025 Mol/Formeleinheit, Ytterbium in einer Menge von
0,005 Mol/Formeleinheit und 0,25 Gew.-% SiO₂ als Sinterhilfe werden 191,35 g
BaCO₃ (d₅₀ = 1,1 µm, BET: 2,1 m²/g), 1,04 g CaCO₃ (d₅₀ = 0,8 µm), 65,32 g TiO₂
(d₅₀ = 0,48 µm, BET: 7 m²/g), 22,18 g ZrO₂ (d₅₀ = 0,12 µm, BET: 21,9 m²/g), 0,29 g
MnCO₃, 0,58 g WO₃(d₅₀ = 0,15 µm), 1,97 g Yb₂O₃ und 0,71 g SiO₂ (kolloidal, 22
nm) in einer Planetkugelmühle zwei Stunden gemahlen und gemischt. Als Mahl
flüssigkeit wird Cyclohexan, als Mahlkugeln Achat benutzt. Anschließend wird die
Mischung 24 h mit 2 mm-YTZ-Kugeln in Isopropanol gemahlen.
Nach dem Mahlen in der Planetkugelmühle wird das Gemisch unter einem Ober
flächenverdampfer an Luft getrocknet und danach 6 h bei 1250°C kalziniert. Man
mischt das pulverförmige Material mit Polyvinylalkohol als Bindemittel, einem
oberflächenaktiven Mittel, einem Dispergiermittel und Wasser zu einer Suspension.
Die Suspension verarbeitet man in einer Rakelbeschichtungseinrichtung zu grünen
keramischen Folien mit einer Dicke von 20 µm.
Die grüne Folie wird zu Folienkarten geschnitten, mit einer Nickelpaste mit dem
Muster der inneren Elektroden bedruckt, gestapelt und zusammengepreßt und in die
einzelnen Kondensatoren getrennt. Die Kondensatoren werden bei einer Temperatur
von 1300°C gesintert. Die Aufheizrate beträgt 300°C/h bis 1000°C und 50°C/h bis
1300°C. Während des Sinterprozesses wird durch den Ofen ein Gasgemisch
bestehend aus 99% N₂ und 1% H₂ geleitet, das mit Wasserdampf gesättigt ist. Es
wird mit 300°C/h abgekühlt. Nach dem Sintern werden die Kondensatoren in einem
Temperofen bei einer Temperatur von 1000°C getempert. Während des Temper
prozesses wird durch den Ofen ein Gasgemisch bestehend aus Stickstoff mit 10-50 ppm
Sauerstoff geleitet.
Als äußere Elektroden werden eine 6 nm dicke CrNi-Schicht aufgedampft, die mit
0,15 µm Au beschichtet wird.
Testergebnisse: ε = 17 000; tan δ < 5%, τ < 160 h.
Testergebnisse: ε = 17 000; tan δ < 5%, τ < 160 h.
Claims (6)
1. Kondensator mit einem keramischen Dielektrikum und mindestens zwei Elek
troden, wobei das Dielektrikum im wesentlichen aus einer dielektrischen kera
mischen Zubereitung mit einem dotierten Barium-Calcium-Zirkon-Titanat besteht,
dadurch gekennzeichnet,
daß das dotierte Barium-Calcium-Zirkon-Titanat die Zusammensetzung
(Ba0.96Ca0.04)a[Ti0.82-yZr0.18Mny]O₃ mit 0.001 y 0.01, 1.000 < a 1.02 hat
und mit Wolfram in einer Menge r von 0.001 bis 0.005 Mol/Formeleinheit und mit
mindestens einem Element A der Gruppe Aluminium, Gallium, Yttrium, Zink,
Nickel und Ytterbium in einer Menge s mit 0.001 bis 0.005 Mol/Formeleinheit
dotiert ist.
2. Kondensator gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Material für die Elektroden Nickel oder eine Nickellegierung ist.
3. Kondensator gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß er ein Vielschichtkondensator mit inneren Elektroden aus Nickel oder einer
Nickellegierung ist.
4. Kondensator gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß y 0.005 und das atomare Verhältnis n von Mn + A/W kleiner 1 ist.
5. Kondensator gemäß Anspruch 1
dadurch gekennzeichnet,
daß y 0.005, 1 < a = 1.01, r = 0.0025 Mol/Formeleinheit und s < 0,010
Mol/Formeleinheit ist.
6. Kondensator gemäß Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die dielektrische keramische Zubereitung 0,1-1 Gew.-% Sinterhilfsmittel,
bestehend aus 0,16 bis 0,29 Mol Lithiumoxid, 0, 004 bis 0,39 Mol eines der Oxide
CaO, MgO, BaO oder SrO sowie Siliziumoxid, enthält.
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JP3506056B2 (ja) * | 1999-08-09 | 2004-03-15 | 株式会社村田製作所 | 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子、および正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック素子の製造方法 |
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US6337237B1 (en) * | 1999-09-01 | 2002-01-08 | Micron Technology, Inc. | Capacitor processing method and DRAM processing method |
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WO2002084683A1 (fr) * | 2001-04-12 | 2002-10-24 | Tdk Corporation | Procede de production de composant electronique en ceramique laminee |
US7914755B2 (en) * | 2001-04-12 | 2011-03-29 | Eestor, Inc. | Method of preparing ceramic powders using chelate precursors |
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KR100466072B1 (ko) * | 2002-05-24 | 2005-01-13 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서용 유전체 조성물 및 이를 이용한 적층세라믹 콘덴서 |
KR100506731B1 (ko) * | 2002-12-24 | 2005-08-08 | 삼성전기주식회사 | 저온 소성 유전체 조성물, 적층 세라믹 커패시터 및세라믹 전자부품 |
JP2005057174A (ja) * | 2003-08-07 | 2005-03-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック電子部品の製造方法 |
US7218504B2 (en) * | 2004-03-02 | 2007-05-15 | Intel Corporation | Capacitor device and method |
US20060000542A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Yongki Min | Metal oxide ceramic thin film on base metal electrode |
US7290315B2 (en) * | 2004-10-21 | 2007-11-06 | Intel Corporation | Method for making a passive device structure |
US20060099803A1 (en) * | 2004-10-26 | 2006-05-11 | Yongki Min | Thin film capacitor |
US20060091495A1 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-04 | Palanduz Cengiz A | Ceramic thin film on base metal electrode |
US7629269B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-12-08 | Intel Corporation | High-k thin film grain size control |
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US7375412B1 (en) * | 2005-03-31 | 2008-05-20 | Intel Corporation | iTFC with optimized C(T) |
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JP2529410B2 (ja) * | 1989-09-25 | 1996-08-28 | 松下電器産業株式会社 | 誘電体磁器組成物とそれを用いた積層セラミックコンデンサとその製造方法 |
JPH0779004B2 (ja) * | 1990-10-31 | 1995-08-23 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
JP2952062B2 (ja) * | 1991-02-18 | 1999-09-20 | ティーディーケイ株式会社 | 非還元性誘電体磁器組成物 |
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