DE19632846C2 - Verfahren zum Feststellen des Endpunkts eines Dampfphasen-Ätzvorgangs - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Feststellen des Endpunkts eines Dampfphasen-Ätzvorgangs.

Halbleiter-Herstellprozesse erfordern Ätzprozesse, bei denen eine Halbleiter­ schicht, eine Isolierschicht oder eine leitende Metallschicht geätzt wird, um verschiedene Muster herzustellen. Wie es wohlbekannt ist, werden Ätzverfah­ ren grob in Trockenätz- und Nassätzverfahren unterteilt. In jüngerer Zeit wird ein Dampfphasen-Ätzverfahren verwendet, bei dem ein zu ätzendes Material unter Verwendung des nichtwässrigen Zustands eines Ätzmittels, nämlich des dampfförmigen Zustands eines in eine Kammer eingeleiteten Ätzmittels, geätzt wird. Bei Trockenätz-, Nassätz- oder Dampfphasenätzvorgängen ist es wichtig, genau zu überprüfen, ob die zu ätzende Schicht bis auf eine gewünschte Dicke geätzt ist oder nicht. D. h., daß eine genaue Erfassung des Endpunkts eines Ätzvor­ gangs erforderlich ist.

Zu Halbleiter-Herstellprozessen gehören Abläufe zum Herstel­ len eines feinen Musters. Um zu verhindern, daß das feine Muster beeinträchtigt wird, ist die genannte genaue Erfas­ sung des Endpunkts des Ätzvorgangs erforderlich. Nachfolgend werden Verfahren zum Messen des Endpunkts eines Ätzvorgangs beschrieben, wie sie beim Trockenätzen und Naßätzen verwen­ det werden.

Ein bei Trockenätzvorgängen weit verbreitetes Verfahren zum Erfassen des Endpunkts des Ätzvorgangs verwendet die Wellen­ länge von Licht. Wenn bei diesem Verfahren damit begonnen wird, eine Siliziumoxidschicht unter Verwendung des Ätzmit­ tels CF₄ trockenzuätzen, reagieren die Siliziumoxidschicht und das CF₄ miteinander, um ein Nebenprodukt wie CO_yF_x zu erzeugen. Wenn Strahlung wie Laserstrahlung auf die mit dem Ätzmittel reagierende Siliziumoxidschicht gestrahlt wird, wird sie dabei durch die Siliziumoxidschicht und das Neben­ produkt reflektiert.

Hierbei ändert sich die Intensität reflektierten Lichts ab­ hängig vom Ausmaß des an der Siliziumoxidschicht ausgeführ­ ten Ätzvorgangs. Wenn die Intensität der bei einer speziel­ len Wellenlänge reflektierten Strahlung während des Ätzab­ laufs gemessen wird und dabei festgestellt wird, daß sie über oder unter einem vorbestimmten Wert liegt, bedeutet dies, daß der Endpunkt des Ätzvorgangs erreicht ist. Hierbei wird die genannte vorbestimmte Intensität durch Vorversuche ermittelt.

Das Verfahren zum Messen des Endpunkts bei einem Ätzvorgang unter Verwendung der Wellenlänge von Licht wird auch bei chemisch-mechanischem Polieren (CMP) verwendet. CMP ist ein Ätzverfahren, bei dem eine zu ätzende Schicht durch Schlei­ fen auf eine vorgegebene Dicke abgearbeitet wird.

Nachfolgend werden verschiedene Verfahren zum Messen des Endpunkts bei Naßätzvorgängen erläutert.

Erstens wurde ein Verfahren zum Messen des Ätzendpunkts un­ ter Verwendung von Farben vorgeschlagen. Zur Erläuterung dieses Verfahrens sei angenommen, daß eine auf einer Halb­ leiterschicht ausgebildete Isolierschicht naßgeätzt wird, um ein vorgegebenes Muster auszubilden. Als erstes wird die Struktur, bei der die Isolierschicht auf der Halbleiter­ schicht ausgebildet ist, in ein ein Ätzmittel enthaltendes Bad eingetaucht, und wenn der Ätzvorgang in vorbestimmtem Umfang abgelaufen ist, wird die Struktur dem Bad entnommen, um den Ätzendpunkt abhängig von der Oberflächenfarbe der Struktur zu beurteilen.

D. h., daß dann, wenn die Isolierschicht auf eine vorbe­ stimmte Dicke geätzt ist, die Oberflächenfarbe der Struktur von derjenigen vor dem Ätzvorgang verschieden wird, da die unter der Isolierschicht liegende Halbleiterschicht durch­ scheint. Dieses Verfahren zum Messen des Ätzendpunkts unter Verwendung der Oberflächenfarbe wird am häufigsten bei Teil­ ätzvorgängen, also nicht bei vollkommenem Abätzen verwendet. Z. B. wird dieses Verfahren dann verwendet, wenn die oben­ genannte Isolierschicht, die zunächst eine Dicke von 500 nm aufweist, nur um 400 nm geätzt wird.

Zweitens existiert ein Verfahren zum Messen des Ätzendpunkts unter Verwendung der Oberflächenspannung. Gemäß diesem Ver­ fahren wird eine Struktur, bei der eine Isolierschicht auf einer Halbleiterschicht aus Silizium ausgebildet ist, in ein Bad mit einem Naßätzmittel eingetaucht, um dabei in vorbestimmtem Ausmaß abgeätzt zu werden. Dann wird, nachdem die Struktur entnommen wurde, Wasser auf die Oberfläche dersel­ ben gesprüht.

Wenn die Isolierschicht vollständig abgeätzt ist, liegt da­ bei die Oberfläche der Struktur frei. Daher verbleibt Wasser aufgrund der Oberflächenspannung von Silizium an der Ober­ fläche des Siliziums. Wenn jedoch die Isolierschicht nicht vollständig abgeätzt ist, läuft das Wasser ab und verbleibt nicht an der Oberfläche, da die Isolierschicht nahezu keine Oberflächenspannung aufweist. So kann der Ätzendpunkt ermit­ telt werden.

Drittens existiert ein Verfahren zum Erfassen des Ätzend­ punkts unter Verwendung einer Dickenmeßskala. Gemäß diesem Verfahren wird eine Struktur, bei der eine Isolierschicht auf einer Halbleiterschicht aus Silizium ausgebildet ist, in ein Bad mit einem Naßätzmittel eingetaucht, um dadurch mit vorbestimmtem Ausmaß geätzt zu werden. Dann wird die Struk­ tur entnommen, und ihre Dicke wird mittels der Skala gemes­ sen.

Wenn die Isolierschicht vollständig abgeätzt ist, wird nur die Dicke der Halbleiterschicht gemessen. Falls nicht, ist die gemessene Dicke größer als die der Halbleiterschicht.

Wenn bei einem Dampfphasen-Ätzvorgang ein Material unter Verwendung eines Ätzmittels im Dampfzustand, nicht im Gas­ zustand, geätzt wird, ist dieser Vorgang einem Naßätzvorgang viel ähnlicher als einem Trockenätzvorgang. Daher wird der Ätzendpunkt bei einem Dampfphasen-Ätzvorgang unter Verwen­ dung von Verfahren erfaßt, wie sie bei Naßätzvorgängen ver­ wendet werden.

Die vorstehend angegebenen drei Verfahren sind optisch, so daß sie dann verwendet werden können, wenn das zu ätzende Material kein Muster aufweist. Jedoch werden Ätzprozesse bei Halbleiter-Herstellabläufen dazu verwendet, Muster aus einem Material herzustellen. Da die Muster fein sind, ist es nahe­ zu unmöglich, den Ätzendpunkt optisch zu erfassen.

Um die vorstehend angegebenen Verfahren bei Halbleiter-Her­ stellabläufen verwenden zu können, wird ein Testmuster, das gegenüber dem tatsächlichen Muster vergrößert ist, verwen­ det, und der aktuelle Herstellprozeß wird am Testmuster aus­ geführt. Da das Testmuster gegenüber dem tatsächlichen Mu­ ster beträchtlich vergrößert ist, können die obenangegebenen Verfahren auf das Testmuster angewandt werden. Die den Test ausführende Person bewertet den Ätzendpunkt der vorliegenden Struktur unter Verwendung der Farbe, der Oberflächenspannung und/oder der Dicke des Testmusters.

Jedoch kann das Verfahren, bei dem der Ätzendpunkt des Test­ musters als Ätzendpunkt für die tatsächliche Struktur ver­ wendet wird, zu vielen Fehlern führen. Ferner sind die vor­ stehend angegebenen Verfahren unwirtschaftlich, da sie ein Testmuster verwenden. Auch werden die Strukturen, auf denen das zu ätzende Material ausgebildet ist, nach dem Ätzen ein­ zeln dem Bad entnommen, woraufhin ihre Farbe und/oder Ober­ flächenspannung beurteilt wird oder die Dicke mittels der Meßskala gemessen wird. Dies erhöht die für den Prozeß er­ forderliche Zeit. Im allgemeinen ist eine Prozeßzeit erfor­ derlich, die 150%-200% derjenigen Zeit beträgt, die zum Abätzen der gewünschten Dicke des zu ätzenden Materials er­ forderlich ist.

Darüber hinaus ist bei den vorstehend angegebenen herkömm­ lichen Verfahren zum Erfassen des Ätzendpunkts der Prozeß aufgrund der Verwendung des Testmusters kompliziert, und es wird zuviel chemisches Ätzmaterial verbraucht. Wie oben beschrieben, sind die Verfahren zum Messen des Ätzendpunkts, wie sie bei Nassätz- und Dampfätzvorgängen verwendet werden, nicht wirkungsvoll, ab­ weichend von den bei Trockenätzvorgängen verwendeten Verfahren.

Aus der DD 244 018 A1 ist ein spektroskopisches Verfahren zur in situ Opti­ mierung und Endpunktbestimmung bei Plasmaätzprozessen bekannt, bei dem eine Spektrallinie eines Emissionsspektrums überwacht wird. Dabei wird eine für das zu ätzende Halbleitermaterial typische Emission, besser gesagt die In­ tensität der ausgewählten, vom Plasma emittierten Spektrallinie integriert, um einen Ätzabtrag quantitativ anzuzeigen. Hier wird also ein Verfahren zur Endpunktbestimmung bei einem Trockenätzverfahren beschrieben, bei dem die Eigenschaften eines für die Trockenätzung verwendeten Plasmas in der Ätzkammer optisch überwacht werden.

Die US 2,827,724 betrifft ein Verfahren zum Bestimmen der Ätztiefe bei ei­ nem Nassätzvorgang. Bei diesem Verfahren wird die Menge eines Gases ge­ messen, die beim Ätzen entsteht, um aus der Menge des Gases auf den Ätzab­ trag bzw. die Ätztiefe zu schließen und den Zeitpunkt zu bestimmen, zu dem das zu ätzende Werkstück aus der Ätzlösung entnommen werden soll.

Aus der DE 44 45 762 A1 ist ein Verfahren zum Bestimmen absoluter Plas­ maparameter bekannt, bei dem mit Hilfe eines an einer auf Masse liegenden Seitenwand befestigten Messaufnehmers der eine isoliert durch die Seiten­ wand hindurchgeführte Messelektrode umfasst, ein Teil des hochfrequenten Entladungsstroms des Plasmas gemessen wird. Insbesondere wird der zwi­ schen Messelektrode und Masse fließende Strom mit Hilfe eines entsprechen­ den Wandlers in eine Spannung umgesetzt, die dann weiter verarbeitet wird. Hier wird lediglich gezeigt, dass es bekannt ist, den Entladungsstrom eines Plasmas zu überwachen, um Plasmaeigenschaften zu kontrollieren. Ein Rück­ schluss auf Ätzprozesse die mit Hilfe des Plasmas durchgeführt werden, ins­ besondere ein Rückschluss auf die erzielte Ätztiefe ist mit diesem Verfahren, das eine reine Strommessung verwendet, nicht möglich.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Feststellen des Endzeitpunkts eines Dampfphasen-Ätzvorgangs bereitzustellen, das auch beim Ätzen feiner Muster zuverlässig und wirtschaftlich arbeitet.

Diese Aufgabe wird durch das Verfahren nach Anspruch 1 gelöst.

Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines bevorzugten Ausführungsbei­ spiels unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.

Fig. 1 veranschaulicht die Verfahrensschrittfolge bei einem erfindungsgemä­ ßen Verfahren zum Messen des Endpunkts bei einem Dampfphasen-Ätzvor­ gang;

Fig. 2 ist ein schematisches Diagram einer Ätzvorrichtung, bei der das erfin­ dungsgemäße Verfahren zum Erfassen des Endpunkts bei einem Dampfpha­ sen-Ätzvorgang verwendbar ist;

Fig. 3 veranschaulicht mittels Querschnitten durch eine Schichtstruktur die Schrittfolge bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Erfassen des End­ punkts bei einem Dampfphasen-Ätzvorgang; und

Fig. 4 ist ein Kurvenbild, das die Ionenstromstärke verschiedener Nebenpro­ dukte zeigt, wie sie während des Ätzprozesses von thermisch abgeschiedenem Siliziumoxid bei Raum­ temperatur erzeugt werden.

Gemäß Fig. 1 wird als erstes ein zu ätzendes Material in eine Ätzkammer eingeführt und dann ein im Dampfzustand befindliches Ätzmittel in die Ätzkammer eingeleitet. Dann wird die Ionenstromintensität eines der Nebenprodukte gemessen, wie sie während des Dampfphasen-Ätzprozesses erzeugt werden.

Die Ionenstromintensitäten eines während des Dampfphasen- Ätzvorgangs des Materials erzeugten speziellen Nebenprodukts und die zugehörige Ätzdicke des Materials werden durch vor­ angehende Versuche bestimmt. Aus diesen Versuchsergebnissen ist es möglich, die abgeätzte Dicke (Dickenänderung) des Ma­ terials unter Verwendung der gemessenen Ionenstromintensität klarzustellen. Diese Ätzdicke wird mittels einer Anzeigevor­ richtung kontinuierlich oder diskret angezeigt. Wenn die auf der Anzeigevorrichtung angezeigte Dickenänderung einer vor­ bestimmten Ätzdicke entspricht, wird dies von der Bedienper­ son als Anzeige des Ätzendpunkts angesehen, woraufhin sie den Dampfphasen-Ätzvorgang beendet.

Fig. 2 ist ein schematisches Diagramm einer Ätzvorrich­ tung, mit der es möglich ist, das erfindungsgemäße Verfahren zum Erfassen des Endpunkts bei Dampfphasen-Ätzvorgängen zu erfassen. Es sind folgende Teile vorhanden: eine Ätzkammer 10, ein Tisch 10a, auf dem das zu ätzende Material angeord­ net wird, eine Meßvorrichtung 20 zum Messen der Ionenstrom­ stärke eines speziellen Nebenprodukts, wie es während des Dampfphasen-Ätzvorgangs erzeugt wird, und ein Ventil 20a, wie es zum Einstellen der Einlaßmenge des speziellen Neben­ produkts in die Meßvorrichtung 20 verwendet wird. Eine Δd- Berechnungseinrichtung 30 dient zum Berechnen der Ätzdicke abhängig von der gemessenen Ionenstromstärke (Δd = Dickenänderung). Eine Δd-Anzeigevorrichtung 40 dient zum Anzeigen der berechneten Dickenänderung auf einem Monitor. Ein Ventil 50 dient zum Einstellen der Menge des in die Kammer 10 ein­ geleiteten dampfförmigen Ätzmittels. Eine auf einem Sili­ ziumsubstrat 60 ausgebildete Siliziumoxidschicht 70 ist das zu ätzende Material.

Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf Fig. 2 ein Dampfpha­ sen-Ätzvorgang für die Siliziumoxidschicht beschrieben. Als erstes wird wasserfreies HF (im Dampfzustand) durch das Ven­ til 50 als Ätzmittel in die Ätzkammer 10 eingeleitet. An­ schließend wird in diese Ätzkammer 10 eine geeignete Menge an H₂O im Dampfzustand eingeleitet.

Dann wird das Siliziumsubstrat 60 mit der darauf befindli­ chen Siliziumoxidschicht 70 auf den Tisch 10a in einem vor­ bestimmten Abschnitt der Ätzkammer 10 aufgelegt. Hierbei wird wasserfreies HF als Ätzmittel verwendet, jedoch kann auch ein anderes Ätzmittel in wasserfreiem Zustand verwendet werden. Dieses Ätzmittel für die Siliziumoxidschicht 70 kann eine Säure wie H₃PO₄ sein oder es kann NH₄OH sein. Wenn das zu ätzende Material eine Halbleiterschicht aus Silizium ist, wird wasserfreies H₂SO₄ als Ätzmittel verwendet. Es sei hier darauf hingewiesen, daß die vorstehend angegebenen Ätzmittel H-Ionen enthalten.

Es sei angenommen, daß die Siliziumoxidschicht 70 eine ther­ misch auf dem Siliziumsubstrat 60 hergestellte Oxidschicht ist. Wie oben angegeben, wird während des Dampfphasen-Ätz­ vorgangs der Siliziumoxidschicht 70 im allgemeinen dampfför­ miges H₂O zum Ätzmittel im Dampfzustand hinzugefügt. Daher ändert sich die Ätzrate der Siliziumoxidschicht 70 abhängig von der Menge an zugegebenem H₂O.

Die Fig. 3a bis 3d veranschaulichen den Ätzprozeß für die auf dem Silizium ausgebildete Siliziumoxidschicht unter Ver­ wendung der Ätzreaktion des dampfförmigen HF und H₂O mit der Siliziumoxidschicht 70. Wie es in Fig. 3a dargestellt ist, reagieren dampfförmiges HF und H₂O, nachdem sie in die Ätz­ kammer 10 eingeleitet sind, als erstes miteinander gemäß der folgenden chemischen Formel (1):

2HF + H₂O → H₃O⁺ + HF₂ ^- (1)

Hierbei befinden sich H₃O⁺ + HF₂ ^- im flüssigen Zustand auf der Oberfläche der Siliziumoxidschicht 70. Dann reagiert H₃O⁺ + HF₂ ^- mit der Siliziumoxidschicht 70, wodurch diese ge­ ätzt wird. Wie es in Fig. 3c dargestellt ist, existiert wäh­ rend des Ätzens der Siliziumoxidschicht 70 H₃O⁺ + H₂SiF₆ + H₂O + HF₂ ^- im flüssigen Zustand an der Oberfläche derselben.

Fig. 3d veranschaulicht den Zustand, bei dem die Silizium­ oxidschicht völlig abgeätzt ist. Wenn dies der Fall ist, werden HF + H₂O + SiF₄ im Dampfzustand erzeugt, und H₂SiF₆ + H₂O + HF₂ ^- existiert im flüssigen Zustand auf der Oberfläche des Siliziumsubstrats 60.

D. h., daß die Reaktion gemäß den Fig. 3b bis 3d durch die folgende chemische Formel wiedergegeben werden kann:

SiO₂ + 2H₃O⁺ + 2HF₂ ^- → SiF₄ + 4H₂O (2)

Die Formel (2) zeigt, daß durch Reaktion zwischen der Sili­ ziumoxidschicht 70 und HF/H₂O das Nebenprodukt SiF₄ erzeugt wird.

Fig. 4 zeigt die Ionenstromstärken für die jeweiligen Neben­ produkte, wie sie während des Ätzprozesses der thermischen Siliziumoxidschicht 70 bei Raumtemperatur erzeugt werden. Wie es in Fig. 4 dargestellt ist, werden nach dem Verstreichen einer vorbestimmten Zeit (500 Sekunden in Fig. 4) nach dem Beginn des Dampfphasen-Ätzvorgangs Nebenprodukte er­ zeugt, wodurch die Ionenstromstärke der jeweiligen Nebenpro­ dukte gemessen werden kann. Dies erfolgt so, daß die Meßvor­ richtung von Fig. 2 auf kontinuierliche oder diskrete Weise nur ein spezielles Nebenprodukt, z. B. SiF₄, unter den Ne­ benprodukten erfaßt, um dadurch dessen Ionenstromstärke zu messen.

In Fig. 4 steigt die Ionenstromstärke des Nebenprodukts SiF₄ nach dem Verstreichen von 500 Sekunden nach dem Beginn des Dampfphasen-Ätzvorgangs kontinuierlich an und fällt dann langsam, nachdem 3000 Sekunden verstrichen sind. Der Punkt, zu dem die Ionenstromstärke von SiF₄ beginnt abzufallen, zeigt an, daß die Siliziumoxidschicht vollständig abgeätzt ist. Diese Tatsache wurde durch Versuche bestätigt, durch die es möglich ist, den Änderungswert (ΔICI) der Ionenstrom­ stärke des Nebenprodukts SiF₄ und den Dickenänderungswert (Δd) der Siliziumoxidschicht in eindeutiger Zuordnung in eine Tabelle einzutragen. Diese Tabellendaten werden in einem Speicher (nicht dargestellt) der Δd-Berechnungsein­ richtung 30 in Fig. 2 abgespeichert.

Daher gibt die Δd-Berechnungseinrichtung 30, wenn die Meß­ vorrichtung 20 zum Messen der Ionenstromstärke die jeweilige Stärke für den SiF₄-Ionenstrom kontinuierlich oder diskret ausgibt, auf der Δd-Anzeigevorrichtung 40 den Dickenände­ rungswert aus, wie er der gemessenen Ionenstromstärke ent­ spricht (d. h. die abgeätzte Dicke Δd der Siliziumoxid­ schicht).

Demgemäß zeigt die Δd-Anzeigevorrichtung 40 den Δd-Wert wäh­ rend des Dampfphasen-Ätzvorgangs der Siliziumoxidschicht 70 in der Kammer 10 kontinuierlich oder diskret auf dem Monitor an. Wenn die Δd-Anzeigevorrichtung 40 anzeigt, daß der Δd- Wert einen vorbestimmten Wert erreicht hat, beurteilt die Bedienperson den Zustand als Ätzendpunkt, und sie beendet den Dampfphasen-Ätzvorgang.

Vorstehend ist ein Dampfphasen-Ätzvorgang für den Fall er­ läutert, daß das zu ätzende Material eine Siliziumoxid­ schicht ist. Jedoch kann das erfindungsgemäße Verfahren zum Messen des Ätzendpunkts in einer Dampfphasen-Ätzvorrichtung auf Ätzprozesse für Isolierschichten z. B. aus Nitrid, für Halbleiter aus z. B. Polysilizium oder für Metalle entspre­ chend angewandt werden. Wenn diese Materialien einem Dampf­ phasen-Ätzvorgang unterzogen werden, unterscheiden sich nur das Ätzmittel und das spezielle Nebenprodukt, wie es zum Messen der Ionenstromstärke ausgewählt wird, von den ent­ sprechenden Substanzen beim Ätzen einer Siliziumoxidschicht. Wenn z. B. eine Polysiliziumschicht geätzt wird, wird ein anderes Nebenprodukt als beim Ätzen einer Siliziumoxid­ schicht erzeugt, da wasserfreies H₂SO₄ als Ätzmittel verwen­ det wird.

Wie oben beschrieben, bestehen bei der Erfindung die folgen­ den Vorteile:

• - Erstens ist das erfindungsgemäße Verfahren zum Erfassen des Ätzendpunkts sehr zweckdienlich, und mit ihm kann die zum Ausführen eines Ätzvorgangs insgesamt erforderliche Zeit dadurch verkürzt werden, daß der Ätzendpunkt automatisch und nicht visuell erfaßt wird.
• - Zweitens ist kein Testmuster erforderlich, abweichend vom herkömmlichen visuellen Verfahren. Dies verhindert, daß Che­ mikalien und zu ätzendes Material in unnötiger Weise ver­ braucht werden.
• - Drittens wird der Ätzendpunkt genauer als beim herkömmli­ chen visuellen Verfahren erfaßt, was Fehlschläge bei Dampf­ phasen-Ätzvorgängen verhindert.

Claims (6)

1. Verfahren zum Feststellen des Endpunkts eines Dampfphasen-Ätzvor­ gangs, bei dem ein zu ätzendes Material in einer Ätzkammer einem dampfför­ migen Ätzmittel ausgesetzt wird, wobei
ein spezielles Nebenprodukt des Dampfphasen-Ätzvorgangs aus der Ätz­ kammer (1) in eine Meßvorrichtung (20) eingelassen wird,
die Ionenstromstärke des speziellen Nebenprodukts gemessen wird,
die Dickenänderung des zu ätzenden Materials aus der Änderung der gemessenen Ionenstromstärke bestimmt wird, und
der Endpunkt des Ätzvorgangs festgestellt wird, wenn die Dickenände­ rung einen vorbestimmten Wert erreicht.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zusammen mit dem Ätzmittel dampfförmiges H₂O in die Kammer eingeleitet wird.

3. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, da­ durch gekennzeichnet, daß das zu ätzende Material eine Iso­ lierschicht ist und das Ätzmittel eine Säure ist.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Isolierschicht eine Siliziumoxidschicht oder eine Sili­ ziumnitridschicht ist und das Ätzmittel HF, H₃PO₄ oder NH₄OH ist, die alle wasserfrei vorliegen.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das zu ätzende Material ein Halbleiter ist und das Ätzmittel eine Säure ist.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiter eine Polysiliziumschicht ist und die Säure wasserfreies H₂SO₄ ist.