DE19629920A1 - Licht-emittierende Dioden auf einem transparenten Substrat mit einer gerichteten Lichtausgabe - Google Patents

Licht-emittierende Dioden auf einem transparenten Substrat mit einer gerichteten Lichtausgabe

Info

Publication number
DE19629920A1
DE19629920A1 DE19629920A DE19629920A DE19629920A1 DE 19629920 A1 DE19629920 A1 DE 19629920A1 DE 19629920 A DE19629920 A DE 19629920A DE 19629920 A DE19629920 A DE 19629920A DE 19629920 A1 DE19629920 A1 DE 19629920A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
light
active region
emitting diode
substrate
bragg reflector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19629920A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19629920B4 (de
Inventor
Jun Fred A Kish
Stephen A Stockman
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Lumileds LLC
Original Assignee
Hewlett Packard Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hewlett Packard Co filed Critical Hewlett Packard Co
Publication of DE19629920A1 publication Critical patent/DE19629920A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19629920B4 publication Critical patent/DE19629920B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/24—Alloying of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, with a semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich allgemein auf das Ge­ biet von Licht-emittierenden Halbleiterbauelementen. Insbe­ sondere bezieht sie sich auf Licht-emittierende Dioden (LEDs; LED = Light Emitting Diode) auf einem transparenten Substrat (TS). Nicht-absorbierende verteilte Bragg-Reflekto­ ren (DBRs; DBR = Distributed Bragg Reflector) werden verwen­ det, um die Lichtextraktion und die Optik einer TS-LED zu verbessern. Die resultierenden Bauelemente zeigen im Ver­ gleich zu bekannten TS-LEDs einen erhöhten Fluß und eine er­ höhte Intensität.
Eine gehäuste LED ist aus einer Vielzahl von Materialien hergestellt, von denen jedes einen unterschiedlichen Bre­ chungsindex aufweist. Der Brechungsindex ist üblicherweise mit n bezeichnet, wobei n von etwa 3,5 in dem LED-Halblei­ terchip bis zu etwa 1,5 in dem Epoxidharz variiert, das ver­ wendet wird, um den LED-Chip einzukapseln. Dieser große Un­ terschied in den Brechungsindizes resultiert in einem kriti­ schen Winkel der inneren Totalreflexion von 25° von der LED und dem Epoxidharz, wobei der Winkel durch das Snellius′sche Gesetz [Θc = sin-1 (n1/n2)] gegeben ist. Dieser relativ kleine kritische Winkel für die innere Totalreflexion zusam­ men mit der inneren Lichtabsorption in dem LED-Chip resul­ tiert darin, daß der äußere Quantenwirkungsgrad der LED we­ sentlich niedriger als der innere Quantenwirkungsgrad der­ selben ist. Das Verhältnis dieser Größen, nämlich des äuße­ ren Quantenwirkungsgrads zum inneren Quantenwirkungsgrad ist als der Extraktionswirkungsgrad der LED definiert.
Der Extraktionswirkungsgrad eines LED-Chips wird sehr stark von der Struktur des Chips beeinflußt. Eine Vielzahl von LED-Chipstrukturen und den entsprechenden Austrittskegeln von Licht, die durch die kritischen Winkel derselben defi­ niert sind, sind schematisch in den Fig. 1a, 1b, 1c und 1d gezeichnet. Bei allen diesen Figuren schließt das Kegelmo­ dell eine Mehrfachdurchlauf-Lichtextraktion, eine innere Absorption und eine Verzufälligung aus. Bei LED-Chips mit einem absorbierenden Substrat (AS) wird die Anzahl von Aus­ trittskegeln stark von der Dicke der transparenten Fenster­ schicht beeinträchtigt. Eine AS-LED mit einer dünnen trans­ parenten Fensterschicht (< 10 µm), welche in Fig. 1a gezeigt ist, besitzt lediglich einen einzigen oberen Austrittskegel. Wenn die Dicke der Fensterschicht auf <40 µm erhöht ist, wie es in Fig. 1b gezeigt ist, erhöht sich die Anzahl von Aus­ trittskegeln als Ergebnis von Beiträgen von den Seiten des Chips auf 3. Ein DBR-Spiegel, d. h. ein Mehrfachschichtensta­ pel aus Halbleitermaterialschichten mit hohem und niedrigem Index, kann zwischen der Licht-emittierenden aktiven Region und dem Substrat plaziert sein, um die Lichtabsorption des Substrats zu minimieren. DBRs reflektieren jedoch lediglich Licht, das nahezu senkrecht einfällt. Bei einer LED wird Licht von der aktiven Region isotropisch emittiert. Folglich fällt Licht mit allen Winkeln auf den DBR-Spiegel, wobei le­ diglich ein Anteil desselben reflektiert wird. Der Rest läuft in das absorbierende Substrat. Bei einer typischen LED mit einem DBR wird lediglich das Licht reflektiert, das von dem senkrechten Einfall um weniger als 15° bis 25° abweicht. Lediglich ein Anteil des unteren Austrittskegels wird von dem DBR reflektiert. Bekannte LED-Strukturen mit einem DBR, welche in Fig. 1c gezeigt sind, besitzen dünne transparente Fenster, was in einem Maximum von zwei Austrittskegeln re­ sultiert.
Die beste bekannte Struktur zur Lichtextraktion, die in Fig. 1d gezeigt ist, ist eine TS-LED, bei der sechs Austrittske­ gel möglich sind. Derartige TS-LED-Chips 10, welche in Fig. 2 in einer fertiggestellten LED-Lampe zusammengebaut gezeigt sind, sind typischerweise mit einem Ag-geladenen Epoxidharz 12 in einer reflektiven Formpfanne 14 befestigt. Ein Anteil des unteren Lichtkegels wird in diesem Fall erfaßt, wenn er von dem mit Ag-beladenen Epoxidharz an der Rückoberfläche des Chips reflektiert wird.
Die vorherige Diskussion enthielt keine Effekte von Mehr­ fachreflexionsereignissen oder von Verzufälligungen von Licht innerhalb der LED. In Chips mit dicken, transparenten Fensterregionen, besonders in TS-LEDs, führen Photonen Mehr­ fachdurchläufe zu der Oberfläche des Halbleiters durch, ohne absorbiert zu werden, was die Wahrscheinlichkeit erhöht, daß diese Photonen austreten können. Eine Verzufälligung der Richtung des intern reflektierten Lichts kann als Ergebnis der Streuung an der Chipoberfläche oder innerhalb des Chips auftreten, was es ermöglicht, daß mehr Licht austritt, als von den Einzeldurchlaufmodellen der Fig. 1a, 1b, 1c und 1d vorhergesagt wird. Diese Effekte können wesentlich sein. Bei TS-AlGaAs-LEDs beträgt der berechnete maximale Extraktions­ wirkungsgrad 0,24, wobei die Effekte der Verzufälligung ver­ nachlässigt werden. Der Extraktionswirkungsgrad wurde expe­ rimentell zu 0,30 bestimmt, wobei der Unterschied zwischen den beiden Werten der Lichtverzufälligung und der Extraktion von Mehrfachdurchlauflicht aus dem LED-Chip zugeschrieben werden kann.
Eine Schattenbildung von absorbierenden Kontaktschichten/Me­ tallisierungen kann den Extraktionswirkungsgrad beeinträch­ tigen. Die Metall/Halbleiter-Legierung, die in legierten Kontakten zwischen dem Metallkontakt und dem Halbleiter zu finden ist, ist stark absorbierend. Nicht-legierte Kontakte machen typischerweise die Anwesenheit einer sehr stark do­ tierten absorbierenden Halbleiterschicht neben dem Kontakt notwendig. Die meisten Verfahren zum Bilden von Kontakten resultieren in einer Absorption des Lichts über dem gesamten Kontaktbereich. Verschiedene Verfahren zum Vermeiden einer derartigen Absorption wurden vorgeschlagen, einschließlich des Verwendens von transparenten Kontakten aus Indium-Zinn- Oxid (ITO; ITO = Indium-Tin-Oxide). Diese wurden jedoch all­ gemein in kommerziellen LEDs als Ergebnis von Problemen mit dem Kontaktwiderstand, der Herstellbarkeit oder der Zuver­ lässigkeit nicht implementiert.
Nachdem das Licht aus dem Chip austritt, muß es in ein ver­ wendbares Strahlungsmuster fokussiert werden. Typischerweise sind LEDs in einem Polymer, üblicherweise Epoxidharz, ge­ häust, welches zu einer Linse geformt ist. Das gewünschte Strahlungsmuster wird durch die Form der Reflektorpfanne und der Epoxidharzlinse erhalten. Begrenzungen, die durch dieses relativ einfache optische System auferlegt werden, machen es schwierig, Licht, das von den Kanten oder Seiten des Chips emittiert wird, in die Mitte des Strahlungsmusters zu fokus­ sieren. Dies ist besonders bei Lampen mit schmalen Sichtwin­ keln der Fall, deren Strahlungsmuster einen vollen Halb­ wertswinkel (FAHP; FAHP = Full-Angle at Half Power = ganzer Winkel bei der halben Leistung) von <15° besitzen. Es ist relativ einfach, das Licht von der Oberseite des Chips zu fokussieren. Bei Chips, die denselben Fluß emittieren, wird ein Chip mit einer vorherrschenden oberen Oberflächenemis­ sion eine höhere Spitzenintensität in der Lampenform beson­ ders bei Lampen mit schmalen Sichtwinkeln aufweisen, als ein Chip, bei dem eine wesentliche Lichtmenge von den Kanten oder Seiten des Chips emittiert wird.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Licht-emittierende Diode mit einer verbesserten Lichtextrak­ tion sowie ein Verfahren zum Herstellen derselben zu schaf­ fen.
Diese Aufgabe wird durch eine Licht-emittierende Diode gemäß Anspruch 1, durch eine Licht-emittierende Diode gemäß An­ spruch 20 und durch ein Verfahren zum Herstellen einer Licht-emittierenden Diode gemäß Anspruch 14 gelöst.
Die vorliegende Erfindung beschreibt Verfahren zum Herstel­ len von TS-LED-Chips mit einer verbesserten Lichtextraktion und einer verbesserten Optik und insbesondere einer verbes­ serten oberen Oberflächenemission sowie die TS-LEDs, die derart hergestellt worden sind. Das Verwenden von nicht-ab­ sorbierenden DBRs innerhalb der TS-LED erlaubt die Herstel­ lung der hierin beschriebenen LEDs. Die nicht-absorbierenden DBRs lenken Licht von absorbierenden Regionen, wie z. B. Kon­ takten, innerhalb des Chips weg, was den Lichtextraktions­ wirkungsgrad erhöht. Die nicht-absorbierenden DBRs können ferner Licht zu der oberen Oberfläche des Chips umlenken, wodurch die Menge an oberer Oberflächenemission und die In­ tensität der gehäusten LED verbessert werden. Diese Vorteile werden mit optisch nicht-absorbierenden Schichten erhalten, welche die Vorteile einer TS-LED beibehalten. Diese Vorteile umfassen etwa sechs Lichtaustrittskegel, eine Lichtverzufäl­ ligung und eine Mehrfachdurchlauf-Lichtextraktion.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich­ nungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1a, 1b, 1c und 1d die Lichtextraktion von mehreren unterschiedli­ chen LED-Strukturen gemäß dem Stand der Tech­ nik;
Fig. 2 ein bekanntes Häusungssystem für den LED-Chip, der in Fig. 1d gezeigt ist;
Fig. 3a und 3b eine bekannte TS-LED bzw. eine gemäß der vor­ liegenden Erfindung hergestellte TS-LED;
Fig. 4 ein Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfin­ dung, welches ein Wafer-verbundenes TS verwen­ det;
Fig. 5a, 5b und 5c jeweils einen ungemusterten DBR, einen gemu­ sterten DBR in einer Wafer-verbundenen TS-LED und einen gemusterten DBR in einer epitaxial gewachsenen TS-LED;
Fig. 6 eine TS-LED, die mehrfache nicht-absorbierende DBRs enthält;
Fig. 7a und 7b TS-LEDs mit gemusterten Substraten und nicht­ absorbierende DBRs;
Fig. 8 eine großflächige TS-LED mit einem nicht-absor­ bierenden DBR, der auf einem gemusterten Sub­ strat gewachsen ist;
Fig. 9 eine TS-LED mit gerillten Reflektoren;
Fig. 10a ein schematisches Diagramm einer TS-AlGaInP-LED mit einem nicht-absorbierenden DBR;
Fig. 10b das Lufteintritts-Reflektivitätsspektrum des in Fig. 10a gezeigten DBRs;
Fig. 11a einen Graph des Absorptionskoeffizienten α, der als Funktion von λ-λPeak für eine aktive Schicht aus AlInGaP gezeichnet ist; und
Fig. 11b einen Graph des Einzeldurchlauf-Transmissions­ koeffizienten e-α x als Funktion von λ-λPeak für aktive Schichten aus AlInGaP mit variierender Dicke.
Fig. 3a ist ein schematisches Diagramm einer herkömmlichen TS-LED 20, während Fig. 3b ein schematisches Diagramm einer TS-LED 30 ist, bei der ein nicht-absorbierender DBR 31 unter der aktiven Region 32 der LED 30 plaziert ist. Gleiche Kom­ ponenten in den LEDs 20 und 30 sind mit gleichen Bezugszei­ chen bezeichnet. Der nicht-absorbierende DBR 31 reflektiert nahezu senkrecht einfallendes Licht von den absorbierenden, gemusterten unteren Kontakten 34 weg. Der DBR-Stapel 31 muß optisch nicht-absorbierend sein, was bedeutet, daß alle Schichten, aus denen derselbe besteht, eine größere Bandab­ standsenergie aufweisen, als die des Lichts, das von der aktiven Schicht 32 emittiert wird. Dies erlaubt es, daß nicht senkrecht einfallendes Licht durch den DBR 31 läuft, wodurch die Vorteile der TS-LED beibehalten werden. Typi­ scherweise bedecken absorbierende Rückseitenkontakte 34 etwa 30% der Rückseitenoberfläche des LED-Chips. Unter Berück­ sichtigung von nur dem Einzeldurchlauflicht, wie es in Fig. 1 der Fall ist, sollte der DBR 31 zumindest eine 7 prozenti­ ge Verbesserung im gesamten Extraktionswirkungsgrad ergeben, indem Licht, welches von dem Rückkontakt in der LED 20 ab­ sorbiert wird, umgelenkt wird (siehe die Strahlenlinienzüge δ und δ′ in den Fig. 3a bzw. 3b). Dieses umgelenkte Licht sollte sich zumindest in einem 17 prozentigen Anstieg der Menge der oberen Oberflächenlichtemission manifestieren, welche die Spitzenintensität in gehäusten Lampen und beson­ ders in denen mit schmalen Sichtwinkeln wesentlich verbes­ sert. Diese Lampen mit schmalen Sichtwinkeln werden von der Menge der oberen Oberflächenemission wesentlich beeinflußt. Die hierin genannten Zahlen berücksichtigen lediglich die Lichtemission des ersten Durchlaufs. Die Größe der Verbesse­ rung der Lichtextraktion und die erhöhte Oberflächenemission können wesentlich höher sein, wenn Mehrfachdurchlauflicht berücksichtigt wird.
Die Spitzenintensität kann durch den nicht-absorbierenden DBR weiter verbessert werden. Bei der in Fig. 3a gezeigten herkömmlichen TS-LED 20 wird Licht von nahezu senkrechtem Einfall, das von der rauhen hinteren Oberfläche 21 reflek­ tiert wird, allgemein derart gestreut, daß es von den Kanten des Chips und nicht von der oberen Oberfläche emittiert wird (siehe den Strahlenlinienzug β in Fig. 3a). Dies wird durch die Rauhigkeit der hinteren Halbleiteroberfläche und/oder die große Korngröße des Ag-beladenen reflektiven Epoxidhar­ zes bewirkt, das zum Chip-Befestigen verwendet wird (siehe Fig. 2). Der nicht-absorbierende DBR 31, der in Fig. 3b ge­ zeigt ist, reflektiert das nahezu senkrecht einfallende Licht zu der oberen Oberfläche, was in einer erhöhten Ober­ flächenemission und einer verbesserten Spitzenintensität re­ sultiert.
In den meisten Fällen befindet sich die optimale Position des nicht-absorbierenden DBR unter der aktiven Region, wobei derselbe lediglich um einen kurzen Abstand (< 10 µm) von der Licht-emittierenden Region weg beabstandet ist. Diese Beab­ standung wird durch Verwendung einer transparenten Puffer­ schicht 35 erreicht. Dies dient zur Minimierung beliebiger Lichtabsorptionen bevor dasselbe reflektiert wird. Der DBR kann ferner zwischen dem transparenten Substrat und dem ab­ sorbierenden unteren Kontakt 34 positioniert sein, solange die Absorption ausreichend reduziert ist. Bei spezifischen TS-LED-Strukturen kann die optimale Position variieren oder weiteren Begrenzungen unterworfen sein. So wurden beispiels­ weise in jüngster Zeit TS-AlGaInP-LEDs hergestellt, indem das ursprüngliche, optisch-absorbierende Wachstumssubstrat entfernt wurde und das ursprüngliche Substrat durch ein transparentes Substrat unter Verwendung einer Halbleiter- Waferverbindung ersetzt wurde. In diesem Fall, der in Fig. 4 dargestellt ist, ist ein nicht-absorbierender DBR 51 über der Wafer-Verbindungsgrenzfläche 53 plaziert, um eine belie­ bige Absorption oder Streuung zu minimieren, die an der Ver­ bindungsgrenzfläche 53 des Halbleiters und Wafers auftreten kann. Wenn der nicht-absorbierende DBR unter der Wafer-Ver­ bindungsgrenzfläche plaziert ist, sollte die Grenzfläche hergestellt werden, um eine Absorption zu minimieren.
Eine seitliche Musterung der nicht-absorbierenden DBR- Schichten kann verwendet werden, um die Eigenschaften der TS-LED weiter zu verbessern. Wie es in den Fig. 5a, 5b und 5c gezeigt ist, kann es von Vorteil sein, den DBR nicht direkt unter dem oberen Kontakt 69 zu plazieren, um die Um­ lenkung des Lichts zu diesem absorbierenden Bereich zu ver­ meiden, wenn der DBR 65 unter der aktiven Schicht 67 pla­ ziert ist. Fig. 5a stellt einen ungemusterten DBR dar, und wie derselbe Licht von dem absorbierenden oberen Kontakt zurückreflektieren kann (siehe den Strahlenlinienzug τ in Fig. 5a). Die notwendige Musterung kann durch eine gemuster­ te Halbleiter-Wafer-Verbindung (siehe Fig. 5b), durch ein epitaxiales Wachstum auf gemusterten Substraten (siehe Fig. 5c), durch mehrstufige epitaxiale Wachstumstechniken oder durch eine Kombination dieser Techniken erreicht werden. Bei den in den Fig. 5b und 5c gezeigten Beispielen wird das Licht, das zu dem oberen Kontakt 69 hin umgelenkt worden wä­ re, nun aus den Seiten der Chips gerichtet (siehe die Strah­ lenlinienzüge γ′ und γ′ in den Fig. 5b bzw. 5c).
Bei den TS-LEDs, die nicht-absorbierende DBRs enthalten, kann sich das Hinzufügen von Streustellen innerhalb des Chips als vorteilhaft herausstellen. Streustellen würden da­ zu dienen, Licht innerhalb des Chips umzulenken und zu ver­ zufälligen. Eine Verzufälligung kann wichtig sein, um es zu ermöglichen, daß Mehrfachdurchlauf-Licht, welches auf den DBR von dem unteren Teil des Chips einfällt, durch den DBR läuft und aus dem Chip austritt (siehe den Strahlenlinienzug β in Fig. 4). Derartige Streustellen können aus rauhen oder ungleichmäßigen Oberflächen des Chips (die beispielsweise durch Techniken wie chemisches Ätzen, Läppen oder Sandstrah­ len erzeugt werden), aus Hohlräumen, die innerhalb des Chips gebildet sind, aus Veränderungen der Kristall-Zusammen­ setzung/Ausrichtung und aus epitaxialen Heterostrukturen, die entweder gemustert oder ungemustert sind, bestehen. Die optimale Position derartiger Streuzentren würde unter der nicht-absorbierenden DBR-Struktur sein, um die Streuung von Licht zu vermeiden, das von dem DBR zu der oberen Oberfläche umgelenkt wird.
Zusätzliche nicht-absorbierende DBRs können innerhalb der TS-LED-Struktur enthalten sein, um eine zusätzliche Licht­ extraktion und/oder die Umlenkung von Licht zu einem bevor­ zugten Bereich des Chips zu erreichen. Wenn mehrfache DBRs innerhalb des Chips gebildet sind, kann es nötig sein, einen oder mehrere der DBRs zu mustern und/oder Streuzentren zwi­ schen den DBRs einzuführen, um die Auswirkungen des Bildens von Fabry-Perot-Hohlräumen innerhalb des Chips zu minimie­ ren. Diese Hohlräume begrenzen tendenziell Licht innerhalb des Chips. Typischerweise sollten die DBRs zwischen absor­ bierenden Regionen und der aktiven Schicht der LED positio­ niert sein. Ein Beispiel einer TS-LED, die nicht-absorbie­ rende Mehrfach-DBRs enthält, ist in Fig. 6 gezeigt, wobei ein gemusterter DBR 74 zwischen dem oberen Kontakt 76 und der aktiven Schicht 77 zusätzlich zu einem DBR 73, der zwi­ schen der aktiven Schicht 77 und dem Substrat 79 positio­ niert ist, plaziert ist. Der DBR 74 reduziert die Lichtmen­ ge, welche auf den absorbierenden oberen Kontakt einfällt, was den Extraktionswirkungsgrad der LED erhöht. In der Pra­ xis wird die Anzahl und Plazierung von Mehrfach-DBRs durch die Chipstruktur, die Komplexität und die Kosten, die anfal­ len, um derartige Strukturen herzustellen, bestimmt sein.
Die TS-LED-Chipoptik kann sich ferner verbessern, wenn der nicht-absorbierende DBR und die aktive Schicht auf einem gemusterten Substrat oder auf gemusterten Epischichten auf­ gewachsen werden. Wie es in den Fig. 7a und 7b gezeigt ist, würde die Musterung Gräben 85 mit Seitenwänden von etwa 45° erzeugen (beispielsweise durch Verfolgen der {111}-Ebenen eines (100)-ausgerichteten Substrats). Dies kann unter Ver­ wendung von Standard-Ätztechniken erreicht werden. Wenn sich Gräben 85 in eine ausreichende Tiefe erstrecken, wird das Wachstum von nicht-absorbierenden DBR-Schichten 87 und der aktiven Schicht 89 in einer Struktur resultieren, das der in Fig. 7(a) gezeigten Struktur ähnlich ist. Licht, das Wellen­ leiter-artig entlang der aktiven Schicht 89 geführt wird, kann von den DBR-Schichten 87 auf den Gräben 85 mit etwa 45° reflektiert werden, wodurch das Licht zu der Oberfläche des Chips umgelenkt wird (der Strahlenlinienzug δ und δ′ in den Fig. 7a und 7b). Epitaxiale Wachstumsraten variieren für ein Wachstum auf unterschiedlichen Wachstumsebenen wesentlich. Folglich sollte bei der in Fig. 7a gezeigten Struktur der nicht-absorbierende DBR 87 für eine hohe Reflektivität bei einem Nenn-Einfallswinkel von 45° entworfen werden. Die DBR-Schichten 87, die auf den anderen Kristallebenen aufge­ wachsen sind, weisen wesentlich unterschiedliche Dicken auf und reflektieren Licht mit einem nahezu senkrechten Einfall (der Strahlenlinienzug β in Fig. 7a) nicht. In diesem Fall kann es vorteilhaft sein, einen zweiten nicht-absorbierenden DBR 83 unter dem gemusterten und neu-aufgewachsenem DBR 87 zu verwenden, wie es in Fig. 7b gezeigt ist. Obwohl die TS- LEDs, die in den Fig. 7a und 7b gezeigt sind, ein Wachstum auf gemusterten Substraten benötigen, kann die TS-Struktur durch direktes Wachstum der aktiven Schicht und des (der) DBR(s) auf einem transparenten Substrat, durch ein direktes Wachstum auf einem absorbierenden Substrat (wobei die Ge­ samtdicke der transparenten Schicht größer als 50 µm ist), gefolgt vom Entfernen des absorbierenden Substrats oder durch eine Halbleiter-Wafer-Verbindung realisiert werden. In weiteren nicht optimalen Fällen kann die Musterung der Sei­ tenwände durch Ätzen anderer Ebenen auftreten, was Gräben ergibt, welche Seitenwände aufweisen, die sich von 45° unterscheiden (30° bis 60°), wobei dieselben jedoch immer noch eine verbesserte Lichtausgabe aufweisen.
Die Lichtumlenkung über ein epitaxiales Wachstum von nicht­ absorbierenden DBR/aktiven Schichten auf einem gemusterten Substrat kann in Chips großer Fläche verwendet werden, um den Extraktionswirkungsgrad des Chips zu erhöhen. Eine der­ artige LED ist in Fig. 8 gezeigt. In dieser Figur sind wie­ derholte, winklige Reflektoren 91 über dem Chip verteilt, um eine Umlenkung des Kanten-emittierten Lichts zu der Oberflä­ che 93 des Chips 90 zu ermöglichen, was es ermöglicht, daß ein derartiges Licht austritt. Diese Kantenemission tritt typischerweise bei kleinen Chips (<20 × 20 Millizoll; 0,508 × 0,508 mm) auf. Bei größeren Chips kann dieses Kanten-emit­ tierte Licht absorbiert sein, bevor es die Kanten des Chips erreichen kann, was in einem verringerten Extraktionswir­ kungsgrad resultiert. Die in Fig. 8 gezeigte Struktur dient dazu, das Licht zu einer Oberfläche umzulenken, damit es aus dem Chip austreten kann, bevor es absorbiert werden kann. Die winkligen Reflektoren sollten um weniger als 0,508 mm (20 Millizoll) in jeder Richtung beabstandet sein, damit der großflächige Chip wie ein Array von kleinflächigen Chips wirkt.
Das Ätzen von winkligen Rillen 101 in einen Chip 100, wobei sich die Rillen schneiden oder in enger Nachbarschaft mit aktiven Regionen 103, die in Fig. 9 gezeigt sind, sind, kann ähnliche Resultate wie das Verfahren erreichen, das verwen­ det wird, um die in Fig. 8 dargestellten LEDs herzustellen. Licht würde von diesen Oberflächen reflektiert und umgelenkt werden, damit das Licht aus dem Chip austreten kann. Die Re­ flektivität dieser Rillen kann durch Beschichten der Rillen­ oberfläche mit einem reflektiven Metall verbessert werden.
Verschiedene Techniken können verwendet werden, um nicht-ab­ sorbierende DBRs in einer TS-LED-Struktur herzustellen. Die­ se Techniken umfassen ein epitaxiales Wachstum des DBR zu­ sammen mit der aktiven Region des Bauelements unter Verwen­ dung beispielsweise folgender Techniken, der Gasphasenepi­ taxie (VPE; VPE = Vapor Phase Epitaxy), der Flüssigphasen­ epitaxie (LPE; LPE = Liquid Phase Epitaxy), der metallorga­ nisch-chemischen Dampfabscheidung (MOCVD; MOCVD = Metal­ organic Chemical Vapor Deposition), der Molekularstrahlepi­ taxie (MBE; MBE = Molecular Beam Epitaxy) oder einer Kombi­ nation derselben. Die epitaxialen Schichten des DBR und der LED können durch einen einzigen oder mehrfache Wachstums­ schritte gebildet werden, wobei die Reihenfolge des Wachs­ tums durch die gewünschte Chipstruktur bestimmt ist. Zusätz­ lich kann eine TS-LED mit einem nicht-absorbierenden DBR durch eine Halbleiter-Wafer-Verbindung gebildet sein. In diesem Fall kann der DBR durch epitaxiale Verfahren auf ei­ nem transparenten Substrat gewachsen werden, welches dann mit den epitaxialen LED-Schichten verbunden wird. Alternativ und vorzugsweise kann die LED-Struktur auf dem DBR gewachsen werden, wobei die Kombination derselben dann mit einem transparenten Substrat Wafer-verbunden wird. Dieses Verfah­ ren minimiert eine Absorption von der Grenzfläche an der Halbleiter-Wafer-Verbindung und erlaubt das Aufnehmen von Streuzentren unter dem DBR, wobei derartige Zentren Hohl­ räume, die innerhalb des Chips gebildet sind oder lokale Än­ derungen der Kristall-Zusammensetzung/Ausrichtung aufgrund der Wafer-Verbindungstechniken sein können.
Eine Vielzahl von DBR-Entwürfen kann bei der TS-LED dieser Erfindung verwendet werden. Diese umfassen folgende Entwür­ fe, wobei sie jedoch nicht auf dieselben begrenzt sind: Standard-Viertelwellenlängenstapel, Chirp-Stapel, Mehrfach­ stapel mit versetzten Mittenwellenlängen, verschachtelte Stapel und eine beliebige Kombination der oben genannten Entwürfe. Der Entwurf sollte basierend auf den gewünschten Charakteristika des DBR, wie z. B. der Reflektivität, des Winkeleinfangs, der Materialcharakteristika, und basierend auf praktischen Überlegungen bezüglich des Wachstums und der Implementation der Strukturen ausgewählt werden.
Idealerweise sollten alle Schichten der DBRs optisch nicht­ absorbierend sein. Praktische Überlegungen, wie z. B. Wachs­ tumsanforderungen und Bandversätze, machen es jedoch notwen­ dig, daß in bestimmten oder allen Schichten der DBR-Struktur ein kleiner Betrag an Absorption auftritt. Somit müssen die Verhaltensvorteile der DBR-Struktur, wie z. B. eine erhöhte Oberflächenemission, mit der erhöhten Absorption, die in derartigen Strukturen vorhanden ist, abgewogen werden. Opti­ malerweise sollte die maximale Gesamtabsorption, die die hierin beschriebenen Verhaltensvorteile zulassen würde, kleiner als 25% sein, wobei die Gesamtabsorption als das gesamte Licht, das von dem DBR nicht reflektiert oder trans­ mittiert wird, definiert ist, wie es durch Integration über alle Einfallswinkel berechnet wird.
Der Entwurf der aktiven Schicht ist ebenfalls für die Reali­ sierung einer verbesserten Lichtextraktion kritisch. Eine TS-AlGaInP-LED-Struktur, die schematisch in Fig. 10a gezeigt ist, wurde durch Wafer-Verbinden eines GaP/Al0,7Ga0,3P-DBR, der auf einem GaP-Substrat durch die MOCVD epitaxial aufge­ wachsen wurde, mit einer AlInGaP-LED-Struktur mit einer 1,25 µm dicken aktiven Schicht hergestellt, welche von dem ur­ sprünglichen, absorbierenden GaAs-Substrat entfernt wurde. Die 50 µm dicke GaP-Fensterschicht über der aktiven Schicht wurde vor dem Entfernen des GaAs-Substrats durch die VPE aufgewachsen, wobei dieselbe eine Stromaufspreizung in dem Bauelement und eine Handhabung der dünnen aktiven Schicht aus AlGaInP vor der Waferverbindung verbessert. Das Luftein­ tritts-Reflektivitätsspektrum für den 30-Perioden-GaP/ Al0,7Ga0,3P-DBR ist in Fig. 10b gezeigt, wobei eine hohe Re­ flektivität bei der Spitzenemissionswellenlänge (590 nm) der aktiven Schicht gezeigt ist. Ein Testen der LED-Struktur of­ fenbarte, daß das Vorhandensein des DBR in einer kleinen Rotverschiebung der emittierten Lichtspektren, jedoch nicht in einer wesentlichen Verbesserung einer Gesamtlichtextrak­ tion resultierte. Eine Analyse zeigte, daß von dem DBR re­ flektiertes Licht aufgrund einer Band-zu-Band-Absorption in der aktiven Schicht stark gedämpft wurde.
Der Absorptionskoeffizient α wurde gemessen und ist in Fig. 11a als Funktion von ·-·Peak (Peak = Spitze) aufgezeichnet, wobei ·Peak die Spitzenemissionswellenlänge der aktiven Schicht ist. Fig. 11b zeigt den Einzeldurchlauf-Transmis­ sionskoeffizienten e⁻α X als Funktion von ·-·Peak für eine aktive Schichtdicke (X), die im Bereich von 0,1 µm bis zu 1,25 µm liegt. Diese Figur zeigt, daß die Absorption für X 0,5 µm ziemlich stark ist. Für X = 1,25 µm kann lediglich das Ende des EL-Spektrums zu langen Wellenlängen hin (·-·Peak < 5 nm) durch die aktive Schicht gelangen, ohne stark absorbiert zu werden, wodurch die Rotverschiebung, die bei Bauelementen mit einem DBR beobachtet wird, erklärt ist. Der Photonenrecyclingeffekt erhöht die Gesamtlichtextraktion in Bauelementen mit einem DBR sehr wenig, wenn der innere Quantenwirkungsgrad ni in der aktiven Schicht wesentlich kleiner als 100% ist, wobei er bei diesem Beispiel etwa 30% beträgt.
Um den schädlichen Effekt der Absorption in der aktiven Schicht zu minimieren, sollte die Dicke der aktiven Schicht kleiner als 0,5 µm sein. Eine Reduktion der Dicke der akti­ ven Schicht auf kleiner als 0,3 µm wird in einer weiteren Verbesserung der Lichtextraktion resultieren, wie es in Fig. 11b gezeigt ist. Alternativ kann die aktive Region aus einem oder mehreren Quantentöpfen bestehen, von denen jeder 500 Angström oder weniger dick ist, und die von abgestuften oder stufenlos übergehenden Bandabstandsregionen für eine verbes­ serte Trägerbegrenzung umgeben sind. Die aktive Region soll­ te einen möglichst großen inneren Quantenwirkungsgrad auf­ weisen, um den Absorptionseffekt durch Reemission des absor­ bierten Lichts mit der Wahrscheinlichkeit ηi zu minimieren.

Claims (21)

1. Licht-emittierende Diode (30) mit folgenden Merkmalen:
einer aktiven Region zum Erzeugen von Licht;
einem Substrat (33), das für das von der aktiven Region erzeugte Licht transparent ist und unter der aktiven Region liegt;
einer Fensterschicht, die für das von der aktiven Regi­ on erzeugte Licht transparent ist und über der aktiven Region liegt;
einem ersten Kontakt und einem zweiten Kontakt (34) zum Anlegen einer Spannung an der aktiven Region; und
mindestens einem ersten verteilten Bragg-Reflektor (31), wobei der verteilte Bragg-Reflektor Licht, das auf den verteilten Bragg-Reflektor innerhalb eines vor­ bestimmten Einfallswinkelbereichs auftrifft, reflek­ tiert und Licht mit minimaler Absorption transmittiert, wenn das Licht außerhalb des vorbestimmten Einfallswin­ kelbereichs auf den Bragg-Reflektor auftrifft.
2. Licht-emittierende Diode (30) gemäß Anspruch 1, bei der der verteilte Bragg-Reflektor (31) Licht, das von der aktiven Region (32) emittiert wird, in minde­ stens eine erste von zwei Richtungen reflektiert, wobei die beiden Richtungen von Licht-absorbierenden Berei­ chen der Licht-emittierenden Diode weg und zu minde­ stens einer ersten Vorzugsrichtung hin gerichtet sind.
3. Licht-emittierende Diode (30) gemäß Anspruch 1 oder 2, bei der die aktive Region (32) In(AlGa)P aufweist, das Substrat (33) GaP aufweist und der verteilte Bragg-Reflektor (31) einen Mehrschichtenstapel einer beliebigen Kombination aus InXAlYGaZP(0X,Y,Z1) und AlX-Ga1-X,As (0X′1) aufweist.
4. Licht-emittierende Diode (30) gemäß einem beliebigen der vorhergehenden Ansprüche, bei der das transparente Substrat (33) mit einer Mehr­ zahl von Gräben gemustert ist und der Bragg-Reflektor (31) und die aktive Region (32) auf dem gemusterten Substrat aufgewachsen sind.
5. Licht-emittierende Diode (30) gemäß Anspruch 4, bei der die Gräben Seitenwände aufweisen, die mit der Vertikalen einen Winkel von 45° bilden.
6. Licht-emittierende Diode (30) gemäß einem beliebigen der vorhergehenden Ansprüche, bei der der verteilte Bragg-Reflektor (31) zwischen der aktiven Region (32) und einem Abschnitt des Substrats (33) plaziert ist, wobei der Abschnitt des Substrats (33) die Oberflächen des Substrats umfaßt, die am näch­ sten bei der aktiven Region oder am weitesten von der­ selben entfernt sind.
7. Licht-emittierende Diode (30) gemäß Anspruch 6, bei der ein zweiter verteilter Bragg-Reflektor (74) zwischen der aktiven Region (32) und mindestens einem Abschnitt des transparenten Fensters plaziert ist, wo­ bei der Abschnitt des transparenten Fensters die Ober­ flächen des transparenten Fensters umfaßt, die der ak­ tiven Region (32) am nächsten liegen und von derselben am weitesten entfernt sind.
8. Licht-emittierende Diode (30) gemäß Anspruch 1, bei der das Substrat (33) mit einer Kombination des verteilten Bragg-Reflektors (31) und der aktiven Region (32) Wafer-verbunden ist.
9. Licht-emittierende Diode (30) gemäß Anspruch 8, bei der der verteilte Bragg-Reflektor (31) Licht, das von der aktiven Region (32) emittiert wird, in minde­ stens einer ersten von zwei Richtungen reflektiert, wo­ bei die beiden Richtungen von Licht-absorbierenden Be­ reichen der Licht-emittierenden Diode (30) weg und zu mindestens einer ersten Vorzugsrichtung hin gerichtet sind.
10. Licht-emittierende Diode (30) gemäß Anspruch 9, bei der Streuzentren in der Wafer-Verbindung zwischen dem Substrat (33) und der Kombination aus aktiver Re­ gion (32) und Reflektor (31) enthalten sind.
11. Licht-emittierende Diode gemäß Anspruch 1, bei der eine Kombination des Substrats (33) und des verteilten Bragg-Reflektors (31) mit der aktiven Region (32) Wafer-verbunden ist.
12. Licht-emittierende Diode (30) gemäß Anspruch 11, bei der der verteilte Bragg-Reflektor (31) Licht, das von der aktiven Region (32) emittiert worden ist, in mindestens eine erste von zwei Richtungen reflektiert, wobei die beiden Richtungen von den Licht-absorbieren­ den Bereichen der Licht-emittierenden Diode (30) weg und zu mindestens einer ersten Vorzugsrichtung hin ge­ richtet sind.
13. Licht-emittierende Diode (30) gemäß Anspruch 12, bei der Streuzentren in der Wafer-Verbindung zwischen der Kombination aus dem Substrat (33) und dem Reflektor (31) und der aktiven Region (32) enthalten sind.
14. Verfahren zum Herstellen einer Licht-emittierenden Di­ ode (30) mit einem transparenten Substrat (33) mit fol­ genden Schritten:
Herstellen mindestens eines ersten, verteilten Bragg- Reflektors (31), wobei der verteilte Bragg-Reflektor Licht reflektiert, welches innerhalb eines vorbestimm­ ten Einfallswinkelbereichs auf denselben auftrifft, und wobei der verteilte Bragg-Reflektor Licht, das außer­ halb des vorbestimmten Einfallswinkelbereichs auf den­ selben auftrifft, mit minimaler Absorption transmit­ tiert; und
Plazieren des verteilten Bragg-Reflektors in der Licht-emittierenden Diode (30).
15. Verfahren gemäß Anspruch 14, bei dem der verteilte Bragg-Reflektor (31) Licht, das von einer aktiven Region (32) der Licht-emittierenden Diode (30) emittiert wird, in mindestens einer ersten von zwei Richtungen reflektiert, wobei die beiden Rich­ tungen von Licht-absorbierenden Bereichen der Licht­ emittierenden Diode (30) weg und zu mindestens einer ersten Vorzugsrichtung hin gerichtet sind.
16. Verfahren gemäß Anspruch 14 oder 15, bei dem die aktive Region (32) mit einer Kombination des transparenten Substrats (33) und des verteilten Bragg-Reflektors (31) Wafer-verbunden ist.
17. Verfahren gemäß Anspruch 15, bei dem das transparente Substrat (33) mit einer Kom­ bination aus verteiltem Bragg-Reflektor (31) und akti­ ver Region (32) Wafer-verbunden ist.
18. Verfahren gemäß Anspruch 14, bei dem der verteilte Bragg-Reflektor (31) zwischen der aktiven Region (32) und einem Abschnitt des Substrats (33) plaziert ist, wobei der Abschnitt des Substrats die Oberflächen des Substrats (33), die am nächsten bei der aktiven Region (32) und am weitesten von derselben weg angeordnet sind, umfaßt.
19. Verfahren gemäß Anspruch 18, bei dem ein zweiter verteilter Bragg-Reflektor (74) zwischen der aktiven Region und mindestens einem Ab­ schnitt des transparenten Fensters plaziert ist, wobei der Abschnitt des transparenten Fensters die Oberflä­ chen des transparenten Fensters, die am nächsten bei der aktiven Region (32) und am weitesten von derselben entfernt angeordnet sind, umfaßt.
20. Licht-emittierende Diode mit folgenden Merkmalen:
einer aktiven Region (103) zum Erzeugen von Licht;
einer Fensterschicht, die über der aktiven Region (103) liegt, wobei die Fensterschicht für das Licht transpa­ rent ist, das von der aktiven Region erzeugt wird;
einer Substratschicht (100), die für das Licht, das von der aktiven Region erzeugt wird, transparent ist und unter der aktiven Region liegt;
einem ersten und einem zweiten Kontakt zum Anlegen einer Spannung an der aktiven Region; und
einer Mehrzahl von Rillen (101), die durch die Fenster­ schicht und die aktive Region zu der Substratschicht geschnitten sind, wobei sich die Rillen größenmäßig er­ weitern, während sie von der Fensterschicht zu der Sub­ stratschicht eindringen, wobei die Rillen von der ak­ tiven Region erzeugtes Licht umlenken.
21. Licht-emittierende Diode gemäß Anspruch 20, bei der die Rillen (101) metallisiert sind, um ihre Fä­ higkeit zu erhöhen, Licht von der aktiven Region umzu­ lenken.
DE19629920A 1995-08-10 1996-07-24 Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor Expired - Lifetime DE19629920B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US513285 1990-04-17
US51328595A 1995-08-10 1995-08-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19629920A1 true DE19629920A1 (de) 1997-02-13
DE19629920B4 DE19629920B4 (de) 2006-02-02

Family

ID=24042617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19629920A Expired - Lifetime DE19629920B4 (de) 1995-08-10 1996-07-24 Licht-emittierende Diode mit einem nicht-absorbierenden verteilten Braggreflektor

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5793062A (de)
JP (1) JPH09107123A (de)
DE (1) DE19629920B4 (de)
GB (1) GB2304230B (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19924316A1 (de) * 1999-05-27 2000-11-30 Zumtobel Staff Gmbh Lumineszenzdiode
DE10017337A1 (de) * 2000-04-07 2001-10-18 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen lichtaussendender Halbleiterbauelemente
US6570190B2 (en) 1997-06-03 2003-05-27 Lumileds Lighting, U.S., Llc LED having angled sides for increased side light extraction
US6946309B2 (en) 1997-06-03 2005-09-20 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phosphide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
DE19829666B4 (de) * 1997-08-07 2009-02-05 Epistar Corp. Lichtemittierende Diode mit asymmetrischer Energiebandstruktur
US8212262B2 (en) 2007-02-09 2012-07-03 Cree, Inc. Transparent LED chip

Families Citing this family (164)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6590502B1 (en) 1992-10-12 2003-07-08 911Ep, Inc. Led warning signal light and movable support
AU747260B2 (en) 1997-07-25 2002-05-09 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
GB2330679B (en) 1997-10-21 2002-04-24 911 Emergency Products Inc Warning signal light
US6015719A (en) * 1997-10-24 2000-01-18 Hewlett-Packard Company Transparent substrate light emitting diodes with directed light output
US6346771B1 (en) 1997-11-19 2002-02-12 Unisplay S.A. High power led lamp
US8587020B2 (en) 1997-11-19 2013-11-19 Epistar Corporation LED lamps
US6633120B2 (en) 1998-11-19 2003-10-14 Unisplay S.A. LED lamps
US6412971B1 (en) * 1998-01-02 2002-07-02 General Electric Company Light source including an array of light emitting semiconductor devices and control method
RU2134007C1 (ru) 1998-03-12 1999-07-27 Государственное предприятие Научно-исследовательский институт "Полюс" Полупроводниковый оптический усилитель
JP3763667B2 (ja) * 1998-04-23 2006-04-05 株式会社東芝 半導体発光素子
US20010020703A1 (en) * 1998-07-24 2001-09-13 Nathan F. Gardner Algainp light emitting devices with thin active layers
RU2142665C1 (ru) * 1998-08-10 1999-12-10 Швейкин Василий Иванович Инжекционный лазер
RU2142661C1 (ru) * 1998-12-29 1999-12-10 Швейкин Василий Иванович Инжекционный некогерентный излучатель
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
DE60043536D1 (de) 1999-03-04 2010-01-28 Nichia Corp Nitridhalbleiterlaserelement
US6462669B1 (en) 1999-04-06 2002-10-08 E. P . Survivors Llc Replaceable LED modules
US6380865B1 (en) 1999-04-06 2002-04-30 911 Emergency Products, Inc. Replacement led lamp assembly and modulated power intensity for light source
US6614359B2 (en) 1999-04-06 2003-09-02 911 Emergency Products, Inc. Replacement led lamp assembly and modulated power intensity for light source
AU4355200A (en) * 1999-04-28 2000-11-10 Nova Crystals, Inc. Led having embedded light reflectors to enhance led output efficiency
TW437104B (en) 1999-05-25 2001-05-28 Wang Tien Yang Semiconductor light-emitting device and method for manufacturing the same
US6133589A (en) * 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
US6705745B1 (en) 1999-06-08 2004-03-16 911Ep, Inc. Rotational led reflector
US6700502B1 (en) 1999-06-08 2004-03-02 911Ep, Inc. Strip LED light assembly for motor vehicle
EP1065734B1 (de) 1999-06-09 2009-05-13 Kabushiki Kaisha Toshiba Bond-typ Halbleitersubstrat, lichtemittierendes Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren
US6366017B1 (en) 1999-07-14 2002-04-02 Agilent Technologies, Inc/ Organic light emitting diodes with distributed bragg reflector
US6547410B1 (en) 2000-07-28 2003-04-15 911 Emergency Products, Inc. LED alley/take-down light
US6367949B1 (en) 1999-08-04 2002-04-09 911 Emergency Products, Inc. Par 36 LED utility lamp
WO2001022545A1 (fr) * 1999-09-22 2001-03-29 Mitsubishi Chemical Corporation Element lumineux et module d'element lumineux
GB2356713A (en) * 1999-11-26 2001-05-30 Seiko Epson Corp Distributed Bragg reflector
US6657236B1 (en) 1999-12-03 2003-12-02 Cree Lighting Company Enhanced light extraction in LEDs through the use of internal and external optical elements
US6410942B1 (en) * 1999-12-03 2002-06-25 Cree Lighting Company Enhanced light extraction through the use of micro-LED arrays
US6590343B2 (en) 2000-06-06 2003-07-08 911Ep, Inc. LED compensation circuit
US6643304B1 (en) 2000-07-26 2003-11-04 Axt, Inc. Transparent substrate light emitting diode
US7064355B2 (en) * 2000-09-12 2006-06-20 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
JP2002141556A (ja) * 2000-09-12 2002-05-17 Lumileds Lighting Us Llc 改良された光抽出効果を有する発光ダイオード
US7053419B1 (en) 2000-09-12 2006-05-30 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting diodes with improved light extraction efficiency
US7439847B2 (en) 2002-08-23 2008-10-21 John C. Pederson Intelligent observation and identification database system
US8188878B2 (en) 2000-11-15 2012-05-29 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. LED light communication system
KR20020045694A (ko) * 2000-12-09 2002-06-20 이택렬 광 반도체 소자 및 그 제조방법
AT410266B (de) * 2000-12-28 2003-03-25 Tridonic Optoelectronics Gmbh Lichtquelle mit einem lichtemittierenden element
US6576932B2 (en) 2001-03-01 2003-06-10 Lumileds Lighting, U.S., Llc Increasing the brightness of III-nitride light emitting devices
EP1272884A1 (de) * 2001-03-09 2003-01-08 Infineon Technologies AG Anordnung zur detektion von optischen signalen eines planaren optischen schaltkreises
US6987613B2 (en) * 2001-03-30 2006-01-17 Lumileds Lighting U.S., Llc Forming an optical element on the surface of a light emitting device for improved light extraction
JP4055503B2 (ja) 2001-07-24 2008-03-05 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
US6903379B2 (en) * 2001-11-16 2005-06-07 Gelcore Llc GaN based LED lighting extraction efficiency using digital diffractive phase grating
JP4497796B2 (ja) * 2002-07-01 2010-07-07 株式会社リコー 面発光型半導体レーザおよび面発光型半導体レーザアレイおよび光通信システムおよび光書き込みシステムおよび光ピックアップシステム
US6649437B1 (en) * 2002-08-20 2003-11-18 United Epitaxy Company, Ltd. Method of manufacturing high-power light emitting diodes
JP4116387B2 (ja) * 2002-09-30 2008-07-09 株式会社東芝 半導体発光素子
DE10245628A1 (de) 2002-09-30 2004-04-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung emittierender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
KR101037998B1 (ko) * 2002-10-10 2011-05-30 호야 코포레이션 유에스에이 내부 반사기를 구비한 반도체 광검출기
US7098589B2 (en) 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US7262550B2 (en) * 2003-04-15 2007-08-28 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode utilizing a physical pattern
US7083993B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Methods of making multi-layer light emitting devices
US7274043B2 (en) * 2003-04-15 2007-09-25 Luminus Devices, Inc. Light emitting diode systems
US20040259279A1 (en) * 2003-04-15 2004-12-23 Erchak Alexei A. Light emitting device methods
US6831302B2 (en) 2003-04-15 2004-12-14 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with improved extraction efficiency
US7105861B2 (en) * 2003-04-15 2006-09-12 Luminus Devices, Inc. Electronic device contact structures
US7211831B2 (en) * 2003-04-15 2007-05-01 Luminus Devices, Inc. Light emitting device with patterned surfaces
US7084434B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-01 Luminus Devices, Inc. Uniform color phosphor-coated light-emitting diode
US7074631B2 (en) * 2003-04-15 2006-07-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device methods
US7521854B2 (en) * 2003-04-15 2009-04-21 Luminus Devices, Inc. Patterned light emitting devices and extraction efficiencies related to the same
US7166871B2 (en) * 2003-04-15 2007-01-23 Luminus Devices, Inc. Light emitting systems
US7009213B2 (en) 2003-07-31 2006-03-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Light emitting devices with improved light extraction efficiency
EP3699963A1 (de) 2003-08-19 2020-08-26 Nichia Corporation Halbleiter-leuchtdiode und verfahren zur herstellung ihres substrates
US7341880B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-11 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7344903B2 (en) * 2003-09-17 2008-03-18 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
FR2862424B1 (fr) * 2003-11-18 2006-10-20 Valeo Electronique Sys Liaison Dispositif de refroidissement d'un composant electrique et procede de fabrication de ce dispositif
US7450311B2 (en) 2003-12-12 2008-11-11 Luminus Devices, Inc. Optical display systems and methods
US20050174753A1 (en) * 2004-02-06 2005-08-11 Densen Cao Mining light
US7419912B2 (en) * 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
US7064356B2 (en) * 2004-04-16 2006-06-20 Gelcore, Llc Flip chip light emitting diode with micromesas and a conductive mesh
US7230280B2 (en) * 2004-05-27 2007-06-12 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Collimating light from an LED device
US7795623B2 (en) 2004-06-30 2010-09-14 Cree, Inc. Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures
US20060002442A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Kevin Haberern Light emitting devices having current blocking structures and methods of fabricating light emitting devices having current blocking structures
DE102005013894B4 (de) * 2004-06-30 2010-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektromagnetische Strahlung erzeugender Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US20090023239A1 (en) * 2004-07-22 2009-01-22 Luminus Devices, Inc. Light emitting device processes
US7557380B2 (en) * 2004-07-27 2009-07-07 Cree, Inc. Light emitting devices having a reflective bond pad and methods of fabricating light emitting devices having reflective bond pads
US7256483B2 (en) * 2004-10-28 2007-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Package-integrated thin film LED
US7329982B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company LED package with non-bonded optical element
US20060091411A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J High brightness LED package
US20060091414A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Ouderkirk Andrew J LED package with front surface heat extractor
US7330319B2 (en) * 2004-10-29 2008-02-12 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with multiple optical elements
US7304425B2 (en) * 2004-10-29 2007-12-04 3M Innovative Properties Company High brightness LED package with compound optical element(s)
US7419839B2 (en) 2004-11-12 2008-09-02 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Bonding an optical element to a light emitting device
US7462502B2 (en) * 2004-11-12 2008-12-09 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Color control by alteration of wavelength converting element
FI118196B (fi) * 2005-07-01 2007-08-15 Optogan Oy Puolijohderakenne ja puolijohderakenteen valmistusmenetelmä
US7897420B2 (en) * 2005-01-11 2011-03-01 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7186580B2 (en) * 2005-01-11 2007-03-06 Semileds Corporation Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7473936B2 (en) * 2005-01-11 2009-01-06 Semileds Corporation Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7413918B2 (en) * 2005-01-11 2008-08-19 Semileds Corporation Method of making a light emitting diode
US9130114B2 (en) 2005-01-11 2015-09-08 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Vertical light emitting diode (VLED) dice having confinement layers with roughened surfaces and methods of fabrication
US7563625B2 (en) * 2005-01-11 2009-07-21 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method of making light-emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7524686B2 (en) * 2005-01-11 2009-04-28 Semileds Corporation Method of making light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US7335920B2 (en) * 2005-01-24 2008-02-26 Cree, Inc. LED with current confinement structure and surface roughening
US20060204865A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Luminus Devices, Inc. Patterned light-emitting devices
US7341878B2 (en) * 2005-03-14 2008-03-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
US7804100B2 (en) * 2005-03-14 2010-09-28 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Polarization-reversed III-nitride light emitting device
US8748923B2 (en) * 2005-03-14 2014-06-10 Philips Lumileds Lighting Company Llc Wavelength-converted semiconductor light emitting device
KR100606551B1 (ko) * 2005-07-05 2006-08-01 엘지전자 주식회사 발광소자 제조방법
JP2007059873A (ja) * 2005-07-26 2007-03-08 Sharp Corp 半導体発光素子及びその製造方法
RU2300826C2 (ru) * 2005-08-05 2007-06-10 Василий Иванович Швейкин Инжекционный излучатель
DE102006004591A1 (de) * 2005-09-29 2007-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierender Halbleiterchip
US7391059B2 (en) * 2005-10-17 2008-06-24 Luminus Devices, Inc. Isotropic collimation devices and related methods
US20070085098A1 (en) * 2005-10-17 2007-04-19 Luminus Devices, Inc. Patterned devices and related methods
US7388233B2 (en) * 2005-10-17 2008-06-17 Luminus Devices, Inc. Patchwork patterned devices and related methods
US7348603B2 (en) * 2005-10-17 2008-03-25 Luminus Devices, Inc. Anisotropic collimation devices and related methods
US20080099777A1 (en) * 2005-10-19 2008-05-01 Luminus Devices, Inc. Light-emitting devices and related systems
KR20070088145A (ko) * 2006-02-24 2007-08-29 엘지전자 주식회사 발광 다이오드 및 그 제조방법
US20070257270A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with wedge-shaped optical element
US7525126B2 (en) 2006-05-02 2009-04-28 3M Innovative Properties Company LED package with converging optical element
US20070257271A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with encapsulated converging optical element
US7953293B2 (en) * 2006-05-02 2011-05-31 Ati Technologies Ulc Field sequence detector, method and video device
US20070258241A1 (en) * 2006-05-02 2007-11-08 3M Innovative Properties Company Led package with non-bonded converging optical element
US7390117B2 (en) * 2006-05-02 2008-06-24 3M Innovative Properties Company LED package with compound converging optical element
US20080012034A1 (en) * 2006-07-17 2008-01-17 3M Innovative Properties Company Led package with converging extractor
US7674639B2 (en) * 2006-08-14 2010-03-09 Bridgelux, Inc GaN based LED with etched exposed surface for improved light extraction efficiency and method for making the same
JP4710764B2 (ja) * 2006-08-31 2011-06-29 日立電線株式会社 半導体発光素子
WO2008040298A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches bauelement
JP4660453B2 (ja) 2006-11-13 2011-03-30 昭和電工株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
JP5306589B2 (ja) * 2006-11-17 2013-10-02 シャープ株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
US9318327B2 (en) 2006-11-28 2016-04-19 Cree, Inc. Semiconductor devices having low threading dislocations and improved light extraction and methods of making the same
US8110838B2 (en) * 2006-12-08 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Spatial localization of light-generating portions in LEDs
DE102006059612A1 (de) * 2006-12-12 2008-06-19 Forschungsverbund Berlin E.V. Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI370555B (en) * 2006-12-29 2012-08-11 Epistar Corp Light-emitting diode and method for manufacturing the same
US8110425B2 (en) 2007-03-20 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Laser liftoff structure and related methods
US9294198B2 (en) 2007-05-24 2016-03-22 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. Pulsed light communication key
US9100124B2 (en) 2007-05-24 2015-08-04 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. LED Light Fixture
US9414458B2 (en) 2007-05-24 2016-08-09 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. LED light control assembly and system
US9455783B2 (en) 2013-05-06 2016-09-27 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. Network security and variable pulse wave form with continuous communication
US11265082B2 (en) 2007-05-24 2022-03-01 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. LED light control assembly and system
WO2008148050A1 (en) 2007-05-24 2008-12-04 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. Led light interior room and building communication system
US9258864B2 (en) 2007-05-24 2016-02-09 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. LED light control and management system
US20090032799A1 (en) * 2007-06-12 2009-02-05 Siphoton, Inc Light emitting device
US7956370B2 (en) * 2007-06-12 2011-06-07 Siphoton, Inc. Silicon based solid state lighting
KR101449005B1 (ko) 2007-11-26 2014-10-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US8692286B2 (en) * 2007-12-14 2014-04-08 Philips Lumileds Lighing Company LLC Light emitting device with bonded interface
US7985979B2 (en) * 2007-12-19 2011-07-26 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Semiconductor light emitting device with light extraction structures
TWI362769B (en) 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
US20110108800A1 (en) * 2008-06-24 2011-05-12 Pan Shaoher X Silicon based solid state lighting
US20110114917A1 (en) * 2008-07-21 2011-05-19 Pan Shaoher X Light emitting device
JP2008277871A (ja) * 2008-08-22 2008-11-13 Showa Denko Kk Ｌｅｄランプ
KR101072200B1 (ko) * 2009-03-16 2011-10-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
US8890773B1 (en) 2009-04-01 2014-11-18 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. Visible light transceiver glasses
JP2011077496A (ja) * 2009-04-28 2011-04-14 Shin Etsu Handotai Co Ltd 発光素子および発光素子の製造方法
US20100308300A1 (en) * 2009-06-08 2010-12-09 Siphoton, Inc. Integrated circuit light emission device, module and fabrication process
US8722441B2 (en) 2010-01-21 2014-05-13 Siphoton Inc. Manufacturing process for solid state lighting device on a conductive substrate
US8283676B2 (en) * 2010-01-21 2012-10-09 Siphoton Inc. Manufacturing process for solid state lighting device on a conductive substrate
US8674383B2 (en) * 2010-01-21 2014-03-18 Siphoton Inc. Solid state lighting device on a conductive substrate
WO2012020896A1 (en) * 2010-08-11 2012-02-16 Seoul Opto Device Co., Ltd. Uv light emitting diode and method of manufacturing the same
US9070851B2 (en) 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
WO2012097291A1 (en) 2011-01-14 2012-07-19 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. Method of providing lumens and tracking of lumen consumption
US8624292B2 (en) 2011-02-14 2014-01-07 Siphoton Inc. Non-polar semiconductor light emission devices
US8217418B1 (en) 2011-02-14 2012-07-10 Siphoton Inc. Semi-polar semiconductor light emission devices
US9130107B2 (en) * 2011-08-31 2015-09-08 Epistar Corporation Light emitting device
KR101300495B1 (ko) * 2011-12-27 2013-09-02 전자부품연구원 반사층을 구비한 발광 다이오드
JP5731996B2 (ja) * 2012-02-21 2015-06-10 富士フイルム株式会社 半導体発光素子
JP2015530739A (ja) 2012-08-03 2015-10-15 ホーヤ コーポレイション ユーエスエイＨｏｙａ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ Ｕｓａ 光電子コンポーネント、光学コンポーネント又はフォトニック・コンポーネント用のサブマウント
WO2014160096A1 (en) 2013-03-13 2014-10-02 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. Led light control and management system
US20150198941A1 (en) 2014-01-15 2015-07-16 John C. Pederson Cyber Life Electronic Networking and Commerce Operating Exchange
CN104218129A (zh) * 2014-09-24 2014-12-17 杭州士兰明芯科技有限公司 Led衬底结构及其制作方法
US20170048953A1 (en) 2015-08-11 2017-02-16 Federal Law Enforcement Development Services, Inc. Programmable switch and system
JP6524904B2 (ja) * 2015-12-22 2019-06-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN205944139U (zh) 2016-03-30 2017-02-08 首尔伟傲世有限公司 紫外线发光二极管封装件以及包含此的发光二极管模块
US10868213B2 (en) * 2018-06-26 2020-12-15 Lumileds Llc LED utilizing internal color conversion with light extraction enhancements

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0430041A1 (de) * 1989-11-22 1991-06-05 Daido Tokushuko Kabushiki Kaisha Lichtemittierende Diode mit lichtreflektierender Schicht
EP0473983A2 (de) * 1990-08-14 1992-03-11 Canon Kabushiki Kaisha Lichtemittierende Vorrichtung unter Ausnutzung der Quantenelektrodynamik im Hohlraum
EP0550963A1 (de) * 1991-12-27 1993-07-14 AT&T Corp. Verwendung einer Halbleiterstruktur als lichtemittierende Diode
GB2270199A (en) * 1992-08-25 1994-03-02 Mitsubishi Cable Ind Ltd Semiconductor light emitting diode

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4309670A (en) * 1979-09-13 1982-01-05 Xerox Corporation Transverse light emitting electroluminescent devices
EP0397911A1 (de) * 1989-05-19 1990-11-22 Siemens Aktiengesellschaft Optoelektronisches Halbleiterbauelement
US5008718A (en) * 1989-12-18 1991-04-16 Fletcher Robert M Light-emitting diode with an electrically conductive window
JP2596195B2 (ja) * 1990-08-20 1997-04-02 日本電気株式会社 垂直共振器型面入出力光電融合素子
JPH04186679A (ja) * 1990-11-16 1992-07-03 Daido Steel Co Ltd 発光ダイオード
US5233204A (en) * 1992-01-10 1993-08-03 Hewlett-Packard Company Light-emitting diode with a thick transparent layer
JP3052552B2 (ja) * 1992-03-31 2000-06-12 株式会社日立製作所 面発光型半導体レーザ
US5406095A (en) * 1992-08-27 1995-04-11 Victor Company Of Japan, Ltd. Light emitting diode array and production method of the light emitting diode
US5376580A (en) * 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
JPH0766455A (ja) * 1993-08-24 1995-03-10 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体発光装置
JPH0794781A (ja) * 1993-09-24 1995-04-07 Toshiba Corp 面発光型半導体発光ダイオード

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0430041A1 (de) * 1989-11-22 1991-06-05 Daido Tokushuko Kabushiki Kaisha Lichtemittierende Diode mit lichtreflektierender Schicht
EP0473983A2 (de) * 1990-08-14 1992-03-11 Canon Kabushiki Kaisha Lichtemittierende Vorrichtung unter Ausnutzung der Quantenelektrodynamik im Hohlraum
EP0550963A1 (de) * 1991-12-27 1993-07-14 AT&T Corp. Verwendung einer Halbleiterstruktur als lichtemittierende Diode
GB2270199A (en) * 1992-08-25 1994-03-02 Mitsubishi Cable Ind Ltd Semiconductor light emitting diode

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"IEEE Transactions on Electron Devices" ED-29 (1982) 876-883 *
"Jpn.J.Appl.Phys." 33 (1994) 1024-1039 *

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6570190B2 (en) 1997-06-03 2003-05-27 Lumileds Lighting, U.S., Llc LED having angled sides for increased side light extraction
US6946309B2 (en) 1997-06-03 2005-09-20 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phosphide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US7268371B2 (en) 1997-06-03 2007-09-11 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Light extraction from a semiconductor light emitting device via chip shaping
DE19807758B4 (de) * 1997-06-03 2008-08-14 Philips Lumileds Lighting Company, LLC, San Jose Lichtemittierende Diodenstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
DE19829666B4 (de) * 1997-08-07 2009-02-05 Epistar Corp. Lichtemittierende Diode mit asymmetrischer Energiebandstruktur
DE19924316A1 (de) * 1999-05-27 2000-11-30 Zumtobel Staff Gmbh Lumineszenzdiode
DE19924316B4 (de) * 1999-05-27 2010-10-07 Zumtobel Lighting Gmbh Lumineszenzdiode
DE10017337A1 (de) * 2000-04-07 2001-10-18 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen lichtaussendender Halbleiterbauelemente
DE10017337C2 (de) * 2000-04-07 2002-04-04 Vishay Semiconductor Gmbh Verfahren zum Herstellen lichtaussendender Halbleiterbauelemente
US8212262B2 (en) 2007-02-09 2012-07-03 Cree, Inc. Transparent LED chip

Also Published As

Publication number Publication date
US5793062A (en) 1998-08-11
JPH09107123A (ja) 1997-04-22
GB2304230A (en) 1997-03-12
DE19629920B4 (de) 2006-02-02
GB9616194D0 (en) 1996-09-11
GB2304230B (en) 1999-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19629920A1 (de) Licht-emittierende Dioden auf einem transparenten Substrat mit einer gerichteten Lichtausgabe
DE19807758B4 (de) Lichtemittierende Diodenstruktur und Verfahren zu deren Herstellung
DE10006738C2 (de) Lichtemittierendes Bauelement mit verbesserter Lichtauskopplung und Verfahren zu seiner Herstellung
EP2260516B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines solchen
DE102007022947B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102008012859B4 (de) Laserlichtquelle mit einer Filterstruktur
DE102005048408B4 (de) Dünnfilm-Halbleiterkörper
DE102012109175B4 (de) Halbleiterlaserdiode
DE102007019776A1 (de) Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente
WO2001082384A1 (de) Strahlungsmittierendes halbleiterbauelement und herstellungsverfahren
DE102005041095A1 (de) Lichtemissionsvorrichtung und Lichtemissionselement
DE102017108949B4 (de) Halbleiterchip
DE102012106943B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterlaserdiode und Halbleiterlaserdiode
DE10244986B4 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
DE10153321B4 (de) Leuchtdiode mit Bragg-Reflektor und Verfahren zur Herstellung derselben
EP2095433B1 (de) Halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
WO2005041313A1 (de) Strahlungsemittierender dünnschicht-halbleiterchip
EP2313935A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip
WO2004032248A2 (de) Strahlungsemittierendes halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung
DE10059532A1 (de) Halbleiterchip für die Optoelektronik
DE2347847A1 (de) Elektrolumineszentes halbleiterelement
DE19963550B4 (de) Bipolare Beleuchtungsquelle aus einem einseitig kontaktierten, selbstbündelnden Halbleiterkörper
DE19926958A1 (de) Lichtemissions-Halbleiterdiode auf der Basis von Ga (In, AL) P-Verbindungen mit ZnO-Fensterschicht
DE10208170B4 (de) Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einer vertikalen Emissionsrichtung und dessen Herstellungsverfahren
DE102021129563A1 (de) Bauelement mit integrierter konverterschicht und verfahren zur herstellung eines bauelements

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: AGILENT TECHNOLOGIES, INC. (N.D.GES.D.STAATES DELA

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: LUMILEDS LIGHTING, U.S., LLC, SAN JOSE, CALIF., US

8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: PHILIPS LUMILEDS LIGHTING COMPANY,LLC, SAN JOS, US

R071 Expiry of right