DE19625622A1 - Light radiating semiconductor constructional element - Google Patents

Light radiating semiconductor constructional element

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DE19625622A1
DE19625622A1 DE19625622A DE19625622A DE19625622A1 DE 19625622 A1 DE19625622 A1 DE 19625622A1 DE 19625622 A DE19625622 A DE 19625622A DE 19625622 A DE19625622 A DE 19625622A DE 19625622 A1 DE19625622 A1 DE 19625622A1
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Norbert Dr Stath
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Rolf Schmidt
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Abstract

A light radiating semiconductor constructional element comprises: (i) a semiconductor body (1) having a series of semiconductor layers giving out an electromagnetic radiation of wavelength lambda not greater than 520 nm; (ii) first and second electrical connections (2,3) connected to the semiconductor body (1); and (iii) a luminescence conversion element. The conversion element converts radiation of a first spectral partial region of radiation originating from a first wavelength region into radiation of a second wavelength region. The semiconductor constructional element gives out radiation from a second spectral partial region of first wavelength region and radiation of second wavelength region.

Description

Die Erfindung bezieht sich auf ein Licht abstrahlendes Halb­ leiterbauelement mit einem Strahlung aussendenden Halbleiter­ körper, mit mindestens einem ersten und einem zweiten mit dem Halbleiterkörper elektrisch leitend verbundenen elektrischen Anschluß und mit einem Lumineszenzkonversionselement.The invention relates to a light-emitting half conductor component with a radiation-emitting semiconductor body, with at least a first and a second with the Semiconductor body electrically connected electrically connected Connection and with a luminescence conversion element.

Ein derartiges Halbleiterbauelement ist beispielsweise aus der Offenlegungsschrift DE 38 04 293 bekannt. Darin ist eine Anord­ nung mit einer Elektrolumineszenz- oder Laserdiode beschrieben, bei der das gesamte von der Diode abgestrahlte Emmissi­ onsspektrum mittels eines mit einem fluoreszierenden, lichtwan­ delnden organischen Farbstoff versetzten Elements aus Kunst­ stoff zu größeren Wellenlängen hin verschoben wird. Das von der Anordnung abgestrahlte Licht weist dadurch eine andere Farbe auf als das von der Leuchtdiode ausgesandte. Abhängig von der Art des dem Kunststoff beigefügten Farbstoffes lassen sich mit ein und demselben Leuchtdiodentyp Leuchtdiodenanordnungen her­ stellen, die in unterschiedlichen Farben leuchten.Such a semiconductor component is, for example, from the Publication DE 38 04 293 known. There is an order in it described with an electroluminescent or laser diode, where the entire emmissi emitted by the diode on spectrum using a fluorescent, light wall Delenden organic dye offset element from art material is shifted to longer wavelengths. That from the The arrangement of emitted light therefore has a different color on than that emitted by the light emitting diode. Depends on the The type of dye added to the plastic can be used one and the same type of light emitting diode places that shine in different colors.

In vielen potentiellen Anwendungsgebieten für Leuchtdioden, wie zum Beispiel bei Anzeigeelementen im Kfz-Armaturenbrett, Be­ leuchtung in Flugzeugen und Autos und bei vollfarbtauglichen LED-Displays, tritt jedoch verstärkt die Forderung nach Leucht­ diodenanordnungen auf, mit denen sich mischfarbiges Licht, ins­ besondere weißes Licht erzeugen läßt. Bisher läßt sich weißes "LED"-Licht nur mit sogenannten Multi-LEDs erzeugen, bei denen drei verschiedenfarbige Leuchtdioden (i.a. eine rote, eine grüne und eine blaue) oder zwei komplementärfarbige Leuchtdi­ oden (z. B. eine blaue und eine gelbe) verwendet werden. Neben einem erhöhten Montageaufwand sind für solche Multi-LEDs auch aufwendige Ansteuerelektroniken erforderlich, da die verschie­ denen Diodentypen unterschiedliche Ansteuerspannungen benöti­ gen. Außerdem wird die Langzeitstabilität hinsichtlich Wellen­ länge und Intensistät durch unterschiedliche Alterungserschei­ nungen der verschiedenen Leuchtdioden und auch aufgrund der un­ terschiedlichen Ansteuerspannungen und den daraus resultierden­ den Betriebsströmen beeinträchtigt. Ein zusätzlicher Nachteil der Multi-LEDs besteht darin, daß die Bauteilminiaturisierung stark begrenzt ist.In many potential fields of application for light emitting diodes, such as for example for display elements in the car dashboard, Be lighting in airplanes and cars and in full color suitability LED displays, however, are increasing the demand for lighting diode arrangements with which mixed-colored light, ins can produce special white light. So far, white can be Generate "LED" light only with so-called multi-LEDs where three different colored light-emitting diodes (generally one red, one green and one blue) or two complementary colored LEDs odes (e.g. a blue and a yellow) can be used. Next There is also an increased assembly effort for such multi-LEDs  elaborate control electronics required because the various which diode types require different drive voltages In addition, the long-term stability with regard to waves length and intensity due to different signs of aging of the various light emitting diodes and also due to the un different control voltages and the resulting ones the operating currents impaired. An additional disadvantage of the multi-LEDs is that the component miniaturization is severely limited.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Halb­ leiterbauelement der eingangs genannten Art zu entwickeln, mit dem mischfarbiges Licht, insbesondere weißes Licht erzeugt wer­ den kann.The object of the present invention is a half to develop ladder component of the type mentioned at the beginning with mixed color light, especially white light that can.

Diese Aufgabe wird durch ein Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Ge­ genstand der Unteransprüche 2 bis 14. Der Unteranspruch 15 gibt eine bevorzugte Verwendungsmöglichkeit des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements an.This object is achieved by a semiconductor component 1 solved. Advantageous developments of the invention are Ge Subject of subclaims 2 to 14. Subclaim 15 gives a preferred use of the invention Semiconductor component.

Erfindungsgemäß ist vorgesehen, daß der Halbleiterkörper eine Schichtenfolge, insbesondere eine Schichtenfolge mit einer ak­ tiven Schicht aus GaxIn1-xN oder GaxAl1-xN aufweist, die eine elektromagnetische Strahlung der Wellenlänge λ 520 nm aus sen­ det und daß das Lumineszenzkonversionselement Strahlung eines ersten spektralen Teilbereiches der von dem Halbleiterkörper ausgesandten, aus einem ersten Wellenlängenbereich stammenden Strahlung in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereiches um­ wandelt, derart, daß das Halbleiterbauelement Strahlung aus mindestens einem zweiten spektralen Teilbereich des ersten Wel­ lenlängenbereiches und Strahlung des zweiten Wellenlängenberei­ ches aussendet. Das heißt zum Beispiel, daß das Lumineszenzkon­ versionselement eine vom Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung spektral selektiv absorbiert und im längerwelligen Bereich (im zweiten Wellenlängenbereich) emittiert. Idealerweise weist die von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung bei einer Wel­ lenlänge λ 520 nm ein Strahlungsmaximum auf.According to the invention it is provided that the semiconductor body has a layer sequence, in particular a layer sequence with an active layer of Ga x In 1-x N or Ga x Al 1-x N, which detects an electromagnetic radiation of wavelength λ 520 nm and that the luminescence conversion element converts radiation of a first spectral region of the radiation emitted by the semiconductor body and originating from a first wavelength region into radiation of a second wavelength region, such that the semiconductor component emits radiation from at least a second spectral region of the first wavelength region and radiation of the second wavelength region . This means, for example, that the luminescence conversion element spectrally selectively absorbs radiation emitted by the semiconductor body and emits it in the longer-wave range (in the second wavelength range). Ideally, the radiation emitted by the semiconductor body has a radiation maximum at a wavelength of λ 520 nm.

Ebenso kann vorteilhafterweise mit der Erfindung auch eine An­ zahl (einer oder mehrere) von aus dem ersten Wellenlängenbe­ reich stammenden ersten spektralen Teilbereichen in mehrere zweite Wellenlängenbereiche umgewandelt werden. Dadurch ist es vorteilhafterweise möglich, vielfältige Farbmischungen und Farbtemperaturen zu erzeugen.Likewise, an invention can also advantageously be used with the invention number (one or more) of from the first wavelength richly originating first spectral sections into several second wavelength ranges are converted. That’s it advantageously possible, diverse color mixtures and To generate color temperatures.

Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement hat den besonderen Vorteil, daß das über Lumineszenkonversion erzeugte Wellenlän­ genspektrum und damit die Farbe des abgestrahlten Lichtes nicht von der Höhe der Betriebsstromstärke durch den Halbleiterkörper abhängt. Dies hat insbesondere dann große Bedeutung, wenn die Umgebungstemperatur des Halbleiterbauelementes und damit be­ kanntermaßen auch die Betriebsstromstärke stark schwankt. Be­ sonders Leuchtdioden mit einem Halbleiterkörper auf der Basis von GaN sind diesbezüglich sehr empfindlich.The semiconductor component according to the invention has the special one Advantage that the wavelength generated by luminescence conversion gene spectrum and therefore not the color of the emitted light on the level of the operating current through the semiconductor body depends. This is particularly important if the Ambient temperature of the semiconductor device and thus be As is well known, the operating current fluctuates greatly. Be especially light-emitting diodes with a semiconductor body on the base GaN are very sensitive in this regard.

Außerdem benötigt das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement nur eine einzige Ansteuerspannung und damit auch nur eine einzige Ansteuerschaltungsanordnung, wodurch der Bauteileaufwand sehr gering gehalten werden kann.In addition, the semiconductor device according to the invention only needs a single control voltage and therefore only a single one Control circuit arrangement, which makes the components very much can be kept low.

Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist als Lumineszenzkonversionselement über oder auf dem Halb­ leiterkörper eine teiltransparente, d. h. eine für die von dem Strahlung aussendenden Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung teilweise transparente Lumineszenzkonversionsschicht vorgese­ hen. Um eine einheitliche Farbe des abstrahlten Lichtes sicher­ zustellen, kann die vorteilhafterweise die Lumineszenzkonversi­ onsschicht derart ausgebildet sein, daß sie durchweg eine kon­ stante Dicke aufweist. Dies hat den besonderen Vorteil, daß die Weglänge des von dem Halbleiterkörper abgestrahlten Lichtes durch die Lumineszenzkonversionsschicht hindurch für alle Strahlungsrichtungen nahezu konstant ist. Dadurch kann erreicht werden, daß das Halbleiterbauelement in alle Richtungen Licht derselben Farbe abstrahlt. Ein weiterer besonderer Vorteil ei­ nes erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements gemäß dieser Wei­ terbildung besteht darin, daß auf einfache Weise eine hohe Re­ produzierbarkeit erzielt werden kann, was für eine effiziente Massenfertigung von wesentlicher Bedeutung ist. Als Lumines­ zenzkonversionsschicht kann beispielsweise eine mit Lumines­ zenzfarbstoff versetzte Lack- oder Harzschicht vorgesehen sein.In a particularly preferred embodiment of the invention is as a luminescence conversion element above or on the half conductor body a partially transparent, d. H. one for that one Radiation emitting semiconductor body emitted radiation partially transparent luminescence conversion layer vorese hen. To ensure a uniform color of the emitted light the luminescence conversion can advantageously deliver onsschicht be formed such that they consistently a con constant thickness. This has the particular advantage that the  Path length of the light emitted by the semiconductor body through the luminescence conversion layer for everyone Radiation directions is almost constant. This can be achieved be that the semiconductor device light in all directions emits the same color. Another special advantage nes semiconductor device according to the invention according to this Wei terbildung is that in a simple manner a high Re producibility can be achieved, what an efficient Mass production is essential. As Lumines zenzkonversionsschicht can for example with Lumines zenzfarbstoff offset lacquer or resin layer may be provided.

Eine andere bevorzugte Ausführungsform des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes weist als Lumineszenzkonversionselement eine teiltransparente Lumineszenzkonversionsumhüllung auf, die zumindest einen Teil des Halbleiterkörpers (und evtl. Teilbe­ reiche der elektrischen Anschlüsse) umschließt und gleichzeitig als Bauteilumhüllung (Gehäuse) genutzt sein kann. Der Vorteil eines Halbleiterbauelements gemäß dieser Ausführungsform be­ steht im wesentlichen darin, daß zu seiner Herstellung konven­ tionelle, für die Herstellung von herkömmlichen Leuchtdioden (z. B. Radial-Leuchtdioden) eingesetzte Produktionslinien ge­ nutzt werden können. Für die Bauteilumhüllung ist anstelle des bei herkömmlichen Leuchtdioden dafür verwendeten transparenten Kunststoffes das Material der Lumineszenzkonversionsumhüllung verwendet.Another preferred embodiment of the invention Semiconductor component has as a luminescence conversion element a partially transparent luminescence conversion envelope that at least part of the semiconductor body (and possibly part of range of electrical connections) and simultaneously can be used as a component casing (housing). The advantage of a semiconductor device according to this embodiment is essentially that conven for its production tional, for the production of conventional light emitting diodes (e.g. radial LEDs) used production lines can be used. For the component wrapping is instead of with conventional light-emitting diodes used for this Plastic the material of the luminescence conversion envelope used.

Bei weiteren vorteilhaften Ausführungsformen des erfindungsge­ mäßen Halbleiterbauelements und der beiden oben genannten be­ vorzugten Ausführungsformen besteht die Lumineszenzkonversions­ schicht bzw. die Lumineszenzkonversionsumhüllung aus einem transparenten Material (z. B. Kunststoff), das mit einem Lumi­ neszenzfarbstoff versehen ist (Beispiele für geeignete Kunst­ stoffe und Lumineszenzfarbstoffe finden sich weiter unten). Auf diese Weise lassen sich Lumineszenzkonversionselemente beson­ ders kostengünstig herstellen. Die dazu notwendigen Verfahrens­ schritte sind nämlich ohne großen Aufwand in herkömmliche Pro­ duktionslinien für Leuchtdioden integrierbar.In further advantageous embodiments of the fiction According semiconductor device and the two above be preferred embodiments there is the luminescence conversion layer or the luminescence conversion envelope from one transparent material (e.g. plastic) with a Lumi nescent dye is provided (examples of suitable art substances and luminescent dyes can be found below). On in this way, luminescence conversion elements can be particularly  manufacture inexpensively. The necessary procedures steps are namely in conventional Pro without much effort Production lines for LEDs can be integrated.

Bei einer besonders bevorzugten Weiterbildung der Erfindung bzw. der o.g. Ausführungsformen ist vorgesehen, daß der oder die zweiten Wellenlängenbereiche zumindest teilweise größere Wellenlängen aufweisen als der erste Wellenlängenbereich.In a particularly preferred development of the invention or the above Embodiments provide that the or the second wavelength ranges are at least partially larger Have wavelengths than the first wavelength range.

Insbesondere ist vorgesehen, daß ein zweiter spektraler Teilbe­ reich des ersten Wellenlängenbereiches und ein zweiter Wellen­ längenbereich zueinander komplementär sind. Auf diese Weise kann aus einer einzigen farbigen Lichtquelle, insbesondere ei­ ner Leuchtdiode mit einem einzigen blaues Licht abstrahlenden Halbleiterkörper, mischfarbiges, insbesondere weißes Licht er­ zeugt werden. Um z. B. mit einem blaues Licht aussendenden Halbleiterkörper weißes Licht zu erzeugen, wird ein Teil des von dem Halbleiterkörper ausgesandten Spektralbereiches in den gelben Spektralbereich konvertiert. Die Farbtemperatur des wei­ ßen Lichtes kann dabei durch geeignete Wahl des Lumineszenzkon­ versionselementes, insbesondere durch eine geeignete Wahl des Lumineszenzfarbstoffes und dessen Konzentration, variiert wer­ den. Darüberhinaus bieten diese Anordnungen vorteilhafterweise auch die Möglichkeit, Lumineszenzfarbstoffmischungen einzuset­ zen, wodurch sich vorteilhafterweise der gewünschte Farbton sehr genau einstellen läßt. Ebenso können Lumineszenzkonversi­ onselemente inhomogen ausgestaltet sein, z. B. mittels einer inhomogenen Lumineszenzfarbstoffverteilung. Unterschiedliche Weglängen des Lichtes durch das Lumineszenzkonversionselement können dadurch vorteilhafterweise kompensiert werden.In particular, it is provided that a second spectral part range of the first wavelength range and a second wave length range are complementary to each other. In this way can be from a single colored light source, especially egg ner light emitting diode with a single blue light emitting Semiconductor body, mixed-colored, especially white light be fathered. To z. B. emitting with a blue light Semiconductor body producing white light becomes part of the spectral range emitted by the semiconductor body in the yellow spectral range converted. The color temperature of the white essen light can be selected by a suitable choice of luminescence version element, in particular through a suitable choice of Luminescent dye and its concentration, who varies the. In addition, these arrangements advantageously offer also the possibility to use luminescent dye mixtures zen, which advantageously the desired color can be set very precisely. Likewise, luminescence conversions onselemente be designed inhomogeneous, z. B. by means of a inhomogeneous luminescent dye distribution. Different Path length of the light through the luminescence conversion element can be compensated for advantageously.

Bei einer weiteren bevorzugten Ausführungsform des erfindungs­ gemäßen Halbleiterbauelements weist das Lumineszenzkonversion­ selement oder ein anderer Bestandteil einer Bauteilumhüllung zur Farbanpassung einen oder mehrere Farbstoffe auf, die keine Wellenlängenkonversion bewirken. Hierzu können die für die Her­ stellung von herkömmlichen Leuchtdioden verwendeten Farbstoffe wie z. B. Azo-, Anthrachinon- oder Perinon-Farbstoffe einge­ setzt werden.In a further preferred embodiment of the Invention According semiconductor device has the luminescence conversion selement or another component of a component casing for color matching one or more dyes that do not  Cause wavelength conversion. For this the for the Her provision of conventional light-emitting diodes such as B. azo, anthraquinone or perinone dyes be set.

Zum Schutz des Lumineszenzkonversionselements vor einer zu ho­ hen Strahlenbelastung ist bei einer vorteilhaften Weiterbildung bzw. bei den o. g. bevorzugten Ausführungsformen des erfin­ dungsgemäßen Halbleiterbauelements zumindest ein Teil der Ober­ fläche des Halbleiterkörpers von einer ersten, z. B. aus einem Kunststoff bestehenden transparenten Hülle umgeben, auf der die Lumineszenzkonversionsschicht aufgebracht ist. Dadurch wird die Strahlungsdichte im Lumineszenzkonversionselement und somit dessen Strahlungsbelastung verringert, was sich je nach verwen­ deten Materialien positiv auf die Lebensdauer des Lumineszenz­ konversionselementes auswirkt.To protect the luminescence conversion element from too high hen radiation exposure is an advantageous development or the above preferred embodiments of the inventions semiconductor device according to the invention at least a part of the upper surface of the semiconductor body from a first, for. B. from one Plastic existing transparent envelope on which the Luminescence conversion layer is applied. This will make the Radiation density in the luminescence conversion element and thus its radiation exposure is reduced, which can be used depending on materials positively on the life of the luminescence conversion element affects.

Bei einer besonders bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung so­ wie der oben genannten Ausführungsformen ist ein Halblei­ terkörper verwendet, bei dem das ausgesandte Strahlungsspektrum bei einer Wellenlänge zwischen 420 nm und 460 nm, insbesondere bei 430 nm (z. B. Halbleiterkörper auf der Basis von GaxAl1-xN) oder 450 nm (z. B. Halbleiterkörper auf der Basis von GaxIn1-xN) ein Lumineszenz-Maximum aufweist. Mit einem derartigen erfin­ dungsgemäßen Halbleiterbauelement lassen sich vorteilhafterwei­ se nahezu sämtliche Farben und Mischfarben der Farbtafel erzeu­ gen.In a particularly preferred embodiment of the invention, such as the above-mentioned embodiments, a semiconductor body is used in which the emitted radiation spectrum at a wavelength between 420 nm and 460 nm, in particular at 430 nm (e.g. semiconductor bodies based on Ga x Al 1-x N) or 450 nm (e.g. semiconductor body based on Ga x In 1-x N) has a luminescence maximum. With such a semiconductor device according to the invention, almost all colors and mixed colors of the color table can advantageously be generated.

Bei einer weiteren besonders bevorzugten Weiterbildung der Er­ findung und deren Ausführungsformen besteht die Lumineszenzkon­ versionsumhüllung bzw. die Lumineszenzkonversionsschicht aus einem Lack oder aus einem Kunststoff, wie beispielsweise die für die Umhüllung optoelektronischer Bauelemente eingesetzten Silikon-, Thermoplast- oder Duroplastmaterialien (Epoxid- u. Acrylatharze). Desweiteren können z. B. aus Thermoplastmateria­ lien gefertigte Abdeckelemente als Lumineszenzkonversionsumhül­ lung eingesetzt sein. Sämtliche oben genannten Materialien las­ sen sich auf einfache Weise mit einem oder mehreren Lumines­ zenzfarbstoffen versetzen.In a further particularly preferred development of the Er invention and its embodiments, the luminescence con version wrapping or the luminescence conversion layer a paint or a plastic, such as the used for the wrapping of optoelectronic components Silicone, thermoplastic or thermoset materials (epoxy and. Acrylate resins). Furthermore, z. B. from thermoplastic material  lien manufactured cover elements as a luminescence conversion envelope be used. Read all of the above materials easily with one or more Lumines add zenz dyes.

Besonders einfach läßt sich ein erfindungsgemäßes Halbleiter­ bauelement dann realisieren, wenn der Halbleiterkörper in einer Ausnehmung eines gegebenenfalls vorgefertigten Gehäuses ange­ ordnet ist und die Ausnehmung mit einem die Lumineszenzkonver­ sionsschicht aufweisenden Abdeckelement versehen ist. Ein der­ artiges Halbleiterbauelement läßt sich in großer Stückzahl in herkömmlichen Produktionslinien herstellen. Hierzu muß ledig­ lich nach der Montage des Halbleiterkörpers in das Gehäuse das Abdeckelement, beispielsweise eine Lack- oder Gießharzschicht oder eine vorgefertigtes Abdeckplatte aus Thermoplastmaterial, auf das Gehäuse aufgebracht werden. Optional kann die Ausneh­ mung des Gehäuses mit einem transparenten Material, beispiels­ weise einem transparenten Kunststoff, gefüllt sein, das insbe­ sondere die Wellenlänge des von dem Halbleiterkörper ausgesand­ ten Lichtes nicht verändert oder aber, falls gewünscht, bereits lumineszenzkonvertierend ausgebildet sein kann.A semiconductor according to the invention is particularly simple Realize component when the semiconductor body in one Recess of a possibly prefabricated housing is arranged and the recess with the luminescence converter Sionsschicht having cover element is provided. One of the like semiconductor device can be in large numbers conventional production lines. This must be single Lich after mounting the semiconductor body in the housing Cover element, for example a lacquer or cast resin layer or a prefabricated cover plate made of thermoplastic material, be applied to the housing. Optionally, the exception the housing with a transparent material, for example as a transparent plastic, filled, in particular in particular the wavelength emitted by the semiconductor body not changed or already, if desired, already can be configured to convert luminescence.

Um die Durchmischung der von dem Halbleiterkörper ausgesandten Strahlung des ersten Wellenlängenbereiches mit der lumineszenz­ konvertierten Strahlung des zweiten Wellenlängenbereiches und damit die Farbkonstanz des abstrahlten Lichtes zu verbessern, kann der Lumineszenzumhüllung bzw. der Lumineszenzkon­ versionsschicht und oder einer anderen Komponente der Bautei­ lumhüllung vorteilhafterweise zusätzlich ein im Blauen lumines­ zierender Farbstoff hinzugefügt werden, der eine sogenannte Richtcharakteristik der von dem Halbleiterkörper abgestrahlten Strahlung abschwächt. Unter Richtcharakteristik ist zu verste­ hen, daß die von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung ei­ ne bevorzugte Abstrahlrichtung aufweist. In order to mix those emitted by the semiconductor body Radiation of the first wavelength range with luminescence converted radiation of the second wavelength range and to improve the color constancy of the emitted light, the luminescence envelope or the luminescence con version layer and or another component of the component lumpling advantageously also a blue lumines decorative dye can be added, the so-called Directional characteristic of the radiated from the semiconductor body Radiation attenuates. Directional characteristic is to be understood hen that the radiation emitted by the semiconductor body egg ne preferred radiation direction.  

Ein vorteilhaftes Material zur Herstellung der o.g. Lumines­ zenzkonversionsschicht bzw. Lumineszenzkonversionsumhüllung ist Polymethylmetacrylat (PMMA) dem ein oder mehrere Lumineszenz­ farbstoffe zugesetzt sind. PMMA läßt sich auf einfache Weise mit organischen Farbstoffmolekülen versetzen. Zur Herstellung von grün-, gelb- und rotleuchtenden erfindungsgemäßen Halblei­ terbauelementen können z. B. Farbstoffmoleküle auf Perylen-Ba­ sis verwendet sein. Im UV, im Sichtbaren oder im Infraroten leuchtende Halbleiterbauelemente können auch durch Beimischung von 4f-metallorganischen Verbindungen hergestellt werden. Ins­ besondere können rotleuchtende erfindungsgemäße Halbleiterbau­ elemente z. B. durch Beimischung von auf Eu3+ basierenden me­ tallorganischen Chelaten (λ ≈ 620 nm) realisiert werden. Infra­ rot strahlende erfindungsgemäße Halbleiterbauelemente, insbe­ sondere mit blaues Licht aussendenden Halbleiterkörpern, können mittels Beimischung von 4f-Chelaten oder von Ti3+-dotiertem Sa­ phir hergestellt werden.An advantageous material for producing the above-mentioned luminescence conversion layer or luminescence conversion coating is polymethyl methacrylate (PMMA) to which one or more luminescent dyes are added. PMMA can easily be mixed with organic dye molecules. For the manufacture of green, yellow and red glowing semiconductors according to the invention, z. B. dye molecules on Perylen-Ba sis be used. Semiconductor components shining in the UV, visible or infrared can also be produced by adding 4f organometallic compounds. In particular, red glowing semiconductor devices according to the invention z. B. 3+ based me tallorganischen chelates be realized by admixing to Eu (λ ≈ 620 nm). Infrared-emitting semiconductor components according to the invention, in particular with semiconductor bodies emitting blue light in particular, can be produced by adding 4f chelates or Ti 3+ -doped Sa phir.

Ein weißes Licht abstrahlendes erfindungsgemäßes Halbleiterbau­ element läßt sich vorteilhafterweise dadurch herstellen, daß der Lumineszenzfarbstoff so gewählt wird, daß eine von dem Halbleiterkörper ausgesandte blaue Strahlung in komplementäre Wellenlängenbereiche, insbesondere Blau und Gelb, oder zu addi­ tiven Farbtripeln, z. B. Blau, Grün und Rot umgewandelt wird. Hierbei wird das gelbe bzw. das grüne und rote Licht über die Lumineszenzfarbstoffe erzeugt. Der Farbton (Farbort in der CIE- Farbtafel) des weißen Lichts kann dabei durch geeignete Wahl des Farbstoffes hinsichtlich Mischung und Konzentration vari­ iert werden.A semiconductor light emitting white light according to the invention element can advantageously be produced in that the luminescent dye is chosen so that one of the Semiconductor body emitted blue radiation in complementary Wavelength ranges, especially blue and yellow, or addi tive color triples, e.g. B. Blue, green and red is converted. Here, the yellow or the green and red light is over the Luminescent dyes generated. The color tone (color location in the CIE Color table) of white light can be selected appropriately of the dye in terms of mixture and concentration be.

Geeignete Lumineszenzfarbstoffe für ein weißes Licht abstrah­ lendes erfindungsgemäßes Halbleiterbauelement sind Perylen- Lumineszenzfarbstoffe wie z. B. BASF Lumogen F 083 für grüne Lumineszenz, BASF Lumogen F 240 für gelbe Lumineszenz und BASF Lumogen F 300 für rote Lumineszenz. Diese Farbstoffe lassen sich auf einfache Weise z. B. transparentem Epoxidharz zuset­ zen.Suitable luminescent dyes for a white light abstrah semiconductor components according to the invention are perylene Luminescent dyes such as B. BASF Lumogen F 083 for green Luminescence, BASF Lumogen F 240 for yellow luminescence and BASF Lumogen F 300 for red luminescence. Leave these dyes  z. B. transparent epoxy resin Zen.

Eine bevorzugte Methode, mit einem blaues Licht abstrahlenden Halbleiterkörper ein grün leuchtendes Halbleiterbauelement her­ zustellen, besteht darin, für das Lumineszenzkonversionselement UO₂⁺⁺-substituiertes Borsilikatglas zu verwenden.A preferred method with a blue light emitting Semiconductor body a green glowing semiconductor device to deliver is for the luminescence conversion element UO₂⁺⁺-substituted borosilicate glass to use.

Bei einer weiteren bevorzugten Weiterbildung eines erfindungs­ gemäßen Halbleiterbauelements bzw. der oben angegebenen vor­ teilhaften Ausführungsformen sind dem Lumineszenzkonversionse­ lement oder einer anderen strahlungsdurchlässigen Komponente der Bauteilumhüllung zusätzlich lichtstreuende Partikel, soge­ nannte Diffusoren zugesetzt. Hierdurch läßt sich vorteilhafter­ weise der Farbeindruck und die Abstrahlcharakteristik des Halb­ leiterbauelements optimieren.In a further preferred development of an invention according semiconductor device or the above Partial embodiments are luminescence conversions element or another radiation-transmissive component the component coating additionally light-scattering particles, so-called called diffusers added. This makes it more advantageous the color impression and the radiation characteristics of the half optimize the conductor component.

Von besonderem Vorteil ist, daß die Leuchteffizienz von weiß­ leuchtenden erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementen bzw. deren o.g. Ausführungsformen mit einem im wesentlichen auf der Basis von GaN hergestellten blau leuchtenden Halbleiterkörper gegen­ über der Leuchteffizienz einer Glühbirne erheblich erhöht ist. Der Grund dafür besteht darin, daß zum einen die externe Quan­ tenausbeute derartiger Halbleiterkörper bei einigen Prozent liegt und andererseits die Lumineszenzausbeute von organischen Farbstoff-Molekülen oft bei über 90% angesiedelt ist. Darüber hinaus zeichnet sich das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement im Vergleich zur Glühbirne durch eine extrem lange Lebensdauer, größere Robustheit und eine kleinere Betriebsspannung aus.It is particularly advantageous that the luminous efficiency of white luminous semiconductor components according to the invention or their o.g. Embodiments with a substantially based blue-glowing semiconductor bodies produced by GaN is significantly increased above the luminous efficiency of a light bulb. The reason for this is that, on the one hand, the external Quan yield of such semiconductor bodies at a few percent lies and on the other hand the luminescence yield of organic Dye molecules are often located at over 90%. About that the semiconductor component according to the invention is also distinguished compared to the light bulb due to an extremely long service life, greater robustness and a lower operating voltage.

Vorteilhaft ist weiterhin, daß die für das menschliche Auge wahrnehmbare Helligkeit des erfindungsgemäßen Halbleiterbau­ elements gegenüber einem ohne Lumineszenzkonversionselement ausgestatteten, aber sonst identischen Halbleiterbauelement deutlich erhöht werden kann, da die Augenempfindlichkeit zu hö­ herer Wellenlänge hin zunimmt. Es kann darüberhinaus auch ul­ traviolettes Licht in sichtbares Licht umgewandelt werden.Another advantage is that for the human eye perceptible brightness of the semiconductor construction according to the invention elements compared to one without a luminescence conversion element equipped, but otherwise identical semiconductor device can be increased significantly because the sensitivity of the eyes is too high  wavelength increases. It can also ul traviolet light can be converted into visible light.

Das hier vorgestellte Konzept der Lumineszenzkonversion mit blauem Licht eines Halbleiterkörpers läßt sich vorteilhafter­ weise auch auf mehrstufige Lumineszenzkonversionselemente er­ weitern, nach dem Schema ultraviolett → blau → grün → gelb → rot. Hierbei werden eine Mehrzahl von spektral selektiv emit­ tierenden Lumineszenzkonversionselementen relativ zum Halblei­ terkörper hintereinander angeordnet.The concept of luminescence conversion presented here with Blue light from a semiconductor body can be more advantageous also point to multilevel luminescence conversion elements continue, according to the scheme ultraviolet → blue → green → yellow → red. Here, a plurality of spectrally selective emit luminescence conversion elements relative to the semi-lead body arranged one behind the other.

Ebenso können vorteilhafterweise mehrere unterschiedlich spek­ tral selektiv emittierende Farbstoffmoleküle gemeinsam in einen transparenten Kunststoff eines Lumineszenzkonversionselements eingebettet sein. Hierdurch ist ein sehr breites Farbenspektrum erzeugbar.Likewise, several different spectra can advantageously tral selectively emitting dye molecules together in one transparent plastic of a luminescence conversion element be embedded. This is a very wide range of colors can be generated.

Besonders vorteilhaft können erfindungsgemäße Halbleiterbauele­ mente gemäß der vorliegenden Erfindung in vollfarbtauglichen LED-Anzeigevorrichtungen (Displays) eingesetzt werden.Semiconductor components according to the invention can be particularly advantageous elements according to the present invention in full color suitability LED display devices (displays) are used.

Weitere Merkmale, Vorteile und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von 5 Ausfüh­ rungsbeispielen in Verbindung mit den Fig. 1 bis 9. Es zei­ gen:Further features, advantages and expediencies of the invention result from the following description of 5 exemplary embodiments in connection with FIGS . 1 to 9. It shows:

Fig. 1 eine schematische Schnittansicht durch ein erstes Aus­ führungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements; Fig. 1 is a schematic sectional view through a first off operation example of a semiconductor device according to the invention;

Fig. 2 eine schematische Schnittansicht eines zweiten Ausfüh­ rungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes; Fig. 2 is a schematic sectional view of a second embodiment of a semiconductor device according to the invention;

Fig. 3 eine schematische Schnittansicht durch ein drittes Aus­ führungsbeispiel eines erfindungsgemäße Halbleiterbauelementes; Fig. 3 is a schematic sectional view through a third off operation example of a semiconductor device according to the invention;

Fig. 4 eine schematische Schnittansicht eines vierten Ausfüh­ rungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements; Fig. 4 is a schematic sectional view of a fourth exemplary embodiment of a semiconductor device according to the invention;

Fig. 5 eine schematische Schnittansicht eines fünften Ausfüh­ rungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes; Fig. 5 is a schematic sectional view of a fifth exemplary embodiment of a semiconductor device according to the invention;

Fig. 6 eine schematische Schnittansicht eines sechsten Ausfüh­ rungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes; Fig. 6 is a schematic sectional view of a sixth exporting approximately example of a semiconductor device according to the invention;

Fig. 7 eine schematische Darstellung eines Emissionsspektrums eines blaues Licht abstrahlenden Halbleiterkörpers mit einer Schichtenfolge auf der Basis von GaN; Figure 7 is a schematic representation of an emission spectrum of a blue light-emitting semiconductor body with a layer sequence on the basis of GaN.

Fig. 8 eine schematische Darstellung eines Emissionsspektrums zweier erfindungsgemäßer Halbleiterbauelemente, die weißes Licht abstrahlen; Fig. 8 radiate a schematic representation of an emission spectrum of two inventive semiconductor devices, the white light;

Fig. 9 eine schematische Schnittdarstellung durch einen Halb­ leiterkörper, der blaues Licht aussendet; Fig. 9 is a schematic sectional view through a semi-conductor body that emits blue light;

Fig. 10 eine schematische Schnittansicht eines siebten Ausfüh­ rungsbeispieles eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes; und Fig. 10 is a schematic sectional view of a seventh embodiment of a semiconductor device according to the invention; and

Fig. 11 eine schematische Darstellung eines Emissionsspektrums eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes, das mischfarbi­ ges rotes Licht abstrahlt. Fig. 11 is a schematic representation emits an emission spectrum of a semiconductor device according to the invention, the mischfarbi saturated red light.

Bei den verschiedenen Figuren sind gleiche bzw. gleichwirkende Teile immer mit denselben Bezugszeichen bezeichnet.The different figures have the same or equivalent effect Parts always labeled with the same reference numerals.

Bei dem in Fig. 1 dargestellten Licht aussendenden Halblei­ terbauelement weist ein Halbleiterkörper 1 einen Unterseiten­ kontakt 11, einen Oberseitenkontakt 12 und eine sich aus einer Anzahl von unterschiedlichen Schichten zusammensetzende Schich­ tenfolge 7 auf, die mindestens eine eine Strahlung (z. B. ul­ traviolett, blau oder grün) aussendende aktive Zone besitzt.In the light-emitting semiconductor component shown in FIG. 1, a semiconductor body 1 has an underside contact 11 , an upper side contact 12 and a layer sequence 7 composed of a number of different layers, which has at least one radiation (z. B. ultraviolet , blue or green) has an active zone.

Ein Beispiel für eine geeignete Schichtenfolge 7 für dieses und für sämtliche im folgenden beschriebenen Ausführungsbeispiele ist in Fig. 9 gezeigt. Hierbei ist auf einem Substrat 18, das z. B. aus SiC besteht, eine Schichtenfolge aus einer AlN- oder GaN-Schicht 19, einer n-leitenden GaN-Schicht 20, einer n- leitenden GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht 21, einer weiteren n- leitenden GaN- oder einer GaxIn1-xN-Schicht 22, einer p- leitenden GaxAl1-xN- oder GaxIn1-xN-Schicht 23 und einer p- leitenden GaN-Schicht 24 aufgebracht. Auf einer Oberseite 25 der p-leitenden GaN-Schicht 24 und einer Unterseite 26 des Substrats 18 ist jeweils eine Kontaktmetallisierung 27, 28 auf­ gebracht.An example of a suitable layer sequence 7 for this and for all of the exemplary embodiments described below is shown in FIG. 9. Here is on a substrate 18 , the z. B. consists of SiC, a layer sequence of an AlN or GaN layer 19 , an n-type GaN layer 20 , an n-type Ga x Al 1-x N or Ga x In 1-x N layer 21 , a further n-type GaN or a Ga x In 1-x N layer 22 , a p-type Ga x Al 1-x N or Ga x In 1-x N layer 23 and a p-type GaN Layer 24 applied. A contact metallization 27 , 28 is applied to an upper side 25 of the p-type GaN layer 24 and a lower side 26 of the substrate 18 .

Es kann jedoch auch jeder andere dem Fachmann für das erfin­ dungsgemäße Halbleiterbauelement als geeignet erscheinende Halbleiterkörper verwendet werden. Dies gilt ebenso für sämt­ liche nachfolgend beschriebenen Ausführungsbeispiele.However, any other person skilled in the art can invent this semiconductor device according to the invention as appearing suitable Semiconductor body can be used. This also applies to everyone Liche embodiments described below.

Im Ausführungsbeispiel von Fig. 1 ist der Halbleiterkörper 1 mittels eines elektrisch leitenden Verbindungsmittels, z. B. ein metallisches Lot oder ein Klebstoff, mit seinem Untersei­ tenkontakt 11 auf einem ersten elektrischen Anschluß 2 befe­ stigt. Der Oberseitenkontakt 12 ist mittels eines Bonddrahtes 14 mit einem zweiten elektrischen Anschluß 3 verbunden.In the embodiment of Fig. 1, the semiconductor body 1 by means of an electrically conductive connecting means, for. B. a metallic solder or an adhesive, with its Untersei tenkontakt 11 on a first electrical connection 2 BEFE Stigt. The top contact 12 is connected to a second electrical connection 3 by means of a bonding wire 14 .

Die freien Oberflächen des Halbleiterkörpers 1 und Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse 2 und 3 sind unmittelbar von einer Lumineszenzkonversionsumhüllung 5 umschlossen. Diese besteht beispielsweise aus einem für transparente Leuchtdiodenumhüllun­ gen verwendbaren transparenten Kunststoff (z. B. Epoxidharz oder Polymethylmetaacrylat), der mit Lumineszenzfarbstoff 6 versetzt ist. Die hierzu geeigneten Farbstoffe sind bereits weiter oben im allgemeinen Teil der Beschreibung genannt und werden daher an dieser Stelle nicht eigens angeführt.The free surfaces of the semiconductor body 1 and partial areas of the electrical connections 2 and 3 are directly surrounded by a luminescence conversion envelope 5 . This consists, for example, of a transparent plastic (for example epoxy resin or polymethyl methacrylate) which can be used for transparent light-emitting diode coatings and is mixed with luminescent dye 6 . The dyes suitable for this are already mentioned above in the general part of the description and are therefore not specifically mentioned here.

Das in Fig. 2 dargestellte Ausführungsbeispiel eines erfin­ dungsgemäßen Halbleiterbauelements unterscheidet sich von dem der Fig. 1 dadurch, daß der Halbleiterkörper 1 und Teilberei­ che der elektrischen Anschlüsse 2 und 3 anstatt von einer Lumi­ neszenzkonversionsumhüllung von einer transparenten Umhüllung 15 umschlossen sind. Diese transparente Umhüllung 15 bewirkt keine Wellenlängenänderung der von dem Halbleiterkörper 1 aus­ gesandten Strahlung und besteht beispielsweise aus einem in der Leuchtdiodentechnik herkömmlich verwendeten Epoxid-, Silikon- oder Acrylatharz oder aus einem anderen geeigneten Material.The embodiment shown in FIG. 2 of a semiconductor device according to the invention differs from that of FIG. 1 in that the semiconductor body 1 and partial areas of the electrical connections 2 and 3 are enclosed by a transparent envelope 15 instead of a luminescence conversion envelope. This transparent sheathing 15 does not change the wavelength of the radiation emitted by the semiconductor body 1 and consists, for example, of an epoxy, silicone or acrylate resin conventionally used in light-emitting diode technology or of another suitable material.

Auf diese transparente Umhüllung 15 ist eine Lumineszenzkonver­ sionsschicht 4 aufgebracht, die, wie in der Fig. 2 darge­ stellt, die gesamte Oberfläche der Umhüllung 15 bedeckt. Ebenso denkbar ist, daß die Lumineszenzkonversionsschicht 4 nur einen Teilbereich dieser Oberfläche bedeckt. Die Lumineszenzkonversi­ onsschicht 4 besteht beispielsweise wiederum aus einem transpa­ renten Kunststoff (z. B. Epoxidharz, Lack oder Polymethylme­ taacrylat), der mit einem Lumineszenzfarbstoff 6 versetzt ist.On this transparent envelope 15 , a luminescence conversion layer 4 is applied, which, as shown in FIG. 2 Darge, covers the entire surface of the envelope 15 . It is also conceivable that the luminescence conversion layer 4 covers only a partial area of this surface. The luminescence conversion layer 4 consists, for example, of a transparent plastic (e.g. epoxy resin, lacquer or polymethyl methacrylate) which is mixed with a luminescent dye 6 .

Dieses Ausführungsbeispiel hat, wie weiter oben bereits er­ wähnt, den besonderen Vorteil, daß für die gesamte von dem Halbleiterkörper ausgesandte Strahlung die Weglänge durch das Lumineszenzkonverionselement nahezu gleich groß ist. Dies spielt insbesondere dann eine bedeutende Rolle, wenn, wie es oftmals der Fall ist, der genaue Farbton des von dem Halblei­ terbauelement abgestrahlten Lichtes von dieser Weglänge ab­ hängt.This embodiment has, as already above believes the special advantage that for the whole of the Semiconductor body emitted radiation the path length through the Luminescence conversion element is almost the same size. This plays a significant role especially when, like it often the case is the exact shade of that of the semi-lead light emitted from this path length hangs.

Zur besseren Auskopplung des Lichtes aus der Lumineszenzkonver­ sionsschicht 4 von Fig. 2 kann auf einer Seitenfläche des Bau­ elements eine linsenförmige Abdeckung 29 (gestrichelt einge­ zeichnet) vorgesehen sein, die eine Totalreflexion der Strah­ lung innerhalb der Lumineszenzkonversionsschicht 4 reduziert. Diese linsenförmige Abdeckung 29 kann aus transparentem Kunst­ stoff bestehen und auf die Lumineszenzkonversionsschicht 4 bei­ spielsweise aufgeklebt oder direkt als Bestandteil der Lumines­ zenzkonversionsschicht 4 ausgebildet sein.For better decoupling of the light from the luminescence conversion layer 4 of FIG. 2, a lenticular cover 29 (shown in broken lines) can be provided on a side surface of the construction element, which reduces total reflection of the radiation within the luminescence conversion layer 4 . This lenticular cover 29 can be made of transparent plastic and glued to the luminescence conversion layer 4 for example or be formed directly as part of the luminescence conversion layer 4 .

Bei dem in Fig. 3 dargestellten Ausführungsbeispiel sind der erste und zweite elektrische Anschluß 2, 3 in ein lichtundurch­ lässiges evtl. vorgefertigtes Grundgehäuse 8 mit einer Ausneh­ mung 9 eingebettet. Unter "vorgefertigt" ist zu verstehen, daß das Grundgehäuse 8 bereits an den Anschlüssen 2, 3 beispielswei­ se mittels Spritzguß fertig ausgebildet ist, bevor der Halblei­ terkörper auf den Anschluß 2 montiert wird. Das Grundgehäuse 8 besteht beispielsweise aus Kunststoff und die Ausnehmung 9 ist als Reflektor 17 (ggf. durch geeignete Beschichtung der Innen­ wände der Ausnehmung 9) ausgebildet. Solche Grundgehäuse 8 wer­ den seit langem insbesondere bei oberflächenmontierbaren Leuchtdioden (SMD-TOPLEDs) verwendet und werden daher an dieser Stelle nicht mehr näher erläutert. Sie werden vor der Montage der Halbleiterkörper auf ein die elektrischen Anschlüsse 2, 3 aufweisendes Leiterband (Leadframe) aufgebracht.In the embodiment shown in Fig. 3, the first and second electrical connections 2 , 3 are embedded in an opaque possibly prefabricated basic housing 8 with a Ausneh line 9 . By "prefabricated" it is to be understood that the basic housing 8 is already formed at the connections 2 , 3, for example, by means of injection molding, before the semiconductor body is mounted on the connection 2 . The basic housing 8 is made of plastic, for example, and the recess 9 is designed as a reflector 17 (if necessary by suitable coating of the inner walls of the recess 9 ). Such basic housing 8 who has long been used in particular for surface-mountable light-emitting diodes (SMD-TOPLEDs) and will therefore not be explained in more detail here. Before the semiconductor bodies are assembled, they are applied to a conductor strip (leadframe) having the electrical connections 2 , 3 .

Die Ausnehmung 9 ist von einer Lumineszenzkonversionsschicht 4, beispielsweise eine separat hergestellte und auf dem Grundge­ häuse 8 befestigte Abdeckplatte 17 aus Kunststoff abgedeckt. Als geeignete Materialien für die Lumineszenzkonversionsschicht 4 kommen wiederum die weiter oben im allgemeinen Teil der Be­ schreibung genannten Kunststoffe in Verbindung mit den dort ge­ nannten Farbstoffen in Frage. Die Ausnehmung 9 kann sowohl mit einem transparenten Kunststoff oder mit Gas gefüllt als auch mit einem Vakuum versehen sein.The recess 9 is covered by a luminescence conversion layer 4 , for example a separately produced and fixed on the Grundge housing 8 cover plate 17 made of plastic. Suitable materials for the luminescence conversion layer 4 are again the plastics mentioned above in the general part of the description in connection with the dyes mentioned therein. The recess 9 can be filled with a transparent plastic or with gas or provided with a vacuum.

Ebenso ist es möglich, daß die Ausnehmung 9, wie in Fig. 10 gezeigt, mit einem mit Lumineszenzfarbstoff versehenen Kunst­ stoff o. ä., d. h. mit einer Lumineszenzumhüllung 5 gefüllt ist, die das Lumineszenzkonversionselement bildet. Eine Abdeck­ platte 17 und/oder eine linsenförmige Abdeckung 29 kann dann auch weggelassen sein.It is also possible that the recess 9 , as shown in Fig. 10, with a luminescent dye provided plastic or the like, ie filled with a luminescent coating 5 , which forms the luminescence conversion element. A cover plate 17 and / or a lenticular cover 29 can then also be omitted.

Wie bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 kann auch hier zur besseren Auskopplung des Lichtes aus der Lumineszenzkonversi­ onsschicht 4 auf dieser eine linsenförmige Abdeckung 29 (gestrichelt eingezeichnet) vorgesehen sein, die eine Totalre­ flexion der Strahlung innerhalb der Lumineszenzkonversions­ schicht 4 reduziert. Diese Abdeckung 29 kann aus transparentem Kunststoff bestehen und auf die Lumineszenzkonversionsschicht 4 beispielsweise aufgeklebt oder zusammen mit der Lumineszenzkon­ versionsschicht 4 einstückig ausgebildet sein.As the light from the Lumineszenzkonversi may also in the embodiment according to Fig. 2 to better outcoupling onsschicht 4 be provided on this a lenticular cover 29 (shown in dashed lines), the flexion a Totalre of the radiation within the luminescence layer 4 is reduced. This cover 29 may be made of transparent plastic and glued to the luminescence conversion layer 4, for example, or together with the version Lumineszenzkon layer 4 may be formed integrally.

In Fig. 4 ist als weiteres Ausführungsbeispiel eine sogenannte Radialdiode dargestellt. Hierbei ist der Halbleiterkörper 1 in einem als Reflektor ausgebildeten Teil 16 des ersten elektri­ schen Anschlusses 2 beispielsweise mittels Löten oder Kleben be­ festigt. Auch derartige Gehäusebauformen sind aus der Leuchtdi­ odentechnik wohlbekannt und bedürfen von daher keiner näheren Erläuterung.A so-called radial diode is shown in FIG. 4 as a further exemplary embodiment. Here, the semiconductor body 1 in a part 16 formed as a reflector of the first electrical connection 2 is fastened, for example, by means of soldering or gluing. Housing types of this type are also well known from LED technology and therefore require no further explanation.

Bei dem Ausführungsbeispiel von Fig. 4 ist der Halbleiterkör­ per 1 von einer transparenten Umhüllung 15 umgeben, die wie beim zweitgenannten Ausführungsbeispiel (Fig. 2) keine Wellen­ längenänderung der von dem Halbleiterkörper 1 ausgesandten Strahlung bewirkt und beispielsweise aus einem herkömmlich in der Leuchtdiodentechnik verwendeten transparenten Epoxidharz bestehen kann.In the embodiment of FIG. 4, the semiconductor body is surrounded by 1 by a transparent sheathing 15 which, like in the second embodiment ( FIG. 2), does not cause any change in the wavelength of the radiation emitted by the semiconductor body 1 and, for example, from a transparent material used conventionally in light-emitting diode technology Epoxy resin can exist.

Auf dieser transparenten Umhüllung 15 ist eine Lumineszenzkon­ versionsschicht 4 aufgebracht. Als Material hierfür kommen bei­ spielsweise wiederum die im Zusammenhang mit den vorgenannten Ausführungsbeispielen angeführten Kunststoffe in Verbindung mit den dort genannten Farbstoffen in Frage.A luminescence conversion layer 4 is applied to this transparent envelope 15 . The materials mentioned in connection with the above-mentioned exemplary embodiments in conjunction with the dyes mentioned are suitable as materials for this in turn.

Der gesamte Aufbau, bestehend aus Halbleiterkörper 1, Teilbe­ reiche der elektrischen Anschlüsse 2, 3, transparente Umhüllung 15 und Lumineszenzkonversionsschicht 4, ist unmittelbar von ei­ ner weiteren transparenten Umhüllung 10 umschlossen, die keine Wellenlängenänderung der durch die Lumineszenzkonversions­ schicht 4 hindurchgetretenen Strahlung bewirkt. Sie besteht beispielsweise wiederum aus einem herkömmlich in der Leuchtdi­ odentechnik verwendeten transparenten Epoxidharz.The entire structure, consisting of semiconductor body 1 , partial areas of the electrical connections 2 , 3 , transparent sheathing 15 and luminescence conversion layer 4 , is directly enclosed by a further transparent sheathing 10 which does not cause any change in the wavelength of the radiation 4 which has passed through the luminescence conversion layer 4 . It consists, for example, of a transparent epoxy resin conventionally used in LED technology.

Das in Fig. 5 gezeigte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem von Fig. 4 im wesentlichen dadurch, daß die freien Oberflächen des Halbleiterkörpers 1 unmittelbar von einer Lumi­ neszenzkonversionsumhüllung 5 bedeckt sind, die wiederum von einer weiteren transparenten Umhüllung 10 umgeben ist. In Fig. 5 ist weiterhin beispielhaft ein Halbleiterkörper 1 darge­ stellt, bei dem anstelle des Unterseitenkontaktes ein weiterer Kontakt auf der Halbleiterschichtenfolge 7 angebracht ist, der mittels eines zweiten Bonddrahtes 14 mit dem zugehörigen elek­ trischen Anschluß 2 oder 3 verbunden ist. Selbstverständlich sind derartige Halbleiterkörper 1 auch bei allen anderen hierin beschriebenen Ausführungsbeispielen einsetzbar. Umgekehrt ist natürlich auch bei dem Ausführungsbeispiel von Fig. 5 ein Halbleiterkörper 1 gemäß den vorgenannten Ausführungsbeispielen verwendbar.The embodiment shown in FIG. 5 differs from that of FIG. 4 essentially in that the free surfaces of the semiconductor body 1 are directly covered by a luminescence conversion envelope 5 , which in turn is surrounded by a further transparent envelope 10 . In Fig. 5 is further exemplified a semiconductor body 1 Darge, in which instead of the bottom contact another contact is attached to the semiconductor layer sequence 7, which is connected by means of a second bonding wire 14 with the associated electrical connection 2 or 3 . Of course, such semiconductor bodies 1 can also be used in all the other exemplary embodiments described here. Conversely, a semiconductor body 1 according to the above-mentioned embodiments can of course also be used in the embodiment of FIG. 5.

Der Vollständigkeit halber sei an dieser Stelle angemerkt, daß selbstverständlich auch bei der Bauform nach Fig. 5 analog zu dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 eine einstückige Lumines­ zenzkonversionsumhüllung 5, die dann an die Stelle der Kombina­ tion aus Lumineszenzkonversionsumhüllung 5 und weiterer trans­ parenter Umhüllung 10 tritt, verwendet sein kann.The sake of completeness should be noted at this point that of course also in the design of FIG. 5 analogously to the exemplary embodiment of FIG. 1 is a one-piece Luminescent zenzkonversionsumhüllung 5, which then takes the place of the combina tion of luminescence conversion encapsulation 5 and further trans Parenter envelope 10 occurs, can be used.

Bei dem Ausführungsbeispiel von Fig. 6 ist eine Lumineszenz­ konversionsschicht 4 (mögliche Materialien wie oben angegeben) direkt auf den Halbleiterkörper 1 aufgebracht. Dieser und Teil­ bereiche der elektrischen Anschlüsse 2, 3 sind von einer weite­ ren transparenten Umhüllung 10 umschlossen, die keine Wellen­ längenänderung der durch die Lumineszenzkonversionsschicht 4 hindurchgetretenen Strahlung bewirkt und beispielsweise aus ei­ nem in der Leuchtdiodentechnik verwendbaren transparenten Epoxidharz gefertigt ist. In the embodiment of FIG. 6, a luminescence conversion layer 4 (possible materials as specified above) is applied directly to the semiconductor body 1 . This and part areas of the electrical connections 2 , 3 are enclosed by a wide transparent envelope 10 , which does not change the wavelength of the radiation that has passed through the luminescence conversion layer 4 and is made, for example, from a transparent epoxy resin that can be used in light-emitting diode technology.

Solche, mit einer Lumineszenzkonversionsschicht 4 versehenen Halbleiterkörper 1 ohne Umhüllung können natürlich vorteilhaf­ terweise in sämtlichen aus der Leuchtdiodentechnik bekannten Gehäusebauformen (z. B. SMD-Gehäuse, Radial-Gehäuse (man ver­ gleiche Fig. 5)) verwendet sein.Such, provided with a luminescence conversion layer 4 semiconductor body 1 without cladding can of course advantageously be used in all housing designs known from light-emitting diode technology (e.g. SMD housing, radial housing (see FIG. 5)).

Bei sämtlichen der oben beschriebenen Ausführungsbeispielen kann zur Optimierung des Farbeindrucks des abstrahlten Lichts sowie zur Anpassung der Abstrahlcharakteristik das Lumineszenz­ konversionselement (Lumineszenzkonversionsumhüllung 5 oder Lu­ mineszenzkonversionsschicht 4), ggf. die transparente Umhüllung 15, und/oder ggf. die weitere transparente Umhüllung 10 lichtstreuende Partikel, sogenannte Diffusoren aufweisen. Bei­ spiele für derartige Diffusoren sind mineralische Füllstoffe, insbesondere CaF₂, TiO₂, SiO₂, CaCO₃ oder BaSO₄ oder auch orga­ nische Pigmente. Diese Materialien können auf einfache Weise den o.g. Kunststoffen zugesetzt werden.In all of the exemplary embodiments described above, the luminescence conversion element (luminescence conversion envelope 5 or luminescence conversion layer 4 ), possibly the transparent envelope 15 , and / or possibly the further transparent envelope 10 can be light-scattering particles in order to optimize the color impression of the emitted light and to adapt the emission characteristic , have so-called diffusers. Examples of such diffusers are mineral fillers, in particular CaF₂, TiO₂, SiO₂, CaCO₃ or BaSO₄ or organic pigments. These materials can easily be added to the above-mentioned plastics.

In den Fig. 7 und 8 sind abschließend Emissionsspektren ei­ nes blaues Licht abstrahlenden Halbleiterkörpers (Fig. 8) (Lumineszenzmaximum bei λ ∼ 430 nm) bzw. eines mittels eines solchen Halbleiterkörpers hergestellten weiß leuchtenden erfin­ dungsgemäßen Halbleiterbauelements (Fig. 9) gezeigt. An der Abszisse ist jeweils die Wellenlänge λ in nm und auf der Ordina­ te ist jeweils eine relative Elektrolumineszenz (EL) -Intensität aufgetragen. FIGS. 7 and 8 finally show emission spectra of a semiconductor body that emits blue light ( FIG. 8) (luminescence maximum at λ ∼ 430 nm) or of a white luminous semiconductor component according to the invention produced by means of such a semiconductor body ( FIG. 9). The wavelength λ is in nm on the abscissa and a relative electroluminescence (EL) intensity is plotted on the ordina te.

Von der vom Halbeiterkörper ausgesandten Strahlung nach Fig. 7 wird nur ein Teil in einen längerwelligen Wellenlängenbereich konvertiert, so daß als Mischfarbe weißes Licht entsteht. Die gestrichelte Linie 30 in Fig. 8 stellt ein Emissionsspektrum von einem erfindungsgemäßen Halbleiterbauelement dar, das Strahlung aus zwei komplementären Wellenlängenbereichen (Blau und Gelb) und damit weißes Licht aussendet. Das Emissionsspek­ trum weist hier bei Wellenlängen zwischen ca. 400 und ca. 430 nm (Blau) und zwischen ca. 550 und ca. 580 nm (Gelb) je ein Ma­ ximum auf. Die durchgezogene Linie 31 repräsentiert das Emissi­ onsspektrum eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements, das die Farbe Weiß aus drei Wellenlängenbereichen (additives Farb­ tripel aus Blau, Grün und Rot) mischt. Das Emissionsspektrum weist hier beispielsweise bei den Wellenlängen von ca. 430 nm (Blau), ca. 500 nm (Grün) und ca. 615 nm (Rot) je ein Maximum auf.Only a part of the radiation emitted by the semiconductor body according to FIG. 7 is converted into a longer-wave wavelength range, so that white light is produced as a mixed color. The dashed line 30 in FIG. 8 represents an emission spectrum from a semiconductor component according to the invention, which emits radiation from two complementary wavelength ranges (blue and yellow) and thus white light. The emission spectrum has a maximum at wavelengths between approx. 400 and approx. 430 nm (blue) and between approx. 550 and approx. 580 nm (yellow). The solid line 31 represents the emission spectrum of a semiconductor component according to the invention, which mixes the color white from three wavelength ranges (additive color triple from blue, green and red). The emission spectrum has a maximum here, for example, at the wavelengths of approx. 430 nm (blue), approx. 500 nm (green) and approx. 615 nm (red).

Desweiteren ist in Fig. 11 ein Emissionsspektrum eines erfin­ dungsgemäßen Halbleiterbauelements dargestellt, das mischfarbi­ ges Licht aus blauem Licht (Maximum bei einer Wellenlänge von ca. 470 nm) und rotem Licht (Maximum bei einer Wellenlänge von ca. 620 nm) abstrahlt. Der Gesamtfarbeindruck des abgestrahlten Lichtes für das menschliche Auge ist Magenta. Das vom Halblei­ terkörper abgestrahlte Emissionsspektrum entspricht hier wie­ derum dem von Fig. 7.Furthermore, an emission spectrum of OF INVENTION to the invention the semiconductor device is in Fig. 11, radiates the mischfarbi ges of blue light (maximum at a wavelength of about 470 nm) and red light (maximum at a wavelength of about 620 nm). The overall color impression of the emitted light for the human eye is magenta. The emission spectrum emitted by the semiconductor body corresponds here to that of FIG. 7.

Claims (25)

1. Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit einem Strahlung aussendenden Halbleiterkörper (1), mit mindestens einem ersten und einem zweiten elektrischen Anschluß (2, 3), die mit dem Halbleiterkörper (1) elektrisch leitend verbunden sind, und mit einem Lumineszenzkonversionselement, dadurch gekennzeichnet,
daß der Halbleiterkörper (1) eine Halbleiterschichtenfolge (7), die eine elektromagnetische Strahlung der Wellenlänge λ von 520 nm aus sendet und
daß das Lumineszenzkonversionselement Strahlung eines er­ sten spektralen Teilbereiches der von dem Halbleiterkörper (1) ausgesandten, aus einem ersten Wellenlängenbereich stammenden Strahlung in Strahlung eines zweiten Wellenlängenbereiches um­ wandelt, derart, daß das Halbleiterbauelement Strahlung aus ei­ nem zweiten spektralen Teilbereich des ersten Wellenlängenbe­ reiches und Strahlung des zweiten Wellenlängenbereiches aussen­ det.1. Light-emitting semiconductor component with a radiation-emitting semiconductor body ( 1 ), with at least a first and a second electrical connection ( 2 , 3 ), which are electrically conductively connected to the semiconductor body ( 1 ), and with a luminescence conversion element, characterized in that
that the semiconductor body ( 1 ) a semiconductor layer sequence ( 7 ) which sends an electromagnetic radiation of wavelength λ of 520 nm and
that the luminescence conversion element converts radiation from a first spectral sub-region of the radiation emitted by the semiconductor body ( 1 ), originating from a first wavelength range into radiation of a second wavelength range, such that the semiconductor component emits radiation from a second spectral sub-region of the first wavelength range and radiation of the second wavelength range det. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Lumineszenzkonversionselement Strahlung eines er­ sten spektralen Teilbereiches der von dem Halbleiterkörper (1) ausgesandten, aus einem ersten Wellenlängenbereich stammenden Strahlung in Strahlung mehrerer zweiter Wellenlängenbereiche um­ wandelt, derart, daß das Halbleiterbauelement Strahlung aus ei­ nem zweiten spektralen Teilbereich des ersten Wellenlängenbe­ reiches und Strahlung der zweiten Wellenlängenbereiche aus sen­ det.2. A semiconductor device according to claim 1, characterized in that the luminescence conversion element converts radiation from a first spectral portion of the semiconductor body ( 1 ) emitted from a first wavelength range to radiation in a plurality of second wavelength ranges, in such a way that the semiconductor component emits radiation in a second spectral subrange of the first wavelength range and radiation of the second wavelength ranges from sen det. 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement Strahlung mehrerer erster spektraler Teilbereiche der von dem Halbleiter­ körper (1) ausgesandten, aus einem ersten Wellenlängenbereich stammenden Strahlung in Strahlung mehrerer zweiter Wellenlängen­ bereiche umwandelt, derart, daß das Halbleiterbauelement Strah­ lung aus mehreren zweiten spektralen Teilbereichen des ersten Wellenlängenbereiches und Strahlung der zweiten Wellenlängenbe­ reiche aussendet.3. A semiconductor device according to claim 1 or 2, characterized in that the luminescence conversion element converts radiation from a plurality of first spectral subregions of the semiconductor body ( 1 ) emitted from a first wavelength range into radiation of a plurality of second wavelengths, such that the semiconductor component Radiation from several second spectral sub-ranges of the first wavelength range and radiation of the second wavelength ranges emits. 4. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da­ durch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (1) eine aktive Schicht aus GaxIn1-xN oder GaxAl1-xN aufweist.4. Semiconductor component according to one of claims 1 to 3, characterized in that the semiconductor body ( 1 ) has an active layer of Ga x In 1-x N or Ga x Al 1-x N. 5. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 4, da­ durch gekennzeichnet, daß als Lumineszenzkonversionselement über oder auf dem Halbleiterkörper (1) mindestens eine Lumines­ zenzkonversionsschicht (4) vorgesehen ist.5. Semiconductor component according to one of claims 1 to 4, characterized in that at least one luminescence conversion layer ( 4 ) is provided as a luminescence conversion element above or on the semiconductor body ( 1 ). 6. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da­ durch gekennzeichnet, daß als Lumineszenzkonversionselement ei­ ne Lumineszenzkonversionsumhüllung (5) vorgesehen ist, die zu­ mindest einen Teil des Halbleiterkörpers (1) und Teilbereiche der elektrischen Anschlüsse (2, 3) umschließt.6. Semiconductor component according to one of claims 1 to 5, characterized in that a luminescence conversion element ( 5 ) is provided as the luminescence conversion element, which encloses at least a part of the semiconductor body ( 1 ) and parts of the electrical connections ( 2 , 3 ). 7. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 6, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement mit einem oder mehreren Lumineszenzfarbstoffen (6) versehen ist.7. Semiconductor component according to one of claims 1 to 6, characterized in that the luminescence conversion element is provided with one or more luminescent dyes ( 6 ). 8. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 7, da­ durch gekennzeichnet, daß der bzw. die zweiten Wellenlängenbe­ reiche zumindest teilweise größere Wellenlängen λ aufweist als der bzw. die ersten Wellenlängenbereiche.8. Semiconductor component according to one of claims 1 to 7, there characterized in that the second wavelength (s) has at least partially longer wavelengths λ than the first wavelength range or ranges. 9. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 oder 4 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite spektrale Teilbereich des ersten Wellenlängenbereiches und der zweite Wellenlängenbe­ reich zumindest teilweise zueinander komplementär sind, so daß mischfarbiges, insbesondere weißes Licht erzeugt wird. 9. Semiconductor component according to one of claims 1 or 4 to 8, characterized in that the second spectral sub-range of the first wavelength range and the second wavelength range rich are at least partially complementary to each other, so that mixed-colored, especially white light is generated.   10. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 2 bis 8, da­ durch gekennzeichnet, daß ein zweiter spektraler Teilbereich dem ersten Wellenlängenbereiches und zwei zweite Wellenlängen­ bereiche ein additives Farbtripel ergeben.10. Semiconductor component according to one of claims 2 to 8, there characterized in that a second spectral subrange the first wavelength range and two second wavelengths areas result in an additive color triple. 11. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 10, da­ durch gekennzeichnet, daß die vom Halbleiterkörper (1) ausge­ sandte Strahlung bei λ = 430 nm oder bei λ = 450 nm ein Lumi­ neszenz-Maximum aufweist.11. Semiconductor component according to one of claims 1 to 10, characterized in that the radiation emitted from the semiconductor body ( 1 ) has a luminescence maximum at λ = 430 nm or at λ = 450 nm. 12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5 und einem der Ansprü­ che 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers (1) von einer transparen­ ten Umhüllung (15) umgeben ist und daß auf der transparenten Umhüllung (15) eine Lumineszenzkonversionsschicht (4) aufge­ bracht ist.12. A semiconductor device according to claim 5 and one of claims 7 to 11, characterized in that at least part of the surface of the semiconductor body ( 1 ) is surrounded by a transparent envelope ( 15 ) and that on the transparent envelope ( 15 ) a luminescence conversion layer ( 4 ) is brought up. 13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5 und einem der Ansprü­ che 7 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest auf einem Teil der Oberfläche des Halbleiterkörpers (1) eine Lumineszenz­ konversionsschicht (4) aufgebracht ist.13. A semiconductor device according to claim 5 and one of claims 7 to 12, characterized in that a luminescence conversion layer ( 4 ) is applied to at least part of the surface of the semiconductor body ( 1 ). 14. Halbleiterbauelement nach Anspruch 5 und einem der Ansprü­ che 7 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (1) in einer Ausnehmung (9) eines Grundgehäuses (8) angeordnet ist und daß die Ausnehmung (9) mit einer eine Lumineszenzkon­ versionsschicht (4) aufweisenden Abdeckschicht versehen ist.14. Semiconductor component according to claim 5 and one of claims 7 to 11, characterized in that the semiconductor body ( 1 ) is arranged in a recess ( 9 ) of a basic housing ( 8 ) and that the recess ( 9 ) with a luminescence conversion layer ( 4 ) has a covering layer. 15. Halbleiterbauelement einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterkörper (1) in einer Ausneh­ mung (9) eines Grundgehäuses (8) angeordnet ist und daß die Ausnehmung (9) zumindest teilweise mit dem Lumineszenzkonversi­ onselement gefüllt ist. 15. Semiconductor component according to one of claims 1 to 14, characterized in that the semiconductor body ( 1 ) in a recess ( 9 ) of a basic housing ( 8 ) is arranged and that the recess ( 9 ) is at least partially filled with the luminescence conversion element. 16. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 15, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement mehrere Schichten mit unterschiedlichen Wellenlängenkonversi­ onseigenschaften aufweist.16. Semiconductor component according to one of claims 1 to 15, there characterized in that the luminescence conversion element several layers with different wavelength conversions has on properties. 17. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 16, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement or­ ganische Farbstoffmoleküle in einer Kunststoff-Matrix aufweist, die insbesondere aus Silikon-, Thermoplast- oder Duroplastmate­ rial besteht.17. The semiconductor device as claimed in one of claims 1 to 16 characterized in that the luminescence conversion element or has ganic dye molecules in a plastic matrix, which in particular made of silicone, thermoplastic or thermoset mate rial exists. 18. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17, dadurch gekennzeich­ net, daß das Lumineszenzkonversionselement organische Farb­ stoffmoleküle in einer Epoxidharz-Matrix aufweist.18. A semiconductor device according to claim 17, characterized net that the luminescence conversion element organic color has substance molecules in an epoxy resin matrix. 19. Halbleiterbauelement nach Anspruch 17, dadurch gekennzeich­ net, daß das Lumineszenzkonversionselement organische Farb­ stoffmoleküle in einer Polymethylmetacrylat-Matrix aufweist.19. A semiconductor device according to claim 17, characterized net that the luminescence conversion element organic color Has substance molecules in a polymethyl methacrylate matrix. 20. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 19, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement or­ ganische Farbstoffmoleküle mit und ohne Wellenlängenkonversi­ onswirkung aufweist.20. Semiconductor component according to one of claims 1 to 19, there characterized in that the luminescence conversion element or ganic dye molecules with and without wavelength conversion has an effect. 21. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 20, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement und oder eine transparente Umhüllung (10, 15) lichtstreuende Parti­ kel aufweist.21. Semiconductor component according to one of claims 1 to 20, characterized in that the luminescence conversion element and or a transparent envelope ( 10 , 15 ) has light-scattering particles. 22. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 21, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement mit einem oder mehreren lumineszierenden 4f-metallorganischen Ver­ bindungen versehen ist. 22. Semiconductor component according to one of claims 1 to 21, there characterized in that the luminescence conversion element with one or more luminescent 4f organometallic ver is provided.   23. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 22, da­ durch gekennzeichnet, daß das Lumineszenzkonversionselement und oder eine transparente Umhüllung (10, 15) mit mindestens einem im Blauen lumineszierenden Lumineszenzfarbstoff versehen ist.23. Semiconductor component according to one of claims 1 to 22, characterized in that the luminescence conversion element and or a transparent envelope ( 10 , 15 ) is provided with at least one luminescent dye luminescent in blue. 24. Halbleiterbauelement nach einem der Ansprüche 1 bis 23, da­ durch gekennzeichnet, daß nur ein einziger Halbleiterkörper (1) vorgesehen ist.24. Semiconductor component according to one of claims 1 to 23, characterized in that only a single semiconductor body ( 1 ) is provided. 25. Verwendung einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 24 in einer vollfarbtauglichen LED- Anzeigevorrichtung.25. Use of a plurality of semiconductor components according to one of claims 1 to 24 in a full-color suitable LED Display device.
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