DE19619353A1 - Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles sowie Anordnung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles sowie AnordnungInfo
- Publication number
- DE19619353A1 DE19619353A1 DE19619353A DE19619353A DE19619353A1 DE 19619353 A1 DE19619353 A1 DE 19619353A1 DE 19619353 A DE19619353 A DE 19619353A DE 19619353 A DE19619353 A DE 19619353A DE 19619353 A1 DE19619353 A1 DE 19619353A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- component
- waveguide
- substrate
- grooves
- cover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/36—Mechanical coupling means
- G02B6/3628—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers
- G02B6/3648—Supporting carriers of a microbench type, i.e. with micromachined additional mechanical structures
- G02B6/3652—Supporting carriers of a microbench type, i.e. with micromachined additional mechanical structures the additional structures being prepositioning mounting areas, allowing only movement in one dimension, e.g. grooves, trenches or vias in the microbench surface, i.e. self aligning supporting carriers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/30—Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/36—Mechanical coupling means
- G02B6/3628—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers
- G02B6/3684—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the manufacturing process of surface profiling of the supporting carrier
- G02B6/3696—Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the manufacturing process of surface profiling of the supporting carrier by moulding, e.g. injection moulding, casting, embossing, stamping, stenciling, printing, or with metallic mould insert manufacturing using LIGA or MIGA techniques
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/36—Mechanical coupling means
- G02B6/38—Mechanical coupling means having fibre to fibre mating means
- G02B6/3801—Permanent connections, i.e. wherein fibres are kept aligned by mechanical means
- G02B6/3803—Adjustment or alignment devices for alignment prior to splicing
Description
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung
eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles mit
Faserankopplungen unter Verwendung eines Substratbauteiles,
welches abgeformte Strukturen aufweist, und eines
Deckelbauteiles, welches durch Abformung vom Substratbauteil
gewonnen ist, sowie einer entsprechenden Anordnung.
Aus der DE 42 17 553 A1 ist ein Wellenleiterbauteil bekannt,
welches Faserankopplungen aufweist. Es besteht aus einem
Basisteil aus polymeren Material und einem Deckelbauteil,
welches als Negativform des Basisteiles aufgebaut ist. An
den äußeren Enden sind V-nutförmige Faserankoppelbereiche
vorgesehen. Im Mittelbereich des Basisteiles ist eine
Wellenleitervertiefung vorgesehen, die mit einem optischen
Wirkstoff, z. B. einem UV-aushärtenden Kleber versehen wird.
Fig. 1 zeigt ein ähnliches Wellenleiterbauteil. Die
anzukoppelnden Fasern werden zuvor ausgerichtet
(Prealignment Fixture). Für die Wellenleiterverklebung
werden entweder PMMA-Abdeckfolien (Polymeric Cover Foil)
verwendet, die nach Aushärten des Kernmonomers mit dem
Substrat, das die Strukturen trägt, verklebt werden
(Polymeric glue). Hierzu wird ein Kernmonomerkleber in die
Wellenleitervertiefungen getropft, mit einer Folie auf unter
1 µm Dicke ausgedrückt und anschließend durch UV- oder
thermische Polymerisation ausgehärtet. Nach der
Polymerisation hat das Kernpolymer einen ca. 5*10-3 höheren
Brechungsindex und stellt damit mit dem umgebenden
Polymersubstrat einen dielektrischen Wellenleiter dar. Es
können auch die unter dem Handelsnamen Mylar (TM) bekannten
Folien verwendet werden, welche nach dem Aushärten des
Kernmonomers abgezogen werden können (Strip-Off-Deckel).
Diese Folien müssen auf der Länge auf ca. +/- 10 µm genau
geschnitten werden. Wie in Fig. 1 dargestellt, werden die
anzukoppelnden Fasern vor der Wellenleiterverklebung in die
V-Nuten eingelegt und durch das überlaufende Kernmonomer an
das Substrat geklebt.
Das Verfahren mit den Maßnahmen gemäß Patentanspruch 1
ermöglicht es, daß die Prozesse der Faserjustage und der
Wellenleiterverklebung nicht wie bei den Lösungen gemäß dem
Stand der Technik zeitgleich durchgeführt werden müssen. Das
Kernmaterial an der Substratoberfläche kann auf unter 1 µm
Dicke ausgedrückt werden, ohne daß die passive Faserjustage
zerstört oder gestört wird.
Im Gegensatz zu den zuvor aufgezeigten Lösungen, bei denen
die Stirnseiten der anzukoppelnden Glasfasern von demselben
Monomer (Kernmonomer) verklebt werden, welches auch die
Wellenleiterkerne bildet, können die Prozesse der
Stirnseitenverklebung der Fasern (Faserjustage) von der
Wellenleiterbildung zeitlich getrennt werden, wodurch sowohl
die Faserjustierung und Faserfixierung als auch die
Wellenleiterstrukturbildung verbessert werden kann. Auch
können die Materialien hinsichtlich der unterschiedlichen
Prozesse optimiert werden. Probleme hinsichtlich
Temperaturwechselbelastung, wie sie sich bei den bekannten
Lösungen, insbesondere durch Faserabriß manifestierten,
können vermieden werden.
Zuzuschneidende Foliendeckel wie bei dem in Fig. 1
dargestellten Beispiel sind entbehrlich, da der Foliendeckel
durch ein abgeformtes mikrostrukturiertes Deckelbauteil
ersetzt werden kann. Das Verfahren nach der Erfindung eignet
sich sowohl für zu verklebende, d. h. auf dem
Substratbauteil verbleibende Deckel, wie auch für
Strip-Off-Deckel. Die Deckelbauteile müssen nicht manuell mit hoher
Präzision zugeschnitten werden, sondern passen automatisch,
da durch einen Abformprozeß von gleicher Maske stammend, auf
wenige µm hochpräzise auf das zugehörige Substratbauteil.
Die wesentliche, dabei angewandte Konstruktionsidee ist die
Möglichkeit, über eine Dreifachumkopiertechnik in
Nickelgalvanik Positiv- und Negativformen herstellen zu
können.
Fig. 2 zeigt eine Silizium-Masterstruktur für die
Herstellung von Wellenleiterbauteilen nach der Erfindung,
Fig. 3 zeigt ein zur Masterstruktur formgleiches
Substratbauteil,
Fig. 4 und Fig. 5 zeigen Darstellungen zur Erläuterung der
nickelgalvanischen Umkopiertechnik,
Fig. 6 zeigt die Oberfläche eines Siliziumwafers für die
Herstellung erfindungsgemäßer Wellenleiterbauteile,
Fig. 7 zeigt Querschnitte durch die Silizium-Masterstruktur
und durch das Substratbauteil,
Fig. 8 zeigt das Einrasten eines Strip-Off-Deckelbauteiles
in ein Polymersubstrat,
Fig. 9 zeigt ein Kunststoff-Strip-Off-Deckelbauteil
abgeformt von zweiter Generation Nickelblech und
Fig. 10 zeigt einen Formeinsatz zur Herstellung von
mikrostrukturierten Deckelbauteilen, die auf dem
Substratbauteil verbleiben.
Polymersubstrate für Wellenleiterbauelemente werden
beispielsweise mit 6*6 µm Wellenleiternuten und effektiv 67 µm
tiefen Faserführungsnuten hergestellt, die zur
Weiterverarbeitung mit einem höherbrechenden, polymeren
Kernmaterial verklebt werden müssen. Damit ein monomodiger
optischer Wellenleiter entsteht, muß das Kernmaterial an der
Substratoberfläche auf unter 1 µm Dicke ausgedrückt werden,
wobei aber die passive Faserjustage nicht gestört bzw.
zerstört werden darf. Die vorliegende Erfindung beschreibt
ein Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen
Wellenleiterbauteiles mit einer besonders günstigen
Wellenleiterverklebung.
Fig. 2 zeigt eine Silizium-Masterstruktur und Fig. 3 ein
Substratbauteil 1, welches stellvertretend sowohl für ein
passives (nur Wellenleiternuten) als auch ein aktives (mit
eingebetteten elektrooptischen Bauteilen oder
Heizelektroden) stehen kann. Neben den V-Nutbereichen 6 für
die Faserankopplungen ist der Wellenleiterstrukturbereich 3
zu sehen, der sich zwischen zwei im wesentlichen quer zu den
Faserankopplungsbereichen - V-Nuten 6 - angeordneten
parallelen Nuten 4, 4′ erstreckt. Auf der Masterstruktur
(Fig. 2) sind alle Strukturen mit Ausnahme der Sägeschnitte,
die die Nuten 4, 4′ darstellen, über eine Belichtungsmaske
erzeugt und damit sehr genau reproduzierbar. Da der
Sägeschnitt über den gesamten Silizium-Wafer hinwegführt und
in Schnittrichtung praktisch keine Abweichung von der
Parallelität aufweist, kann davon ausgegangen werden, daß
der Abstand von Sägeschnitt zu Sägeschnitt über den Wafer
immer gleich ist.
Die Fig. 4 und 5 dienen zur Erläuterung der
nickelgalvanischen Umkopiertechnik. Fig. 4 zeigt durch
galvanische Abformung gewonnenes 1. bzw. 3. Generation
Nickelblech, welches ohne die Stege im
Wellenleiterstrukturbereich als Deckelbauteil 2 verwendbar
ist. Die Stege 5, 5, entsprechen den Nuten 4, 4′ des
Substratbauteiles 1 und greifen in diese beim Zusammenfügen
paßgenau ein.
Fig. 5 zeigt ein 2. Generation-Nickelblech aus dem ein
Strip-Off-Deckel aus Kunststoff abgeformt werden kann.
Die Erfindung ermöglicht drei verschiedene
Konstruktionsverfahren zur Herstellung mikrostrukturierter
Deckelbauteile, die alle drei auf dem gleichen Konzept
beruhen:
- i. Mikrostrukturierte Strip-Off-Deckel in einem 1. oder 3. Generation Nickelblech,
- ii. Mikrostrukturierte Strip-Off-Deckel aus Kunststoff, abgeformt von einem 2. Generation Nickelblech,
- iii. Mikrostrukturierte, am Substrat verbleibender Deckel aus Kunststoff, abgeformt von einem feinmechanisch nachgearbeiteten 2. Generation Nickelblech.
Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, daß 1., 2. und 3.
Generation Nickelblech zueinander exakte, besser als µm
genaue Replikate sind, die sich nur durch eine Positiv-Ne
gativwandlung zwischen zwei benachbarten Generationen
unterscheiden.
Fig. 6 zeigt einen strukturierten Silizium-Wafer mit
folgenden Eigenschaften:
- 1) in allen vier sichtbaren Kavitäten (Bereiche auf einem Wafer, in dem ein Substrat oder ein Deckelbauteil enthalten ist) sind die sog. V-Nutbereiche (oberhalb und unterhalb der Sägeschnitte) sowie die Tieferlegungen (der Bereich einer Kavität liegt gegenüber der Silizium-Oberfläche auf einem ca. 200 µm hohem Mesa, genannt "Tieferlegung", weil in 1. oder 3. Generation Nickel die Mikrostruktur unter der Oberfläche liegt) identisch, da sie durch eine elektronisch erzeugte Maske und identische Prozeßschritte erzeugt wurden.
- 2) In den beiden inneren Kavitäten, z. B. Schnitt B, B′, befinden sich Wellenleiternuten, in den beiden äußeren Kavitäten, z. B. Schnitt A, A′ befinden sich keine Wellenleiternuten.
- 3) Die beiden Sägeschnitte verlaufen über den gesamten Wafer nahezu perfekt parallel, wenn auch ihr Abstand zueinander nicht genau definiert ist (Toleranz ist abhängig von der Qualität der Wafersäge.
In Fig. 7 sieht man die Konsequenz aus der oben unter 3.
genannten Eigenschaft: die Länge "X", welche den Abstand von
Sägeschnitt zu Sägeschnitt im Siliziummaster in den
Bereichen A, A′ und B, B′ sowie im abgeformten
Polymersubstrat angibt, ist immer gleich. Allein die
unterschiedliche Temperaturausdehnung von Metall und
Kunststoff führt zu einer Differenz; diese kann jedoch durch
Temperaturanpassung ausgeglichen werden.
Fig. 8 zeigt, wie aufgrund der geschilderten
Geometrieverhältnisse ein aus dem Bereich AA′ stammendes 3.
Generation Nickelblech präzise in die Sägeschnitte des
Polymersubstrates einrastet. Füllt man vor dem
Zusammensetzen Kernmaterial (Kernmonomerkleber) zwischen
Strip-Off-Deckel und Substrat und polymerisiert nach dem
Zusammensetzen dieses Kernmaterial, z. B. durch Wärmezufuhr,
aus, so entsteht bei richtiger Indexauswahl des
Kernmaterials ein von Sägeschnitt 4 zu Sägeschnitt 4′
reichender Wellenleiter. Der Strip-Off-Deckel läßt dabei die
Wellenleitergräben frei. Die Faserführungsnuten können nicht
von Kernmaterial gefüllt werden, da die V-Nut Bereiche 6 von
Deckelbauteil 2 und Substratbauteil positiv - negativ
identische Kopien sind, die exakt formschlüssig (Stege 5,
5′) aufeinanderliegen, insbesondere bei hohem mechanischem
Druck und einer dünnen Verchromung des Nickel-Strip-Off-Deckels
im V-Nutbereich 6.
Die Prozesse der Wellenleiterbildung im Strukturbereich und
der Ankopplung der Fasern können dadurch zeitlich getrennt
voneinander vorgenommen werden. Für die Wellenleiterbildung
wird ein Material hoher optischer Transparenz eingesetzt,
wohingegen für die Ankopplung der Fasern ein Material hoher
Festigkeit, insbesondere hinsichtlich hoher
Temperaturschockfestigkeit, einsetzbar ist.
Nachteilig zu dem zuvor geschilderten Konstruktionsverfahren
i. ist die Dauerverwendung eines teueren mikrostrukturierten
Nickelbleches als Strip-Off-Deckel. Insbesondere können am
Mikrostrukturdeckel Einschnitte, Löcher, Metallisierungen
usw. nicht ohne weiteres getestet werden, weil der
Strip-Off-Deckel aus Nickel zu wertvoll für risikobehaftete
Modifikationen ist. Beim Konstruktionsverfahren ii. wie in
Fig. 9 dargestellt, wird der Strip-Off-Deckel durch
Kunststoffabformung, z. B. durch eine thermoplastische
Abformung, von einem 2. Generation Nickel erzeugt, d. h. das
abgeformte Kunststoffteil ist abgesehen von
Geometrieveränderungen durch unterschiedliche thermische
Ausdehnung zwischen Metall und Kunststoff geometrisch
identisch mit einem 3. Generation Nickel Strip-Off-Deckel
und kann folglich genauso wie dieser eingesetzt werden, wenn
der Kunststoffwerkstoff richtig ausgewählt wurde.
Vorteilhaft an dem Konstruktionsverfahren ii. ist die
Möglichkeit, eine nahezu beliebige Menge von Strip-Off-Deckeln
im Spritzguß herzustellen. Man hat in der Fertigung
damit die Möglichkeit, für jedes Substratbauteil ein eigenes
Deckelbauteil zu verwenden und braucht den Strip-Off-Deckel
somit nicht nach jedem Einsatz zu reinigen. Eine Verchromung
des V-Nutbereiches mit dem Ziel, das Monomer aus diesem
Bereich zu verdrängen, ist wie beim Verfahren i.
vorteilhaft.
Die Konstruktionsverfahren i. und ii. erzeugen jeweils einen
sog. Strip-Off-Wellenleiter, d. h. der Wellenleiterkern
liegt zunächst ungeschützt an der Oberfläche des
Polymersubstrates und muß daher im nächsten Arbeitsschritt
mit einem Polymerfilm geschützt werden.
Das dritte Konstruktionsverfahren iii. (dargestellt in Fig.
10) verwendet ebenfalls einen Mikrostrukturdeckel. Dieser
besteht jedoch aus einem Kunststoff, der durch das
Kernmonomer verklebt wird, so daß der Deckel nach der
Wellenleiterherstellung nicht mehr abnehmbar ist. Das
Mikrostrukturdeckelbauteil 2 wird hier von einem Formeinsatz
abgeformt, der wie folgt herstellbar ist: Ausgangspunkt ist
ein 2. Generation Nickelblech, welches durch feinmechanische
Nacharbeit zu modifizieren ist. Aus dem zugehörigen 3.
Generation Nickelblech wird der V-Nutbereich inklusive des
Sägeschnittes 4, 4′ ausgeschnitten. Dieses Teil wird
nachgearbeitet, derart, daß seine Breite gerade der Breite
des später verwendeten Faserbändchens entspricht, also z. B.
für ein Achtfaserbändchen 2 mm. Das Teil wird in den
V-Nutbereich des 2. Generation Nickelbleches eingepaßt. Da
beide Teile inverse Kopien voneinander sind, verbleibt im
Sägeschnitt des 2. Generation Nickelbleches kein Spalt
(siehe Fig. 10). Anschließend erfolgt die Fixierung beider
Teile durch z. B. Punktschweißen. Dann wird der Formeinsatz
z. B. durch Flächenschleifen so nachgearbeitet, daß
idealerweise eine 59,5 µm hohe Stufe (Fig. 10) entsteht. Die
von dem Formeinsatz abgeformten Deckel, z. B. aus PMMA,
drücken die Fasern in den V-Nutbereich des Substrates und
schließen gleichzeitig den Wellenstrukturbereich 3 präzise
ab, ohne daß ein nachträgliches präzises Zusägen wie bei
herkömmlichen Methoden notwendig wäre.
Die Negativ-Positiv Abformung kann natürlich auch in
umgekehrter Reihenfolge erfolgen; d. h. als Ausgangsform
wird ein Deckelbauteil herangezogen, von welchem das
Substratbauteil abgeformt wird.
Claims (16)
1. Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen
Wellenleiterbauteiles mit Faserankopplungen unter Verwendung
eines Substratbauteiles (1), welches abgeformte Strukturen
aufweist, und eines Deckelbauteiles (2), welches durch ein
paßgenaues entsprechendes negatives bzw. positives Abbild
des Substratbauteiles mit Ausnahme der
Wellenleiterstrukturbereiche gewonnen ist, mit folgenden
Schritten:
- - das Substratbauteil (1) wird vor der Herstellung des Deckelbauteiles (2) mit Nuten im Bereich gegenüberliegender Faserankopplungen versehen, die im wesentlichen quer zu den Faserankopplungsbereichen verlaufen,
- - ein optisch leitendes Material wird in einen Strukturbereich eingebracht, welcher durch die Nuten (4, 4′) und die durch die Positiv-Negativabbildung entstehenden Stege (5, 5′) nach dem Zusammenfügen von Deckelbauteil und Substratbauteil von den übrigen Bereichen abgetrennt ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Nuten (4, 4′) durch zueinander parallele Sägeschnitte
über einen Silizium-Wafer hinweg hergestellt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß außerhalb der durch die Nuten (4, 4′) abgetrennten
Strukturbereiche (3) des Substratbauteiles (1) zueinander
formschlüssige V-Nutbereiche (6) zur Aufnahme der zum
Wellenleiterbauteil führenden Fasern vorgesehen sind.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch
gekennzeichnet, daß das Deckelbauteil (2) bzw. die zu seiner
Herstellung abgeformte Struktur gegenüber dem
Substratbauteil (1) so bearbeitet wird, daß sich im
Strukturbereich (3) zwischen Substratbauteil (1) und
Deckelbauteil (2) ein Wellenleitergraben ausbildet.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch
gekennzeichnet, daß nach dem Zusammenfügen eines
Substratbauteiles (1) und eines Deckelbauteiles (2)
insbesondere durch Einrasten der Stege (5, 5′) in die Nuten
(4, 4′), der Kernmonomerkleber in den Wellenleiterbereich
(3) eingefüllt wird und anschließend polymerisiert wird
derart, daß ein von Nut (4) zur Nut (4′) bzw. Sägeschnitt zu
Sägeschnitt reichender Wellenleiter entsteht.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß das Deckelbauteil (2) aus einem
mikrostrukturierten, aus erster oder dritten Generation
durch Abformung gewonnenem Nickelblech hergestellt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß das Deckelbauteil (2) aus einem
mikrostrukturierten Kunststoff hergestellt wird, welcher von
einem Nickelblech zweiter Generation abgeformt ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch
gekennzeichnet, daß das Deckelbauteil (2) aus einen am
Substratbauteil (1) verbleibenden Deckel aus Kunststoff
hergestellt wird, welcher von einem für die Faseraufnahme
feinmechanisch nachgearbeiteten Nickelblech zweiter
Generation abgeformt ist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß als optisch leitendes Material ein
Kernmonomerkleber in den Strukturbereich eingebracht wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß die V-Nutbereiche (6) mit einer dünnen
Chromschicht versehen werden, welche das Eindringen von
Kernmonomerkleber verhindert.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die Prozesse der Wellenleiterbildung im
Strukturbereich und der Ankopplung der Fasern zeitlich
getrennt voneinander vorgenommen werden.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch
gekennzeichnet, daß für die Wellenleiterbildung im
Strukturbereich (3) und für die Ankopplung der Fasern
unterschiedliche Materialien verwendet werden.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß
für die Wellenleiterbildung ein Material hoher optischer
Transparenz eingesetzt wird, wohingegen für die Ankopplung
der Fasern ein Material hoher Festigkeit, insbesondere
hinsichtlich Temperaturschockfestigkeit, eingesetzt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch
gekennzeichnet, daß das bzw. die Deckelbauteil/e durch
mehrfaches galvanisches und/oder kunststofftechnisches
Umkopieren von einer einzigen Masterstruktur mit zwei
durchgehenden zueinander parallelen Sägeschnitten (4, 4′)
erzeugt werden, wobei sich die Kavitäten für die
Substratabformung allein durch das Vorhandensein von
Wellenleitergräben/-stegen von den für die Deckelbauteile
(2) vorgesehenen Kavitäten unterscheiden.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch
gekennzeichnet, daß das bzw. die Deckelbauteil/e durch
mehrfaches galvanisches und/oder kunststofftechnisches
Umkopieren von Masterstrukturen hergestellt werden, bei
denen sich die für die Deckelbauteile vorgesehenen Kavitäten
von den für die Substratabformung vorgesehenen Kavitäten
allein durch das Vorhandensein von Wellenleitergräben/stegen
unterscheiden, und daß die Herstellung der Nuten (4,
4′) bzw. Stege (5, 5′) quer zu den Faserankopplungsbereichen
insbesondere durch Freiätzung oder andere mikromechanische
Verfahren derart vorgenommen wird, daß die Nuten (4, 4′) und
Stege (5, 5′) paßgenau zueinander sind.
16. Integriert optisches Wellenleiterbauteil mit
Faserankopplungen bestehend aus einem Substratbauteil (1)
und einem Deckelbauteil (2), wobei Substratbauteil (1) und
Deckelbauteil (2) zueinander entsprechende paßgenaue
negative bzw. positive Abbilder mit Ausnahme eines
Wellenleiterstrukturbereiches (3) darstellen mit folgenden
Merkmalen:
- - im wesentlichen quer zu den Faserankopplungsbereichen (6) verlaufende Nuten (4, 4′) im Substratbauteil (1), die in entsprechende paßgenaue Stege (5, 5′) im Deckelbauteil (2) eingreifen,
- - optisch leitendem Material in dem durch die Nuten (4, 4′) bzw. Stege (5, 5′) von den Faserankopplungsbereichen abgetrennten Wellenleiterstrukturbereich (3).
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19619353A DE19619353A1 (de) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles sowie Anordnung |
EP97103691A EP0807836A3 (de) | 1996-05-14 | 1997-03-06 | Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteils sowie Anordnung |
US08/854,860 US5867619A (en) | 1996-05-14 | 1997-05-12 | Integrated optical waveguide component and method of manufacture |
DE1997125471 DE19725471A1 (de) | 1996-05-14 | 1997-06-17 | Verfahren zur Herstellung eines integriert-optischen Wellenleiterbauteils |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19619353A DE19619353A1 (de) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles sowie Anordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19619353A1 true DE19619353A1 (de) | 1997-11-20 |
Family
ID=7794244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19619353A Withdrawn DE19619353A1 (de) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles sowie Anordnung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5867619A (de) |
EP (1) | EP0807836A3 (de) |
DE (1) | DE19619353A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000017688A1 (de) * | 1998-09-17 | 2000-03-30 | Harting Elektro-Optische Bauteile Gmbh & Co. Kg | Mikrostrukturierter körper sowie verfahren zu seiner herstellung |
Families Citing this family (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6304695B1 (en) | 1999-05-17 | 2001-10-16 | Chiaro Networks Ltd. | Modulated light source |
US6366720B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-04-02 | Chiaro Networks Ltd. | Integrated optics beam deflector assemblies utilizing side mounting blocks for precise alignment |
GB9919847D0 (en) * | 1999-08-20 | 1999-10-27 | British Telecomm | Alignment device |
US7068870B2 (en) * | 2000-10-26 | 2006-06-27 | Shipley Company, L.L.C. | Variable width waveguide for mode-matching and method for making |
US8022272B2 (en) | 2001-07-13 | 2011-09-20 | Sungene Gmbh & Co. Kgaa | Expression cassettes for transgenic expression of nucleic acids |
US6813023B2 (en) | 2002-01-03 | 2004-11-02 | Chiaro Nerwork Ltd. | Automatic optical inter-alignment of two linear arrangements |
US6886994B2 (en) * | 2002-07-18 | 2005-05-03 | Chiaro Networks Ltd. | Optical assembly and method for manufacture thereof |
AU2003250115B2 (en) | 2002-07-26 | 2009-03-12 | Basf Plant Science Gmbh | Inversion of the negative-selective effect of negative marker proteins using selection methods |
US6808322B2 (en) * | 2002-09-24 | 2004-10-26 | Triquint Technology Holding Co. | Devices and method of mounting |
KR100476317B1 (ko) * | 2002-10-24 | 2005-03-16 | 한국전자통신연구원 | 광결합 소자 및 그 제작 방법, 광결합 소자 제작을 위한마스터 및 그 제작 방법 |
WO2006013072A2 (en) | 2004-08-02 | 2006-02-09 | Basf Plant Science Gmbh | Method for isolation of transcription termination sequences |
EP2166098B1 (de) | 2004-10-05 | 2013-11-06 | SunGene GmbH | Konstitutive Expressionskassetten zur Regulation der Pflanzenexpression |
EP1655364A3 (de) | 2004-11-05 | 2006-08-02 | BASF Plant Science GmbH | Expressionskassetten zur bevorzugten Expression in Pflanzensamen |
EP2163631B1 (de) | 2004-11-25 | 2013-05-22 | SunGene GmbH | Expressionskassetten zur bevorzugten Expression in pflanzlichen Schliesszellen |
EP1666599A3 (de) | 2004-12-04 | 2006-07-12 | SunGene GmbH | Expressionskassetten zur bevorzugten Expression in Mesophyll- und/oder Epidermiszellen in Pflanzen |
EP1669455B1 (de) | 2004-12-08 | 2009-10-28 | SunGene GmbH | Expressionskassetten für preferentiell vaskuläre Expression in Pflanzen |
EP1669456A3 (de) | 2004-12-11 | 2006-07-12 | SunGene GmbH | Expressionskasseten für meristembevorzugte Expression in Pflanzen |
CN101155922A (zh) | 2005-02-09 | 2008-04-02 | 巴斯福植物科学有限公司 | 在单子叶植物中调控表达的表达盒 |
US20090031440A1 (en) | 2005-02-26 | 2009-01-29 | Basf Plant Science Gmbh | Expression Cassettes for Seed-Preferential Expression in Plants |
CN101137752B (zh) | 2005-03-08 | 2013-04-03 | 巴斯福植物科学有限公司 | 增强表达的内含子序列 |
CN101198701B (zh) | 2005-04-19 | 2013-04-24 | 巴斯福植物科学有限公司 | 单子叶植物中的淀粉胚乳特异性和/或萌芽胚特异性表达 |
US9085774B2 (en) | 2005-04-19 | 2015-07-21 | Basf Plant Science Gmbh | Methods controlling gene expression |
EP1882037A2 (de) | 2005-05-10 | 2008-01-30 | BASF Plant Science GmbH | Expressionskassetten zur bevorzugten expression in pflanzensamen |
BRPI0612671A2 (pt) | 2005-06-23 | 2010-11-30 | Basf Plant Science Gmbh | métodos melhorados para a produção de plantas férteis zea mays (milho) estavelmente transformadas |
CN101268194A (zh) | 2005-09-20 | 2008-09-17 | 巴斯福植物科学有限公司 | 使用ta-siRNA调控基因表达的方法 |
US20110035840A1 (en) | 2007-02-16 | 2011-02-10 | Basf Plant Science Gmbh | Nucleic acid sequences for regulation of embryo-specific expression in monocotyledoneous plants |
US8921657B2 (en) | 2009-07-10 | 2014-12-30 | Basf Plant Science Company Gmbh | Expression cassettes for endosperm-specific expression in plants |
EP2275564A1 (de) | 2009-07-17 | 2011-01-19 | Freie Universität Berlin | Mittel und Verfahren zur Produktion von transgenen Pflanzen, die gegenüber Kohlhernie resistent sind |
BR112012012588B1 (pt) | 2009-11-27 | 2019-03-26 | Basf Plant Science Company Gmbh | Endonuclease, método para recombinação homóloga de polinucleotídeos e método para mutação direcionada de polinucleotídeos |
AU2010325563B2 (en) | 2009-11-27 | 2017-02-02 | Basf Plant Science Company Gmbh | Chimeric endonucleases and uses thereof |
WO2011064751A1 (en) | 2009-11-27 | 2011-06-03 | Basf Plant Science Company Gmbh | Chimeric endonucleases and uses thereof |
AU2010325720A1 (en) | 2009-12-03 | 2012-07-19 | Basf Plant Science Company Gmbh | Expression cassettes for embryo-specific expression in plants |
EP2612918A1 (de) | 2012-01-06 | 2013-07-10 | BASF Plant Science Company GmbH | In planta-Rekombination |
CN107144919A (zh) * | 2017-06-28 | 2017-09-08 | 湖北工业大学 | 一种聚合物光波导芯片的制作方法 |
US20230042273A1 (en) | 2019-12-16 | 2023-02-09 | BASF Agricultural Solutions Seed US LLC | Improved genome editing using paired nickases |
CA3161725A1 (en) | 2019-12-16 | 2021-06-24 | Timothy James Golds | Precise introduction of dna or mutations into the genome of wheat |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4639074A (en) * | 1984-06-18 | 1987-01-27 | At&T Bell Laboratories | Fiber-waveguide self alignment coupler |
FR2661516B1 (fr) * | 1990-04-27 | 1992-06-12 | Alcatel Fibres Optiques | Composant d'optique integree et procede de fabrication. |
DE4212208A1 (de) * | 1992-04-10 | 1993-10-14 | Bosch Gmbh Robert | Verfahren zur Herstellung optischer Polymerbauelemente mit integrierter Faser-Chip-Kopplung in Abformtechnik |
FR2692684B1 (fr) * | 1992-06-19 | 1997-04-04 | Corning Inc | Composant optique connecte a un reseau de fibres optiques. |
DE4231113A1 (de) * | 1992-09-17 | 1994-03-24 | Bosch Gmbh Robert | Integriert optische Schaltung mit einer Bragg-Struktur |
JPH06201936A (ja) * | 1992-12-28 | 1994-07-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光ファイバアレイ及びその製造方法 |
US5343544A (en) * | 1993-07-02 | 1994-08-30 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Integrated optical fiber coupler and method of making same |
US5600745A (en) * | 1996-02-08 | 1997-02-04 | Industrial Technology Research Institute | Method of automatically coupling between a fiber and an optical waveguide |
-
1996
- 1996-05-14 DE DE19619353A patent/DE19619353A1/de not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-03-06 EP EP97103691A patent/EP0807836A3/de not_active Withdrawn
- 1997-05-12 US US08/854,860 patent/US5867619A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000017688A1 (de) * | 1998-09-17 | 2000-03-30 | Harting Elektro-Optische Bauteile Gmbh & Co. Kg | Mikrostrukturierter körper sowie verfahren zu seiner herstellung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5867619A (en) | 1999-02-02 |
EP0807836A2 (de) | 1997-11-19 |
EP0807836A3 (de) | 1997-12-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19619353A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles sowie Anordnung | |
EP0560043B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Bauelementen für Lichtwellenleiternetze und nach diesem Verfahren hergestellte Bauelemente | |
EP0635139B1 (de) | Verfahren zur herstellung optischer polymerbauelemente mit integrierter faser-chip-kopplung in abformtechnik | |
DE3712146A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines optischen bauteils | |
EP0622647A2 (de) | Optischer Wellenleiter mit einem im wesentlichen planaren Substrat und Verwendung desselben | |
EP0429877B1 (de) | Vorrichtung zum Positionieren von Lichtleitfasern in Verbindungselementen | |
DE19717015A1 (de) | Miniaturisiertes optisches Bauelement sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP0883825B1 (de) | Verfahren zur herstellung optischer bauelemente mit angekoppelten lichtwellenleitern und nach diesem verfahren hergestellte optische bauelemente | |
DE60309669T2 (de) | Verfahren zur herstellung einer optischen vorrichtung mittels eines replikationsverfahrens | |
EP0445527A2 (de) | Optisches Wellenleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optischen Wellenleiterbauelementes | |
DE4440981A1 (de) | Optisches Verbundbauelement vom Reflexionstyp | |
DE4401219A1 (de) | Integriert optisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Bauelements | |
DE4200397C1 (de) | ||
EP0978006B1 (de) | Verfahren und form zur herstellung miniaturisierter formenkörper | |
DE4423842C2 (de) | Steckverbinder für Lichtwellenleiter und Formeinsatz zur Herstellung desselben | |
DE3010971A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines optischen 4-tor-kopplers | |
EP0589268B1 (de) | Integriert optische Schaltung mit einer Bragg-Struktur | |
DE19602736A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von optischen Linsen und optischen Linsenarrays | |
DE4200396C1 (de) | ||
EP1005663B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines integriert-optischen wellenleiterbauteils und einer steckverbindung | |
EP1671167B1 (de) | Verfahren zur herstellung von elektrisch-optischen leiterplatten mit polysiloxanwellenleitern und ihre verwendung | |
DE3712145A1 (de) | Optisches bauelement mit veraenderlicher brennweite | |
DE2926003A1 (de) | Vorrichtung und verfahren zur herstellung von teilen eines optischen verzweigerelementes | |
EP1090319A1 (de) | Optisches kopplungselement | |
DE4441526A1 (de) | Verfahren zur Herstellung optischer Bauelemente und optische Bauelemente |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AG | Has addition no. |
Ref country code: DE Ref document number: 19725471 Format of ref document f/p: P |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: HARTING ELEKTRO-OPTISCHE BAUTEILE GMBH & CO. KG, 3 |
|
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |