DE19619353A1 - Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles sowie Anordnung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles sowie Anordnung

Info

Publication number
DE19619353A1
DE19619353A1 DE19619353A DE19619353A DE19619353A1 DE 19619353 A1 DE19619353 A1 DE 19619353A1 DE 19619353 A DE19619353 A DE 19619353A DE 19619353 A DE19619353 A DE 19619353A DE 19619353 A1 DE19619353 A1 DE 19619353A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
component
waveguide
substrate
grooves
cover
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19619353A
Other languages
English (en)
Inventor
Mathias Dipl Ing Dr Jarek
Carsten Dipl Phys Dr Marheine
Hans Dipl Ing Dr Kragl
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Harting Elecktro Optische Bauteile GmbH and Co KG
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE19619353A priority Critical patent/DE19619353A1/de
Priority to EP97103691A priority patent/EP0807836A3/de
Priority to US08/854,860 priority patent/US5867619A/en
Priority to DE1997125471 priority patent/DE19725471A1/de
Publication of DE19619353A1 publication Critical patent/DE19619353A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/36Mechanical coupling means
    • G02B6/3628Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers
    • G02B6/3648Supporting carriers of a microbench type, i.e. with micromachined additional mechanical structures
    • G02B6/3652Supporting carriers of a microbench type, i.e. with micromachined additional mechanical structures the additional structures being prepositioning mounting areas, allowing only movement in one dimension, e.g. grooves, trenches or vias in the microbench surface, i.e. self aligning supporting carriers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/26Optical coupling means
    • G02B6/30Optical coupling means for use between fibre and thin-film device
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/36Mechanical coupling means
    • G02B6/3628Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers
    • G02B6/3684Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the manufacturing process of surface profiling of the supporting carrier
    • G02B6/3696Mechanical coupling means for mounting fibres to supporting carriers characterised by the manufacturing process of surface profiling of the supporting carrier by moulding, e.g. injection moulding, casting, embossing, stamping, stenciling, printing, or with metallic mould insert manufacturing using LIGA or MIGA techniques
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24Coupling light guides
    • G02B6/36Mechanical coupling means
    • G02B6/38Mechanical coupling means having fibre to fibre mating means
    • G02B6/3801Permanent connections, i.e. wherein fibres are kept aligned by mechanical means
    • G02B6/3803Adjustment or alignment devices for alignment prior to splicing

Description

Stand der Technik
Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles mit Faserankopplungen unter Verwendung eines Substratbauteiles, welches abgeformte Strukturen aufweist, und eines Deckelbauteiles, welches durch Abformung vom Substratbauteil gewonnen ist, sowie einer entsprechenden Anordnung.
Aus der DE 42 17 553 A1 ist ein Wellenleiterbauteil bekannt, welches Faserankopplungen aufweist. Es besteht aus einem Basisteil aus polymeren Material und einem Deckelbauteil, welches als Negativform des Basisteiles aufgebaut ist. An den äußeren Enden sind V-nutförmige Faserankoppelbereiche vorgesehen. Im Mittelbereich des Basisteiles ist eine Wellenleitervertiefung vorgesehen, die mit einem optischen Wirkstoff, z. B. einem UV-aushärtenden Kleber versehen wird.
Fig. 1 zeigt ein ähnliches Wellenleiterbauteil. Die anzukoppelnden Fasern werden zuvor ausgerichtet (Prealignment Fixture). Für die Wellenleiterverklebung werden entweder PMMA-Abdeckfolien (Polymeric Cover Foil) verwendet, die nach Aushärten des Kernmonomers mit dem Substrat, das die Strukturen trägt, verklebt werden (Polymeric glue). Hierzu wird ein Kernmonomerkleber in die Wellenleitervertiefungen getropft, mit einer Folie auf unter 1 µm Dicke ausgedrückt und anschließend durch UV- oder thermische Polymerisation ausgehärtet. Nach der Polymerisation hat das Kernpolymer einen ca. 5*10-3 höheren Brechungsindex und stellt damit mit dem umgebenden Polymersubstrat einen dielektrischen Wellenleiter dar. Es können auch die unter dem Handelsnamen Mylar (TM) bekannten Folien verwendet werden, welche nach dem Aushärten des Kernmonomers abgezogen werden können (Strip-Off-Deckel). Diese Folien müssen auf der Länge auf ca. +/- 10 µm genau geschnitten werden. Wie in Fig. 1 dargestellt, werden die anzukoppelnden Fasern vor der Wellenleiterverklebung in die V-Nuten eingelegt und durch das überlaufende Kernmonomer an das Substrat geklebt.
Vorteile der Erfindung
Das Verfahren mit den Maßnahmen gemäß Patentanspruch 1 ermöglicht es, daß die Prozesse der Faserjustage und der Wellenleiterverklebung nicht wie bei den Lösungen gemäß dem Stand der Technik zeitgleich durchgeführt werden müssen. Das Kernmaterial an der Substratoberfläche kann auf unter 1 µm Dicke ausgedrückt werden, ohne daß die passive Faserjustage zerstört oder gestört wird.
Im Gegensatz zu den zuvor aufgezeigten Lösungen, bei denen die Stirnseiten der anzukoppelnden Glasfasern von demselben Monomer (Kernmonomer) verklebt werden, welches auch die Wellenleiterkerne bildet, können die Prozesse der Stirnseitenverklebung der Fasern (Faserjustage) von der Wellenleiterbildung zeitlich getrennt werden, wodurch sowohl die Faserjustierung und Faserfixierung als auch die Wellenleiterstrukturbildung verbessert werden kann. Auch können die Materialien hinsichtlich der unterschiedlichen Prozesse optimiert werden. Probleme hinsichtlich Temperaturwechselbelastung, wie sie sich bei den bekannten Lösungen, insbesondere durch Faserabriß manifestierten, können vermieden werden.
Zuzuschneidende Foliendeckel wie bei dem in Fig. 1 dargestellten Beispiel sind entbehrlich, da der Foliendeckel durch ein abgeformtes mikrostrukturiertes Deckelbauteil ersetzt werden kann. Das Verfahren nach der Erfindung eignet sich sowohl für zu verklebende, d. h. auf dem Substratbauteil verbleibende Deckel, wie auch für Strip-Off-Deckel. Die Deckelbauteile müssen nicht manuell mit hoher Präzision zugeschnitten werden, sondern passen automatisch, da durch einen Abformprozeß von gleicher Maske stammend, auf wenige µm hochpräzise auf das zugehörige Substratbauteil. Die wesentliche, dabei angewandte Konstruktionsidee ist die Möglichkeit, über eine Dreifachumkopiertechnik in Nickelgalvanik Positiv- und Negativformen herstellen zu können.
Zeichnungen
Fig. 2 zeigt eine Silizium-Masterstruktur für die Herstellung von Wellenleiterbauteilen nach der Erfindung,
Fig. 3 zeigt ein zur Masterstruktur formgleiches Substratbauteil,
Fig. 4 und Fig. 5 zeigen Darstellungen zur Erläuterung der nickelgalvanischen Umkopiertechnik,
Fig. 6 zeigt die Oberfläche eines Siliziumwafers für die Herstellung erfindungsgemäßer Wellenleiterbauteile,
Fig. 7 zeigt Querschnitte durch die Silizium-Masterstruktur und durch das Substratbauteil,
Fig. 8 zeigt das Einrasten eines Strip-Off-Deckelbauteiles in ein Polymersubstrat,
Fig. 9 zeigt ein Kunststoff-Strip-Off-Deckelbauteil abgeformt von zweiter Generation Nickelblech und
Fig. 10 zeigt einen Formeinsatz zur Herstellung von mikrostrukturierten Deckelbauteilen, die auf dem Substratbauteil verbleiben.
Beschreibung von Ausführungsbeispielen
Polymersubstrate für Wellenleiterbauelemente werden beispielsweise mit 6*6 µm Wellenleiternuten und effektiv 67 µm tiefen Faserführungsnuten hergestellt, die zur Weiterverarbeitung mit einem höherbrechenden, polymeren Kernmaterial verklebt werden müssen. Damit ein monomodiger optischer Wellenleiter entsteht, muß das Kernmaterial an der Substratoberfläche auf unter 1 µm Dicke ausgedrückt werden, wobei aber die passive Faserjustage nicht gestört bzw. zerstört werden darf. Die vorliegende Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles mit einer besonders günstigen Wellenleiterverklebung.
Fig. 2 zeigt eine Silizium-Masterstruktur und Fig. 3 ein Substratbauteil 1, welches stellvertretend sowohl für ein passives (nur Wellenleiternuten) als auch ein aktives (mit eingebetteten elektrooptischen Bauteilen oder Heizelektroden) stehen kann. Neben den V-Nutbereichen 6 für die Faserankopplungen ist der Wellenleiterstrukturbereich 3 zu sehen, der sich zwischen zwei im wesentlichen quer zu den Faserankopplungsbereichen - V-Nuten 6 - angeordneten parallelen Nuten 4, 4′ erstreckt. Auf der Masterstruktur (Fig. 2) sind alle Strukturen mit Ausnahme der Sägeschnitte, die die Nuten 4, 4′ darstellen, über eine Belichtungsmaske erzeugt und damit sehr genau reproduzierbar. Da der Sägeschnitt über den gesamten Silizium-Wafer hinwegführt und in Schnittrichtung praktisch keine Abweichung von der Parallelität aufweist, kann davon ausgegangen werden, daß der Abstand von Sägeschnitt zu Sägeschnitt über den Wafer immer gleich ist.
Die Fig. 4 und 5 dienen zur Erläuterung der nickelgalvanischen Umkopiertechnik. Fig. 4 zeigt durch galvanische Abformung gewonnenes 1. bzw. 3. Generation Nickelblech, welches ohne die Stege im Wellenleiterstrukturbereich als Deckelbauteil 2 verwendbar ist. Die Stege 5, 5, entsprechen den Nuten 4, 4′ des Substratbauteiles 1 und greifen in diese beim Zusammenfügen paßgenau ein.
Fig. 5 zeigt ein 2. Generation-Nickelblech aus dem ein Strip-Off-Deckel aus Kunststoff abgeformt werden kann.
Die Erfindung ermöglicht drei verschiedene Konstruktionsverfahren zur Herstellung mikrostrukturierter Deckelbauteile, die alle drei auf dem gleichen Konzept beruhen:
  • i. Mikrostrukturierte Strip-Off-Deckel in einem 1. oder 3. Generation Nickelblech,
  • ii. Mikrostrukturierte Strip-Off-Deckel aus Kunststoff, abgeformt von einem 2. Generation Nickelblech,
  • iii. Mikrostrukturierte, am Substrat verbleibender Deckel aus Kunststoff, abgeformt von einem feinmechanisch nachgearbeiteten 2. Generation Nickelblech.
Die Erfindung basiert auf der Erkenntnis, daß 1., 2. und 3. Generation Nickelblech zueinander exakte, besser als µm genaue Replikate sind, die sich nur durch eine Positiv-Ne­ gativwandlung zwischen zwei benachbarten Generationen unterscheiden.
Fig. 6 zeigt einen strukturierten Silizium-Wafer mit folgenden Eigenschaften:
  • 1) in allen vier sichtbaren Kavitäten (Bereiche auf einem Wafer, in dem ein Substrat oder ein Deckelbauteil enthalten ist) sind die sog. V-Nutbereiche (oberhalb und unterhalb der Sägeschnitte) sowie die Tieferlegungen (der Bereich einer Kavität liegt gegenüber der Silizium-Oberfläche auf einem ca. 200 µm hohem Mesa, genannt "Tieferlegung", weil in 1. oder 3. Generation Nickel die Mikrostruktur unter der Oberfläche liegt) identisch, da sie durch eine elektronisch erzeugte Maske und identische Prozeßschritte erzeugt wurden.
  • 2) In den beiden inneren Kavitäten, z. B. Schnitt B, B′, befinden sich Wellenleiternuten, in den beiden äußeren Kavitäten, z. B. Schnitt A, A′ befinden sich keine Wellenleiternuten.
  • 3) Die beiden Sägeschnitte verlaufen über den gesamten Wafer nahezu perfekt parallel, wenn auch ihr Abstand zueinander nicht genau definiert ist (Toleranz ist abhängig von der Qualität der Wafersäge.
In Fig. 7 sieht man die Konsequenz aus der oben unter 3. genannten Eigenschaft: die Länge "X", welche den Abstand von Sägeschnitt zu Sägeschnitt im Siliziummaster in den Bereichen A, A′ und B, B′ sowie im abgeformten Polymersubstrat angibt, ist immer gleich. Allein die unterschiedliche Temperaturausdehnung von Metall und Kunststoff führt zu einer Differenz; diese kann jedoch durch Temperaturanpassung ausgeglichen werden.
Fig. 8 zeigt, wie aufgrund der geschilderten Geometrieverhältnisse ein aus dem Bereich AA′ stammendes 3. Generation Nickelblech präzise in die Sägeschnitte des Polymersubstrates einrastet. Füllt man vor dem Zusammensetzen Kernmaterial (Kernmonomerkleber) zwischen Strip-Off-Deckel und Substrat und polymerisiert nach dem Zusammensetzen dieses Kernmaterial, z. B. durch Wärmezufuhr, aus, so entsteht bei richtiger Indexauswahl des Kernmaterials ein von Sägeschnitt 4 zu Sägeschnitt 4′ reichender Wellenleiter. Der Strip-Off-Deckel läßt dabei die Wellenleitergräben frei. Die Faserführungsnuten können nicht von Kernmaterial gefüllt werden, da die V-Nut Bereiche 6 von Deckelbauteil 2 und Substratbauteil positiv - negativ identische Kopien sind, die exakt formschlüssig (Stege 5, 5′) aufeinanderliegen, insbesondere bei hohem mechanischem Druck und einer dünnen Verchromung des Nickel-Strip-Off-Deckels im V-Nutbereich 6.
Die Prozesse der Wellenleiterbildung im Strukturbereich und der Ankopplung der Fasern können dadurch zeitlich getrennt voneinander vorgenommen werden. Für die Wellenleiterbildung wird ein Material hoher optischer Transparenz eingesetzt, wohingegen für die Ankopplung der Fasern ein Material hoher Festigkeit, insbesondere hinsichtlich hoher Temperaturschockfestigkeit, einsetzbar ist.
Nachteilig zu dem zuvor geschilderten Konstruktionsverfahren i. ist die Dauerverwendung eines teueren mikrostrukturierten Nickelbleches als Strip-Off-Deckel. Insbesondere können am Mikrostrukturdeckel Einschnitte, Löcher, Metallisierungen usw. nicht ohne weiteres getestet werden, weil der Strip-Off-Deckel aus Nickel zu wertvoll für risikobehaftete Modifikationen ist. Beim Konstruktionsverfahren ii. wie in Fig. 9 dargestellt, wird der Strip-Off-Deckel durch Kunststoffabformung, z. B. durch eine thermoplastische Abformung, von einem 2. Generation Nickel erzeugt, d. h. das abgeformte Kunststoffteil ist abgesehen von Geometrieveränderungen durch unterschiedliche thermische Ausdehnung zwischen Metall und Kunststoff geometrisch identisch mit einem 3. Generation Nickel Strip-Off-Deckel und kann folglich genauso wie dieser eingesetzt werden, wenn der Kunststoffwerkstoff richtig ausgewählt wurde.
Vorteilhaft an dem Konstruktionsverfahren ii. ist die Möglichkeit, eine nahezu beliebige Menge von Strip-Off-Deckeln im Spritzguß herzustellen. Man hat in der Fertigung damit die Möglichkeit, für jedes Substratbauteil ein eigenes Deckelbauteil zu verwenden und braucht den Strip-Off-Deckel somit nicht nach jedem Einsatz zu reinigen. Eine Verchromung des V-Nutbereiches mit dem Ziel, das Monomer aus diesem Bereich zu verdrängen, ist wie beim Verfahren i. vorteilhaft.
Die Konstruktionsverfahren i. und ii. erzeugen jeweils einen sog. Strip-Off-Wellenleiter, d. h. der Wellenleiterkern liegt zunächst ungeschützt an der Oberfläche des Polymersubstrates und muß daher im nächsten Arbeitsschritt mit einem Polymerfilm geschützt werden.
Das dritte Konstruktionsverfahren iii. (dargestellt in Fig. 10) verwendet ebenfalls einen Mikrostrukturdeckel. Dieser besteht jedoch aus einem Kunststoff, der durch das Kernmonomer verklebt wird, so daß der Deckel nach der Wellenleiterherstellung nicht mehr abnehmbar ist. Das Mikrostrukturdeckelbauteil 2 wird hier von einem Formeinsatz abgeformt, der wie folgt herstellbar ist: Ausgangspunkt ist ein 2. Generation Nickelblech, welches durch feinmechanische Nacharbeit zu modifizieren ist. Aus dem zugehörigen 3. Generation Nickelblech wird der V-Nutbereich inklusive des Sägeschnittes 4, 4′ ausgeschnitten. Dieses Teil wird nachgearbeitet, derart, daß seine Breite gerade der Breite des später verwendeten Faserbändchens entspricht, also z. B. für ein Achtfaserbändchen 2 mm. Das Teil wird in den V-Nutbereich des 2. Generation Nickelbleches eingepaßt. Da beide Teile inverse Kopien voneinander sind, verbleibt im Sägeschnitt des 2. Generation Nickelbleches kein Spalt (siehe Fig. 10). Anschließend erfolgt die Fixierung beider Teile durch z. B. Punktschweißen. Dann wird der Formeinsatz z. B. durch Flächenschleifen so nachgearbeitet, daß idealerweise eine 59,5 µm hohe Stufe (Fig. 10) entsteht. Die von dem Formeinsatz abgeformten Deckel, z. B. aus PMMA, drücken die Fasern in den V-Nutbereich des Substrates und schließen gleichzeitig den Wellenstrukturbereich 3 präzise ab, ohne daß ein nachträgliches präzises Zusägen wie bei herkömmlichen Methoden notwendig wäre.
Die Negativ-Positiv Abformung kann natürlich auch in umgekehrter Reihenfolge erfolgen; d. h. als Ausgangsform wird ein Deckelbauteil herangezogen, von welchem das Substratbauteil abgeformt wird.

Claims (16)

1. Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles mit Faserankopplungen unter Verwendung eines Substratbauteiles (1), welches abgeformte Strukturen aufweist, und eines Deckelbauteiles (2), welches durch ein paßgenaues entsprechendes negatives bzw. positives Abbild des Substratbauteiles mit Ausnahme der Wellenleiterstrukturbereiche gewonnen ist, mit folgenden Schritten:
  • - das Substratbauteil (1) wird vor der Herstellung des Deckelbauteiles (2) mit Nuten im Bereich gegenüberliegender Faserankopplungen versehen, die im wesentlichen quer zu den Faserankopplungsbereichen verlaufen,
  • - ein optisch leitendes Material wird in einen Strukturbereich eingebracht, welcher durch die Nuten (4, 4′) und die durch die Positiv-Negativabbildung entstehenden Stege (5, 5′) nach dem Zusammenfügen von Deckelbauteil und Substratbauteil von den übrigen Bereichen abgetrennt ist.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Nuten (4, 4′) durch zueinander parallele Sägeschnitte über einen Silizium-Wafer hinweg hergestellt werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß außerhalb der durch die Nuten (4, 4′) abgetrennten Strukturbereiche (3) des Substratbauteiles (1) zueinander formschlüssige V-Nutbereiche (6) zur Aufnahme der zum Wellenleiterbauteil führenden Fasern vorgesehen sind.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Deckelbauteil (2) bzw. die zu seiner Herstellung abgeformte Struktur gegenüber dem Substratbauteil (1) so bearbeitet wird, daß sich im Strukturbereich (3) zwischen Substratbauteil (1) und Deckelbauteil (2) ein Wellenleitergraben ausbildet.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Zusammenfügen eines Substratbauteiles (1) und eines Deckelbauteiles (2) insbesondere durch Einrasten der Stege (5, 5′) in die Nuten (4, 4′), der Kernmonomerkleber in den Wellenleiterbereich (3) eingefüllt wird und anschließend polymerisiert wird derart, daß ein von Nut (4) zur Nut (4′) bzw. Sägeschnitt zu Sägeschnitt reichender Wellenleiter entsteht.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Deckelbauteil (2) aus einem mikrostrukturierten, aus erster oder dritten Generation durch Abformung gewonnenem Nickelblech hergestellt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Deckelbauteil (2) aus einem mikrostrukturierten Kunststoff hergestellt wird, welcher von einem Nickelblech zweiter Generation abgeformt ist.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Deckelbauteil (2) aus einen am Substratbauteil (1) verbleibenden Deckel aus Kunststoff hergestellt wird, welcher von einem für die Faseraufnahme feinmechanisch nachgearbeiteten Nickelblech zweiter Generation abgeformt ist.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß als optisch leitendes Material ein Kernmonomerkleber in den Strukturbereich eingebracht wird.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die V-Nutbereiche (6) mit einer dünnen Chromschicht versehen werden, welche das Eindringen von Kernmonomerkleber verhindert.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Prozesse der Wellenleiterbildung im Strukturbereich und der Ankopplung der Fasern zeitlich getrennt voneinander vorgenommen werden.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß für die Wellenleiterbildung im Strukturbereich (3) und für die Ankopplung der Fasern unterschiedliche Materialien verwendet werden.
13. Verfahren nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß für die Wellenleiterbildung ein Material hoher optischer Transparenz eingesetzt wird, wohingegen für die Ankopplung der Fasern ein Material hoher Festigkeit, insbesondere hinsichtlich Temperaturschockfestigkeit, eingesetzt wird.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das bzw. die Deckelbauteil/e durch mehrfaches galvanisches und/oder kunststofftechnisches Umkopieren von einer einzigen Masterstruktur mit zwei durchgehenden zueinander parallelen Sägeschnitten (4, 4′) erzeugt werden, wobei sich die Kavitäten für die Substratabformung allein durch das Vorhandensein von Wellenleitergräben/-stegen von den für die Deckelbauteile (2) vorgesehenen Kavitäten unterscheiden.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß das bzw. die Deckelbauteil/e durch mehrfaches galvanisches und/oder kunststofftechnisches Umkopieren von Masterstrukturen hergestellt werden, bei denen sich die für die Deckelbauteile vorgesehenen Kavitäten von den für die Substratabformung vorgesehenen Kavitäten allein durch das Vorhandensein von Wellenleitergräben/stegen unterscheiden, und daß die Herstellung der Nuten (4, 4′) bzw. Stege (5, 5′) quer zu den Faserankopplungsbereichen insbesondere durch Freiätzung oder andere mikromechanische Verfahren derart vorgenommen wird, daß die Nuten (4, 4′) und Stege (5, 5′) paßgenau zueinander sind.
16. Integriert optisches Wellenleiterbauteil mit Faserankopplungen bestehend aus einem Substratbauteil (1) und einem Deckelbauteil (2), wobei Substratbauteil (1) und Deckelbauteil (2) zueinander entsprechende paßgenaue negative bzw. positive Abbilder mit Ausnahme eines Wellenleiterstrukturbereiches (3) darstellen mit folgenden Merkmalen:
  • - im wesentlichen quer zu den Faserankopplungsbereichen (6) verlaufende Nuten (4, 4′) im Substratbauteil (1), die in entsprechende paßgenaue Stege (5, 5′) im Deckelbauteil (2) eingreifen,
  • - optisch leitendem Material in dem durch die Nuten (4, 4′) bzw. Stege (5, 5′) von den Faserankopplungsbereichen abgetrennten Wellenleiterstrukturbereich (3).
DE19619353A 1996-05-14 1996-05-14 Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles sowie Anordnung Withdrawn DE19619353A1 (de)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19619353A DE19619353A1 (de) 1996-05-14 1996-05-14 Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles sowie Anordnung
EP97103691A EP0807836A3 (de) 1996-05-14 1997-03-06 Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteils sowie Anordnung
US08/854,860 US5867619A (en) 1996-05-14 1997-05-12 Integrated optical waveguide component and method of manufacture
DE1997125471 DE19725471A1 (de) 1996-05-14 1997-06-17 Verfahren zur Herstellung eines integriert-optischen Wellenleiterbauteils

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19619353A DE19619353A1 (de) 1996-05-14 1996-05-14 Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles sowie Anordnung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19619353A1 true DE19619353A1 (de) 1997-11-20

Family

ID=7794244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19619353A Withdrawn DE19619353A1 (de) 1996-05-14 1996-05-14 Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles sowie Anordnung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5867619A (de)
EP (1) EP0807836A3 (de)
DE (1) DE19619353A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000017688A1 (de) * 1998-09-17 2000-03-30 Harting Elektro-Optische Bauteile Gmbh & Co. Kg Mikrostrukturierter körper sowie verfahren zu seiner herstellung

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6304695B1 (en) 1999-05-17 2001-10-16 Chiaro Networks Ltd. Modulated light source
US6366720B1 (en) 1999-07-09 2002-04-02 Chiaro Networks Ltd. Integrated optics beam deflector assemblies utilizing side mounting blocks for precise alignment
GB9919847D0 (en) * 1999-08-20 1999-10-27 British Telecomm Alignment device
US7068870B2 (en) * 2000-10-26 2006-06-27 Shipley Company, L.L.C. Variable width waveguide for mode-matching and method for making
US8022272B2 (en) 2001-07-13 2011-09-20 Sungene Gmbh & Co. Kgaa Expression cassettes for transgenic expression of nucleic acids
US6813023B2 (en) 2002-01-03 2004-11-02 Chiaro Nerwork Ltd. Automatic optical inter-alignment of two linear arrangements
US6886994B2 (en) * 2002-07-18 2005-05-03 Chiaro Networks Ltd. Optical assembly and method for manufacture thereof
DE50310378D1 (de) 2002-07-26 2008-10-02 Basf Plant Science Gmbh Neue selektionsverfahren
US6808322B2 (en) * 2002-09-24 2004-10-26 Triquint Technology Holding Co. Devices and method of mounting
KR100476317B1 (ko) * 2002-10-24 2005-03-16 한국전자통신연구원 광결합 소자 및 그 제작 방법, 광결합 소자 제작을 위한마스터 및 그 제작 방법
AU2005268917B2 (en) 2004-08-02 2010-05-20 Basf Plant Science Gmbh Method for isolation of transcription termination sequences
EP2166097B1 (de) 2004-10-05 2014-08-06 SunGene GmbH Konstitutive Expressionskassetten zur Regulation der Pflanzenexpression
EP1655364A3 (de) 2004-11-05 2006-08-02 BASF Plant Science GmbH Expressionskassetten zur bevorzugten Expression in Pflanzensamen
EP1662000B1 (de) 2004-11-25 2011-03-30 SunGene GmbH Expressionskassetten zur bevorzugten Expression in pflanzlichen Schliesszellen
EP1666599A3 (de) 2004-12-04 2006-07-12 SunGene GmbH Expressionskassetten zur bevorzugten Expression in Mesophyll- und/oder Epidermiszellen in Pflanzen
EP1669455B1 (de) 2004-12-08 2009-10-28 SunGene GmbH Expressionskassetten für preferentiell vaskuläre Expression in Pflanzen
EP1669456A3 (de) 2004-12-11 2006-07-12 SunGene GmbH Expressionskasseten für meristembevorzugte Expression in Pflanzen
EP2147977A1 (de) 2005-02-09 2010-01-27 BASF Plant Science GmbH Expressionskassetten zur Regulation der Expression in einkeimblättrigen Pflanzen
WO2006089950A2 (en) 2005-02-26 2006-08-31 Basf Plant Science Gmbh Expression cassettes for seed-preferential expression in plants
EP2166100B1 (de) 2005-03-08 2012-07-18 BASF Plant Science GmbH Expressionsverstärkende Intronsequenzen
CN101198701B (zh) 2005-04-19 2013-04-24 巴斯福植物科学有限公司 单子叶植物中的淀粉胚乳特异性和/或萌芽胚特异性表达
EP1874936B1 (de) 2005-04-19 2013-10-30 BASF Plant Science GmbH Verbesserte verfahren zur kontrolle der genexpression
WO2006120197A2 (en) 2005-05-10 2006-11-16 Basf Plant Science Gmbh Expression cassettes for seed-preferential expression in plants
US7994399B2 (en) 2005-06-23 2011-08-09 Basf Plant Science Gmbh Methods for the production of stably transformed, fertile Zea mays plants
EP1931789B1 (de) 2005-09-20 2016-05-04 BASF Plant Science GmbH VERFAHREN ZUR STEUERUNG DER GENEXPRESSION MITTELS ta- siRNA
CA2675926A1 (en) 2007-02-16 2008-08-21 Basf Plant Science Gmbh Nucleic acid sequences for regulation of embryo-specific expression in monocotyledonous plants
AU2010270309A1 (en) 2009-07-10 2012-02-02 Basf Plant Science Company Gmbh Expression cassettes for endosperm-specific expression in plants
EP2275564A1 (de) 2009-07-17 2011-01-19 Freie Universität Berlin Mittel und Verfahren zur Produktion von transgenen Pflanzen, die gegenüber Kohlhernie resistent sind
WO2011064736A1 (en) 2009-11-27 2011-06-03 Basf Plant Science Company Gmbh Optimized endonucleases and uses thereof
JP2013511979A (ja) 2009-11-27 2013-04-11 ビーエーエスエフ プラント サイエンス カンパニー ゲーエムベーハー キメラエンドヌクレアーゼおよびその使用
US10316304B2 (en) 2009-11-27 2019-06-11 Basf Plant Science Company Gmbh Chimeric endonucleases and uses thereof
EP2507375A4 (de) 2009-12-03 2013-04-24 Basf Plant Science Co Gmbh Expressionskassetten für embryospezifische expression in pflanzen
EP2612918A1 (de) 2012-01-06 2013-07-10 BASF Plant Science Company GmbH In planta-Rekombination
CN107144919A (zh) * 2017-06-28 2017-09-08 湖北工业大学 一种聚合物光波导芯片的制作方法
US20230042273A1 (en) 2019-12-16 2023-02-09 BASF Agricultural Solutions Seed US LLC Improved genome editing using paired nickases
EP4077683A1 (de) 2019-12-16 2022-10-26 BASF Agricultural Solutions Seed US LLC Genaue insertion von dna oder mutationen in das genom von weizen

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4639074A (en) * 1984-06-18 1987-01-27 At&T Bell Laboratories Fiber-waveguide self alignment coupler
FR2661516B1 (fr) * 1990-04-27 1992-06-12 Alcatel Fibres Optiques Composant d'optique integree et procede de fabrication.
DE4212208A1 (de) * 1992-04-10 1993-10-14 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung optischer Polymerbauelemente mit integrierter Faser-Chip-Kopplung in Abformtechnik
FR2692684B1 (fr) * 1992-06-19 1997-04-04 Corning Inc Composant optique connecte a un reseau de fibres optiques.
DE4231113A1 (de) * 1992-09-17 1994-03-24 Bosch Gmbh Robert Integriert optische Schaltung mit einer Bragg-Struktur
JPH06201936A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光ファイバアレイ及びその製造方法
US5343544A (en) * 1993-07-02 1994-08-30 Minnesota Mining And Manufacturing Company Integrated optical fiber coupler and method of making same
US5600745A (en) * 1996-02-08 1997-02-04 Industrial Technology Research Institute Method of automatically coupling between a fiber and an optical waveguide

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000017688A1 (de) * 1998-09-17 2000-03-30 Harting Elektro-Optische Bauteile Gmbh & Co. Kg Mikrostrukturierter körper sowie verfahren zu seiner herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
EP0807836A3 (de) 1997-12-17
US5867619A (en) 1999-02-02
EP0807836A2 (de) 1997-11-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19619353A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Wellenleiterbauteiles sowie Anordnung
EP0560043B1 (de) Verfahren zum Herstellen von Bauelementen für Lichtwellenleiternetze und nach diesem Verfahren hergestellte Bauelemente
EP0635139B1 (de) Verfahren zur herstellung optischer polymerbauelemente mit integrierter faser-chip-kopplung in abformtechnik
DE3712146A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optischen bauteils
EP0622647A2 (de) Optischer Wellenleiter mit einem im wesentlichen planaren Substrat und Verwendung desselben
EP0429877B1 (de) Vorrichtung zum Positionieren von Lichtleitfasern in Verbindungselementen
DE19717015A1 (de) Miniaturisiertes optisches Bauelement sowie Verfahren zu seiner Herstellung
EP0883825B1 (de) Verfahren zur herstellung optischer bauelemente mit angekoppelten lichtwellenleitern und nach diesem verfahren hergestellte optische bauelemente
DE60309669T2 (de) Verfahren zur herstellung einer optischen vorrichtung mittels eines replikationsverfahrens
EP0445527A2 (de) Optisches Wellenleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen eines optischen Wellenleiterbauelementes
DE4440981A1 (de) Optisches Verbundbauelement vom Reflexionstyp
DE4401219A1 (de) Integriert optisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines integriert optischen Bauelements
DE4200397C1 (de)
EP0978006B1 (de) Verfahren und form zur herstellung miniaturisierter formenkörper
DE4423842C2 (de) Steckverbinder für Lichtwellenleiter und Formeinsatz zur Herstellung desselben
DE3010971A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optischen 4-tor-kopplers
EP0589268B1 (de) Integriert optische Schaltung mit einer Bragg-Struktur
DE19602736A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von optischen Linsen und optischen Linsenarrays
DE4200396C1 (de)
EP1005663B1 (de) Verfahren zur herstellung eines integriert-optischen wellenleiterbauteils und einer steckverbindung
EP1671167B1 (de) Verfahren zur herstellung von elektrisch-optischen leiterplatten mit polysiloxanwellenleitern und ihre verwendung
DE3712145A1 (de) Optisches bauelement mit veraenderlicher brennweite
DE2926003A1 (de) Vorrichtung und verfahren zur herstellung von teilen eines optischen verzweigerelementes
DE19642088A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines mikrostrukturierten Körpers, eines Gußrahmens und eines integriert-optischen Bauteils
EP1090319A1 (de) Optisches kopplungselement

Legal Events

Date Code Title Description
AG Has addition no.

Ref country code: DE

Ref document number: 19725471

Format of ref document f/p: P

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: HARTING ELEKTRO-OPTISCHE BAUTEILE GMBH & CO. KG, 3

8139 Disposal/non-payment of the annual fee