DE19610782B4 - Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen - Google Patents
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Abstract
Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen, bei dem durch Einbringen einer Kaverne (3) in einer Siliciumplatte (1) ein Membranbereich (2) geschaffen wird, bei dem dann aus dem Membranbereich (2) durch Ätzen ein bewegliches Element (9) herausstrukturiert wird und bei dem ein Anschlag erzeugt wird, mit dem die Auslenkung des beweglichen Elements (9) beschränkt wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Unterseite (11) des Membranbereichs (2) eine Opferschicht (5) erzeugt wird, daß die Opferschicht (5) mit einer Versiegelungsschicht (8) für den Anschlag bedeckt wird, daß ausgehend von der Oberseite (12) Gräben (10) in den Membranbereich (2) eingebracht werden, die bis zur Opferschicht (5) reichen, und daß die Opferschicht (5) durch Beaufschlagen mit einem Ätzmedium entfernt wird.
Description
- Die Erfindung geht aus von einem Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen nach der Gattung des unabhängigen Patentanspruchs. Aus der deutschen nicht vorveröffentlichten
DE 195 26 903 A1 sind bereits Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Drehratensensoren bekannt, bei dem in einer Siliciumplatte durch Einätzen einer Kaverne ein Membranbereich geschaffen wird, der im Vergleich zur Siliciumplatte dünner ausgebildet ist. Durch weitere Ätzprozesse wird dann aus dem Membranbereich ein bewegliches Element herausgeätzt. Um die Auslenkung dieses beweglichen Elements zu beschränken, werden verschiedene Verfahren zur Herstellung von Anschlägen beschrieben. Diese Verfahren zur Herstellung der Anschläge weisen das gemeinsame Merkmal auf, daß jeweils mindestens eine weitere Platte, insbesondere eine Siliciumplatte, zur Ausbildung des Anschlags benötigt wird. Weiterhin muß diese Platte aufwendig mit der Siliciumplatte, aus dem das bewegliche Element herausstrukturiert ist, verbunden werden. - Aus der europäischen Patentanmeldung
EP 0 569 899 A1 ist ein kapazitiver Drucksensor und das Verfahren zu seiner Herstellung bekannt. Der Sensor weist eine Membran aus dotiertem polykristallinem Silizium auf, die über einer Kavität angeordnet ist. Die Kavität erstreckt sich einem Wafer aus dotiertem einkristallinem Silizium. Aus dieser Schrift ist weiterhin bekannt, auf der Unterseite eines Membranbereichs eine Opferschicht vorzusehen, die durch Beaufschlagung mit einem Ätzmittel entfernt wird. - Aus dem US-amerikanischen Patent
US 5 454 904 ist ein Herstellungsverfahren für mikromechanische Strukturen bekannt, bei dem Kavitäten durch Materialabtragung mittels Laser erzeugt werden. Hierbei wird eine Opferschicht als Maske verwendet. Die Patentschrift offenbart weiterhin das Erzeugen einer Opferschicht in Kavernen, welche ebenfalls mit einem Ätzmittel entfernt wird. - Vorteile der Erfindung
- Das erfindungsgemäße Verfahren mit den kennzeichnenden Merkmalen des unabhängigen Patentanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß für die Ausbildung des Anschlags keine weitere Platte benötigt wird. Das erfindungsgemäße Verfahren ist somit mit besonders geringem Materialeinsatz und vergleichsweise einfachen Prozeßtechniken zu realisieren.
- Durch die in den abhängigen Patentansprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen des Verfahrens nach dem unabhängigen Patentanspruch möglich. Die Erzeugung der Opferschicht auf der Unterseite des Membranbereichs erfolgt besonders einfach durch Eindampfen einer Kunststofflösung. Durch einen anschließenden Ätzschritt kann dann der dünne Kunststoff-Film auf den Wänden der Kaverne wieder entfernt werden, so daß eine zuverlässige Haftung des nachfolgend aufgebrachten Materials für den Anschlag auf den Wänden der Kaverne ermöglicht wird. Für das Material des Anschlags ist im besonderen Maße ein Epoxyd- oder Silicon-Kunststoff geeignet. Silicon-Kunststoff besitzt zudem den Vorteil besonders geringer mechanischer Spannungen aufgrund der Elastizität sowie seiner besonders guten Abdichtungseigenschaften. Durch die Abscheidung einer Metallisierung auf der Unterseite des Membranbereichs kann ein nahezu perfekter Ätzstop bei der Plasma-Strukturierung der Membrane erfolgen. Sofern dies gewünscht ist, kann durch eine Nachätzung die Metallschicht auf der Unterseite wieder entfernt werden. Es ist auch möglich, durch Verwendung von SOI-Wafern ein vergrabenes Oxid als Ätzstopschicht einzusetzen, das von beiden Seiten jeweils prozeßbegrenzend/stoppend wirkt. Die Strukturierung des Membranbereichs erfolgt zweckmäßigerweise mittels eines fluorhaltigen Ätzgases (gemäß der
DE 42 41 045 C1 . Das Einbringen der Kaverne in die Siliciumplatte erfolgt besonders einfach durch die Verwendung einer anisotropen Ätzlösung. Durch die sich dadurch ausbildenden schrägen Wände wird zudem die Entfernung der dünnen Kunststoffschicht von den Wänden erleichtert. - Zeichnungen
- Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Es zeigen die
1 bis5 ein erfindungsgmäßes Herstellungsverfahren. - In der
1 wird eine Siliciumplatte1 gezeigt, aus der durch Einbringen einer Kaverne3 ein Membranbereich herausstrukturiert wurde. Der Membranbereich2 weist eine deutlich geringere Dicke als der Rest der Siliciumplatte1 auf. Die Kaverne3 weist einen Bodenbereich6 und Wände7 auf. Der Bodenbereich6 der Kaverne3 bildet zugleich die Unterseite11 des Membranbereichs2 . - Für das Einbringen derartiger Kavernen
3 in Siliciumplatten1 wird üblicherweise ein Ätzprozeß verwendet, der einkristallines Silicium anisotrop ätzt. Dies kann beispielsweise durch die Verwendung von basischen Ätzlösungen erfolgen. Es sind jedoch auch andere Ätzverfahren geeignet, mit denen Ausnehmungen in Siliciumplatten1 erzeugt werden können. - Auf der Unterseite
11 des Membranbereichs2 wird dann durch Abscheidung, insbesondere durch Aufdampfen oder Sputtern eine dünne Metallschicht, beispielsweise aus Aluminium, Chrom, Nickel oder dergleichen, abgeschieden. Wenn die Abscheidung ohne eine entsprechende Maskierung erfolgt, so werden, wie in der2 gezeigt wird, auch die Wände7 der Kaverne3 und die Unterseite der Siliciumplatte1 mit der Metallschicht4 bedeckt. Die Metallschicht4 dient als Ätzstop für eine spätere Strukturierung des Membranbereichs2 und kann sehr dünn, beispielsweise in der Größenordnung von einigen zehn Nanometern ausgeführt werden. Sofern für die später erfolgende Strukturierung des Membranbereichs2 ein Ätzprozeß verwendet wird, bei dem keinerlei Ätzstop benötigt wird, so kann das Aufbringen der Metallschicht4 auch entfallen. Es ist auch möglich, das vergrabene Oxyd eines SOI-Wafers als beidseitigen Ätzstop zu benutzen. - In einem weiteren Prozeßschritt (siehe
2 ) wird nun im Bereich der Unterseite11 des Membranbereichs2 eine dicke Opferschicht5 erzeugt. Für die Erzeugung der Opferschicht5 wird die Kaverne3 mit einer Kunststofflösung befüllt. Dabei handelt es sich beispielsweise um Kunststoffe, die aus der optischen Lithographie als Fotoresists verwendet werden, Polystyrol oder andere Kunststoffe, die in Lösungsmitteln wie beispielsweise Aceton, aromatische Lösungsmittel oder Chlorkohlenwasserstoffe gelöst werden können. Durch Eindampfen des Lösungsmittels bildet sich dann auf dem Boden6 der Kaverne3 ein Kunststoff-Film, dessen Dicke durch die Konzentration der Lösung und die in die Kaverne3 eingebrachte Lösungsmenge bestimmt wird. Weiterhin bildet sich auch auf den Wänden7 der Kaverne ein dünner Kunststoff-Film, dessen Dicke jedoch geringer ist als der im Bodenbereich6 verbleibende Film. Um diesen dünnen Kunststoff-Film von den Wänden7 wieder zu entfernen, wird ein nachfolgender Ätzschritt, beispielsweise ein isotroper Plasmaätzschritt in einem Sauerstoffplasma durchgeführt, der den dünnen Film von den Wänden7 der Kaverne3 vollständig entfernt. Aufgrund der größeren Dicke wird dabei die Opferschicht5 im Bereich des Bodens6 der Kaverne nur unwesentlich verringert. Man kann auch in die Kaverne eine genau dosierte Menge an Lack oder Polymermaterial einbringen, so daß jeweils nur der Boden bedeckt ist. Dies setzt eine entsprechende Lackdosiereinrichtung voraus, mit der jede Kaverne individuell mit der richtigen Lackmenge versehen wird, um eine gewünschte Höhe der Lackschicht zu erreichen. - In einem weiteren Schritt wird dann die Kaverne
3 mit einer Versiegelungsschicht8 gefüllt. Diese Versiegelungsschicht8 kann beispielsweise aus Epoxydharz, Silicon-Kunststoff oder anderen geeigneten Materialien bestehen. Silicon-Kunststoff weist den Vorteil auf, daß es auch nach einer Vernetzung des Kunststoffmaterials elastisch bleibt und somit besonders geringe mechanische Spannungen auf die Siliciumplatte ausübt. Nachteilig an Silicon ist, daß die Weiterbearbeitung der Siliciumplatte gegebenenfalls mit flußsäurehaltigen Ätzlösungen erfolgt, gegenüber denen Silicon-Kunststoffe nicht vollständig beständig sind. - In einem weiteren Verfahrensschritt erfolgt dann die Strukturierung des Membranbereichs in den Gräben
10 , die ausgehend von der Oberseite12 in den Membranbereich2 eingebracht werden. Dieser Zustand wird in der4 gezeigt. Für das Einätzen der Gräben kann ein Ätzprozeß verwendet werden, beispielsweise durch Verwendung eines fluorhaltigen Plasmas gemäßDE 42 41 045 C1 , welcher an der Metallschicht4 stoppt. Die Metallschicht4 wird hier somit als Ätzstop verwendet. Es wird so sichergestellt, daß durch den Ätzprozeß keinerlei Ätzung der Opferschicht5 erfolgt, die eventuell eine Hinterschneidung der mikromechanischen Strukturen und einen Verlust an Strukturgenauigkeit zur Folge hat. Bei den mikromechanischen Strukturen handelt es sich hier beispielsweise um Drehratensensoren, wie sie aus derDE 195 26 903 A1 bekannt sind. Es sind jedoch auch andere mikromechanische Sensor- oder Aktuatorstrukturen vorstellbar. Ein Teil der notwendigen Prozeßschritte für die mikromechanische Struktur können bereits erfolgt sein, bevor das in den1 bis4 beschriebene Verfahren durchgeführt wird. Nach dem Einätzen der Gräben10 erfolgt eine Ätzung in der Metallschicht4 , so daß die Opferschicht5 frei liegt. - In einem weiteren Prozeßschritt wird dann die Opferschicht
5 entfernt. Dies kann beispielsweise durch Eintauchen der Siliciumplatte nach der4 in ein Lösungsmittel erfolgen, welches die Schicht5 auflöst. Alternativ ist es auch möglich, Plasmaätzverfahren zur Entfernung des Kunststoffmateials der Opferschicht5 zu verwenden. In der5 wird der dann erreichte Zustand gezeigt. Durch die Gräben10 ist aus dem Membranbereich2 ein bewegliches Element9 herausstrukturiert, welches beispielsweise durch eine Beschleunigung ausgelenkt werden kann. Nach unten hin ist die Bewegung dieses beweglichen Elementes9 durch die Versiegelungsschicht8 begrenzt, welche als Anschlag wirkt. Durch die Prozeßfolge der1 bis5 ist somit mit besonders einfachen Mitteln ein Anschlag geschaffen worden. Die Metallisierungsschicht4 kann auf der Unterseite des Membranbereichs2 und auch auf der Unterseite des beweglichen Elementes verbleiben. Diese Metallschicht4 kann sogar wünschenswert und nützlich sein, da sie einen niederohmigen elektrischen Massekontakt beziehungsweise eine Abschirmung bildet. Sofern es gewünscht ist, diese Metallschicht4 zu entfernen, kann auch eine weitere Ätzung durch Eintauchen in eine für die Metallschicht4 geeignete Ätzlösung erfolgen. - Der Abstand des beweglichen Elements
9 zur Versiegelung8 , die als Anschlag wirkt, wird durch die Dicke der Opferschicht5 eingestellt. Typische Abmessungen liegen in der Größenordnung von einigen Mikrometern bis zu einigen zehn Mikrometern, jeweils nach Dicke des Opferlacks5 .
Claims (9)
- Verfahren zur Herstellung von mikromechanischen Strukturen, bei dem durch Einbringen einer Kaverne (
3 ) in einer Siliciumplatte (1 ) ein Membranbereich (2 ) geschaffen wird, bei dem dann aus dem Membranbereich (2 ) durch Ätzen ein bewegliches Element (9 ) herausstrukturiert wird und bei dem ein Anschlag erzeugt wird, mit dem die Auslenkung des beweglichen Elements (9 ) beschränkt wird, dadurch gekennzeichnet, daß auf einer Unterseite (11 ) des Membranbereichs (2 ) eine Opferschicht (5 ) erzeugt wird, daß die Opferschicht (5 ) mit einer Versiegelungsschicht (8 ) für den Anschlag bedeckt wird, daß ausgehend von der Oberseite (12 ) Gräben (10 ) in den Membranbereich (2 ) eingebracht werden, die bis zur Opferschicht (5 ) reichen, und daß die Opferschicht (5 ) durch Beaufschlagen mit einem Ätzmedium entfernt wird. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Opferschicht (
5 ) durch Eindampfen einer in die Kaverne (3 ) eingebrachten Kunststofflösung gebildet wird. - Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Eindampfen der Kunststofflösung ein Ätzschritt erfolgt, bei dem die auf den Wänden (
7 ) der Kaverne (3 ) durch das Eindampfen geschaffene Kunststoffschicht wieder entfernt wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für die Versiegelungsschicht (
8 ) ein Silicon-Kunststoff oder ein Epoxydharz verwendet wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Einbringen der Gräben (
10 ) durch Ätzen erfolgt, daß auf der Unterseite (11 ) der Membranschicht (2 ) eine Metallisierung (4 ) aufgebracht wird, die als Ätzstop für den Ätzschritt dient. - Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallisierung (
4 ) auf der Unterseite11 des Membranbereichs (2 ) nach dem Entfernen der Opferschicht (5 ) entfernt wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Einbringen der Gräben (
10 ) durch Ätzen mittels eines fluorhaltigen Plasmas vorgenommen wird. - Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Kaverne (
3 ) durch anisotropes Ätzen des einkristallinen Siliciums der Siliciumplatte1 erfolgt. - Verfahren nach einem der Ansprüche 2 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß eine vorbestimmte Menge an Kunststofflösung in die Kaverne (
3 ) eingebracht wird.
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