Mehrlagige Schichtanordnung, insbesondere aus Aufdampfschichten: bestehend.
Vorliegende Erfindung-, bezieht sich auf eine mehrlagig,e Schicht-
anordnung, insbesondere aus Aufdampfschichteri bestehend, auf
einer Unterlage, bei der dLe einzelnen Schichten aus Stoffen
mit verschiedenen Wirmeausdehn ingskoeffzienten bestehen.
für 7iel==,ti@@ren drln@s@@.°rc:c>1:, z. .(3s durch IIerstellung
eines klei--
rua@ ft:ir@:;.-Lr@:*@3ei.ders.@=incl@@.=@ °@cm mlrr.;@eZe@it@°oxi.i;@schexi
-@ä:@h@lrungen,
itr# FIeraUe1.Luxisc3-Lner gen K"zp?zL-tät oder Ton
rntztrri@@,ir@ @r»:n Schichtopetchern :tot es crwünsciit,
zdB. schr groß-
aui' nie La:-L1Lejtdhf:eri Schichten herzuste1-
len. Es iiat sich gezeigt, daß eine Herstellung großflächiger lsolier:73chicliten
auf metallischen Schichten infolge der.stark voneinander abweichenden thermischen
Ausdehnungskoeffzzienten der schichten nicht möglich war. Bei dem gebräuchlichen
sukzessiven aufbringen, z .B. durch Aufdampfen von Isolier- und Metallschichten,
ist es nur möglich, relativ kleine Flüchen, z . E. von der Größe von 1 miä, welche
außerdem eine Dicke von höchstens wenigen 1000 X besitzen dürfen, herzustellen.
Grö:3e.-re Flüchen zeigen die typische Erscheinung des Abblätterns der aufgebrachten
Schiehten.Darizber hinaus hat sich gezeigt, daß auch kleinere flachen, z.B. von
der Größenordnung 0,1 mm; Ab-. blCi.-tterurrgaerscheitiungen zeigen können, <<renn
die Isoliert3criieht nicht wie bei einem Kondensator zwischen IWe2 Metallschichten
eingeschlossen ist. Es ist bekannt, Isolierschichten, z.B. aus Siliciitii#monoxid,
auf Unterlagen, z.B. durch Aufdampfen im Hoohviaitutim herzustellen. Auf diese ;`leise
werden z.B. Schutzschichten att£itiuele.:. nienten oder mikroelektronischen Schaltungen
oder d@ieI:i.e@ehtrika von Kondensatoren hergestellt. Die Erfindung stellt sich
die Aufgabe,- die: Herstellung iibere:inande:r:il.egender großflächiger und Sollichter
mit unterschiedlichen therriiisaheri t:.iE:riten zu gewii.lirloisten.
Es sollen Loollerochlohten von der ' mehrerer 100 mm und
stellt
werden können, wobei metallische Schichten und. Isoliersich gegebenenfalls abwechseln.
. Zur hÖsung dieser.Aufgabe wird gemt_iß der Erfindung vorgeschlagen, daß innerhalb
eine>, Grenzbereiches zwischen zwei benaehbarten Schich'en ein kontiruierlicrier
@ Ubergang der beiden Schichtstoffe besteht. Zur Herstellung der erfindungsgemtlWen
Anordnung wird auf eine Unterlage eine Schicht aufgedampft. Noch während de:; Aufdampfen:N
der ersten Schicht wird eine weitere Verdampferquelle fir die darauffolgende Schicht
eingeschaltet, an.-schließend nach einer Zeit gemeinsamen. Aufdampfexis die erste
%erdaiupfungsquelle abgeschaltet und dann nur noch das Material der zweiten Schicht
auf die Anordnung aufgedampft. Nach Erreichen der gew;inschten Dicke der zweiten
Schicht wird die zweite Verdampferquelle abgeschaltet. Durch das zeitweilige geaneinsäme
Aufdampfen wird erreicht, daß an der Grenze der beiden Schichten kein abrupter ;;bergan
g, sondern ein weicher, ko:itnuierlicher Obergang entsteht, welcher eine starke
innere Verankerung der beiden Schichten in einem gemeinsamen Grenzbereich be;virkt,
so dah fei thermii-,chen Beanspruchungen die Gefahr des ibplatzens der Schichten
voneinander praktisch ausgeschaltet ;vird. An einem ausf;:llrungsbeispiel soll die
Erfindung anhand der,
Figur näher erläutert werden. Auf ein Glassubstrat
1 wird z.H. eine metallische Schicht 2, beispielsweise aus Gold, Kupfer oder Aluminium,
sufgsJampft.° -Zur besseren Haftung dieser Schicht auf dem Glas kann vorher noch
eine Haftschicht, z.B. durch Aufetäuben von Chrom, aufdas Substrat.aufgebracht werden.
Ist die gewünschte Dicke der Schicht 2, z.B. wenige 1000 X, erreicht, so wird noch
während des Verdampfens des Schichtmaterials 2 eine weitere Verdampferquelle, z.B.
für Siliciummoncxid, eingeschaltet. Während des gemeinsamen Verdampfens der beiden
Materialien entsteht die @.bergangsschicht 3 mit einer Dicke von etwa 50 - 100,
in der die beiden Materialien mit einem bestimmten P,tischungsverhältnis enthalten
sind, welches durch die Temperatur der Vordampferquellen und die 1iolekulargewichte
der Partner bestimmt wird. Nach Abschalten der Verdampferquelle für die Schicht
2 wird nur noch aus der anderen Verdampferquelle ,gedampft, so daß die Schicht 4
entsteht, welche beliebig dick gemacht ,erden kann. Die Schichten 2 und 4 können
einen stark voneinander abweichenden thevmischen Ausdehnungskoeffizienten besitzen,
da sie durch die `bergangsschicht 3 miteinander verankert sind. -Auf die gleiche
reise kann eine Vielzahl von Schichten mit unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
übereinander angebracht werden.Multi-layer arrangement of layers, in particular of vapor-deposited layers: consisting. The present invention relates to a multilayer, e layer
arrangement, in particular consisting of vapor-deposition layers
a base in which the individual layers of fabric
exist with different thermal expansion coefficients.
for 7iel ==, ti @@ ren drln @ s @@. ° rc: c> 1 :, z. . (3s by creating a small
rua @ ft: ir @:; .- Lr @: * @ 3ei.ders. @ = incl @@. = @ ° @ cm mlrr.; @ eZe @ it @ ° oxi.i; @schexi - @ ä: @ h @ lrungen,
itr # FIeraUe1.Luxisc3-Lner gen K "zp? zL-ity or tone
rntztrri @@, ir @ @r »: n shift opetchers: dead it crwünsciit, zdB. schr capital
aui 'nie La: -L1Lejtdhf: eri layers to be produced-
len. It has been shown that the production of large-area insulation on metallic layers was not possible due to the widely differing thermal expansion coefficients of the layers. With the usual successive application, e .g. by vapor deposition of insulating and metal layers, it is only possible to use relatively small curses, e.g. E. of the size of 1 mi, which may also have a thickness of at most a few 1000 X, to produce. Larger 3-right curses show the typical appearance of flaking of the applied layer. In addition, it has been shown that smaller flat curses, for example of the order of 0.1 mm; Away-. BlCi.-tterurrgaerscheitiungen can show, << because the insulation does not look like a capacitor is enclosed between IWe2 metal layers. It is known to produce insulating layers, for example made of silicon monoxide, on substrates, for example by vapor deposition in a high-quality manner. Protective layers, for example, are attached to these; `quietly.:. nient or microelectronic circuits or d @ ieI: ie @ ehtrika made of capacitors. The invention sets itself the task of: producing over: inande: r: il.egender large-area and target lights with different thermal protection: .iE: rites to wii.lirloisten. It should mm Loollerochlohten of the '100 and a plurality of sets may be, said metallic layers and. Take turns insulating if necessary. . To solve this problem, it is proposed according to the invention that a continuous transition of the two laminates should exist within a border area between two adjacent layers. To produce the arrangement according to the invention, a layer is vapor-deposited onto a base. While de :; Vapor deposition: In the first layer, a further evaporation source is switched on for the following layer, then common after a period of time. Aufdampfexis switched off the first source of earth evaporation and then only the material of the second layer is evaporated onto the arrangement. After the desired thickness of the second layer has been reached, the second evaporator source is switched off. The temporary joint evaporation ensures that at the boundary of the two layers there is no abrupt, uphill, but rather a soft, coherent transition, which brings about a strong inner anchoring of the two layers in a common border area, so there In the event of thermal stresses, the risk of the layers bursting from one another is practically eliminated; Using an exemplary embodiment, the invention will be explained in more detail with reference to the figure. For example, a metallic layer 2, for example made of gold, copper or aluminum, is vapor-deposited onto a glass substrate 1. For better adhesion of this layer to the glass, an adhesive layer can be applied to the substrate beforehand, for example by dusting chrome. If the desired thickness of the layer 2, for example a few 1000 Ω, is reached, a further evaporation source, for example for silicon monoxide, is switched on while the layer material 2 is being evaporated. During the joint evaporation of the two materials, the transition layer 3 is formed with a thickness of about 50-100, in which the two materials are contained with a certain mixing ratio, which is determined by the temperature of the pre-evaporation sources and the molecular weights of the partners. After the evaporation source for layer 2 has been switched off, only the other evaporation source is used to vaporize, so that layer 4 is created, which can be made as thick as desired, and ground. The layers 2 and 4 can have thermal expansion coefficients that differ greatly from one another, since they are anchored to one another by the transition layer 3. -A large number of layers with different thermal expansion coefficients can be applied one on top of the other on the same journey.