DE1521062B2 - Waessriges saures galvanisches kupferbad zur abscheidung von duktilem glaenzendem kupfer - Google Patents

Waessriges saures galvanisches kupferbad zur abscheidung von duktilem glaenzendem kupfer

Info

Publication number
DE1521062B2
DE1521062B2 DE19631521062 DE1521062A DE1521062B2 DE 1521062 B2 DE1521062 B2 DE 1521062B2 DE 19631521062 DE19631521062 DE 19631521062 DE 1521062 A DE1521062 A DE 1521062A DE 1521062 B2 DE1521062 B2 DE 1521062B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
bath
copper
polyether
concentration
baths
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE19631521062
Other languages
English (en)
Other versions
DE1521062A1 (de
Inventor
Hans-Gerhard Wayne; Stevenson Richard M. Grosse Pointe Woods; Romanowski Edward A. Troy; Mich. Creutz (V.StA.)
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Udylite Corp
Original Assignee
Udylite Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Udylite Corp filed Critical Udylite Corp
Publication of DE1521062A1 publication Critical patent/DE1521062A1/de
Publication of DE1521062B2 publication Critical patent/DE1521062B2/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38Electroplating: Baths therefor from solutions of copper

Description

Die Erfindung betrifft ein wäßriges saures Kupferbad, insbesondere ein saures Kupfersulfat- und Fluoboratbad sowie ein Verfahren zur galvanischen Abscheidung von Kupfer aus diesem Bad.
Obwohl eine große Anzahl von organischen Verbindungen vorgeschlagen und benutzt worden ist, um die Korngröße herabzusetzen und den Glanz der Kupferabscheidung aus sauren Bädern zu erhöhen, bleibt dennoch vieles zu wünschen übrig, und zwar hinsichtlich der Erlangung einer glänzenden Kupferabscheidung mit guter glatter Oberflächenbeschaffenheit, die keine Streifenbildungen oder Rippenbildungen aufweist und welche die äußerst hohe Duktilität der Kupferabscheidung, welche aus bekannten sauren Kupferbädern gewonnen wird, beibehält.
Es ist schon vorgeschlagen worden, sauren galvanischen Kupferbädern Polyoxyäthanole der Formel
R(CH2CH2O)n-H
(in welcher R Hydroxyl, ein Alkohol-, Phenol-, Äther-, Säure- oder Aminrest sein kann) zusammen mit Chloridionen oder Bromidionen zuzusetzen. Polyoxyäthanole allein lösen das Problem der Eliminierung von Streifen- und Rippenbildung in der Kupferabscheidung nicht, und die Anwesenheit von Chloridionen oder Brpmidionen bringt unerwünschte Nebenwirkungen mit sich, z. B. die Neigung, bei hohen Stromdichten grobkörnige und verbrannte Kupferabscheidungen zu geben.
Eine andere Art von Badzusätzen zur Erhöhung des Glanzes der Abscheidung, die erst in neuerer Zeit vorgeschlagen worden ist, sind organische Sulfide, die auch mit Sulfonsäuregruppen substituiert sein können. Jedoch ist die Menge Sulfid, die für ein saures Kupferbad erforderlich ist, hoch, gewöhnlich beträgt sie 1 bis 2 g Sulfid pro Liter Badflüssigkeit. Eine hohe Sulfidkonzentration (über etwa 0,04 g/l) ist teuer und, was vielleicht noch wesentlicher ist, schädlich, da das Sulfid bei längerem Arbeiten im Bad zersetzt wird, was das Bad verunreinigt und zu einem Verlust an Wirksamkeit des Galvanisierens oder der Qualität des erzeugten Überzuges führt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die vorstehend aufgezeigten Nachteile zu vermeiden und ein saures galvanisches Kupferbad zu schaffen, mit dem sich glatte, duktile, halbglänzende Kupferabscheidungen geringer Spannung erhalten lassen, die frei von Streifen sind. Die Aufgabe wird gelöst durch ein wäßriges galvanisches Kupferbad zur Abscheidung von duktilem glänzendem Kupfer, das gekennzeichnet ist durch einen Badzusatz, bestehend aus einem organischen Sulfid, das mindestens eine Sulfonsäuregruppe enthält und, im Gemisch damit oder chemisch gebunden, einem Polyäther, der mindestens 3, vorzugsweise 6 Äthersauerstoffatome enthält und frei von aliphatischen Kohlenwasserstoffketten mit mehr als 6 C-Atomen ist.
Die Verwendung von Sulfid in Verbindung mit dem Polyäther setzt die erforderliche Sulfidkonzen* tration wesentlich herab und führt zusätzlich zu besserem Glanz. Dies war völlig überraschend, da die Ergebnisse, die bei Verwendung der beiden Materialien für sich allein keineswegs erkennen ließen, daß eine merkliche Erhöhung des Glanzes eintreten würde, wenn die beiden Materialien zusammen eingesetzt werden. Die Eliminierung der Streifen- und Rippenbildung, die normalerweise nur festgestellt wird, wenn die obenerwähnten Polyoxyäthanole in Anwesenheit von Brom- und Chlorionen verwendet werden, ist selbst ein unerwartetes Ergebnis, und es ist ein besonderer Vorteil der Erfindung, daß die unerwünschten Chlor- und Bromionen nicht zugesetzt zu werden brauchen.
Die bevorzugten Polyäther· sind 1,3-Dioxolanpolymerisate. 1,3-Dioxolan hat die Formel
H7C
,0 —CH,
-O —CH,
Die Polymerisate haben ein Molekulargewicht von mindestens 296, vorzugsweise von etwa 5000, und bestehen aus Ketten von durch Sauerstoffatome miteinander verbundenen alternierenden Methylen- und Äthylengruppen und endständigen Hydroxylgruppen. Sie können als solche eingesetzt werden, oder sie können mit vielen organischen Verbindungen, welche ein reaktives Wasserstoffatom aufweisen, wie z. B. Alkohole, Glykole, Zucker, Arylamine, Chlorhydrine, Amide, Thiolverbindungen, Alkanolsulfonsäuren, Nitrile, Thioarylsulfonsäuren, Thiosulfonsäuren und Alkanolamine derart umgesetzt sein, daß das Produkt mindestens 50 Molprozent . des unmodifizierten 1,3-Dioxolanpolymerisats oder ein solches i,3-Dioxolanpolymerisat in Verbindung mit einem 1,3-Dioxolanpolymerisat, bei dem alle Hydroxylgruppen umgesetzt sind, enthält.
Neben den vorstehend beschriebenen Dioxolanpolymerisaten können Polyäther, die von Äthylenoxyd oder Propylenoxyd oder Mischungen davon abgeleitet sind, verwendet werden., Sie können als Endgruppen andere ali Hydroxylgruppen aufweisen, ζ. B. Aminogruppen, Chlorid, Bromid, Sulfonsäure-, Mercapto- und Alkoxygruppen mit 1 bis 7 C-Atomen, Naphthoxy-, Phenoxygruppen sowie Chlor-, Brom-, Nitro-, Methoxy- und Äthoxy-substituierte Phenoxygruppen sowie Alkylphenoxygruppen mit Alkylgruppen, die weniger als 6 Kohlenstoffatome aufweisen. Es ist gefunden worden, daß Polyäther, die Kohlenwasserstoffketten mit mehr als 6 C-Atomen enthalten, bei Luftrührung leicht zum überschäumen führen, und was noch wichtiger ist, den Glanz der Kupferplattierung, insbesondere in Gebieten niedriger Stromdichte, vermindern.
Beispiele für organische Sulfide mit mindestens einer Sulfonsäuregruppe sind in der Tabelle I aufgeführt. Die Sulfide, insbesondere aromatische und heterocyclische Sulfidsulfonsäuren, können durch Gruppen, wie Methyl, Chlor, Brom, Methoxy, Äthoxy, Carboxy und Hydroxyl, substituiert sein und bringen grundlegende Änderungen im Glanz. Die organischen Sulfidsulfonsäuren können den Bädern als freie Säuren oder Salze, z. B. als Salze von Alkalimetallen oder organischen Aminen, wie Triäthanolamin, Guanidin, Aminoguanidin, Phenylguanidin, Äthylendiamin und Pyridin, zugegeben werden; diese Salze werden von dem Ausdruck »Sulfonsäure«, wie er hier gebraucht wird, mit umfaßt. In den meisten Fällen wird die Verwendung der Sulfonsäuren in Form freier Säuren bevorzugt.
Es ist festgestellt worden, daß die genannten 1,3-Dioxolanpolymerisate und andere Polyätherverbindungen, die noch ausführlicher beschrieben werden, bei Verwendung in den sauren Kupferbädern mit sehr geringen Konzentrationen organischer Sulfide (Thiole, Thioäther u. dgl.), wie sie in der folgenden
3 . 4
Tabelle I beschrieben sind, die galvanische Abschei- Kupferabscheidung innerhalb eines viel größeren
dung einer glatten, glänzenden Kupferschicht er- Bereiches erzielt wird, welcher die Bereiche mit sehr
möglichen, ohne daß dabei die Biegsamkeit der niedriger Stromstärke einschließt.
Kupferabscheidung nennenswert vermindert würde. Die bevorzugten Phenazinfarben sind Diäthyl-
Die organischen Sulfidverbindungen nach der Ta- 5 phenosafranin-Azodimethylanilin, Dimethylphenosa-
belle I erzeugen, wenn sie allein in den Bädern in franin-Azodimethylanilin, Diäthylphenosafranin-Azo-
Konzentrationen von 0,0005 bis 0,04 g/l oder sogar phenol und Dimethylphenosafranin-Azo-(2-Hydroxy-
bis zu 0,1 g/l verwendet werden, keinen starken Glanz; 4-Äthylamino-5-methyl)-benzol, da diese Verbindung
erst wenn sie in Konzentrationen von wenigstens die höchste Ebnung und den weitesten Bereich einer
1 g/l eingesetzt werden, geben sie, wenn sie allein io glänzenden Abscheidung ermöglicht,
verwendet werden, Glanz und bringen auch dann Im allgemeinen sind bei Verwendung von Phenazin-
nicht den höchsten Glanz hervor. Zum Beispiel farbstoffen vorzugsweise Sulfonatanionen in verhält-,
wirken Thianthrensulfonsäuren (Beispiel IV, Tabelle I) nismäßig niedrigen Konzentrationen in dem Bad
und die Phenyldisulfidsulfonsäure (Beispiel V, Ta- vorhanden, anderenfalls vermindert die Ionenpaarung
belle I) bei Verwendung in so geringen Konzen- 15 die Löslichkeit der Farben.
trationen, wie 0,0005 bis 0,01 g/l bei etwa 0,05 bis Die bevorzugten sauren Kupferbäder sind saure 0,2 g/l der 1,3-Dioxolanpolymerisate mit hohem Mo- Sulfat- und Fluoboratbäder, es können jedoch andere lekuiargewicht in der Form mit, daß sie glänzende, saure Kupferbäder, die Komponenten, wie Kupferbiegsame Kupferabscheidungen geben. Wenn jedoch methansulfonate, Kupfermethandisulfonate, Kupferz. B. sulfoniertes Thianthren allein oder mit einem 20 äthansulfonate, Kupferäthandisulfonate, Kupferproähnlichen sulfonierten organischen Sulfid in einem pansulfonate, mit einem durch die freien Sulfonsäuren Kupferbad verwendet wird, dann ist es er- säuren zugeführten Säureüberschuß enthalten, mit •forderlich, 1 bis 2g zu verwenden, um glänzende den Verbindungen der Zusätze gemäß der Erfindung Plattierungen zu erzielen. Mit anderen Worten ver- verwendet werden, um einen hochglänzenden überzug mindert die Verwendung von Sulfid in Verbindung 25 zu gewährleisten. Die anorganische Zusammensetzung mit den 1,3-Dioxolanpolymerisaten mit hohem Mo- der sauren Kupfergalvanisierungsbäder, wie"z. B. lekuiargewicht* die erforderliche Konzentration um das saure Sulfat oder das saure Fluoborat können ein lOOfaches und ergibt außerdem einen besseren in weiten Grenzen-veränderlich sein. Wenn jedoch Glanz. Dasselbe gilt für die sulfonierten Phenyl- sehr geringe Säuregehalte verwendet werden, dann disulfide und andere sulfonierte organische Sulfide, 30 werden höhere Badspannungen benötigt. In den die in der Tabelle I aufgezeigt sind. unten aufgeführten Beispielen, die zur Erläuterung Die organischen Sulfonsäuregruppen enthaltenden von Bädern für glänzende Kupferabscheidungen Sulfide, wie sie z. B. in der Tabelle I aufgeführt sind, dienen, werden die üblichen Arten von sauren Kupfersind vorzugsweise in den Bädern in Konzentrationen sulfat- und Fluoboratbädern !verwendet,
von 0,0003/bis 0,04 g/l enthalten und geben glänzende 35 Es können viele anorganische Kationen, die sich und in einigen Fällen stark glänzende Abscheidungen, nicht in Form von Plattierungen aus den normalen ohne daß schädliche Streifenbildungen oder Rippen- sauren Kupferplattierungsbädern ausscheiden, in Konbildungen entstehen, wenn sie in Verbindung mit zentrationen bis zu wenigstens 25 g/l vorhanden Polyäthylenäthanolen und Glykolen mit hohem Mo- sein, ohne daß schädliche Auswirkungen auftreten; lekuiargewicht (durchschnittliches Molekulargewicht 40 Beispiele dieser Kationen sind Eisen-, Nickel-, Kobalt-, 220 bis wenigstens 30 000). Ferner ist festgestellt Zink- und Cadmiumkationen. Die Konzentration worden, daß Polyäther, z. B. Polypropylenpropanole, der Chlorid- und/oder Bromidanionen sollte im und insbesondere Polypropylenglykole eines durch- allgemeinen unterhalb etwa 0,1 g/l gehalten werden schnittlichen Molekulargewichtes von etwa 290 bis und sollte vorzugsweise unterhalb etwa 0,02 g/l liegen.! 1000, welche starke Streifenbildungen verursachen, 45 Im Interesse einer Durchführung der Abscheidung insbesondere dann, wenn das Molekulargewicht in mit höchster Geschwindigkeit und zur Erlangung dem oberen Teil des Bereiches liegt, bei Verwendung günstiger Ergebnisse ist eine Luft- oder eine Kain Konzentrationen von etwa 0,1 bis 0,5 g/l keine thodenstabbewegung oder eine Lösungs- und Ka-Streifenbildungen verursachen und eine noch glänzen- thodenstabbewegung wünschenswert. Die besten Baddere Plattierung hervorbringen als die Polyäthylen- 50 temperaturen sind 25 bis 30° C, obwohl niedrigere äthanole und Polyäthylenglykole von hohem Mo- oder höhere Temperaturen zur Anwendung kommen lekuiargewicht, wenn sie in gleicher Weise mit den können.
sehr geringen Konzentrationen der Verbindungen Obwohl bisher oberflächenaktive Substanzen, z. B. nach der Tabelle I verwendet werden. anionaktive, wie Natriumoctylsulfat, sulfonierte nichtin der Tabelle II sind Beispiele im Bad löslicher 55 ionische Substanzen und nichtionische Polyoxyver-Polyätherderivate aufgeführt. Die bevorzugten Ver- bindungen in sauren Kupferplattierungsbädern oft bindungen hinsichtlich der besten Zusammenwirkung mit guten Ergebnissen verwendet worden sind, werden mit den Sulfiden zur Bildung eines glatten, streifen- sie in den Bädern gemäß der Erfindung nicht befreien, glänzenden, biegsamen Kupfers sind Dioxolan- nötigt. Tatsächlich ist ihre Verwendung in Bädern, polymerisate und die Polypropylenpropanole und 60 welche Phenazinfarbstoffe enthalten, unbedingt nach-Polypropylenglykole mit einem durchschnittlichen teilig.
Molekulargewicht von etwa 360 bis 1000. Im allgemeinen werden phosphorisierte Kupfer-
Es ist ferner festgestellt worden, daß bei einem Zusatz anöden verwendet, insbesondere dann, wenn die
niedriger Konzentrationen (0,001 bis 0,05 g/l) von Zusätze der sauren Bäder aus einer Zusammen-
Phenazinfarbstoffen, wie z. B. Diäthylphenosafranin- 65 setzung von Verbindungen bestehen, die aus den
Azodimethylanilin, zu den Bädern gemäß der Erfin- Tabellen I und II ausgewählt sind. Die phospho-
dung der Glanz und die Ebnung weiter verbessert wer- risierten Anoden enthalten etwa 0,02 bis 0,2% Phos-
den und eine sehr glänzende, sehr glatte, biegsame phor.
In der Tabelle I sind verschiedene Beispiele geeigneter Sulfide zur Verwendung gemäß der Erfindung aufgeführt, Tabelle II zeigt Beispiele für geeignete Polyäther.
Eine Anzahl von sauren Kupferbädern zur Ab- 5 scheidung hochgradig biegsamer, glänzender Kupferüberzüge sind nach den Tabellen beschrieben. Der höchste Glanz, der weiteste Bereich für eine glänzende Abscheidung und für die beste Oberfiächenglätte werden erzielt, wenn Bäder zur Anwendung kommen, io bei denen Diäthylphenosafranin-Azodimethylanilin eines der Glanzmittel ist.
Tabelle I
Konzentrationsbereich 0,0005 bis 0,04 g/l 15
bei Verwendung mit den Verbindungen der Tabelle II
20
25 NHCOCH3
6. A-S(CH2),- SO3H
η — 1 bis 4
7 ttq s
' 3
<Xx-
SC — OC2H
2H5
HC CH
Il Il
HC C-SO3H
SO3H
S S
SO3H SO3H
3.<3^S^>-SH
o SO3H SO3H
CH3CNH-K >-S^C ^SH
(CH2)„-SH
HO3S- (CH2),,- SH η = 1 bis 4
30
40 9.
SO9NH
SO.H
NHSO2
10. irS Crl-ϊ CrI C-Γτ
SO3H SO3H SO3H HS-CH2-CH-CH2-CH2-Sh
11. CH3
55
6o
HO3S
SO3H S(CH2)2SO3H
Sv
C-SH
SO3H
12. HO3S-CH2-CH-CH2SH
SH HS — CH2 — CH — CH2SO3H
SO,H
13. CH,
SO,H
14. CH,
15. CH
16. HO,S
17. CH
21. CH,
S — (CH2)2 — SO3H CH3 O(CH2)3SO3H
= N-
Tabelle II (Polyäther)
(Konzentrationsbereich 0,01 bis 5 g/l. Die niedrigere
Konzentration für die Arten mit höherem
Molekulargewicht)
SO3H 1.
H, C
O —CH,
O — CH,
Polymerisate mit einem durchschnittlichen Molekulargewicht von 388 bis 30000
2.
•N
C2H4(OC2H4)^O3H
χ = 20 bis 100
S — (CH2)3 — SO3H
c-s-s-c
SO,H
SO,H
L-N- C2H4(OC2H4)^OH χ = 5 bis 100
SO3H
4. CH,
S-C3H6-SO3H
19. HS — C2H4(OC2H4), — NH(CH2)nSO3H χ = 1 bis 100, η - 1 bis 4
20. HS — C3H6(OC3H6),-NH(CH2J11SO3H y = 1 bis 20, η = 1 bis 4
-N-C3H6(OC3H6LOH
x' = 4 bis 10
5. HO3S
-N = N
L N — C2H4(OC2H4)XOH
E = H -CH3 -C2H5 -C2H4(OC2H4)^OH
109 547/424
LN —CH1
■3A16(.'-'^3EWxOH.
r=N
L-N- C2H4(OC2HJxOH
7. HO — C2H4(OC2HJxOH χ = 9 bis 1000
8. HOC3H6(OC3H6)XOH χ = 5 bis 20
9. HS-C2H4(OC2HJxOH χ = 9 bis 100
10. H2N — C2H4(OC2HJxOH χ = 9 bis 600 H2N — C2H4(OC2HJxNH2 χ = 5 bis 500 HO3SC2H4NHC2H4(OC2HJxOH χ = 5 bis 1000
SO,H
17. HO(C3H6O)C3H6-N χ = 3 bis 20
10
IO
11. H2N-C3H6(OC3H6 χ = 5 bis 20
H2N — C3H6(OC3H6
χ ,= 3 bis 20
HO3S — C2H4NHC3H6(OC3He)x — OH
χ = 3 bis 30
12. HO3S — C3H6(OC3H6)XOH χ "= 5 bis 50
13. CH3C2H4(OC2HJxOH χ = 5 bis 15
20
14. \_J- OC2H4(OC2HJxOH χ = 5 bis 30
15. CH3OC2H4(OC2HJxOH χ = 5 bis 30
16. C2H5OC2H4(OC2HJxOH χ = 5 bis 30 j ; ,,
N-C3H6(OC3He)xOH
18. HO(C2H4O)xC2H4-N χ = 5 bis 100
CH3
19. HO(C2H4O)xC2H4O -C-CsC-C-
CH3
χ = 5 bis 100 N-C2H4(OC2HJxOH
CH3
• C — OC2H4(OC2HJxOH
CH,
CH3 CH3
20. HO(C2H4O)xC2H4O-C-C = C-C-OC2H4(OC2HJxOH
C2H5 C2H5
χ = 5 bis 100
Beispiel A
Konzentration g/I
CuSO4 ·5Η,Ο 150 bis
H2SO4 30 bis 75
1,3-Dioxolanpolymerisat mit einem durchschnittlichen Molgewicht von 5000 0,1 bis 0,2
Diäthylphenosafraninazodimethylanilin
Thiophen-2-sulfonsäure (Beispiel I, Tab. I)
Temperatur 25 bis 300C
Durchschnittliche Kathodenstromstärke
Konzentration g/l 0,001 bis 0,01
0,001 bis 0,01
5 A/dm2
1 521
B e i s ρ i e 1 B
Konzentration g/1
CuSO4-5H2O 150 bis 250
H2SO4.. 30 bis 75
1,3-Dioxolanpolymerisat mit 5
einem durchschnittlichen
Molgewicht von 5000 0,05 bis 0,15
Thianthrensulfonsäure
(Beispiel 4, ,Tab. I) 0,001 bis 0,01
Temperatur 20 bis 35° C io Durchschnittliche Kathodenstromstärke 5 A/dm2
Beispiele
. Konzentration g/l 15
CuBF4 150 bis 425
HBF4 10 bis 30
H3BO3... 0 bis 30
1,3-Dioxolanpolymerisat mit
einem durchschnittlichen 20
Molgewicht von 5000 0,1 bis 0,3
Beispiel 7, Tabelle I 0,001 bis 0,02
Diäthylphenosafraninazodimethylanilin 0,001 bis 0,02
Temperatur 20 bis 350C 25
Durchschnittliche Kathodenstromstärke. ..: '. 5 bis 10 A/dm2
BeispielD
■:■'"" Konzentration g/l 30
CuSO4 · 5H2O 150 bis 250
H2SO4... 30 bis 75
Polypropylenglykol mit einem
durchschnittlichen Molgewicht von 350 bis 750... 0,05 bis 0,2 35
Thianthrensulfonsäure 0,001 bis" 0,02
Dimethylphenosafraninazodimethylanilin 0,001 bis 0,01
Temperatur 20 bis 35° C
Durchschnittliche Kathoden- 40
Stromstärke 5 A/dm2
B e i s ρ i e 1 E
Konzentration g/l 45
CuSO4 · 5H2O 150 bis 250
H2SO4 30 bis 60
Beispiel 11, Tabelle II 0,05 bis 0,5
Phenyldisulfidsulfonsäure
(Beispiel 5, Tabelle I) 0,001 bis 0,02 50
Diäthylphenosafraninazo-
dimethylanilin 0,001 bis 0,01
Temperatur 25 bis 300C
Durchschnittliche Kathodenstromstärke 5 A/dm2 55
B e i s ρ i e 1 F
Konzentration g/l
CuSO4 · 5H2O 150 bis 250 60
H2SO4 30 bis 60
Polypropylenglykol mit einem
durchschnittlichen Molgewicht von 350 bis 750... 0,02 bis 0,4
Beispiel 3, Tabelle I 0,001 bis 0,02 65
Temperatur 25 bis 300C
Durchschnittliche Kathodenstromstärke 5 A/dm2
062
B e i s ρ i e 1 G
Konzentration g/l
CuBF4 150 bis 425
HBF4 10 bis 30
H3BO3 0 bis 30
Beispiel 11, Tabelle II 0,02 bis 0,3
Beispiel 2, Tabelle I 0,001 bis 0,01
Diäthylphenosafraninazo- .
phenol .· 0,001 bis 0,01
Temperatur 25 bis 3O0C
Durchschnittliche Kathodenstromstärke 5 bis 10 A/dm2
B e i s ρ i e 1 H
Konzentration g/1
CuSO4 · 5H2O 150 bis 250
H2SO4 : 30 bis 60
Polypropylenglykol mit einem
durchschnittlichen Molgewicht von 300 bis 750... 0,01 bis 0,2
Diäthylphenosafraninazodimethylanilin 0,001 bis 0,02
Beispiel 12, Tabelle I 0,001 bis 0,02
Temperatur 25 bis 3O0C
Durchschnittliche Kathoden- "'■ '
Stromstärke 5 A/dm2

Claims (7)

Patentansprüche:
1. Saures, galvanisches, organische Sulfide.enthaltendes Kupferbad zur Abscheidung von duktilem glänzendem Kupfer, dadurch gekennzeichnet, daß das-B^d ein organisches Sulfid, das mindestens eine Sulfonsäuregruppe enthält und, im Gemisch damit oder chemisch gebunden, einem. Polyäther, der mindestens 3, vorzugsweise 6 Äthersauerstoffatome enthält und frei von aliphatischen Kohlenwasserstoffketten mit mehr als 6 C-Atomen ist, enthält.
2. Bad nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Bad das Sulfid im Gemisch mit dem Polyäther in einer Konzentration von 0,0005 bis 0,04 g/l enthält. "
3. Bad nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß es einen Polyäther enthält, der wenigstens 6 Äthersauerstoffatome aufweist.
4. Bad nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Bad die organische Sulfidverbindung in einer Konzentration von 0,0005 bis 0,01 g/l enthält.
5. Bad nach Anspruch 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Bad als Polyäther ein 1,3-Dioxolanpolymerisat enthält, welches ein Molekulargewicht von wenigstens 296 hat.
6. Bad nach Anspruch 2 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Bad einen Polyäther enthält, der die Gruppe
(- C2H4OC2H4O -)x in welcher χ gleich 3 oder mehr ist, oder die
Gruppe
(-C3H6OC3H6O-),
in der y einen Wert von 3 bis 10 aufweist.
7. Bad nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Bad zusätzlich 0,001 bis 0,05 g/l eines löslichen Phenazinfarbstoffes enthält, vorzugsweise Diäthylphenosafraninazodimethylanilin,
DE19631521062 1962-04-16 1963-04-16 Waessriges saures galvanisches kupferbad zur abscheidung von duktilem glaenzendem kupfer Ceased DE1521062B2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US187926A US3267010A (en) 1962-04-16 1962-04-16 Electrodeposition of copper from acidic baths

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1521062A1 DE1521062A1 (de) 1969-08-14
DE1521062B2 true DE1521062B2 (de) 1971-11-18

Family

ID=22691053

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19631521062 Ceased DE1521062B2 (de) 1962-04-16 1963-04-16 Waessriges saures galvanisches kupferbad zur abscheidung von duktilem glaenzendem kupfer

Country Status (6)

Country Link
US (1) US3267010A (de)
DE (1) DE1521062B2 (de)
FR (1) FR1361558A (de)
GB (1) GB1034484A (de)
NL (1) NL291575A (de)
SE (1) SE301576B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4126502C1 (de) * 1991-08-07 1993-02-11 Schering Ag Berlin Und Bergkamen, 1000 Berlin, De

Families Citing this family (60)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3373095A (en) * 1967-06-05 1968-03-12 Dayton Bright Copper Company Electroplating of copper
US3542655A (en) * 1968-04-29 1970-11-24 M & T Chemicals Inc Electrodeposition of copper
DE2039831C3 (de) * 1970-06-06 1979-09-06 Schering Ag, 1000 Berlin Und 4619 Bergkamen Saures Bad zur galvanischen Abscheidung glänzender Kupferüberzüge
US3715289A (en) * 1971-02-08 1973-02-06 Stauffer Chemical Co Brightener composition for acid copper electroplating baths
US3770598A (en) * 1972-01-21 1973-11-06 Oxy Metal Finishing Corp Electrodeposition of copper from acid baths
US3940320A (en) * 1972-12-14 1976-02-24 M & T Chemicals Inc. Electrodeposition of copper
US3956078A (en) * 1972-12-14 1976-05-11 M & T Chemicals Inc. Electrodeposition of copper
US3956120A (en) * 1972-12-14 1976-05-11 M & T Chemicals Inc. Electrodeposition of copper
US3956084A (en) * 1972-12-14 1976-05-11 M & T Chemicals Inc. Electrodeposition of copper
US3966565A (en) * 1972-12-14 1976-06-29 M & T Chemicals Inc. Electrodeposition of copper
US3956079A (en) * 1972-12-14 1976-05-11 M & T Chemicals Inc. Electrodeposition of copper
US4036710A (en) * 1974-11-21 1977-07-19 M & T Chemicals Inc. Electrodeposition of copper
US4014760A (en) * 1974-11-21 1977-03-29 M & T Chemicals Inc. Electrodeposition of copper
US4036711A (en) * 1975-12-18 1977-07-19 M & T Chemicals Inc. Electrodeposition of copper
US4272335A (en) * 1980-02-19 1981-06-09 Oxy Metal Industries Corporation Composition and method for electrodeposition of copper
US4316778A (en) * 1980-09-24 1982-02-23 Rca Corporation Method for the manufacture of recording substrates for capacitance electronic discs
US4336114A (en) * 1981-03-26 1982-06-22 Hooker Chemicals & Plastics Corp. Electrodeposition of bright copper
US4376685A (en) * 1981-06-24 1983-03-15 M&T Chemicals Inc. Acid copper electroplating baths containing brightening and leveling additives
AU554236B2 (en) * 1983-06-10 1986-08-14 Omi International Corp. Electrolyte composition and process for electrodepositing copper
AU559896B2 (en) * 1983-06-10 1987-03-26 Omi International Corp. Electrolytic copper depositing processes
US4555315A (en) * 1984-05-29 1985-11-26 Omi International Corporation High speed copper electroplating process and bath therefor
US4551212A (en) * 1985-03-11 1985-11-05 Rca Corporation Bath and process for the electrodeposition of micromachinable copper and additive for said bath
US4673467A (en) * 1986-09-02 1987-06-16 Cbs Inc. Method of manufacturing fine-grained copper substrate for optical information carrier
DE4032864A1 (de) * 1990-10-13 1992-04-16 Schering Ag Saures bad zur galvanischen abscheidung von kupferueberzuegen und verfahren unter verwendung dieser kombination
US5252196A (en) * 1991-12-05 1993-10-12 Shipley Company Inc. Copper electroplating solutions and processes
US5328589A (en) * 1992-12-23 1994-07-12 Enthone-Omi, Inc. Functional fluid additives for acid copper electroplating baths
US6203582B1 (en) * 1996-07-15 2001-03-20 Semitool, Inc. Modular semiconductor workpiece processing tool
US6358388B1 (en) * 1996-07-15 2002-03-19 Semitool, Inc. Plating system workpiece support having workpiece-engaging electrodes with distal contact-part and dielectric cover
US5980706A (en) * 1996-07-15 1999-11-09 Semitool, Inc. Electrode semiconductor workpiece holder
US6454926B1 (en) 1997-09-30 2002-09-24 Semitool Inc. Semiconductor plating system workpiece support having workpiece-engaging electrode with submerged conductive current transfer areas
US6936153B1 (en) 1997-09-30 2005-08-30 Semitool, Inc. Semiconductor plating system workpiece support having workpiece-engaging electrode with pre-conditioned contact face
DE19758121C2 (de) * 1997-12-17 2000-04-06 Atotech Deutschland Gmbh Wäßriges Bad und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden von Kupferschichten
US7244677B2 (en) 1998-02-04 2007-07-17 Semitool. Inc. Method for filling recessed micro-structures with metallization in the production of a microelectronic device
TWI223678B (en) 1998-03-20 2004-11-11 Semitool Inc Process for applying a metal structure to a workpiece, the treated workpiece and a solution for electroplating copper
US6565729B2 (en) 1998-03-20 2003-05-20 Semitool, Inc. Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece
US6197181B1 (en) * 1998-03-20 2001-03-06 Semitool, Inc. Apparatus and method for electrolytically depositing a metal on a microelectronic workpiece
US7247229B2 (en) * 1999-06-28 2007-07-24 Eltech Systems Corporation Coatings for the inhibition of undesirable oxidation in an electrochemical cell
JP2001073182A (ja) * 1999-07-15 2001-03-21 Boc Group Inc:The 改良された酸性銅電気メッキ用溶液
US6596148B1 (en) 1999-08-04 2003-07-22 Mykrolis Corporation Regeneration of plating baths and system therefore
US6391209B1 (en) 1999-08-04 2002-05-21 Mykrolis Corporation Regeneration of plating baths
US6942779B2 (en) * 2000-05-25 2005-09-13 Mykrolis Corporation Method and system for regenerating of plating baths
EP1433544B1 (de) * 2000-08-18 2008-02-13 TI Group Automotive Systems Limited Verfahren zur Plattierung eines Metallbandes zur Herstellung eines Mehrwandigen Rohrs
US6652731B2 (en) * 2001-10-02 2003-11-25 Shipley Company, L.L.C. Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate
JP3964263B2 (ja) * 2002-05-17 2007-08-22 株式会社デンソー ブラインドビアホール充填方法及び貫通電極形成方法
US7025866B2 (en) * 2002-08-21 2006-04-11 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpiece for electrochemical deposition processing and methods of manufacturing and using such microelectronic workpieces
DE10261852B3 (de) 2002-12-20 2004-06-03 Atotech Deutschland Gmbh Gemisch oligomerer Phenaziniumverbindungen und dessen Herstellungsverfahren, saures Bad zur elektrolytischen Abscheidung eines Kupferniederschlages, enthaltend die oligomeren Phenaziniumverbindungen, sowie Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages mit einem das Gemisch enthaltenden Bad
US20040211657A1 (en) * 2003-04-11 2004-10-28 Ingelbrecht Hugo Gerard Eduard Method of purifying 2,6-xylenol and method of producing poly(arylene ether) therefrom
DE10337669B4 (de) * 2003-08-08 2006-04-27 Atotech Deutschland Gmbh Wässrige, saure Lösung und Verfahren zum galvanischen Abscheiden von Kupferüberzügen sowie Verwendung der Lösung
US20050092611A1 (en) * 2003-11-03 2005-05-05 Semitool, Inc. Bath and method for high rate copper deposition
DE10354860B4 (de) * 2003-11-19 2008-06-26 Atotech Deutschland Gmbh Halogenierte oder pseudohalogenierte monomere Phenaziniumverbindungen, Verfahren zu deren Herstellung sowie diese Verbindungen enthaltendes saures Bad und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages
US20080087549A1 (en) * 2004-08-18 2008-04-17 Ebara-Udylite Co.,Ltd. Additive For Copper Plating And Process For Producing Electronic Circiut Substrate Therewith
DE102005011708B3 (de) 2005-03-11 2007-03-01 Atotech Deutschland Gmbh Polyvinylammoniumverbindung und Verfahren zu deren Herstellung sowie diese Verbindung enthaltende saure Lösung und Verfahren zum elektrolytischen Abscheiden eines Kupferniederschlages
WO2008029376A2 (en) 2006-09-07 2008-03-13 Enthone Inc. Deposition of conductive polymer and metallization of non-conductive substrates
EP1897973A1 (de) * 2006-09-07 2008-03-12 Enthone, Inc. Beschichtung mit leitendem Polymer und Metallisierung von nicht-leitenden Substraten
ATE549437T1 (de) * 2006-09-07 2012-03-15 Enthone Abscheidung eines leitfähigen polymers und metallisierung eines nicht-leitenden substrats
JP5525762B2 (ja) * 2008-07-01 2014-06-18 上村工業株式会社 無電解めっき液及びそれを用いた無電解めっき方法、並びに配線基板の製造方法
TWI433964B (zh) 2010-10-08 2014-04-11 Water Star Inc 複數層之混合金屬氧化物電極及其製法
CN102523785B (zh) * 2012-01-19 2013-10-02 南京农业大学 藏红t在种子染色标记示踪方面的应用
EP3415664B1 (de) * 2017-06-16 2019-09-18 ATOTECH Deutschland GmbH Wässriges saures kupfergalvanisierungsbad und verfahren zur elektrolytischen abscheidung einer kupferbeschichtung
US11668017B2 (en) 2018-07-30 2023-06-06 Water Star, Inc. Current reversal tolerant multilayer material, method of making the same, use as an electrode, and use in electrochemical processes

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL83873C (de) * 1952-05-26
DE1075398B (de) * 1954-03-22 1960-02-11 DEHYDAG Deutsche Hydrierwerke G.m.b.H., Düsseldorf Bad zur galvanischen Herstellung von Metallüberzügen
BE556462A (de) * 1956-06-15
US3021266A (en) * 1957-08-12 1962-02-13 Barnet D Ostrow Additive for copper plating bath
US3030282A (en) * 1961-05-02 1962-04-17 Metal & Thermit Corp Electrodeposition of copper
DE1133610B (de) * 1959-06-06 1962-07-19 Dehydag Gmbh Saure galvanische Kupferbaeder

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4126502C1 (de) * 1991-08-07 1993-02-11 Schering Ag Berlin Und Bergkamen, 1000 Berlin, De

Also Published As

Publication number Publication date
NL291575A (de)
SE301576B (de) 1968-06-10
GB1034484A (en) 1966-06-29
DE1521062A1 (de) 1969-08-14
US3267010A (en) 1966-08-16
FR1361558A (fr) 1964-05-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1521062B2 (de) Waessriges saures galvanisches kupferbad zur abscheidung von duktilem glaenzendem kupfer
DE2541897C2 (de) Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung duktiler und glänzender Kupferüberzüge
DE2255584C2 (de) Saures Kupfergalvanisierbad
DE3518193C2 (de)
DE947656C (de) Bad zur galvanischen Herstellung von Kupferueberzuegen
DE2706521A1 (de) Verfahren zur herstellung von ebenen kupferueberzuegen und dafuer geeignetes saures plattierungsbad
DE3104108A1 (de) &#34;bad und verfahren zur galvanischen abscheidung von kupfer&#34;
DE1921845B2 (de) Saures wäßriges elektrolytisches Kupferbad
DE2832701A1 (de) Stickstoff-schwefel-zusammensetzung, sie enthaltende saure kupfer-elektrobeschichtungsbaeder und deren verwendung zur herstellung von glaenzenden, ebenen kupferueberzuegen
DE2610705C3 (de) Saure galvanische Kupferbäder
DE3710368C2 (de)
DE3447813A1 (de) Waessriges saures bad sowie ein verfahren zur galvanischen abscheidung von zink oder zinklegierungen
DE2204326B2 (de) Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung von glänzenden und duktilen .Kupferüberzügen
DE2809636A1 (de) Galvanisierbad auf der basis von dreiwertigem chrom
DE10033433A1 (de) Verfahren zur elektrolytischen Verzinkung aus alkansulfonsäurehaltigen Elektrolyten
DE3517968C2 (de)
DE2348190A1 (de) Galvanische abscheidung von glaenzendem zink
DE3611627A1 (de) Verbindung, zusammensetzung und verfahren zum elektroplattieren
DE2431332C2 (de) Wäßriges saures Bad zur galvanischen Abscheidung von glänzendem Nickel-Eisen
DE2333069C2 (de) Saures, wäßriges Bad zur galvanischen Abscheidung eines glänzenden Nickel-Eisen-Überzuges
DE2215737C3 (de) Wäßriges saures galvanisches Halbglanznickelbad
DE2331180C2 (de) Wässriges saures Kupferbad
DE3420999C2 (de)
DE2815786C2 (de) Wäßriges Bad und Verfahren elektrochemischen Abscheidung von glänzenden Eisen-Nickel-Überzügen
DE1237870B (de) Saures galvanisches Nickelbad

Legal Events

Date Code Title Description
BHV Refusal