DE112005003862B4 - Vorrichtung mit einer Schablone für einen Siebdruckprozess - Google Patents

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Abstract

Vorrichtung, aufweisend:
ein erstes Substrat (510a), das eine Oberseite und Unterseite hat;
einen Satz von einem oder mehreren Chips (530a, 530b), die an der Oberseite des ersten Substrats (510a) befestigt sind, wobei sich der eine oder die mehreren Chips (530a, 530b) über der Oberseite über eine erste Distanz erstrecken;
eine oder mehrere durch Metallkugeln gebildete Zwischenverbindungen (550a), die direkt auf der Oberseite des ersten Substrats (510a) ausgebildet sind und sich über der Oberseite über eine zweite Distanz erstrecken;
eine Schablone für einen Siebdruckprozess, die ein Muster aufweist, sodass die eine oder die mehreren durch Metallkugeln gebildeten Zwischenverbindungen (550a), die auf der Oberseite des ersten Substrats (510a) ausgebildet sind, abgedeckt werden, wobei die Schablone geeignet ist, den einen oder die mehreren Chips (530a, 530b) und einen unteren Abschnitt der einen oder mehreren durch Metallkugeln gebildeten Zwischenverbindungen (550a) mit einer Vergussmasse (545a) zu verkapseln, so dass ein oberer Abschnitt (551a) der einen oder mehreren durch Metallkugeln gebildeten Zwischenverbindungen (550a) freiliegt.

Description

  • Ausführungsformen der Erfindung betreffen allgemein das Gebiet der Geräte mit integrierten Schaltungen und, spezieller, Verfahren und Vorrichtungen zum Stapeln von Chips zum Erzeugen eines Stapelchipelementes.
  • Wenn Chips auf der Oberfläche der Silizium-Leiterplatte dichter gepackt werden können, lassen sich die Abmessungen und Kosten für das Modul reduzieren und die Systemleistung verbessern. Ein mögliches Verfahren zum Maximieren der Bausteindichten beinhaltet das Anordnen von Chips übereinander, um dreidimensionale Stapel zu bilden, die als Stapelchipelemente bezeichnet werden. Während der letzten Jahre hat es ein gewisses Interesse am Stapeln von Chips gegeben, wo dies möglich war. Solche Chipstapelungskonfigurationen umfassen das Stapeln einer Reihe von sich in der Größe verringernden Chips, um das Drahtbonden zu erleichtern, oder das Stapeln einer Reihe von Chips derselben Größe unter Verwendung von Entfernungshaltern oder den Einsatz eines Abschrägungsverfahrens oder die Verwendung von „T-Schnitt”-Chips für die oberen Chips. Da der Trend zum Stapeln von mehr Chips hin geht, von 2–4 gestapelten Chips heute in typischen Geräten zu 6–8 gestapelten Chips in der nahen Zukunft und mehr, treten Probleme auf.
  • Für eine Konfiguration mit sich verringernder Chipgröße zum Beispiel wird schließlich ein Punkt erreicht, an dem die Größe des oberen Chips uneffektiv wird. Für abgeschrägte oder T-Schnitt-Konfigurationen gibt es eine Schranke für die Größendifferenz zwischen dem unteren und oberen Chip in einem Stapel (d. h. starker Überhang ist schwieriger zu verarbeiten und führt zu weniger stabilen Stapelchipelementen.
  • Außerdem entsteht bei jeder dieser Konfigurationen das Problem erhöhter Ausbeuteverluste. Mit dem Wachsen der Zahl der gestapelten Chips erhöht sich der Ausbeuteverlust. Das Stapelchipelement wird nicht vollständig getestet, bis es vollständig ist. Die Temperatur- und anderen Toleranzprüfungen können an einzelnen Chips auf der Chipebene vor dem Stapeln abgeschlossen werden, aber eine solche Prüfung ist nicht aussagekräftig für die Gesamtfunktionalität des Stapelchipelements. Besonders in Fällen, in denen auf einem der gestapelten Chips ein Logikprozessor implementiert wird, ist die Prüfung auf Geschwindigkeit nicht zuverlässig, bevor alle elektrischen Verbindungen des ganzen Gerätes vollständig hergestellt sind.
  • Um die Probleme mit den Stapelungsbeschränkungen und dem Ausbeuteverlust anzugehen, wurde das Konzept der Teilbausteine von gestapelten Chips eingeführt. Bei einer solchen Konfiguration werden mehrere Teilbausteine, die jeweils ein Stapelchipelement umfassen, erzeugt und geprüft. Nach erfolgreicher Prüfung werden zwei und mehr Teilbausteine gestapelt und elektrisch verbunden, um ein Stapelchipelement zu bilden.
  • 1 illustriert ein Stapelchipelement, das gestapelte Teilbausteine gemäß dem Stand der Technik umfaßt. Das Stapelchipelement 100, das in 1 gezeigt wird, umfaßt drei Teilbausteine 105a, 105b und 105c, die Stapelchipbausteine sein können, wie zum Beispiel die Bausteine 105b und 105c. Baustein 105a umfaßt ein Substrat 110a mit leitfähigen Kugeln 120 (z. B. Ball-Grid-Array(BGA)), die an der Unterseite 111 von Substrat 110a gebildet sind. Die leitfähigen Kugeln 120 dienen dem elektrischen Anschluß von Substrat 110a an eine Grundplatine (nicht gezeigt). Ein Chip 130a ist auf der Oberseite 112 von Substrat 110a angeordnet.
  • Baustein 105b umfaßt ein Stapelchipelement, das Chip 130c auf Chip 130b gestapelt umfaßt. Baustein 105c umfaßt ein Stapelchipelement, das die Chips 130d–130f umfaßt, die aufeinander gestapelt sind, wie gezeigt. Alle Chips, 130a, 130b und 130c und 130d–130f sind elektrisch durch Drahtbonds mit den jeweiligen Substraten 110a–110c oder miteinander verbunden. Die Drahtbonds 140 für jeden Teilbaustein werden normalerweise vor dem Stapeln der Teilbausteine mit einer Gußmasse 145 zum Schutz abgedeckt. Die Teilbausteine sind elektrisch miteinander durch Zwischenverbindungen 150 verbunden, die Kupferverbindungen zwischen den Teilbausteinen sein können.
  • Das Stapelchipelement 100 geht einige der Nachteile der Stapelbeschränkungen und den Ausbeuteverlust an, hat aber auch selbst Nachteile. Zum Beispiel erfordern die Kupfereinsätze, die die Verbindungen zwischen Teilbausteinen bilden, zusätzlichen Raum. Das heißt, die Zwischenverbindungen 150 zwischen Teilbausteinen müssen von den Drahtbonds 140 etwas entfernt werden, so daß sie nicht von der Gußmasse 145 abgedeckt werden. Dadurch erhöht sich die Größe des Stapelchipelementes. Ebenso erfordert die Bildung der Kupfereinsätze zusätzliche Verarbeitungsschritte (z. B. Bohren), was die Kosten vergrößert und praktisch die Strukturierung jedes Bausteins auf eine Standardform und -größe beschränkt. 1A ist eine Draufsicht auf einen Teilbaustein für das Stapelchipelement 100, das oben mit Bezug auf 1 beschrieben wird. Wie in 1A gezeigt, weisen die Kupfereinsätze 150, die zum Verbinden von Teilbausteinen verwendet werden, einen Träger 155 auf. Der Träger befindet sich außerhalb der Fläche auf Substrat 110a, auf der Drahtbonds 140 platziert werden können. Für eine gegebene Größe müssen Chip 130a, Substrat 110a und daher der Teilbaustein 105a groß genug sein, um den Träger 155 aufzunehmen.
  • US 2002/0066952 A1 offenbart eine Halbleitervorrichtung mit einem Halbleiterelement, einem externen Anschluss, der für eine externe Verbindung verwendet wird, einer Zwischenlage mit dem auf einer ersten Oberfläche desselben angebrachten Halbleiterelement, wobei der externe Anschluss auf einer zweiten Oberfläche desselben ausgebildet ist, die der ersten Oberfläche gegenüberliegt, um das Halbleiterelement und den externen Anschluss elektrisch zu verbinden, einem Harz, welches das Halbleiterelement auf der ersten Oberfläche verkapselt und einem Zwischenverbindungsabschnitt, der im Harz ausgebildet ist, wobei der Zwischenverbindungsabschnitt ein erstes Verbindungsteil, das elektrisch mit dem externen Anschluss verbunden ist, und ein zweites Verbindungsteil aufweist, das auf einer äußeren Oberfläche des Harzes freiliegt.
  • US 6 448 506 B1 offenbart Halbleiterpackages und -stapel. Ein beispielhaftes Package umfasst ein isolierendes Substrat mit einer ersten Oberfläche, ersten Öffnungen, einer zweiten Öffnung und Schaltungsleitungen auf der ersten Oberfläche. Ein erster Teil jeder Schaltungsleitung bedeckt eine erste Öffnung und ein Ende der Schaltungsleitung befindet sich in der Nähe der zweiten Öffnung. Eine Lötkugel befindet sich in der ersten Öffnung und ist mit der aufliegenden Schaltungsleitung verschmolzen ist. Ein Halbleiterchip befindet sich in der zweiten Öffnung und ist elektrisch mit den Enden der Leitungen verbunden. Eine dritte Öffnung kann sich durch den ersten Teil jeder Schaltungsleitung erstrecken. Ein zweites Package kann auf dem ersten Package gestapelt werden. Lötkugeln des zweiten Packages sind mit einer darunterliegenden Lötkugel des ersten Packages durch eine dritte Öffnung des ersten Packages verschmolzen.
  • Die Erfindung ist definiert durch die Merkmale des Hauptanspruchs.
  • Ausführungsformen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
  • Die Erfindung kann am besten durch Nachlesen in der folgenden Beschreibung und den begleitenden Zeichnungen verstanden werden, die zum Illustrieren der Ausführungsformen der Erfindung verwendet werden. In den Zeichnungen gilt:
  • 1 illustriert ein Stapelchipelement, das gestapelte Teilbausteine gemäß dem Stand der Technik umfaßt.
  • 1A ist eine Draufsicht auf einen Teilbaustein für ein Stapelchipelement gemäß dem Stand der Technik.
  • 2 illustriert die Drauf- und Seitenansicht eines Substrats für einen Teilbaustein.
  • Die 3A–3D illustrieren einen Prozess zur Herstellung eines Teilbausteins.
  • 4 illustriert einen Prozess zum Verkapseln der Chips eines Teilbausteins, während gleichzeitig ein oberer Abschnitt der Teilbaustein-Zwischenverbindungen freigelassen wird; und
  • 5 illustriert ein Stapelchipelement, das gestapelte Teilbausteine umfaßt.
  • In der folgenden Beschreibung werden zahlreiche spezielle Details dargelegt. Es versteht sich jedoch, daß Ausführungsformen der Erfindung ohne diese speziellen Details ausgeführt werden können. In anderen Fällen wurden bekannte Schaltkreise, Strukturen und Verfahren nicht im Detail dargestellt, um das Verständnis für diese Beschreibung nicht zu behindern.
  • 2 illustriert die Drauf- und Seitenansicht eines Substrats für einen Teilbaustein. Substrat 210 besitzt Zwischenverbindungen 240 und Teilbaustein-Zwischenverbindungen 250, die zum Beispiel leitfähige Metallkugeln sein können, welche zum elektrischen Verbinden eines Teilbausteins mit einem anderen Teilbaustein über demselben in einer gestapelten Teilbausteinstruktur verwendet werden kann. Die Zwischenverbindungen 250 zwischen Teilbausteinen können dem BGA, das normalerweise an der Unterseite eines Chips für die Oberflächenmontage eingesetzt wird, ähnlich sein. Die Zwischenverbindungen zwischen Teilbausteinen werden an der Oberseite (Chipseite) des Substrats gebildet. Die Zwischenverbindungen 250 zwischen Teilbausteinen sind diskret und daher kann das Drahtbonden in der Nähe und zwischen den Teilbaustein-Zwischenverbindungen 250 ausgeführt werden. In einer Ausführungsform können Drahtbonds vor der Bildung der Zwischenverbindungen 250 zwischen Teilbausteinen bis zu dem Punkt hergestellt werden, wo die Teilbaustein-Zwischenverbindungen angelegt werden. Die Teilbaustein-Zwischenverbindungen werden elektrisch an den Chip 230 durch die Zwischenverbindungen 240 angeschlossen. Die Unterseite des Substrats kann ein konventionelles BGA oder Metalllaschen zum elektrischen Anschluß an den Teilbaustein darunter haben.
  • Die 3A–3D illustrieren einen Prozess zur Herstellung eines Teilbausteins. Wie in 3A gezeigt, ist Substrat 310 ein herkömmliches Substrat, das Merkmale zur Chipmontage und zum Drahtbonding oder zur Flip-Chip-Montage aufweist. Die Unterseite 311 von Substrat 310 besitzt leitfähige Metallkugeln 320, wie oben mit Bezug auf 1 beschrieben. Substrat 310 hat Teilbaustein-Zwischenverbindungen 350, die auf der Oberseite 312 gebildet sind. Die Teilbaustein-Zwischenverbindungen 350 sind an Metallanschlußlaschen (nicht gezeigt) in der Nähe des Randes von Substrat 310 gebildet. Die Teilbaustein-Zwischenverbindungen 350, die leitfähige Metallkugeln sein können, lassen sich aus Lötzinn herstellen, das eine Blei-Zinn-Legierung sein kann. In alternativen Ausführungsformen können die Teilbaustein-Zwischenverbindungen 350 aus Kupfer oder anderen geeigneten leitfähigen Metallen hergestellt sein. Für solche Ausführungsformen können die Teilbaustein-Zwischenverbindungen 350 unter Verwendung eines Verfahrens befestigt werden, das einem herkömmlichen BGA-Kugelbefestigungsverfahren ähnlich ist.
  • Nach der Herstellung der Teilbaustein-Zwischenverbindungen 350 auf der Oberseite 312 von Substrat 310 werden auf dem Substrat 310 Chips mit integrierten Schaltungen befestigt. Die Chips können verschiedene Arten von Speichervorrichtungen oder Logikprozessoren implementieren. Die Chips, die ein Chip oder mehrere Chips in einer Stapelchipstruktur sein können, werden unter Verwendung herkömmlicher Chipbefestigungsverfahren und -materialien auf dem Substrat 310 und aneinander befestigt. Wie in 3B gezeigt, wird Chip 330a an der Oberseite 312 von Substrat 310 befestigt und Chip 330b wird oben draufgesetzt und an Chip 330a befestigt. Alle diese Chips können elektrisch mit dem Substrat und miteinander unter Verwendung herkömmlicher Verfahren (z. B. Drahtbonding oder Flip-Chip-Befestigung) verbunden werden. Die Teilbaustein-Zwischenverbindungen 350 erstrecken sich oberhalb der Oberseite 312 über eine größere Entfernung als der Chipstapel.
  • Wie in 3C gezeigt, wird dann der befestigte Chip oder der Chipstapel eingekapselt, um die Chips und die zugehörigen Leitungen (z. B. Leitungsbänder) zu schützen, falls vorhanden, während gleichzeitig ein oberer Abschnitt 351 der Teilbaustein-Zwischenverbindungen 350 freigelassen wird. Die Vergußmasse reicht oberhalb der Oberseite 312 bis über den Chipstapel, aber nicht so hoch wie die Teilbaustein-Zwischenverbindungen 350. Die Vergußmasse 345 kann ein wärmehärtbares Material sein, wie zum Beispiel ein Epoxid- oder Polymerharz, das verschiedene Mengen (z. B. von 0 bis 80 Gewichts-%) von Siliziumoxid oder anderen anorganischen Teilchen enthalten kann, mit denen der Wärmeausdehnungskoeffizient (CTE), die Dehngrenze oder Viskosität verändert werden kann. Ein solches wärmehärtbares Material kann bestimmte Flußmittel enthalten, um so für die Fließeigenschaften während eines nachfolgenden Aufschmelzprozesses zu sorgen. Die Verkapselung des Chipstapels wird, wie in 3C gezeigt, durch einen Siebdruckprozeß, der detaillierter unten beschrieben wird, bewirkt.
  • Wie in 3D gezeigt, kann die Vergußmasse 345 die gesamten Teilbaustein-Zwischenverbindungen 350 einschließen. Die Teilbaustein-Zwischenverbindungen 350 können verkapselt bleiben, wo der Teilbaustein der oberste Teilbaustein eines gestapelten Teilbausteinelementes ist. Wo die Teilbaustein-Zwischenverbindungen zum elektrischen Anschluß des Teilbausteins an einen anderen Teilbaustein über demselben in einer gestapelten Teilbausteinstruktur verwendet wird, kann ein oberer Abschnitt der Teilbaustein-Zwischenverbindungen 350 mit bekannten Verfahren freigelegt werden, wie zum Beispiel Schleifen oder Laserbohren.
  • Teilbausteine, die auf einen anderen Teilbaustein aufgesetzt werden, umfassen möglicherweise keine leitfähigen Metallkugeln, wie zum Beispiel ein BGA, sondern können Anschlußlaschen 321 umfassen, die den Teilbaustein-Zwischenverbindungen des Teilbausteins entsprechen, auf den sie aufgesetzt werden.
  • Die Verkapselung der Chips eines Teilbausteins wird unter Verwendung eines Siebdruckprozesses ausgeführt. Die Höhenbedeckung der Vergußmasse wird durch Optimieren des Siebdruckprozesses und der Materialauswahl für eine verbesserte Verarbeitbarkeit, Verkapselungsleistung und thermomechanische Eigenschaften gesteuert. 4 illustriert einen Prozess zum Verkapseln der Chips eines Teilbausteins, während gleichzeitig ein oberer Abschnitt der Teilbaustein-Zwischenverbindungen gemäß einer Ausführungsform der Erfindung freigelassen wird. Prozess 400 beginnt, wie in 4 gezeigt, bei Schritt 405, bei dem eine Schablone bereitgestellt und auf das Substrat gelegt wird. Die Schablone, die eine dünne Nickelplatte sein kann, ist so gemustert, daß ein gewisser oberer Abschnitt jeder der Teilbaustein-Zwischenverbindungen abgedeckt wird.
  • Bei Schritt 410 wird eine siebdruckfähige Vergußmasse bereitgestellt. Typische Vergußmassen sind nicht siebdruckfähig, können aber dazu gemacht werden, indem ihre Viskosität verringert wird, zum Beispiel durch den Zusatz von Lösungsmitteln zum Vergußmaterial.
  • Bei Schritt 415 wird eine siebdruckfähige Vergußmasse aufgetragen, um die Chips zu verkapseln. Die Menge der Vergußmasse wird so gesteuert, daß die Chips (z. B. der Chipstapel) und zugehörige Leitungen vollständig eingeschlossen sind, während ein oberer Abschnitt jeder der Teilbaustein-Zwischenverbindungen frei gelassen wird. Der untere Abschnitt der Teilbaustein-Zwischenverbindungen wird ebenfalls verkapselt. In der Praxis kann ein Teil der Vergußmasse auf den oberen Abschnitten der Teilbaustein-Zwischenverbindungen bleiben, die Vergußmasse mit geringer Viskosität hilft aber dabei, die Menge an Vergußmasse zu reduzieren.
  • Bei Schritt 420 wird das Substrat einer erhöhten Temperatur ausgesetzt, um Lösungsmittel zu entfernen (d. h. einen Teil oder die gesamten Lösungsmittel, die bei Schritt 410 zugesetzt wurden, zu verdampfen). Das Substrat kann einer Temperatur von ca. 100°C etwa 2 Stunden lang ausgesetzt werden. Temperatur und Zeit für solch einen Verdampfungsprozeß können je nach Menge der Lösungsmittel, die zu verdampfen sind, modifiziert werden. Die Lösungsmittel, die beim Siebdruckprozeß helfen, werden so weitgehend wie möglich vor dem Aufschmelzen entfernt, um Hohlräume zu reduzieren, die sich beim Härten/Aufschmelzen bilden können, wenn die Lösungsmittel nicht entfernt werden. Das Entfernen der Lösungsmittel erhöht die Viskosität der aufgetragenen Vergußmasse. Die Vergußmasse kann nach einer Temperaturbehandlung („baking”) während eines nachfolgenden Aufschmelzprozesses, der unten vollständig beschrieben wird, gehärtet (vernetzt) werden. Eine solche Härtung kann gleichzeitig mit dem Lötmittelaufschmelzen ausgeführt werden. Die Härtungskinetik der Vergußmasse kann speziell so abgestimmt werden, daß Störungen bei der Bildung der Verbindung reduziert werden.
  • Zwei oder mehr Teilbausteine werden miteinander verbunden, um ein gestapeltes Teilbausteinelement zu bilden. Ein Teilbaustein wird auf einen anderen derart aufgesetzt, daß Anschlußlaschen oder leitfähige Metallkugeln auf der Unterseite des obersten Teilbausteins den freiliegenden Teilbaustein-Zwischenverbindungen des nächsten darunter liegenden Teilbausteins im Stapel entsprechen. Dann wird ein Aufschmelzprozess oder ein anderer herkömmlicher Oberflächenmontageprozeß ausgeführt, um eine Zwischenverbindung zwischen den Teilbausteinen zu erzeugen. Während des Aufschmelzens verringert sich die Viskosität der Vergußmasse auf Grund der erhöhten Temperatur. Es besteht eine Benetzungskraft zwischen den Anschlußlaschen des oberen Teilbausteins und den Teilbaustein-Zwischenverbindungen des unteren Teilbausteins, so daß alles restliche Vergußmaterial auf der Oberfläche der Teilbaustein-Zwischenverbindungen herausgedrückt wird, was eine ordnungsgemäße Bildung von Zwischenverbindungen zwischen den Teilbausteinen ermöglicht.
  • 5 illustriert ein Stapelchipelement, das gestapelte Teilbausteine umfaßt. Stapelchipelement 500, in 5 gezeigt, umfaßt drei Teilbausteine 505a, 505b und 505c, die Chipstapel-Teilbausteine sein können. Teilbaustein 505a umfaßt ein Substrat 510a mit leitfähigen Kugeln 520. Teilbaustein 505a hat die Chips 530a und 530b, die mit Vergußmasse 545a verkapselt sind. Die oberen Teile 551a der Teilbaustein-Zwischenverbindungen 550a liegen frei und bilden eine Zwischenverbindung mit den Anschlußlaschen 521b, die an der Unterseite von Teilbaustein 505b gebildet sind. Teilbaustein 505b hat die Chips 530c und 530d, die an Substrat 510b befestigt und mit Vergußmasse 545b verkapselt sind. Die oberen Teile 551b der Teilbaustein-Zwischenverbindungen 550b liegen frei und bilden eine Zwischenverbindung mit den Anschlußlaschen 521c, die an der Unterseite von Teilbaustein 505c gebildet sind. Teilbaustein 505c hat die Chips 530e und 530f, die an Substrat 510c befestigt und mit Vergußmasse 545c verkapselt sind. Die gesamten Teilbaustein-Zwischenverbindungen 550c sind ebenfalls verkapselt. Das Stapelchipelement 500 dient als Beispiel wie auch jeder der gestapelten Teilbausteine des Stapelchipelementes 500. Das Stapelchipelement kann jede vernünftige Zahl von gestapelten Teilbausteinen haben, und jeder Teilbaustein kann einen Chip oder eine beliebige Zahl von gestapelten Chips haben.
  • Zur besseren Bildung der Verbindung und zur Ableitung thermischer Energie kann ein nicht-fließfähiges Unterfüllungsmaterial vor dem Aufschmelzen aufgetragen werden. Das Unterfüllungsmaterial kann auch nach dem Anschließen der Teilbausteine aufgetragen werden.

Claims (4)

  1. Vorrichtung, aufweisend: ein erstes Substrat (510a), das eine Oberseite und Unterseite hat; einen Satz von einem oder mehreren Chips (530a, 530b), die an der Oberseite des ersten Substrats (510a) befestigt sind, wobei sich der eine oder die mehreren Chips (530a, 530b) über der Oberseite über eine erste Distanz erstrecken; eine oder mehrere durch Metallkugeln gebildete Zwischenverbindungen (550a), die direkt auf der Oberseite des ersten Substrats (510a) ausgebildet sind und sich über der Oberseite über eine zweite Distanz erstrecken; eine Schablone für einen Siebdruckprozess, die ein Muster aufweist, sodass die eine oder die mehreren durch Metallkugeln gebildeten Zwischenverbindungen (550a), die auf der Oberseite des ersten Substrats (510a) ausgebildet sind, abgedeckt werden, wobei die Schablone geeignet ist, den einen oder die mehreren Chips (530a, 530b) und einen unteren Abschnitt der einen oder mehreren durch Metallkugeln gebildeten Zwischenverbindungen (550a) mit einer Vergussmasse (545a) zu verkapseln, so dass ein oberer Abschnitt (551a) der einen oder mehreren durch Metallkugeln gebildeten Zwischenverbindungen (550a) freiliegt.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Vergußmasse (545a) ein wärmehärtbares Material ist.
  3. Vorrichtung nach Anspruch 2, wobei das wärmehärtbare Material ein Epoxid ist.
  4. Vorrichtung nach Anspruch 1, wobei einer oder mehrere der Chips (530a, 530b) einen Logikprozessor haben, der darauf implementiert ist.
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