DE112004002610T5 - Haltesystem für Halbleiterwafer und Verfahren davon - Google Patents
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Abstract
Verfahren,
das Folgendes umfasst:
Befestigen eines Halbleiterwafers an einem Waferhaltesystem, indem bewirkt wird, dass sich eine gehaltene Oberfläche des Halbleiterwafers bei einem niedrigeren Gasdruck als eine freigelegte Oberfläche des Halbleiterwafers befindet.
Befestigen eines Halbleiterwafers an einem Waferhaltesystem, indem bewirkt wird, dass sich eine gehaltene Oberfläche des Halbleiterwafers bei einem niedrigeren Gasdruck als eine freigelegte Oberfläche des Halbleiterwafers befindet.
Description
- Allgemeiner Stand der Technik
- Ein Halbleiterwafer durchläuft verschiedene Prozesse, bevor seine einzelnen Chips verpackt werden. Eine nicht vollständige Liste von Beispielen für derartige Prozesse sind das Schleifen der Waferrückseite, die Metallisierung der Waferrückseite, das Zersägen des Wafers in Chips mittels Laser und Säge, das Prüfen, das Markieren guter Chips, das Auswerfen der Chips und das Anordnen der Chips auf einem Band. Der Wafer muss möglicherweise während der Bearbeitung mechanisch gehalten werden. Der Wafer muss außerdem möglicherweise zwischen Prozesswerkzeugen in einer Produktionsstätte (fabrication plant, FAB) oder einer Verpackungsanlage transportiert werden.
- Ein Halbleiterwafer kann einen Durchmesser von beispielsweise 300 Millimeter und eine Dicke von beispielsweise 762 Mikrometer aufweisen. Nach dem Schleifen der Rückseite kann die Waferdicke beispielsweise auf eine Dicke im Bereich von ungefähr 50 bis ungefäbr 100 Mikrometer verringert sein. Ein Wafer mit einer solchen Dicke kann zerbrechlich sein und kann eine sorgsame Handhabung erfordern.
- Kurzbeschreibung der Zeichnungen
- Ausführungsformen der Erfindung werden beispielhaft und nicht einschränkend in den Figuren der begleitenden Zeichnungen veranschaulicht, in denen gleiche Bezugsziffern entsprechende, analoge oder ähnliche Elemente anzeigen und in denen:
-
1 eine auseinander gezogene Ansicht eines beispielhaften Halbleiterwafers und eines beispielhaften Waferhaltesystems gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist; -
2 eine Querschnittsansicht eines Teils des Halbleiterwafers von1 und eines Teils des Waferhaltesystems von1 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist; -
3 eine Querschnittsansicht eines Teils des Waferhaltesystems von1 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist; -
4 eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines Verfahrens zum Befestigen eines Halbleiterwafers an einem Waferhaltesystem gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist; -
5 eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines anderen Verfahrens zum Befestigen eines Halbleiterwafers an einem Waferhaltesystem gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist; -
6 eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines noch anderen Verfahrens zum Befestigen eines Halbleiterwafers an einem Waferhaltesystem gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist; -
7 eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines weiteren Verfahrens zum Befestigen eines Halbleiterwafers an einem Waferhaltesystem gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist und -
8A ,8B ,8C und8D Darstellungen von Ablaufdiagrammen alternierender Verfahren zum Lösen eines Halbleiterwafers von einem Waferhaltesystem gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung sind. - Es ist zu beachten, dass die in den Figuren gezeigte Elemente zur Einfachheit und Übersichtlichkeit der Darstellung nicht notwendigerweise maßstabsgerecht gezeichnet wurden. Zum Beispiel können die Abmessungen einiger der Elemente zur Übersichtlichkeit bezüglich anderer Elemente übertrieben sein.
- Ausführliche Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung
- In der folgenden ausführlichen Beschreibung sind zahlreiche spezifische Einzelheiten dargelegt, um ein vollständigeres Verständnis von Ausführungsformen der Erfindung bereitzustellen. Durchschnittsfachleute werden jedoch verstehen, dass die Ausführungsformen der Erfindung ohne diese spezifischen Einzelheiten ausgeübt werden können. In anderen Fällen wurden wohl bekannte Verfahren, Abläufe, Komponenten und Schaltkreise nicht ausführlich beschrieben, um die Ausführungsformen der Erfindung nicht zu verschleiern.
- Mit Bezugnahme auf
1 und2 sind ein beispielhafter Halbleiterwafer2 und ein Waferhaltesystem4 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung dargestellt.1 ist eine auseinander gezogene Ansicht des Halbleiterwafers2 und des Waferhaltesystems4 , wohingegen2 eine Querschnittsansicht eines Teils des Halbleiterwafers2 und eines Teils des Waferhaltesystems4 entlang einem Querschnitt A ist und3 eine Querschnittsansicht eines Teils des Waferhaltesystems4 entlang einem Querschnitt b ist. - Wie in
1 gezeigt, kann der Halbleiterwafer2 eine Scheibenform aufweisen, obgleich eine beliebige andere Form des Halbleiterwafers2 ebenfalls in Erwägung gezogen wird. Der Halbleiterwafer2 kann Chips, wie beispielhafte Chips6 , enthalten, die durch Anrisslinien (auch als „Straßen" bekannt), wie beispielhafte Anrisslinien8 , getrennt sind. Die Chips6 können eine rechteckige Form aufweisen, obgleich eine beliebige andere Form der Chips6 ebenfalls in Erwägung gezogen wird. Des Weiteren kann der Halbleiterwafer2 , obgleich nicht ausdrücklich in1 gezeigt, Chips mit unterschiedlichen Formen und Größen enthalten. - Der Halbleiterwafer
2 kann verschiedene Prozesse durchlaufen, wie beispielsweise ein Oberflächenschleifen oder eine Oberflächenmetallisierung. Darüber hinaus können bestimmte Chips6 , wie beispielsweise der mit6'' bezeichnete Chip, aus dem Halbleiterwafer2 mittels beispielsweise einer Lasersäge oder einer mechanischen Säge ausgesägt werden. Der ausgesägte Chip6'' kann aus dem Halbleiterwafer2 ausgeworfen und auf einem Band (nicht gezeigt) angeordnet werden. - Eine nicht vollständige Liste von Beispielen für den Durchmesser des Halbleiterwafers
2 schließt ungefähr 150 Millimeter, ungefähr 200 Millimeter und ungefähr 300 Millimeter ein. Der Halbleiterwafer2 kann eine Dicke im Bereich von beispielsweise ungefähr 700 Mikrometer bis ungefähr 800 Mikrometer, wie beispielsweise eine Dicke von ungefähr 762 Mikrometer, aufweisen. Ein Oberflächenschleifprozess kann die Dicke des Halbleiterwafers2 auf eine Dicke im Bereich von beispielsweise ungefähr 50 bis ungefähr 100 Mikrometer verringern. - Das Waferhaltesystem
4 kann eine im Wesentlichen starre gelochte Oberfläche10 mit Öffnungen12 aufweisen. Die Öffnungen12 können in einem Bereich konzentriert sein, der durch eine Kurve14 mit im Wesentlichen derselben Form wie die Halbleiterwafer2 definiert ist. Die Öffnungen12 können eine im Wesentlichen runde Form aufweisen, obgleich eine beliebige andere Form der Öffnungen12 ebenfalls in Erwägung gezogen wird. - Der Halbleiterwafer
2 kann an dem Waferhaltesystem4 befestigt werden, indem eine gehaltene Oberfläche16 des Halbleiterwafers2 mit der gelochten Oberfläche10 in Kontakt gebracht wird, so dass die Öffnungen12 im Wesentlichen von dem Halbleiterwafer2 blockiert werden, und darüber hinaus indem bewirkt wird, dass sich eine freigelegte Oberfläche18 des Halbleiterwafers2 bei einem Gasdruck befindet, der höher als der Gasdruck ist, der über die Öffnungen12 auf die gehaltene Oberfläche16 ausgeübt wird. - Während der Halbleiterwafer
2 am Waferhaltesystem4 befestigt ist, kann der Halbleiterwafer2 zusammen mit dem Waferhaltesystem4 transportiert werden. Des Weiteren können, während der Halbleiterwafer2 am Waferhaltesystem4 befestigt ist, Prozesse, wie ein Schleifen der Waferrückseite, eine Metallisierung der Waferrückseite, ein Zersägen des Wafers in Chips mittels Laser und Säge, ein Prüfen, ein Markieren guter Chips, ein Auswerfen der Chips und ein Anordnen der Chips auf einem Band, auf den Halbleiterwafer2 angewendet werden. Die Starrheit der gelochten Oberfläche10 kann das Durchbiegen des Halbleiterwafers2 während der Handhabung, des Transports und der Bearbeitung verringern oder ausmerzen. - Der befestigte Halbleiterwafer
2 kann vom Waferhaltesystem4 gelöst werden, indem bewirkt wird, dass sich die freigelegte Oberfläche18 bei einem Gasdruck befindet, der geringer als der Gasdruck ist oder im Wesentlichen diesem gleichkommt, der über die Öffnungen12 auf die gehaltene Oberfläche16 ausgeübt wird. - Des Weiteren können ein oder mehrere ausgesägte Chips des befestigten Halbleiterwafers
2 , wie beispielsweise der Chip6'' , vom Waferhaltesystem4 gelöst werden, indem der Gasdruck erhöht wird, der über Öffnungen auf die gehaltene Oberfläche16 ausgeübt wird, die durch diese ausgesägten Chips blockiert sind, wie beispielsweise Öffnung12'' , während der Gasdruck beibehalten wird, der über andere Öffnungen12 auf die gehaltene Oberfläche16 ausgeübt wird. Der ausgesägte Chip6'' kann, nachdem er vom Waferhaltesystem4 gelöst wurde, vom Waferhaltesystem4 mittels eines Chipentnahmewerkzeugs (nicht gezeigt) getrennt werden. Da kein Klebstoff vorliegt, der den ausgesägten Chip6'' am Waferhaltesystem4 hält, schließt das Entfernen des ausgesägten Chips6'' mit einem Chipentnahmewerkzeug nicht das Abziehen, Abschälen oder Abstemmen ein, das normalerweise zum Entfernen eines Chips von einer Klebefläche erforderlich ist. - Wie in
2 gezeigt, kann das Waferhaltesystem4 einen ersten Teil enthalten, bei dem es sich um eine im Wesentlichen starre gelochte Platte30 mit einer gelochten Oberfläche10 und Öffnungen12 handelt. Darüber hinaus kann das Waferhaltesystem4 einen zweiten Teil32 mit mehreren Höhlungen34 enthalten. - Wie in
3 gezeigt, können die Höhlungen34 in einer Wabenstruktur angeordnet sein, obgleich eine beliebige andere Anordnung der Höhlungen ebenfalls in Erwägung gezogen wird. Zum Beispiel können die Höhlungen34 eine hexagonale Form aufweisen, obgleich eine beliebige andere Form der Höhlung34 , wie beispielsweise ein Rechteck, ein Kreis und dergleichen, ebenfalls in Erwägung gezogen wird. - Gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung kann der Teil
32 für jede Öffnung12 in der gelochten Platte30 eine entsprechende Höhlung34 aufweisen. Zum Beispiel kann eine Höhlung34'' der Öffnung12'' entsprechen. - Gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung kann der Teil
32 für jede Öffnung12 in der gelochten Platte30 mehrere entsprechende Höhlungen34 aufweisen. Gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung kann die gelochte Platte30 für jede Höhlung34 des Teils32 mehrere Öffnungen12 aufweisen. - Die Anzahl, Größe, Form und Anordnung der Höhlungen
34 können so gewählt werden, dass sie zu der Anordnung der Chips auf dem Halbleiterwafer passen. Darüber hinaus kann eine kleinste der Höhlungen34 von der Fläche her im Wesentlichen einer Fläche einem kleinsten der Chips auf dem Halbleiterwafer2 entsprechen. - Die Höhlungen
34 können auf einer Oberfläche38 des Teils32 Mündungen36 aufweisen. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung kann eine Höhlung34 eine entsprechende Mündung36 aufweisen. Gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung kann eine Höhlung34 mehr als eine entsprechende Mündung36 aufweisen. - Die gelochte Platte
30 und der Teil32 können angefügt sein, so dass sich eine Oberfläche40 der gelochten Platte30 und eine Oberfläche42 des Teils32 berühren. Alternativ dazu können die gelochte Platte30 und der Teil32 als ein einziger Körper mit einer Oberfläche10 mit Öffnungen12 und einer entgegengesetzten Oberfläche38 mit Mündungen36 gefertigt sein, wobei die Öffnungen und die Mündungen durch Höhlungen verbunden sind. - Gas kann im Wesentlichen in den Höhlungen
34 eingeschlossen sein, wenn - a. die gehaltene Oberfläche
16 des Halbleiterwafers2 mit der gelochten Oberfläche10 in Kontakt steht, so dass die Öffnungen12 im Wesentlichen vom Halbleiterwafer2 blockiert werden, wobei die gelochte Platte30 im Wesentlichen als eine Dichtung zwischen der gehaltenen Oberfläche16 und der Oberfläche42 des Teils32 fungiert, und - b. eine Membran
50 am Teil32 angebracht ist, so dass die Mündungen36 im Wesentlichen abgedichtet sind. - In den Höhlungen
34 eingeschlossenes Gas kann über die Öffnungen12 eine Kraft auf die gehaltene Oberfläche16 ausüben. Darüber hinaus kann Gas, das sich außerhalb der Höhlungen34 befindet, eine Kraft auf die freigelegte Oberfläche18 ausüben. -
4 ist eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines Verfahrens zum Befestigen des Halbleiterwafers2 an dem Waferhaltesystem4 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung. Der Halbleiterwafer2 und das Waferhaltesystem4 können in einer ersten Umgebung, beispielsweise einer Unterdruckkammer, angeordnet werden, wobei die gehaltene Oberfläche16 in Kontakt mit der gelochten Oberfläche10 angeordnet wird, so dass die Öffnungen12 im Wesentlichen blockiert sind (-402 -). Der Gasdruck in der ersten Umgebung kann verringert werden (-404 -). Die Membran50 kann am Teil32 angebracht werden, so dass die Mündungen36 im Wesentlichen abgedichtet sind (-406 -). Dann können das Waferhaltesystem4 und der Halbleiterwafer2 aus der ersten Umgebung in eine zweite Umgebung mit einem Gasdruck, der höher als der Gasdruck in der ersten Umgebung ist, entnommen werden (-408 -). Infolgedessen kann der Gasdruck in den Höhlungen34 geringer als der Gasdruck an der freigelegten Oberfläche18 sein. -
5 ist eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines anderen Verfahrens zum Befestigen des Halbleiterwafers2 an dem Waferhaltesystem4 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung. Die Membran50 kann flexibel sein und am Teil32 angebracht werden, so dass die Mündungen36 im Wesentlichen abgedichtet sind (-502 -). Die Membran50 kann in die Höhlungen34 gedrückt werden (-504 -). Dann kann die gehaltene Oberfläche16 in Kontakt mit der gelochten Oberfläche10 angeordnet werden, so dass die Öffnungen12 im Wesentlichen blockiert sind (-506 -), und die Membran50 kann gelöst werden, so dass sie nicht mehr in die Höhlungen34 gedrückt wird (-508 -). Infolgedessen kann der Gasdruck in den Höhlungen34 geringer als der Gasdruck an der freigelegten Oberfläche18 sein. -
6 ist eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines anderen Verfahrens zum Befestigen des Halbleiterwafers2 an dem Waferhaltesystem4 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann der Teil32 optional Umfangswände54 aufweisen, die sich über die Oberfläche38 hinaus erstrecken, und die Membran50 kann starr sein. Die Membran50 kann am Teil32 angebracht werden, so dass die Mündungen36 im Wesentlichen abgedichtet sind (-602 -). Die gehaltene Oberfläche16 kann in Kontakt mit der gelochten Oberfläche10 angeordnet werden, so dass die Öffnungen12 im Wesentlichen blockiert sind (-604 -). Dann kann die Membran50 von der Oberfläche38 weg gezogen werden, so dass sich die Membran50 noch immer innerhalb der Umfangswände54 befindet, um einen Hohlraum56 zu bilden (-606 -). Der Hohlraum56 und die Höhlungen34 können von der Membran50 und den Umfangswänden54 abgedichtet werden. Infolgedessen kann der Gasdruck in den Höhlungen34 und dem Hohlraum56 geringer als der Gasdruck an der freigelegten Oberfläche18 sein. -
7 ist eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines weiteren Verfahrens zum Befestigen des Halbleiterwafers2 an dem Waferhaltesystem4 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung. Der Halbleiterwafer2 und das Waferhaltesystem4 können in einer ersten Umgebung bei einer ersten Temperatur angeordnet werden, wobei die gehaltene Oberfläche16 in Kontakt mit der gelochten Oberfläche10 angeordnet wird, so dass die Öffnungen12 im Wesentlichen blockiert sind (-702 -). Die Membran50 kann am Teil32 angebracht werden, so dass die Mündungen36 im Wesentlichen abgedichtet sind (-704 -). Dann können das Waferhaltesystem4 und der Halbleiterwafer2 aus der ersten Umgebung in eine zweite Umgebung bei einer zweiten Temperatur, die niedriger als die erste Temperatur ist, entnommen werden (-706 -). Da die Luft in der ersten Umgebung weniger dicht als die in der zweiten Umgebung ist, sobald sich das Waferhaltesystem4 und der Halbleiterwafer2 in der zweiten Umgebung befinden, kann der Luftdruck in den Höhlungen34 geringer als der Luftdruck an der freigelegten Oberfläche18 sein. - Die
8A ,8B ,8C und8D sind Darstellungen von Ablaufdiagrammen alternierender Verfahren zum Lösen des Halbleiterwafers2 von dem Waferhaltesystem4 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung. - In
8A kann die Membran50 vom Waferhaltesystem4 entfernt werden (-802 -), um zu bewirken, dass der Gasdruck in den Höhlungen34 im Wesentlichen dem Gasdruck an der freigelegten Oberfläche18 gleichkommt, wodurch der Halbleiterwafer2 vom Waferhaltesystem gelöst wird. - In
8B kann die Membran50 durchstoßen werden (-804 -), und der Gasdruck in den Höhlungen34 kann dem Gasdruck an der freigelegten Oberfläche18 gleichkommen. In einer modifizierten Version dieses Verfahrens können ein oder mehrere ausgesägte Chips einzeln vom Waferhaltesystem4 gelöst werden. Zum Beispiel kann der ausgesägte Chip6'' einzeln vom Waferhaltesystem4 gelöst werden, indem die flexible Membran50 derart in die Mündung36'' durchgestoßen wird, dass der Gasdruck in der Höhlung34'' dem Gasdruck, der das Waferhaltesystem4 umgibt, gleichkommt oder höher als dieser wird, und der Gasdruck in den anderen Höhlungen34 wird möglicherweise nicht beeinflusst. - In
8C kann, wenn die Membran50 flexibel ist, die Membran50 nach innen in die Höhlungen34 gedrückt werden (-806 -), und der Gasdruck in den Höhlungen34 kann dem Gasdruck an der freigelegten Oberfläche18 gleichkommen oder höher als dieser werden. In einer modifizierten Version dieses Verfahrens können ein oder mehrere ausgesägte Chips einzeln vom Waferhaltesystem4 gelöst werden. Zum Beispiel kann der ausgesägte Chip6'' einzeln vom Waferhaltesystem4 gelöst werden, indem die flexible Membran50 derart in die Mündung36'' gedrückt wird, dass der Gasdruck in der Höhlung34'' dem Gasdruck, der das Waferhaltesystem4 umgibt, gleichkommt oder höher als dieser wird, und der Gasdruck in den anderen Höhlungen34 wird möglicherweise nicht beeinflusst. -
8D ist beispielsweise in dem Fall anwendbar, in dem der Teil32 Umfangswände54 aufweist, die sich über die Oberfläche38 hinaus erstrecken, und die Membran50 eine starre Membran ist. Die Membran50 kann nach innen in Richtung der Oberfläche38 bewegt werden (-808 -). Der Gasdruck in den Höhlungen34 und dem Hohlraum56 kann ansteigen oder dem Gasdruck an der freigelegten Oberfläche18 gleichkommen oder höher als dieser werden. - Obgleich bestimmte Merkmale der Erfindung hierin dargestellt und beschrieben wurden, werden Durchschnittsfachleuten nun viele Abwandlungen, Substituierungen, Änderungen und Äquivalente erkennen. Es versteht sich daher, dass die angefügten Ansprüche alle derartigen Abwandlungen und Änderungen umfassen sollen, die in den Erfindungsgedanken fallen.
- Zusammenfassung
- Ein Halbleiterwafer durchläuft verschiedene Prozesse, bevor seine einzelnen Chips verpackt werden. Eine nicht vollständige Liste von Beispielen für derartige Prozesse sind das Schleifen der Waferrückseite, die Metallisierung der Waferrückseite, das Zersägen des Wafers in Chips mittels Laser und Säge, das Prüfen, das Markieren guter Chips, das Auswerfen der Chips und das Anordnen der Chips auf einem Band. Der Wafer muss möglicherweise während der Bearbeitung mechanisch gehalten werden. Der Wafer muss außerdem möglicherweise zwischen Prozesswerkzeugen in einer Produktionsstätte (fabrication plant, FAB) oder einer Verpakkungsanlage transportiert werden. Ein Halbleiterwafer kann einen Durchmesser von beispielsweise 300 Millimeter und eine Dicke von beispielsweise 762 Mikrometer aufweisen. Nach dem Schleifen der Rückseite kann die Waferdicke beispielsweise auf eine Dicke im Bereich von ungefähr 50 bis ungefähr 100 Mikrometer verringert sein. Ein Wafer mit einer solchen Dicke kann zerbrechlich sein und kann eine sorgsame Handhabung erfordern.
Claims (21)
- Verfahren, das Folgendes umfasst: Befestigen eines Halbleiterwafers an einem Waferhaltesystem, indem bewirkt wird, dass sich eine gehaltene Oberfläche des Halbleiterwafers bei einem niedrigeren Gasdruck als eine freigelegte Oberfläche des Halbleiterwafers befindet.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bewirken, dass sich die gehaltene Oberfläche bei einem niedrigeren Gasdruck befindet, zumindest Folgendes beinhaltet: Anordnen der gehaltenen Oberfläche des Halbleiterwafers in Kontakt mit einer gelochten Oberfläche des Waferhaltesystems in einer Unterdruckkammer; Verringern des Gasdrucks in der Unterdruckkammer auf im Wesentlichen den niedrigeren Gasdruck; Abdichten einer entgegengesetzten Oberfläche des Waferhaltesystems und Entnehmen des Waferhaltesystems und des befestigten Halbleiterwafers aus der Unterdruckkammer.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bewirken, dass sich die gehaltene Oberfläche bei einem niedrigeren Gasdruck befindet, zumindest Folgendes beinhaltet: Anordnen der gehaltenen Oberfläche des Halbleiterwafers in Kontakt mit einer gelochten Oberfläche des Waferhaltesystems in einer ersten Umgebung bei einer ersten Temperatur; Abdichten einer entgegengesetzten Oberfläche des Waferhaltesystems und Entnehmen des Waferhaltesystems und des befestigten Halbleiterwafers aus der ersten Umgebung in eine zweite Umgebung bei einer zweiten Temperatur, die niedriger als die erste Temperatur ist.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bewirken, dass sich die gehaltene Oberfläche bei einem niedrigeren Gasdruck befindet, zumindest Folgendes beinhaltet: Drücken einer flexiblen Oberfläche des Waferhaltesystems nach innen in Richtung einer gelochten Oberfläche des Waferhaltesystems; Anordnen der gehaltenen Oberfläche des Halbleiterwafers in Kontakt mit der gelochten Oberfläche des Waferhaltesystems und Lösen der flexiblen Oberfläche.
- Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bewirken, dass sich die gehaltene Oberfläche bei einem niedrigeren Gasdruck befindet, zumindest Folgendes beinhaltet: Anordnen der gehaltenen Oberfläche des Halbleiterwafers in Kontakt mit einer gelochten Oberfläche des Waferhaltesystems und Ziehen einer entgegengesetzten Oberfläche des Haltesystems von der gelochten Oberfläche weg nach außen.
- Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin Folgendes umfasst: Lösen des Halbleiterwafers von dem Waferhaltesystem durch Erhöhen des niedrigeren Gasdrucks.
- Verfahren nach Anspruch 6, wobei die gehaltene Oberfläche von einer gelochten Oberfläche des Waferhaltesystems gehalten wird und das Erhöhen des niedrigeren Gasdrucks zumindest Folgendes beinhaltet: Entfernen einer entgegengesetzten Oberfläche von dem Waferhaltesystems.
- Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Erhöhen des niedrigeren Gasdrucks zumindest Folgendes beinhaltet: Drücken einer flexiblen Oberfläche des Waferhaltesystems nach innen in Richtung des Halbleiterwafers.
- Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin Folgendes umfasst: Lösen des Halbleiterwafers von dem Waferhaltesystem, indem bewirkt wird, dass sich die freigelegte Oberfläche bei einem Druck befindet, der niedriger als der niedrigere Gasdruck ist oder diesem im Wesentlichen gleichkommt.
- Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin Folgendes umfasst: Lösen eines oder mehrerer Chips des Halbleiterwafers von dem Waferhaltesystem, indem der niedrigere Gasdruck an der gehaltenen Oberfläche des einen oder der mehreren Chips erhöht wird, während der niedrigere Gasdruck an der gehaltenen Oberfläche an anderen Abschnitten des Halbleiterwafers beibehalten wird.
- Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Erhöhen des niedrigeren Gasdrucks an der gehaltenen Oberfläche des einen oder der mehreren Chips zumindest Folgendes beinhaltet: Drücken eines oder mehrerer Abschnitte einer flexiblen Oberfläche des Waferhaltesystems nach innen in Richtung des einen oder der mehreren Chips des Halbleiterwafers.
- Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Erhöhen des niedrigeren Gasdrucks an der gehaltenen Oberfläche des einen oder der mehreren Chips zumindest Folgendes beinhaltet: Durchstoßen eines oder mehrerer Abschnitte einer flexiblen Oberfläche des Waferhaltesystems, die dem einen oder den mehreren Chips des Halbleiterwafers entsprechen.
- Verfahren nach Anspruch 10, das weiterhin Folgendes umfasst: Trennen des einen oder der mehreren Chips von dem Halbleiterwafer durch Verbinden einer Chipentnahmevorrichtung mit der freigelegten Oberfläche des einen oder der mehreren Chips.
- Waferhaltesystem, das Folgendes umfasst: einen Körper mit einer gelochten Oberfläche zum Halten eines Halbleiterwafers, wobei der Körper mehrere Höhlungen zwischen der gelochten Oberfläche und einer entgegengesetzten Oberfläche des Körpers aufweist, wobei die Höhlungen Mündungen zu der entgegengesetzten Oberfläche aufweisen und eine an dem Körper anzubringende Membran, um die Mündungen abzudichten.
- Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei eine kleinste der Höhlungen von der Fläche her im Wesentlichen einer Fläche eines kleinsten der Chips auf dem Halbleiterwafer entspricht.
- Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei die Höhlungen Öffnungen zu der gelochten Oberfläche aufweisen und eine Anzahl der Höhlungen im Wesentlichen einer Anzahl der Öffnungen entspricht.
- Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei der Körper mindestens einen ersten Teil mit der gelochten Oberfläche und einen zweiten Teil mit der entgegengesetzten Oberfläche enthält.
- Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei die Membran entfernbar ist.
- Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei die Membran flexibel ist.
- Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei die Membran starr ist.
- Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei die gelochte Oberfläche starr ist.
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