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Patents

  1. Advanced Patent Search
Publication numberDE112004002610 T5
Publication typeApplication
Application numberDE200411002610
PCT numberPCT/US2004/043517
Publication date16 Nov 2006
Filing date28 Dec 2004
Priority date31 Dec 2003
Also published asCN1898791A, CN100449726C, US7055229, US7757363, US20050139228, US20060179632, WO2005067030A1
Publication number0411002610, 200411002610, DE 112004002610 T5, DE 112004002610T5, DE 2004/11002610 T5, DE-T5-112004002610, DE0411002610, DE112004002610 T5, DE112004002610T5, DE2004/11002610T5, DE200411002610, PCT/2004/43517, PCT/US/2004/043517, PCT/US/2004/43517, PCT/US/4/043517, PCT/US/4/43517, PCT/US2004/043517, PCT/US2004/43517, PCT/US2004043517, PCT/US200443517, PCT/US4/043517, PCT/US4/43517, PCT/US4043517, PCT/US443517
InventorsFrank Portland Joyce, Douglas Portland Kreager, Thomas A. Dallas Repko, Brian Portland Wilk
ApplicantIntel Corporation, Santa Clara
Export CitationBiBTeX, EndNote, RefMan
External Links: DPMA, Espacenet
Haltesystem für Halbleiterwafer und Verfahren davon Holding system for semiconductor wafer and method thereof translated from German
DE 112004002610 T5
Abstract  translated from German
Verfahren, das Folgendes umfasst: A method, comprising:
Befestigen eines Halbleiterwafers an einem Waferhaltesystem, indem bewirkt wird, dass sich eine gehaltene Oberfläche des Halbleiterwafers bei einem niedrigeren Gasdruck als eine freigelegte Oberfläche des Halbleiterwafers befindet. Mounting a semiconductor wafer on a wafer support system by causing a surface of the semiconductor wafer held as is an exposed surface of the semiconductor wafer at a lower gas pressure.
Claims(21)  translated from German
  1. Verfahren, das Folgendes umfasst: Befestigen eines Halbleiterwafers an einem Waferhaltesystem, indem bewirkt wird, dass sich eine gehaltene Oberfläche des Halbleiterwafers bei einem niedrigeren Gasdruck als eine freigelegte Oberfläche des Halbleiterwafers befindet. A method, comprising: mounting a semiconductor wafer on a wafer support system by causing a surface of the semiconductor wafer held as is an exposed surface of the semiconductor wafer at a lower gas pressure.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bewirken, dass sich die gehaltene Oberfläche bei einem niedrigeren Gasdruck befindet, zumindest Folgendes beinhaltet: Anordnen der gehaltenen Oberfläche des Halbleiterwafers in Kontakt mit einer gelochten Oberfläche des Waferhaltesystems in einer Unterdruckkammer; The method of claim 1, wherein causing that the surface is held at a lower gas pressure, at least comprising: arranging the surface of the semiconductor wafer held in contact with a perforated surface of said wafer support system in a vacuum chamber; Verringern des Gasdrucks in der Unterdruckkammer auf im Wesentlichen den niedrigeren Gasdruck; Reduce the gas pressure in the vacuum chamber to substantially the lower gas pressure; Abdichten einer entgegengesetzten Oberfläche des Waferhaltesystems und Entnehmen des Waferhaltesystems und des befestigten Halbleiterwafers aus der Unterdruckkammer. Sealing an opposite surface of the wafer support system and removal of the wafer support system and of the attached semiconductor wafer from the vacuum chamber.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bewirken, dass sich die gehaltene Oberfläche bei einem niedrigeren Gasdruck befindet, zumindest Folgendes beinhaltet: Anordnen der gehaltenen Oberfläche des Halbleiterwafers in Kontakt mit einer gelochten Oberfläche des Waferhaltesystems in einer ersten Umgebung bei einer ersten Temperatur; The method of claim 1, wherein the causing the held surface is at a lower gas pressure, at least comprising: disposing the held surface of the semiconductor wafer in contact with a perforated surface of said wafer support system in a first environment at a first temperature; Abdichten einer entgegengesetzten Oberfläche des Waferhaltesystems und Entnehmen des Waferhaltesystems und des befestigten Halbleiterwafers aus der ersten Umgebung in eine zweite Umgebung bei einer zweiten Temperatur, die niedriger als die erste Temperatur ist. Sealing an opposite surface of the wafer support system and removal of the wafer support system and of the attached semiconductor wafer from the first environment to a second environment at a second temperature which is lower than the first temperature.
  4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bewirken, dass sich die gehaltene Oberfläche bei einem niedrigeren Gasdruck befindet, zumindest Folgendes beinhaltet: Drücken einer flexiblen Oberfläche des Waferhaltesystems nach innen in Richtung einer gelochten Oberfläche des Waferhaltesystems; The method of claim 1, wherein causing that the surface is held at a lower gas pressure, at least comprising: pressing a flexible surface of the wafer support system inwards towards a perforated surface of said wafer support system; Anordnen der gehaltenen Oberfläche des Halbleiterwafers in Kontakt mit der gelochten Oberfläche des Waferhaltesystems und Lösen der flexiblen Oberfläche. Disposing the surface of the semiconductor wafer held in contact with the perforated surface of the wafer support system and loosening of the flexible surface.
  5. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bewirken, dass sich die gehaltene Oberfläche bei einem niedrigeren Gasdruck befindet, zumindest Folgendes beinhaltet: Anordnen der gehaltenen Oberfläche des Halbleiterwafers in Kontakt mit einer gelochten Oberfläche des Waferhaltesystems und Ziehen einer entgegengesetzten Oberfläche des Haltesystems von der gelochten Oberfläche weg nach außen. The method of claim 1, wherein the causing the held surface is at a lower gas pressure, at least comprising: disposing the held surface of the semiconductor wafer in contact with a perforated surface of said wafer support system and drawing an opposite surface of the holding system of the perforated surface away outward.
  6. Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin Folgendes umfasst: Lösen des Halbleiterwafers von dem Waferhaltesystem durch Erhöhen des niedrigeren Gasdrucks. The method of claim 1, further comprising: releasing said semiconductor wafer from said wafer support system by increasing the lower gas pressure.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, wobei die gehaltene Oberfläche von einer gelochten Oberfläche des Waferhaltesystems gehalten wird und das Erhöhen des niedrigeren Gasdrucks zumindest Folgendes beinhaltet: Entfernen einer entgegengesetzten Oberfläche von dem Waferhaltesystems. The method of claim 6, wherein the surface held is held by a perforated surface of said wafer support system and increasing the lower gas pressure at least includes: removing an opposite surface from the wafer holding system.
  8. Verfahren nach Anspruch 6, wobei das Erhöhen des niedrigeren Gasdrucks zumindest Folgendes beinhaltet: Drücken einer flexiblen Oberfläche des Waferhaltesystems nach innen in Richtung des Halbleiterwafers. The method of claim 6, wherein said increasing of the lower gas pressure includes at least: pushing a flexible surface of the wafer support system inwards towards the semiconductor wafer.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin Folgendes umfasst: Lösen des Halbleiterwafers von dem Waferhaltesystem, indem bewirkt wird, dass sich die freigelegte Oberfläche bei einem Druck befindet, der niedriger als der niedrigere Gasdruck ist oder diesem im Wesentlichen gleichkommt. The method of claim 1, further comprising: releasing said semiconductor wafer from said wafer support system by causing the exposed surface is at a pressure which is lower than the lower gas pressure or this is equivalent to substantially.
  10. Verfahren nach Anspruch 1, das weiterhin Folgendes umfasst: Lösen eines oder mehrerer Chips des Halbleiterwafers von dem Waferhaltesystem, indem der niedrigere Gasdruck an der gehaltenen Oberfläche des einen oder der mehreren Chips erhöht wird, während der niedrigere Gasdruck an der gehaltenen Oberfläche an anderen Abschnitten des Halbleiterwafers beibehalten wird. The method of claim 1, further comprising: dissolving one or more chips of the semiconductor wafer from the wafer support system by the lower gas pressure at the held surface of one or more chips is increased, while the lower gas pressure at the held surface at other portions of the the semiconductor wafer is maintained.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Erhöhen des niedrigeren Gasdrucks an der gehaltenen Oberfläche des einen oder der mehreren Chips zumindest Folgendes beinhaltet: Drücken eines oder mehrerer Abschnitte einer flexiblen Oberfläche des Waferhaltesystems nach innen in Richtung des einen oder der mehreren Chips des Halbleiterwafers. The method of claim 10, wherein said increasing of the lower gas pressure at the held surface of one or more chips containing at least: pressing one or more portions of a flexible surface of the wafer support system inwards towards said one or more chips of the semiconductor wafer.
  12. Verfahren nach Anspruch 10, wobei das Erhöhen des niedrigeren Gasdrucks an der gehaltenen Oberfläche des einen oder der mehreren Chips zumindest Folgendes beinhaltet: Durchstoßen eines oder mehrerer Abschnitte einer flexiblen Oberfläche des Waferhaltesystems, die dem einen oder den mehreren Chips des Halbleiterwafers entsprechen. The method of claim 10, wherein said increasing of the lower gas pressure at the held surface of the one or a plurality of chips, at least comprising: piercing one or more portions of a flexible surface of the wafer support system, corresponding to the one or the plurality of chips of the semiconductor wafer.
  13. Verfahren nach Anspruch 10, das weiterhin Folgendes umfasst: Trennen des einen oder der mehreren Chips von dem Halbleiterwafer durch Verbinden einer Chipentnahmevorrichtung mit der freigelegten Oberfläche des einen oder der mehreren Chips. The method of claim 10, further comprising: separating said one or more chips from the semiconductor wafer by bonding a chip take-out apparatus with the exposed surface of one or more chips.
  14. Waferhaltesystem, das Folgendes umfasst: einen Körper mit einer gelochten Oberfläche zum Halten eines Halbleiterwafers, wobei der Körper mehrere Höhlungen zwischen der gelochten Oberfläche und einer entgegengesetzten Oberfläche des Körpers aufweist, wobei die Höhlungen Mündungen zu der entgegengesetzten Oberfläche aufweisen und eine an dem Körper anzubringende Membran, um die Mündungen abzudichten. Wafer support system, comprising: a body having a perforated surface for holding a semiconductor wafer, wherein the body has a plurality of cavities between the perforated surface and an opposite surface of the body, wherein the cavities mouths have to the opposite surface and to be attached to the body membrane to seal the openings.
  15. Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei eine kleinste der Höhlungen von der Fläche her im Wesentlichen einer Fläche eines kleinsten der Chips auf dem Halbleiterwafer entspricht. Wafer support system of claim 14, wherein a smallest of the cavities corresponds to its surface and substantially an area of a smallest of the chips on the semiconductor wafer.
  16. Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei die Höhlungen Öffnungen zu der gelochten Oberfläche aufweisen und eine Anzahl der Höhlungen im Wesentlichen einer Anzahl der Öffnungen entspricht. Wafer support system of claim 14, wherein said cavities have openings to the perforated surface and a number of cavities substantially corresponds to a number of openings.
  17. Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei der Körper mindestens einen ersten Teil mit der gelochten Oberfläche und einen zweiten Teil mit der entgegengesetzten Oberfläche enthält. Wafer support system of claim 14, wherein the body comprises at least a first part with the perforated surface and a second part of the opposite surface.
  18. Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei die Membran entfernbar ist. Wafer support system of claim 14, wherein the membrane is removable.
  19. Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei die Membran flexibel ist. Wafer support system of claim 14, wherein the membrane is flexible.
  20. Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei die Membran starr ist. Wafer support system of claim 14, wherein the membrane is rigid.
  21. Waferhaltesystem nach Anspruch 14, wobei die gelochte Oberfläche starr ist. Wafer support system of claim 14, wherein the perforated surface is rigid.
Description  translated from German
  • Allgemeiner Stand der Technik Background of the Invention
  • [0001] [0001]
    Ein Halbleiterwafer durchläuft verschiedene Prozesse, bevor seine einzelnen Chips verpackt werden. A semiconductor wafer passes through various processes before its individual chips are packaged. Eine nicht vollständige Liste von Beispielen für derartige Prozesse sind das Schleifen der Waferrückseite, die Metallisierung der Waferrückseite, das Zersägen des Wafers in Chips mittels Laser und Säge, das Prüfen, das Markieren guter Chips, das Auswerfen der Chips und das Anordnen der Chips auf einem Band. A non-exhaustive list of examples of such processes are the grinding of the wafer back side, the metallization of the wafer backside, the sawing of the wafer into chips by means of laser and saw, testing, marking of good chips, the ejection of the chip and placing the chip on a band. Der Wafer muss möglicherweise während der Bearbeitung mechanisch gehalten werden. The wafer may need to be mechanically supported during processing. Der Wafer muss außerdem möglicherweise zwischen Prozesswerkzeugen in einer Produktionsstätte (fabrication plant, FAB) oder einer Verpackungsanlage transportiert werden. The wafer must also may (fabrication plant, FAB) between process tools in a production facility or a packaging plant are transported.
  • [0002] [0002]
    Ein Halbleiterwafer kann einen Durchmesser von beispielsweise 300 Millimeter und eine Dicke von beispielsweise 762 Mikrometer aufweisen. A semiconductor wafer may have a diameter of 300 millimeters, for example, and a thickness of, for example, 762 microns. Nach dem Schleifen der Rückseite kann die Waferdicke beispielsweise auf eine Dicke im Bereich von ungefähr 50 bis ungefäbr 100 Mikrometer verringert sein. After grinding the back of the wafer thickness, for example, be reduced to a thickness in the range of about 50 to 100 micrometers ungefäbr. Ein Wafer mit einer solchen Dicke kann zerbrechlich sein und kann eine sorgsame Handhabung erfordern. A wafer having such a thickness can be fragile and may require careful handling.
  • Kurzbeschreibung der Zeichnungen Brief Description of Drawings
  • [0003] [0003]
    Ausführungsformen der Erfindung werden beispielhaft und nicht einschränkend in den Figuren der begleitenden Zeichnungen veranschaulicht, in denen gleiche Bezugsziffern entsprechende, analoge oder ähnliche Elemente anzeigen und in denen: Embodiments of the invention will by way of example and not limitation, illustrated in the figures of the accompanying drawings in which like reference numerals indicate corresponding, analogous or similar elements and in which:
  • [0004] [0004]
    1 1 eine auseinander gezogene Ansicht eines beispielhaften Halbleiterwafers und eines beispielhaften Waferhaltesystems gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist; an exploded view of an exemplary semiconductor wafer and an exemplary wafer-holding system according to some embodiments of the invention;
  • [0005] [0005]
    2 2 eine Querschnittsansicht eines Teils des Halbleiterwafers von a cross-sectional view of a portion of the semiconductor wafer of 1 1 und eines Teils des Waferhaltesystems von and a portion of the wafer support system of 1 1 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist; is according to some embodiments of the invention;
  • [0006] [0006]
    3 3 eine Querschnittsansicht eines Teils des Waferhaltesystems von a cross-sectional view of a portion of the wafer support system of 1 1 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist; is according to some embodiments of the invention;
  • [0007] [0007]
    4 4 eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines Verfahrens zum Befestigen eines Halbleiterwafers an einem Waferhaltesystem gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist; an illustration of a flowchart of a method for mounting a semiconductor wafer on a wafer holding system according to some embodiments of the invention;
  • [0008] [0008]
    5 5 eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines anderen Verfahrens zum Befestigen eines Halbleiterwafers an einem Waferhaltesystem gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist; an illustration of a flowchart of another method for mounting a semiconductor wafer on a wafer holding system according to some embodiments of the invention;
  • [0009] [0009]
    6 6 eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines noch anderen Verfahrens zum Befestigen eines Halbleiterwafers an einem Waferhaltesystem gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist; an illustration of a flowchart of still another method for mounting a semiconductor wafer on a wafer support system according to some embodiments of the invention;
  • [0010] [0010]
    7 7 eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines weiteren Verfahrens zum Befestigen eines Halbleiterwafers an einem Waferhaltesystem gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung ist und an illustration of a flowchart of another method for mounting a semiconductor wafer on a wafer support system according to some embodiments of the invention, and
  • [0011] [0011]
    8A 8A , . 8B 8B , . 8C 8C und and 8D 8D Darstellungen von Ablaufdiagrammen alternierender Verfahren zum Lösen eines Halbleiterwafers von einem Waferhaltesystem gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung sind. Illustrations of flow diagrams of alternate method of releasing a semiconductor wafer from a wafer holding system according to some embodiments of the invention.
  • [0012] [0012]
    Es ist zu beachten, dass die in den Figuren gezeigte Elemente zur Einfachheit und Übersichtlichkeit der Darstellung nicht notwendigerweise maßstabsgerecht gezeichnet wurden. It should be noted that the elements shown in the figures for simplicity and clarity of presentation have not necessarily been drawn to scale. Zum Beispiel können die Abmessungen einiger der Elemente zur Übersichtlichkeit bezüglich anderer Elemente übertrieben sein. For example, the dimensions of some of the elements relative to other elements for clarity, may be exaggerated.
  • Ausführliche Beschreibung von Ausführungsformen der Erfindung Detailed description of embodiments of the invention,
  • [0013] [0013]
    In der folgenden ausführlichen Beschreibung sind zahlreiche spezifische Einzelheiten dargelegt, um ein vollständigeres Verständnis von Ausführungsformen der Erfindung bereitzustellen. In the following detailed description, numerous specific details are set forth to provide a more complete understanding of embodiments of the invention. Durchschnittsfachleute werden jedoch verstehen, dass die Ausführungsformen der Erfindung ohne diese spezifischen Einzelheiten ausgeübt werden können. Those of ordinary skill will understand, however, that the embodiments of the invention may be practiced without these specific details. In anderen Fällen wurden wohl bekannte Verfahren, Abläufe, Komponenten und Schaltkreise nicht ausführlich beschrieben, um die Ausführungsformen der Erfindung nicht zu verschleiern. In other instances, well known methods, procedures, components and circuits have not been described in detail so as not to obscure the embodiments of the invention.
  • [0014] [0014]
    Mit Bezugnahme auf With reference to 1 1 und and 2 2 sind ein beispielhafter Halbleiterwafer are an exemplary semiconductor wafer 2 2 und ein Waferhaltesystem and a wafer holding system 4 4 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung dargestellt. illustrated in accordance with some embodiments of the invention. 1 1 ist eine auseinander gezogene Ansicht des Halbleiterwafers is an exploded view of the semiconductor wafer, 2 2 und des Waferhaltesystems and the wafer support system 4 4 , wohingegen Whereas 2 2 eine Querschnittsansicht eines Teils des Halbleiterwafers a cross-sectional view of a portion of the semiconductor wafer 2 2 und eines Teils des Waferhaltesystems and a portion of the wafer support system 4 4 entlang einem Querschnitt A ist und along a cross section A and 3 3 eine Querschnittsansicht eines Teils des Waferhaltesystems a cross-sectional view of a portion of the wafer support system 4 4 entlang einem Querschnitt b ist. b along a cross section.
  • [0015] [0015]
    Wie in How to 1 1 gezeigt, kann der Halbleiterwafer shown, the semiconductor wafer can 2 2 eine Scheibenform aufweisen, obgleich eine beliebige andere Form des Halbleiterwafers having a disk shape, although any other shape of the semiconductor wafer 2 2 ebenfalls in Erwägung gezogen wird. will also be considered. Der Halbleiterwafer The semiconductor wafer 2 2 kann Chips, wie beispielhafte Chips can chips as exemplary chips 6 6 , enthalten, die durch Anrisslinien (auch als „Straßen" bekannt), wie beispielhafte Anrisslinien Containing, by tracing lines (also known as "streets") as exemplary layout lines 8 8 , getrennt sind. Are separated. Die Chips The chips 6 6 können eine rechteckige Form aufweisen, obgleich eine beliebige andere Form der Chips may have a rectangular shape, although any other shape of the chips 6 6 ebenfalls in Erwägung gezogen wird. will also be considered. Des Weiteren kann der Halbleiterwafer Further, the semiconductor wafer 2 2 , obgleich nicht ausdrücklich in Although not specifically in 1 1 gezeigt, Chips mit unterschiedlichen Formen und Größen enthalten. shown containing chips of different shapes and sizes.
  • [0016] [0016]
    Der Halbleiterwafer The semiconductor wafer 2 2 kann verschiedene Prozesse durchlaufen, wie beispielsweise ein Oberflächenschleifen oder eine Oberflächenmetallisierung. may undergo various processes, such as a surface grinding or surface metallization. Darüber hinaus können bestimmte Chips Additionally, certain chips 6 6 , wie beispielsweise der mit Such as the with 6'' 6 '' bezeichnete Chip, aus dem Halbleiterwafer Marked chip from the semiconductor wafer 2 2 mittels beispielsweise einer Lasersäge oder einer mechanischen Säge ausgesägt werden. be cut out by means of, for example, a Lasersäge or a mechanical saw. Der ausgesägte Chip The sawed chip 6'' 6 '' kann aus dem Halbleiterwafer may be made of the semiconductor wafer 2 2 ausgeworfen und auf einem Band (nicht gezeigt) angeordnet werden. and ejected on a tape (not shown) are arranged.
  • [0017] [0017]
    Eine nicht vollständige Liste von Beispielen für den Durchmesser des Halbleiterwafers A non-exhaustive list of examples for the diameter of the semiconductor wafer 2 2 schließt ungefähr 150 Millimeter, ungefähr 200 Millimeter und ungefähr 300 Millimeter ein. includes about 150 mm, 200 mm and about 300 mm. Der Halbleiterwafer The semiconductor wafer 2 2 kann eine Dicke im Bereich von beispielsweise ungefähr 700 Mikrometer bis ungefähr 800 Mikrometer, wie beispielsweise eine Dicke von ungefähr 762 Mikrometer, aufweisen. may have a thickness in the range of, for example, about 700 microns to about 800 microns, such as a thickness of about 762 micrometers. Ein Oberflächenschleifprozess kann die Dicke des Halbleiterwafers A surface grinding process, the thickness of the semiconductor wafer 2 2 auf eine Dicke im Bereich von beispielsweise ungefähr 50 bis ungefähr 100 Mikrometer verringern. reduced to a thickness in the range of for example about 50 to about 100 microns.
  • [0018] [0018]
    Das Waferhaltesystem The wafer support system 4 4 kann eine im Wesentlichen starre gelochte Oberfläche may include a substantially rigid perforated surface 10 10 mit Öffnungen with openings 12 12 aufweisen. have. Die Öffnungen The openings 12 12 können in einem Bereich konzentriert sein, der durch eine Kurve can be concentrated in an area defined by a curve 14 14 mit im Wesentlichen derselben Form wie die Halbleiterwafer having substantially the same shape as the semiconductor wafer 2 2 definiert ist. is defined. Die Öffnungen The openings 12 12 können eine im Wesentlichen runde Form aufweisen, obgleich eine beliebige andere Form der Öffnungen can have a substantially round shape, although any other shape of the openings 12 12 ebenfalls in Erwägung gezogen wird. will also be considered.
  • [0019] [0019]
    Der Halbleiterwafer The semiconductor wafer 2 2 kann an dem Waferhaltesystem can be connected to the wafer support system 4 4 befestigt werden, indem eine gehaltene Oberfläche be secured by a surface held 16 16 des Halbleiterwafers of the semiconductor wafer 2 2 mit der gelochten Oberfläche with the perforated surface 10 10 in Kontakt gebracht wird, so dass die Öffnungen is brought into contact, so that the openings 12 12 im Wesentlichen von dem Halbleiterwafer substantially from the semiconductor wafer 2 2 blockiert werden, und darüber hinaus indem bewirkt wird, dass sich eine freigelegte Oberfläche are blocked, and beyond by causing an exposed surface 18 18 des Halbleiterwafers of the semiconductor wafer 2 2 bei einem Gasdruck befindet, der höher als der Gasdruck ist, der über die Öffnungen is at a gas pressure which is higher than the gas pressure across the openings 12 12 auf die gehaltene Oberfläche held on the surface 16 16 ausgeübt wird. is applied.
  • [0020] [0020]
    Während der Halbleiterwafer While the semiconductor wafer 2 2 am Waferhaltesystem the wafer support system 4 4 befestigt ist, kann der Halbleiterwafer is fixed, the semiconductor wafer can 2 2 zusammen mit dem Waferhaltesystem together with the wafer holding system 4 4 transportiert werden. be transported. Des Weiteren können, während der Halbleiterwafer Furthermore, while the semiconductor wafer 2 2 am Waferhaltesystem the wafer support system 4 4 befestigt ist, Prozesse, wie ein Schleifen der Waferrückseite, eine Metallisierung der Waferrückseite, ein Zersägen des Wafers in Chips mittels Laser und Säge, ein Prüfen, ein Markieren guter Chips, ein Auswerfen der Chips und ein Anordnen der Chips auf einem Band, auf den Halbleiterwafer is attached, processes, such as grinding of the wafer back side, a metallization of the wafer backside, a sawing the wafer into chips by means of laser and saw, a check, a mark of good chips, an ejection of the chips and disposing the chips on a tape, on the semiconductor wafer 2 2 angewendet werden. be applied. Die Starrheit der gelochten Oberfläche The rigidity of the perforated surface 10 10 kann das Durchbiegen des Halbleiterwafers , the bending of the semiconductor wafer 2 2 während der Handhabung, des Transports und der Bearbeitung verringern oder ausmerzen. reduce or eliminate during handling, transportation and processing.
  • [0021] [0021]
    Der befestigte Halbleiterwafer The fortified semiconductor wafer 2 2 kann vom Waferhaltesystem can the wafer support system 4 4 gelöst werden, indem bewirkt wird, dass sich die freigelegte Oberfläche be solved by causing the exposed surface 18 18 bei einem Gasdruck befindet, der geringer als der Gasdruck ist oder im Wesentlichen diesem gleichkommt, der über die Öffnungen is at a gas pressure which is lower than the gas pressure or substantially equivalent to this, via the openings 12 12 auf die gehaltene Oberfläche held on the surface 16 16 ausgeübt wird. is applied.
  • [0022] [0022]
    Des Weiteren können ein oder mehrere ausgesägte Chips des befestigten Halbleiterwafers In addition, one or more of the sawn chips mounted semiconductor wafer 2 2 , wie beispielsweise der Chip Such as the chip 6'' 6 '' , vom Waferhaltesystem From the wafer support system 4 4 gelöst werden, indem der Gasdruck erhöht wird, der über Öffnungen auf die gehaltene Oberfläche be solved by using the gas pressure is increased, the via openings held on the surface 16 16 ausgeübt wird, die durch diese ausgesägten Chips blockiert sind, wie beispielsweise Öffnung is applied, which are blocked by these sawed chips, such as opening 12'' 12 '' , während der Gasdruck beibehalten wird, der über andere Öffnungen While the gas pressure is maintained over the other openings 12 12 auf die gehaltene Oberfläche held on the surface 16 16 ausgeübt wird. is applied. Der ausgesägte Chip The sawed chip 6'' 6 '' kann, nachdem er vom Waferhaltesystem may, after the wafer support system 4 4 gelöst wurde, vom Waferhaltesystem was released from the wafer support system 4 4 mittels eines Chipentnahmewerkzeugs (nicht gezeigt) getrennt werden. by means of a chip removal tool (not shown) are separated. Da kein Klebstoff vorliegt, der den ausgesägten Chip Since no adhesive, of the sawn-chip 6'' 6 '' am Waferhaltesystem the wafer support system 4 4 hält, schließt das Entfernen des ausgesägten Chips holds, includes the removal of the sawn chips 6'' 6 '' mit einem Chipentnahmewerkzeug nicht das Abziehen, Abschälen oder Abstemmen ein, das normalerweise zum Entfernen eines Chips von einer Klebefläche erforderlich ist. with a chip removal tool not peeling, peeling or prying a, which is normally required for removing a chip from an adhesive surface.
  • [0023] [0023]
    Wie in How to 2 2 gezeigt, kann das Waferhaltesystem shown, the wafer support system can 4 4 einen ersten Teil enthalten, bei dem es sich um eine im Wesentlichen starre gelochte Platte include a first part in which there is a substantially rigid perforated plate 30 30 mit einer gelochten Oberfläche with a perforated surface 10 10 und Öffnungen and openings 12 12 handelt. is. Darüber hinaus kann das Waferhaltesystem In addition, the wafer support system 4 4 einen zweiten Teil a second part 32 32 mit mehreren Höhlungen with several cavities 34 34 enthalten. included.
  • [0024] [0024]
    Wie in How to 3 3 gezeigt, können die Höhlungen shown that cavities can 34 34 in einer Wabenstruktur angeordnet sein, obgleich eine beliebige andere Anordnung der Höhlungen ebenfalls in Erwägung gezogen wird. be arranged in a honeycomb structure, although any other arrangement of the cavities is also contemplated. Zum Beispiel können die Höhlungen For example, the cavities can 34 34 eine hexagonale Form aufweisen, obgleich eine beliebige andere Form der Höhlung have a hexagonal shape, although any other shape of the cavity 34 34 , wie beispielsweise ein Rechteck, ein Kreis und dergleichen, ebenfalls in Erwägung gezogen wird. Such as a rectangle, a circle, and the like, is also contemplated.
  • [0025] [0025]
    Gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung kann der Teil According to a first embodiment of the invention, the sub- 32 32 für jede Öffnung for each opening 12 12 in der gelochten Platte in the perforated plate 30 30 eine entsprechende Höhlung a corresponding cavity 34 34 aufweisen. have. Zum Beispiel kann eine Höhlung For example, a cavity 34'' 34 '' der Öffnung the opening 12'' 12 '' entsprechen. comply with.
  • [0026] [0026]
    Gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung kann der Teil According to a second embodiment of the invention, the sub- 32 32 für jede Öffnung for each opening 12 12 in der gelochten Platte in the perforated plate 30 30 mehrere entsprechende Höhlungen a plurality of corresponding cavities 34 34 aufweisen. have. Gemäß einer dritten Ausführungsform der Erfindung kann die gelochte Platte According to a third embodiment of the invention, the perforated plate 30 30 für jede Höhlung for each cavity 34 34 des Teils the part 32 32 mehrere Öffnungen a plurality of openings 12 12 aufweisen. have.
  • [0027] [0027]
    Die Anzahl, Größe, Form und Anordnung der Höhlungen The number, size, shape and arrangement of the cavities 34 34 können so gewählt werden, dass sie zu der Anordnung der Chips auf dem Halbleiterwafer passen. can be chosen so that they match the arrangement of the chips on the semiconductor wafer. Darüber hinaus kann eine kleinste der Höhlungen Moreover, a smallest of the cavities 34 34 von der Fläche her im Wesentlichen einer Fläche einem kleinsten der Chips auf dem Halbleiterwafer its surface and substantially an area of a smallest chips on the semiconductor wafer 2 2 entsprechen. comply with.
  • [0028] [0028]
    Die Höhlungen The cavities 34 34 können auf einer Oberfläche can on a surface 38 38 des Teils the part 32 32 Mündungen Mouths 36 36 aufweisen. have. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung kann eine Höhlung According to one embodiment of the invention, a cavity 34 34 eine entsprechende Mündung a corresponding mouth 36 36 aufweisen. have. Gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung kann eine Höhlung According to a second embodiment of the invention, a cavity 34 34 mehr als eine entsprechende Mündung more than a corresponding opening 36 36 aufweisen. have.
  • [0029] [0029]
    Die gelochte Platte The perforated plate 30 30 und der Teil and the part 32 32 können angefügt sein, so dass sich eine Oberfläche can be added so that a surface 40 40 der gelochten Platte the perforated plate 30 30 und eine Oberfläche and a surface 42 42 des Teils the part 32 32 berühren. touch. Alternativ dazu können die gelochte Platte Alternatively, the perforated plate 30 30 und der Teil and the part 32 32 als ein einziger Körper mit einer Oberfläche as a single body with a surface 10 10 mit Öffnungen with openings 12 12 und einer entgegengesetzten Oberfläche and an opposite surface 38 38 mit Mündungen with mouths 36 36 gefertigt sein, wobei die Öffnungen und die Mündungen durch Höhlungen verbunden sind. be made, which openings and the openings are connected by cavities.
  • [0030] [0030]
    Gas kann im Wesentlichen in den Höhlungen Gas may be substantially in the cavities 34 34 eingeschlossen sein, wenn be included if
    • a. die gehaltene Oberfläche a. the held surface 16 16 des Halbleiterwafers of the semiconductor wafer 2 2 mit der gelochten Oberfläche with the perforated surface 10 10 in Kontakt steht, so dass die Öffnungen is in contact, so that the openings 12 12 im Wesentlichen vom Halbleiterwafer substantially from the semiconductor wafer 2 2 blockiert werden, wobei die gelochte Platte are blocked, with the perforated plate 30 30 im Wesentlichen als eine Dichtung zwischen der gehaltenen Oberfläche substantially as a seal between the held surface 16 16 und der Oberfläche and the surface 42 42 des Teils the part 32 32 fungiert, und functions, and
    • b. b. eine Membran a membrane 50 50 am Teil on the part 32 32 angebracht ist, so dass die Mündungen is attached, so that the mouths 36 36 im Wesentlichen abgedichtet sind. are substantially sealed.
  • [0031] [0031]
    In den Höhlungen In the cavities 34 34 eingeschlossenes Gas kann über die Öffnungen trapped gas can via the openings 12 12 eine Kraft auf die gehaltene Oberfläche a force on the held surface 16 16 ausüben. exercise. Darüber hinaus kann Gas, das sich außerhalb der Höhlungen In addition, gas outside the cavities 34 34 befindet, eine Kraft auf die freigelegte Oberfläche is a force on the exposed surface 18 18 ausüben. exercise.
  • [0032] [0032]
    4 4 ist eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines Verfahrens zum Befestigen des Halbleiterwafers is an illustration of a flowchart of a method for fixing the semiconductor wafer, 2 2 an dem Waferhaltesystem to the wafer holding system 4 4 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung. according to some embodiments of the invention. Der Halbleiterwafer The semiconductor wafer 2 2 und das Waferhaltesystem and the wafer support system 4 4 können in einer ersten Umgebung, beispielsweise einer Unterdruckkammer, angeordnet werden, wobei die gehaltene Oberfläche can in a first environment, such as a vacuum chamber are arranged, the surface held 16 16 in Kontakt mit der gelochten Oberfläche in contact with the perforated surface 10 10 angeordnet wird, so dass die Öffnungen is arranged so that the openings 12 12 im Wesentlichen blockiert sind (- substantially blocks are (- 402 402 -). -). Der Gasdruck in der ersten Umgebung kann verringert werden (- The gas pressure in the first environment can be reduced (- 404 404 -). -). Die Membran The membrane 50 50 kann am Teil can the part 32 32 angebracht werden, so dass die Mündungen are mounted so that the mouths 36 36 im Wesentlichen abgedichtet sind (- substantially sealed are (- 406 406 -). -). Dann können das Waferhaltesystem Then, the wafer support system can 4 4 und der Halbleiterwafer and the semiconductor wafer 2 2 aus der ersten Umgebung in eine zweite Umgebung mit einem Gasdruck, der höher als der Gasdruck in der ersten Umgebung ist, entnommen werden (- are from the first environment to a second environment having a gas pressure which is higher than the gas pressure in the first environment, removed (- 408 408 -). -). Infolgedessen kann der Gasdruck in den Höhlungen As a result, the gas pressure in the cavities 34 34 geringer als der Gasdruck an der freigelegten Oberfläche lower than the gas pressure on the exposed surface 18 18 sein. be.
  • [0033] [0033]
    5 5 ist eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines anderen Verfahrens zum Befestigen des Halbleiterwafers is an illustration of a flowchart of another method for mounting the semiconductor wafer 2 2 an dem Waferhaltesystem to the wafer holding system 4 4 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung. according to some embodiments of the invention. Die Membran The membrane 50 50 kann flexibel sein und am Teil can be flexible and the part 32 32 angebracht werden, so dass die Mündungen are mounted so that the mouths 36 36 im Wesentlichen abgedichtet sind (- substantially sealed are (- 502 502 -). -). Die Membran The membrane 50 50 kann in die Höhlungen may in the cavities 34 34 gedrückt werden (- are pressed (- 504 504 -). -). Dann kann die gehaltene Oberfläche Then, the held surface 16 16 in Kontakt mit der gelochten Oberfläche in contact with the perforated surface 10 10 angeordnet werden, so dass die Öffnungen be arranged so that the openings 12 12 im Wesentlichen blockiert sind (- substantially blocks are (- 506 506 -), und die Membran -), And the membrane 50 50 kann gelöst werden, so dass sie nicht mehr in die Höhlungen can be released so that they are no longer in the cavities 34 34 gedrückt wird (- is pressed (- 508 508 -). -). Infolgedessen kann der Gasdruck in den Höhlungen As a result, the gas pressure in the cavities 34 34 geringer als der Gasdruck an der freigelegten Oberfläche lower than the gas pressure on the exposed surface 18 18 sein. be.
  • [0034] [0034]
    6 6 ist eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines anderen Verfahrens zum Befestigen des Halbleiterwafers is an illustration of a flowchart of another method for mounting the semiconductor wafer 2 2 an dem Waferhaltesystem to the wafer holding system 4 4 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung. according to some embodiments of the invention. In einigen Ausführungsformen der Erfindung kann der Teil In some embodiments of the invention, the sub- 32 32 optional Umfangswände optional peripheral walls 54 54 aufweisen, die sich über die Oberfläche exhibit, which extends over the surface 38 38 hinaus erstrecken, und die Membran also extend and the membrane 50 50 kann starr sein. may be rigid. Die Membran The membrane 50 50 kann am Teil can the part 32 32 angebracht werden, so dass die Mündungen are mounted so that the mouths 36 36 im Wesentlichen abgedichtet sind (- substantially sealed are (- 602 602 -). -). Die gehaltene Oberfläche The surface held 16 16 kann in Kontakt mit der gelochten Oberfläche may be in contact with the perforated surface 10 10 angeordnet werden, so dass die Öffnungen be arranged so that the openings 12 12 im Wesentlichen blockiert sind (- substantially blocks are (- 604 604 -). -). Dann kann die Membran Then, the membrane may 50 50 von der Oberfläche from the surface 38 38 weg gezogen werden, so dass sich die Membran be taken away, so that the membrane 50 50 noch immer innerhalb der Umfangswände still within the peripheral walls 54 54 befindet, um einen Hohlraum is to form a cavity 56 56 zu bilden (- form (- 606 606 -). -). Der Hohlraum The cavity 56 56 und die Höhlungen and the cavities 34 34 können von der Membran can of the membrane 50 50 und den Umfangswänden and the peripheral walls 54 54 abgedichtet werden. be sealed. Infolgedessen kann der Gasdruck in den Höhlungen As a result, the gas pressure in the cavities 34 34 und dem Hohlraum and the cavity 56 56 geringer als der Gasdruck an der freigelegten Oberfläche lower than the gas pressure on the exposed surface 18 18 sein. be.
  • [0035] [0035]
    7 7 ist eine Darstellung eines Ablaufdiagramms eines weiteren Verfahrens zum Befestigen des Halbleiterwafers is an illustration of a flowchart of another method for mounting the semiconductor wafer 2 2 an dem Waferhaltesystem to the wafer holding system 4 4 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung. according to some embodiments of the invention. Der Halbleiterwafer The semiconductor wafer 2 2 und das Waferhaltesystem and the wafer support system 4 4 können in einer ersten Umgebung bei einer ersten Temperatur angeordnet werden, wobei die gehaltene Oberfläche can be arranged at a first temperature in a first environment, wherein the held surface 16 16 in Kontakt mit der gelochten Oberfläche in contact with the perforated surface 10 10 angeordnet wird, so dass die Öffnungen is arranged so that the openings 12 12 im Wesentlichen blockiert sind (- substantially blocks are (- 702 702 -). -). Die Membran The membrane 50 50 kann am Teil can the part 32 32 angebracht werden, so dass die Mündungen are mounted so that the mouths 36 36 im Wesentlichen abgedichtet sind (- substantially sealed are (- 704 704 -). -). Dann können das Waferhaltesystem Then, the wafer support system can 4 4 und der Halbleiterwafer and the semiconductor wafer 2 2 aus der ersten Umgebung in eine zweite Umgebung bei einer zweiten Temperatur, die niedriger als die erste Temperatur ist, entnommen werden (- are from the first environment to a second environment at a second temperature which is lower than the first temperature, extracted (- 706 706 -). -). Da die Luft in der ersten Umgebung weniger dicht als die in der zweiten Umgebung ist, sobald sich das Waferhaltesystem Since the air is less dense than in the second environment in the first environment as soon as the wafer support system 4 4 und der Halbleiterwafer and the semiconductor wafer 2 2 in der zweiten Umgebung befinden, kann der Luftdruck in den Höhlungen are in the second environment, the air pressure in the cavities 34 34 geringer als der Luftdruck an der freigelegten Oberfläche lower than the air pressure on the exposed surface 18 18 sein. be.
  • [0036] [0036]
    Die The 8A 8A , . 8B 8B , . 8C 8C und and 8D 8D sind Darstellungen von Ablaufdiagrammen alternierender Verfahren zum Lösen des Halbleiterwafers are diagrams of flow charts of alternate method of releasing the semiconductor wafer 2 2 von dem Waferhaltesystem from the wafer holding system 4 4 gemäß einigen Ausführungsformen der Erfindung. according to some embodiments of the invention.
  • [0037] [0037]
    In In 8A 8A kann die Membran the membrane may 50 50 vom Waferhaltesystem the wafer support system 4 4 entfernt werden (- be removed (- 802 802 -), um zu bewirken, dass der Gasdruck in den Höhlungen -), To cause the gas pressure in the cavities 34 34 im Wesentlichen dem Gasdruck an der freigelegten Oberfläche substantially corresponds to the gas pressure on the exposed surface 18 18 gleichkommt, wodurch der Halbleiterwafer equals, whereby the semiconductor wafer 2 2 vom Waferhaltesystem gelöst wird. is released from the wafer holding system.
  • [0038] [0038]
    In In 8B 8B kann die Membran the membrane may 50 50 durchstoßen werden (- be pierced (- 804 804 -), und der Gasdruck in den Höhlungen -), And the gas pressure in the cavities 34 34 kann dem Gasdruck an der freigelegten Oberfläche may the gas pressure on the exposed surface 18 18 gleichkommen. equal. In einer modifizierten Version dieses Verfahrens können ein oder mehrere ausgesägte Chips einzeln vom Waferhaltesystem In a modified version of this method, one or more sawn chips can individually from the wafer holding system 4 4 gelöst werden. be solved. Zum Beispiel kann der ausgesägte Chip For example, the sawed chip 6'' 6 '' einzeln vom Waferhaltesystem separately from the wafer support system 4 4 gelöst werden, indem die flexible Membran be solved by the flexible membrane 50 50 derart in die Mündung so in the mouth 36'' 36 '' durchgestoßen wird, dass der Gasdruck in der Höhlung is encountered, that the gas pressure in the cavity 34'' 34 '' dem Gasdruck, der das Waferhaltesystem the gas pressure, the wafer support system, the 4 4 umgibt, gleichkommt oder höher als dieser wird, und der Gasdruck in den anderen Höhlungen surrounds, equals or is higher than this, and the gas pressure in the other cavities 34 34 wird möglicherweise nicht beeinflusst. will not be affected.
  • [0039] [0039]
    In In 8C 8C kann, wenn die Membran , when the membrane 50 50 flexibel ist, die Membran is flexible, the membrane 50 50 nach innen in die Höhlungen inward into the cavities 34 34 gedrückt werden (- are pressed (- 806 806 -), und der Gasdruck in den Höhlungen -), And the gas pressure in the cavities 34 34 kann dem Gasdruck an der freigelegten Oberfläche may the gas pressure on the exposed surface 18 18 gleichkommen oder höher als dieser werden. equal or higher than this. In einer modifizierten Version dieses Verfahrens können ein oder mehrere ausgesägte Chips einzeln vom Waferhaltesystem In a modified version of this method, one or more sawn chips can individually from the wafer holding system 4 4 gelöst werden. be solved. Zum Beispiel kann der ausgesägte Chip For example, the sawed chip 6'' 6 '' einzeln vom Waferhaltesystem separately from the wafer support system 4 4 gelöst werden, indem die flexible Membran be solved by the flexible membrane 50 50 derart in die Mündung so in the mouth 36'' 36 '' gedrückt wird, dass der Gasdruck in der Höhlung is pressed, that the gas pressure in the cavity 34'' 34 '' dem Gasdruck, der das Waferhaltesystem the gas pressure, the wafer support system, the 4 4 umgibt, gleichkommt oder höher als dieser wird, und der Gasdruck in den anderen Höhlungen surrounds, equals or is higher than this, and the gas pressure in the other cavities 34 34 wird möglicherweise nicht beeinflusst. will not be affected.
  • [0040] [0040]
    8D 8D ist beispielsweise in dem Fall anwendbar, in dem der Teil For example, in the case applicable, in which the part 32 32 Umfangswände Peripheral walls 54 54 aufweist, die sich über die Oberfläche extending over the surface 38 38 hinaus erstrecken, und die Membran also extend and the membrane 50 50 eine starre Membran ist. a rigid membrane. Die Membran The membrane 50 50 kann nach innen in Richtung der Oberfläche can inwardly towards the surface 38 38 bewegt werden (- be moved (- 808 808 -). -). Der Gasdruck in den Höhlungen The gas pressure in the cavities 34 34 und dem Hohlraum and the cavity 56 56 kann ansteigen oder dem Gasdruck an der freigelegten Oberfläche or may increase the gas pressure on the exposed surface 18 18 gleichkommen oder höher als dieser werden. equal or higher than this.
  • [0041] [0041]
    Obgleich bestimmte Merkmale der Erfindung hierin dargestellt und beschrieben wurden, werden Durchschnittsfachleuten nun viele Abwandlungen, Substituierungen, Änderungen und Äquivalente erkennen. Although certain features of the invention have been illustrated and described herein, those of ordinary skill will now appreciate, many modifications, substitutions, changes and equivalents. Es versteht sich daher, dass die angefügten Ansprüche alle derartigen Abwandlungen und Änderungen umfassen sollen, die in den Erfindungsgedanken fallen. It is therefore understood that the appended claims are intended to cover all such modifications and variations which fall within the inventive idea.
  • Zusammenfassung Summary
  • [0042] [0042]
    Ein Halbleiterwafer durchläuft verschiedene Prozesse, bevor seine einzelnen Chips verpackt werden. A semiconductor wafer passes through various processes before its individual chips are packaged. Eine nicht vollständige Liste von Beispielen für derartige Prozesse sind das Schleifen der Waferrückseite, die Metallisierung der Waferrückseite, das Zersägen des Wafers in Chips mittels Laser und Säge, das Prüfen, das Markieren guter Chips, das Auswerfen der Chips und das Anordnen der Chips auf einem Band. A non-exhaustive list of examples of such processes are the grinding of the wafer back side, the metallization of the wafer backside, the sawing of the wafer into chips by means of laser and saw, testing, marking of good chips, the ejection of the chip and placing the chip on a band. Der Wafer muss möglicherweise während der Bearbeitung mechanisch gehalten werden. The wafer may need to be mechanically supported during processing. Der Wafer muss außerdem möglicherweise zwischen Prozesswerkzeugen in einer Produktionsstätte (fabrication plant, FAB) oder einer Verpakkungsanlage transportiert werden. The wafer must also may (fabrication plant, FAB) between process tools in a production facility or a Verpakkungsanlage be transported. Ein Halbleiterwafer kann einen Durchmesser von beispielsweise 300 Millimeter und eine Dicke von beispielsweise 762 Mikrometer aufweisen. A semiconductor wafer may have a diameter of 300 millimeters, for example, and a thickness of, for example, 762 microns. Nach dem Schleifen der Rückseite kann die Waferdicke beispielsweise auf eine Dicke im Bereich von ungefähr 50 bis ungefähr 100 Mikrometer verringert sein. After grinding the back of the wafer thickness can be reduced, for example to a thickness in the range of about 50 to about 100 microns. Ein Wafer mit einer solchen Dicke kann zerbrechlich sein und kann eine sorgsame Handhabung erfordern. A wafer having such a thickness can be fragile and may require careful handling.
Classifications
International ClassificationH01L21/673, H01L21/68, B24B37/04, H01L21/687, H01L21/683
Cooperative ClassificationY10T29/53961, H01L21/6838, B24B37/30
European ClassificationH01L21/683V, B24B37/30
Legal Events
DateCodeEventDescription
16 Nov 2006OP8Request for examination as to paragraph 44 patent law
Ref document number: 112004002610
Country of ref document: DE
Date of ref document: 20061116
Kind code of ref document: P
17 Mar 20118131Rejection