DE10341086A1 - Radiation-receiving semiconductor body with an integrated filter layer - Google Patents
Radiation-receiving semiconductor body with an integrated filter layer Download PDFInfo
- Publication number
- DE10341086A1 DE10341086A1 DE10341086A DE10341086A DE10341086A1 DE 10341086 A1 DE10341086 A1 DE 10341086A1 DE 10341086 A DE10341086 A DE 10341086A DE 10341086 A DE10341086 A DE 10341086A DE 10341086 A1 DE10341086 A1 DE 10341086A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- radiation
- semiconductor body
- filter layer
- body according
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L31/02327—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements being integrated or being directly associated to the device, e.g. back reflectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
Ein strahlungsempfangender Halbleiterkörper, der zumindest einen strahlungsabsorbierenden aktiven Bereich (2) zwischen zumindest zwei Kontaktschichten (6, 7) aufweist und elektromagnetische Strahlung in einem Wellenlängenbereich zwischen lambda¶1¶ und lambda¶2¶ empfängt, wobei lambda¶2¶ > lambda¶1¶, weist eine Filterschicht (5) zwischen dem aktiven Bereich (2) und einer Strahlungs-Einkopplungsfläche (9) auf. Der aktive Bereich (2) detektiert elektromagnetische Strahlung, die eine Wellenlänge kleiner als lambda¶2¶ aufweist. Die Filterschicht (5) absorbiert elektromagnetische Strahlung, die eine Wellenlänge kleiner als lambda¶1¶ aufweist, und läßt elektromagnetische Strahlung durch, die eine Wellenlänge größer als lambda¶1¶ aufweist.A radiation-receiving semiconductor body which has at least one radiation-absorbing active region (2) between at least two contact layers (6, 7) and receives electromagnetic radiation in a wavelength range between lambda¶1 and lambda¶2¶, lambda¶2¶> lambda¶1 ¶, has a filter layer (5) between the active region (2) and a radiation-coupling surface (9). The active region (2) detects electromagnetic radiation having a wavelength smaller than lambda¶2¶. The filter layer (5) absorbs electromagnetic radiation having a wavelength smaller than lambda¶1¶, and transmits electromagnetic radiation having a wavelength greater than lambda¶1¶.
Description
Die Erfindung betrifft einen strahlungsempfangenden Halbleiterkörper, der zumindest einen strahlungsabsorbierenden aktiven Bereich aufweist und elektromagnetische Strahlung in einem Wellenlängenbereich zwischen λ1 und λ2 empfängt, wobei λ2 größer ist als λ1. Sie betrifft insbesondere einen Halbleiterkörper, der als Photodiode oder als Phototransistor ausgebildet ist.The invention relates to a radiation-receiving semiconductor body which has at least one radiation-absorbing active region and receives electromagnetic radiation in a wavelength range between λ 1 and λ 2 , where λ 2 is greater than λ 1 . It relates in particular to a semiconductor body which is designed as a photodiode or as a phototransistor.
Üblicherweise wird die Leistung von strahlungsempfangenden Bauelementen, in denen Halbleiterkörper der eingangs genannten Art integriert sind, durch Umgebungs- oder Streulicht negativ beeinflußt. Bei der optischen Freiraumübertragung von Signalen oder Daten wird das zu detektierende Signal in den häufigsten Fällen durch Umgebungs- oder Streulicht gestört bzw. verfälscht. Deshalb werden oft optische Filter vor dem Detektor eingebaut, um das Signal von diesem störenden Licht zu trennen. Mit noch höherem Aufwand kann das Signal alternativ oder zusätzlich elektronisch aufbereitet werden. Solche externen Maßnahmen rufen einen größeren Zeit- und Kostenaufwand hervor.Usually is the performance of radiation-receiving devices in which Semiconductor body of the aforementioned type are integrated, by ambient or Stray light negatively affected. In the optical free space transmission of signals or data becomes the signal to be detected in the common make disturbed or falsified by ambient or scattered light. Therefore Often optical filters are installed in front of the detector to detect the signal from this disturbing To separate light. With even higher Effort, the signal can be processed alternatively or additionally electronically become. Such external measures call a bigger time and Cost out.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, einen strahlungsempfangenden Halbleiterkörper der eingangs genannten Art zu entwickeln, der einen verbesserten Schutz gegen Störung bzw. Verfälschung des zu detektierenden Signals aufweist und der ohne großen technischen Aufwand reproduzierbar ist.task The present invention is to provide a radiation-receiving Semiconductor body to develop the type mentioned, the improved Protection against interference or falsification of the has to be detected signal and without major technical Effort is reproducible.
Diese Aufgabe wird durch einen strahlungsempfangenden Halbleiterkörper mit den Merkmalen der Ansprüche 1 und 3 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.These Task is by a radiation-receiving semiconductor body with the features of the claims 1 and 3 solved. Advantageous developments of the invention are the subject of the dependent claims.
Erfindungsgemäß weist ein strahlungsempfangender Halbleiterkörper mit zumindest einem strahlungsabsorbierenden aktiven Bereich eine Filterschicht auf, die zwischen dem aktiven Bereich und einer Strahlungs-Einkopplungsseite angeordnet ist. Der aktive Bereich detektiert nur elektromagnetische Strahlung, die eine Wellenlänge kleiner als λ2 aufweist. Die Filterschicht absorbiert elektromagnetische Strahlung, denen Wellenlänge kleiner als λ1 ist, und läßt elektromagnetische Strahlung durch, die eine Wellenlänge größer als λ1 aufweist. Die von der Filterschicht absorbierte Strahlung wird vorzugsweise in Strahlung umgewandelt, deren Wellenlänge größer als λ2 ist und die somit nicht vom aktiven Bereich detektiert wird. Durch die kombinierte Wirkung des aktiven Bereichs und der Filterschicht empfängt der Halbleiterkörper elektromagnetische Strahlung in einem Wellenlängenbereich zwischen λ1 und λ2, wobei λ2 > λ1 ist.According to the invention, a radiation-receiving semiconductor body having at least one radiation-absorbing active region has a filter layer which is arranged between the active region and a radiation coupling-in side. The active region only detects electromagnetic radiation having a wavelength less than λ 2 . The filter layer absorbs electromagnetic radiation of which wavelength is less than λ 1 and transmits electromagnetic radiation having a wavelength greater than λ 1 . The radiation absorbed by the filter layer is preferably converted into radiation whose wavelength is greater than λ 2 and which is thus not detected by the active region. Due to the combined effect of the active region and the filter layer, the semiconductor body receives electromagnetic radiation in a wavelength range between λ 1 and λ 2 , where λ 2 > λ 1 .
Im folgenden wird Strahlung, die eine Wellenlänge größer als λ2 aufweist, als langwellige Strahlung genannt und Strahlung, die eine Wellenlänge kleiner als λ1 aufweist, als kurzwellige Strahlung. Das gleiche gilt auch für kurzwelliges und langwelliges Licht.In the following, radiation having a wavelength greater than λ 2 , called long-wave radiation and radiation having a wavelength smaller than λ 1 , as short-wave radiation. The same applies to short-wave and long-wave light.
Vorzugsweise ist eine Strahlungs-Einkopplungsfläche zumindest teilweise durch die vom aktiven Bereich abgewandte Oberfläche der Filterschicht gebildet. Die Kontaktschicht seitens der Strahlungs-Einkopplungsfläche ist bevorzugt strukturiert und kann zumindest teilweise auf der Filterschicht aufgebracht werden. Damit wird ein Bauelement erzielt, das kompakter ist als vergleichbare herkömmliche Bauelemente.Preferably is a radiation-coupling surface at least partially through the surface of the filter layer facing away from the active region is formed. The contact layer on the part of the radiation coupling surface is preferably structured and can be applied at least partially on the filter layer become. This achieves a component that is more compact than comparable conventional Components.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist der aktive Bereich zwischen zwei Spiegeln angeordnet, wobei der zwischen dem aktiven Bereich und der Strahlungs-Einkopplungsfläche angeordnete Spiegel teildurchlässig ist. Vorzugsweise ist dieser teildurchlässige Spiegel mindestens für Strahlung im Wellenbereich zwischen λ1 und λ2 teildurch lässig. Die Spiegel sind bevorzugt als Bragg-Spiegel ausgebildet. Durch konstruktive Interferenz wird das zu detektierende Signal vorteilhaft verstärkt. Weiterhin können die Spiegel derart um den aktiven Bereich angeordnet sein, daß sie einen Resonator bilden, der auf Strahlung im Wellenlängenbereich zwischen λ1 und λ2 abgestimmt ist. Ein solcher Resonator hat den Vorteil, dass eine erhöhte Sensitivität des Bauelements in dem gewünschten Wellenlängenbereich, nämlich zwischen λ1 und λ2, erreicht werden kann. Vorzugsweise sind die Spiegel aus Halbleitermaterial hergestellt.In a preferred embodiment of the invention, the active region is arranged between two mirrors, wherein the mirror arranged between the active region and the radiation coupling-in surface is partially transparent. Preferably, this partially transmissive mirror is at least partially permeable to radiation in the wavelength range between λ 1 and λ 2 . The mirrors are preferably designed as Bragg mirrors. Constructive interference advantageously amplifies the signal to be detected. Furthermore, the mirrors may be arranged around the active region such that they form a resonator which is tuned to radiation in the wavelength range between λ 1 and λ 2 . Such a resonator has the advantage that an increased sensitivity of the component in the desired wavelength range, namely between λ 1 and λ 2 , can be achieved. Preferably, the mirrors are made of semiconductor material.
In einer weiteren Ausführungsform kann der aktive Bereich aus einem Halbleitermaterial hergestellt und als Quantentopfstruktur ausgebildet werden. Vermittels einer Quantentopfstruktur im aktiven Bereich können die spektrale Empfindlichkeit und Selektivität vorteilhaft erhöht werden.In a further embodiment For example, the active region may be made of a semiconductor material and formed as a quantum well structure. By means of a Quantum well structure in the active region can reduce the spectral sensitivity and selectivity advantageously increased become.
Die Filterschicht ist bevorzugt als eine Schichtenfolge ausgebildet, die weiter bevorzugt aus verschiedenen Halbleitermaterialien hergestellt ist. Vorteilhafterweise kann die Filterschicht dann im selben epitaktischen Herstellungsschritt gewachsen werden wie der darunterliegende aktive Bereich und ggf. Spiegel. Das heißt, der aktive Bereich, die Filterschicht und ggf. die zwei Spiegel in einem Epitaxieschritt auf einem Substrat aufgewachsen werden können. Dadurch können Zeit und Kosten in der Herstellung gespart werden.The Filter layer is preferably formed as a layer sequence, more preferably made of different semiconductor materials is. Advantageously, the filter layer can then be in the same epitaxial Manufacturing step to be grown as the underlying active Area and possibly mirror. That is, the active area, the Filter layer and possibly the two mirrors in an epitaxial step can be grown on a substrate. This can save time and costs are saved in the production.
In einer bevorzugten Ausführungsform weist die Filterschicht eine Quantentopfstruktur auf. Das in der Filterschicht absorbierte Licht erzeugt Ladungsträger, die vor einer Re-Emission in der Quantentopfstruktur eingefangen werden und dort energetisch relaxieren. In der Quantentopfstruktur rekombinieren diese Ladungsträger und erzeugen eine Strahlung, deren Wellenlänge vorzugsweise größer als λ2 ist, also langwellige Strahlung. Diese langwellige Strahlung wird von einer anderen Schicht bzw. Struktur in dem Halbleiterkörper im wesentlichen nicht absorbiert. Damit verläßt die langwellige Strahlung den Halbleiterkörper, ohne detektiert zu werden. Die Filterschicht funktioniert hierbei wie ein Kanten-Filter, der kurzwelliges Licht mit einer Wellenlänge kleiner λ1 absorbiert und langwelliges Licht durchlässt. In Verbindung mit der aktiven Schicht wird somit ein Bandpaß gebildet, der störendes Licht heraus filtert, so dass nur Licht mit einer Wellenlänge zwischen λ1 und λ2 detektiert wird.In a preferred embodiment, the filter layer has a quantum well structure. The light absorbed in the filter layer generates charge carriers that are in the quantum well prior to re-emission be captured and relax energetically there. In the quantum well structure, these charge carriers recombine and produce a radiation whose wavelength is preferably greater than λ 2 , ie long-wave radiation. This long-wave radiation is essentially not absorbed by another layer or structure in the semiconductor body. Thus, the long-wavelength radiation leaves the semiconductor body without being detected. The filter layer functions like an edge filter that absorbs short-wavelength light with a wavelength smaller than λ 1 and transmits long-wave light. In conjunction with the active layer, a bandpass filter is thus formed which filters out interfering light, so that only light having a wavelength between λ 1 and λ 2 is detected.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform ist der Halbleiterkörper als Photodiode oder als Phototransistor ausgebildet.at a particularly preferred embodiment is the semiconductor body designed as a photodiode or as a phototransistor.
Weitere
Merkmale und Vorteile ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung
von einem Ausführungsbeispiel
in Verbindung mit den
Es zeigenIt demonstrate
Gleiche oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit demselben Bezugszeichen versehen. Zum besseren Verständnis sind insbesondere die Dicken der Schichten in den Figuren nicht maßstabsgerecht dargestellt.Same or equivalent elements are in the figures with the same Provided with reference numerals. For better understanding, in particular the Thicknesses of the layers in the figures are not drawn to scale.
Der
in
Auf
dem Spiegel
Kurzwelliges
Licht wird in der Filterschicht
Alternativ
kann die Rekombination der erzeugten Ladungsträger über Oberflächenzustände stattfinden. In diesem
Fall werden in der Regel keine Strahlung emittiert. Die Rekombination über Oberflächenzustände ist
insbesondere möglich,
wenn die Filterschicht
Auf
der Filterschicht
Der
Spiegel
In
Außer einer
Cap-Schicht
Durch
die Pfeile
Langwelliges
Licht ist durch die Pfeile
In
der
Der Schutzumfang der Erfindung ist nicht durch die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn diese Kombination nicht explizit in den Patentansprüchen angegeben ist.Of the The scope of the invention is not limited by the description of Invention based on the embodiments limited. Rather, the invention encompasses every new feature as well as every combination of features, in particular any combination of features in includes the claims, even if this combination is not explicitly stated in the patent claims is.
Claims (16)
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10341086A DE10341086B4 (en) | 2003-07-31 | 2003-09-05 | Radiation-receiving semiconductor body with a filter layer |
TW093118801A TWI250659B (en) | 2003-07-31 | 2004-06-28 | Radiation-receiving semiconductor-body with an integrated filter-layer |
JP2004220797A JP5079975B2 (en) | 2003-07-31 | 2004-07-28 | Semiconductor substrate for radiation reception |
US10/909,036 US7075124B2 (en) | 2003-07-31 | 2004-07-30 | Radiation-sensitive semiconductor body having an integrated filter layer |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10335079 | 2003-07-31 | ||
DE10335079.9 | 2003-07-31 | ||
DE10341086A DE10341086B4 (en) | 2003-07-31 | 2003-09-05 | Radiation-receiving semiconductor body with a filter layer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE10341086A1 true DE10341086A1 (en) | 2005-03-03 |
DE10341086B4 DE10341086B4 (en) | 2007-06-06 |
Family
ID=34111794
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE10341086A Expired - Fee Related DE10341086B4 (en) | 2003-07-31 | 2003-09-05 | Radiation-receiving semiconductor body with a filter layer |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE10341086B4 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1536479B1 (en) * | 2003-09-30 | 2014-01-01 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Light-emitting and -receiving semiconductor device and its manufacturing process |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02148770A (en) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Photodiode |
US5670385A (en) * | 1994-10-24 | 1997-09-23 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for fabricating an optical controlled resonant tunneling oscillator |
DE69425192T2 (en) * | 1993-04-30 | 2001-03-22 | At & T Corp | Voltage controlled photodetector |
DE10019089C1 (en) * | 2000-04-12 | 2001-11-22 | Epigap Optoelektronik Gmbh | Wavelength selective pn junction photodiode |
US6380531B1 (en) * | 1998-12-04 | 2002-04-30 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Wavelength tunable narrow linewidth resonant cavity light detectors |
US6399967B1 (en) * | 1999-07-06 | 2002-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Device for selectively detecting light by wavelengths |
DE10203875A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-10-31 | Univ Ilmenau Tech | Optical signal receiver comprises photodiode and absorption filter made of semiconductor with direct band junction |
-
2003
- 2003-09-05 DE DE10341086A patent/DE10341086B4/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02148770A (en) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Furukawa Electric Co Ltd:The | Photodiode |
DE69425192T2 (en) * | 1993-04-30 | 2001-03-22 | At & T Corp | Voltage controlled photodetector |
US5670385A (en) * | 1994-10-24 | 1997-09-23 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method for fabricating an optical controlled resonant tunneling oscillator |
US6380531B1 (en) * | 1998-12-04 | 2002-04-30 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Wavelength tunable narrow linewidth resonant cavity light detectors |
US6399967B1 (en) * | 1999-07-06 | 2002-06-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Device for selectively detecting light by wavelengths |
DE10019089C1 (en) * | 2000-04-12 | 2001-11-22 | Epigap Optoelektronik Gmbh | Wavelength selective pn junction photodiode |
DE10203875A1 (en) * | 2001-02-05 | 2002-10-31 | Univ Ilmenau Tech | Optical signal receiver comprises photodiode and absorption filter made of semiconductor with direct band junction |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1536479B1 (en) * | 2003-09-30 | 2014-01-01 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Light-emitting and -receiving semiconductor device and its manufacturing process |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE10341086B4 (en) | 2007-06-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE60133365T2 (en) | Vertical metal-semiconductor photodetector, microresonator and manufacturing process | |
EP1643565A2 (en) | Radiation detector | |
EP1730787B1 (en) | Radiation detector | |
EP3204739B1 (en) | Apparatus for spectrometrically capturing light with a photodiode which is monolithically integrated in the layer structure of a wavelength-selective filter | |
DE10361661A1 (en) | Light-emitting component has luminescence conversion element, filter element with nano-particles that selectively reduce radiation intensity of unwanted radiation spectral sub-region(s) by absorption | |
EP1536479B1 (en) | Light-emitting and -receiving semiconductor device and its manufacturing process | |
EP2406828B1 (en) | Radiation-receiving semiconductor component and optoelectronic device | |
EP2232593A2 (en) | Semiconductor component emitting polarized radiation | |
WO2015074950A1 (en) | Light emitting semiconductor component comprising an absorptive layer | |
EP1668674B1 (en) | Radiation detector | |
DE10341086B4 (en) | Radiation-receiving semiconductor body with a filter layer | |
DE102015106995A1 (en) | Optical heart rate sensor | |
EP2269221B1 (en) | Optoelectronic radiation detector and method for producing a plurality of detector elements | |
WO2016066477A1 (en) | Optoelectronic semiconductor chip | |
DE102005001280A1 (en) | radiation detector | |
DE102004037020B4 (en) | Radiation detector for the detection of radiation according to a predetermined spectral sensitivity distribution | |
WO2021144261A1 (en) | Semiconductor laser diode and method for producing a semiconductor laser diode | |
WO2020074497A1 (en) | Optoelectronic sensor | |
DE102013112882B4 (en) | Radiation detector device | |
DE102008005332A1 (en) | Optoelectronic semiconductor chip with a dielectric layer structure | |
DE10104715B4 (en) | Optical component | |
DE102013212372A1 (en) | Optical assembly | |
EP1771890A2 (en) | Luminescent diode provided with a reflection-reducing layer sequence | |
DE112021001772T5 (en) | OPTOELECTRONIC DEVICE | |
DE20320563U9 (en) | radiation detector |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
R119 | Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee |