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Die vorliegende Erfindung betrifft
eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung,
und insbesondere eine reflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung
sowie ein Verfahren zum Herstellen derselben. Obwohl die vorliegende
Erfindung für
einen breiten Anwendungsbereich geeignet ist, ist sie insbesondere
zur Verbesserung des Kontrastverhältnisses einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung
geeignet.
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Im allgemeinen werden Flüssigkristallanzeigevorrichtungen
(LCD-Vorrichtungen, LCD = "liquid crystal display")) in Abhängigkeit
von der Verwendung einer Lichtquelle in zwei Typen klassifiziert:
eine transmissive LCD-Vorrichtung, welche eine Hintergrundbeleuchtung
verwendet, und eine reflektive LCD-Vorrichtung, welche eine externe
natürliche und/oder
künstliche
Lichtquelle verwendet. Mehr als zwei Drittel der gesamten Energie
werden für
die Hintergrundbeleuchtung in den transmissiven LCD-Vorrichtungen
verbraucht, wohingegen der Energieverbrauch in den reflektiven LCD-Vorrichtungen
infolge des Fehlens einer Hintergrundbeleuchtung verbessert ist.
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In der reflektiven LCD-Vorrichtung
wird eine schwarze Matrix zur Verbesserung eines Kontrastverhältnisses
verwendet. Allerdings wird ein Kontrastverhältnis verringert, da eine schwarze
Matrix den reflektiven Abschnitt verkleinert.
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1 zeigt
eine auseinandergezogene perspektivische Ansicht einer reflektiven
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß dem Stand
der Technik. Gemäß 1 sind ein erstes Substrat 6 und
ein zweites Substrat 23 einander gegenüberliegend und mit Abstand
voneinander angeordnet. Eine Datenleitung 17 und eine Gateleitung 5 sind
auf der Innenfläche
des ersten Substrats 6 ausgebildet. Die Datenleitung 17 und
die Gateleitung 5 kreuzen einander und definieren einen
Pixelbereich „P".
Ein Dünnschichttransistor
(TFT = „thin
film transistor") „T"
ist an jedem Schnittpunkt zwischen der Datenleitung 17 und
der Gateleitung 5 ausgebildet. Eine Pixelelektrode (d.h. eine
reflektive Elektrode 18) ist in dem Pixelbereich „P" ausgebildet.
Die reflektive Elektrode 18 ist aus einem leitfähigen Material,
wie beispielsweise Aluminium (Al) mit einer hervorragenden Leitfähigkeit
und hervorragendem Reflexionsvermögen, und einer Aluminiumlegierung
ausgebildet. Eine schwarze Matrix 21 ist an der Innenfläche des
zweiten Substrats 23 in Matrixform ausgebildet. Eine Farbfilterschicht 22, welche
Subfarbfilter 22a, 22b und 22c aufweist,
ist an einem inneren Abschnitt der Matrix entsprechend dem Pixelbereich „P" ausgebildet.
Eine transparente gemeinsame Elektrode 24 ist auf der gesamten
Fläche
des zweiten Substrats 23 ausgebildet. Eine Flüssigkristallschicht 20 ist
zwischen dem ersten Substrat 6 und dem zweiten Substrat 23 eingefügt.
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Die schwarze Matrix 21 ist
in Bereichen ausgebildet, die der Datenleitung 17, der
Gateleitung 5 und dem Dünnschichttransistor „T" entsprechen.
Die schwarze Matrix 21 ist unter Berücksichtigung einer während des
Prozesses des Zusammenfügens
des ersten Substrats 6 und des zweiten Substrats 23 auftretenden
Randfehlausrichtung ausgestaltet. Dementsprechend wird die Fläche der
schwarzen Matrix 21 vergrößert.
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2 zeigt
eine schematische Querschnittsansicht entlang der Linie II-II aus 1. 3 zeigt eine
vergrößerte Querschnittsansicht
eines Abschnitts „A"
aus 2.
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Wie in 2 und 3 gezeigt ist, wird eine
Datenleitung 17 zwischen benachbarten Pixelbereichen „P1" und „P2" auf
der Innenfläche
des ersten Substrats 6 ausgebildet. Eine schwarze Matrix 21,
welche der Datenleitung 17 entspricht, und eine Farbfilterschicht 22,
welche Subfarbfilter 22a, 22b und 22c entsprechend
den Pixelbereichen „P1"
und „P2"
aufweist, werden auf der Innenfläche
des zweiten Substrats 23 ausgebildet. Wenn ein erster Abstand
zwischen benachbarten reflektiven Elektroden 18 über der
Datenleitung 17 „a"
beträgt
und ein zweiter Abstand des die Datenleitung 17 überlappenden
Abschnittes der reflektiven Elektroden 18 „b" beträgt, nimmt
eine Breite der schwarzen Matrix 21 den Wert „a + 2b"
an. Da anders als bei der reflektiven Elektrode 18 nicht
ein ausreichend gleichförmiges
elektrisches Feld an eine (nicht gezeigte) Flüssigkristallschicht angelegt
wird, welche dem ersten Abstand „a" entspricht, entweicht
Licht durch die Flüssigkristallschicht
entsprechend dem ersten Abstand „a" selbst dann, wenn eine
einem Schwarz-Zustand des Pixelbereichs „P" entsprechende Spannung
in einem "normalerweise weiß" – Modus
(= "normally white mode") angelegt wird. Daher sollte die schwarze
Matrix 21 den dem ersten Abstand „a" entsprechenden Bereich
abschirmen. Ferner entspricht ein Wert von „2b" einer Randfehlausrichtung
während
des Prozesses des Zusammenfügens
des ersten Substrats 6 und des zweiten Substrats 23.
Daher wird die Fläche der
schwarzen Matrix 21 vergrößert, wodurch eine effektive
Reflexionsfläche
verringert wird, was für
eine reflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung,
die eine hohe Leuchtdichte erfordert, ungeeignet ist.
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In der reflektiven LCD-Vorrichtung
ist es, wie oben erwähnt,
wichtig, die Helligkeit und das Kontrastverhältnis zu verbessern, da das
an der reflektiven Elektrode reflektierte Umgebungslicht anstelle der
Hintergrundbeleuchtung verwendet wird, um Bilder anzuzeigen. Die
das Kontrastverhältnis
verbessernde schwarze Matrix kann das Entweichen von Licht in dem
Bereich verhindern, welcher der Datenleitung entspricht. Allerdings
reduziert ein Überlappungsbereich
der schwarzen Matrix und der Datenleitung eine effektive Reflexionsfläche, wodurch
die Helligkeit verringert wird.
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Dementsprechend betrifft die vorliegende
Erfindung eine reflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung
und ein Verfahren zum Herstellen derselben, bei denen eines oder
mehrere Probleme aufgrund der Beschränkungen und Nachteile des Standes
der Technik vermieden werden.
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Es ist ein Ziel der vorliegenden
Erfindung, eine reflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung
zu schaffen, bei der die Reduzierung des effektiven Reflexionsbereiches
aufgrund einer schwarzen Matrix verringert und die Helligkeit erhöht wird.
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Weitere Merkmale und Vorteile der
Erfindung werden in der nachfolgenden Beschreibung erläutert und
werden aus der Beschreibung oder der Ausführung der Erfindung deutlich.
Die Merkmale und weiteren Vorteile der Erfindung werden mittels
des Aufbaus realisiert und erreicht, wie er insbesondere in der
Beschreibung und den Ansprüchen
sowie den beigefügten
Abbildungen dargestellt ist.
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Eine reflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der vorliegenden
Erfindung weist ein Substrat, welches einen Pixelbereich aufweist,
eine Gateleitung auf dem Substrat, einen an die Gateleitung und
eine Datenleitung angeschlossenen Dünnschichttransistor, wobei
der Dünnschichttransistor eine
Gateelektrode, eine aktive Schicht, eine Sourceelektrode und eine
Drainelektrode aufweist, eine erste reflektive Elektrode und eine
zweite reflektive Elektrode, die an die Drainelektrode angeschlossen
sind, wobei die erste und die zweite reflektive Elektrode die Datenleitung
vollständig
abdecken und durch eine Lücke
getrennt sind, und eine die Gateleitung kreuzende Datenleitung auf,
wobei die Datenleitung eine abgewinkelte Form mit einem ersten Abschnitt,
einem zweiten Abschnitt und einem dritten Abschnitt aufweist, und
wobei der zur Gateleitung parallele erste Abschnitt den zweiten
Abschnitt und den dritten Abschnitt miteinander verbindet, und wobei
der zweite und der dritte Abschnitt unterhalb der ersten bzw. der
zweiten reflektiven Elektrode ausgebildet sind.
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Gemäß einem weiteren Aspekt der
vorliegenden Erfindung weist ein Verfahren zum Herstellen einer
reflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung
folgende Schritte auf: Ausbilden einer Gateleitung auf einem Substrat;
Ausbilden einer Datenleitung, welche die Gateleitung kreuzt, so
dass ein Pixelbereich definiert wird, wobei die Datenleitung eine
abgewinkelte Form mit einem ersten Abschnitt, einem zweiten Abschnitt
und einem dritten Abschnitt aufweist, und wobei der zur Gateleitung
parallele erste Abschnitt den zweiten Abschnitt und den dritten
Abschnitt verbindet, und wobei der zweite Abschnitt und der dritte Abschnitt
unterhalb der ersten reflektiven Elektrode bzw. zweiten reflektiven
Elektrode ausgebildet sind; Ausbilden eines die Gateleitung und
die Datenleitung angeschlossenen Dünnschichttransistors, wobei
der Dünnschichttransistor
eine Gateelektrode, eine aktive Schicht, eine Sourceelektrode und
eine Drainelektrode aufweist; und Ausbilden einer ersten reflektiven Elektrode
und einer zweiten reflektiven Elektrode, welche an die Drainelektrode
angeschlossen sind, wobei die erste reflektive Elektrode und die
zweite reflektive Elektrode die Datenleitung vollständig abdecken
und wobei eine Lücke
zwischen der ersten und der zweiten reflektiven Elektrode vorgesehen
ist.
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Gemäß einem weiteren Aspekt der
vorliegenden Erfindung weist eine reflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung
ein Substrat, welches einen Pixelbereich aufweist, eine Gateleitung
auf dem Substrat, einen an die Gateleitung und eine Datenleitung angeschlossenen
Dünnschichttransistor,
wobei der Dünnschichttransistor
eine Gateelektrode, eine aktive Schicht, eine Sourceelektrode und
eine Drainelektrode aufweist, eine erste reflektive Elektrode und eine
zweite reflektive Elektrode, welche an die Drainelektrode elektrisch
angeschlossen sind, wobei die erste reflektive Elektrode und die
zweite reflektive Elektrode die Datenleitung vollständig abdecken
und wobei eine erste Lücke
zwischen der ersten und der zweiten reflektiven Elektrode vorgesehen
ist, und eine die Gateleitung kreuzende Datenleitung auf, wobei
die Datenleitung eine erste und eine zweite Zweigleitung aufweist,
welche durch eine zweite Lücke getrennt
und unter der ersten reflektiven Elektrode bzw. der zweiten reflektiven
Elektrode ausgebildet sind.
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Gemäß einem weiteren Aspekt der
vorliegenden Erfindung weist ein Verfahren zum Herstellen einer
reflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung
folgende Schritte auf: Ausbilden einer Gateleitung auf einem Substrat;
Ausbilden einer die Gateleitung kreuzenden und einen Pixelbereich definierenden Datenleitung
auf dem Substrat, wobei die Datenleitung eine erste und eine zweite
Zweigleitung aufweist, welche durch eine erste Lücke getrennt sind; Ausbilden
eines die Gateleitung und die Datenleitung aneinander anschließenden Dünnschichttransistors, wobei
der Dünnschichttransistor
eine Gateelektrode, eine aktive Schicht, eine Sourceelektrode und
eine Drainelektrode aufweist; und Ausbilden einer ersten und einer
zweiten reflektiven Elektrode, welche an die Drainelektrode angeschlossen
sind, wobei die erste und die zweite reflektive Elektrode die Datenleitung
vollständig
abdecken und wobei eine zweite Lücke
zwischen der ersten und der zweiten reflektiven Elektrode vorgesehen
ist.
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Es versteht sich, dass sowohl die
obige allgemeine Beschreibung als auch die nachfolgende detaillierte
Beschreibung beispielhaft sind und zur Erläuterung dienen und eine weitere
Erläuterung
der beanspruchten Erfindung geben sollen.
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Die beigefügten Abbildungen, welche ein
tieferes Verständnis
der Erfindung liefern sollen und einen Teil dieser Anmeldung bilden,
stellen Ausführungsformen
der Erfindung dar und dienen zusammen mit der Beschreibung dazu,
das Prinzip der Erfindung zu erläutern.
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Es zeigen:
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1 eine
auseinandergezogene perspektivische Ansicht einer reflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß dem Stand
der Technik;
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2 eine
schematische Querschnittsansicht entlang der Linie II-II aus 1;
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3 eine
vergrößerte Querschnittsansicht des
Abschnitts „A"
aus 2;
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4 eine
schematische Querschnittsansicht einer reflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß einer
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung;
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5 eine
schematische Draufsicht, in der ein Matrixsubstrats für die reflektive
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der ersten
Ausführungsform der
vorliegenden Erfindung dargestellt ist;
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6A bis 6D schematische Querschnittsansichten
entlang der Linie VI-VI aus 5,
mit denen die Prozessschritte zur Herstellung des Matrixsubstrats
für die
reflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der ersten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung dargestellt werden;
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7A und 7B schematische Draufsichten, welche
ein Matrixsubstrat für
eine reflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigen;
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8 eine
schematische Draufsicht, welche ein Matrixsubstrat für eine reflektive
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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9 eine
schematische Draufsicht, welche ein Matrixsubstrat für eine reflektive
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß einer
vierten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigt;
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10A bis 10E schematische Querschnittsansichten
entlang der Linie X-X aus 9,
mit denen die Prozessschritte zur Herstellung des Matrixsubstrats
für die
reflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der vierten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung dargestellt werden; und
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11A bis 11D schematische Querschnittsansichten
entlang der Linie XI-XI aus 9,
mit denen die Prozessschritte zur Herstellung des Matrixsubstrats
für die
reflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der vierten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung dargestellt werden.
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Nachfolgend wird detailliert auf
die dargestellten Ausführungsformen
der vorliegenden Erfindung Bezug genommen, von der Beispiele in
den beigefügten
Abbildungen dargestellt sind. Wo immer dies möglich ist, werden in sämtlichen
Abbildungen gleiche Bezugszeichen zur Benennung gleicher oder ähnlicher
Bauteile verwendet.
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In einer reflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung
(LCD-Vorrichtung)
gemäß der vorliegenden Erfindung
wird eine schwarze Matrix eliminiert oder reduziert, indem eine
Datenleitung so modifiziert wird, dass eine Reduzierung der effektiven
Reflexionsfläche
aufgrund eines Überlappungsbereichs
der schwarzen Matrix und der Datenleitung minimiert wird.
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4 zeigt
eine schematische Querschnittsansicht einer reflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß einer
ersten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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Gemäß 4 sind ein erstes Substrat 100 und
ein zweites Substrat 140 einander gegenüberliegend und mit Abstand
voneinander angeordnet. Ein Dünnschichttransistor
(TFT) „T",
eine Datenleitung 118, und eine (nicht gezeigte) Gateleitung
sind auf der Innenfläche
des ersten Substrats 100 ausgebildet. Der Dünnschichttransistor „T" weist
eine Gateelektrode 102, eine aktive Schicht 110,
eine Sourceelektrode 114 und eine Drainelektrode 116 auf.
Die Datenleitung 118 und die Gateleitung sind an die Sourceelektrode 114 bzw.
die Gateelektrode 102 angeschlossen. Eine Mehrzahl von
Pixelbereichen „P1" und „P2" sind
durch die Gateleitung und die Datenleitung 118, welche
einander kreuzen, definiert. Eine Passivierungsschicht 126 ist
auf dem Dünnschichttransistor „T" und
der Datenleitung 118 ausgebildet. Benachbarte reflektive
Elektroden 124a und 124b sind auf der Passivierungsschicht 126 an
den benachbarten Pixelbereichen „P1" bzw. „P2" ausgebildet. Die reflektive
Elektrode 124a ist an die Drainelektrode 116 angeschlossen.
Die reflektive Elektrode 124a kann eine unebene Form besitzen,
um die Helligkeit zu vergrößern. Im
allgemeinen ist ein unebenes Muster auf der oberen Oberfläche der
Passivierungsschicht 126 ausgebildet, und die reflektive
Elektrode 124a weist die unebene Form infolge des unebenen
Musters der Passivierungsschicht 126 auf. In dem obigen
Aufbau ist die Datenleitung 118 in eine erste Zweigleitung 118a und
eine zweite Zweigleitungen 118b an einem Ende des unteren
Substrats 100 unterteilt. Die erste Zweigleitung 118a und
die zweite Zweigleitung 118b sind ausgebildet bzw. erstrecken sich
unter den benachbarten reflektiven Elektroden 124a bzw. 124b.
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Eine Farbfilterschicht 134,
welche einen roten Subfarbfilter 134a, einen grünen Subfarbfilter 134b und
einen blauen Subfarbfilter 134c aufweist, ist auf der dem
unteren Substrat 100 zugewandten Innenfläche des
zweiten Substrats 140 ausgebildet. Jeder Subfarbfilter 134a, 134b und 134c entspricht jeweils
einem Pixelbereich „P1"
und „P2".
Eine transparente gemeinsame Elektrode 132 ist auf der
Farbfilterschicht 134 ausgebildet.
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In der oben beschriebenen reflektiven
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
wird Umgebungslicht an den benachbarten reflektiven Elektroden 124a und 124b reflektiert,
und zur gleichen Zeit durch einen Zwischenraum zwischen der ersten
Zweigleitung 118a und der zweiten Zweigleitung 118b hindurchgeleitet.
Anders als bei dem Aufbau gemäß dem Stand der
Technik tritt kein Entweichen von Licht in den Bereichen „E" zwischen
den benachbarten reflektiven Elektroden 124a und 124b (Bereich „E") auf.
Dementsprechend ist es nicht erforderlich, eine (nicht gezeigte)
schwarze Matrix in dem Abschnitt auszubilden, welcher den benachbarten
reflektiven Elektroden 124a und 124b entspricht.
Folglich kann, da eine schwarze Matrix nur an einem Abschnitt ausgebildet wird,
welcher der Gateleitung entspricht, eine effektive Fläche der
schwarzen Matrix reduziert werden, und eine hohe Helligkeit und
ein hohes Kontrastverhältnis
können
erreicht werden.
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5 zeigt
eine schematische Draufsicht, welche das Matrixsubstrat für die reflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der ersten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung darstellt.
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Wie in 5 gezeigt
ist, kreuzen eine Gateleitung 106 und eine Datenleitung 118 einander,
wobei sie benachbarte Pixelbereiche „P1" und „P2" definieren. Ein Dünnschichttransistor
(TFT) „T",
der eine Gateelektrode 102, eine aktive Schicht 110,
eine Sourceelektrode 114 und eine Drainelektrode 116 aufweist,
ist an dem Schnittpunkt der Gateleitung 106 und der Datenleitung 118 angeordnet.
Die Gateelektrode 102 und die Sourceelektrode 114 sind
an die Gateleitung 106 bzw. die Datenleitung 118 angeschlossen.
Hierbei sind die Sourceelektrode 114 und die Drainelektrode 116 mit
Abstand voneinander angeordnet. Die benachbarten reflektiven Elektroden 124a und 124b,
die an die Drainelektrode 116 angeschlossen sind, sind
in benachbarten Pixelbereichen „P1" bzw. „P2" ausgebildet.
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Die Datenleitung 118 ist
in eine erste Zweigleitung 118a und eine zweite Zweigleitung 118b an einem
Ende des ersten Substrats 100 aufgeteilt. Die erste Zweigleitung 118a und
die zweite Zweigleitung 118b sind ausgebildet bzw. erstrecken
sich unter den benachbarten reflektiven Elektroden 124a bzw. 124b.
Unter Berücksichtigung
des elektrischen Widerstandes ist die Datenleitung so ausgebildet,
dass die Gesamtbreite der ersten Zweigleitung 118a und der
zweiten Zweigleitung 118b genauso groß wie die Breite der Datenleitung
der reflektiven LCD-Vorrichtung gemäß dem Stand der Technik ist.
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Da es keine Datenleitung in dem Bereich „E" zwischen
den benachbarten reflektiven Elektroden 124a und 124b gibt,
ist es nicht erforderlich, eine schwarze Matrix auf einem Abschnitt
auszubilden, welcher dem Bereich „E" zwischen den benachbarten
reflektiven Elektroden 124a und 124b auf einem (nicht
gezeigten) zweiten Substrat entspricht. Dementsprechend ist eine
schwarze Matrix 130 nur auf einem zweiten Abschnitt der
Gateleitung 106 auf dem zweiten Substrat ausgebildet.
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6A bis 6D zeigen Querschnittsansichten entlang
der Linie VI-VI aus 5,
mit denen die Prozessschritte zur Herstellung des Matrixsubstrats
für die
reflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung
aus 5 dargestellt sind.
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Gemäß 6A werden eine Gateelektrode 102 und
eine Gateleitung 106 (in 5 gezeigt)
auf einem Substrat 100 ausgebildet. Die Gateelektrode 102 und
die Gateleitung 106 (in 5 gezeigt)
werden aus Aluminium (Al) mit einem geringen elektrischen Widerstand
ausgebildet, um eine Widerstands-Kapazitäts-Verzögerung (RC-Verzögerung) zu
reduzieren. Reines Aluminium besitzt einen geringen chemischen Widerstand
und verursacht Leitungsdefekte aufgrund eines Hügelbildungs-Phänomens ("Hillock-Phänomens")
während
eines späteren
Hochtemperaturprozesses. Folglich kann eine Vielfachschichtstruktur
mit einer Aluminiumschicht, wie etwa Aluminium/Molybdän (Al/Mo),
als Gateelektrode 102 und Gateleitung 106 (in 5 gezeigt) verwendet werden.
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Wie in 6B gezeigt
ist, wird eine Gateisolationsschicht 108 auf der Gateelektrode 102 und
der Gateleitung 106 (in 5 gezeigt)
ausgebildet, welche auf der gesamten Oberfläche des Substrats 100 ausgebildet
sind, indem ein anorganisches isolierendes Material wie beispielsweise
Siliziumnitrid (SiNx) oder Siliziumoxid
(SiO2) abgeschieden wird. Nachfolgend werden
eine aus amorphem Silizium (a-Si:H) gebildete aktive Schicht 110 und
eine aus mit Verunreinigungen dotiertem amorphem Silizium (n+a-Si:H) gebildete
ohmsche Kontaktschicht 112 aufeinanderfolgend auf der Gateisolationsschicht 108 über der Gateelektrode 102 ausgebildet.
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Gemäß 6C werden eine Sourceelektrode 114 und
eine Drainelektrode 116 auf der ohmschen Kontaktschicht 112 ausgebildet,
indem ein leitfähiges
metallisches Material, wie beispielsweise Chrom (Cr), Molybdän (Mo),
Antimon (Sb) oder Titan (Ti), abgeschieden und strukturiert wird.
Zur gleichen Zeit wird eine an die Sourceelektrode 114 angeschlossene
Datenleitung 118 auf der Gateisolationsschicht 108 ausgebildet.
Indem die Datenleitung 106 eine Gateleitung 106 (in 5 gezeigt) kreuzt, definiert
die Datenleitung 118 benachbarte Pixelbereiche „P1" und „P2". Darüber hinaus
wird die Datenleitung 118 in eine erste Zweigleitung 118a und
eine zweite Zweigleitung 118b an einem Ende des Substrats 100 unterteilt.
Die erste Zweigleitung 118a und die zweite Zweigleitung 118b werden
in benachbarten Pixelbereichen „P1" bzw. „P2" ausgebildet, so dass
sie sich in senkrechter Richtung erstrecken.
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Eine Passivierungsschicht 120 wird
auf der Sourceelektrode 114 und der Drainelektrode 116 sowie
der Datenleitung 118 ausgebildet, indem ein organisches
isolierendes Material, wie beispielsweise Benzocyclobuten (BCB)
oder Acrylharz, abgeschieden wird. Nachfolgend wird ein Drainkontaktloch 122, welches
einen Abschnitt der Drainelektrode 116 freilegt, ausgebildet,
indem die Passivierungsschicht 120 geätzt wird. Die obere Oberfläche der
Passivierungsschicht 120 weist eine unebene obere Oberfläche mit
konkaven und konvexen Strukturen auf.
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Gemäß 6D werden benachbarte reflektive Elektroden 124a und 124b,
welche an die Drainelektrode 116 angeschlossen sind, in
benachbarten Pixelbereichen „P1"
bzw. „P2"
ausgebildet. Die reflektive Elektrode 124 kann aus einem
leitfähigen
und reflektierenden metallischen Material wie beispielsweise Aluminium
oder einer Aluminiumlegierung gebildet sein. Die reflektive Elektrode 124 weist
eine unebene Form auf, da sie auf der unebenen Struktur der Passivierungsschicht 120 ausgebildet
ist, so dass sie ein hohes Reflexionsvermögen aufweist.
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7A und 7B zeigen schematische Draufsichten,
welche ein Matrixsubstrat für
eine reflektive Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß einer
zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung zeigen.
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Gemäß 7A kreuzen eine Gateleitung 205 und
eine Datenleitung 217 einander, wobei sie benachbarte Pixelbereiche „P1" und „P2" definieren. Ein
Dünnschichttransistor
(TFT) „T",
der eine Gateelektrode 208, eine aktive Schicht 212,
eine Sourceelektrode 214 und eine Drainelektrode 215 aufweist, ist
an dem Schnittpunkt der Gateleitung 205 und der Datenleitung 217 angeordnet.
Die Gateelektrode 208 und die Sourceelektrode 214 sind
an die Gateleitung 205 bzw. die Datenleitung 217 angeschlossen.
Hierbei sind die Sourceelektrode 214 und die Drainelektrode 215 mit
Abstand voneinander angeordnet. Benachbarte reflektive Elektroden 218a und 218b,
welche an die Drainelektrode 215 angeschlossen sind, werden
in den benachbarten Pixelbereichen „P1" bzw. „P2" ausgebildet.
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Die Datenleitung 217 weist
eine abgewinkelte Form mit einem ersten Abschnitt 217a,
einem zweiten Abschnitt 217b und einem dritten Abschnitt 217c auf.
Der zur Gateleitung 205 parallele erste Abschnitt 217a verbindet
den zweiten Abschnitt 217b und den dritten Abschnitt 217c.
Der zweite Abschnitt 217b und der dritte Abschnitt 217c sind
unter den benachbarten reflektiven Elektroden 218a bzw. 218b ausgebildet.
Der zweite Abschnitt 217b besitzt die gleiche Fläche wie
der dritte Abschnitt 217c, um einen Effekt auf die reflektive
Elektrode 218 infolge einer Polarität („+" oder „–„) eines durch die Datenleitung 217 fließenden Signals
zu zerstreuen und zu minimieren. Da der zweite Abschnitt 217b die
gleiche Breite wie der dritte Abschnitt 217c aufweist,
ist die Länge „d1" des zweiten Abschnitts 217b gleich
der Länge „d2 + d3" des dritten
Abschnitts 217c. Eine schwarze Matrix 221a, 221b und 221c ist
so ausgebildet, dass sie den ersten Abschnitt 217a im Bereich „E" zwischen
den benachbarten reflektiven Elektroden 218a und 218b und
der Gateleitung 205 abdeckt. Da der erste Abschnitt 217a im
Bereich „E"
zwischen den benachbarten reflektiven Elektroden 218a und 218b eine
kleine Fläche
aufweist, kann die schwarze Matrix 221a und 221b über dem
ersten Abschnitt 217a entfallen. Daher wird eine Fläche der
schwarzen Matrix reduziert, so dass eine effektive reflektierende
Fläche
vergrößert werden
kann.
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7B zeigt
eine schematische Draufsicht eines Matrixsubstrats einer reflektiven
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß einer
Variation der zweiten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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Gemäß 7B kreuzen eine Gateleitung 205 und
eine Datenleitung 220 einander, wobei sie benachbarte Pixelbereiche „P1" und „P2" definieren. Ein
Dünnschichttransistor
(TFT) „T",
der eine Gateelektrode 208, eine aktiven Schicht 212,
eine Sourceelektrode 214 und eine Drainelektrode 216 aufweist, ist
an dem Schnittpunkt der Gateleitung 205 und der Datenleitung 220 angeordnet.
Die Gateelektrode 208 und die Sourceelektrode 214 sind
an die Gateleitung 205 bzw. die Datenleitung 220 angeschlossen.
Die Sourceelektrode 214 und die Drainelektrode 216 sind mit
Abstand voneinander angeordnet. Benachbarte reflektive Elektroden 218a und 218b,
welche an die Drainelektrode 216 angeschlossen sind, sind
in benachbarten Pixelbereichen „P1" bzw. „P2" ausgebildet.
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Die Datenleitung 220 besitzt
eine abgewinkelte Form mit einem ersten Abschnitt 220a,
einem zweiten Abschnitt 220b und einem dritten Abschnitt 220c,
wobei der Winkel-Abschnitt einen rechten Winkel (90°) bildet.
Der zur Gateleitung 205 parallele erste Abschnitt 220a verbindet
den zweiten Abschnitt 220b und den dritten Abschnitt 220c.
Der zweite Abschnitt 220b und der dritte Abschnitt 220c sind
unterhalb der benachbarten reflektiven Elektroden 218a bzw.
218b ausgebildet. Der zweite Abschnitt 220b besitzt die
gleiche Fläche
wie der dritte Abschnitt 220c, um einen Effekt auf die
reflektive Elektrode 218 infolge einer Polarität („+" oder „–„) eines
durch die Datenleitung 220 fließenden Signals zu zerstreuen und
zu minimieren. Da der zweite Abschnitt 220b die gleiche
Breite wie der dritte Abschnitt 220c besitzt, ist eine
Länge „d4 + d5" des zweiten
Abschnitts 220b gleich einer Länge „d6"
des dritten Abschnitts 220c. Eine schwarze Matrix 221a, 221b und 221c ist
so ausgebildet, dass sie den ersten Abschnitt 220a im Bereich „E" zwischen
den benachbarten reflektiven Elektroden 218a und 218b und
der Gateleitung 205 abdeckt. Da der erste Abschnitt 220a im Bereich „E" zwischen
den benachbarten reflektiven Elektroden 218a und 218b eine
kleine Fläche
aufweist, kann die schwarze Matrix 221a und 221b über dem
ersten Abschnitt 220a entfallen. Daher wird eine Fläche der schwarzen
Matrix reduziert, so dass eine effektive reflektierende Fläche vergrößert werden
kann.
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Alternativ kann die Datenleitung
abwechselnd in einer Mehrzahl von Pixelbereichen ausgebildet werden.
In diesem Falle weist die Datenleitung einen ersten Abschnitt, einen
zweiten Abschnitt und einen dritten Abschnitt auf, und die Anzahl
des ersten Abschnitts, des zweiten Abschnitts und des dritten Abschnitts
beträgt
jeweils eins.
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8 zeigt
eine schematische Draufsicht eines Matrixsubstrats für eine reflektive
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß einer
dritten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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Gemäß 8 kreuzen eine Gateleitung 305 und
eine Datenleitung 317 einander, so dass sie benachbarte
Pixelbereiche „P1"
und „P2"
definieren. Ein Dünnschichttransistor
(TFT) „T",
der eine Gateelektrode 308, eine aktive Schicht 312,
eine Sourceelektrode 314 und eine Drainelektrode 316 aufweist, ist
an dem Schnittpunkt der Gateleitung 305 und der Datenleitung 317 angeordnet.
Die Gateelektrode 308 und die Sourceelektrode 314 sind
an die Gateleitung 305 bzw. die Datenleitung 317 angeschlossen.
Die Sourceelektrode 314 und die Drainelektrode 316 sind mit
Abstand voneinander angeordnet. Benachbarte reflektive Elektroden 318a und 318b,
welche an die Drainelektrode 316 angeschlossen sind, sind
in den benachbarten Pixelbereichen „P1" bzw. „P2" ausgebildet.
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Die Datenleitung 317 besitzt
eine abgewinkelte Form mit einem ersten Abschnitt 317a,
einem zweiten Abschnitt 317b und einem dritten Abschnitt 317c,
wobei der Winkel-Abschnitt einen rechten Winkel (90°) ausbildet.
Der zur Gateleitung 305 parallele erste Abschnitt 317a verbindet
den zweiten Abschnitt 317b und den dritten Abschnitt 317c.
Der zweite Abschnitt 317b und der dritte Abschnitt 317c sind
unterhalb der benachbarten reflektiven Elektroden 318a bzw. 318b ausgebildet.
Der zweite Abschnitt 317b besitzt die gleiche Fläche wie
der dritte Abschnitt 317c, um einen Effekt auf die reflektive
Elektrode 318 infolge einer Polarität („+" oder „–„) eines durch die Datenleitung 317 fließenden Signals
zu zerstreuen und zu minimieren. Da der zweite Abschnitt 317b die gleiche
Breite wie der dritte Abschnitt 317c besitzt, ist eine
Länge „d1" des zweiten Abschnittes 317b gleich einer
Länge „d2" des dritten Abschnitts 317c.
Eine schwarze Matrix 321a und 321b ist so ausgebildet, dass
sie den ersten Abschnitt 317a im Bereich „E" zwischen
den benachbarten reflektiven Elektroden 318a und 318b und
der Gateleitung 305 abdeckt. Da der erste Abschnitt 317a im
Bereich „E"
zwischen den benachbarten reflektiven Elektroden 318a und 318b eine
kleine Fläche
aufweist, kann die schwarze Matrix über dem ersten Abschnitt 317a entfallen.
Daher wird eine Fläche
der schwarzen Matrix reduziert, so dass eine effektive reflektierende
Fläche
vergrößert werden
kann.
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Alternativ kann die Datenleitung
abwechselnd in einer Mehrzahl von Pixelbereichen ausgebildet sein.
In diesem Falle besitzt die Datenleitung einen ersten Abschnitt,
einen zweiten Abschnitt und einen dritten Abschnitt, und die Anzahl
des ersten Abschnitts, des zweiten Abschnitts und des dritten Abschnittes
beträgt
jeweils eins.
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9 zeigt
eine schematische Draufsicht eines Matrixsubstrats für eine reflektive
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß einer
vierten Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung.
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Gemäß 9 sind eine Gateleitung 406 und eine
Datenleitung 420 auf einem ersten Substrat 400 ausgebildet.
Die Gateleitung 406 und die Datenleitung 420 kreuzen
einander, wobei sie einen ersten Pixelbereich „P1", einen zweiten Pixelbereich „P2", einen
dritten Pixelbereich „P3"
und einen vierten Pixelbereich „P4" definieren. Die Breite
eines ersten Bereichs „E1"
zwischen dem ersten Pixelbereich „P1" und dem zweiten Pixelbereich „P2" und
die Breite eines zweiten Bereichs „E2" zwischen dem dritten
Pixelbereich „P3"
und dem vierten Pixelbereich „P4" werden
minimiert. Die Datenleitung 420 ist in eine erste Zweigleitung 420a und
eine zweite Zweigleitung 420b an einem Ende des ersten
Substrats 400 unterteilt. Die erste Zweigleitung 420a ist
in dem ersten Pixelbereich „P1"
und dem dritten Pixelbereich „P3"
angeordnet, und die zweite Zweigleitung 420b ist in dem
zweiten Pixelbereich „P2"
und dem vierten Pixelbereich „P4"
angeordnet. Die erste Zweigleitung 420a und die zweite
Zweigleitung 420b sind aneinander über eine Anschlussstruktur 421 angeschlossen. Die
Anschlussstruktur 421 ist über der Gateleitung 406 in
dem Überschneidungsbereich „K" der
Gateleitung 406 und der Datenleitung 420 ausgebildet.
Die Gateleitung 406 kann eine minimale Breite im Überschneidungsbereich „K" aufweisen.
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Die Gateleitung 406 weist
einen ersten Vorsprung 402 und einen zweiten Vorsprung 408 auf. Der
erste Vorsprung 402, welcher sich bis zu dem ersten Pixelbereich „P1" und
dem zweiten Pixelbereich „P2"
erstreckt, wird als Gateelektrode verwendet, und der zweite Vorsprung 408,
welcher sich bis zu dem dritten Pixelbereich „P3" und dem vierten Pixelbereich „P4" erstreckt,
wird als erste Kondensatorelektrode eines Speicherkondensators „CST" verwendet. Die erste Zweigleitung 420a ist
so angeordnet, dass sie über
einen Anschlussbereich „J"
zwischen der Gateleitung 406 und der ersten Kondensatorelektrode 408 hin
verläuft.
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Ein Dünnschichttransistor (TFT) „T", der
eine Gateelektrode 402, eine aktiven Schicht 412,
eine Sourceelektrode 416 und eine Drainelektrode 418 aufweist,
ist an dem Schnittpunkt der Gateleitung 406 und der zweiten
Zweigleitung 420b angeordnet. Die Sourceelektrode 416,
die an die zweite Zweigleitung 420b angeschlossen ist,
ist mit Abstand von der Drainelektrode 418 angeordnet.
Die Drainelektrode 418 weist einen dritten Vorsprung 424 auf,
der sich über die
erste Kondensatorelektrode 408 durch einen ausgedehnten
Abschnitt 422 in jedem Pixelbereich „P1", „P2", „P3", und „P4" erstreckt. Der dritte
Vorsprung 424 wird als zweite Kondensatorelektrode eines Speicherkondensators
verwendet. Dementsprechend bilden die erste Kondensatorelektrode 408 und
die zweite Kondensatorelektrode 424 den Speicherkondensator „CST" mit einer (nicht gezeigten) isolierenden
Schicht, die zwischen der ersten Kondensatorelektrode 408 und
der zweiten Kondensatorelektrode 424 eingefügt ist.
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Eine reflektive Elektrode 430 ist
in jedem Pixelbereich „P1", „P2", „P3" und „P4" ausgebildet.
Da die reflektive Elektrode 430 an die zweite Kondensatorelektrode 424 angeschlossen
ist, werden Bildsignale an die reflektive Elektrode 430 von
der Drainelektrode 418 geliefert. Die reflektive Elektrode 430 deckt
vollständig
die Datenleitung 420, die Gateleitung 406 und
die Gateelektrode 402 ab. Da die Datenleitung 420 unterhalb
der reflektiven Elektrode 430 mit Abstand zu jedem Pixelbereich
ausgebildet ist, ist die das von der Datenleitung reflektierte Licht abschirmende
schwarze Matrix nicht erforderlich. Wenn die erste Zweigleitung 420a nicht
in dem Anschlussbereich „J"
zwischen der Gateleitung 406 und der Datenleitung 420 angeordnet
ist, und die Anschlussstruktur 421 nicht in dem Überschneidungsbereich „K" der
Gateleitung 406 und der Datenleitung 420 angeordnet
ist, sollte eine zusätzliche
schwarze Matrix entsprechend dem freigelegten ersten Leitungszweig 420a und
der freigelegten Anschlussstruktur 421 auf einem (nicht
gezeigten) zweiten Substrat gebildet werden, um das Entweichen von
Licht zu vermeiden. Die erste Zweigleitung 420a in dem Anschlussbereich „J" und
die Anschlussstruktur 421 in dem Überschneidungsbereich „K" sind
freigelegt. Allerdings sind die freigelegten Flächen der ersten Zweigleitung 420a und
der Anschlussstruktur 421 klein, so dass eine der ersten
Zweigleitung 420a und der freigelegten Anschlussstruktur 421 entsprechende
schwarze Matrix nicht erforderlich ist. Dementsprechend können eine
hohe Leuchtdichte und ein hohes Öffnungsverhältnis erreicht
werden. Obwohl ein Überlappungsabschnitt
der ersten Zweigleitung 420a und der ersten Kondensatorelektrode 408 in dem
Anschlussbereich „J"
zu einer Variation der Kapazität
des Speicherkondensators „CST" führen
kann, kann die Variation der Kapazität in einer reflektiven Flüssigkristallanzeigevorrichtung
kleiner Abmessung minimiert werden.
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10A bis 10E, welche Querschnittsansichten
entlang der Linie X-X aus 9 zeigen,
und 11A bis 11D, welche Querschnittsansichten
entlang der Linie XI-XI aus 9 zeigen,
stellen Prozessschritte zur Herstellung des Matrixsubstrats für die reflektive
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
gemäß der vierten
Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung dar.
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Gemäß 10A und 11A werden
eine Gateleitung 406, eine Gateelektrode 402 und
eine erste Kondensatorelektrode 408 auf einem ersten Substrat 400 gebildet.
Die Gateelektrode 402 ist ein sich von der Gateleitung 406 aus
erstreckender erster Vorsprung, und die erste Kondensatorelektrode 408 ist ein
sich von der Gateleitung 406 aus erstreckender zweiter
Vorsprung. Die Gateleitung 406, die Gateelektrode 402 und
die erste Kondensatorelektrode 408 werden aus Aluminium
(Al) mit einem geringen elektrischen Widerstand gebildet, um eine
Widerstands-Kapazitäts-Verzögerung (RC-Verzögerung) zu
reduzieren. Reines Aluminium weist einen geringen chemischen Widerstand
auf und verursacht Leitungsdefekte aufgrund eines Hügelbildungs-Phänomens ("Hillock-Phänomen")
während
eines späteren Hochtemperaturprozesses.
Folglich kann eine Vielfachschichtstruktur mit einer Aluminiumschicht,
etwa Aluminium/Molybdän
(Al/Mo) als Gateleitung 406, Gateelektrode 402 und als
erste Kondensatorelektrode 408 verwendet werden. Wie in 10A gezeigt ist, wird eine
Gateisolationsschicht 410 auf der Gateleitung 406,
der Gateelektrode 402 und der ersten Kondensatorelektrode 408 gebildet,
indem ein anorganisches isolierendes Material, wie beispielsweise Siliziumnitrid
(SiNx) oder Siliziumoxid (SiO2),
abgeschieden wird.
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Gemäß 10B werden eine aktive Schicht 412 aus
amorphem Silizium (a-Si:H) und eine ohmsche Kontaktschicht 414 aus
mit Verunreinigungen dotiertem amorphem Silizium (n+a-Si:H) aufeinanderfolgend
auf der Gateisolationsschicht 410 über der Gateelektrode 402 ausgebildet.
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Gemäß 10C und 11B werden eine Sourceelektrode 416 und
eine Drainelektrode 418 auf der ohmschen Kontaktschicht 414 ausgebildet,
indem ein leitfähiges
metallisches Material, wie beispielsweise Chrom (Cr), Molybdän (Mo),
Antimon (Sb) oder Titan (Ti), abgeschieden und strukturiert wird.
Zur gleichen Zeit wird eine an die Sourceelektrode 416 angeschlossene
Datenleitung 420 auf der Gateisolationsschicht 410 ausgebildet.
Die Datenleitung 420 definiert benachbarte Pixelbereiche „P3" und „P4" mit der
Gateleitung 406. Darüber
hinaus werden ein ausgedehnter Abschnitt 422 und eine zweite
Kondensatorelektrode 424 auf der Gateisolationsschicht 410 ausgebildet.
Die zweite Kondensatorelektrode 424 wird über der
ersten Kondensatorelektrode 408 ausgebildet, und der ausgedehnte
Abschnitt 422 verbindet die zweite Kondensatorelektrode 424 und
die Drainelektrode 418. Die erste Kondensatorelektrode 408 und
die zweite Kondensatorelektrode 424 bilden einen Speicherkondensator „CST" mit einer isolierenden Schicht 410,
die zwischen der ersten Kondensatorelektrode 408 und der
zweiten Kondensatorelektrode 424 eingefügt ist.
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Die Datenleitung 420 wird
in eine erste Zweigleitung 420a und eine zweite Zweigleitung 420b an einem
Ende des Substrats 400 unterteilt. Die erste Zweigleitung 420a und
die zweite Zweigleitung 420b werden über eine Anschlussstruktur 421 an
einen Überschneidungsbereich „K" der
Gateleitung 406 und der Datenleitung 420 aneinander
angeschlossen. Die Anschlussstruktur 421 wird ausgebildet,
so dass es die Gateleitung 406 überlappt. Die erste Zweigleitung 420a wird
in einem Anschlussbereich „J"
zwischen der Gateleitung 406 und der ersten Kondensatorelektrode 408 eingefügt. Da die
Fläche
der ersten Zweigleitung 420a in dem Anschlussbereich „J" und
der Anschlussstruktur 421 in dem Überschneidungsbereich „K" klein
ist, ist eine der ersten Zweigleitungen 420a und der Anschlussstruktur 421 entsprechende
schwarze Matrix nicht erforderlich.
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Gemäß 10D und 11C wird eine Passivierungsschicht 426 auf
der Sourceelektrode 416, der Drainelektrode 418,
der Datenleitung 420 und der zweiten Kondensatorelektrode 424 ausgebildet,
indem ein organisches isolierendes Material, wie beispielsweise
Benzocyclobuten (BCB) oder Acrylharz, abgeschieden wird. Nachfolgend
wird ein Kondensatorkontaktloch 428, welches einen Abschnitt
der zweiten Kondensatorelektrode 424 freilegt, mittels Ätzens der
Passivierungsschicht 426 ausgebildet.
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Gemäß 10E und 11D wird
eine reflektive Elektrode 430 auf der Passivierungsschicht 426 ausgebildet.
Die reflektive Elektrode 430 ist in dem Pixelbereich „P4" angeordnet
und an die zweite Kondensatorelektrode 424 durch das Kontaktloch 428 angeschlossen.
Die reflektive Elektrode 430 ist aus einem reflektierenden
metallischen Material, wie beispielsweise Aluminium oder einer Aluminiumlegierung, hergestellt.
Alternativ besitzt ein Matrixsubstrat eine solche Struktur, so dass
eine nicht geerdete reflektierende Platte in dem Pixelbereich ausgebildet
wird und eine transparente Elektrode, die an die zweite Kondensatorelektrode
angeschlossen ist, oberhalb oder unterhalb der nicht geerdeten reflektierenden Platte
ausgebildet wird.
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Da eine einem Zwischenraum zwischen
den benachbarten reflektiven Elektroden entsprechende schwarze Matrix
nicht erforderlich ist, kann die gesamte Fläche der schwarzen Matrix reduziert
werden, und die Leuchtdichte kann verbessert werden. Darüber hinaus
kann, da Umgebungslicht durch den Zwischenraum zwischen den benachbarten
reflektiven Elektroden ohne Reflexion hindurchtritt, ein Farbmischungsphänomen zwischen
den benachbarten reflektiven Elektroden verhindert werden, und ein hohes
Kontrastverhältnis
kann erreicht werden.
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Infolgedessen wird in dem Matrixsubstrat
gemäß der vorliegenden
Erfindung, da die Datenleitung unterhalb der reflektiven Elektrode
gebildet wird, ein durch Streuung von Umgebungslicht an der Datenleitung
hervorgerufenes Entweichen von Licht verhindert. Darüber hinaus
ist, da durch den Zwischenraum zwischen den benachbarten reflektiven
Elektroden hindurchtretendes Umgebungslicht ohne Reflexion hindurchtritt,
eine in diesem Bereich entsprechende zusätzliche schwarze Matrix nicht
erforderlich. Daher wird ein Öffnungsverhältnis verbessert,
und eine hohe Leuchtkraft und ein hohes Kontrastverhältnis können erreicht
werden.
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Es versteht sich für den Fachmann,
dass diverse Modifikationen und Variationen bei der erfindungsgemäßen reflektiven
Flüssigkristallanzeigevorrichtung
und dem Verfahren zur Herstellung derselben durchgeführt werden
können,
ohne von dem Grundgedanken oder dem Umfang der Erfindung abzuweichen.
Folglich deckt die vorliegende Erfindung auch Modifikationen und
Variationen der Erfindung ab, solange diese innerhalb der Reichweite
der beigefügten
Ansprüche
und deren Äquivalenten
liegen.