DE10313606A1 - Micro-structuring a semiconductor chip used in optics and optoelectronics comprises using a mechanical process - Google Patents

Micro-structuring a semiconductor chip used in optics and optoelectronics comprises using a mechanical process Download PDF

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    • H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers

Abstract

Micro-structuring a semiconductor chip (1) comprises using a mechanical process.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Mikrostrukturierung einer Oberfläche eines Halbleiterchips.The The invention relates to a method for microstructuring a surface of a Semiconductor chips.

Mikrostrukturierte Oberflächen finden Anwendungen in weiten Gebieten der Technik, insbesondere auch in der Optik und Optoelektronik. Beispielsweise wird in der DE 195 09 262 ein Halbleiterbauelement offenbart, bei dem die Oberfläche des Halbleiterkörpers mit einer Mikroverzahnung versehen ist, um die Haftung einer Kunststoffumhüllung auf dem Halbleiterkörper zu verbessern.Microstructured surfaces find applications in wide areas of technology, especially in optics and optoelectronics. For example, in the DE 195 09 262 discloses a semiconductor device in which the surface of the semiconductor body is provided with a micro-toothing in order to improve the adhesion of a plastic coating on the semiconductor body.

Die Mikrostrukturierung einer Oberfläche erlaubt es auch, optische Eigenschaften der Oberfläche wie beispielsweise die Reflektivität zu verändern. Zum Beispiel offenbart die DE 43 05 296 A1 eine strahlungsemittierende Diode, bei der die Seitenflächen zur Verbesserung der Strahlungsauskopplung durch einen Ätzprozeß aufgerauht sind.The microstructuring of a surface also makes it possible to change optical properties of the surface, such as the reflectivity. For example, the DE 43 05 296 A1 a radiation-emitting diode in which the side surfaces are roughened by an etching process to improve the radiation decoupling.

Die Mikrostrukturierung von Halbleiterchips erfolgt bisher üblicherweise mit Ätzverfahren, mit denen sich aber definierte dreidimensionale Strukturen gar nicht oder nur unter erheblichem Aufwand realisieren lassen.The Microstructuring of semiconductor chips has hitherto usually been done with etching, but with them defined three-dimensional structures not at all or only at considerable expense.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein vorteilhaftes Verfahren zur Mikrostrukturierung einer Oberfläche eines Halbleiterchips anzugeben, das insbesondere dazu geeignet ist, definierte dreidimensionale Strukturen herzustellen.Of the Invention is based on the object, an advantageous method to specify the microstructuring of a surface of a semiconductor chip, which is particularly suitable for defined three-dimensional To produce structures.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Ausführungsformen des Verfahrens sind Gegenstand der Unteransprüche.This The object is achieved by methods solved with the features of claim 1. Advantageous embodiments of the method are the subject of the dependent claims.

Erfindungsgemäß erfolgt eine Mikrostrukturierung eines Halbleiterchips durch mechanische Bearbeitung. Die mechanische Bearbeitung kann zum Beispiel durch Schleifen, Fräsen oder Walzen erfolgen.According to the invention a microstructuring of a semiconductor chip by mechanical Processing. The mechanical processing can for example by Grinding, milling or rolling done.

Eine mechanische Mikrostrukturierung ist insbesondere für optoelektronische Bauelemente vorteilhaft, die Strahlung aussenden oder empfangen, um die Ein- beziehungsweise Auskopplung der Strahlung aus dem Bauelement durch Verringerung der Totalreflexion an der Oberfläche zu verbessern.A mechanical microstructuring is especially for optoelectronic Advantageous components that emit or receive radiation, to the coupling or decoupling of the radiation from the device by improving the total reflection at the surface.

Aufgrund des im Vergleich zur umgebenden Luft höheren Brechungsindex eines Halbleitermaterials, bei dem es sich beispielsweise um GaAs oder SiC handeln kann, tritt an der Halbleiter-Luft-Grenzfläche oberhalb eines kritischen Winkels Totalreflexion auf. Im Fall eines unstrukturierten Halbleiterchips sind die vorder- und rückseitigen Oberflächen des Substrats koplanar, so daß Mehrfachreflexionen unter jeweils gleichem Einfallswinkel eine Auskopplung der Strahlung verhindern können. Solche Mehrfachreflexionen werden durch eine Mikrostrukturierung vorteilhaft verringert und so die Strahlungsausbeute erhöht.by virtue of of the higher refractive index of one compared to the surrounding air Semiconductor material, which is for example GaAs or SiC can act at the semiconductor-air interface above of a critical angle total reflection on. In the case of an unstructured Semiconductor chips are the front and back surfaces of the substrate coplanar, so that multiple reflections in each case the same angle of incidence a decoupling of the radiation can prevent. Such multiple reflections are advantageous by microstructuring reduces and thus increases the radiation yield.

Die erzeugten Mikrostrukturen weisen dazu bevorzugt eine definierte dreidimensionale Form auf. Beispielsweise können die dreidimensionalen Mikrostrukturen eine derartige Form aufweisen, daß auf die Oberflächen auftreffende Strahlung entweder nicht total reflektiert wird oder total reflektierte Strahlung nach einer erneuten Reflexion an der gegenüberliegenden Seite des Halbleiterchips beim zweiten Auftreffen auf die Oberfläche unter einem derartigen Winkel auf die Oberfläche auftrifft, daß keine Totalreflexion stattfindet.The microstructures produced to have preferably a defined three-dimensional shape. For example, the three-dimensional Microstructures have a shape such that on the surfaces incident radiation is either not totally reflected or totally reflected radiation after a new reflection at the opposite Side of the semiconductor chip on the second impact on the surface below impinges on the surface at such an angle that no Total reflection takes place.

Insbesondere kann es sich bei den erzeugten dreidimensionalen Strukturen um Pyramiden, Pyramidenstümpfe oder prismenförmige Strukturen handeln.In particular For example, the generated three-dimensional structures may be pyramids, truncated pyramids or prismatic Structures act.

An die mechanische Mikrostrukturierung des Halbleiterchips schließt sich vorteilhaft ein Ätzprozeß an, um Kristallstörungen zu beseitigen und/oder eine Oberflächenrauhigkeit gezielt einzustellen. Bei diesem Ätzprozeß kann es sich beispielsweise um einen naßchemischen Ätzprozeß oder einen Plasmaätzprozeß (z.B. RIE-Reactive Ion Etching) handeln. Ebenso kann sich an die mechanische Mikrostrukturierung der Oberfläche ein Polierprozeß anschließen.On the mechanical microstructuring of the semiconductor chip closes advantageously an etching process to crystal defects to eliminate and / or set a surface roughness targeted. In this etching process it can For example, a wet chemical etching process or a Plasma etching process (e.g. RIE Reactive Ion Etching). Similarly, the mechanical Microstructuring of the surface connect a polishing process.

Vorteilhaft wird vor der mechanischen Mikrostrukturierung mindestens eine Schicht auf die Oberfläche des Halbleiterchips aufgebracht. Diese Schicht dient insbesondere zum Schutz weiter darunter liegender Schichten, beispielsweise einer aktiven Schicht eines optoelektronischen Halbleiterbauelements.Advantageous is at least one layer before the mechanical microstructuring on the surface of the semiconductor chip applied. This layer is used in particular to protect further underlying layers, such as one active layer of an optoelectronic semiconductor device.

Weiterhin ist es möglich, vor der mechanischen Mikrostrukturierung eine Kunststoffschicht, beispielsweise einen Photolack, auf die Oberfläche des Halbleiterchips aufzubringen. In diesem Fall erfolgt zunächst eine mechanische Mikrostrukturierung der Kunststoffschicht, was insbesondere den Vorteil hat, daß der Werkzeugverschleiß, der bei einer direkten Strukturierung des Halbleitermaterials aufgrund der Härte des Halbleiters auftritt, reduziert wird. Die mechanische Mikrostrukturierung der Kunststoffschicht hat außerdem den Vorteil, daß sich so Strukturen herstellen lassen, die sich in einem photolithographischen Belichtungsprozeß nur äußerst schwierig oder gar nicht realisieren lassen. An die Strukturierung der Kunststoffschicht schließt sich ein Ätzprozeß an, mit dem die in der Kunststoffschicht erzeugte Strukturierung in das Halbleitermaterial übertragen wird.Furthermore, it is possible, prior to the mechanical microstructuring, to apply a plastic layer, for example a photoresist, to the surface of the semiconductor chip. In this case, first a mechanical microstructuring of the plastic layer, which has the particular advantage that the tool wear, which occurs in a direct structuring of the semiconductor material due to the hardness of the semiconductor, is reduced. The mechanical microstructuring of the plastic layer also has the advantage that in this way it is possible to produce structures which are extremely difficult or impossible to realize in a photolithographic exposure process. To the struktu tion of the plastic layer is followed by an etching process, with which the structuring generated in the plastic layer is transferred into the semiconductor material.

Die Erfindung wird im folgenden anhand von zwei Ausführungsbeispielen im Zusammenhang mit den 1 und 2 näher erläutert.The invention will be described below with reference to two embodiments in connection with 1 and 2 explained in more detail.

Es zeigenIt demonstrate

1 eine schematische Darstellung eines Querschnitts durch ein Ausführungsbeispiel eines Halbleiterchips, der durch ein Verfahren gemäß der Erfindung strukturiert ist, und 1 a schematic representation of a cross section through an embodiment of a semiconductor chip, which is structured by a method according to the invention, and

2 eine schematische Darstellung einer Aufsicht auf den Teil einer Oberfläche eines weiteren Ausführungsbeispiels eines Halbleiterchips, der durch ein Verfahren gemäß der Erfindung strukturiert ist. 2 a schematic representation of a plan view of the part of a surface of another embodiment of a semiconductor chip, which is structured by a method according to the invention.

Der in 1 dargestellte Halbleiterchip 1 ist durch eine mechanische Bearbeitung mit einer Mikrostrukturierung versehen. Die Oberfläche des Halbleiterchips 1 weist durch mechanische Bearbeitung erzeugte definierte dreidimensionale Strukturen auf, beispielsweise pyramidenförmige Strukturen 4, prismenförmige Strukturen 5 oder quaderförmige Strukturen 6.The in 1 illustrated semiconductor chip 1 is provided by a mechanical processing with a microstructuring. The surface of the semiconductor chip 1 has defined three-dimensional structures generated by mechanical processing, for example pyramidal structures 4 , prismatic structures 5 or rectangular structures 6 ,

Bei dem Halbleiterchip 1 handelt es sich beispielsweise um ein optoelektronisches Bauelement, das aus einer aktiven Zone 2 elektromagnetische Strahlung 7, 8 emittiert. Die strukturierte Oberfläche des Halbleiterchips 1 bewirkt eine verbesserte Strahlungsauskopplung aus dem optoelektronischen Bauelement. Beispielsweise wird ein Lichtstrahl 8, der auf die Seitenflanke einer prismenförmigen Struktur 5 trifft, durch Reflexion aus dem optoelektronischen Bauelement ausgekoppelt. Im Gegensatz dazu wird ein Lichtstrahl 7, der auf einen unstrukturierten Bereich der Oberfläche des Halbleiterchips 1 auftrifft, teilweise oder bei Überschreiten des Grenzwinkels der Totalreflexion sogar ganz in das Bauteil zurückreflektiert.In the semiconductor chip 1 For example, it is an optoelectronic device that consists of an active zone 2 electromagnetic radiation 7 . 8th emitted. The structured surface of the semiconductor chip 1 causes an improved radiation decoupling from the optoelectronic component. For example, a light beam 8th standing on the side flank of a prismatic structure 5 meets, decoupled by reflection from the optoelectronic component. In contrast, a ray of light 7 acting on an unstructured area of the surface of the semiconductor chip 1 impinges, partially or even beyond the critical angle of total reflection even completely reflected back into the component.

Vorteilhaft wird vor der mechanischen Bearbeitung eine Schicht 3 auf den Halbleiterchip 1 aufgebracht, um die darun ter liegenden Schichten vor der mechanischen Bearbeitung, die sie in ihrer Funktion beeinträchtigen könnte, zu schützen.Advantageously, before the mechanical processing, a layer 3 on the semiconductor chip 1 applied in order to protect the underlying layers before mechanical processing, which could impair their function.

In einer Variante des Verfahrens wird vor der Strukturierung des Halbleiterchips 1 eine Kunststoffschicht auf den Halbleiterchip aufgebracht. Durch eine mechanische Bearbeitung wird in der Kunststoffschicht eine Struktur erzeugt, die in einem anschließenden Ätzprozeß in den Halbleiterchips 1 übertragen wird. Die mechanische Strukturierung der Kunststoffschicht hat den Vorteil, daß sich auch dreidimensionale Strukturen realisieren lassen, die mit herkömmlichen phototechnischen Methoden nicht zu erzielen sind. Die im Vergleich zu einem Halbleitermaterial sehr geringe Härte einer Kunststoffschicht erlaubt auch vergleichsweise einfache mechanische Bearbeitungsschritte, wie beispielsweise Walzen oder Stempeln, und vermindert den Werkzeugverschleiß.In a variant of the method, before the structuring of the semiconductor chip 1 a plastic layer is applied to the semiconductor chip. By a mechanical processing, a structure is produced in the plastic layer, which in a subsequent etching process in the semiconductor chips 1 is transmitted. The mechanical structuring of the plastic layer has the advantage that it is also possible to realize three-dimensional structures which can not be achieved with conventional phototechnical methods. The very low hardness of a plastic layer compared to a semiconductor material also allows comparatively simple mechanical processing steps, such as rolling or stamping, and reduces tool wear.

2 zeigt eine Aufsicht auf den Teil einer Oberfläche eines Halbleiterchips 1, der durch mechanische Bearbeitung strukturiert wurde. In diesem Ausführungsbeispiel weist die Oberfläche des Halbleiterchips 1 eine Strukturierung in Form von dreiseitigen Pyramiden auf. Bei dieser Art der Strukturierung wird die Oberfläche des Halbleiterchips aus Seitenflächen der Pyramiden 9 gebildet. Die strukturierte Oberfläche enthält damit keine Flächenelemente, die parallel zur ursprünglichen Oberfläche des unstrukturierten Halbleiterchips liegen. Unerwünschte Mehrfachreflexionen an koplanaren Flächen unter gleichem Einfallswinkel, welche die Strahlungsausbeute eines optoelektronischen Bauelements vermindern, werden dadurch verringert. Besonders vorteilhaft ist es, wenn die Höhe der Pyramiden so gewählt ist, daß für einen Großteil der aus der aktiven Zone des optoelektronischen Bauelements 2 emittierte Strahlung unter einem Winkel auf die Seitenflächen der Pyramiden 9 auftrifft, der größer als der Grenzwinkel der Totalreflexion ist. 2 shows a plan view of the part of a surface of a semiconductor chip 1 which was structured by mechanical processing. In this embodiment, the surface of the semiconductor chip 1 a structuring in the form of three-sided pyramids. In this type of structuring, the surface of the semiconductor chip becomes sides of the pyramids 9 educated. The structured surface thus does not contain surface elements that are parallel to the original surface of the unstructured semiconductor chip. Undesired multiple reflections at coplanar surfaces at the same angle of incidence, which reduce the radiation yield of an optoelectronic component, are thereby reduced. It is particularly advantageous if the height of the pyramids is chosen such that for a large part of the active zone of the optoelectronic component 2 emitted radiation at an angle to the side surfaces of the pyramids 9 which is greater than the critical angle of total reflection.

Die Beschreibung der Erfindung anhand der Ausführungsbeispiele ist selbstverständlich nicht als Beschränkung auf diese zu verstehen.The Description of the invention with reference to the embodiments is of course not as a restriction to understand this.

Claims (13)

Verfahren zur Mikrostrukturierung eines Halbleiterchips (1), dadurch gekennzeichnet, daß die Mikrostrukturierung eine mechanische Bearbeitung umfaßt.Method for microstructuring a semiconductor chip ( 1 ), characterized in that the microstructuring comprises a mechanical processing. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem die mechanische Bearbeitung durch Schleifen, Fräsen oder Walzen erfolgt.The method of claim 1, wherein the mechanical Machining by grinding, milling or rolling takes place. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, bei dem der Halbleiterchip (1) ein Strahlung (7, 8) emittierender oder empfangender optoelektronischer Chip ist.Method according to Claim 1 or 2, in which the semiconductor chip ( 1 ) a radiation ( 7 . 8th ) is emitting or receiving optoelectronic chip. Verfahren nach Anspruch 3, bei der eine derartige Mikrostrukturierung erzeugt wird, daß sie eine verbesserte Strahlungsauskopplung aus dem optoelektronischen Chip bewirkt.The method of claim 3, wherein such Microstructuring is generated that they have an improved radiation decoupling caused by the optoelectronic chip. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die erzeugten Mikrostrukturen eine definierte dreidimensionale Form aufweisen.Method according to one of the preceding claims, in which the microstructures produced have a defined three-dimensional shape. Verfahren nach Anspruch 5, bei dem die erzeugten dreidimensionalen Mikrostrukturen eine pyramidenförmige Struktur (4) oder eine prismenförmige Struktur (5) aufweisen.Method according to Claim 5, in which the three-dimensional microstructures produced have a pyramidal structure ( 4 ) or a prismatic structure ( 5 ) respectively. Verfahren nach Anspruch 5 oder 6, bei dem die erzeugten dreidimensionalen Mikrostrukturen periodisch angeordnet sind.The method of claim 5 or 6, wherein the generated Three-dimensional microstructures are arranged periodically. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem sich an die mechanische Mikrostrukturierung ein Ätzprozeß anschließt.Method according to one of the preceding claims, in which is followed by an etching process to the mechanical microstructuring. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem sich an die mechanische Mikrostrukturierung der Oberfläche ein Polierprozeß anschließt.Method according to one of the preceding claims, in due to the mechanical microstructuring of the surface Polishing process connects. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem vor der mechanischen Mikrostrukturierung mindestens eine Schicht (3) auf die Oberfläche des Halbleiterchips (1) aufgebracht wird.Method according to one of the preceding claims, in which, before the mechanical microstructuring, at least one layer ( 3 ) on the surface of the semiconductor chip ( 1 ) is applied. Verfahren nach Anspruch 10, bei dem die Schicht (3) zum Schutz weiter darunter liegender Schichten dient.Method according to Claim 10, in which the layer ( 3 ) serves to protect further underlying layers. Verfahren einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem eine Kunststoffschicht auf den Halbleiterchip (1) aufgebracht wird, die Kunststoffschicht mechanisch strukturiert wird und die Struktur in einem nachfolgenden Ätzprozess in den Halbleiterchip (1) übertragen wird.Method according to one of the preceding claims, in which a plastic layer is applied to the semiconductor chip ( 1 ) is applied, the plastic layer is mechanically structured and the structure in a subsequent etching process in the semiconductor chip ( 1 ) is transmitted. Verfahren nach Anspruch 12, bei dem die Kunststoffschicht durch Walzen oder Stempeln strukturiert wird.The method of claim 12, wherein the plastic layer is structured by rolling or stamping.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006024423A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Structure producing method for multiple opto-electronic components, involves producing pressure between roller and auxiliary carrier by relative movement of roller relatively to auxiliary carrier
FR2935842A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-12 Commissariat Energie Atomique Textured zone forming method for solar cell substrate, involves forming mask in film by applying pressure using mold, and etching mask and substrate till mask is entirely removed, where mask has patterns complementary to that of substrate
WO2010072187A3 (en) * 2008-12-23 2010-10-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip
DE102009038028A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 Carl Zeiss Microlmaging Gmbh Detector arrangement with increased sensitivity
US9174400B2 (en) 2006-02-15 2015-11-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing structures in optoelectronic components and device for this purpose

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0405757A2 (en) * 1989-06-27 1991-01-02 Hewlett-Packard Company High efficiency light-emitting diode
DE4242264A1 (en) * 1992-12-15 1994-06-16 Gubela Sen Hans Erich Process for the production of micro double triple surfaces and their tools
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
JP2000167926A (en) * 1998-12-07 2000-06-20 Idemitsu Petrochem Co Ltd Manufacture of micro-embossed sheet
DE10064448A1 (en) * 2000-12-22 2002-07-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Process for roughening a semiconductor chip for optoelectronics

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0405757A2 (en) * 1989-06-27 1991-01-02 Hewlett-Packard Company High efficiency light-emitting diode
DE4242264A1 (en) * 1992-12-15 1994-06-16 Gubela Sen Hans Erich Process for the production of micro double triple surfaces and their tools
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
JP2000167926A (en) * 1998-12-07 2000-06-20 Idemitsu Petrochem Co Ltd Manufacture of micro-embossed sheet
DE10064448A1 (en) * 2000-12-22 2002-07-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Process for roughening a semiconductor chip for optoelectronics

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006024423A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Structure producing method for multiple opto-electronic components, involves producing pressure between roller and auxiliary carrier by relative movement of roller relatively to auxiliary carrier
US9174400B2 (en) 2006-02-15 2015-11-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing structures in optoelectronic components and device for this purpose
FR2935842A1 (en) * 2008-09-05 2010-03-12 Commissariat Energie Atomique Textured zone forming method for solar cell substrate, involves forming mask in film by applying pressure using mold, and etching mask and substrate till mask is entirely removed, where mask has patterns complementary to that of substrate
WO2010072187A3 (en) * 2008-12-23 2010-10-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip
CN102227825A (en) * 2008-12-23 2011-10-26 欧司朗光电半导体有限公司 Optoelectronic semiconductor chip and method for producing optoelectronic semiconductor chip
US8816353B2 (en) 2008-12-23 2014-08-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor chip and method for producing an optoelectronic semiconductor chip
CN102227825B (en) * 2008-12-23 2014-09-24 欧司朗光电半导体有限公司 Optoelectronic semiconductor chip and method for producing optoelectronic semiconductor chip
DE102009038028A1 (en) * 2009-08-18 2011-02-24 Carl Zeiss Microlmaging Gmbh Detector arrangement with increased sensitivity
US8497464B2 (en) 2009-08-18 2013-07-30 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Detector arrangement having increased sensitivity

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