DE10243247A1 - Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung - Google Patents

Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung Download PDF

Info

Publication number
DE10243247A1
DE10243247A1 DE10243247A DE10243247A DE10243247A1 DE 10243247 A1 DE10243247 A1 DE 10243247A1 DE 10243247 A DE10243247 A DE 10243247A DE 10243247 A DE10243247 A DE 10243247A DE 10243247 A1 DE10243247 A1 DE 10243247A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
leadframe
housing
chip
radiation
injection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE10243247A
Other languages
English (en)
Inventor
Jörg Erich SORG
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE10243247A priority Critical patent/DE10243247A1/de
Priority to PCT/DE2003/002953 priority patent/WO2004027882A2/de
Priority to US10/527,836 priority patent/US7102213B2/en
Priority to CNB038220679A priority patent/CN100449798C/zh
Priority to JP2004536842A priority patent/JP4351631B2/ja
Priority to EP03747830.2A priority patent/EP1540745B1/de
Priority to TW092125466A priority patent/TWI257692B/zh
Publication of DE10243247A1 publication Critical patent/DE10243247A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED

Abstract

Die Erfindung beschreibt ein Leadframe-basiertes Gehäuse für ein oberflächenmontierbares Bauelement, insbesondere ein strahlungsemittierendes Bauelement, wobei das Leadframe-basierte Gehäuse elektrische Anschlußstreifen und zumindest eine Chip-Montagefläche aufweist und wobei in einem der Anschlußstreifen erfindungsgemäß ein Anspritz-Fenster vorgesehen ist, welches die Herstellung eines Leadframe-basierten Gehäuses mit einer geringen Dicke in einem Spritzgußverfahren ermöglicht. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung solcher Gehäuse angegeben.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, ein Leadframe-Band mit vorgespritzten Bauelement-Gehäusen, ein oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement, insbesondere ein Bauelement mit einem strahlungsemittierenden oder strahlungsdetektierenden Chip, beispielsweise einer Lichtemissionsdiode, auch LED genannt (LED = light emitting diode), sowie das Verfahren zur Herstellung des Leadframe-basierten Bauelement-Gehäuses.
  • Die Erfindung betrifft insbesondere zur Oberflächenmontage auf einer Leiterplatte geeignete Leuchtdiodenbauelemente, bei denen in einem im Spritzverfahren gefertigten Gehäuse-Grundkörper mit teilweise eingebetteten elektrischen Anschlußstreifen eine vorzugsweise als Reflektor ausgebildete Ausnehmung mit einem zur Vorderseite des Bauelement-Gehäuses hin gerichteten Strahlungsfenster vorgesehen ist. Die Ausnehmung, in der sich ein elektromagnetische Strahlung emittierender Chip befindet, ist beispielsweise mit einer Verkapselungsmasse gefüllt, die für vom Chip ausgesandte elektromagnetische Strahlung durchlässig ist.
  • Derartige Bauelement-Gehäuse eignen sich auch für die Verwendung bei strahlungsdetektierenden Chips – das Strahlungsfenster muß dann für eine vom Chip zu empfangende elektromagnetische Strahlung durchlässig sein.
  • Die Erfindung eignet sich insbesondere zur Anwendung bei strahlungsemittierenden Bauelementen, bei denen die Chips in vorgehäuste Leadframes, sogenannte "premolded Leadframes" eingebaut werden. Dies bedeutet, daß die Gehäuse-Grundkörper vor dem Montieren der Chips auf den Gehäuse-Grundkörper an das Leadframe gespritzt sind.
  • Bei der Herstellung eines solchen Bauelement-Gehäuses werden zunächst die Anschlußstreifen in ein Leadframe-Band teilweise gestanzt. Danach wird das Leadframe-Band in eine zweiteilige Spritzform eingelegt, welche um das Leadframe eine Kavität zur Ausbildung des Gehäuse-Grundkörpers bildet.
  • Nachfolgend wird mit Hilfe einer Spritzdüse über den an die Rückseite des Leadframes grenzenden Teil der Spritzform, das heißt in den an die Rückseite des Leadframes grenzenden Teil der Kavität eine Spritzmasse, z. B. ein weißer Kunststoff, eingefüllt, und die gesamte Kavität der Spritzform mit gefüllt.
  • Nach dem zumindest teilweisen Aushärten der Spritzmasse wird die Spritzform geöffnet und die Spritzdüse entfernt, wobei die in der Spritzdüse befindliche Spritzmasse von der in der Kavität befindlichen Spritzmasse abgerissen wird. Ferner wird der Chip in der dafür vorgesehenen Ausnehmung vorzugsweise auf einem der Anschlußstreifen angeordnet und mit der Verkapselungsmasse versehen. Nachfolgend wird das Bauelement vom Leadframe-Band endgültig abgetrennt.
  • Ein strahlungsemittierendes Bauelement der genannten Art ist beispielsweise in der EP 0 400 176 A1 beschrieben. Das Bauelement weist einen Gehäuse-Grundkörper mit einer Auflagefläche auf, in den ein Leadframe (Leiterrahmen) teilweise eingebettet ist. Teile des Leadframes sind als Anschlußstreifen ausgebildet, die aus dem Gehäuse-Grundkörper herausragen und im weiteren Verlauf so gebogen sind, daß ihre Anschlußflächen mit der Auflagefläche, welche die Montageebene des Bauelements festlegt, in einer Ebene liegen.
  • Die Gesamthöhe der auf diese Weise hergestellten Bauelemente läßt sich nicht auf weniger als etwa 1,7 mm absenken, wobei die Mindesthöhe des Vorderteils und der Rückwand des Gehäuse-Grundkörpers jeweils 0,8 mm und die Dicke der Anschlußstreifen ca. 0,1 mm ist.
  • Der Grund dafür ist, daß die Schichtdicke der in der Kavität befindlichen Spritzmasse zwischen Leadframe und Abriss-Stelle an der Spritzdüse hinreichend groß sein muß, um eine Delamination zwischen Leadframe-Rückseite und Spritzmasse weitestgehend zu verhindern. Eine solche Delamination würde die Gefahr einer Schädigung des Bauelements während der weiteren Prozessierung oder später im Betrieb drastisch erhöhen. Nach derzeitigem Kenntnisstand muß die oben genannte Schichtdicke der Spritzmasse so groß sein, dass die beim Abreißen der Spritzdüse auftretenden mechanischen Zugkräfte in der Spritzmasse so weit abgebaut werden, dass die an der Grenze zum Leadframe angreifenden Kräfte nicht ausreichen, um die Spritzmasse vom Leadframe abzureißen.
  • Um beispielsweise eine geringe Bauhöhe auf Leiterplatten und/oder ein vollständiges Versenken in insbesondere runden Leiterbahndurchbrüchen (Bohrungen) zu ermöglichen, ist aber die Höhe der Bauelemente so gering wie möglich zu halten und es besteht dringender Bedarf, die Bauhöhe unter die oben genannte Mindestbauhöhe von etwa 1,7 mm abzusenken. Bei einigen Anwendungen, insbesondere in den Endgeräten der mobilen Kommunikation, sollen die strahlungsemittierenden Bauelemente eine deutlich geringere Höhe aufweisen.
  • Die Möglichkeit, die Bauelement-Höhe durch die Verringerung der Höhe des Gehäuse-Grundkörpers von der Seite des Chips her zu reduzieren, ist wegen einer endlichen Höhe des strahlungsemittierenden Chips stark begrenzt. Die Möglichkeit, das angegebene Ziel durch eine einfache Verringerung der Dicke des Gehäuse-Grundkörpers an der Rückseite des Leadframes zu erreichen, ist auch stark eingeschränkt, da, wie oben bereits dargelegt, bei einer zu dünnen Schicht der Spritzmasse, welche die Rückseite des Gehäuses realisiert, diese im Spritz verfahren zur Herstellung des Gehäuses leicht mit der zu entfernenden Spritzdüse mitgerissen wird, wobei die Hermetizität des Bauelements zerstört und damit die Funktionsweise des Bauelements gestört werden kann.
  • Es ist daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Leadframe-basiertes Gehäuse für ein elektronisches Bauelement, insbesondere für ein strahlungsemittierendes oberflächenmontierbares Bauelement mit einer geringen Höhe, ein solches elektronisches Bauelement, ein Leadframe-Band sowie ein Verfahren zur Herstellung eines entsprechenden Leadframe-basierten Gehäuses anzugeben.
  • Diese Aufgabe wird durch ein Leadframe-basiertes Gehäuse mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1, durch Leadframe-Band mit den Merkmalen des Patentanspruches 6, durch ein elektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Patentanspruches 7 und durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Patentanspruches 13 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Ein Leadframe-basiertes Gehäuse gemäß der Erfindung für ein oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement weist folgende Bestandteile auf:
    • – ein eine Vorderseite und eine Rückseite aufweisendes Leadframe, das zumindest zwei elektrische Anschlußstreifen umfaßt,
    • – einen in einem Spritzverfahren hergestellten, vorzugsweise spritzgegossenen oder spritzgepreßten Gehäuse-Grundkörper aus einer elektrisch isolierenden Spritzmasse,
    • – ein an der Vorderseite des Leadframes angeordnetes Vorderteil und eine an der Rückseite des Leadframes angeordnete Rückwand des Gehäuse-Grundkörpers,
    • – zumindest ein Anspritz-Fenster im Leadframe zum Ansetzen oder Einführen einer Spritzdüse, durch welches hindurch die Spritzmasse von einer Rückseite des Leadframes her an das Leadframe gespritzt ist.
  • Das Einspritzen der Spritzmasse erfolgt somit von der Rückseite des Leadframes her durch das Anspritz-Fenster hindurch in den Teil der Kavität der Spritzform hinein, der den Vorderteil des Gehäuse-Grundkörpers an der Vorderseite des Leadframes erzeugt. Die Spritzdüse ist beim Anspritzen durch den Teil der Kavität hindurch, der den Rückwandteil des Gehäuse-Grundkörpers an der Rückseite des Leadframes erzeugt, zum Anspritz-Fenster des Leadframes geführt. Auf diese Weise wird erreicht, dass an die Spritzdüse und damit an den Abrißbereich der Spritzmasse am kavitätsseitigen Ende der Spritzdüse ein vergleichsweise großes Spritzmassenvolumen mit vergleichsweise großem Querschnitt angrenzt. Die Gefahr einer Delamination ist bei dieser Art von Gehäuse reduziert.
  • Das Anspritz-Fenster ist vorzugsweise in einem der elektrischen Anschlußstreifen angeordnet. Die Rückwand des Gehäuse-Grundkörpers weist vorzugsweise eine Dicke von 0,6 mm oder weniger, vorzugsweise von 0,4 mm oder weniger auf.
  • Besonders bevorzugt eignet sich die Erfindung zur Anwendung bei Bauelementen, bei denen im Vorderteil des Gehäuse-Grundkörpers zumindest eine Ausnehmung zur Aufnahme eines Chips, insbesondere eines strahlungsemittierenden oder strahlungsdetektierenden Halbleiterchips, z. B. einer Lichtemissionsdiode, vorgesehen ist.
  • Das Anspritz-Fenster ist hierbei besonders bevorzugt im Bereich einer die Ausnehmung begrenzenden Wand des Vorderteils angeordnet. Dort ist vorteilhafterweise bereits bauformbedingt ein großes Spritzmasse-Volumen vorhanden.
  • In der Ausnehmung ist eine Chip-Montagefläche vorgesehen, die sich vorzugsweise auf einem der beiden Anschlußstreifen befindet, aber auch auf dem Gehäusegrundkörper angeordnet sein kann. Eine solche Chip-Montagefläche kann aber auch erst später zum Beispiel in Form eines nachträglich in die Ausnehmung einzusetzenden Trägerplättchens bereitgestellt werden. Denkbar ist weiterhin, daß in den Gehäuse-Grundkörper ein thermi scher Anschlußsockel eingesetzt ist, der vorzugsweise vom Boden der Ausnehmung durch den Gehäuse-Grundkörper zu dessen Rückseite reicht.
  • Der Chip kann beispielsweise je nach Anordnung seiner Kontaktflächen
    • – mittels zweier Bonddrähte mit den elektrischen Anschlußstreifen elektrisch verbunden sein,
    • – mit einer Kontaktfläche auf einen der beiden Anschlußstreifen mittels eines elektrischen Verbindungsmittels befestigt und mittels eines Bonddrahtes mit dem zweiten Anschlußstreifen verbunden sein, oder
    • – in Flip-Chip-Montage mit seinen Kontaktflächen unmittelbar auf die streifen aufgesetzt sein. Selbstverständlich sind auch noch andere elektrische Anschlußvarianten möglich, die der Fachmann je nach Design seines Chips auswählen wird.
  • Bei strahlungsemittierenden Bauelementen, bei denen die vorliegende Erfindung besonders bevorzugt Anwendung findet, weist die Ausnehmung ein Strahlungsaustrittsfenster auf.
  • Die Innenflächen der Ausnehmung sind hierbei vorzugsweise als Strahlungsreflektor ausgebildet.
  • Alternativ kann das gesamte Gehäuse auch aus einem strahlungsdurchlässigen Material bestehen und den strahlungsemittierenden Chip vollständig einhüllen.
  • Die Spritzmasse weist vorzugsweise einen Kunststoff, insbesondere einen temperaturbeständigen, mit weißem Füllstoff gefüllten Kunststoff auf. Der Kunststoff ist vorzugsweise Thermoplastmaterial, und der Füllstoff ist vorzugsweise Titanoxid.
  • Geeignete Materialien für das Umhüllen des Chips in der Ausnehmung, zum Beispiel Reaktionsharze wie Epoxidharze, Acryl harze und Silikonharze, sind dem Fachmann bekannt und werden von daher vorliegend nicht näher erläutert.
  • Analoges gilt für die Spritzmasse des Gehäuse-Grundkörpers. Ebenso lassen sich vorliegend vorteihafterweise bekannte und herkömmlich eingesetzte Methoden zur Montage und zur elektrischen Kontaktierung von Chips anwenden.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren umfaßt insbesondere folgende Schritte:
    • – Vorstrukturieren der Anschlußstreifen und des Anspritz-Fensters in einem Leadframe-Band z. B. durch Stanzen, wobei im Leadframe-Band vorzugsweise mehrere nebeneinander (periodisch) angeordnete Bauelementbereiche, die später jeweils mit einem Gehäuse-Grundkörper versehen werden, ausgebildet werden,
    • – Anlegen einer zweiteiligen Spritzgußform an das Leadframe,
    • – Einspritzen der Spritzmasse in die Spritzform durch das Anspritz-Fenster, wobei die Spritzdüse des Spritzautomaten an das Anspritz-Fenster angelegt oder in das Anspritz-Fenster eingeführt wird
    • – Zumindest teilweises Aushärten der Spritzmasse, und
    • – Öffnen der Spritzform und Entfernen der Spritzdüse.
  • Das erfindungsgemäße Anspritz-Fenster befindet sich bei einem Gehäuse-Grundkörper mit Ausnehmung für den Chip besonders bevorzugt unterhalb einer die Ausnehmung zumindest teilweise umschließenden massiven Wand des Gehäuse-Grundkörpers.
  • Der besondere Vorteil des erfindungsgemäßen Herstellungsverfahrens besteht darin, daß die Gesamthöhe eines damit herzustellenden Bauelement-Gehäuses durch die besonders dünn ausgebildete Rückwand des Bauelement-Gehäuses, insbesondere gegenüber den bisher bekannten strahlungsemittierenden Bauelementen, die mittels vorgehäusten Leadframes hergestellt werden, wesentlich reduziert werden kann.
  • Weitere Merkmale, Vorteile und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den nachfolgend in Verbindung mit den 1 bis 4 erläuterten Ausführungsbeispielen.
  • Es zeigen:
  • 1 schematische perspektivische Ansicht von einem in Premold-Technik hergestellten strahlungsemittierenden Bauelement nach dem Stand der Technik,
  • 2a eine schematische Aufsicht auf ein Leadframe-Band gemäß der Erfindung,
  • 2b eine vergrößerte schematische Aufsicht auf zwei zusammengehörige Anschlußstreifen des Leadframes von 2a,
  • 2c eine schematische Aufsicht auf ein Leadframe-Band gemäß 2a mit im Spritzverfahren ausgebildeten erfindungsgemäßen Gehäuse-Grundkörpern,
  • 3a eine schematische Darstellung der Draufsicht eines weiteren Ausführungsbeispiels der Anschlußstreifen eines erfindungsgemäßen Bauelements,
  • 3b eine schematische Darstellung der perspektivischen Unteransicht eines erfindungsgemäßen Gehäuse-Grundkörpers mit einem Leadframe gemäß 3a,
  • 3c eine schematische Darstellung der perspektivischen Ansicht von oben eines Gehäuse-Grundkörpers gemäß der 3b,
  • 4a und 4b schematische Darstellungen jeweils eines Querschnitts durch einen Gehäuse-Grundkörper eines Bauelements nach Stand der Technik (4a) und eines erfindungsgemäßen Bauelements (4b) während des Spritzens des Gehäuse-Grundkörpers.
  • Gleiche oder gleichwirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen.
  • Die 1 zeigt eine perspektivische Darstellung eines oberflächenmontierbares Bauelements mit einem Gehäuse nach dem Stand der Technik.
  • Der in 1 gezeigte, im Umriß rechteckige Gehäuse-Grundkörper 100, weist ein Vorderteil 8a und eine Rückwand 8b auf, wobei im Vorderteil 8a eine Reflektor-Ausnehmung mit einem Strahlungsaustrittsfenster 12 vorgesehen ist. Ein erster Anschlußstreifen 2a und ein zweiter Anschlußstreifen 2b sind im Gehäuse-Grundkörper teilweise eingebettet und an einen hier nicht dargestellten (im Inneren des Gehäuse-Grundkörpers verborgenen) strahlungsemittierenden Chip angeschlossen. Die hinausragenden Teile der Anschlußstreifen (Außenkontakte) dienen zum Kontaktieren des Bauelements, z. B. an eine externe Leiterplatte. Es ist möglich, daß die Außenkontakte senkrecht zur entsprechenden Seitenwand des Gehäuses verlaufen oder, wie mit einer gestrichelten Linie in 1 angedeutet, um den Gehäuse-Grundkörper gebogen sind.
  • Das Leadframe-Band 1 gemäß dem Ausführungsbeispiel von 2a und 2b ist z. B. durch Stanzen vorstrukturiert und weist insbesondere eine Mehrzahl von ersten Anschlußstreifen 2a und eine Mehrzahl von zweiten Anschlußstreifen 2b auf, welche in einem späteren Verfahrensschritt vom Leadframe-Band entlang der Linien 3a bzw. 3b abgetrennt werden.
  • Die Anschlußstreifen 2a bzw. 2b sind als Kathoden- bzw. Anodenanschlüsse der zu fertigenden Bauelemente vorgesehen. Es können auf dem Leadframe-Band außerdem weitere Strukturen (z. B. Wärme ableitende Streifen) ausgebildet sein. Auf dem Anschlußstreifen 2a ist in diesem Ausführungsbeispiel eine Chip-Montagefläche 14 für einen Chip bzw. auf dem Anschlußstreifen 2b eine Drahtanschlußfläche 13 für einen Bonddraht vorgesehen. Auf dem ersten Anschlußstreifen 2a ist erfin dungsgemäß ein Anspritz-Fenster 24 vorgesehen, in das beim Ausbilden eines Gehäuse-Grundkörpers im Spritzverfahren eine Spritzdüse einführbar ist. Alternativ kann das Anspritz-Fenster in dem zweiten Anschlußstreifen 2b vorgesehen sein. Es ist zweckmäßig, daß die Anspritz-Fenster jeweils unterhalb einer später auszubildenden Seitenwand der Gehäuse-Grundkörper vorgesehen sind.
  • Die Chip-Montagefläche 14 bzw. die Drahtanschlußfläche 13 des Leadframe-Bands ragen (im fertigen Gehäuse-Grundkörper) in eine vorgesehene Reflektor-Ausnehmung hinein oder grenzen mit einer Oberfläche zumindest an den Innenraum der Ausnehmung an und bilden dann zumindest einen Teil der Bodenfläche der Ausnehmung. Hinsichtlich einer weiteren Verkleinerung des Gehäuse-Grundkörpers kann in der Reflektor-Ausnehmung zusätzlich eine gesonderte Aussparung gebildet sein, die zum Drahtanschlußbereich führt. Diese Aspekte sind in der 3c zu erkennen.
  • In dem Leadframe-Band 1 sind ferner kreisförmige Durchbrüche 6a und 6b gebildet, durch welche das Leadframe-Band geführt werden kann.
  • Die Anschlußstreifen 2a und 2b weisen darüber hinaus vorzugsweise rechteckig ausgebildete Durchbrüche 21 auf, welche zur Entlastung des Bauelement-Gehäuses beim Biegen der Anschlußstreifen (siehe 1) geeignet sind.
  • 2c zeigt das Leadframe-Band 1 mit erfindungsgemäß mittels eines Spritzverfahrens hergestellten Gehäuse-Grundkörpern 100 mit jeweils einer Chip-Montagefläche 14 und jeweils einer zu dieser Chip-Montagefläche führenden Ausnehmung.
  • Das in 3a gezeigte Ausführungsbeispiel für ein Leadframe eines erfindungsgemäßen Gehäuses bzw. Bauelements mit einem im Wesentlichen kreisförmigen Umriß weist sichelartig ausgebildete Anschlußstreifen auf, was einerseits zur besse ren Verankerung der Anschlußstreifen im Gehäuse-Grundkörper und andererseits zu einer federnden Zugentlastung bei Verbiegung der Anschlußstreifen dient. Auch dieses Leadframe weist ein neben einer Chip-Montagefläche 14 angeordnetes Anspritz-Fenster 24 auf, in oder an das zum Herstellen des Gehäuse-Grundkörpers eine Spritzdüse von der Rückseite des Leadframes her einführbar oder heranführbar ist.
  • 3b zeigt einen erfindungsgemäßen Gehäuse-Grundkörper 100 mit im Wesentlichen kreisförmigem Umriß in perspektivischer Ansicht von unten. Zu erkennen ist hierbei das Anspritz-Fenster 24, durch das hindurch der Gehäuse-Grundkörper 100 in die Kavität einer entsprechenden Spritzform in den an die Vorderseite des Leadframes grenzenden Teil der Kavität eingespritzt wird. Das Vorderteil des Gehäuse-Grundkörpers 100 ist im Übrigen beispielsweise wie in 3c gezeigt ausgestaltet. Diese Art von Gehäuse eignen sich besonders für die Herstellung von oberflächenmontierbaren strahlungsemittierenden und/oder strahlungsdetektierenden Bauelementen mit Leuchtdioden- und/oder Photodiodenchips, die in kreisrunden Durchbrüchen von Leiterplatten oder dergleichen zumindest teilweise versenkbar sind.
  • Das in 3b gezeigte Bauelement ist in 3c in perspektivischer Aufsicht dargestellt. Ein strahlungsemittierender Chip 16, beispielsweise ein Leuchtdiodenchip, ist in einer Reflektoröffnung, beispielsweise auf dem Anschlußstreifen 2a befestigt. Als Verbindungsmittel ist beispielsweise ein metallisches Lot oder ein Leitkleber verwendet. Ein zweiter Kontakt des Leuchtdiodenchips ist mit dem Anschlußstreifen 2b beispielsweise mittels eines Bonddrahtes 17a elektrisch verbunden. Die Seitenwand 11 einer Ausnehmung, welche die Bodenfläche der Ausnehmung mit der äußeren Fläche des Gehäuse-Grundkörpers 100 verbindet, ist derart ausgeführt, daß sie als Reflektorfläche für eine von dem Chip 16 abgestrahlte elektromagnetische Strahlung wirkt. Sie kann je nach gewünschtem Abstrahlverhalten eben, konkav oder anderweitig zweckmäßig geformt sein. Die in 3c ersichtlichen Vorsprünge 10a, 10b und 10c des Gehäuse-Grundkörpers dienen zur Führung der außerhalb des Gehäuse-Grundkörpers liegenden Anschlußstreifen.
  • Auf der von dem Anschlußstreifen abgewandten Vorderseite weist der Chip 16 eine Kontaktfläche auf, von der aus eine elektrische Anschlußleitung 17 (z. B. eine Drahtverbindung) zu dem Drahtanschlußteil 13 geführt ist.
  • Der besondere Vorteil der Erfindung wird aus der in den 4a und 4b gezeigten Gegenüberstellung des Standes der Technik und der Erfindung ohne Weiteres ersichtlich.
  • Das Vorderteil 8a des Gehäuse-Grundkörpers 100, der beispielsweise für den späteren Einbau eines Leuchtdiodenchips vorgesehen ist, weist in beiden Fällen eine Reflektor-Ausnehmung in Form einer kegelstumpfartigen, sich in Richtung der Hauptabstrahlungsrichtung erweiternden Öffnung mit einem Strahlungsaustrittfenster 12 auf. Die Reflektor-Ausnehmung ist mit einer transparenten Verkapselungsmasse 41 gefüllt.
  • Ein in einem späteren Verfahrensschritt einzusetzender Chip 16 und eine elektrische Anschlußleitung 17 sind mit gestrichelten Linien schematisch dargestellt.
  • Die schrägstehende Seitenfläche 11 der Ausnehmung dient vorzugsweise als Reflektor.
  • Zum Ausbilden des Gehäuse-Grundkörpers 100 wird eine zweiteilige Spritzgußform mit einer Kavität für die Gehäuse-Grundkörper 100 verwendet, in welche das Leadframe während des Spritzverfahrens eingelegt ist. Die Kavität der Spritzform wird mittels einer Spritzdüse 23 mit einer Spritzmasse für den Gehäuse-Grundkörper gefüllt.
  • Der Unterschied zwischen dem Stand der Technik und der erfindungsgemäßen Anordnung der Spritzdüse findet sich in der Position der Spritzdüse 23. Nach dem Stand der Technik wird die Spritzmasse in das an die Rückseite des Leadframes grenzende Volumen eingespritzt. Nach dem Aushärten der Spritzmasse wird die Spritzdüse von der Spritzform abgetrennt. Dabei entsteht eine Abrißstelle 25. Beim Abtrennen der Spritzdüse ist der Bereich in der Nähe der Abrißstelle einer starken mechanischen Belastung ausgesetzt, die zur Delamination des Materials der (ausgehärteten) Spritzmasse an der Grenzfläche zwischen der Rückwand 8b des Gehäuse-Grundkörpers und den Anschlußstreifen 2a bzw. 2b führen kann. Daher kann bei einer geringen Höhe der Rückwand 8b diese leicht beschädigt werden. Um dies weitestgehend zu vermeiden, ist eine vergleichsweise große Dicke der Rückwand 8b des Gehäuse-Grundkörpers erforderlich.
  • Bei einem Leadframe-basierten Gehäuse gemäß der Erfindung ist die Spritzdüse 23 dagegen nicht im mittleren Bereich einer zum Ausbilden der Rückwand 8b des Gehäuse-Grundkörpers geeigneten Kavität eingeführt, sondern an ein seitlich im Leadframe angeordnetes Anspritz-Fenster 24 angelegt oder in das Anspritz-Fenster 24 eingeführt. Somit befindet sich die Abrißstelle 25 nicht gegenüber dem Leadframe, sondern grenzt an das Spritzmasse-Volumen der massiv ausgebildeten Seitenwand des Gehäuses-Grundkörpers an. Dadurch ist es möglich, die Rückwand 8b des Gehäuse-Grundkörpers 100 mit geringer Dicke und daher ein Bauelement mit geringer Gesamthöhe herzustellen. Es kann eine Dicke von 0,4 mm oder weniger realisiert werden.
  • Aufgrund einer geringen Höhe der durch die Rückwand des Gehäuse-Grundkörpers gebildeten Rückseite eines erfindungsgemäßen Bauelements ist der Platzbedarf des Bauelements in vertikaler Richtung deutlich geringer als bei Bauelementen nach dem Stand der Technik. Das erfindungsgemäße Bauelement ist insbesondere für flache Anzeigemodule oder als Hintergrundbe leuchtung, beispielsweise für eine Flüssigkristallanzeige, geeignet.
  • Die Erläuterung der Erfindung anhand der gezeigten Ausführungsbeispiele ist selbstverständlich nicht als Beschränkung der Erfindung hierauf zu verstehen. Beispielsweise kann der Chip unmittelbar auf einer Chip-Montagefläche des Gehäuse-Grundkörpers 100 montiert, zum Beispiel geklebt, sein und der Chip ausschließlich mittels Drahtverbindungen mit den Anschlußstreifen elektrisch verbunden sein. Der Chip kann ebenso auf einem separaten thermischen Anschluß montiert sein, der in das Gehäuse des Bauelements eingebettet ist, und wiederum mittels Drahtverbindungen elektrisch an den Leiterrahmen angeschlossen sein. Es können auch andere, hier nicht beschriebene Varianten der Chip-Montagetechnik eingesetzt werden. All diese Ausführungsformen verlassen den Grundgedanken der vorliegenden Erfindung nicht. Die Erfindung beschränkt sich nicht auf die Anzahl oder besondere Ausführungsformen der in Figuren schematisch dargestellten Ausführungsbeispiele.

Claims (14)

  1. Leadframe-basiertes Gehäuse für ein oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement mit einem eine Vorderseite und eine Rückseite aufweisenden Leadframe, das zumindest zwei elektrische Anschlußstreifen (2a, 2b) aufweist, und einem spritzgegossenen oder spritzgepreßten Gehäuse-Grundkörper (8a, 8b) aus einer elektrisch isolierenden Spritzmasse, der ein an der Vorderseite des Leadframes angeordnetes Vorderteil und eine an der Rückseite des Leadframes angeordnete Rückwand aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß das Leadframe mindestens ein Anspritz-Fenster (24) aufweist, durch welches hindurch der Gehäuse-Grundkörper von einer Rückseite des Leadframes her an das Leadframe gespritzt ist.
  2. Gehäuse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Anspritz-Fenster (24) in einem der elektrischen Anschlußstreifen angeordnet ist.
  3. Gehäuse nach Anspruch 1 oder 2, bei dem die Rückwand eine Dicke von maximal 0,4 mm aufweist.
  4. Gehäuse nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 3 für ein strahlungsemittierendes und/oder strahlungsdetektierendes Bauelement, bei dem der Gehäuse-Grundkörper (8a, 8b) im Vorderteil (8a) eine Ausnehmung zur Aufnahme eines strahlungsemittierenden und/oder strahlungsdetektierenden Chips aufweist, bei dem das Anspritz-Fenster (24) im Bereich einer die Ausnehmung begrenzenden Wand des Vorderteils angeordnet ist.
  5. Gehäuse nach Anspruch 4, bei dem die Ausnehmung als Reflektor gebildet ist.
  6. Leadframe-Band mit zumindest einem Gehäuse nach einem der Ansprüche 1 bis 5.
  7. Elektronisches Bauelement mit einem Gehäuse nach zumindest einem der Ansprüche 1 bis 5, das zumindest einen Chip (16) umfaßt.
  8. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 7, bei dem der zumindest eine Chip (16) ein strahlungsemittierender und/oder strahlungsdetektierender Chip ist.
  9. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 7 oder 8, bei dem der Chip (16) auf einem der beiden Anschlußstreifen (2a) angeordnet ist und mit dem zweiten Anschlußstreifen (2b) mittels einer elektrischen Anschlußleitung (17) elektrisch verbunden ist.
  10. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 7 oder 8, bei dem der Chip (16) auf einer Montagefläche des Gehäuse-Grundkörpers angeordnet ist und mit den elektrischen Anschlußstreifen (2a, 2b) jeweils mittels einer elektrischen Anschlußleitung (17) elektrisch verbunden ist.
  11. Elektronisches Bauelement nach Anspruch 7 oder 8, bei dem der Chip (16) auf einem durch den Gehäuse-Grundkörper zur Rückseite führenden thermisch gut leitenden Chipträger angeordnet ist und mit den elektrischen Anschlußstreifen (2a, 2b) jeweils mittels einer elektrischen Anschlußleitung (17) elektrisch verbunden ist.
  12. Elektronisches Bauelement nach zumindest einem der Ansprüche 8 bis 11 mit einem Gehäuse unter Rückbezug auf Anspruch 4 oder 5, bei dem die Ausnehmung mit einer Vergußmasse gefüllt ist, die für vom Chip emittierte und/oder zu detekierende Strahlung durchlässig ist.
  13. Verfahren zur Herstellung eines Leadframe-basierten Gehäuses gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, mit folgenden Verfahrensschritten: a) Bereitstellen des Leadframes mit den beiden Anschlußstreifen und dem Anspritz-Fenster (24), b) Anlegen einer zweiteiligen Spritzform an das Leadframe, die um das Leadframe eine Kavität für die Ausbildung des Gehäuse-Grundkörpers bildet, und Einführen oder Anlegen einer Spritzdüse in oder an das Anspritz-Fenster (24), c) Einspritzen der Spritzmasse in die Kavität, d) zumindest teilweises Aushärten der Spritzmasse, und e) Öffnen der Spritzform einschließlich Entfernen der Spritzdüse.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, bei dem als Spritzmasse ein Thermoplastmaterial verwendet wird.
DE10243247A 2002-09-17 2002-09-17 Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung Withdrawn DE10243247A1 (de)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10243247A DE10243247A1 (de) 2002-09-17 2002-09-17 Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
PCT/DE2003/002953 WO2004027882A2 (de) 2002-09-17 2003-09-05 Leadframe-basiertes gehäuse, oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung
US10/527,836 US7102213B2 (en) 2002-09-17 2003-09-05 Leadframe-based housing, leadframe strip, surface-mounted optoelectronic-component, and production method
CNB038220679A CN100449798C (zh) 2002-09-17 2003-09-05 引线架基罩壳及其制造方法、引线架带和电子元件
JP2004536842A JP4351631B2 (ja) 2002-09-17 2003-09-05 リードフレームをベースとしたハウジング、表面実装可能な光電構成素子及び製造法
EP03747830.2A EP1540745B1 (de) 2002-09-17 2003-09-05 Verfahren zur herstellung eines leadframe-basierten gehäuses
TW092125466A TWI257692B (en) 2002-09-17 2003-09-16 Leadframe-based component-housing, leadframe-band, surface-mountable electronic component and its production method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10243247A DE10243247A1 (de) 2002-09-17 2002-09-17 Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE10243247A1 true DE10243247A1 (de) 2004-04-01

Family

ID=31969180

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10243247A Withdrawn DE10243247A1 (de) 2002-09-17 2002-09-17 Leadframe-basiertes Bauelement-Gehäuse, Leadframe-Band, oberflächenmontierbares elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7102213B2 (de)
EP (1) EP1540745B1 (de)
JP (1) JP4351631B2 (de)
CN (1) CN100449798C (de)
DE (1) DE10243247A1 (de)
TW (1) TWI257692B (de)
WO (1) WO2004027882A2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004033533A1 (de) * 2004-07-09 2006-02-09 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Leuchteinheit mit integrierter Platine
DE102017110850A1 (de) * 2017-05-18 2018-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20070117248A1 (en) * 2003-12-09 2007-05-24 Jochen Kunze Method for the production of light-emitting semiconductor diodes
TWI237409B (en) * 2004-10-08 2005-08-01 Kingbright Electronics Co Ltd Method of fabricating light emitting diode (LED)
US7821023B2 (en) * 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
DE102005036520A1 (de) * 2005-04-26 2006-11-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Bauteil, optoelektronisches Bauelement mit dem Bauteil und dessen Herstellung
KR100616684B1 (ko) * 2005-06-03 2006-08-28 삼성전기주식회사 고출력 ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
US8669572B2 (en) * 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
EP1848042A1 (de) * 2006-04-21 2007-10-24 LEXEDIS Lighting GmbH LED-Gehäuse mit Montagebasis
US8748915B2 (en) * 2006-04-24 2014-06-10 Cree Hong Kong Limited Emitter package with angled or vertical LED
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US9502624B2 (en) 2006-05-18 2016-11-22 Nichia Corporation Resin molding, surface mounted light emitting apparatus and methods for manufacturing the same
US8735920B2 (en) 2006-07-31 2014-05-27 Cree, Inc. Light emitting diode package with optical element
US8367945B2 (en) * 2006-08-16 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7909482B2 (en) 2006-08-21 2011-03-22 Innotec Corporation Electrical device having boardless electrical component mounting arrangement
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7633055B2 (en) * 2007-03-08 2009-12-15 Lumination Llc Sealed light emitting diode assemblies including annular gaskets and methods of making same
US8408773B2 (en) 2007-03-19 2013-04-02 Innotec Corporation Light for vehicles
US7712933B2 (en) 2007-03-19 2010-05-11 Interlum, Llc Light for vehicles
US8581278B2 (en) * 2007-04-06 2013-11-12 Kingbright Electronic Co., Ltd. Light-emitting diode packaging structure
CN100487310C (zh) * 2007-07-06 2009-05-13 深圳市泓亚光电子有限公司 Led平板式多芯大功率光源
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
USD615504S1 (en) 2007-10-31 2010-05-11 Cree, Inc. Emitter package
US8866169B2 (en) 2007-10-31 2014-10-21 Cree, Inc. LED package with increased feature sizes
US8230575B2 (en) 2007-12-12 2012-07-31 Innotec Corporation Overmolded circuit board and method
USD633631S1 (en) 2007-12-14 2011-03-01 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
USD634863S1 (en) 2008-01-10 2011-03-22 Cree Hong Kong Limited Light source of light emitting diode
JP2009238970A (ja) * 2008-03-27 2009-10-15 Panasonic Corp 半導体装置用パッケージと光半導体装置
US8049230B2 (en) * 2008-05-16 2011-11-01 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus and system for miniature surface mount devices
JP5464825B2 (ja) * 2008-07-23 2014-04-09 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
DE102008048259A1 (de) * 2008-09-22 2010-04-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Gehäuse für ein optoelektronisches Bauteil
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8791471B2 (en) 2008-11-07 2014-07-29 Cree Hong Kong Limited Multi-chip light emitting diode modules
US8368112B2 (en) * 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US20110037083A1 (en) * 2009-01-14 2011-02-17 Alex Chi Keung Chan Led package with contrasting face
WO2010092853A1 (ja) * 2009-02-10 2010-08-19 三洋電機株式会社 フレームパッケージの製造方法
US8610156B2 (en) * 2009-03-10 2013-12-17 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
TWI485878B (zh) * 2009-04-01 2015-05-21 Lite On Technology Corp 形成發光二極體之透鏡結構之方法及其相關架構
US8415692B2 (en) * 2009-07-06 2013-04-09 Cree, Inc. LED packages with scattering particle regions
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US20110101062A1 (en) * 2009-11-04 2011-05-05 Benjamin Franklin Roberts Pouch and pouches to carry personal items and lights on a belt
KR101193909B1 (ko) * 2009-12-31 2012-10-29 장광균 Ｌｅｄ 조명용 리드 프레임 및 그 제조방법
DE102010012039A1 (de) * 2010-03-19 2011-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
TWI596796B (zh) 2010-03-30 2017-08-21 Dainippon Printing Co Ltd Light-emitting diode lead frame or substrate, semiconductor device, and light-emitting diode lead frame or substrate manufacturing method
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
KR101778832B1 (ko) 2010-11-02 2017-09-14 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 Ｌｅｄ 소자 탑재용 리드 프레임, 수지 부착 리드 프레임, 반도체 장치의 제조 방법 및 반도체 소자 탑재용 리드 프레임
US10043960B2 (en) * 2011-11-15 2018-08-07 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages and related methods
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
JP5857709B2 (ja) * 2011-12-14 2016-02-10 日産自動車株式会社 半導体装置
JP5885493B2 (ja) * 2011-12-21 2016-03-15 住友化学株式会社 半導体用パッケージ及び半導体発光装置
DE112013002944T5 (de) 2012-06-13 2015-02-19 Innotec, Corp. Flexibler Hohllichtleiter
CN102718953B (zh) * 2012-07-05 2014-07-16 江苏申久化纤有限公司 一种聚酯生产中自动调整酯化釜eg回流比的工艺
JP6244873B2 (ja) * 2013-12-16 2017-12-13 三菱電機株式会社 映像表示ユニットおよび発光装置
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
WO2017005704A1 (en) * 2015-07-08 2017-01-12 Firecomms Limited An optoelectronic device
DE102015214588A1 (de) * 2015-07-31 2017-02-02 Robert Bosch Gmbh Anordnung zum Messen einer Drehzahl, insbesondere eines Turboladers eines Kraftfahrzeugs
CN106571383B (zh) 2015-10-08 2020-04-28 联华电子股份有限公司 半导体元件及其制作方法
USD799103S1 (en) * 2016-05-20 2017-10-03 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical emitter module
DE102017112642A1 (de) * 2017-06-08 2018-12-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Led-filament
CN110024139B (zh) * 2017-07-06 2022-03-04 欧司朗光电半导体有限公司 用于制造光电子部件的方法及光电子部件
DE102017127621A1 (de) * 2017-11-22 2019-05-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorrichtung mit Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Vorrichtungen
WO2020131933A1 (en) * 2018-12-17 2020-06-25 Lilibrand Llc Strip lighting systems which comply with ac driving power
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10140831A1 (de) * 2001-08-21 2003-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement und Anzeige- und/oder Beleuchtungsanordnung mit strahlungsemittierenden Bauelementen

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1195782A (en) * 1981-07-06 1985-10-22 Mikio Nishikawa Lead frame for plastic encapsulated semiconductor device
JPS58147141A (ja) 1982-02-26 1983-09-01 Nec Corp 電子部品
US4791472A (en) * 1985-09-23 1988-12-13 Hitachi, Ltd. Lead frame and semiconductor device using the same
DE3623419A1 (de) * 1986-07-11 1988-01-21 Junghans Uhren Gmbh Verfahren zum bestuecken eines leiterbahnen-netzwerkes fuer den schaltungstraeger eines elektromechanischen uhrwerks und teilbestuecktes leiterbahnen-netzwerk eines uhrwerks-schaltungstraegers
EP0400176B1 (de) 1989-05-31 2000-07-26 Osram Opto Semiconductors GmbH & Co. OHG Verfahren zum Montieren eines oberflächenmontierbaren Opto-Bauelements
DE69427865T2 (de) 1994-12-16 2002-04-11 Seiko Epson Corp Halbleiteranordnung mit einer Wärmesenke und Herstellungsverfahren der Wärmesenke
US6274890B1 (en) 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JPH11340403A (ja) 1998-05-28 1999-12-10 Sony Corp リードフレーム
DE10117889A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US7193299B2 (en) * 2001-08-21 2007-03-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Conductor frame and housing for a radiation-emitting component, radiation-emitting component and display and/or illumination system using radiation-emitting components

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10140831A1 (de) * 2001-08-21 2003-03-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement und Anzeige- und/oder Beleuchtungsanordnung mit strahlungsemittierenden Bauelementen

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004033533A1 (de) * 2004-07-09 2006-02-09 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Leuchteinheit mit integrierter Platine
DE102004033533B4 (de) * 2004-07-09 2007-06-21 G.L.I. Global Light Industries Gmbh Leuchteinheit mit integrierter Platine
DE102017110850A1 (de) * 2017-05-18 2018-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
CN108963047A (zh) * 2017-05-18 2018-12-07 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 光电子器件和用于制造光电子器件的方法
US10622494B2 (en) 2017-05-18 2020-04-14 Osram Oled Gmbh Optoelectronic component and method of producing an optoelectronic component

Also Published As

Publication number Publication date
EP1540745B1 (de) 2014-10-29
US7102213B2 (en) 2006-09-05
WO2004027882A2 (de) 2004-04-01
EP1540745A2 (de) 2005-06-15
TWI257692B (en) 2006-07-01
WO2004027882A3 (de) 2004-07-29
CN1682383A (zh) 2005-10-12
US20060157828A1 (en) 2006-07-20
JP4351631B2 (ja) 2009-10-28
CN100449798C (zh) 2009-01-07
JP2005539386A (ja) 2005-12-22
TW200406892A (en) 2004-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP1540745B1 (de) Verfahren zur herstellung eines leadframe-basierten gehäuses
EP1004145B1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE19829197C2 (de) Strahlungsaussendendes und/oder -empfangendes Bauelement
EP2396832B1 (de) Verkapselte optoeleketronische halbleiteranordnung mit lötstoppschicht und entsprechendes verfahren
EP2345074B1 (de) Trägerkörper für ein halbleiterbauelement, halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung eines trägerkörpers
DE102013205894B4 (de) Formgehäuse und Leuchtbauelement
WO2004077558A1 (de) Optoelektronisches bauteil mit strukturiert metallisiertem gehäusekörper, verfahren zur herstellung eines derartigen bauteils und verfahren zur strukturierten metallisierung eines kunststoff enthaltenden körpers
EP2583318A1 (de) Oberflächenmontierbares optoelektronisches bauelement und verfahren zur herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen bauelements
WO2016202917A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
DE10308917A1 (de) Optoelektronisches Bauteil mit metallisiertem Reflektor
WO2012031932A1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauelements
WO2012007271A2 (de) Trägervorrichtung für einen halbleiterchip, elektronisches bauelement mit einer trägervorrichtung und optoelektronisches bauelement mit einer trägervorrichtung
DE102013207111B4 (de) Optoelektronisches Bauelement
EP1608026A2 (de) Optoelektronische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Vorrichtung
DE102006045415A1 (de) Bauelementanordnung mit einem Träger
WO2021185598A1 (de) Gehäuse für ein optoelektronisches halbleiterbauelement und optoelektronisches halbleiterbauelement
EP2345076B1 (de) Oberflächenmontierbare vorrichtung
WO2015117946A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102006015241A1 (de) Halbleiterbauteil mit einem Kunststoffgehäuse und teilweise in Kunststoff eingebetteten Außenkontakten sowie Verfahren zur Herstellung des Halbleiterbauteils
WO2015117947A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
WO2017021412A1 (de) Verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements und optoelektronisches bauelement
WO2014202629A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
WO2015165892A1 (de) Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
DE102011011861A1 (de) Halbleiterchipgehäuseanordnung und Herstellungsverfahren

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
R016 Response to examination communication
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee