DE10226370A1 - Substrat für einen organischen Feld-Effekt Transistor, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET) - Google Patents

Substrat für einen organischen Feld-Effekt Transistor, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET) Download PDF

Info

Publication number
DE10226370A1
DE10226370A1 DE10226370A DE10226370A DE10226370A1 DE 10226370 A1 DE10226370 A1 DE 10226370A1 DE 10226370 A DE10226370 A DE 10226370A DE 10226370 A DE10226370 A DE 10226370A DE 10226370 A1 DE10226370 A1 DE 10226370A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
substrate
effect transistor
organic field
plastic film
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10226370A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10226370B4 (de
Inventor
Wolfgang Dr. Clemens
Henning Dr. Rost
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
PolyIC GmbH and Co KG
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE10226370A priority Critical patent/DE10226370B4/de
Priority to US10/517,750 priority patent/US7709865B2/en
Priority to PCT/DE2003/001899 priority patent/WO2003107450A1/de
Publication of DE10226370A1 publication Critical patent/DE10226370A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10226370B4 publication Critical patent/DE10226370B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having a potential-jump barrier or a surface barrier
    • H10K10/40Organic transistors
    • H10K10/46Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
    • H10K10/462Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
    • H10K10/464Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10Deposition of organic active material
    • H10K71/12Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Substrat für einen organischen Feld-Effekt-Transistor, eine Verwendung des Substrates, ein Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und einen organischen Feld-Effekt Transistor, auf dem ein organisches Funktionsmaterial in geordneter Form abgeschieden werden kann. Dies wird dadurch erreicht, dass als Untergrund für die Schicht eine geordnete Kunststofffolie eingesetzt wird.

Description

  • Substrat für einen organischen Feld-Effekt Transistor, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)
  • Die Erfindung betrifft ein Substrat für einen organischen Feld-Effekt-Transistor, eine Verwendung des Substrates, ein Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und einen organischen Feld-Effekt Transistor auf dem ein organisches Funktionsmaterial in geordneter Form abgeschieden werden kann.
  • Beim Aufbau von elektrischen Schaltungen, die auf organischen Materialien basieren, wie z. B. bei organischen Dioden, Kondensatoren und insbesondere organischen Feldeffekt-Transistoren (OFETs), werden dünne Schichten eines organischen Funktionsmaterials auf geeigneten Substraten aus Silizium, Glas oder Kunststoff durch verschiedenartige Verfahren, wie Spin-Coating, Rakeln, Aufsprayen, Plotten, Drucken, Aufdampfen, Sputtern etc. aufgebracht. Um für die elektrische Performance günstige Materialeigenschaften wie zum Beispiel hohe elektrische Leitfähigkeit oder auch eine hohe Ladungsträgermobilität zu erhalten, ist es günstig, in dem organischen Funktionsmaterial eine gewisse molekulare Ordnung zu erzeugen.
  • In der Literatur werden neben einfachen Substraten aus Silizium [Z. Bao et al., Appl. Phys. Lett. 69 (26) (1996) 4108]; Polycarbonat [G.H. Gelinck et al., Appl. Phys. Lett. 77 (10) (2000) 1487] oder Polyimid [C.J. Drury et al., Appl. Phys. Lett. 73 (1) (1998) 108]; auch mechanisch vorbehandelte, d.h. gebürstete Polyimid-Substrate beschrieben, die eine geordnete Abscheidung von konjugierten Polymeren als Halbleiter erleichtern und somit zu höheren Feldeffekten in OFETs im Vergleich zu unbehandeltem Polyimid führen [H. Sirringhaus et al., Science 290 (2000) 2123]. Die mechanische Vorbehandlung ist aufwendig, d.h. stellt einen zusätzlichen Prozessschritt dar und kann dazu führen, dass die Oberfläche des Substrats angegriffen wird.
  • Aus der US 2002041427 ist ein Verfahren zur Herstellung eines kristallinen, optisch nicht-linearen (NLO) Films bekannt, bei der mit Hilfe einer nur zu diesem Zweck aufgebrachten Zwischenschicht (alignment layer) eine geordnete Aufbringung des NLO-Films erleichtert wird.
  • Neben diesen Versuchen, eine geordnete Aufbringung eines Funktionsmaterials zu erleichtern und/oder bis zu einem bestimmten Grad zu garantieren, gibt es bislang noch keine Methode, ein Funktionsmaterial geordnet auf das Substrat aufzubringen. Die geordnete Aufbringung eines organischen Funktionsmaterials ist jedoch entscheidend für dessen Ladungsträgerbeweglichkeit. Es besteht daher ständig der Bedarf, Methoden zur Verfügung zu stellen, mit denen besser geordnete Schichten aus Funktionsmaterial erzeugt werden können.
  • Aufgabe der Erfindung ist es daher, ein Substrat oder einen Untergrund zu schaffen, der eine geordnete Oberfläche hat, die eine orientierte und geordnete Aufbringung/Abscheidung eines organischen Funktionsmaterials ermöglicht.
  • Gegenstand der Erfindung ist ein Substrat und/oder eine untere Schicht eines elektronischen Bauteils, das (die) mit einer organischen Funktionsschicht beschichtet werden soll, wobei das Substrat oder die untere Schicht eine orientierte, gestreckte (geordnete) Kunststofffolie derart umfasst, dass die Ordnung der Kunststofffolie ein Aufbringen des Funktionsmaterials in geordneter Form ermöglicht.
  • Als Substrat, Untergrund oder untere Schicht wird hier jede Schicht bezeichnet, die als Träger einer Schicht mit organischem Funktionsmaterial dienen kann. Es kann sich durchaus auch um eine Folie zur Verkapselung handeln, beispielsweise wenn ein OFET in einem Bottom-up Layout aufgebaut wird.
  • Der Begriff "organisches Material" oder "Funktionsmaterial" oder "(Funktions-)Polymer" umfasst hier alle Arten von organischen, metallorganischen und/oder organisch-anorganischen Kunststoffen (Hybride), insbesondere die, die im Englischen z.B. mit "plastics" bezeichnet werden. Es handelt sich um a1-le Arten von Stoffen mit Ausnahme der Halbleiter, die die klassischen Dioden bilden (Germanium, Silizium), und der typischen metallischen Leiter. Eine Beschränkung im dogmatischen Sinn auf organisches Material als Kohlenstoff enthaltendes Material ist demnach nicht vorgesehen, vielmehr ist auch an den breiten Einsatz von z.B. Siliconen gedacht. Weiterhin soll der Term keiner Beschränkung im Hinblick auf die Molekülgröße, insbesondere auf polymere und/oder oligomere Materialien unterliegen, sondern es ist durchaus auch der Einsatz von "small molecules" möglich. Der Wortbestandteil "polymer" im Funktionspolymer ist historisch bedingt und enthält insofern keine Aussage über das Vorliegen einer tatsächlich polymeren Verbindung.
  • Bevorzugt wird eine axial gestreckte orientierte und/oder zumindest teilkristalline Kunststofffolie, insbesondere eine monoaxial und bevorzugt eine biaxial gestreckte Kunststofffolie eingesetzt. Beispielsweise eignet sich eine Folie aus isotaktischem Polypropylen, Polyamid, Polyethylen, Polyethylenterephtalat, Polyphthalamid, Polyethylen, Polyetherketonketon (PEKK), Polyetheretherketon (PEEK), syndiotaktisches Polystyrol, Polyvinylidendifluorid, Polytetrafluorethylen etc.
  • Durch die bereits bei der Herstellung und der nachfolgenden Prozessierung der Polymerfolien erfolgende Streckung werden im Substrat und damit auch auf seiner Oberfläche teilweise hochgeordnete Kristallite in Form von parallel liegenden Molekülketten bzw. Kettenteilen erzeugt, die es ermöglichen, konjugierte Polymere und auch organische Materialien mit niederem Molekulargewicht (Monomere, Oligomere und/oder „small molecules") in sowohl leitender und nichtleitender Form als auch in halbleitender und nichthalbleitender Form geordnet abzuscheiden. Das Aufbringen der besagten organischen Funktionsschicht kann dabei aus Lösung (Spin-Coating, Drucken, Plotten, Rakeln etc.) aber auch aus der Gasphase (Aufdampfen, Sputtern etc.) erfolgen. Durch die Orientierung des Substrates dient dieses als sogenanntes „alignment template" und führt zur Bildung von hochgeordneten Bereichen im abgeschiedenen Funktionsmaterial, was zu höheren Leitfähigkeiten und/oder höheren Ladungsträgermobilitäten führt.
  • Im folgenden wird die Erfindung noch anhand einer Figur erläutert:
    Zu sehen ist das Substrat 1, vorzugsweise eine biaxial gestreckte Kunststofffolie, beispielsweise eine Folie aus Polyethylenterephtalat (PET) darauf Source und Drain Elektroden 2 (beispielsweise aus leitfähigem Polyanilin (PANI)). Die Halbleiterschicht 3 wird so auf das Substrat aufgebracht, dass sie in direktem Kontakt mit der biaxial gestreckten Kunststofffolie 1 abgeschieden wird. Somit entsteht eine Ordnung innerhalb der Halbleiterschicht, durch die eine besser Beweglichkeit der Ladungsträger erzielt wird. Dazu wird beispielsweise eine Lösung von Poly(3-hexylthiophen) in Chloroform durch Spin-coating auf das Substrat 1 aufgeschleudert, so dass eine 100 nm dünne und homogene Polymerschicht entsteht. Nach einem Trocknungsschritt wird eine elektrisch isolierende Polystyrolschicht 4 als Gatedielektrikum aufgeschleudert.
  • Zur Herstellung der Gate-Elektrode 5 wird in einer dem Fachmann geläufigen Methode (Sputtern etc) verfahren.
  • Ein derartig auf einem durch Verstreckung vororientiertem Substrat aufgebrachter organischer Feldeffekt-Transistor (OFET) zeigt Ladungsträgermobilitäten von μ > 10–3 cm2/Vs. Die ser Wert liegt mehrere Größenordnungen über den Mobilitäten, die in OFETs mit identischem Aufbau, jedoch mit einem nichtorientiertem Substrat (z.B. Silizium oder Siliziumoxid) möglich sind.
  • Durch die Erfindung wird es erstmals möglich, mit der Wahl eines geeigneten Substrats die Ladungsträgermobilität in organischen Halbleitern um Größenordnungen zu steigern.

Claims (7)

  1. Substrat und/oder eine untere Schicht eines elektronischen Bauteils, das (die) mit einer organischen Funktionsschicht beschichtet werden soll, wobei das Substrat oder die untere Schicht eine orientierte, gestreckte (geordnete) Kunststofffolie derart umfasst, dass die Ordnung der Kunststofffolie ein Aufbringen des Funktionsmaterials in geordneter Form ermöglicht.
  2. Substrat nach Anspruch 1, wobei die Kunststofffolie zumindest teilkristallin und/oder axial gestreckt ist.
  3. Substrat nach einem der Ansprüche 1 oder 2, wobei die Kunststofffolie mono- oder biaxial gestreckt ist.
  4. Substrat nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Kunststofffolie aus isotaktischem Polypropylen, Polyamid, Polyethylen, Polyethylenterephtalat... ist.
  5. Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität einer leitenden oder halbleitenden Schicht aus organischem Material, bei dem die leitende oder halbleitende Schicht auf einem Untergrund mit einer orientierten, gestreckten (geordneten) Kunststofffolie aufgebaut wird.
  6. Verwendung eines Substrats und/oder einer unteren Schicht nach einem der Ansprüche 1 bis 4 zur Herstellung eines OFETs.
  7. Organischer Feld-Effekt-Transistor (OFET) mit einer halbleitenden Schicht aus organischem Material, die eine Ladungsträgermobilität von μ>10–3 cm2/Vs hat.
DE10226370A 2002-06-13 2002-06-13 Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET) Expired - Fee Related DE10226370B4 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10226370A DE10226370B4 (de) 2002-06-13 2002-06-13 Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)
US10/517,750 US7709865B2 (en) 2002-06-13 2003-06-06 Substrate for an organic field effect transistor, use of said substrate, method of increasing the charge carrier mobility, and organic field effect transistor (OFET)
PCT/DE2003/001899 WO2003107450A1 (de) 2002-06-13 2003-06-06 Substrat für einen organischen feld-effekt transistor, verwendung des substrates, verfahren zur erhöhung der ladungsträgermobilität und organischer feld-effekt transistor (ofet)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10226370A DE10226370B4 (de) 2002-06-13 2002-06-13 Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10226370A1 true DE10226370A1 (de) 2004-01-08
DE10226370B4 DE10226370B4 (de) 2008-12-11

Family

ID=29719035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10226370A Expired - Fee Related DE10226370B4 (de) 2002-06-13 2002-06-13 Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7709865B2 (de)
DE (1) DE10226370B4 (de)
WO (1) WO2003107450A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007037069A1 (de) 2007-08-06 2009-02-19 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10043204A1 (de) * 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
US6905908B2 (en) * 2002-12-26 2005-06-14 Motorola, Inc. Method of fabricating organic field effect transistors
CN100431190C (zh) * 2004-09-01 2008-11-05 复旦大学 一种有机场效应管取向层及其制备方法和应用
DE102005031448A1 (de) 2005-07-04 2007-01-11 Polyic Gmbh & Co. Kg Aktivierbare optische Schicht
US8247264B2 (en) 2005-08-31 2012-08-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Transistor, method for manufacturing same, and semiconductor device comprising such transistor
DE102007043407A1 (de) * 2007-09-12 2009-03-19 Polyic Gmbh & Co. Kg Mehrschichtiger flexibler Folienkörper
DE102007048102A1 (de) * 2007-10-06 2009-04-09 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Sicherheitselement zur Kennzeichnung eines Sicherheitsdokuments und Verfahren zu seiner Herstellung

Family Cites Families (155)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB723598A (en) 1951-09-07 1955-02-09 Philips Nv Improvements in or relating to methods of producing electrically conductive mouldings from plastics
US3512052A (en) * 1968-01-11 1970-05-12 Gen Motors Corp Metal-insulator-semiconductor voltage variable capacitor with controlled resistivity dielectric
US3769096A (en) * 1971-03-12 1973-10-30 Bell Telephone Labor Inc Pyroelectric devices
JPS543594B2 (de) * 1973-10-12 1979-02-24
US4059667A (en) * 1975-10-20 1977-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Biaxially oriented polyethylene terephthalate film and method of making such film
JPS54101176A (en) * 1978-01-26 1979-08-09 Shinetsu Polymer Co Contact member for push switch
US4442019A (en) * 1978-05-26 1984-04-10 Marks Alvin M Electroordered dipole suspension
JPS5641938U (de) 1979-09-10 1981-04-17
US4340657A (en) * 1980-02-19 1982-07-20 Polychrome Corporation Novel radiation-sensitive articles
EP0108650A3 (de) 1982-11-09 1986-02-12 Zytrex Corporation Programmierbarer MOS-Transistor
DE3321071A1 (de) 1983-06-10 1984-12-13 Basf Ag Druckschalter
DE3338597A1 (de) 1983-10-24 1985-05-02 GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München Datentraeger mit integriertem schaltkreis und verfahren zur herstellung desselben
JPS60117769A (ja) 1983-11-30 1985-06-25 Fujitsu Ltd 半導体メモリ装置
DE3768112D1 (de) * 1986-03-03 1991-04-04 Toshiba Kawasaki Kk Strahlungsdetektor.
DE3751376T2 (de) 1986-10-13 1995-11-16 Canon Kk Schaltungselement.
GB2215307B (en) * 1988-03-04 1991-10-09 Unisys Corp Electronic component transportation container
KR900702481A (ko) 1988-06-21 1990-12-07 원본미기재 휴대용 전자 토큰 제조방법
US5364735A (en) * 1988-07-01 1994-11-15 Sony Corporation Multiple layer optical record medium with protective layers and method for producing same
US4937119A (en) * 1988-12-15 1990-06-26 Hoechst Celanese Corp. Textured organic optical data storage media and methods of preparation
US5892244A (en) * 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
US6331356B1 (en) * 1989-05-26 2001-12-18 International Business Machines Corporation Patterns of electrically conducting polymers and their application as electrodes or electrical contacts
EP0418504B1 (de) 1989-07-25 1995-04-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Speicherbauelement aus organischem Halbleiter mit einer MISFET-Struktur und sein Kontrollverfahren
US5206525A (en) * 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
FI91573C (sv) 1990-01-04 1994-07-11 Neste Oy Sätt att framställa elektroniska och elektro-optiska komponenter och kretsar
JP2969184B2 (ja) 1990-04-09 1999-11-02 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタメモリ
FR2664430B1 (fr) * 1990-07-04 1992-09-18 Centre Nat Rech Scient Transistor a effet de champ en couche mince de structure mis, dont l'isolant et le semiconducteur sont realises en materiaux organiques.
JPH04199638A (ja) * 1990-11-29 1992-07-20 Ricoh Co Ltd 電界効果型薄膜トランジスタ、これを用いた表示装置及びその製造方法
FR2673041A1 (fr) * 1991-02-19 1992-08-21 Gemplus Card Int Procede de fabrication de micromodules de circuit integre et micromodule correspondant.
EP0501456A3 (de) 1991-02-26 1992-09-09 Sony Corporation Mit eine optischen Plattenantrieb ausgerüsteter Videospielcomputer
US5408109A (en) * 1991-02-27 1995-04-18 The Regents Of The University Of California Visible light emitting diodes fabricated from soluble semiconducting polymers
US5332315A (en) 1991-04-27 1994-07-26 Gec Avery Limited Apparatus and sensor unit for monitoring changes in a physical quantity with time
JP3224829B2 (ja) 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
JPH0580530A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5173835A (en) * 1991-10-15 1992-12-22 Motorola, Inc. Voltage variable capacitor
US5486851A (en) * 1991-10-30 1996-01-23 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. Illumination device using a pulsed laser source a Schlieren optical system and a matrix addressable surface light modulator for producing images with undifracted light
JP2709223B2 (ja) * 1992-01-30 1998-02-04 三菱電機株式会社 非接触形携帯記憶装置
US5516987A (en) 1992-09-25 1996-05-14 Ngk Insulators, Ltd. Solid insulator and method of manufacturing the same
DE4243832A1 (de) 1992-12-23 1994-06-30 Daimler Benz Ag Tastsensoranordnung
JP3457348B2 (ja) * 1993-01-15 2003-10-14 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
FR2701117B1 (fr) * 1993-02-04 1995-03-10 Asulab Sa Système de mesures électrochimiques à capteur multizones, et son application au dosage du glucose.
US5567550A (en) * 1993-03-25 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method of making a mask for making integrated circuits
JPH0722669A (ja) * 1993-07-01 1995-01-24 Mitsubishi Electric Corp 可塑性機能素子
EP0722563A4 (de) * 1993-08-24 1998-03-04 Metrika Lab Inc Neues elektronisches einweg-assaygerät
JP3460863B2 (ja) * 1993-09-17 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
FR2710413B1 (fr) * 1993-09-21 1995-11-03 Asulab Sa Dispositif de mesure pour capteurs amovibles.
US5556706A (en) * 1993-10-06 1996-09-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Conductive layered product and method of manufacturing the same
JP4392057B2 (ja) * 1994-05-16 2009-12-24 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機半導体物質を有する半導体装置
WO1995031831A1 (en) * 1994-05-18 1995-11-23 Philips Electronics N.V. Method of providing a film of conjugated, substituted or unsubstituted poly(p-phenylene vinylene) on a substrate by chemical vapour deposition (cvd), as well as a method of manufacturing an electroluminescent (el) device
US5684884A (en) 1994-05-31 1997-11-04 Hitachi Metals, Ltd. Piezoelectric loudspeaker and a method for manufacturing the same
JP3246189B2 (ja) * 1994-06-28 2002-01-15 株式会社日立製作所 半導体表示装置
US5893051A (en) 1994-09-27 1999-04-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of estimating temperature inside material to be cooked and cooking apparatus for effecting same
US5574291A (en) * 1994-12-09 1996-11-12 Lucent Technologies Inc. Article comprising a thin film transistor with low conductivity organic layer
US5630986A (en) * 1995-01-13 1997-05-20 Bayer Corporation Dispensing instrument for fluid monitoring sensors
JP3068430B2 (ja) * 1995-04-25 2000-07-24 富山日本電気株式会社 固体電解コンデンサ及びその製造方法
US5652645A (en) * 1995-07-24 1997-07-29 Anvik Corporation High-throughput, high-resolution, projection patterning system for large, flexible, roll-fed, electronic-module substrates
US5625199A (en) 1996-01-16 1997-04-29 Lucent Technologies Inc. Article comprising complementary circuit with inorganic n-channel and organic p-channel thin film transistors
US6326640B1 (en) * 1996-01-29 2001-12-04 Motorola, Inc. Organic thin film transistor with enhanced carrier mobility
GB2310493B (en) * 1996-02-26 2000-08-02 Unilever Plc Determination of the characteristics of fluid
US5817550A (en) * 1996-03-05 1998-10-06 Regents Of The University Of California Method for formation of thin film transistors on plastic substrates
JP3080579B2 (ja) * 1996-03-06 2000-08-28 富士機工電子株式会社 エアリア・グリッド・アレイ・パッケージの製造方法
DE19629656A1 (de) * 1996-07-23 1998-01-29 Boehringer Mannheim Gmbh Diagnostischer Testträger mit mehrschichtigem Testfeld und Verfahren zur Bestimmung von Analyt mit dessen Hilfe
DK0968182T3 (da) 1996-08-07 2004-08-16 Darwin Discovery Ltd Hydroxam- og carboxylsyrederivater med MMP- og TNF-inhiberende aktivitet
US5856013A (en) * 1997-01-21 1999-01-05 Xerox Corp Ohmic contact-providing compositions
US5946551A (en) * 1997-03-25 1999-08-31 Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric
US6344662B1 (en) * 1997-03-25 2002-02-05 International Business Machines Corporation Thin-film field-effect transistor with organic-inorganic hybrid semiconductor requiring low operating voltages
KR100248392B1 (ko) * 1997-05-15 2000-09-01 정선종 유기물전계효과트랜지스터와결합된유기물능동구동전기발광소자및그소자의제작방법
EP0968537B1 (de) * 1997-08-22 2012-05-02 Creator Technology B.V. Feld-effekt-transistor, der im wesentlichen aus organischen materialien besteht
DE02079791T1 (de) * 1997-09-11 2004-04-15 Precision Dynamics Corp., San Fernando RF-ID Etikett mit einem integriertem Schaltkreis aus organischen Materialen
US5994174A (en) * 1997-09-29 1999-11-30 The Regents Of The University Of California Method of fabrication of display pixels driven by silicon thin film transistors
US6251513B1 (en) * 1997-11-08 2001-06-26 Littlefuse, Inc. Polymer composites for overvoltage protection
JPH11142810A (ja) 1997-11-12 1999-05-28 Nintendo Co Ltd 携帯型情報処理装置
JP2001510670A (ja) * 1997-12-05 2001-07-31 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 識別トランスポンダ
US5997817A (en) * 1997-12-05 1999-12-07 Roche Diagnostics Corporation Electrochemical biosensor test strip
US5998805A (en) * 1997-12-11 1999-12-07 Motorola, Inc. Active matrix OED array with improved OED cathode
US6083104A (en) * 1998-01-16 2000-07-04 Silverlit Toys (U.S.A.), Inc. Programmable toy with an independent game cartridge
EP1051745B1 (de) * 1998-01-28 2007-11-07 Thin Film Electronics ASA Methode zur herstellung zwei- oder dreidimensionaler elektrisch leitender oder halbleitender strukturen, eine löschmethode derselben und ein generator/modulator eines elektrischen feldes zum gebrauch in der herstellungsmethode
US6087196A (en) * 1998-01-30 2000-07-11 The Trustees Of Princeton University Fabrication of organic semiconductor devices using ink jet printing
US6045977A (en) * 1998-02-19 2000-04-04 Lucent Technologies Inc. Process for patterning conductive polyaniline films
DE19816860A1 (de) 1998-03-06 1999-11-18 Deutsche Telekom Ag Chipkarte, insbesondere Guthabenkarte
US6033202A (en) * 1998-03-27 2000-03-07 Lucent Technologies Inc. Mold for non - photolithographic fabrication of microstructures
GB9808061D0 (en) * 1998-04-16 1998-06-17 Cambridge Display Tech Ltd Polymer devices
GB9808806D0 (en) 1998-04-24 1998-06-24 Cambridge Display Tech Ltd Selective deposition of polymer films
TW410478B (en) 1998-05-29 2000-11-01 Lucent Technologies Inc Thin-film transistor monolithically integrated with an organic light-emitting diode
US5967048A (en) * 1998-06-12 1999-10-19 Howard A. Fromson Method and apparatus for the multiple imaging of a continuous web
DE19836174C2 (de) 1998-08-10 2000-10-12 Illig Maschinenbau Adolf Heizung zum Erwärmen von thermoplastischen Kunststoffplatten und Verfahren zum Einstellen der Temperatur dieser Heizung
US6215130B1 (en) * 1998-08-20 2001-04-10 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6330464B1 (en) * 1998-08-26 2001-12-11 Sensors For Medicine & Science Optical-based sensing devices
JP4493741B2 (ja) 1998-09-04 2010-06-30 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE19851703A1 (de) 1998-10-30 2000-05-04 Inst Halbleiterphysik Gmbh Verfahren zur Herstellung von elektronischen Strukturen
US6384804B1 (en) * 1998-11-25 2002-05-07 Lucent Techonologies Inc. Display comprising organic smart pixels
US6506438B2 (en) * 1998-12-15 2003-01-14 E Ink Corporation Method for printing of transistor arrays on plastic substrates
US6321571B1 (en) * 1998-12-21 2001-11-27 Corning Incorporated Method of making glass structures for flat panel displays
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
GB2347013A (en) * 1999-02-16 2000-08-23 Sharp Kk Charge-transport structures
ES2255768T3 (es) * 1999-02-22 2006-07-01 Nippon Steel Corporation Lamina de acero galvanizado de alta resistencia, con excelente adherencia de un baño metalico y conformabilidad bajo presion y lamina de acero galvanizado aleado de alta resistencia y metodo para su produccion.
AU5646800A (en) * 1999-03-02 2000-09-21 Helix Biopharma Corporation Card-based biosensor device
US6180956B1 (en) 1999-03-03 2001-01-30 International Business Machine Corp. Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels
US6207472B1 (en) * 1999-03-09 2001-03-27 International Business Machines Corporation Low temperature thin film transistor fabrication
CN1310930A (zh) 1999-03-29 2001-08-29 精工爱普生株式会社 组合物及膜的制造方法以及功能元件及其制造方法
US6498114B1 (en) 1999-04-09 2002-12-24 E Ink Corporation Method for forming a patterned semiconductor film
US6072716A (en) * 1999-04-14 2000-06-06 Massachusetts Institute Of Technology Memory structures and methods of making same
FR2793089B3 (fr) 1999-04-28 2001-06-08 Rene Liger Transpondeur a antenne integree
DE19919448A1 (de) 1999-04-29 2000-11-02 Miele & Cie Kühlgerät und Verfahren zur Verkeimungsindikation
DE19921024C2 (de) 1999-05-06 2001-03-08 Wolfgang Eichelmann Videospielanlage
US6383664B2 (en) * 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
EP1052594A1 (de) 1999-05-14 2000-11-15 Sokymat S.A. Transponder und Spritzgussteil sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
TW556357B (en) 1999-06-28 2003-10-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing an electro-optical device
JP2001085272A (ja) 1999-07-14 2001-03-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 可変容量コンデンサ
DE19933757A1 (de) 1999-07-19 2001-01-25 Giesecke & Devrient Gmbh Chipkarte mit integrierter Batterie
DE19935527A1 (de) 1999-07-28 2001-02-08 Giesecke & Devrient Gmbh Aktive Folie für Chipkarten mit Display
DE19937262A1 (de) 1999-08-06 2001-03-01 Siemens Ag Anordnung mit Transistor-Funktion
US6593690B1 (en) * 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
US6517995B1 (en) * 1999-09-14 2003-02-11 Massachusetts Institute Of Technology Fabrication of finely featured devices by liquid embossing
CN1376100A (zh) 1999-09-28 2002-10-23 住友重机械工业株式会社 激光钻孔的加工方法及其加工装置
US6340822B1 (en) * 1999-10-05 2002-01-22 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising vertically nano-interconnected circuit devices and method for making the same
WO2001027998A1 (en) * 1999-10-11 2001-04-19 Koninklijke Philips Electronics N.V. Integrated circuit
US6335539B1 (en) * 1999-11-05 2002-01-01 International Business Machines Corporation Method for improving performance of organic semiconductors in bottom electrode structure
US6284562B1 (en) 1999-11-17 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Thin film transistors
EP1103916A1 (de) 1999-11-24 2001-05-30 Infineon Technologies AG Chipkarte
US6621098B1 (en) * 1999-11-29 2003-09-16 The Penn State Research Foundation Thin-film transistor and methods of manufacturing and incorporating a semiconducting organic material
US6136702A (en) 1999-11-29 2000-10-24 Lucent Technologies Inc. Thin film transistors
US6197663B1 (en) * 1999-12-07 2001-03-06 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating integrated circuit devices having thin film transistors
EP1243035B1 (de) 1999-12-21 2016-03-02 Flexenable Limited Herstellung von leiterbahnen
KR100940110B1 (ko) * 1999-12-21 2010-02-02 플라스틱 로직 리미티드 잉크젯으로 제조되는 집적회로 및 전자 디바이스 제조 방법
JP2002162652A (ja) * 2000-01-31 2002-06-07 Fujitsu Ltd シート状表示装置、樹脂球状体、及びマイクロカプセル
US6706159B2 (en) * 2000-03-02 2004-03-16 Diabetes Diagnostics Combined lancet and electrochemical analyte-testing apparatus
DE10012204A1 (de) 2000-03-13 2001-09-20 Siemens Ag Einrichtung zum Kennzeichnen von Stückgut
EP1134694A1 (de) 2000-03-16 2001-09-19 Infineon Technologies AG Dokument mit integrierter elektronischer Schaltung
MXPA02009666A (es) 2000-03-28 2004-07-30 Inverness Medical Technology I Procedimiento continuo para fabricacion de sensor electroquimico desechable..
US6329226B1 (en) * 2000-06-01 2001-12-11 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabricating a thin-film transistor
DE10033112C2 (de) 2000-07-07 2002-11-14 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung und Strukturierung organischer Feldeffekt-Transistoren (OFET), hiernach gefertigter OFET und seine Verwendung
US6577798B2 (en) * 2000-07-18 2003-06-10 Reveo, Inc. Method for producing non-linear optical organic crystal film
WO2002015264A2 (de) * 2000-08-18 2002-02-21 Siemens Aktiengesellschaft Verkapseltes organisch-elektronisches bauteil, verfahren zu seiner herstellung und seine verwendung
DE10120687A1 (de) 2001-04-27 2002-10-31 Siemens Ag Verkapseltes organisch-elektronisches Bauteil, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung
JP2002068324A (ja) 2000-08-30 2002-03-08 Nippon Sanso Corp 断熱容器
DE10043204A1 (de) 2000-09-01 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Feld-Effekt-Transistor, Verfahren zur Strukturierung eines OFETs und integrierte Schaltung
DE10045192A1 (de) 2000-09-13 2002-04-04 Siemens Ag Organischer Datenspeicher, RFID-Tag mit organischem Datenspeicher, Verwendung eines organischen Datenspeichers
DE10047171A1 (de) 2000-09-22 2002-04-18 Siemens Ag Elektrode und/oder Leiterbahn für organische Bauelemente und Herstellungverfahren dazu
KR20020036916A (ko) * 2000-11-11 2002-05-17 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이에 의해 제조된 반도체소자
DE10058559A1 (de) 2000-11-24 2002-05-29 Interactiva Biotechnologie Gmb System zur Abwicklung eines Warentransfers und Warenvorrats-Behälter
KR100390522B1 (ko) * 2000-12-01 2003-07-07 피티플러스(주) 결정질 실리콘 활성층을 포함하는 박막트랜지스터 제조 방법
DE10061297C2 (de) 2000-12-08 2003-05-28 Siemens Ag Verfahren zur Sturkturierung eines OFETs
US6767807B2 (en) 2001-03-02 2004-07-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method for producing organic thin film device and transfer material used therein
DE10117663B4 (de) 2001-04-09 2004-09-02 Samsung SDI Co., Ltd., Suwon Verfahren zur Herstellung von Matrixanordnungen auf Basis verschiedenartiger organischer leitfähiger Materialien
US20020170897A1 (en) * 2001-05-21 2002-11-21 Hall Frank L. Methods for preparing ball grid array substrates via use of a laser
EP1393389B1 (de) 2001-05-23 2018-12-05 Flexenable Limited Musterung von anordnungen mittels laser
US6870180B2 (en) * 2001-06-08 2005-03-22 Lucent Technologies Inc. Organic polarizable gate transistor apparatus and method
US6433359B1 (en) * 2001-09-06 2002-08-13 3M Innovative Properties Company Surface modifying layers for organic thin film transistors
JP2003089259A (ja) * 2001-09-18 2003-03-25 Hitachi Ltd パターン形成方法およびパターン形成装置
US7351660B2 (en) * 2001-09-28 2008-04-01 Hrl Laboratories, Llc Process for producing high performance interconnects
US6946332B2 (en) * 2002-03-15 2005-09-20 Lucent Technologies Inc. Forming nanoscale patterned thin film metal layers
DE10219905B4 (de) 2002-05-03 2011-06-22 OSRAM Opto Semiconductors GmbH, 93055 Optoelektronisches Bauelement mit organischen funktionellen Schichten und zwei Trägern sowie Verfahren zur Herstellung eines solchen optoelektronischen Bauelements
US6812509B2 (en) * 2002-06-28 2004-11-02 Palo Alto Research Center Inc. Organic ferroelectric memory cells
US6870183B2 (en) * 2002-11-04 2005-03-22 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked organic memory devices and methods of operating and fabricating
ATE354182T1 (de) 2002-11-19 2007-03-15 Polyic Gmbh & Co Kg Organische elektronische schaltung mit stukturierter halbleitender funktionsschicht und herstellungsverfahren dazu

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007037069A1 (de) 2007-08-06 2009-02-19 Leonhard Kurz Gmbh & Co. Kg Elektronisches Bauteil und Verfahren zu seiner Herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
US20050224787A1 (en) 2005-10-13
US7709865B2 (en) 2010-05-04
DE10226370B4 (de) 2008-12-11
WO2003107450A1 (de) 2003-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602005004752T2 (de) Organischer Dünnfilmtransistor welcher einen dünnen Fluoropolymerfilm enthält
DE60214875T2 (de) Organischer dünnfilmtransistor mit siloxanpolymergrenzfläche
DE10219121A1 (de) Siliziumpartikel als Additive zur Verbesserung der Ladungsträgermobilität in organischen Halbleitern
DE10328811B4 (de) Verbindung zur Bildung einer selbstorganisierenden Monolage, Schichtstruktur, Halbleiterbauelement mit einer Schichtstruktur und Verfahren zur Herstellung einer Schichtstruktur
DE112009001881T5 (de) Verfahren zur Herstellung von organischen Dünnschichttransistoren unter Verwendung eines laserinduzierten thermischen Transferdruckprozesses
DE602004002549T2 (de) Zusammensetzung zur Herstellung eines organischen und isolierenden Filmes sowie der daraus hergestellte Film
DE102012200896A1 (de) Elektronisches Bauelement
DE19937262A1 (de) Anordnung mit Transistor-Funktion
DE112011104381T5 (de) Halbleitermischung
WO2004004022A1 (de) Verringerung des kontaktwiderstandes in organischen feldeffekttransistoren mit palladiumkontakten durch verwendung von nitrilen und isonitrilen
DE112013003089T5 (de) Verfahren zur Herstellung einer halbleitenden Schicht
DE112014001248T5 (de) Organische halbleitende Mischung
DE10226370B4 (de) Substrat für ein elektronisches Bauteil, Verwendung des Substrates, Verfahren zur Erhöhung der Ladungsträgermobilität und Organischer Feld-Effekt Transistor (OFET)
DE102011087561B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung und dielektrische Zusammensetzungen
DE10131669A1 (de) Herstellung von organischen Halbleitern mit hoher Ladungsträgermobilität durch pi-konjugierte Vernetzungsgruppen
DE10209400A1 (de) Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung sowie Verfahren zur Herstellung einer Transponderschaltung mit einer Gleichrichterschaltung
WO2003038921A1 (de) Isolator für ein organisches elektronikbauteil
DE10234997C1 (de) Verringerung des Kontaktwiderstandes in organischen Feldeffekttransistoren mit Palladiumkontakten durch Verwendung von Phosphinen und metallhaltigen Phosphinen
WO2004058740A1 (de) Amino-substituierte oligothiophene als organische halbleitermaterialien
EP1563554B1 (de) Organisches elektronisches bauelement mit gleichem organischem material für zumindest zwei funktionsschichten
WO2005001952A1 (de) Verbindung zur bildung einer selbstorganisierenden monolage, eine schichtstruktur, ein halbleiterbauelement und ein verfahren zur herstellung einer schichtstruktur
DE10340609A1 (de) Polymerformulierung und Verfahren zur Herstellung einer Dielektrikumsschicht
DE102017124800A1 (de) Dielektrikum für elektronische Bauelemente
WO2005069399A1 (de) Organischer transistor mit selbstjustierender gate-elektrode und verfahren zu dessen herstellung
DE102004059396B3 (de) Integrierte Schaltung aus vorwiegend organischem Material

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: POLYIC GMBH & CO. KG, 91052 ERLANGEN, DE

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: POLYIC GMBH & CO. KG, 91052 ERLANGEN, DE

8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: POLYIC GMBH & CO.KG, 90763 FUERTH, DE

8364 No opposition during term of opposition
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20150101