DE10219514A1 - Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie - Google Patents

Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie

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Wolfgang Singer
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Abstract

Ein Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie mit einem Projektionsobjektiv zur Herstellung von Halbleiterelementen für Wellenlängen 193 nm ist mit einer Lichtquelle (1), mit einer Objektebene (12), mit einer Austrittspupille (15) und mit einem ersten optischen Element (5) mit ersten Rasterelementen (6) zur Erzeugung von Lichtkanälen und mit einem zweiten optischen Element (7) mit zweiten Rasterelementen (8) versehen. Jedem Lichtkanal, der von einem der ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) ausgebildet wird, ist ein Rasterelement (8) des zweiten optischen Elementes (7) zugeordnet. Die Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) und des zweiten optischen Elementes (7) können derart ausgestaltet oder angeordnet werden, daß sie für jeden Lichtkanal einen durchgehenden Strahlverlauf von der Lichtquelle (1) bis zur Objektebene (12) ergibt. Die ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) sind zur Änderung eines Kippens winkelverstellbar. Die zweiten Rasterelemente (8) des zweiten optischen Elementes (7) können einzeln und unabhängig voneinander im Ort und/oder im Winkel verstellt werden, um durch Verschieben und/oder Kippen der ersten und zweiten Rasterelemente (8) eine andere Zuordnung der ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Rasterelementen (8) des zweiten optischen Elementes (7) zu realisieren.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie mit einem Projektionsobjektiv zur Herstellung von Halbleiterelementen für Wellenlängen 193 nm, mit einer Lichtquelle, mit einer Objektebene, mit einer Austrittspupille, mit einem ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen zur Erzeugung von Lichtkanälen und mit einem zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen, wobei jedem Lichtkanal der von einem der ersten Rasterelemente des ersten optischen Elementes ausgebildet wird, ein Rasterelement des zweiten optischen Elementes zugeordnet ist, wobei die Rasterelemente des ersten optischen Elementes und des zweiten optischen Elementes derart ausgestaltet oder angeordnet werden können, daß sich für jeden Lichtkanal ein durchgehender Strahlverlauf von der Lichtquelle bis zur Objektebene ergibt.
  • Die Erfindung betrifft auch eine Projektionsbelichtungsanlage mit einem derartigen Beleuchtungssystem.
  • Zur Reduzierung der Strukturbreiten von elektronischen Bauteilen, insbesondere von Halbleiterelementen, soll die Wellenlänge des für die Mikrolithographie eingesetzten Lichtes immer weiter verringert werden. In der Lithographie werden z. Zt. bereits Wellenlängen von ≤ 193 nm verwendet.
  • Ein für die EUV-Lithographie geeignetes Beleuchtungssystem soll dabei mit möglichst wenigen Reflektionen das für die EUV- Lithographie vorgegebene Feld, insbesondere das Ringfeld eines Objektives homogen, d. h. uniform ausleuchten. Außerdem soll die Pupille des Objektives feldunabhängig bis zu einem bestimmten Füllgrad σ ausgeleuchtet werden und die Austrittspupille des Beleuchtungssystems in der Eintrittspupille des Objektivs liegen.
  • Zum allgemeinen Stand der Technik wird auf die US 5,339,346, die US 5,737,137, die US 5,361,292 und die US 5,581,605 verwiesen.
  • Die EP 0 939 341 zeigt ein Beleuchtungssystem für den EUV- Bereich mit einem ersten optischen Integrator, der eine Vielzahl von ersten Rasterelementen aufweist, und einem zweiten optischen Integrator, der eine Vielzahl von zweiten Rasterelementen aufweist. Die Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille erfolgt dabei über ein Blendenrad. Die Verwendung eines Blendenrades ist jedoch mit deutlichen Lichtverlusten verbunden. Weitere vorgeschlagene Lösungen, wie z. B. eine Quadrupol-Beleuchtungsverteilung und unterschiedlich anwendbare Ausleuchtungne über Wechseloptiken sind jedoch zum einen sehr aufwendig und zum anderen auf bestimmten Arten der Ausleuchtung beschränkt.
  • In der DE 199 03 807 A1 ist ein EUV-Beleuchtungssystem beschrieben, das unter anderem zwei Spiegel mit Rasterelementen umfaßt. Derartige Systeme werden auch als doppelt facettierte EUV-Beleuchtungssysteme bezeichnet. Die Ausleuchtung der Austrittspupille wird dabei durch die. Anordnung der Rasterelemente auf dem zweiten Spiegel bestimmt. Die Ausleuchtung in der Austrittspupille bzw. eine Beleuchtungsverteilung ist dabei festgelegt.
  • In der älteren deutschen Patentanmeldung 100 53 587.9 ist ein Beleuchtungssystem beschrieben, wobei durch entsprechende Zuordnungen der Rasterelemente des ersten und des zweiten optischen Elementes eine vorgegebene Ausleuchtung in der Austrittspupille des Beleuchtungssystems eingestellt werden kann. Mit einem derartigen Beleuchtungssystem kann das Feld in der Retikelebene homogen und mit partiell gefüllter Apertur sowie die Austrittspupille des Beleuchtungssystems variabel ausgeleuchtet werden. Die variable Einstellung einer beliebigen Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille erfolgt dabei weitgehend ohne Lichtverluste.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Beleuchtungssystem zu schaffen, mit welchem die Grundidee der älteren Patentanmeldung durch konstruktive Lösungen in der Praxis realisierbar ist.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe dadurch gelöst, daß die ersten Rasterelemente des ersten optischen Elementes zur Änderung eines Kippes winkelverstellbar sind. Zusätzlich können auch die zweiten Rasterelemente des zweiten optischen Elementes einzeln und unabhängig voneinander im Ort und/oder im Winkel verstellbar sein, um durch Verschieben und/oder Kippen der ersten und zweiten Rasterelemente eine andere Zuordnung der ersten Rasterelemente des ersten optischen Elementes zu den zweiten Rasterelementen des zweiten optischen Elementes zu realisieren.
  • Durch ein entsprechendes Verschieben und/oder Verkippen der Rasterelemente lassen sich nun Lichtkanäle in variablen Ausgestaltungen erreichen.
  • Damit sich die einzelnen Strahlenbündel von Feldwaben als Rasterelemente im Feld wieder überlappen, können Pupillenwaben als Rasterelemente in Bezug auf eine Pupillenwabenplatte bzw. deren Spiegelträger geneigt bzw. entsprechend verkippt werden. Als Feldwaben und als Pupillenwaben sind besonders Spiegelfacetten geeignet.
  • Ist dabei das System als System mit reellen Zwischenbildern der Lichtquelle hinter der Feldwabenplatte bzw. dem Spiegelträger des ersten optischen Elementes aufgebaut, so können die Pupillenwaben gleichzeitig als Feldlinsen für die gekoppelte Ausbildung der Lichtquelle in die Eintrittspupille des Lithographieobjektives bzw. Projektionsobjektives dienen.
  • Wenn in einer vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung die Anzahl M der zweiten Rasterelemente (Pupillenwaben) der Pupillenwabenplatte bzw. des Spiegelträgers stets größer als N ist, wobei N die Anzahl der Kanäle ist, die durch die Anzahl der ausgeleuchteten ersten Rasterelemente (Feldwaben) bestimmt wird, können variable Ausleuchtungen in der Austrittspupille vorgehalten werden. Mit anderen Worten: in diesem Falle wird man mehr Pupillenwaben bzw. Spiegelfacetten an dem zweiten optischen Element vorsehen, als es für die Anzahl der von den ersten Rasterelementen des ersten optischen Elementes erzeugten Lichtkanäle erforderlich wäre. Bei einem bestimmten Setting mit einer bestimmten Feldwabe mit N Kanälen ist somit jeweils nur ein Teil der Pupillenwaben ausgeleuchtet. Dies führt somit zu einer segmentierten oder parzellierten Ausleuchtung der Pupillenwaben.
  • Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den übrigen Unteransprüchen und aus den nachfolgend anhand der Zeichnung prinzipmäßig beschriebenen Ausführungsbeispielen.
  • Es zeigt:
  • Fig. 1 einen Aufbau eines EUV-Beleuchtungssystemes mit einer Lichtquelle, einem Beleuchtungssystem und einem Projektionsobjektiv;
  • Fig. 2 eine Prinzipskizze des Strahlenganges mit zwei Spiegeln mit Rasterelementen in Form von Spiegelfacetten und einer Kollektoreinheit;
  • Fig. 3 eine Prinzipskizze eines anderen Strahlenganges mit zwei Spiegeln mit Rasterelementen in Form von Spiegelfacetten und einer Kollektoreinheit;
  • Fig. 4 eine Draufsicht auf das erste optische Element in Form einer Feldwabenplatte (Spiegelträger) mit einer Vielzahl von Spiegelfacetten;
  • Fig. 5 eine Draufsicht auf das zweite optische Element in Form einer Pupillenwabenplatte als Spiegelträger mit einer Vielzahl von Spiegelfacetten bei kreisförmiger Ausleuchtung;
  • Fig. 6 eine Draufsicht auf das zweite optische Element in Form einer Pupillenwabenplatte mit einer Vielzahl von Spiegelfacetten bei ringförmiger Ausleuchtung;
  • Fig. 7 eine Draufsicht auf eine Pupillenwabenplatte;
  • Fig. 8 einen Schnitt nach der Linie VIII-VIII der Fig. 7;
  • Fig. 9 eine Draufsicht auf eine Pupillenwabenplatte, die als Steuerscheibe ausgebildet ist;
  • Fig. 10 einen Schnitt nach der Linie X-X der Fig. 9;
  • Fig. 11 eine vergrößerte Darstellung einer Spiegelfacette mit einem Festkörpergelenk im Schnitt;
  • Fig. 12 eine Draufsicht auf die Spiegelfacette nach der Fig. 11;
  • Fig. 13 eine vergrößerte Darstellung einer Spiegelfacette mit einer anderen Lagerungsart im Schnitt; und
  • Fig. 14 eine Draufsicht auf die Spiegelfacette nach Fig. 13.
  • Die Fig. 1 zeigt in einer Übersichtsdarstellung eine EUV- Projektionsbelichtungsanlage mit einem kompletten EUV- Beleuchtungssystem mit einer Lichtquelle 1, z. B. Laser-Plasma, Plasma oder Pinch-Plasma-Quelle oder auch einer anderen EUV- Lichtquelle, und einem nur prinzipmäßig dargestellten Projektionsobjektiv 2. Außer der Lichtquelle 1 ist in dem Beleuchtungssystem ein Kollektorspiegel 2, der z. B. aus mehreren ineinander angeordneten Schalen bestehen kann, ein Planspiegel 3 oder reflektiver Spektralfilter, eine Blende 4 mit einem Bild der Lichtquelle (nicht bezeichnet), ein erstes optisches Element 5 mit einer Vielzahl von Facettenspiegeln 6 (siehe Fig. 2 und 3), ein nachfolgend angeordnetes zweites optisches Element 7mit einer Vielzahl von Rasterelementen 8 in Form von Facettenspiegeln und zwei Abbildungsspiegel 9a und 9b angeordnet. Die Abbildungsspiegel 9a und 9b dienen dazu, die Facettenspiegel 8 des zweiten optischen Elementes 7 in eine Eintrittspupille des Projektionsobjektives 2 abzubilden. Das Retikel 12 kann als Scanning-System in y-Richtung verfahrbar sein. Die Retikelebene 11 stellt auch gleichzeitig die Objektebene dar.
  • Um unterschiedliche Lichtkanäle zur Setting-Einstellung in den Strahlengang des Beleuchtungssystems zu verbringen, ist beispielsweise eine größere Anzahl M an Spiegelfacetten 8 des zweiten optischen Elementes 7 vorhanden als es der Anzahl N der Spiegelfacetten 6 des ersten optischen Elementes 5 entspricht. In der Fig. 1 sind die Spiegelfacetten aus Übersichtlichkeitsgründen nicht dargestellt. Die Spiegelfacetten 6 des ersten optischen Elementes 5 sind jeweils einzeln im Winkel verstellbar, während die Spiegelfacetten 8 des zweiten optischen Elementes 7 sowohl im Winkel als auch im Ort verstellbar sind. In den nachfolgend erläuterten Fig. 7 bis 14 sind Einzelheiten hierzu beschrieben und dargestellt. Durch die kippbare Anordnung und die Verschiebbarkeit der Spiegelfacetten 6 und 8 können unterschiedliche Strahlengänge und somit unterschiedliche Lichtkanäle zwischen dem ersten optischen Element 5 und dem zweiten optischen Element 7 geschaffen werden.
  • Das nachfolgende Projektionsobjektiv 2 kann als ein Sechs-Spiegel-Projektionsobjektiv ausgebildet sein. Als zu belichtendes Objekt befindet sich auf einer Trägereinheit 13 ein Wafer 14.
  • Durch die Einstellbarkeit der Spiegelfacetten 6 und 8 lassen sich unterschiedliche Settings in einer Austrittspupille 15 des Beleuchtungssystems, die gleichzeitig eine Eintrittspupille des Projektionsobjektives 2 bildet, realisieren.
  • In den Fig. 2 und 3 sind prinzipmäßig unterschiedliche Lichtkanäle durch unterschiedliche Lagen und Winkel der Spiegelfacetten 6 und 8 der beiden optischen Elemente 5 und 7 dargestellt. Das Beleuchtungssystem ist dabei gegenüber der Darstellung in Fig. 1 vereinfacht angegeben (z. B. bezüglich der Lage der optischen Elemente 5 und 7 und mit nur einem Abbildungsspiegel 9).
  • Dabei zeigt die Darstellung in der Fig. 2 einen größeren Füllfaktor σ.
  • Für σ = 1,0 ist die Objektivpupille vollständig gefüllt; σ = 0,6 bedeutet entsprechend eine Unterfüllung.
  • Dargestellt ist bei den Fig. 2 und 3 der Strahlengang von der Lichtquelle 1 über das Retikel 12 bis zur Eintrittspupille 15.
  • Die Fig. 4 zeigt eine Draufsicht auf einen Spiegelträger 16 des ersten optischen Elementes 5 mit einer Vielzahl von Rasterelementen in Form von Spiegelfacetten 6. Dargestellt sind 142 einzeln verstellbare Spiegelfacetten 6 als Feldwaben in Rechteckform, die in Blöcken in einem von dem genesteten Kollektorspiegel 2 ausgeleuchteten Bereich angeordnet sind. Die Spiegelfacetten 6 können jeweils einzeln bezüglich ihres Winkels verstellt werden. Spiegelfacetten 8 des zweiten optischen Elementes 7 können zusätzlich noch untereinander und im Bedarfsfalle auch unabhängig voneinander verschoben werden.
  • Die Fig. 5 zeigt eine Draufsicht auf einen Spiegelträger 16 bzw. eine Pupillenwabenplatte des zweiten optischen Elementes 7, wobei die Lichtkanäle ein kreisförmiges Setting ergeben.
  • Fig. 6 zeigt eine Draufsicht auf einen Spiegelträger 16 des zweiten optischen Elementes 7 mit Spiegelfacetten in einem ringförmigen bzw. annularen Setting. Eine weiter Möglichkeit besteht in einem bekannten Quadrupol-Setting (nicht dargestellt). In den Fig. 5 und 6 sind die ausgeleuchteten Spiegelfacetten jeweils dunkel dargestellt.
  • Die Fig. 7 zeigt eine Draufsicht auf den Spiegelträger 16 des zweiten optischen Elementes 7, wobei der Spiegelträger 16 als Führungsscheibe ausgebildet ist. Der Spiegelträger 16 bzw. die Führungsscheibe ist mit einer Vielzahl von Führungsnuten 17 (aus Übersichtlichkeitsgründen ist in der Fig. 7 nur eine Führungsnut 17 dargestellt) versehen, in welchen jeweils eine kreisförmige Spiegelfacette 8 geführt ist. Die Führungsnuten 17 verlaufen im wesentlichen radial bzw. leicht gebogen dazu. Der Verlauf der Führungsnuten 17 richtet sich nach dem jeweiligen Anwendungsfall und nach der gewünschten Verschieberichtung der Spiegelfacetten 8.
  • Unter dem Spiegelträger 16 bzw. der Führungsscheibe ist parallel und anliegend dazu eine Steuerscheibe 18 angeordnet, die ebenfalls mit einer den Führungsnuten 17 und damit den Spiegelfacetten 8 entsprechenden Anzahl von Steuernuten 19 versehen ist. Jede Spiegelfacette 8 ist somit in einer Führungsnut 17 und in einer Steuernut 19 geführt. Wird die Steuerscheibe 18 durch eine nicht dargestellte Antriebseinrichtung in Pfeilrichtung 20 der Fig. 7 bewegt, so bewegen sich die Spiegelfacetten 8 entlang der Führungsnut 17 radial nach innen oder außen. Durch diese Verschiebung ändern sich die Zuordnungen der Lichtkanäle und damit die Ausleuchtung. Dies bedeutet, durch Verdrehen der Steuerscheibe 18 relativ zur Führungsscheibe 16 wird im Kreuzungspunkt der beiden Nuten 17 und 19 die dazugehörige Spiegelfacette 8 entlang der dazugehörigen Führungsnut 17 verschoben.
  • Die Fig. 9 und 10 zeigen eine Ausgestaltung zur Verschiebung der Spiegelfacetten 8 des zweiten optischen Elementes 7 jeweils in einer Führungsnut 17 des Spiegelträgers 16, wobei jeweils eine Antriebseinrichtung 21 (in der Fig. 9 und 10 nur im Prinzip und gestrichelt dargestellt) vorgesehen ist. In diesem Falle besitzt jede Spiegelfacette 8 ihren eigenen Antrieb in der dazugehörigen Führungsnut 17, wobei der Antrieb z. B. nach dem bekannten Piezo-Inch-Worm-Prinzip erfolgen kann.
  • Selbstverständlich sind für diesen Zweck auch noch andere Antriebseinrichtungen möglich, durch die die Spiegelfacetten 8jeweils einzeln verstellt werden können. Anstelle einer Anordnung der Antriebseinrichtung jeweils direkt in einer Führungsnut 17 kann diese selbstverständlich im Bedarfsfalle auch unabhängig davon unter bzw. hinter dem Spiegelträger 16 angeordnet sein.
  • In den Fig. 11 und 12 ist im Schnitt und in der Draufsicht eine vergrößerte Darstellung einer Spiegelfacette 6 des ersten optischen Elementes 5 dargestellt, welche durch ein Gelenk 22, das als Festkörpergelenk ausgebildet ist, mit dem Spiegelträger 16 des ersten optischen Elementes 5 verbunden ist. Dabei können alle Teile einstückig sein oder jede Spiegelfacette 6 weist einen zentralen Steg als Gelenk 22 auf, über welchem die Verbindung mit dem darunterliegenden Spiegelträger 16 erfolgt.
  • Durch nicht näher dargestellte Aktuatoren 23, die sich zwischen dem Spiegelträger 16 und der Unterseite jeder Spiegelfacette 6 befinden, kann jede Spiegelfacette 6 gegenüber dem Spiegelträger 16 gekippt werden. Aus der Draufsicht gemäß Fig. 12 ist ersichtlich, daß durch einen Aktuator 23, der sich auf der y- Achse befindet, und einen weiteren Aktuator 23, der sich auf der x-Achse befindet, Kippmöglichkeiten in beide Richtungen gegeben sind. Dabei befinden sich die beiden Aktuatoren 23 jeweils auf der ihr zugehörigen Achse außerhalb des Achsenschnittpunktes.
  • Da die Verstellung bzw. Kippung jeder Spiegelfacette 6 nur in einem sehr geringen Maße stattfindet, können als Aktuatoren 23 z. B. piezokeramische Elemente verwendet werden.
  • In den Fig. 13 und 14 ist eine Ausgestaltung dargestellt, durch die größere Kippungen für die Spiegelfacetten 6 ermöglicht werden. Wie aus Fig. 13 ersichtlich ist, befindet sich in diesem Falle zwischen der Spiegelfacette 6 und dem Spiegelträger 16 ein zentrales Kippgelenk bzw. Kipplager 24. Auch hier sorgen Aktuatoren 23 für Verkippungen der Spiegelfacette 6 sowohl in x- als auch in y-Richtung. Hierzu befinden sich in diesem Falle zwei auf Abstand voneinander angeordnete Aktuatoren 23 auf der y-Achse außerhalb des Schnittpunktes der beiden Achsen und zwei weitere Aktuatoren 23 außerhalb der y-Achse beidseitig in gleichem Abstand von der x-Achse (siehe Fig. 14).
  • Durch die in den Fig. 11 bis 14 dargestellten Kippeinrichtungen lassen sich nicht nur die Spiegelfacetten 6 des ersten optischen Elementes 5 sondern auch die Spiegelfacetten 8 des zweiten optischen Elementes 7 beliebig und unabhängig voneinander verstellen.
  • Im Unterschied zu den Spiegelfacetten 6 des ersten optischen Elementes 5, die eine langgezogene bzw. schmale Rechteckform aufweisen, besitzen die Spiegelfacetten 8 des zweiten optischen Elementes 7 eine Kreisform. Dieser Unterschied hat jedoch keinen Einfluß auf die Art bzw. Wirkungsweise der in den Fig. 11 bis 14 dargestellten Kippeinrichtungen.
  • Grundsätzlich lassen sich die Spiegelfacetten 6 des ersten optischen Elementes ebenfalls in gleicher Weise verschieben, wie in den Fig. 7 bis 10 dargestellt, aber in der Praxis wird dies im allgemeinen nicht erforderlich sein; vielmehr werden reine Kippeinstellungen in der Regel ausreichend sein.
  • Als Aktuatoren 23 sind auch magnetisch oder elektrisch aktivierbare Betätigungsglieder möglich. Die Aktuatoren 23 können dabei über einen Regelkreis (nicht dargestellt) stufenlos die Spiegelfacetten 6 bzw. 8 verstellen. Ebenso ist es auch möglich für die Aktuatoren Endpositionen festzulegen, womit für die Spiegelfacetten 6 bzw. 8 jeweils zwei exakte Kippstellungen vorgegeben sind.

Claims (27)

1. Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie mit einem Projektionsobjektiv zur Herstellung von Halbleiterelementen für Wellenlängen 193 nm, mit einer Lichtquelle, mit einer Objektebene, mit einer Austrittspupille, mit einem ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen zur Erzeugung von Lichtkanälen und mit einem zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen, wobei jedem Lichtkanal der von einem der ersten Rasterelemente des ersten optischen Elementes ausgebildet wird, ein Rasterelement des zweiten optischen Elementes zugeordnet ist, und wobei die Rasterelemente des ersten optischen Elementes und des zweiten optischen Elementes derart ausgestaltet oder angeordnet werden können, daß sich für jeden Lichtkanal ein durchgehender Strahlverlauf von der Lichtquelle bis zur Objektebene ergibt, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zur Änderung eines Kippes winkelverstellbar sind, um durch Kippen der ersten Rasterelemente (8) eine andere Zuordnung der ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Rasterelementen (8) des zweiten optischen Elementes (7) zu realisieren.
2. Beleuchtungssystem nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl M der zweiten Rasterelemente (8) des zweiten optischen Elementes (7) größer ist als die Anzahl N der Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5).
3. Beleuchtungssystem nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Rasterelemente (8) des zweiten optischen Elementes (7) einzeln und unabhängig voneinander im Ort und/oder im Winkel verstellbar sind, um durch Verschieben und/oder Kippen der ersten und zweiten Rasterelemente (8) eine andere Zuordnung der ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Rasterelementen (8) des zweiten optischen Elementes (7) zu realisieren.
4. Beleuchtungssystem nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Rasterelemente als Feldwaben in Form von ersteh Spiegelfacetten (6) ausgebildet sind und daß die zweiten Rasterelemente als Pupillenwaben in Form von zweiten Spiegelfacetten (8) ausgebildet sind, wobei die ersten Spiegelfacetten (6) und die zweiten Spiegelfacetten (8) jeweils auf einem Spiegelträger (16) angeordnet sind.
5. Beleuchtungssystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtkanäle zwischen den Spiegelfacetten (6, 8) des ersten und des zweiten optischen Elementes (5, 7) durch Verkippen der Spiegelfacetten (6) des ersten optischen Elementes (5) in Bezug auf den Spiegelträger (16) einstellbar sind, um so unterschiedliche Zuordnungen der ersten Spiegelfacetten (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Spiegelfacetten (8) des zweiten optischen Elementes (7) und damit unterschiedliche Ausleuchtungen der Austrittspupille (15) zu realisieren.
6. Beleuchtungssystem nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtkanäle zwischen den ersten Spiegelfacetten (6) des ersten optischen Elementes (5) und den zweiten Spiegelfacetten (8) des zweiten optischen Elementes (7) durch Verkippen und Verschieben der zweiten Spiegelfacetten (8) des zweiten optischen Elementes (7) in Bezug auf den Spiegelträger (16) einstellbar sind.
7. Beleuchtungssystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Spiegelfacetten (6, 8) des ersten optischen Elementes (5) und/oder des zweiten optischen Elementes (7) jeweils über ein Gelenk (22) mit dem dazugehörigen Spiegelträger (16) verbunden sind.
8. Beleuchtungssystem nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Gelenke (22) als Festkörpergelenke ausgebildet sind.
9. Beleuchtungssystem nach Anspruch 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Spiegelfacetten (6, 8) in x-Richtung und/oder in y-Richtung kippbar sind.
10. Beleuchtungssystem nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß sich die Gelenke (22) jeweils auf der x-Achse und/oder der y-Achse der Spiegelfacetten (6, 8) befinden.
11. Beleuchtungssystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß zum Verschieben und/oder Kippen der Spiegelfacetten (6, 8) Aktuatoren (23) zwischen den Rasterelementen (6, 8) und dem Spiegelträger (16) angeordnet sind.
12. Beleuchtungssystem nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Aktuatoren (23) piezokeramische Verstellglieder aufweisen.
13. Beleuchtungssystem nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Aktuatoren (23) mit magnetisch oder elektrisch aktivierbaren Betätigungsgliedern versehen sind.
14. Beleuchtungssystem nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Aktuatoren (23) über einen Regelkreis stufenlos die Rasterelemente (6, 8) verstellen.
15. Beleuchtungssystem nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß für die Aktuatoren (23) Endpositionen festgelegt sind.
16. Beleuchtungssystem nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Spiegelfacetten (6, 8) auf vorgegebenen Bahnen verschiebbar sind.
17. Beleuchtungssystem nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Spiegelträger (16) Kurvenbahnen eingebracht sind, in denen die Spiegelfacetten (6, 8) jeweils einzeln geführt sind.
18. Beleuchtungssystem nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Spiegelträger (16) als Führungsscheibe ausgebildet ist, die mit einer Steuerscheibe (18) zusammenwirkt, in welcher Führungsbahnen (19) zur Verschiebung der Spiegelfacetten (6, 8) angeordnet sind.
19. Beleuchtungssystem nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Steuerscheibe (18) angetrieben ist.
20. Beleuchtungssystem nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß jede Spiegelfacette (6, 8) in einer Kurvenbahn des Spiegelträgers (16) geführt und daß jede Spiegelfacette (6, 8) einzeln durch ein Antriebsglied antreibbar ist.
21. Beleuchtungssystem nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß die Antriebseinrichtung (21) jeweils in einer Kurvenbahn angeordnet ist und jede Spiegelfacette (6, 8) einzeln nach dem Inch-Worm-Prinzip bewegt wird.
22. Projektionsbelichtunganlage für die Mikrolithograhpie zur Herstellung von Halbleiterelementen mit einem Beleuchtungssystem und mit einem Projektionsobjektiv, insbesondere für Wellenlängen ≤ 193 nm, mit einer Lichtquelle, mit einer Objektebene, mit einer Austrittspupille, mit einem ersten optischen Element mit ersten Rasterelementen zur Erzeugung von Lichtkanälen und mit einem zweiten optischen Element mit zweiten Rasterelementen, wobei jedem Lichtkanal der von einem der ersten Rasterelemente des ersten optischen Elementes ausgebildet wird, ein Rasterelement des zweiten optischen Elementes zugeordnet ist, und wobei die Rasterelemente des ersten optischen Elementes und des zweiten optischen Elementes derart ausgestaltet oder angeordnet werden können, daß sich für jeden Lichtkanal ein durchgehender Strahlverlauf von der Lichtquelle bis zur Objektebene ergibt, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zur Änderung eines Kippes winkelverstellbar sind, um durch Kippen der ersten Rasterelemente (8) eine andere Zuordnung der ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Rasterelementen (8) des zweiten optischen Elementes (7) zu realisieren.
23. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 22, dadurch gekennzeichnet, daß die Anzahl M der zweiten Rasterelemente (8) des zweiten optischen Elementes (7) größer ist als die Anzahl N der Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5).
24. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 22 oder 23, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten Rasterelemente (8) des zweiten optischen Elementes (7) einzeln und unabhängig voneinander im Ort und/oder im Winkel verstellbar sind, um durch Verschieben und/oder Kippen der ersten und zweiten Rasterelemente (8) eine andere Zuordnung der ersten Rasterelemente (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Rasterelementen (8) des zweiten optischen Elementes (7) zu realisieren.
25. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 24, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Rasterelemente als Feldwaben in Form von ersten Spiegelfacetten (6) ausgebildet sind und daß die zweiten Rasterelemente als Pupillenwaben in Form von zweiten Spiegelfacetten (8) ausgebildet sind, wobei die ersten Spiegelfacetten (6) und die zweiten Spiegelfacetten (8) jeweils auf einem Spiegelträger (16) angeordnet sind.
26. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtkanäle zwischen den Spiegelfacetten (6, 8) des ersten und des zweiten optischen Elementes (5, 7) durch Verkippen der Spiegelfacetten (6) des ersten optischen Elementes (5) in Bezug auf den Spiegelträger (16) einstellbar sind, um so unterschiedliche Zuordnungen der ersten Spiegelfacetten (6) des ersten optischen Elementes (5) zu den zweiten Spiegelfacetten (8) des zweiten optischen Elementes (7) und damit unterschiedliche Ausleuchtungen der Austrittspupille (15) zu realisieren.
27. Projektionsbelichtungsanlage nach Anspruch 25 oder 26, dadurch gekennzeichnet, daß die Lichtkanäle zwischen den ersten Spiegelfacetten (6) des ersten optischen Elementes (5) und den zweiten Spiegelfacetten (8) des zweiten optischen Elementes (7) durch Verkippen und Verschieben der zweiten Spiegelfacetten (8) des zweiten optischen Elementes (7) in Bezug auf den Spiegelträger (16) einstellbar sind.
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US10/512,100 US7196841B2 (en) 2002-04-30 2003-04-08 Lighting system, particularly for use in extreme ultraviolet (EUV) lithography
CN03809609.9A CN1650234A (zh) 2002-04-30 2003-04-08 特别用于极远紫外(euv)光刻术中的发光系统
AU2003227574A AU2003227574A1 (en) 2002-04-30 2003-04-08 Lighting system, particularly for use in extreme ultraviolet (euv) lithography
JP2004502061A JP2005524236A (ja) 2002-04-30 2003-04-08 特には極端紫外線(euv)リソグラフィに用いる、照明システム
PCT/EP2003/003616 WO2003093902A2 (de) 2002-04-30 2003-04-08 Beleuchtungssystem, insbesondere für die euv-lithographie

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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004019346A1 (de) * 2004-04-21 2005-11-10 Infineon Technologies Ag Blende, Belichtungsapparat und Verfahren zum Steuern der Blende in dem Belichtungsapparat
DE102006020734A1 (de) * 2006-05-04 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem
DE102011076658A1 (de) * 2011-05-30 2012-05-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102011076549A1 (de) * 2011-05-26 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102011076460A1 (de) * 2011-05-25 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik
DE102013206981A1 (de) 2013-04-18 2013-12-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel mit im Krümmungsradius einstellbaren Spiegel-Facetten und Verfahren hierzu
DE102013212363A1 (de) * 2013-06-27 2014-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel, insbesondere für die EUV-Projektionslithografie
DE102018207103A1 (de) * 2018-05-08 2019-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Feldfacettenspiegel
DE102020210771A1 (de) 2020-08-26 2021-08-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine projektionsbelichtungsanlage und projektionsbelichtungsanlage mit entsprechendem facettenspiegel sowie verfahren zum betrieb derselben
WO2022200294A1 (en) * 2021-03-22 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Facet system and lithography apparatus

Families Citing this family (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
JP4817702B2 (ja) * 2005-04-14 2011-11-16 キヤノン株式会社 光学装置及びそれを備えた露光装置
EP1938150B1 (de) * 2005-10-18 2011-03-23 Carl Zeiss SMT GmbH Kollektor für beleuchtungssysteme mit einer wellenlänge </= 193 nm
EP2020679A4 (de) * 2006-05-25 2011-04-13 Nikon Corp Optische beleuchtungsvorrichtung, belichtungsgerät und geräteherstellungsverfahren
US9250536B2 (en) 2007-03-30 2016-02-02 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
US8937706B2 (en) 2007-03-30 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
DE102007047446A1 (de) * 2007-10-04 2009-04-09 Carl Zeiss Smt Ag Optisches Element mit wenigstens einem elektrisch leitenden Bereich und Beleuchtungssystem mit einem solchen Element
DE102008013229B4 (de) * 2007-12-11 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
JP5487118B2 (ja) 2008-02-15 2014-05-07 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー マイクロリソグラフィのための投影露光装置に使用するファセットミラー
JP5074226B2 (ja) * 2008-02-16 2012-11-14 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置
DE102008000788A1 (de) * 2008-03-20 2009-09-24 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für eine Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlage
DE102008000967B4 (de) * 2008-04-03 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
DE102008049586A1 (de) * 2008-09-30 2010-04-08 Carl Zeiss Smt Ag Feldfacettenspiegel zum Einsatz in einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
DE102009045135A1 (de) * 2009-09-30 2011-03-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie
DE102009045694B4 (de) * 2009-10-14 2012-03-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Mikrolithographie sowie Beleuchtungssystem und Projektionsbelichtungsanlage mit einer derartigen Beleuchtungsoptik
DE102009054540B4 (de) * 2009-12-11 2011-11-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Mikrolithographie
DE102009054888A1 (de) 2009-12-17 2011-06-22 Carl Zeiss SMT GmbH, 73447 Optisches Element mit einer Mehrzahl von refletiven Facettenelementen
NL2005724A (en) 2009-12-23 2011-06-27 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
DE102011004615A1 (de) * 2010-03-17 2011-09-22 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die Projektionslithografie
JP5469778B2 (ja) * 2010-04-22 2014-04-16 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー 結像光学系及びそのような結像光学系を有するマイクロリソグラフィのための投影露光装置
DE102010029765A1 (de) 2010-06-08 2011-12-08 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithografie
JP5644416B2 (ja) * 2010-11-24 2014-12-24 株式会社ニコン 光学ユニット、光学系、露光装置、及びデバイスの製造方法
DE102011076145B4 (de) 2011-05-19 2013-04-11 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
DE102011086328A1 (de) 2011-11-15 2013-05-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel zum Einsatz zur Führung von Beleuchtungs- und Abbildungslicht in der EUV-Projektionslithografie
DE102012213368A1 (de) 2012-07-30 2013-12-05 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012220597A1 (de) * 2012-11-13 2014-05-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102012220596A1 (de) 2012-11-13 2014-05-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer Pupillenfacette eines Pupillenfacettenspiegels einer Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage zu einer Feldfacette eines Feldfacettenspiegels der Beleuchtungsoptik
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
US9448343B2 (en) 2013-03-15 2016-09-20 Kla-Tencor Corporation Segmented mirror apparatus for imaging and method of using the same
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9517963B2 (en) 2013-12-17 2016-12-13 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
KR102445217B1 (ko) 2014-07-08 2022-09-20 코닝 인코포레이티드 재료를 레이저 가공하는 방법 및 장치
CN104142613B (zh) * 2014-07-11 2016-08-17 广东工业大学 一种大面积数字光刻光学系统
KR20170028943A (ko) * 2014-07-14 2017-03-14 코닝 인코포레이티드 조정가능한 레이저 빔 촛점 라인을 사용하여 투명한 재료를 처리하는 방법 및 시스템
DE102014217608A1 (de) 2014-09-03 2014-11-20 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Zuordnen einer zweiten Facette eines im Strahlengang zweiten facettierten Elements einer Beleuchtungsoptik
DE102014223326B4 (de) 2014-11-14 2018-08-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zur Vorhersage mindestens eines Beleuchtungsparameters zur Bewertung eines Beleuchtungssettings und Verfahren zur Optimierung eines Beleuchtungssettings
CN107922237B (zh) 2015-03-24 2022-04-01 康宁股份有限公司 显示器玻璃组合物的激光切割和加工
DE102016202736A1 (de) 2015-04-17 2016-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für eine Projektionsbelichtungsanlage
CN109803786B (zh) 2016-09-30 2021-05-07 康宁股份有限公司 使用非轴对称束斑对透明工件进行激光加工的设备和方法
KR102428350B1 (ko) 2016-10-24 2022-08-02 코닝 인코포레이티드 시트형 유리 기판의 레이저 기반 기계 가공을 위한 기판 프로세싱 스테이션
DE102018220625A1 (de) 2018-11-29 2020-06-04 Carl Zeiss Smt Gmbh Optisches Beleuchtungssystem für Projektionslithographie
DE102018221128A1 (de) 2018-12-06 2020-06-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Tauschen eines Spiegels in einer Projektionsbelichtungsanlage sowie Lagedaten-Messeinrichtung zum Durchführen des Verfahrens
DE102021213168A1 (de) * 2021-11-23 2023-05-25 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren
CN114660880A (zh) * 2022-04-11 2022-06-24 长沙沃默科技有限公司 一种反射式投影成像装置及其设计方法
DE102022209214A1 (de) 2022-09-05 2024-03-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Einzelspiegel eines Pupillenfacettenspiegels und Pupillenfacettenspiegel für eine Beleuchtungsoptik einer Projektionsbelichtungsanlage

Family Cites Families (135)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3077958A (en) * 1961-09-05 1963-02-19 United Aircraft Corp Zero thermal expansion device
US3802781A (en) * 1972-08-15 1974-04-09 D Wright Extensometers
US3837125A (en) * 1973-09-04 1974-09-24 Celestron Pacific Method and system for making schmidt corrector lenses
US3917385A (en) 1973-09-19 1975-11-04 Rockwell International Corp Simplified micropositioner
US3879105A (en) * 1974-04-04 1975-04-22 Jenoptik Jena Gmbh Telescope with an image reversing system
US4060315A (en) 1975-07-07 1977-11-29 Rockwell International Corporation Precision mirror mount
US4038971A (en) * 1975-10-22 1977-08-02 Bezborodko Joseph A I B Concave, mirrored solar collector
US4092518A (en) * 1976-12-07 1978-05-30 Laser Technique S.A. Method of decorating a transparent plastics material article by means of a laser beam
US4195913A (en) * 1977-11-09 1980-04-01 Spawr Optical Research, Inc. Optical integration with screw supports
US4162120A (en) * 1977-12-02 1979-07-24 Ford Aerospace & Communications Corp. Thermal compensator linkage
US4236296A (en) 1978-10-13 1980-12-02 Exxon Research & Engineering Co. Etch method of cleaving semiconductor diode laser wafers
US4277141A (en) * 1979-03-28 1981-07-07 Tropel, Inc. Multifaceted mirror and assembly fixture and method of making such mirror
US4202605A (en) * 1979-04-05 1980-05-13 Rockwell International Corporation Active segmented mirror
US4226507A (en) 1979-07-09 1980-10-07 The Perkin-Elmer Corporation Three actuator deformable specimen
US4295710A (en) 1979-09-04 1981-10-20 Rockwell International Corporation Deformable mirror with dither
JPS57624A (en) * 1980-06-03 1982-01-05 Nippon Kogaku Kk <Nikon> Albada type reverse-galilean finder
US4380391A (en) * 1980-09-30 1983-04-19 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Short pulse CO2 laser for ranging and target identification
US4403421A (en) * 1980-11-13 1983-09-13 Shepherd Daniel R Telescopic gun sight
US4408874A (en) 1981-05-07 1983-10-11 Computervision Corporation Projection aligner with specific means for bending mirror
US4389115A (en) * 1981-08-06 1983-06-21 Richter Thomas A Optical system
DE3323828C2 (de) * 1983-07-01 1986-01-16 Messerschmitt-Bölkow-Blohm GmbH, 8012 Ottobrunn Laserwarnsensor
US4871237A (en) 1983-07-27 1989-10-03 Nikon Corporation Method and apparatus for adjusting imaging performance of projection optical apparatus
JPS60219744A (ja) * 1984-04-17 1985-11-02 Canon Inc 投影露光装置
JP2516194B2 (ja) * 1984-06-11 1996-07-10 株式会社日立製作所 投影露光方法
US4969726A (en) 1985-06-03 1990-11-13 Northrop Corporation Ring laser gyro path-length-control mechanism
US4672439A (en) * 1985-09-04 1987-06-09 Texas Instruments Incorporated FLIR imager with hybrid optical/electronic processor
DE3544429A1 (de) 1985-12-16 1987-06-19 Juwedor Gmbh Verfahren zur galvanoplastischen herstellung von schmuckwaren
US4953965A (en) * 1985-12-26 1990-09-04 Toshiba Machine Company, Ltd. High-accuracy traveling table apparatus
US4705369A (en) 1986-03-21 1987-11-10 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Mirror mount
US4722592A (en) * 1986-12-29 1988-02-02 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Motorized-axis-angular fine adjustment prism mount
US4740276A (en) * 1987-05-08 1988-04-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Fabrication of cooled faceplate segmented aperture mirrors (SAM) by electroforming
US4849668A (en) * 1987-05-19 1989-07-18 Massachusetts Institute Of Technology Embedded piezoelectric structure and control
AT393925B (de) 1987-06-02 1992-01-10 Ims Ionen Mikrofab Syst Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind
US4932778A (en) * 1987-06-22 1990-06-12 Pioneer Data Processing, Inc. Autokinesis free optical instrument
US4865454A (en) * 1987-11-24 1989-09-12 Kaman Aerospace Corporation Adaptive optical system with synchronous detection of wavefront phase
US4826304A (en) * 1988-04-11 1989-05-02 Gte Government Systems Corporation Adjustable optical mounting assembly
US4932770A (en) * 1988-12-20 1990-06-12 Caravaty Raymond D Dual plane rear vision mirror
US5026977A (en) * 1989-04-05 1991-06-25 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Wavefront sensing and correction with deformable mirror
US4959531A (en) * 1989-09-29 1990-09-25 Eastman Kodak Company Alignment sensing and correcting assembly for an optical element
FR2656079B1 (fr) * 1989-12-20 1994-05-06 Etat Francais Delegue Armement Lunette episcopique modulable et reconfigurable.
US5074654A (en) 1990-08-22 1991-12-24 Litton Systems, Inc. Hydraulic actuators for optical systems
US5079414A (en) * 1990-10-09 1992-01-07 Gte Government Systems Corporation Tracking telescope using an atomic resonance filter
NL9100421A (nl) * 1991-03-08 1992-10-01 Asm Lithography Bv Ondersteuningsinrichting met een kantelbare objecttafel alsmede optisch lithografische inrichting voorzien van een dergelijke ondersteuningsinrichting.
US5132979A (en) * 1991-08-16 1992-07-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser frequency modulator for modulating a laser cavity
US5428482A (en) * 1991-11-04 1995-06-27 General Signal Corporation Decoupled mount for optical element and stacked annuli assembly
US5157555A (en) 1991-12-04 1992-10-20 General Electric Company Apparatus for adjustable correction of spherical aberration
US5210650A (en) * 1992-03-31 1993-05-11 Eastman Kodak Company Compact, passively athermalized optical assembly
US5438451A (en) * 1992-09-25 1995-08-01 Schweizer; Bruno Linearly fine-adjustable stage
US5400184A (en) * 1992-10-29 1995-03-21 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Kinematic high bandwidth mirror mount
US5414557A (en) * 1992-11-30 1995-05-09 Itt Corporation Reticle apparatus for night vision devices
US6252334B1 (en) * 1993-01-21 2001-06-26 Trw Inc. Digital control of smart structures
US5581605A (en) 1993-02-10 1996-12-03 Nikon Corporation Optical element, production method of optical element, optical system, and optical apparatus
US5361292A (en) 1993-05-11 1994-11-01 The United States Of America As Represented By The Department Of Energy Condenser for illuminating a ring field
US5339346A (en) * 1993-05-20 1994-08-16 At&T Bell Laboratories Device fabrication entailing plasma-derived x-ray delineation
US5485053A (en) * 1993-10-15 1996-01-16 Univ America Catholic Method and device for active constrained layer damping for vibration and sound control
US5537262A (en) * 1993-10-19 1996-07-16 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Rotational torque setting apparatus for screw mechanism
JP2891074B2 (ja) * 1993-12-10 1999-05-17 三菱電機株式会社 反射鏡固定装置
US6154000A (en) * 1994-09-07 2000-11-28 Omnitek Research & Development, Inc. Apparatus for providing a controlled deflection and/or actuator apparatus
US5529277A (en) * 1994-09-20 1996-06-25 Ball Corporation Suspension system having two degrees of rotational freedom
DE69529442T2 (de) * 1994-09-22 2003-11-20 Ricoh Kk Informationsaufzeichnungsverfahren und -vorrichtung
US6341006B1 (en) * 1995-04-07 2002-01-22 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
US5870133A (en) * 1995-04-28 1999-02-09 Minolta Co., Ltd. Laser scanning device and light source thereof having temperature correction capability
US5724017A (en) * 1995-07-31 1998-03-03 General Electric Company Electrical transformer with reduced core noise
JPH09152505A (ja) * 1995-11-30 1997-06-10 Sharp Corp 変形可能ミラー及びその製造方法及び光学装置並びに記録再生装置
US5737137A (en) * 1996-04-01 1998-04-07 The Regents Of The University Of California Critical illumination condenser for x-ray lithography
US5694257A (en) 1996-05-06 1997-12-02 New Focus, Inc. Rotary beamsplitter prism mount
WO2004092799A1 (ja) 1996-08-26 2004-10-28 Hitoshi Umetsu 光学系要素の固定装置
JP3695494B2 (ja) * 1996-11-13 2005-09-14 セイコーエプソン株式会社 光変調デバイス、その製造方法および表示装置
US5891317A (en) * 1997-02-04 1999-04-06 Avon Products, Inc. Electroformed hollow jewelry
US6128122A (en) * 1998-09-18 2000-10-03 Seagate Technology, Inc. Micromachined mirror with stretchable restoring force member
AU8356298A (en) * 1997-07-22 1999-02-16 Nikon Corporation Projection exposure method, projection aligner, and methods of manufacturing andoptically cleaning the aligner
DE19735831A1 (de) 1997-08-18 1999-02-25 Zeiss Carl Fa Galvanoplastische Optik-Fassung
US6208407B1 (en) * 1997-12-22 2001-03-27 Asm Lithography B.V. Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement
US6054784A (en) * 1997-12-29 2000-04-25 Asm Lithography B.V. Positioning device having three coil systems mutually enclosing angles of 120° and lithographic device comprising such a positioning device
JPH11224839A (ja) * 1998-02-04 1999-08-17 Canon Inc 露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法
DE19807120A1 (de) * 1998-02-20 1999-08-26 Zeiss Carl Fa Optisches System mit Polarisationskompensator
US6108121A (en) * 1998-03-24 2000-08-22 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Micromachined high reflectance deformable mirror
DE10138313A1 (de) * 2001-01-23 2002-07-25 Zeiss Carl Kollektor für Beleuchtugnssysteme mit einer Wellenlänge < 193 nm
DE10053587A1 (de) * 2000-10-27 2002-05-02 Zeiss Carl Beleuchtungssystem mit variabler Einstellung der Ausleuchtung
DE19903807A1 (de) * 1998-05-05 1999-11-11 Zeiss Carl Fa Beleuchtungssystem insbesondere für die EUV-Lithographie
US7126137B2 (en) * 1998-05-05 2006-10-24 Carl Zeiss Smt Ag Illumination system with field mirrors for producing uniform scanning energy
DE19825716A1 (de) * 1998-06-09 1999-12-16 Zeiss Carl Fa Baugruppe aus optischem Element und Fassung
US5986795A (en) 1998-06-15 1999-11-16 Chapman; Henry N. Deformable mirror for short wavelength applications
US5986827A (en) 1998-06-17 1999-11-16 The Regents Of The University Of California Precision tip-tilt-piston actuator that provides exact constraint
TWI242113B (en) * 1998-07-17 2005-10-21 Asml Netherlands Bv Positioning device and lithographic projection apparatus comprising such a device
US6118577A (en) * 1998-08-06 2000-09-12 Euv, L.L.C Diffractive element in extreme-UV lithography condenser
US6225027B1 (en) * 1998-08-06 2001-05-01 Euv Llc Extreme-UV lithography system
US6210865B1 (en) * 1998-08-06 2001-04-03 Euv Llc Extreme-UV lithography condenser
US6469827B1 (en) * 1998-08-06 2002-10-22 Euv Llc Diffraction spectral filter for use in extreme-UV lithography condenser
FR2783055B1 (fr) 1998-09-04 2000-11-24 Essilor Int Support pour lentille optique, et son procede de mise en oeuvre
US6521892B2 (en) * 1998-10-09 2003-02-18 Thomson-Csf Optronics Canada Inc. Uncooled driver viewer enhancement system
US6296811B1 (en) 1998-12-10 2001-10-02 Aurora Biosciences Corporation Fluid dispenser and dispensing methods
DE19859634A1 (de) 1998-12-23 2000-06-29 Zeiss Carl Fa Optisches System, insbesondere Projektionsbelichtungsanlage der Mikrolithographie
KR20010006578A (ko) * 1999-01-20 2001-01-26 에이에스엠 리소그라피 비.브이. 광학 보정 플레이트, 및 전사 투영 장치에의 적용
US6195201B1 (en) * 1999-01-27 2001-02-27 Svg Lithography Systems, Inc. Reflective fly's eye condenser for EUV lithography
DE19904152A1 (de) * 1999-02-03 2000-08-10 Zeiss Carl Fa Baugruppe aus einem optischen Element und einer Fassung
JP2000234906A (ja) * 1999-02-15 2000-08-29 Koji Masutani 反射部材移動装置および前記反射部材移動装置を使用する光路長周期的増減装置
DE19908554A1 (de) * 1999-02-27 2000-08-31 Zeiss Carl Fa Verstellbare Baugruppe
DE19910947A1 (de) * 1999-03-12 2000-09-14 Zeiss Carl Fa Vorrichtung zum Verschieben eines optischen Elementes entlang der optischen Achse
US6033079A (en) * 1999-03-15 2000-03-07 Hudyma; Russell High numerical aperture ring field projection system for extreme ultraviolet lithography
US6428173B1 (en) * 1999-05-03 2002-08-06 Jds Uniphase, Inc. Moveable microelectromechanical mirror structures and associated methods
US6246822B1 (en) * 1999-05-18 2001-06-12 The Boeing Company Fiber-coupled receiver and associated method
US6160628A (en) 1999-06-29 2000-12-12 Nikon Corporation Interferometer system and method for lens column alignment
DE19930643C2 (de) * 1999-07-02 2002-01-24 Zeiss Carl Baugruppe aus einem optischen Element und einer Fassung
TW442783B (en) 1999-07-09 2001-06-23 Ind Tech Res Inst Folding mirror
DE19935568A1 (de) * 1999-07-30 2001-02-15 Zeiss Carl Fa Steuerung der Beleuchtungsverteilung in der Austrittspupille eines EUV-Beleuchtungssystems
US6478434B1 (en) 1999-11-09 2002-11-12 Ball Aerospace & Technologies Corp. Cryo micropositioner
DE19959616A1 (de) * 1999-12-10 2001-06-13 Volkswagen Ag Steuereinrichtung für ein automatisch und manuell schaltbares Schaltgetriebe in einem Kraftfahrzeug
DE10016925A1 (de) 2000-04-05 2001-10-11 Zeiss Carl Irisblende
DE10019562A1 (de) 2000-04-20 2001-10-25 Zeiss Carl Vorrichtung zum Verbinden von Gehäusen oder Fassungen für optische Elemente
US6411426B1 (en) * 2000-04-25 2002-06-25 Asml, Us, Inc. Apparatus, system, and method for active compensation of aberrations in an optical system
DE10026541A1 (de) * 2000-05-27 2001-11-29 Zeiss Carl Vorrichtung zur präzisen Positionierung eines Bauteils, insbesondere eines optischen Bauteiles
US6560384B1 (en) * 2000-06-01 2003-05-06 Calient Networks, Inc. Optical switch having mirrors arranged to accommodate freedom of movement
DE10030005A1 (de) 2000-06-17 2001-12-20 Zeiss Carl Objektiv, insbesondere Projektionsobjektiv in der Halbleiter-Lithographie
KR100493151B1 (ko) * 2000-07-19 2005-06-02 삼성전자주식회사 멀티폴디스 스프링을 이용한 다축 구동을 위한싱글스테이지 마이크로 구동기
US6449106B1 (en) 2000-08-10 2002-09-10 Nikon Corporation Catadioptric lens barrel structure having a support structure to maintain alignment of a plurality of sub-barrels
US6566627B2 (en) * 2000-08-11 2003-05-20 Westar Photonics, Inc. Laser method for shaping of optical lenses
DE10039712A1 (de) * 2000-08-14 2002-02-28 Zeiss Carl Vorrichtung zum Verstellen der Lage zweier Bauelemente zueinander
JP4019160B2 (ja) * 2000-08-21 2007-12-12 富士フイルム株式会社 遠隔操作システム
US6537479B1 (en) * 2000-08-24 2003-03-25 Colbar Art, Inc. Subsurface engraving of three-dimensional sculpture
DE10046379A1 (de) * 2000-09-20 2002-03-28 Zeiss Carl System zur gezielten Deformation von optischen Elementen
DE10050125A1 (de) * 2000-10-11 2002-04-25 Zeiss Carl Vorrichtung zum Temperaturausgleich für thermisch belastete Körper mit niederer Wärmeleitfähigkeit, insbesondere für Träger reflektierender Schichten oder Substrate in der Optik
DE10051706A1 (de) * 2000-10-18 2002-05-02 Zeiss Carl Vorrichtung zur Lagerung eines optischen Elementes
DE10053899A1 (de) * 2000-10-31 2002-05-08 Zeiss Carl Vorrichtung zur Lagerung eines optischen Elementes
DE10100546A1 (de) * 2001-01-08 2002-07-11 Zeiss Carl Vorrichtung zur Verstellung eines optischen Elementes in einem Objektiv
US6549692B1 (en) * 2001-02-13 2003-04-15 Tellium, Inc. Optical monitoring of the angular position of micro mirrors in an optical switch
DE10120446C2 (de) * 2001-04-26 2003-04-17 Zeiss Carl Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zur Kompensation von Abbildungsfehlern in einer Projektionsbelichtungsanlage, insbesondere für die Mikro-Lithographie
US6539142B2 (en) * 2001-06-01 2003-03-25 Agilent Technologies, Inc. System and method for actively aligning mirrors in an optical switch
US6798494B2 (en) * 2001-08-30 2004-09-28 Euv Llc Apparatus for generating partially coherent radiation
DE10200366A1 (de) * 2002-01-08 2003-07-17 Zeiss Optronik Gmbh Mehrkanalempfängersystem für winkelaufgelöste Laserentfernungsmessung
US6729062B2 (en) * 2002-01-31 2004-05-04 Richard L. Thomas Mil.dot reticle and method for producing the same
DE10215140B4 (de) * 2002-04-05 2012-12-06 Carl Zeiss Objektiv für eine Filmkamera
US6768567B2 (en) * 2002-06-05 2004-07-27 Euv Llc Synchrotron-based EUV lithography illuminator simulator
US6870554B2 (en) * 2003-01-07 2005-03-22 Anvik Corporation Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators
US6853440B1 (en) * 2003-04-04 2005-02-08 Asml Netherlands B.V. Position correction in Y of mask object shift due to Z offset and non-perpendicular illumination

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102004019346A1 (de) * 2004-04-21 2005-11-10 Infineon Technologies Ag Blende, Belichtungsapparat und Verfahren zum Steuern der Blende in dem Belichtungsapparat
DE102006020734A1 (de) * 2006-05-04 2007-11-15 Carl Zeiss Smt Ag Beleuchtungssystem für die EUV-Lithographie sowie erstes und zweites optisches Element zum Einsatz in einem derartigen Beleuchtungssystem
US9671608B2 (en) 2006-05-04 2017-06-06 Carl Zeiss Smt Gmbh Illumination system for EUV lithography
DE102011076460A1 (de) * 2011-05-25 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik
DE102011076549A1 (de) * 2011-05-26 2012-11-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
US9250417B2 (en) 2011-05-26 2016-02-02 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical arrangement in a microlithographic projection exposure apparatus
DE102011076658A1 (de) * 2011-05-30 2012-05-10 Carl Zeiss Smt Gmbh Beleuchtungsoptik für die EUV-Projektionslithographie
DE102013206981A1 (de) 2013-04-18 2013-12-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel mit im Krümmungsradius einstellbaren Spiegel-Facetten und Verfahren hierzu
DE102013212363A1 (de) * 2013-06-27 2014-07-31 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel, insbesondere für die EUV-Projektionslithografie
DE102018207103A1 (de) * 2018-05-08 2019-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Feldfacettenspiegel
DE102020210771A1 (de) 2020-08-26 2021-08-19 Carl Zeiss Smt Gmbh Facettenspiegel für eine projektionsbelichtungsanlage und projektionsbelichtungsanlage mit entsprechendem facettenspiegel sowie verfahren zum betrieb derselben
WO2022200294A1 (en) * 2021-03-22 2022-09-29 Carl Zeiss Smt Gmbh Facet system and lithography apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
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EP1499925A2 (de) 2005-01-26
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