DE102016103264A1

DE102016103264A1 - light source

Info

Publication number: DE102016103264A1
Application number: DE102016103264.6A
Authority: DE
Inventors: David Mathy; Alexander Linkov; Stefan Illek; Rainer Butendeich
Original assignee: Osram Opto Semiconductors GmbH
Current assignee: Ams Osram International GmbH
Priority date: 2016-02-24
Filing date: 2016-02-24
Publication date: 2017-08-24
Also published as: DE112017000965A5; WO2017144595A1

Abstract

Es umfasst die Lichtquelle (1) einen ersten Halbleiterchip (21) zur Erzeugung von erstem Licht und einen zweiten Halbleiterchip (22) zur Erzeugung von zweitem Licht, das eine andere Farbe aufweist als das erste Licht. In einem Lichtmischkörper (3) werden das erste und das zweite Licht durchmischt, sodass ein Mischlicht entsteht. Ein Detektor (4) befindet sich an dem Lichtmischkörper (3) und ist zur Bestimmung eines Farborts des Mischlichts eingerichtet. Die Lichtquelle (1) umfasst ferner einen Lichtabstrahlkörper (5) zur Abstrahlung des ersten und des zweiten Lichts. Der Lichtmischkörper (3) ist aus einem ersten Material mit einem ersten Brechungsindex und der Lichtabstrahlkörper (5) aus einem zweiten Material mit einem zweiten, niedrigeren Brechungsindex erzeugt. Die Halbleiterchips (21, 22) sind entlang einer Linie (6) angeordnet und weisen unterschiedliche Abstände zu dem Detektor (4) auf. Der Lichtmischkörper (3) bedeckt die Halbleiterchips (21, 22) zumindest teilweise, sodass der Detektor (4) von jedem der Halbleiterchips (21, 22) durch den Lichtmischkörper (3) Licht empfängt.It comprises the light source (1) a first semiconductor chip (21) for generating first light and a second semiconductor chip (22) for generating second light, which has a different color than the first light. In a light mixing body (3), the first and the second light are mixed, so that a mixed light is produced. A detector (4) is located on the light mixing body (3) and is arranged to determine a color location of the mixed light. The light source (1) further comprises a light emitting body (5) for emitting the first and the second light. The light mixing body (3) is produced from a first material having a first refractive index and the light emitting body (5) from a second material having a second, lower refractive index. The semiconductor chips (21, 22) are arranged along a line (6) and have different distances to the detector (4). The light mixing body (3) at least partially covers the semiconductor chips (21, 22) so that the detector (4) receives light from each of the semiconductor chips (21, 22) through the light mixing body (3).

Description

Es wird eine Lichtquelle angegeben. A light source is indicated.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, eine Lichtquelle anzugeben, die stabil Mischfarbe eines bestimmten Farborts emittiert.One problem to be solved is to specify a light source which stably emits mixed color of a particular color locus.

Diese Aufgabe wird unter anderem durch eine Lichtquelle mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Bevorzugte Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.This object is achieved inter alia by a light source having the features of patent claim 1. Preferred developments are the subject of the dependent claims.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Lichtquelle mindestens einen ersten Halbleiterchip zur Erzeugung von erstem Licht und mindestens einen zweiten Halbleiterchip zur Erzeugung von zweitem Licht auf. Dabei haben das erste Licht und das zweite Licht voneinander verschiedene Farben. Bevorzugt sind jeweils mehrere der ersten Halbleiterchips und mehrere der zweiten Halbleiterchips vorhanden. Bei den Halbleiterchips handelt es sich insbesondere um Leuchtdioden, kurz LEDs. Es können alle Licht erzeugenden Komponenten der Lichtquelle durch Leuchtdioden gebildet sein. In accordance with at least one embodiment, the light source has at least one first semiconductor chip for generating first light and at least one second semiconductor chip for generating second light. The first light and the second light have different colors from each other. In each case, a plurality of the first semiconductor chips and a plurality of the second semiconductor chips are preferably present. The semiconductor chips are, in particular, light-emitting diodes, in short LEDs. All light-generating components of the light source can be formed by light-emitting diodes.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle einen Lichtmischkörper, insbesondere genau einen Lichtmischkörper. Der Lichtmischkörper ist dazu eingerichtet, zumindest einen Teil des ersten Lichts und des zweiten Lichts aufzunehmen und das erste und das zweite Licht zu durchmischen. Somit wird in dem Lichtmischkörper ein Mischlicht erzeugt. Das Mischlicht weist bevorzugt einen bestimmten, insbesondere vorgegebenen Anteil von Strahlung von jedem der Halbleiterchips der Lichtquelle auf, sofern der entsprechende Halbleiterchip betrieben wird. In accordance with at least one embodiment, the light source comprises a light mixing body, in particular exactly one light mixing body. The light mixing body is configured to receive at least a portion of the first light and the second light and to mix the first and the second light. Thus, a mixed light is generated in the light mixing body. The mixed light preferably has a specific, in particular predetermined proportion of radiation from each of the semiconductor chips of the light source, as long as the corresponding semiconductor chip is operated.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet die Lichtquelle einen Detektor, insbesondere genau einen Detektor, zur Bestimmung eines Farborts des Mischlichts. Dabei befindet sich der Detektor bevorzugt direkt an dem Lichtmischkörper. Direkt kann bedeuten, dass der Detektor den Lichtmischkörper berührt, insbesondere in Richtung senkrecht zu einer Detektionsfläche des Detektors. Ebenfalls kann der Begriff direkt bedeuten, dass sich lediglich ein Verbindungsmittel zwischen dem Detektor und dem Lichtmischkörper befindet, wobei das Verbindungsmittel dazu eingerichtet ist, den Detektor an dem Lichtmischkörper zu befestigen. Das Verbindungsmittel kann auch eine optische Funktion haben, nämlich eine Extraktion von Licht aus den Halbleiterchips zu verbessern. Bei dem Verbindungsmittel handelt es sich beispielsweise um eine Kleberschicht oder um eine Klebefolie. Seitenflächen des Detektors, die quer zur Detektionsfläche orientiert sind, können von dem Lichtmischkörper und/oder von dem Lichtabstrahlkörper teilweise oder vollständig bedeckt sein oder auch frei liegen.In accordance with at least one embodiment, the light source includes a detector, in particular exactly one detector, for determining a color locus of the mixed light. In this case, the detector is preferably located directly on the light mixing body. Direct can mean that the detector touches the light mixing body, in particular in the direction perpendicular to a detection surface of the detector. Also, the term may directly mean that there is only one connecting means between the detector and the light mixing body, wherein the connecting means is adapted to fix the detector to the light mixing body. The connection means may also have an optical function, namely to improve an extraction of light from the semiconductor chips. The bonding agent is, for example, an adhesive layer or an adhesive film. Side surfaces of the detector, which are oriented transversely to the detection surface, may be partially or completely covered by the light mixing body and / or by the light emission body or may also be exposed.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Lichtquelle einen oder mehrere Lichtabstrahlkörper auf. Der mindestens eine Lichtabstrahlkörper ist dazu eingerichtet, das erste und/oder das zweite Licht abzustrahlen. Dabei kann das erste und zweite Licht von dem zumindest einen Lichtabstrahlkörper durchmischt oder auch undurchmischt abgestrahlt werden. Mit anderen Worten ist es nicht zwingend erforderlich, dass auch von dem Lichtabstrahlkörper das Mischlicht abgestrahlt wird, so dass von dem Lichtabstrahlkörper auch noch undurchmischtes oder im Wesentlichen undurchmischtes Licht emittiert werden kann. Durch den zumindest einen Lichtabstrahlkörper ist bevorzugt eine Lichtaustrittsfläche der Lichtquelle gebildet. In accordance with at least one embodiment, the light source has one or more light emission bodies. The at least one light emitting body is configured to emit the first and / or the second light. In this case, the first and second light can be mixed by the at least one light-emitting body or blasted undurchmischt. In other words, it is not absolutely necessary for the mixed light to be radiated by the light emission body as well, so that light which is not thoroughly mixed or substantially impenetrable light can also be emitted by the light emission body. By the at least one light emitting body, a light exit surface of the light source is preferably formed.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Lichtmischkörper aus einem ersten Material mit einem ersten Brechungsindex und der Lichtabstrahlkörper aus einem zweiten Material mit einem zweiten Brechungsindex erzeugt. Dabei ist der zweite Brechungsindex niedriger als der erste Brechungsindex, beispielsweise um mindestens 0,1 oder 0,2 oder 0,3. Der Brechungsindex bezieht sich dabei beispielsweise auf eine Wellenlänge maximaler Augenempfindlichkeit, insbesondere auf eine Wellenlänge von 550 nm. Der Lichtmischkörper und der Lichtabstrahlkörper können jeweils aus einem einzigen Material bestehen. Mit anderen Worten können der Lichtmischkörper und/oder der Lichtabstrahlkörper frei von internen Phasengrenzen sein. Der Lichtmischkörper und/oder der Lichtabstrahlkörper sind bevorzugt ausschließlich aus im Betrieb der Lichtquelle festen Stoffen zusammengesetzt.In accordance with at least one embodiment, the light mixing body is produced from a first material having a first refractive index and the light emitting body from a second material having a second refractive index. In this case, the second refractive index is lower than the first refractive index, for example by at least 0.1 or 0.2 or 0.3. The refractive index relates, for example, to a wavelength of maximum eye sensitivity, in particular to a wavelength of 550 nm. The light mixing body and the light emitting body can each consist of a single material. In other words, the light mixing body and / or the light emitting body can be free of internal phase boundaries. The light-mixing body and / or the light-emitting body are preferably composed exclusively of solid substances during operation of the light source.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Halbleiterchips der Lichtquelle entlang einer Linie angeordnet. Bei der Linie kann es sich um einen Geradenabschnitt handeln. Ebenso kann die Linie als Kreisbogen oder als geschlossene Linie wie ein Kreis oder eine Ellipse geformt sein. Weiterhin ist es möglich, dass die Linie im Wesentlichen gerade ist. Dies kann bedeuten, dass sich die Halbleiterchips im Mittel auf einer geraden Linie oder auf einem Kreisbogen befinden, mit einer Abweichung von höchstens 5 % oder 2 % oder 1 % einer Gesamtlänge der Linie, gezählt von einem ersten Halbleiterchip auf der Linie bis zu einem letzten Halbleiterchip auf der Linie. In accordance with at least one embodiment, the semiconductor chips of the light source are arranged along a line. The line can be a straight line section. Likewise, the line may be shaped as a circular arc or as a closed line such as a circle or an ellipse. Furthermore, it is possible that the line is substantially straight. This may mean that the semiconductor chips are on average on a straight line or on a circular arc, with a deviation of at most 5% or 2% or 1% of a total length of the line, counted from a first semiconductor chip on the line to a last one Semiconductor chip on the line.

Dass die Halbleiterchips entlang der Linie angeordnet sind, kann optional bedeuten, dass die Halbleiterchips in einer, in zwei oder auch in mehr als zwei Reihen entlang der Linie nebeneinander arrangiert sind. Bevorzugt liegen die Halbleiterchips aber in genau einer Reihe entlang der Linie vor. Weiterhin können die Halbleiterchips entlang der Linie und optional zwischen benachbarten Reihen entlang der Linie äquidistant angeordnet sein, beispielsweise mit einer Abweichung von höchstens 5 % oder 2 % oder 1 % der Gesamtlänge der Linie.Optionally, having the semiconductor chips arranged along the line may mean that the semiconductor chips are arranged side by side in one, two, or more than two rows along the line. Preferably, however, the semiconductor chips are present in exactly one row along the line. Furthermore, the semiconductor chips may be along the line and optionally between adjacent rows along the line Line can be arranged equidistant, for example, with a deviation of at most 5% or 2% or 1% of the total length of the line.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen zumindest einige der Halbleiterchips unterschiedliche Abstände zu dem Detektor auf. Mit anderen Worten gibt es Halbleiterchips, die weiter entfernt von dem Detektor angeordnet sind als andere Halbleiterchips. In accordance with at least one embodiment, at least some of the semiconductor chips have different distances to the detector. In other words, there are semiconductor chips that are located farther from the detector than other semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt der Lichtmischkörper die Halbleiterchips zumindest teilweise, insbesondere unterschiedlich stark, in Draufsicht gesehen. Das heißt, mindestens manche der Halbleiterchips oder, besonders bevorzugt, alle Halbleiterchips sind wenigstens teilweise von dem Lichtmischkörper überdeckt. Bevorzugt unterscheidet sich ein Bedeckungsgrad der Halbleiterchips durch den Lichtmischkörper über die Lichtquelle hinweg. In accordance with at least one embodiment, the light mixing body covers the semiconductor chips at least partially, in particular differently strongly, as seen in plan view. That is, at least some of the semiconductor chips or, more preferably, all the semiconductor chips are at least partially covered by the light mixing body. Preferably, a degree of coverage of the semiconductor chips differs by the light mixing body across the light source.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform empfängt der Detektor von jedem Licht erzeugenden Halbleiterchip jeweils Licht, vermittelt durch den Lichtmischkörper. Dabei ist der Detektor besonders bevorzugt vor einer direkten Einstrahlung von Licht durch die Halbleiterchips geschützt, sodass insbesondere nur Mischlicht, in dem das erste und das zweite Licht homogen verteilt vorliegen, zu dem Detektor gelangt. In accordance with at least one embodiment, the detector of each light-generating semiconductor chip receives light mediated by the light-mixing body. In this case, the detector is particularly preferably protected from a direct irradiation of light by the semiconductor chips, so that in particular only mixed light, in which the first and the second light are homogeneously distributed, reaches the detector.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform handelt es sich bei mindestens einem Teil der Halbleiterchips oder bei allen Halbleiterchips um Oberflächenemitter. Dies bedeutet, dass die betreffenden Halbleiterchip dann im Wesentlichen nur an einer einzigen Hauptseite emittieren. Die betreffenden Halbleiterchips weisen dabei bevorzugt eine Lambert’sche Abstrahlcharakteristik auf. Im Wesentlichen kann bedeuten, dass mindestens 80 % oder 90 % oder 95 % oder 98 % des Lichts an der Hauptseite abgestrahlt wird.In accordance with at least one embodiment, at least part of the semiconductor chips or all semiconductor chips are surface emitters. This means that the relevant semiconductor chip then essentially emit only on a single main side. The respective semiconductor chips preferably have a Lambertian radiation characteristic. Essentially, it may mean that at least 80% or 90% or 95% or 98% of the light is emitted on the main side.

Mit anderen Worten ist es möglich, dass es sich bei den Halbleiterchips nicht um Volumenemitter handelt. Bei Volumenemittern weisen Halbleiterchip ein lichtdurchlässiges Substrat, insbesondere ein Aufwachssubstrat, auf, das optisch mit einer aktiven Zone verbunden ist. Ein Volumenemitter weist somit eine Lichtabstrahlung an mehreren Seiten, insbesondere an allen Seiten auf. Ist ein solcher Halbleiterchip als Würfel oder Quader gestaltet, so liegt eine Lichtemission im Falle eines Volumenemitters an allen sechs Seiten des Quaders oder Würfels vor, anders als bei einem Oberflächenemitter.In other words, it is possible that the semiconductor chips are not volume emitters. In the case of volume emitters, the semiconductor chip has a light-transmissive substrate, in particular a growth substrate, which is optically connected to an active zone. A volume emitter thus has a light emission on several sides, in particular on all sides. If such a semiconductor chip is designed as a cube or cuboid, a light emission in the case of a volume emitter is present on all six sides of the cuboid or cube, unlike a surface emitter.

In mindestens einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle mindestens einen ersten Halbleiterchip zur Erzeugung von erstem Licht und mindestens einen zweiten Halbleiterchip zur Erzeugung von zweitem Licht, das eine andere Farbe aufweist als das erste Licht. In einem Lichtmischkörper werden das erste und das zweite Licht durchmischt, sodass ein Mischlicht entsteht. Ein Detektor befindet sich an dem Lichtmischkörper und ist zur Bestimmung eines Farbort des Mischlichts eingerichtet. Die Lichtquelle umfasst ferner mindestens einen Lichtabstrahlkörper zur Abstrahlung des ersten und des zweiten Lichts. Der Lichtmischkörper ist aus einem ersten Material mit einem ersten Brechungsindex und der Lichtabstrahlkörper aus einem zweiten Material mit einem zweiten, niedrigeren Brechungsindex erzeugt. Die Halbleiterchips sind entlang einer Linie angeordnet und weisen unterschiedliche Abstände zu dem Detektor auf. Der Lichtmischkörper bedeckt die Halbleiterchips zumindest teilweise und optional unterschiedlich stark, sodass der Detektor von jedem der Halbleiterchips, vermittelt durch den Lichtmischkörper und/oder durch den Lichtmischkörper hindurch, Licht empfängt. In at least one embodiment, the light source comprises at least one first semiconductor chip for generating first light and at least one second semiconductor chip for generating second light, which has a different color than the first light. In a light mixing body, the first and the second light are mixed, resulting in a mixed light. A detector is located on the light mixing body and is set up to determine a color location of the mixed light. The light source further comprises at least one light emitting body for emitting the first and the second light. The light mixing body is produced from a first material having a first refractive index and the light emitting body from a second material having a second, lower refractive index. The semiconductor chips are arranged along a line and have different distances to the detector. The light mixing body covers the semiconductor chips at least partially and optionally differently strong, so that the detector receives light from each of the semiconductor chips, mediated by the light mixing body and / or by the light mixing body.

Bei Lichtquellen etwa in der Allgemeinbeleuchtung, in der Fahrzeugbeleuchtung oder auch in der Beleuchtung von Luftfahrzeugen sowie in der Displayhinterleuchtung ist es erwünscht, dass eine Lichtquelle über die gesamte Betriebsdauer hinweg Licht mit einem bestimmten, insbesondere vorgegebenen Farbort erzeugt. Weist die Lichtquelle eine Vielzahl von Halbleiterchips, speziell Leuchtdioden, auf, so kann sich durch eine Alterung dieser Leuchtdioden oder auch durch den Ausfall einzelner Leuchtdioden ein Farbort der Lichtquelle verändern. Durch den Detektor ist es möglich, die Halbleiterchips entsprechend nachzuregeln, sodass ein Farbort konstant bleibt. For light sources such as in general lighting, in vehicle lighting or in the lighting of aircraft and in the display backlighting, it is desirable that a light source over the entire operating time produces light with a specific, in particular predetermined color location. If the light source has a plurality of semiconductor chips, in particular light-emitting diodes, then a color location of the light source can change as a result of aging of these light-emitting diodes or even due to the failure of individual light-emitting diodes. The detector makes it possible to adjust the semiconductor chips accordingly so that one color locus remains constant.

Dabei ist eine präzisere Regelung des resultierenden Farborts möglich, wenn der Detektor gleichmäßig durchmischtes Licht von allen Halbleiterchips empfängt und nicht nur beispielsweise Licht von direkt benachbarten Leuchtdioden. Ferner ist es aus Effizienzgründen erwünscht, dass das in den Halbleiterchips erzeugte Licht zu einem großen Anteil die Lichtquelle möglichst direkt ohne eine größere Anzahl an Reflexionen verlässt. Dass das Licht die Lichtquelle möglichst direkt verlässt, läuft jedoch einer hinreichenden Lichtdurchmischung des Lichts innerhalb der Lichtquelle entgegen. In this case, a more precise control of the resulting color locus is possible if the detector receives evenly mixed light from all semiconductor chips and not just, for example, light from directly adjacent LEDs. Furthermore, for reasons of efficiency, it is desirable for the light generated in the semiconductor chips to leave, to a large extent, the light source as directly as possible without a larger number of reflections. The fact that the light leaves the light source as directly as possible, however, counteracts a sufficient mixing of the light within the light source.

Durch die kombinierte Verwendung des Lichtmischkörpers und des Lichtabstrahlkörpers ist einerseits eine effektive Durchmischung eines relativ kleinen Lichtanteils möglich, der zu dem Detektor zu einer präzisen Farbortregelung geführt wird. Andererseits ist ein Großteil des in den Halbleiterchips erzeugten Lichts durch den Lichtabstrahlkörper direkt und ohne interne Durchmischung aus der Lichtquelle emittierbar. Somit sind mit der hier beschriebenen Lichtquelle sowohl eine präzise Farbortregelung als auch eine hohe Effizienz erreichbar.By the combined use of the light mixing body and the light emitting body, on the one hand, an effective mixing of a relatively small proportion of light is possible, which is guided to the detector to a precise color location control. On the other hand, a large part of the light generated in the semiconductor chip is emitted by the light emitting body directly and without internal mixing of the light source. Thus, with the here described Light source both a precise color location control and high efficiency achievable.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle einen Träger. Der Träger beinhaltet bevorzugt Leiterbahnen und elektrische Kontaktflächen zu einer Verschaltung der Halbleiterchips und des Detektors und gegebenenfalls weiterer elektronischer Komponenten wie Ansteuereinheiten oder Recheneinheiten für den Detektor und die Halbleiterchips. Insbesondere handelt es sich bei dem Träger um eine Leiterplatte.In accordance with at least one embodiment, the light source comprises a carrier. The carrier preferably contains printed conductors and electrical contact surfaces for interconnecting the semiconductor chips and the detector and optionally further electronic components such as drive units or arithmetic units for the detector and the semiconductor chips. In particular, the carrier is a printed circuit board.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform befinden sich die Halbleiterchips und der Detektor in einer gemeinsamen Ebene auf dem Träger. Mit anderen Worten kann es sich bei dem Träger um eine gerade, nicht gebogene Platte handeln, wobei alle Halbleiterchips und der Detektor auf einer einzigen Seite des Trägers angeordnet und elektrisch verschaltet sein können.In accordance with at least one embodiment, the semiconductor chips and the detector are located in a common plane on the carrier. In other words, the carrier may be a straight, non-curved plate, wherein all the semiconductor chips and the detector may be arranged on a single side of the carrier and electrically connected.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich der Detektor neben der Linie, entlang der die Halbleiterchips angeordnet sind. Dabei ist der Detektor bevorzugt vollständig von dem Lichtmischkörper bedeckt, in Draufsicht gesehen. Außerdem kann der Detektor beabstandet zu dem Lichtabstrahlkörper angeordnet sein, sodass sich der Detektor und der Lichtabstrahlkörper nicht berühren. In accordance with at least one embodiment, the detector is located next to the line along which the semiconductor chips are arranged. In this case, the detector is preferably completely covered by the light mixing body, seen in plan view. In addition, the detector can be arranged at a distance from the light emitting body so that the detector and the light emitting body do not touch each other.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform nimmt eine Fläche der Halbleiterchips, die in Draufsicht gesehen von dem Lichtmischkörper bedeckt ist, mit zunehmendem Abstand zu dem Detektor zu. Beispielsweise sind Halbleiterchips, die sich am nahsten an dem Detektor befinden, zu höchstens 5 % oder 10 % oder 20 % von dem Lichtmischkörper bedeckt. Halbleiterchips, die sich am weitesten von dem Detektor entfernt befinden, sind beispielsweise zu mindestens 50 % oder 80 % oder 90 % oder auch vollständig von dem Lichtmischkörper bedeckt. Hierdurch ist erreichbar, dass der Detektor von jedem Halbleiterchip eine ähnlich große Lichtleistung empfängt.In accordance with at least one embodiment, an area of the semiconductor chips, which is covered by the light mixing body in plan view, increases with increasing distance to the detector. For example, semiconductor chips that are closest to the detector are covered by at most 5% or 10% or 20% of the light mixing body. Semiconductor chips farthest from the detector are, for example, at least 50% or 80% or 90% or even completely covered by the light-mixing body. This makes it possible to achieve that the detector of each semiconductor chip receives a similarly large light output.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform empfängt bei der voll funktionsfähigen, neuen Lichtquelle der Detektor von jedem der Halbleiterchips einen Leistungsanteil des jeweils erzeugten Lichts von mindestens 0,1 % oder 0,5 %. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Leistungsanteil, gemessen in Watt, bei höchstens 5 % oder 4 % oder 1,5 %. Es ist möglich, dass an dem Detektor jeder der Halbeiterchips gleich stark zu einem Detektionssignal beiträgt, etwa mit einer Toleranz von höchstens einem Faktor 2 oder 1,5 bezogen auf ein über alle Halbleiterchips gemitteltes Detektionssignal.In accordance with at least one embodiment, in the fully functional new light source, the detector of each of the semiconductor chips receives at least 0.1% or 0.5% of the power of each generated light. Alternatively or additionally, this power component, measured in watts, is at most 5% or 4% or 1.5%. It is possible for each of the semiconductor chips at the detector to contribute equally strongly to a detection signal, for example with a tolerance of at most a factor of 2 or 1.5 relative to a detection signal averaged over all the semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Lichtaustrittsfläche der Lichtquelle teilweise oder vollständig durch den mindestens einen Lichtabstrahlkörper gebildet. Dies kann bedeuten, dass alles Licht, das die Lichtquelle verlässt, einen Teil des Lichtabstrahlkörpers durchläuft.In accordance with at least one embodiment, the light exit surface of the light source is partially or completely formed by the at least one light emission body. This may mean that all light leaving the light source passes through part of the light emitter.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Detektor eine Detektionsfläche auf. Die Detektionsfläche ist dazu eingerichtet, das zu dem Detektor gelangende Licht zu absorbieren und in ein elektrisches Signal umzuwandeln. Dabei kann die Detektionsfläche in mehrere Bereiche aufgeteilt sein, wobei jeder Bereich der Detektionsfläche bevorzugt für Licht eines bestimmten Wellenlängenbereichs vorgesehen ist. Beispielsweise weist der Detektor einen Bereich auf, der rotes Licht detektiert, einen Bereich zur Detektion von grünem Licht, einen Bereich zur Detektion von blauem Licht und/oder einen Bereich zur Detektion von gelbem Licht. Insbesondere ist der Detektor als sogenannter RGB- oder xyz-Detektor gestaltet. Die Detektionsfläche des Detektors ist bevorzugt vollständig von dem Lichtmischkörper bedeckt. In accordance with at least one embodiment, the detector has a detection surface. The detection surface is adapted to absorb the light reaching the detector and to convert it into an electrical signal. In this case, the detection area can be divided into several areas, wherein each area of the detection area is preferably provided for light of a certain wavelength range. By way of example, the detector has an area which detects red light, a region for detecting green light, a region for detecting blue light and / or a region for detecting yellow light. In particular, the detector is designed as a so-called RGB or xyz detector. The detection surface of the detector is preferably completely covered by the light mixing body.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Lichtmischkörper, im Querschnitt gesehen, als Prisma geformt. Das heißt, der Lichtmischkörper weist eine polygonale Querschnittsfläche auf. Die Querschnittsfläche weist bevorzugt vier oder fünf Ecken auf. Entlang einer gesamten Länge des Lichtmischkörpers kann die Querschnittsfläche gleich gestaltet sein. Gleich gestaltet bedeutet, dass die Querschnittsfläche identisch geformt ist und eine identische Größe aufweist, im Rahmen der Herstellungstoleranzen, oder dass die Querschnittsflächen an unterschiedlichen Stellen des Lichtmischkörpers, entlang dessen Länge, durch eine Skalierung um einen bestimmten, konstanten Faktor ineinander abbildbar sind, wie bei einer zentrischen Streckung.According to at least one embodiment, the light mixing body, seen in cross section, is shaped as a prism. That is, the light mixing body has a polygonal cross-sectional area. The cross-sectional area preferably has four or five corners. Along an entire length of the light mixing body, the cross-sectional area can be designed the same. Equal design means that the cross-sectional area is identically shaped and has an identical size, within the manufacturing tolerances, or that the cross-sectional areas at different points of the light mixing body, along its length, by a scaling by a certain constant factor are mappable to each other, as in a centric stretch.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist eine den Halbleiterchips abgewandte Seite des Lichtmischkörpers schräg zu Emissionsflächen der Halbleiterchips ausgerichtet. Die Emissionsflächen der Halbleiterchips sind dabei bevorzugt Hauptflächen der Halbleiterchips, aus denen das in den Halbleiterchips erzeugte Licht überwiegend aus den Halbleiterchips heraustritt. Die den Halbleiterchips abgewandte Seite des Lichtmischkörpers liegt in senkrechter Projektion gesehen bevorzugt mindestens zum Teil über den Emissionsflächen. In accordance with at least one embodiment, a side of the light mixing body facing away from the semiconductor chips is aligned obliquely to emission surfaces of the semiconductor chips. The emission surfaces of the semiconductor chips are preferably main surfaces of the semiconductor chips from which the light generated in the semiconductor chips predominantly emerges from the semiconductor chips. The side facing away from the semiconductor chips of the light mixing body is preferably at least partially over the emission surfaces viewed in a vertical projection.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Lichtmischkörper eine dem Detektor abgewandte Oberseite und eine dem Detektor zugewandte Bodenseite auf. Bevorzugt verlaufen die Oberseite und die Bodenseite parallel zueinander. Die Bodenseite kann den Detektor berühren. Bevorzugt weist die Bodenseite, im Querschnitt gesehen, eine größere Länge auf als die Oberseite. In accordance with at least one embodiment, the light mixing body has an upper side facing away from the detector and a bottom side facing the detector. Preferably, the top and the bottom side are parallel to each other. The bottom side can touch the detector. Preferably the bottom side, seen in cross-section, a greater length than the top.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Lichtmischkörper eine Vorderseite auf, die von den Halbleiterchips ausgeht, und eine der Vorderseite gegenüberliegende Rückseite. Dabei verläuft die Vorderseite bevorzugt flacher als die Rückseite. Mit anderen Worten weist die Vorderseite dann eine kleinere Steigung auf als die Rückseite, insbesondere bezogen auf die Bodenseite. According to at least one embodiment, the light mixing body has a front side, which starts from the semiconductor chips, and a rear side opposite the front side. The front side is preferably flatter than the back. In other words, the front side then has a smaller pitch than the rear side, in particular with respect to the bottom side.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Vorderseite mehrgeteilt, beispielsweise zweigeteilt. Das heißt, im Querschnitt gesehen weist die Vorderseite zwei oder mehr als zwei Abschnitte auf, die etwa durch einen Knick ineinander übergehen und die unterschiedliche Steigungen aufweisen. Ein weiter von den Halbleiterchips entfernt liegender Abschnitt der Vorderseite verläuft bevorzugt flacher als ein dem Halbleiterchip nächstgelegener Abschnitt der Vorderseite. In accordance with at least one embodiment, the front side is divided in several parts, for example in two parts. That is, viewed in cross-section, the front side has two or more than two sections which merge into one another approximately by a bend and which have different pitches. A section of the front side which is further away from the semiconductor chips preferably runs flatter than a section of the front side nearest the semiconductor chip.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt die mittlere Steigung der Vorderseite bei mindestens 30° oder 40° und/oder bei höchstens 55° oder 65° oder 70°. Für die mittlere Steigung der Rückseite gilt alternativ oder zusätzlich, dass diese mindestens 60° oder 70° oder 75° und/oder höchstens 80° oder 85° oder 87° beträgt. In accordance with at least one embodiment, the mean slope of the front side is at least 30 ° or 40 ° and / or at most 55 ° or 65 ° or 70 °. Alternatively or additionally, the mean slope of the back shall be at least 60 ° or 70 ° or 75 ° and / or not more than 80 ° or 85 ° or 87 °.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt eine Höhe des Lichtmischkörpers, insbesondere in Richtung senkrecht zur Bodenseite, bei mindestens 90 % oder 100 % oder 150 % und/oder bei höchstens 350 % oder 250 % oder 200 % einer mittleren Kantenlänge des Kleinsten der Halbleiterchips. Mit anderen Worten ist der Lichtmischkörper ungefähr so hoch wie eine Kantenlänge des kleinsten Halbleiterchips, über dem der Lichtmischkörper angeordnet ist.According to at least one embodiment, a height of the light mixing body, in particular in the direction perpendicular to the bottom side, is at least 90% or 100% or 150% and / or at most 350% or 250% or 200% of a mean edge length of the smallest of the semiconductor chips. In other words, the light mixing body is approximately as high as an edge length of the smallest semiconductor chip over which the light mixing body is arranged.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform verbreitert sich, in Draufsicht gesehen, der Lichtmischkörper in Richtung weg von dem Detektor kontinuierlich oder stufenweise. Hierdurch ist es möglich, die Halbleiterchips in einer geraden Linie anzuordnen und mit zunehmender Entfernung von dem Detektor einen größeren Flächenanteil der Halbleiterchips mit dem Lichtmischkörper zu bedecken. According to at least one embodiment, seen in plan view, the light mixing body widened in the direction away from the detector continuously or stepwise. This makes it possible to arrange the semiconductor chips in a straight line and to cover a larger surface portion of the semiconductor chips with the light mixing body with increasing distance from the detector.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind Stirnflächen des Lichtmischkörpers verspiegelt. Beispielsweise ist ein metallischer Spiegel an den Stirnflächen angebracht. According to at least one embodiment, end faces of the light mixing body are mirrored. For example, a metallic mirror is attached to the end faces.

Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, dass die Stirnflächen schräg angeordnet sind und nicht senkrecht zur Bodenseite orientiert sind. Beispielsweise sind die Stirnflächen in einem Winkel von mindestens 35° und/oder von höchstens 65° zur Bodenseite angeordnet. Alternatively or additionally, it is possible that the end faces are arranged obliquely and are not oriented perpendicular to the bottom side. For example, the end faces are arranged at an angle of at least 35 ° and / or at most 65 ° to the bottom side.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Lichtabstrahlkörper im Querschnitt gesehen halbkreisförmig gestaltet. Alternativ ist es möglich, dass der Lichtabstrahlkörper halbkreisförmig mit einer runden Einkerbung gestaltet ist. Die Einkerbung weist dann bevorzugt, im Querschnitt gesehen, eine bogenförmige oder teilkreisförmige Gestalt auf. Die Einkerbung ist bevorzugt bei der Rückseite des Lichtmischkörpers angebracht. In accordance with at least one embodiment, the light emission body is semicircular in cross-section. Alternatively, it is possible that the light emitting body is designed semicircular with a round notch. The notch then preferably has, viewed in cross section, an arcuate or part-circular shape. The notch is preferably attached to the back of the light mixing body.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umgibt der Lichtabstrahlkörper zusammen mit dem Träger den Lichtmischkörper vollständig, insbesondere im Querschnitt gesehen. Mit anderen Worten ist der Lichtmischkörper dann von dem Lichtabstrahlkörper und dem Träger eingeschlossen, im Querschnitt gesehen und/oder entlang einer Längsrichtung. Dabei kann der Lichtabstrahlkörper den Träger berühren, beispielsweise über ein Spritzgießen oder ein Spritzpressen an dem Träger angebracht sein.According to at least one embodiment, the light emitting body completely surrounds the light mixing body together with the carrier, in particular when viewed in cross section. In other words, the light mixing body is then enclosed by the light emitting body and the carrier, seen in cross section and / or along a longitudinal direction. In this case, the light emitting body can touch the carrier, for example, be attached to the carrier via an injection molding or a transfer molding.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Lichtabstrahlkörper in Draufsicht auf den Träger gesehen quadratisch oder rechteckig geformt. Ein Aspektverhältnis des Lichtabstrahlkörpers, in Draufsicht gesehen, beträgt im Falle einer rechteckigen Form bevorzugt mindestens 10 oder 20 oder 50. In accordance with at least one embodiment, the light emission body is square or rectangular in shape as seen in plan view of the carrier. An aspect ratio of the light emitting body as viewed in plan, in the case of a rectangular shape, is preferably at least 10 or 20 or 50.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Lichtmischkörper eine kleinere Höhe auf als der Lichtabstrahlkörper. Mit anderen Worten überragt der Lichtabstrahlkörper dann den Lichtmischkörper. Der Lichtmischkörper ist in diesem Fall nicht ringsum von dem Lichtabstrahlkörper umgeben, im Querschnitt gesehen. In accordance with at least one embodiment, the light mixing body has a smaller height than the light emitting body. In other words, the light emission body then projects beyond the light mixing body. The light mixing body is not surrounded in this case around by the light emitting body, seen in cross section.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich der Lichtabstrahlkörper als durchgehender Streifen entlang des Lichtmischkörpers. Der Lichtabstrahlkörper grenzt bevorzugt direkt an den Lichtmischkörper. Im Querschnitt gesehen ist der Lichtabstrahlkörper beispielsweise halbkreisförmig oder rechteckig gebildet. In accordance with at least one embodiment, the light emission body extends as a continuous strip along the light mixing body. The light-emitting body preferably directly adjoins the light-mixing body. Seen in cross-section, the light emitting body is formed, for example, semicircular or rectangular.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform verlassen mindestens 80 % des von den Halbleiterchips erzeugten Lichts die Lichtquelle an dem Lichtabstrahlkörper, auch in dem Fall, dass der Lichtabstrahlkörper eine geringere Höhe aufweist als der Lichtmischkörper. Dieser Strahlungsanteil tritt insbesondere aus der Lichtquelle heraus, ohne in den Lichtmischkörper gelangt zu sein. According to at least one embodiment, at least 80% of the light generated by the semiconductor chip leave the light source on the light emitting body, even in the case that the light emitting body has a lower height than the light mixing body. This radiation component emerges in particular from the light source without having reached the light mixing body.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Lichtquelle mehrere der Lichtabstrahlkörper auf. Die Lichtabstrahlkörper können untereinander gleich gestaltet sein oder auch voneinander verschiedene Formen aufweisen. In accordance with at least one embodiment, the light source has a plurality of the light emission bodies. The light emitters can be identical to each other or have different shapes from each other.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist jedem der Halbleiterchips eineindeutig genau einer der Lichtabstrahlkörper zugeordnet. Die Lichtabstrahlkörper sind bevorzugt in einer Reihe beabstandet voneinander direkt an den Lichtmischkörper angeformt. Es können die Lichtabstrahlkörper kuppelförmig oder sphärisch geformt sein. According to at least one embodiment, each of the semiconductor chips is uniquely associated with exactly one of the light emitting bodies. The light emitters are preferably formed in a row spaced from each other directly to the light mixing body. The light emitting bodies may be dome-shaped or spherically shaped.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist in den Lichtmischkörper eine oder sind mehrere lichtundurchlässige Barrieren eingebracht. Durch die Barrieren ist der Detektor vor einer direkten Bestrahlung durch benachbarte Halbleiterchips geschützt. Somit ist erzielbar, dass der Detektor nur bereits gemischtes Licht detektiert.In accordance with at least one embodiment, one or more light-impermeable barriers are introduced into the light-mixing body. The barriers protect the detector from direct exposure to adjacent semiconductor chips. Thus, it can be achieved that the detector detects only already mixed light.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt der erste Brechungsindex bei mindestens 1,48 oder 1,52 oder 1,55 und/oder bei höchstens 1,85 oder 1,75 oder 1,65. Alternativ oder zusätzlich beträgt der zweite Brechungsindex mindestens 1,2 oder 1,3 oder 1,37 und/oder höchstens 1,5 oder 1,45 oder 1,41. Die genannten Werte gelten bevorzugt bei einer Wellenlänge von 550 nm. According to at least one embodiment, the first refractive index is at least 1.48 or 1.52 or 1.55 and / or at most 1.85 or 1.75 or 1.65. Alternatively or additionally, the second refractive index is at least 1.2 or 1.3 or 1.37 and / or at most 1.5 or 1.45 or 1.41. The values mentioned apply preferably at a wavelength of 550 nm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform emittiert die Lichtquelle im Betrieb weißes Mischlicht. Dies kann bedeuten, dass ein Farbort des emittierten weißen Lichts mit einer Toleranz von höchstens 0,05 oder 0,02 Einheiten an der Schwarzkörperkurve liegt, bezogen auf die CIE-xy-Normfarbtafel. Eine korrelierte Farbtemperatur des weißen Lichts liegt bevorzugt bei mindestens 2500 K oder 3500 K und/oder bei höchstens 6500 K oder 4500 K. In accordance with at least one embodiment, the light source emits white mixed light during operation. This may mean that a color location of the emitted white light with a tolerance of at most 0.05 or 0.02 units is on the black body curve, based on the CIE xy standard color chart. A correlated color temperature of the white light is preferably at least 2500 K or 3500 K and / or at most 6500 K or 4500 K.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Lichtquelle einen oder mehrere dritte Halbleiterchips auf. Die dritten Halbleiterchips sind zur Erzeugung von Licht einer dritten, anderen Farbe als das erste und das zweite Licht eingerichtet. Beispielsweise emittieren die ersten Halbleiterchips blaues Licht, die zweiten Halbleiterchips grün-weißes Licht und die dritten Halbleiterchips rotes Licht. Die ersten, zweiten und/oder dritten Halbleiterchips können das erzeugte Licht direkt emittieren, wie in einer Halbleiterschichtenfolge erzeugt, oder auch jeweils einen oder mehrere Leuchtstoffe umfassen. In accordance with at least one embodiment, the light source has one or more third semiconductor chips. The third semiconductor chips are configured to generate light of a third, different color than the first and the second light. For example, the first semiconductor chips emit blue light, the second semiconductor chips emit green-white light, and the third semiconductor chips emit red light. The first, second and / or third semiconductor chips can emit the generated light directly, as generated in a semiconductor layer sequence, or also comprise one or more phosphors in each case.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle eine oder mehrere Ansteuereinheiten. Die zumindest eine Ansteuereinheit ist dazu eingerichtet, beim Ausfall einzelner Halbleiterchips oder bei einer Farbortveränderung einzelner Halbleiterchips die verbleibenden Halbleiterchips derart anhand eines Signals des Detektors nachzuregeln, sodass durch den Ausfall einzelner Halbleiterchips oder durch eine Farbortverschiebung einzelner Halbleiterchips ein Farbort des Mischlichts insgesamt bevorzugt um höchstens 0,02 oder 0,01 Einheiten in der CIE-xy-Normfarbtafel verändert wird. Durch die Ansteuereinheit ist eine hohe zeitliche Konstanz des Farborts des von der Lichtquelle emittierten Lichts erzielbar. In accordance with at least one embodiment, the light source comprises one or more drive units. The at least one drive unit is set up to readjust the remaining semiconductor chips on the basis of a signal of the detector in the event of failure of individual semiconductor chips or in the event of a color locus change of individual semiconductor chips, so that a color location of the mixed light as a whole is preferably at most 0 by the failure of individual semiconductor chips or by a color locus shift of individual semiconductor chips , 02 or 0.01 units in the CIE xy standard color chart. By the drive unit, a high temporal constancy of the color locus of the light emitted by the light source can be achieved.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist die Lichtquelle, insbesondere der Lichtabstrahlkörper, eine Länge von mindestens 50 mm oder 80 mm oder 130 mm auf. Alternativ oder zusätzlich liegt die Länge bei höchstens 800 mm oder 600 mm oder 500 mm. In accordance with at least one embodiment, the light source, in particular the light emitting body, has a length of at least 50 mm or 80 mm or 130 mm. Alternatively or additionally, the length is at most 800 mm or 600 mm or 500 mm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Lichtquelle mechanisch starr. Dabei wirken etwa der Träger und/oder der Lichtabstrahlkörper als mechanisch stabilisierende Einheiten. Mechanisch starr bedeutet, dass sich die Lichtquelle im bestimmungsgemäßen Gebrauch nicht oder nicht signifikant verformt.In accordance with at least one embodiment, the light source is mechanically rigid. In this case, for example, the carrier and / or the light-emitting body act as mechanically stabilizing units. Mechanically rigid means that the light source does not deform or does not significantly deform during normal use.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst die Lichtquelle insgesamt mindestens 15 oder 30 oder 40 der Halbleiterchips. According to at least one embodiment, the light source comprises a total of at least 15 or 30 or 40 of the semiconductor chips.

Alternativ oder zusätzlich liegt die Anzahl der Halbleiterchips bei höchstens 200 oder 130 oder 90. Dabei liegen bevorzugt jeweils mindestens fünf oder zehn der ersten, zweiten und optional der dritten Halbleiterchips vor. Alternatively or additionally, the number of semiconductor chips is at most 200 or 130 or 90. In each case, preferably at least five or ten of the first, second and optionally the third semiconductor chips are present.

Nachfolgend wird eine hier beschriebene Lichtquelle unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Sofern nicht anders angegeben sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Hereinafter, a light source described here will be explained in more detail with reference to the drawings with reference to embodiments. The same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. Unless otherwise indicated, however, no scale references are shown, but individual elements may be shown exaggerated for better understanding.

Es zeigen:Show it:

1 eine schematische Draufsicht auf eine Abwandlung einer Lichtquelle, 1 a schematic plan view of a modification of a light source,

2 bis 6 schematische Darstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Lichtquellen, und 2 to 6 schematic representations of embodiments of light sources described herein, and

7 schematische Spektren von durch den Detektor detektierten Strahlungen. 7 schematic spectra of radiations detected by the detector.

In 1 ist in einer Draufsicht eine Abwandlung 11 einer Lichtquelle gezeigt. Die Lichtquelle weist einen Träger 7 auf. Auf dem Träger 7 ist ein Lichtabstrahlkörper 5 aufgebracht, der erste und zweite Halbleiterchips 21, 22 überdeckt. Die ersten und zweiten Halbleiterchips 21, 22 sind zur Erzeugung von Licht voneinander verschiedener Farben eingerichtet. Ferner ist auf dem Träger 7 ein Detektor 4 zur Farbortbestimmung aufgebracht. Die Halbleiterchips 21, 22 sind entlang einer geraden Linie 6 angeordnet, neben der sich der Detektor 4 befindet. In 1 is a modification in a plan view 11 a light source shown. The light source has a carrier 7 on. On the carrier 7 is a light emitter 5 applied, the first and second semiconductor chips 21 . 22 covered. The first and second semiconductor chips 21 . 22 are to Creation of light of different colors set up. Further, on the carrier 7 a detector 4 applied for color location determination. The semiconductor chips 21 . 22 are along a straight line 6 placed next to the detector 4 located.

Somit ist bei der Abwandlung 11 der 1 der Detektor 4 ohne eine weitere Optik unmittelbar auf dem Träger 7 nahe den Halbleiterchips 21, 22 angebracht. Dabei ist eine Farbmischung am Ort des Detektors 4, und damit auch eine Farbregelung, abhängig von einer Geometrie einer nicht gezeichneten Leuchte, in die das Bauteil der 1 eingebaut ist. Eine Modularisierung, also eine Lichtquelle, die in jeder Leuchte ohne spezielle Konfiguration farbortgeregelt werden kann, ist durch eine solche Anordnung des Detektors 4 nicht realisierbar. Außerdem kann in dieser Detektoranordnung nicht garantiert werden, dass der detektierte Farbort aus einer Mischung des Lichts aller Halbleiterchips 21, 22 zustande kommt. Insbesondere liefern die dem Detektor 4 nächstgelegenen Halbleiterchips 21, 22 einen größeren Beitrag zu einem Detektorsignal als weiter entfernt befindliche Halbleiterchips 21, 22. Thus, in the modification 11 of the 1 the detector 4 without another optic directly on the carrier 7 near the semiconductor chips 21 . 22 appropriate. There is a color mixture at the location of the detector 4 , And thus also a color control, depending on a geometry of a non-illustrated luminaire, in which the component of the 1 is installed. A modularization, that is to say a light source which can be color-adjusted in any luminaire without special configuration, is provided by such an arrangement of the detector 4 not feasible. In addition, it can not be guaranteed in this detector arrangement that the detected color locus consists of a mixture of the light of all the semiconductor chips 21 . 22 comes about. In particular, they provide the detector 4 nearest semiconductor chips 21 . 22 a greater contribution to a detector signal than more distant semiconductor chips 21 . 22 ,

In 7A ist eine solche Verfälschung durch die Position des Detektors 4 illustriert. Als Strichlinie ist ein Referenzspektrum gezeigt, das weißem Licht mit einer Farbtemperatur von 4000 K entspricht, wie von der Abwandlung insgesamt emittiert. Das von dem Detektor 4 aufgenommene Spektrum ist als durchgezogene Linie eingezeichnet. Da sich Lichtquellen 21, 22 für blaues und grünes Licht näher an dem Detektor 4 befinden als Lichtquellen für rotes Licht, erscheinen die blauen und grünen Spektralkomponenten betont. Somit ist eine Korrektur eines Farborts bei der Abwandlung 11 anhand des Detektorsignals schwierig, insbesondere falls von einem Ausfall weit vom Detektor 4 entfernt liegende Halbleiterchips 21, 22 betroffen sind.In 7A is such a corruption by the position of the detector 4 illustrated. As a dashed line, a reference spectrum is shown, which corresponds to white light with a color temperature of 4000K, as emitted from the variation as a whole. That of the detector 4 recorded spectrum is shown as a solid line. Because there are light sources 21 . 22 for blue and green light closer to the detector 4 located as light sources for red light, the blue and green spectral components appear emphasized. Thus, a correction of a color location in the modification 11 difficult on the basis of the detector signal, in particular if a failure far from the detector 4 remote semiconductor chips 21 . 22 are affected.

In 2A ist in einem Querschnitt, in 2B in einem Längsschnitt und in 2C in einer Draufsicht ein Ausführungsbeispiel einer Lichtquelle 1 dargestellt. Zusätzlich zu dem Träger 7 und dem Lichtabstrahlkörper 5 umfasst die Lichtquelle 1 einen Lichtmischkörper 3. Der Lichtmischkörper 3 ist im Querschnitt gesehen als unregelmäßiges Fünfeck geformt. Dabei bedeckt der Lichtmischkörper 3 den Detektor 4 vollständig. Eine Detektionsfläche 40 des Detektors 4 ist einer Bodenseite 32 des Lichtmischkörpers 3 zugewandt. Die Halbleiterchips 21, 22 sind teilweise von dem Lichtmischkörper 3 bedeckt, siehe insbesondere 2C. Dabei nimmt ein Bedeckungsgrad mit dem Lichtmischkörper 3 zu, sodass Emissionsflächen 20 von Halbleiterchips 21, 22, die weiter von dem Detektor 4 entfernt liegen, zu einem größeren Anteil von dem Lichtmischkörper 3 bedeckt sind. Dies ist durch eine Stufe 36 in dem Lichtmischkörper 3 erzielt.In 2A is in a cross section, in 2 B in a longitudinal section and in 2C in an overhead view of an embodiment of a light source 1 shown. In addition to the carrier 7 and the light emitting body 5 includes the light source 1 a light mixing body 3 , The light mixing body 3 is seen in cross-section shaped as an irregular pentagon. The light mixing body covers 3 the detector 4 Completely. A detection area 40 of the detector 4 is a bottom side 32 of the light mixing body 3 facing. The semiconductor chips 21 . 22 are partly from the Lichtmischkörper 3 covered, see in particular 2C , It takes a degree of coverage with the light mixing body 3 to, so emission surfaces 20 of semiconductor chips 21 . 22 further from the detector 4 lie away, to a greater extent from the light mixing body 3 are covered. This is through a stage 36 in the light mixing body 3 achieved.

Der Lichtabstrahlkörper 5 ist im Querschnitt gesehen als Halbkreis und in Draufsicht gesehen als Rechteck geformt. Ein Radius des Lichtabstrahlkörpers 5 liegt, mit einer Toleranz von beispielsweise 25 %, bei einem Doppelten einer Länge des Lichtmischkörpers 3, im Querschnitt gesehen, vergleiche 2A.The light emitter 5 is seen in cross-section as a semicircle and seen in plan view shaped as a rectangle. A radius of the light emitter 5 is at a tolerance of, for example, 25%, at one double a length of Lichtmischkörpers 3 , seen in cross section, compare 2A ,

Optional umfasst die Lichtquelle 1 eine Ansteuereinheit 8, die in den Träger 7 integriert sein kann. Bei dem Träger 7 handelt es sich bevorzugt um eine Leiterplatte. Anders als dargestellt kann die Ansteuereinheit 8 auf derselben Seite wie die Halbleiterchips 21, 22 und der Detektor 4 angebracht sein. Ebenso abweichend von der Darstellung in 2A ist es möglich, dass der Lichtmischkörper 3 und/oder der Lichtabstrahlkörper 5 bis zum Träger 7 reichen und Seitenflächen der Halbleiterchips 21, 22 und/oder des Detektors 4 vollständig oder zumindest teilweise bedecken. Optionally, the light source includes 1 a drive unit 8th in the carrier 7 can be integrated. At the carrier 7 it is preferably a circuit board. Other than shown, the drive unit 8th on the same side as the semiconductor chips 21 . 22 and the detector 4 to be appropriate. Likewise deviating from the illustration in 2A is it possible that the light mixing body 3 and / or the light emitting body 5 to the carrier 7 rich and side surfaces of the semiconductor chips 21 . 22 and / or the detector 4 completely or at least partially cover.

Beim Ausführungsbeispiel der Lichtquelle 1, wie in 2 dargestellt, befindet sich der Detektor 4 in der Mitte des Lichtabstrahlkörpers 5, entlang einer Längsrichtung gesehen, siehe auch 2B. Um eine Lichteinkopplung von Licht der benachbarten Halbleiterchips 21, 22 zu verhindern oder zu reduzieren, befindet sich jeweils zwischen dem Detektor 4 und hin zu den benachbarten Halbleiterchips 21, 22 eine lichtundurchlässige Barriere 39. Die Barriere 39 reicht bevorzugt von dem Träger 7 her ausgehend zum Teil durch den Lichtmischkörper 3. Entsprechende Barrieren 39 können auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorhanden sein.In the embodiment of the light source 1 , as in 2 represented, is the detector 4 in the middle of the light-emitting body 5 , seen along a longitudinal direction, see also 2 B , To a light coupling of light of the adjacent semiconductor chips 21 . 22 to prevent or reduce, is located in each case between the detector 4 and to the adjacent semiconductor chips 21 . 22 an opaque barrier 39 , The barrier 39 preferably ranges from the carrier 7 forth starting partly through the light mixing body 3 , Appropriate barriers 39 may also be present in all other embodiments.

Oberhalb des Detektors 4 befindet sich eine näherungsweise rechtwinklige Einkerbung in dem Lichtmischkörper 3. An dieser Einkerbung befinden sich Spiegel 9, etwa mit einem reflektierenden Metall. Durch diese Einkerbung und durch die Spiegel 9 wird in dem Lichtmischkörper 3 verlaufendes Licht hin zu dem Detektor 4 gelenkt. Above the detector 4 there is an approximately rectangular notch in the light mixing body 3 , There are mirrors at this notch 9 with a reflective metal. Through this notch and through the mirrors 9 becomes in the light mixing body 3 extending light towards the detector 4 directed.

Die Barrieren 39 sind etwa durch Einkerbungen in den Lichtmischkörper 3 gebildet, die mit einer nicht gezeichneten spiegelnden Schicht, etwa aus Aluminium oder Silber, versehen sind. Die Barrieren 39 reichen zu beispielsweise mindestens 40 % oder 50 % und/oder zu höchstens 80 % oder 70 % oder 60 % einer Höhe des Lichtmischkörpers 3 in diesen hinein. The barriers 39 are about by notches in the Lichtmischkörper 3 formed, which are provided with a non-illustrated reflective layer, such as aluminum or silver. The barriers 39 for example, at least 40% or 50% and / or at most 80% or 70% or 60% of a height of Lichtmischkörpers 3 into this.

Der Lichtmischkörper 3 weist einen größeren Brechungsindex auf als der Lichtabstrahlkörper 5. Beide Körper 3, 5 sind beispielsweise je aus einem Silikon oder einem Polycarbonat hergestellt. Dadurch, dass der Lichtmischkörper 3 einen größeren Brechungsindex aufweist, wirkt der Lichtmischkörper 3 als eine Art Wellenleiter für die von den Halbleiterchips 21, 22 in den Lichtmischkörper 3 eingekoppelte Strahlung. Damit wird ein bestimmter Anteil der in den Lichtmischkörper 3 gelangenden Strahlung von den Halbleiterchips 21, 22 in Richtung parallel zu der Linie 6 geführt, an Endflächen reflektiert und insgesamt durchmischt. Das erzeugte Mischlicht gelangt zu dem Detektor 4, wodurch ein Farbort des Mischlichts, das bevorzugt zusammengesetzt ist aus Licht von allen Halbleiterchips 21, 22, bestimmt werden kann. Gleichzeitig mindert der Lichtmischkörper 3 eine Effizienz der Lichtquelle 1 nicht oder nicht signifikant, da senkrecht oder näherungsweise senkrecht zu den Emissionsflächen 20 emittiertes Licht den Lichtmischkörper 3 nahezu ungehindert durchlaufen kann. The light mixing body 3 has a larger refractive index than the light emitting body 5 , Both bodies 3 . 5 For example, each made of a silicone or a polycarbonate. Because of the light mixing body 3 has a larger refractive index, the light mixing body acts 3 as a kind of waveguide for those of the semiconductor chips 21 . 22 in the light mixing body 3 coupled radiation. This is a certain proportion of the light mixing body 3 reaching radiation from the semiconductor chips 21 . 22 in the direction parallel to the line 6 guided, reflected at end surfaces and mixed together. The generated mixed light reaches the detector 4 whereby a color location of the mixed light, which is preferably composed of light from all semiconductor chips 21 . 22 , can be determined. At the same time the light mixing body reduces 3 an efficiency of the light source 1 not or not significantly, as perpendicular or approximately perpendicular to the emission surfaces 20 emitted light the light mixing body 3 can go through almost unhindered.

Der Lichtabstrahlkörper 5 wird beispielsweise durch Spritzgießen oder Spritzpressen erzeugt. Eine dem Träger 7 zugewandte Grenzfläche des Lichtabstrahlkörpers 5 ist bevorzugt mit einer nicht gezeichneten reflektierenden Schicht, bevorzugt mit einer diffus reflektierenden Schicht, etwa mit einer Reflektivität von mindestens 90 % oder 95 %, versehen. Eine dem Lichtabstrahlkörper 5 zugewandte Fläche des Trägers 7 kann genauso gestaltet sein. The light emitter 5 is produced for example by injection molding or transfer molding. A the carrier 7 facing interface of the light emitting body 5 is preferably provided with a non-illustrated reflective layer, preferably with a diffusely reflecting layer, such as having a reflectivity of at least 90% or 95%. A light emitting body 5 facing surface of the carrier 7 can be designed the same way.

Durch diese Anordnung des Detektors 4 und die entsprechende Gestaltung des Lichtmischkörpers 3 ist eine Stabilisierung eines von der Lichtquelle 1 emittierten Farborts auf 1 SDCM oder weniger ermöglicht. SDCM steht für Standard Deviation of Color Matching und entspricht Δu´v´ = 0,001. Eine optische Effizienz des Systems aus dem Lichtmischkörper 3 und dem Lichtabstrahlkörper 5 liegt beispielsweise bei mindestens 90 %. By this arrangement of the detector 4 and the corresponding design of the light mixing body 3 is a stabilization of one of the light source 1 emitted color locus to 1 SDCM or less. SDCM stands for Standard Deviation of Color Matching and equals Δu'v' = 0.001. An optical efficiency of the system from the light mixing body 3 and the light emitting body 5 is for example at least 90%.

Bei dem Detektor 4 handelt es sich beispielsweise um eine Fotodiode auf Basis von Silizium, die mit Farbfiltern versehen sein kann, sodass für jede Art von Halbleiterchips 21, 22 eine oder mehr als eine Detektorfläche und entsprechend ein eigener Farbkanal vorhanden ist. At the detector 4 For example, it is a photodiode based on silicon, which can be provided with color filters, so that for each type of semiconductor chip 21 . 22 one or more than one detector surface and correspondingly a separate color channel is present.

In 3 ist der Lichtmischkörper 3 maßstäblich detaillierter dargestellt. Die genannten Zahlenwerte gelten bevorzugt mit einer Toleranz von höchstens 20 % oder 10 %. Die Bodenfläche 32 ist beispielsweise um zirka einen Faktor 2 länger als eine parallel zur Bodenfläche 32 ausgerichtete Oberseite 31. Eine Rückseite 34, die den Halbleiterchips 21, 22 abgewandt ist, verläuft mit einem Winkel von 10° relativ steil. Demgegenüber ist eine Vorderseite 33, die von den Halbleiterchips 21, 22 ausgeht, im Mittel flach mit einem Winkel von 45°. Dabei kann die Vorderseite 33 optional zwei Abschnitte aufweisen, wobei ein unterer Abschnitt nahe an den Halbleiterchips 21, 22 senkrecht zu den Emissionsflächen 20 orientiert ist. In 3 is the light mixing body 3 shown in greater detail to scale. The stated numerical values preferably apply with a tolerance of at most 20% or 10%. The floor area 32 For example, it is about a factor of 2 longer than one parallel to the floor surface 32 aligned top 31 , A backside 34 that the semiconductor chips 21 . 22 turned away, runs at an angle of 10 ° relatively steep. In contrast, a front side 33 that from the semiconductor chips 21 . 22 starting, on average flat at an angle of 45 °. This can be the front 33 Optionally have two sections, wherein a lower portion close to the semiconductor chips 21 . 22 perpendicular to the emission surfaces 20 is oriented.

In 4 ist maßstäblich ein weiteres Ausführungsbeispiel der Lichtquelle 1 in einem Querschnitt illustriert. Im Querschnitt gesehen ist der Lichtmischkörper 3 als Rechteck geformt mit einem Aspektverhältnis von bevorzugt mindestens 3 und/oder höchstens 6. In 4 is to scale a further embodiment of the light source 1 illustrated in a cross section. Seen in cross section is the Lichtmischkörper 3 shaped as a rectangle with an aspect ratio of preferably at least 3 and / or at most 6 ,

In 5 sind in perspektivischen Darstellungen weitere Ausführungsbeispiele der Lichtquelle 1 gezeigt. Gemäß den 5A bis 5C ist der Detektor 4 bevorzugt mittig entlang des Lichtmischkörpers 3 angebracht. Die Spiegel 9 und/oder Barrieren 39, wie in 2B dargestellt, können optional vorhanden sein.In 5 are in perspective representations of further embodiments of the light source 1 shown. According to the 5A to 5C is the detector 4 preferably centrally along the light mixing body 3 appropriate. The mirror 9 and / or barriers 39 , as in 2 B shown, may be optional.

Gemäß der 5A bis 5D weist der Lichtmischkörper 3 je eine größere Höhe auf als der Lichtabstrahlkörper 5. Gemäß 5A ist der Lichtabstrahlkörper 5 im Querschnitt gesehen halbkreisförmig als Strang gestaltet und grenzt direkt an den Lichtmischkörper 3. Dabei berührt der Lichtabstrahlkörper 5 bevorzugt nur die Vorderseite des Lichtmischkörpers 3. According to the 5A to 5D has the light mixing body 3 depending on a greater height than the Lichtabstrahlkörper 5 , According to 5A is the light emitter 5 seen in cross-section as a strand semicircular and borders directly on the Lichtmischkörper 3 , The light emitter touches 5 preferably only the front of the light mixing body 3 ,

Beim Ausführungsbeispiel der 5B ist der Lichtmischkörper 3 im Querschnitt gesehen als Rechteckstrang geformt. Dabei kann der Lichtmischkörper 3 eine Höhe des Lichtabstrahlkörpers 5 beispielsweise um mindestens einen Faktor 2 oder Faktor 3 und/oder um höchstens einen Faktor 5 oder Faktor 8 übersteigen.In the embodiment of 5B is the light mixing body 3 Seen in cross section as a rectangular strand. In this case, the light mixing body 3 a height of the light emitting body 5 for example, by at least a factor of 2 or 3 and / or by more than a factor of 5 or a factor of 8.

Gemäß 5C sind mehrere der Lichtabstrahlkörper 5 vorhanden, die sich je halbkugelförmig an den Lichtmischkörper 3 anschmiegen. According to 5C are several of the light emitters 5 present, each hemispherical to the Lichtmischkörper 3 nestle.

Beim Ausführungsbeispiel, wie in 5D gezeigt, befindet sich der Detektor 4 an einem Ende des Lichtmischkörpers 3. Eine Stirnfläche 35 des Lichtmischkörpers 3 ist abgeschrägt geformt, beispielsweise in einem Winkel von ungefähr 45°, und mit einem Spiegel 9 versehen. Der Detektor 4 befindet sich im Bereich dieser Abschrägung der Stirnfläche 35. Der strangförmige Lichtabstrahlkörper 5, der im Querschnitt gesehen als Rechteck, Parallelogramm oder Trapez gestaltet sein kann, reicht nicht bis an die Stirnfläche 35 und den Detektor 4 heran. Eine entsprechende Anordnung des Detektors 4 und eine solche Gestaltung der Stirnfläche 35 kann auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorhanden sein. In the embodiment, as in 5D shown is the detector 4 at one end of the light mixing body 3 , An end face 35 of the light mixing body 3 is beveled, for example, at an angle of about 45 °, and with a mirror 9 Mistake. The detector 4 is located in the area of this bevel of the face 35 , The strand-shaped Lichtabstrahlkörper 5 , which can be seen in cross-section designed as a rectangle, parallelogram or trapezoid, does not reach to the end face 35 and the detector 4 approach. A corresponding arrangement of the detector 4 and such a design of the end face 35 can also be present in all other embodiments.

In 6A ist in einer Schnittdarstellung ein weiteres Ausführungsbeispiel gezeigt. Im Bereich der Rückseite 34 des Lichtmischkörpers 3 ist in den Lichtabstrahlkörper 5 eine Einkerbung 55 eingebracht. Die Einkerbung 55 weist eine bogenförmige Gestalt auf, im Querschnitt gesehen. Die Einkerbung 55 reicht bevorzugt bis zu mindestens 50 % und/oder zu höchstens 65 % einer Höhe des Lichtabstrahlkörpers 5. Durch eine solche Einkerbung 55 ist eine gleichmäßige Lichtstärke I in Abhängigkeit von einem Abstrahlwinkel α erzielbar, siehe 6B. In 6A is shown in a sectional view another embodiment. In the area of the back 34 of the light mixing body 3 is in the light emitter 5 a notch 55 brought in. The notch 55 has an arcuate shape, seen in cross-section. The notch 55 preferably ranges up to at least 50% and / or at most 65% of a height of the Lichtabstrahlkörpers 5 , By such a notch 55 is a uniform light intensity I as a function of a radiation angle α achievable, see 6B ,

In 6C ist ergänzend ein beispielhafter Verlauf von Brechungsindizes für den Lichtmischkörper 3 und den Lichtabstrahlkörper 5, abhängig von der Wellenlänge λ, illustriert. Im sichtbaren Spektralbereich um 550 nm liegt der Brechungsindexunterschied bei ungefähr 0,15.In 6C is an additional example of a course of refractive indices for the Lichtmischkörper 3 and the light emitter 5 , depending on the wavelength λ, illustrated. In the visible spectral range around 550 nm, the refractive index difference is about 0.15.

In 7B ist eine Lichtleistung P in willkürlichen Einheiten gegenüber der Wellenlänge λ aufgetragen, wie von dem Detektor 4 etwa im Ausführungsbeispiel der 2 detektiert. Aufgrund der Lichtmischung in dem Lichtmischkörper 3 empfängt der Detektor 4 auch Licht von den weiter entfernt liegenden Leuchtdioden, weshalb das vom Detektor 4 empfangene Signal, siehe die durchgezogene Kurve, sehr gut dem von der Lichtquelle 1 insgesamt abgestrahlten Spektrum, siehe die Strich-Linie, entspricht. In 7B For example, a light power P at arbitrary units is plotted against the wavelength λ, as from the detector 4 about in the embodiment of 2 detected. Due to the light mixture in the light mixing body 3 the detector receives 4 also light from the more distant light emitting diodes, which is why the detector 4 received signal, see the solid curve, very well that of the light source 1 Total radiated spectrum, see the dash line, corresponds.

Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. The invention described here is not limited by the description based on the embodiments. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

11: Lichtquelle light source
1010: Lichtaustrittsfläche Light-emitting surface
2020: Emissionsfläche der Halbleiterchips Emission area of the semiconductor chips
2121: erster Halbleiterchip first semiconductor chip
2222: zweiter Halbleiterchip second semiconductor chip
2323: dritter Halbleiterchip third semiconductor chip
33: Lichtmischkörper mit hohem Brechungsindex Light mixing body with a high refractive index
3131: Oberseite top
3232: Bodenseite bottom side
3333: Vorderseite front
3434: Rückseite back
3535: Stirnfläche face
3636: Stufe step
3939: lichtundurchlässige Barriere opaque barrier
44: Detektor zur Farbortbestimmung Detector for color location determination
4040: Detektionsfläche detection area
55: Lichtabstrahlkörper Lichtabstrahlkörper
5555: Einkerbung notch
66: Linie, entlang der die Halbleiterchips angeordnet sind Line along which the semiconductor chips are arranged
77: Träger/Leiterplatte Carrier / circuit board
88th: Ansteuereinheit control unit
99: Spiegel mirror
1111: Abwandlung modification
αα: Winkel angle
λλ: Wellenlänge wavelength
II: Lichtstärke luminous intensity
nn: Brechungsindex refractive index
PP: Leistung in willkürlichen Einheiten (a.u.) Achievement in arbitrary units (a.u.)

Claims

Light source ( 1 ) with - at least one first semiconductor chip ( 21 ) for generating first light, - at least one second semiconductor chip ( 22 ) for producing second light, which has a different color than the first light, - a light mixing body ( 3 ), in which the first and the second light are mixed, so that a mixed light is produced, - a detector ( 4 ) on the light mixing body ( 3 ) for determining a color locus of the mixed light, and - at least one light-emitting body ( 5 ) for the emission of the first and second light, wherein - the light mixing body ( 3 ) of a first material having a first refractive index and the light emitting body ( 5 ) is produced from a second material having a second, lower refractive index, - the semiconductor chips ( 21 . 22 ) along a line ( 6 ) are arranged and different distances to the detector ( 4 ), and - the light mixing body ( 3 ) the semiconductor chips ( 21 . 22 ) is at least partially covered so that the detector ( 4 ) of each of the semiconductor chips ( 21 . 22 ) through the light mixing body ( 3 ) Receives light.

Light source ( 1 ) according to the preceding claim, wherein the light mixing body ( 3 ) the semiconductor chips ( 21 . 22 ) are covered to different degrees so that the detector ( 4 ) of each of the semiconductor chips ( 21 . 22 ) through the light mixing body ( 3 ) receives the same amount of light.

Light source ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein - the semiconductor chips ( 21 . 22 ) and the exactly one detector ( 4 ) in a common plane on a support ( 7 ) and the carrier ( 7 ) is a circuit board, - the line ( 6 ) is straight and the detector ( 4 ) next to the line ( 6 ) and of the light emitting body ( 5 ), and - with increasing distance to the detector ( 4 ) an area of the semiconductor chips ( 21 . 22 ) emitted by the light mixing body ( 3 ) is covered increases.

Light source ( 1 ) according to one of the preceding claims, whose light exit surface ( 10 ) partially or completely by the at least one light emitting body ( 5 ) is formed, wherein the detector ( 4 ) directly to the light mixing body ( 3 ) and a detection surface ( 40 ) of the detector ( 4 ) completely from the light mixing body ( 3 ) is covered.

Light source ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the light mixing body ( 3 ) is shaped as a prism and has a polygonal cross-sectional area, wherein one of the semiconductor chips ( 21 . 22 ) facing away from the light mixing body ( 3 ) obliquely to emission surfaces ( 20 ) of the semiconductor chips ( 21 . 22 ) is aligned.

Light source ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the light mixing body ( 3 ) a the detector ( 4 ) facing away from the top ( 31 ), a detector ( 4 ) facing bottom side ( 32 ), one the semiconductor chips ( 21 . 22 ) facing front ( 33 ) and one of the front ( 33 ) opposite back side ( 34 ), wherein the upper side ( 31 ) and the bottom side ( 32 ) parallel to the detection surface ( 40 ) of the detector ( 4 ) and the front side ( 33 ) is divided into two parts and has on average a smaller pitch than the back ( 34 ).

Light source ( 1 ) according to the preceding claim, wherein the average slope of the front side ( 33 ) is between 30 ° and 65 ° and a mean slope of the back ( 34 ) is at least 70 ° and not more than 87 °, with a first part of the front ( 33 ) steeper and a second, farther from the semiconductor chips ( 21 . 22 ) remote part of the front ( 33 ) is flatter than the back ( 34 ), and wherein a height of the light mixing body ( 3 ) at least 90% and at most 250% of a mean edge length of the smallest of the semiconductor chips ( 21 . 22 ) is.

Light source ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein, seen in plan view, the light mixing body ( 3 ) in the direction away from the detector ( 4 ) continuously or stepwise widened, and wherein end faces ( 35 ) of the light mixing body ( 3 ) are mirrored.

Light source ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the light emission body ( 5 ) seen in cross-section semicircular with a round notch ( 55 ) or semicircular.

Light source ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein the exactly one light emitting body ( 5 ) together with the carrier ( 7 ) the light mixing body ( 3 ), and wherein the light-emitting body ( 5 ) is square in shape seen in plan view.

Light source ( 1 ) according to one of claims 1 to 9, which has exactly one light emitting body ( 5 ), wherein the light mixing body ( 3 ) has a greater height than the light emitting body ( 5 ) and the light emitting body ( 5 ) as a continuous strip directly to the Lichtmischkörper ( 3 ) is formed, and wherein at least 80% of the semiconductor chip ( 21 . 22 ) light the light source ( 1 ) at the light emitting body ( 5 ) leaves.

Light source ( 1 ) according to one of claims 1 to 9, which comprises a plurality of identically designed, individual light emitting bodies ( 5 ), wherein the light mixing body ( 3 ) has a greater height than the Lichtabstrahlkörper ( 5 ) and the light emitting body ( 5 ) in a row spaced from each other directly to the light mixing body ( 3 ) are formed, and wherein at least 80% of the semiconductor chip ( 21 . 22 ) light the light source ( 1 ) at the Lichtabstrahlkörpern ( 5 ) leaves.

Light source ( 1 ) according to one of the preceding claims, wherein in the light mixing body ( 3 ) at least one opaque barrier ( 39 ), so that the detector ( 4 ) from direct irradiation by adjacent semiconductor chips ( 21 . 22 ) is protected and detects only already mixed light.

Light source ( 1 ) according to any one of the preceding claims, wherein the first refractive index is between 1.52 and 1.75 inclusive and the second refractive index is between 1.30 and 1.45 inclusive, the mixed light being white light having a correlated color temperature between inclusive 2500 K and 6000 K, and where the light source ( 1 ) at least one third semiconductor chip ( 23 ) for generating third light and the third light has a different color than the first and the second light.

Light source ( 1 ) according to one of the preceding claims, further comprising a drive unit ( 8th ), wherein the drive unit ( 8th ) is set up in the event of a failure of individual semiconductor chips ( 21 . 22 . 23 ) the remaining semiconductor chips ( 21 . 22 . 23 ) in such a way by means of a signal from the detector ( 4 ), so that despite the failure of individual semiconductor chips ( 21 . 22 . 23 ) a color location of the mixed light is changed by a maximum of 0.01 units in the CIE xy chromaticity diagram.

Light source ( 1 ) according to one of the preceding claims, which has a length of between 80 mm and 800 mm inclusive and which is mechanically rigid, the light source ( 1 ) at least 15 and at most 130 of the semiconductor chips ( 21 . 22 . 23 ), and wherein at least five first semiconductor chips ( 21 ) and at least five second semiconductor chips ( 22 ) available.