DE102015108117A1 - module - Google Patents

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DE102015108117A1
DE102015108117A1 DE102015108117.2A DE102015108117A DE102015108117A1 DE 102015108117 A1 DE102015108117 A1 DE 102015108117A1 DE 102015108117 A DE102015108117 A DE 102015108117A DE 102015108117 A1 DE102015108117 A1 DE 102015108117A1
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Hubert Halbritter
Karsten Auen
David O'Brien
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Ams Osram International GmbH
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Abstract

Es wird ein Bauelement angegeben, das aus einem Träger und einem lichtemittierenden Chip-Bauteil besteht, wobei das lichtemittierende Chip-Bauteil eine Lichtaustrittsfläche aufweist und auf einer Montagefläche des Trägers angebracht ist. Der Trägerweist eine Reflexionsfläche auf, die teilweise oberhalb und teilweise unterhalb der Ebene, die durch die Montagefläche definiert wird, angeordnet ist. Die Lichtaustrittsfläche ist der Reflexionsfläche zugewandt, der Träger ist einstückig ausgeführt. Das lichtemittierende Chip-Bauteil kann eine Laserdiode oder einen Laserdiodenbarren aufweisen.A component is specified that consists of a carrier and a light-emitting chip component, wherein the light-emitting chip component has a light exit surface and is mounted on a mounting surface of the carrier. The carrier has a reflective surface located partially above and partially below the plane defined by the mounting surface. The light exit surface faces the reflection surface, the carrier is made in one piece. The light emitting chip component may comprise a laser diode or a laser diode bar.

Description

Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Bauelement.The invention relates to a light-emitting component.

Lichtemittierende Bauelemente können realisiert werden, indem ein lichtemittierender Chip in ein Gehäuse eingesetzt, oder auf einen Träger aufgebracht wird. Dabei kann die Lichtaustrittsfläche des lichtemittierenden Chips so angeordnet sein, dass das Licht direkt aus dem Gehäuse ausgestrahlt werden kann, oder dass die Lichtaustrittsfläche dem Träger gegenüberliegt. Eine weitere Möglichkeit ist es, den lichtemittierenden Chip auf eine Montagefläche des Gehäuses oder des Trägers aufzubringen, wobei die Lichtaustrittsfläche des lichtemittierenden Chips senkrecht zur Montagefläche steht. Ein Reflektor kann dann genutzt werden, um das emittierte Licht des lichtemittierenden Chips abzulenken. Der lichtemittierende Chip und der Reflektor werden in Form von Einzelteilen auf dem Träger platziert. Ein solches Bauelement ist in der DE 10 2012 103 257 A1 offenbart.Light-emitting devices can be realized by inserting a light-emitting chip into a package or applying it to a carrier. In this case, the light exit surface of the light-emitting chip can be arranged so that the light can be emitted directly from the housing, or that the light exit surface is opposite to the carrier. Another possibility is to apply the light-emitting chip to a mounting surface of the housing or of the carrier, the light-emitting surface of the light-emitting chip being perpendicular to the mounting surface. A reflector can then be used to deflect the emitted light of the light-emitting chip. The light-emitting chip and the reflector are placed in the form of individual parts on the support. Such a device is in the DE 10 2012 103 257 A1 disclosed.

Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes lichtemittierendes Bauteil bereitzustellen, bei dem ein Reflektor ein Teil des Trägers für den lichtemittierenden Chip ist. Der Träger und der Reflektor sind einstückig ausgeführt. Diese Aufgabe wird mit einem Bauteil mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.An object of the invention is to provide an improved light-emitting device in which a reflector is a part of the carrier for the light-emitting chip. The carrier and the reflector are made in one piece. This object is achieved with a component having the features of claim 1. In the dependent claims various developments are given.

Ein Bauelement umfasst einen Träger und ein lichtemittierendes Chip-Bauteil, wobei das lichtemittierende Chip-Bauteil eine Lichtaustrittsfläche aufweist. Der Träger weist eine Montagefläche auf. Das lichtemittierende Chip-Bauteil ist auf der Montagefläche des Trägers angebracht, wobei die Lichtaustrittsfläche senkrecht zur Montagefläche steht. Der Träger weist außerdem eine Reflexionsfläche auf. Die Lichtaustrittsfläche des lichtemittierenden Chips ist der Reflexionsfläche zugewandt. Der Träger mit Montagefläche und Reflexionsfläche ist einstückig ausgeführt. Durch die einstückige Ausführung des Trägers, wodurch insbesondere Montagefläche und Reflexionsfläche in einem festen Winkel zueinander stehen, und wobei die Reflexionsfläche nicht durch Einbringen eines weiteren Bauteils erzeugt wird, wird das lichtemittierende Bauteil verbessert, da keine Abweichungen bei der Montage der Reflexionsfläche auftreten können.A component comprises a carrier and a light-emitting chip component, wherein the light-emitting chip component has a light exit surface. The carrier has a mounting surface. The light emitting chip component is mounted on the mounting surface of the carrier, wherein the light exit surface is perpendicular to the mounting surface. The carrier also has a reflective surface. The light exit surface of the light-emitting chip faces the reflection surface. The carrier with mounting surface and reflection surface is made in one piece. Due to the one-piece design of the support, whereby in particular mounting surface and reflection surface are at a fixed angle to each other, and wherein the reflection surface is not generated by introducing a further component, the light-emitting component is improved because no deviations may occur during assembly of the reflection surface.

In einer Ausführungsform ist die Reflexionsfläche teilweise oberhalb und teilweise unterhalb der Ebene, die durch die Montagefläche definiert wird, angeordnet. Dadurch kann eine flachere Bauform ermöglicht werden.In one embodiment, the reflective surface is disposed partially above and partially below the plane defined by the mounting surface. This allows a flatter design possible.

In einer Ausführungsform weist der Träger eine Ausnehmung auf, die an die Montagefläche angrenzt. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn der lichtemittierende Chip direkt an der Kante zu dieser Ausnehmung auf der Montagefläche platziert wird.In one embodiment, the carrier has a recess adjacent to the mounting surface. This is particularly advantageous if the light-emitting chip is placed directly on the edge to this recess on the mounting surface.

In einer Ausführungsform besteht der Träger aus einem Material mit einer spezifischen Wärmeleitfähigkeit von mindestens 30 W/(m·K). Eine spezifische Wärmeleitfähigkeit des Trägers von 30 W/(m·K) ermöglicht einen zuverlässigen Wärmetransport vom lichtemittierenden Chip auf die Rückseite des Trägers. Als Material für den Träger eignen sich insbesondere Kupfer, Aluminium oder Aluminiumlegierungen. Es können aber auch weitere Materialien, die eine entsprechende Wärmeleitfähigkeit aufweisen, verwendet werden.In one embodiment, the support is made of a material having a specific thermal conductivity of at least 30 W / (m · K). A specific heat conductivity of the carrier of 30 W / (m · K) allows a reliable heat transfer from the light-emitting chip to the back of the carrier. In particular copper, aluminum or aluminum alloys are suitable as material for the carrier. However, other materials which have a corresponding thermal conductivity can also be used.

In einer Ausführungsform weist der Träger im Bereich der Reflexionsfläche eine reflektierende Beschichtung auf. Durch die reflektierende Beschichtung des Trägers, die beispielsweise galvanisch oder aber auch über ein Vakuumverdampfungsverfahren aufgebracht werden kann, kann die Reflexion des Lichts des lichtemittierenden Chip-Bauteils an der Reflexionsfläche verbessert werden. Als Material für die Beschichtung eignen sich insbesondere Materialien, die eine große Reflektivität für das Licht der verwendeten Wellenlänge aufweisen.In one embodiment, the carrier has a reflective coating in the region of the reflection surface. Due to the reflective coating of the carrier, which can be applied, for example, galvanically or else via a vacuum evaporation method, the reflection of the light of the light-emitting chip component at the reflection surface can be improved. Particularly suitable materials for the coating are materials which have a high reflectivity for the light of the wavelength used.

In einer Ausführungsform ist die Reflexionsfläche eben. Durch die ebene Reflexionsfläche kann das Licht des lichtemittierenden Chips um einen bestimmten Winkel abgelenkt werden, der von dem Winkel abhängt, in dem Reflexionsfläche und Montagefläche zueinander stehen. Ansonsten wird der Lichtstrahl des lichtemittierenden Chips durch die ebene Reflexionsfläche nicht verändert. Durch die Ablenkung der ebenen Reflexionsfläche kann ein Bauteil erzeugt werden, das die gleichen Strahleigenschaften aufweist wie ein anderes Bauteil ohne Reflexionsfläche, bei dem die Lichtaustrittsrichtung des Bauteils mit der Lichtaustrittsrichtung des lichtemittierenden Chip-Bauteils übereinstimmt. Durch die Reflexionsfläche ist es möglich, die Bauhöhe des Bauteils zu reduzieren.In one embodiment, the reflective surface is flat. The flat reflecting surface allows the light of the light-emitting chip to be deflected by a specific angle, which depends on the angle at which the reflection surface and the mounting surface are in relation to one another. Otherwise, the light beam of the light-emitting chip is not changed by the flat reflection surface. By the deflection of the flat reflection surface, a component can be produced which has the same beam properties as another component without a reflection surface, in which the light exit direction of the component coincides with the light exit direction of the light-emitting chip component. Due to the reflection surface, it is possible to reduce the height of the component.

In einer Ausführungsform stehen die Reflexionsfläche und die Montagefläche in einem Winkel von 40 bis 50° zueinander, insbesondere in einem Winkel von 45°. Durch die Wahl eines Winkels von 45° zwischen Montagefläche und Reflexionsfläche kann das Licht des lichtemittierenden Chip-Bauteils um 90° abgelenkt werden. Durch die Wahl dieses Winkels ergibt sich eine besonders vorteilhafte Gestaltung des Bauteils, da dies die größte Reduzierung der Bauhöhe ermöglicht.In one embodiment, the reflective surface and the mounting surface are at an angle of 40 to 50 ° to each other, in particular at an angle of 45 °. By choosing an angle of 45 ° between the mounting surface and the reflection surface, the light of the light-emitting chip component can be deflected by 90 °. By choosing this angle results in a particularly advantageous design of the component, since this allows the largest reduction in height.

In einer Ausführungsform weist die Reflexionsfläche eine parabolische Form auf. Eine parabolische Form der Reflexionsfläche kann neben der Umlenkung des Lichts des lichtemittierenden Chip-Bauteils dazu dienen, dass eine erste Strahlformung des Lichts des lichtemittierenden Chip-Bauteils ermöglicht wird. Mit einer parabolischen Form der Reflexionsfläche können gute Strahleigenschaften des Lichts, das das Bauteil verlässt, erzeugt werden. In one embodiment, the reflective surface has a parabolic shape. A parabolic shape of the reflection surface can serve in addition to the deflection of the light of the light-emitting chip component that a first beam shaping of the light of the light-emitting chip component is made possible. With a parabolic shape of the reflecting surface good beam properties of the light leaving the component can be generated.

In einer Ausführungsform liegt der Brennpunkt der parabolischen Reflexionsfläche auf der der Reflexionsfläche zugewandten Lichtaustrittsfläche des lichtemittierenden Chip-Bauteils. Durch diese Wahl der Geometrie des Trägers und des lichtemittierenden Chip-Bauteils wird erreicht, dass das Licht, das den lichtemittierenden Chip-Bauteil mit einer gewissen Winkelverteilung verlässt, an der parabolischen Reflexionsfläche reflektiert und dabei in einen Parallelstrahl umgewandelt wird. Dadurch kann mit der Reflexionsfläche sowohl die Bauteilhöhe verringert werden, als auch eine erste Strahlformung erfolgen.In one embodiment, the focal point of the parabolic reflection surface lies on the light-emitting surface of the light-emitting chip component facing the reflection surface. This choice of the geometry of the carrier and of the light-emitting chip component ensures that the light which leaves the light-emitting chip component with a certain angular distribution is reflected at the parabolic reflection surface and thereby converted into a parallel beam. As a result, both the component height can be reduced with the reflection surface, as well as a first beam forming done.

In einer Ausführungsform weist das Bauelement ein Gehäuse auf, das zwei elektrisch leitfähige Bereiche aufweist, die voneinander elektrisch isoliert sind. Der lichtemittierende Chip-Bauteil weist zwei Anschlüsse auf, wobei je ein Anschluss des lichtemittierenden Chip-Bauteils mit einem der zwei elektrisch leitfähigen Bereiche elektrisch leitend verbunden ist. Dadurch kann eine elektrische Kontaktierung des lichtemittierenden Chip-Bauteils erreicht werden.In one embodiment, the device has a housing which has two electrically conductive regions that are electrically insulated from one another. The light-emitting chip component has two terminals, one terminal each of the light-emitting chip component being electrically conductively connected to one of the two electrically conductive areas. As a result, an electrical contacting of the light-emitting chip component can be achieved.

In einer Ausführungsform ist der Träger, auf den der lichtemittierende Chip-Bauteil aufgebracht ist, ein elektrisch leitfähiger Bereich. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn der Träger aus einem Metall besteht.In one embodiment, the carrier to which the light-emitting chip component is applied is an electrically conductive region. This is especially the case when the carrier is made of a metal.

In einer Ausführungsform weist das lichtemittierende Chip-Bauteil neben dem lichtemittierenden Chip einen Submount auf. Der Submount kann als ein zusätzlicher Träger, auf den der lichtemittierende Chip aufgebracht ist, interpretiert werden. Der lichtemittierende Chip wird auf dem Submount platziert und dieses vorgefertigte lichtemittierende Chip-Bauteil dann auf den Träger mit der Reflexionsfläche aufgesetzt. Durch den Submount wird in der Produktion die elektrische Kontaktierung des lichtemittierenden Chips vereinfacht. Ein lichtemittierender Chip mit einem Submount ist leichter auf einem Träger zu platzieren als ein lichtemittierender Chip für sich selbst.In one embodiment, the light-emitting chip component has a submount next to the light-emitting chip. The submount may be interpreted as an additional carrier to which the light-emitting chip is applied. The light-emitting chip is placed on the submount and this prefabricated light-emitting chip component is then placed on the carrier with the reflection surface. The submount simplifies the electrical contacting of the light-emitting chip during production. A light-emitting chip with a submount is easier to place on a support than a light-emitting chip for itself.

In einer Ausführungsform weist der Submount zwei Kontaktstellen auf, wobei die zwei Kontaktstellen mit jeweils einem Anschluss des lichtemittierenden Chips elektrisch leitend verbunden sind. Außerdem sind die zwei Kontaktstellen mit jeweils einem der elektrisch leitfähigen Bereiche des Gehäuses mittels Bonddraht verbunden. Dadurch wird die elektrische Kontaktierung des lichtemittierenden Chips über dem Submount mit den elektrisch leitfähigen Bereichen des Gehäuses sichergestellt.In one embodiment, the submount has two contact points, wherein the two contact points are electrically conductively connected to in each case one terminal of the light-emitting chip. In addition, the two contact points are each connected to one of the electrically conductive regions of the housing by means of bonding wire. This ensures the electrical contacting of the light-emitting chip via the submount with the electrically conductive regions of the housing.

In einer Ausführungsform weist das Gehäuse eine umlaufende Oberfläche auf. Außerdem weist das Bauelement ein Abdeckelement auf, das an die umlaufende Oberfläche angrenzt. Das Abdeckelement ist durchlässig für die Strahlung des lichtemittierenden Chip-Bauteils und verschließt das Gehäuse dicht.In one embodiment, the housing has a circumferential surface. In addition, the device has a cover which is adjacent to the peripheral surface. The cover element is permeable to the radiation of the light-emitting chip component and seals the housing tightly.

In einer Ausführungsform weist das Abdeckelement ein Strahlformungselement, eine Linse oder Streupartikel auf. Dadurch kann mithilfe des Abdeckelements eine Strahlformung des Lichtes des lichtemittierenden Chip-Bauteils erreicht werden. Mit einer Linse kann das Licht des lichtemittierenden Chip-Bauteils beispielsweise kollimiert werden, mit Streupartikeln kann eine Streuung des Lichts erreicht werden.In one embodiment, the cover element has a beam-shaping element, a lens or scattering particles. As a result, beam shaping of the light of the light-emitting chip component can be achieved by means of the cover element. With a lens, the light of the light-emitting chip component, for example, can be collimated, with scattering particles, a scattering of the light can be achieved.

In einer Ausführungsform ist das Gehäuse unterhalb des Abdeckelements mit einem für die Strahlung des lichtemittierenden Chip-Bauteils durchlässigen Material gefüllt. Durch das Abdeckelement und die Verfüllung des Gehäuses mit einem für das Licht des lichtemittierenden Chip-Bauteils durchlässigen Material kann ein Schutz vor mechanischen oder sonstigen Umwelteinflüssen auf den lichtemittierenden Chip-Bauteil und die Reflexionsfläche erreicht werden.In one embodiment, the housing below the cover element is filled with a material permeable to the radiation of the light-emitting chip component. By the cover and the backfilling of the housing with a permeable to the light of the light-emitting chip component material protection against mechanical or other environmental influences on the light-emitting chip component and the reflection surface can be achieved.

In einer Ausführungsform ist das lichtemittierende Chip-Bauteil ein Laser-Chip-Bauteil. In anderen Worten ist der lichtemittierende Chip eine Laserdiode. Eine Laserdiode eignet sich besonders vorteilhaft für die Verwendung in einem lichtemittierenden Bauteil der vorliegenden Erfindung.In one embodiment, the light-emitting chip component is a laser chip component. In other words, the light-emitting chip is a laser diode. A laser diode is particularly advantageous for use in a light-emitting device of the present invention.

In einer Ausführungsform weist das Laser-Chip-Bauteil einen Laserdiodenbarren auf, wobei der Träger für jeden Laser des Laserdiodenbarrens eine Reflexionsfläche aufweist. Dadurch kann die Strahlformungseigenschaft der Reflexionsfläche für jeden Laser einzeln verwendet werden.In an embodiment, the laser chip component comprises a laser diode bar, the carrier having a reflection surface for each laser of the laser diode bar. Thereby, the beam shaping property of the reflection surface can be used singly for each laser.

In einer Ausführungsform weist das Bauelement weitere Bauteile, beispielsweise eine Photodiode auf.In one embodiment, the component has further components, for example a photodiode.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. In den Zeichnungen zeigen:The above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they will be achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments, which will be described in detail in conjunction with the drawings. In the drawings show:

Die 1 einen Querschnitt durch ein lichtemittierendes Bauelement mit ebener Reflexionsfläche; The 1 a cross section through a light-emitting device with a flat reflecting surface;

die 2 einen Querschnitt durch ein weiteres lichtemittierendes Bauteil mit ebener Reflexionsfläche;the 2 a cross section through another light-emitting device with a flat reflecting surface;

die 3 einen Querschnitt durch ein lichtemittierendes Bauteil mit einer parabolischen Reflexionsfläche;the 3 a cross section through a light-emitting component with a parabolic reflection surface;

die 4 den Querschnitt durch ein lichtemittierendes Bauelement mit Gehäuse;the 4 the cross section through a light emitting device with housing;

die 5 einen Querschnitt durch ein lichtemittierendes Bauelement mit Gehäuse und Submount;the 5 a cross section through a light emitting device with housing and submount;

die 6 eine Draufsicht auf ein lichtemittierendes Bauelement mit Gehäuse und Submount;the 6 a plan view of a light emitting device with housing and submount;

die 7 einen Querschnitt durch ein lichtemittierendes Bauelement mit Gehäuse, Submount und Abdeckelement;the 7 a cross section through a light-emitting device with housing, submount and cover;

die 8 einen Querschnitt durch ein lichtemittierendes Bauelement mit Gehäuse, Submount, Abdeckelement und Strahlformungselement, das in das Abdeckelement integriert ist; undthe 8th a cross section through a light-emitting device with housing, submount, cover and beam shaping element, which is integrated in the cover; and

die 9 eine Draufsicht auf ein lichtemittierendes Bauelement mit einem Laserdiodenbarren und mehreren parabolischen Reflexionsflächen.the 9 a plan view of a light-emitting device with a laser diode bar and a plurality of parabolic reflection surfaces.

Die 1 zeigt ein lichtemittierendes Bauelement 100, das aus einem Träger 110 und einem lichtemittierenden Chip-Bauteil 120 besteht. Auf einer Oberseite des Trägers 110 befindet sich eine Montagefläche 111, auf der das lichtemittierende Chip-Bauteil 120 angebracht ist. Das lichtemittierende Chip-Bauteil 120 kann direkt oder über mindestens eine Verbindungsschicht auf der Montagefläche 111 aufliegen. Als Verbindungsschicht ist beispielsweise eine Klebstoffschicht, eine Epoxidharzschicht oder eine Lackschicht denkbar. Das lichtemittierende Chip-Bauteil 120 weist eine Lichtaustrittsfläche 121 auf, die senkrecht zur Montagefläche 111 steht, wobei aber auch andere Winkel zwischen Montagefläche 111 und Lichtaustrittsfläche 121 denkbar sind. Die Lichtaustrittsfläche 121 des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 ist einer ebenen Reflexionsfläche 112 zugewandt. Der Träger 110 mit der Montagefläche 111 und der Reflexionsfläche 112 ist dabei aus einem Stück gefertigt.The 1 shows a light emitting device 100 that from a carrier 110 and a light-emitting chip component 120 consists. On a top of the vehicle 110 there is a mounting surface 111 on which the light-emitting chip component 120 is appropriate. The light-emitting chip component 120 can directly or via at least one bonding layer on the mounting surface 111 rest. As the bonding layer, for example, an adhesive layer, an epoxy resin layer or a paint layer is conceivable. The light-emitting chip component 120 has a light exit surface 121 on, perpendicular to the mounting surface 111 stands, but also other angles between mounting surface 111 and light exit surface 121 are conceivable. The light exit surface 121 of the light-emitting chip component 120 is a flat reflection surface 112 facing. The carrier 110 with the mounting surface 111 and the reflection surface 112 is made of one piece.

Die 2 zeigt ebenfalls ein lichtemittierendes Bauelement 100, das aus einem Träger 110 mit ebener Reflexionsfläche 112 und einem lichtemittierenden Chip-Bauteil 120 besteht. Eine Montagefläche 111 und das lichtemittierende Chip-Bauteil 120 sind analog zur 1 angeordnet, wobei der Träger 110 eine Ausnehmung 113 aufweist, wobei die Lichtaustrittsfläche 121 des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 der ebenen Reflexionsfläche 112 und der Ausnehmung 113 zugewandt ist. Durch die Ausnehmung 113 kann erreicht werden, dass ein großer Anteil des Lichts, möglichst das gesamte Licht des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 auf die ebene Reflexionsfläche 112 trifft. Die Reflexionsfläche 112 ist dabei so angeordnet, dass sie teilweise oberhalb und teilweise unterhalb der Ebene liegt, die durch die Montagefläche 111 des Trägers 110 definiert wird. Der Träger 110 mit der Montagefläche 111 und der Reflexionsfläche 112 ist dabei aus einem Stück gefertigt.The 2 also shows a light emitting device 100 that from a carrier 110 with flat reflection surface 112 and a light-emitting chip component 120 consists. A mounting surface 111 and the light-emitting chip component 120 are analogous to 1 arranged, the carrier 110 a recess 113 having, wherein the light exit surface 121 of the light-emitting chip component 120 the flat reflection surface 112 and the recess 113 is facing. Through the recess 113 can be achieved that a large proportion of the light, preferably the entire light of the light-emitting chip component 120 on the flat reflection surface 112 meets. The reflection surface 112 is arranged so that it lies partially above and partially below the plane passing through the mounting surface 111 of the carrier 110 is defined. The carrier 110 with the mounting surface 111 and the reflection surface 112 is made of one piece.

In einem Ausführungsbeispiel weist der Träger 110 eine Ausnehmung 113 auf, die an die Montagefläche 111 angrenzt.In one embodiment, the carrier 110 a recess 113 on, attached to the mounting surface 111 borders.

In einem Ausführungsbeispiel besteht der Träger 110 aus einem Material mit einer spezifischen Wärmeleitfähigkeit von mindestens 30 W/(m·K). Durch eine spezifische Wärmeleitfähigkeit des Trägers 110 von mindestens 30 W/(m·K) kann erreicht werden, dass die Wärme, die im lichtemittierenden Chip-Bauteil 120 entsteht, durch den Träger 110 abgeleitet werden kann. Dadurch kann eine effiziente Kühlung des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 erreicht werden. Geeignete Materialien für den Träger 110 sind beispielsweise Kupfer, Aluminium oder Aluminiumlegierungen. Es können aber auch andere Materialien verwendet werden, die eine spezifische Wärmeleitfähigkeit von mindestens 30 W/(m·K) aufweisen.In one embodiment, the carrier is 110 of a material with a specific thermal conductivity of at least 30 W / (m · K). Due to a specific thermal conductivity of the carrier 110 of at least 30 W / (m · K) can be achieved, that is the heat in the light-emitting chip component 120 is created by the wearer 110 can be derived. This allows efficient cooling of the light-emitting chip component 120 be achieved. Suitable materials for the wearer 110 For example, copper, aluminum or aluminum alloys. However, it is also possible to use other materials which have a specific thermal conductivity of at least 30 W / (m · K).

In einem Ausführungsbeispiel weist der Träger 110 im Bereich der Reflexionsfläche 112 eine reflektierende Beschichtung auf. Diese Beschichtung kann aus unterschiedlichen Materialien bestehen, je nachdem, welche Wellenlänge das lichtemittierende Chip-Bauteil 120 aufweist. Für rotes Licht eignet sich beispielsweise eine Goldschicht, aber auch eine passivierte Silberoberfläche. Für grünes und blaues Licht eignet sich eine passivierte Silberoberfläche.In one embodiment, the carrier 110 in the area of the reflection surface 112 a reflective coating on. This coating can consist of different materials, depending on the wavelength of the light-emitting chip component 120 having. For red light, for example, a gold layer, but also a passivated silver surface is suitable. For green and blue light, a passivated silver surface is suitable.

In dem beschriebenen Ausführungsbeispiel ist die Reflexionsfläche 112 eben. Dies ermöglicht eine einfache Geometrie des Bauelements 100. Um eine optische Strahlformung zu erreichen sind aber weitere Strahlformungselemente notwendig, die ebene Reflexionsfläche 112 lenkt das Licht des lichtemittierenden Chip-Bauteils nur ab.In the described embodiment, the reflection surface 112 just. This allows a simple geometry of the device 100 , In order to achieve an optical beam shaping, however, further beam-shaping elements are necessary, the plane reflecting surface 112 deflects the light of the light-emitting chip component only.

In einem Ausführungsbeispiel beträgt der Winkel zwischen der ebenen Reflexionsfläche 112 und der Montagefläche 111 einen Wert zwischen 40 und 50°, insbesondere 45°. Mit einem Winkel von 45° kann erreicht werden, dass das Licht des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 um 90° abgelenkt wird. Dadurch tritt das Licht senkrecht zur Montagefläche aus dem Bauteil aus.In one embodiment, the angle between the planar reflecting surface 112 and the mounting surface 111 a value between 40 and 50 °, in particular 45 °. With an angle of 45 ° can be achieved that the light of light-emitting chip component 120 is deflected by 90 °. As a result, the light emerges from the component perpendicular to the mounting surface.

Die 3 zeigt ein Bauelement 100, das aus einem Träger 110 und einem lichtemittierenden Chip-Bauteil 120 besteht. Der Träger weist eine ebene Montagefläche 111 auf, auf der das lichtemittierende Chip-Bauteil 120 direkt oder über eine Verbindungsschicht angebracht ist. Das lichtemittierende Chip-Bauteil 120 weist eine Lichtaustrittsfläche 121 auf, die senkrecht zur Montagefläche 111 steht, wobei auch andere Winkel zwischen Lichtaustrittsfläche 121 und Montagefläche 111 denkbar sind. An die Montagefläche 111 angrenzend weist der Träger 110 eine Ausnehmung 113 auf. Der Träger 110 weist eine parabolische Reflexionsfläche 114 auf, wobei ein Teil der Ausnehmung 113 eine parabolische Oberfläche aufweist und die Ausnehmung 113 in die parabolische Reflexionsfläche 114 übergeht. Die Lichtaustrittsfläche 121 des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 ist der parabolischen Reflexionsfläche 114 zugewandt. Durch die parabolische Reflexionsfläche 114 wird erreicht, dass neben der Umlenkung des Lichtes des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 auch eine erste Strahlformung an der parabolischen Reflexionsfläche 114 stattfindet.The 3 shows a component 100 that from a carrier 110 and a light-emitting chip component 120 consists. The carrier has a flat mounting surface 111 on top of which the light-emitting chip component 120 is attached directly or via a connection layer. The light-emitting chip component 120 has a light exit surface 121 on, perpendicular to the mounting surface 111 stands, although other angles between the light exit surface 121 and mounting surface 111 are conceivable. To the mounting surface 111 adjacent to the carrier 110 a recess 113 on. The carrier 110 has a parabolic reflection surface 114 on, with part of the recess 113 has a parabolic surface and the recess 113 into the parabolic reflection surface 114 passes. The light exit surface 121 of the light-emitting chip component 120 is the parabolic reflection surface 114 facing. Through the parabolic reflection surface 114 is achieved that in addition to the deflection of the light of the light-emitting chip component 120 also a first beam shaping on the parabolic reflection surface 114 takes place.

In einem Ausführungsbeispiel liegt der Brennpunkt der parabolischen Reflexionsfläche 114 auf der Lichtaustrittsfläche 121 des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120. Dadurch wird erreicht, dass die Lichtstrahlen, die vom lichtemittierenden Chip-Bauteil 120 mit einem gewissen Öffnungswinkel ausgestrahlt werden, an der parabolischen Reflexionsfläche 114 so reflektiert werden, dass parallele Lichtstrahlen entstehen.In one embodiment, the focal point of the parabolic reflection surface 114 on the light exit surface 121 of the light-emitting chip component 120 , This ensures that the light rays from the light-emitting chip component 120 be emitted with a certain opening angle, at the parabolic reflection surface 114 be reflected so that parallel light rays arise.

Die 4 zeigt ein Bauelement 100, das einen Träger 110, ein lichtemittierendes Chip-Bauteil 120 und ein Gehäuse 130 aufweist. Das Gehäuse 130 besteht dabei aus mehreren Einzelteilen, wobei der Träger 110 ein Teil des Gehäuses 130 ist. Der Träger 110 ist außerdem ein erster elektrisch leitfähiger Bereich 131 des Gehäuses 130. Das Gehäuse 130 weist außerdem einen zweiten elektrisch leitfähigen Bereich 132 auf. Durch einen Isolationsbereich 133, der elektrischen Strom nicht leitet, ist der zweite elektrisch leitfähige Bereich 132 vom ersten elektrisch leitfähigen Bereich 110, getrennt. Dabei bilden sowohl der erste elektrisch leitfähige Bereich 110, der zweite elektrisch leitfähige Bereich 132 und der Isolationsbereich 133 einen Teil des Gehäuses 130. Mittels eines Bonddrahts 134 ist der zweite elektrisch leitfähige Bereich 132 mit der Oberseite des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 verbunden. Die Unterseite des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 liegt direkt auf der Montagefläche 111 des Trägers 110, also dem ersten elektrisch leitfähigen Bereich 131 auf oder ist über wenigstes eine Verbindungsschicht mit dem Träger 110 verbunden. Durch die elektrisch leitfähigen Bereiche 131, 132 kann das lichtemittierende Chip-Bauteil 120 elektrisch kontaktiert werden. Der Träger 110 weist außerdem eine Ausnehmung 113 und eine ebene Reflexionsfläche 112 analog zur 2 auf.The 4 shows a component 100 that a carrier 110 , a light-emitting chip component 120 and a housing 130 having. The housing 130 consists of several parts, the carrier 110 a part of the housing 130 is. The carrier 110 is also a first electrically conductive area 131 of the housing 130 , The housing 130 also has a second electrically conductive area 132 on. Through an isolation area 133 that does not conduct electrical current is the second electrically conductive region 132 from the first electrically conductive area 110 , separated. Both form the first electrically conductive area 110 , the second electrically conductive area 132 and the isolation area 133 a part of the housing 130 , By means of a bonding wire 134 is the second electrically conductive area 132 with the top of the light-emitting chip component 120 connected. The bottom of the light-emitting chip component 120 lies directly on the mounting surface 111 of the carrier 110 , ie the first electrically conductive area 131 on or is at least a tie layer with the carrier 110 connected. Through the electrically conductive areas 131 . 132 may be the light-emitting chip component 120 be contacted electrically. The carrier 110 also has a recess 113 and a flat reflective surface 112 analogous to 2 on.

Die 5 zeigt einen Querschnitt durch ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Bauelementes 100. Das Bauelement 100 weist einen Träger 110, ein Gehäuse 130 und ein lichtemittierendes Chip-Bauteil 120 auf. Der Träger 110 weist eine Ausnehmung 113 und eine ebene Reflexionsfläche 112 analog zur 2 auf. Das lichtemittierende Chip-Bauteil 120 weist einen Submount 140 auf. Der Submount 140 kann dabei als zusätzlicher Träger aufgefasst werden, wobei ein lichtemitierender Chip 120 auf dem Submount 140 angebracht ist und der Submount 140 auf die Montagefläche 111 aufgesetzt ist. Der Submount 140 ist zwischen dem lichtemittierenden Chip 120 und dem Träger 110 angeordnet. Das Gehäuse 130 weist zwei elektrisch leitfähige Bereiche 131, 132 auf, wobei die beiden elektrisch leitfähigen Bereiche 131, 132 durch einen Isolationsbereich 133 elektrisch isoliert sind. Der Träger 110, der auch Teil des Gehäuses 130 ist, ist ebenfalls über einen Isolationsbereich 133 von dem elektrisch leitfähigen Bereich 132 isoliert. Der Submount 140 weist eine erste Kontaktstelle 141 und eine zweite Kontaktstelle 142 auf. Der erste elektrisch leitfähige Bereich 131 des Gehäuses 130 ist mit einem ersten Bonddraht 135 mit der ersten Kontaktstelle 141 des Submounts 140 verbunden. Der zweite elektrisch leitfähige Bereich 132 des Gehäuses 130 ist mit einem zweiten Bonddraht 136 mit der zweiten Kontaktstelle 142 des Submounts 140 verbunden. Die zweite Kontaktstelle 142 des Submounts 140 ist mit einem dritten Bonddraht 137 mit der Oberseite des lichtemittierenden Chips 120 verbunden, während die Unterseite des lichtemittierenden Chips 120 an die erste Kontaktstelle 141 des Submounts 140 angrenzt. Damit kann der elektrische Anschluss des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 über den ersten elektrisch leitfähigen Bereich 131 und den zweiten elektrisch leitfähigen Bereich 132 des Gehäuses 130 erfolgen. Der Träger 110 dient der Wärmeabfuhr, wobei keine elektrische Kontaktierung des lichtemittierenden Chips 120 über den Träger 110 vorgesehen ist.The 5 shows a cross section through a further embodiment of a component 100 , The component 100 has a carrier 110 , a housing 130 and a light-emitting chip component 120 on. The carrier 110 has a recess 113 and a flat reflective surface 112 analogous to 2 on. The light-emitting chip component 120 has a submount 140 on. The submount 140 can be understood as an additional carrier, wherein a lichtemitierender chip 120 on the submount 140 attached and the submount 140 on the mounting surface 111 is attached. The submount 140 is between the light-emitting chip 120 and the carrier 110 arranged. The housing 130 has two electrically conductive areas 131 . 132 on, with the two electrically conductive areas 131 . 132 through an isolation area 133 are electrically isolated. The carrier 110 , which is also part of the case 130 is, is also about an isolation area 133 from the electrically conductive area 132 isolated. The submount 140 has a first contact point 141 and a second contact point 142 on. The first electrically conductive area 131 of the housing 130 is with a first bonding wire 135 with the first contact point 141 of the submount 140 connected. The second electrically conductive area 132 of the housing 130 is with a second bonding wire 136 with the second contact point 142 of the submount 140 connected. The second contact point 142 of the submount 140 is with a third bonding wire 137 with the top of the light-emitting chip 120 connected while the bottom of the light-emitting chip 120 to the first contact point 141 of the submount 140 borders. Thus, the electrical connection of the light-emitting chip component 120 over the first electrically conductive area 131 and the second electrically conductive region 132 of the housing 130 respectively. The carrier 110 serves the heat dissipation, with no electrical contacting of the light-emitting chip 120 over the carrier 110 is provided.

In einem Ausführungsbeispiel ist der Träger 110 für die Wärmeabfuhr vorgesehen, zwei elektrisch leitfähige Bereiche 131,132 sorgen für die elektrische Kontaktierung des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120, wobei kein Submount 140 vorgesehen ist.In one embodiment, the carrier is 110 intended for heat dissipation, two electrically conductive areas 131 , 132 provide for the electrical contacting of the light-emitting chip component 120 , where no submount 140 is provided.

Die 6 zeigt das Bauelement 100 der 5 in der Draufsicht. Das Gehäuse 130 hat eine rechteckige Form, wobei umlaufend auf allen vier Seiten eine ebene Oberfläche 138 angeordnet ist. Die Oberfläche 138 ist dabei eine ebene Fläche. In diesem Ausführungsbeispiel ist die Oberfläche 138 so ausgebildet, dass ein Abdeckelement auf die Oberfläche 138 aufgelegt werden kann.The 6 shows the device 100 of the 5 in the plan view. The housing 130 has a rectangular shape with a flat surface on all four sides 138 is arranged. The surface 138 is a flat surface. In This embodiment is the surface 138 designed so that a cover on the surface 138 can be hung up.

Die 7 zeigt einen Querschnitt durch ein Bauelement 100, das im Wesentlichen dem Bauelement der 4 und 5 entspricht. Das Bauelement 100 der 6 weist zusätzlich ein Abdeckelement 150 auf, das auf der Oberfläche 138 aufliegt und das durchlässig ist für die Strahlung des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 ist. Das Abdeckelement 150 ist eingerichtet, das komplette Bauteil 100 dicht zu verschließen.The 7 shows a cross section through a device 100 which is essentially the component of the 4 and 5 equivalent. The component 100 of the 6 additionally has a cover 150 on that on the surface 138 rests and which is transparent to the radiation of the light-emitting chip component 120 is. The cover element 150 is set up, the complete component 100 close tightly.

In einem Ausführungsbeispiel ist das Gehäuse 130 unterhalb des Abdeckelements 150 mit einem Material 180 gefüllt, das für das Licht des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 durchlässig ist. Durch das Abdeckelement und/oder die Verfüllung mit einem Material, das für das Licht des lichtemittierenden Chip-Bauteils transparent ist, kann ein mechanischer Schutz des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120, der Bonddrähte und der sonstigen Bauteile des Bauteils 100 erreicht werden.In one embodiment, the housing 130 below the cover 150 with a material 180 filled for the light of the light-emitting chip component 120 is permeable. By the cover member and / or the filling with a material that is transparent to the light of the light emitting chip component, a mechanical protection of the light emitting chip component 120 , the bonding wires and the other components of the component 100 be achieved.

Die 8 zeigt ein Bauelement 100, das im Wesentlichen dem Bauelement der 6 entspricht. Zusätzlich weist das Abdeckelement 150 ein Strahlformungselement 160 in Form einer Linse auf. Das Strahlformungselement 160 ist so auf dem Abdeckelement 150 angeordnet, dass die Strahlung des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 diesen über die Lichtaustrittsfläche 121 verlässt, an der Reflexionsfläche 112 gespiegelt wird, durch das Abdeckelement 150 hindurchgeht und dann auf das Strahlformungselement 160 trifft. Mittels gestrichelter Linien ist dieser Lichtweg des lichtemittierenden Chip-Bauteils 120 von der Lichtaustrittsfläche 121 über die ebene Reflexionsfläche 112 durch das Abdeckelement 150 und die Linse, bzw. das Strahlformungselement 160, dargestellt. Dabei ist die Brennweite der Linse, die das Strahlformungselement 160 bildet, so gewählt, dass der Brennpunkt auf der Lichtaustrittsfläche 121 liegt. Dadurch entsteht oberhalb des Strahlformungselements 160 ein paralleler Lichtstrahl 170.The 8th shows a component 100 which is essentially the component of the 6 equivalent. In addition, the cover member 150 a beam-shaping element 160 in the form of a lens. The beam-shaping element 160 is so on the cover 150 arranged that the radiation of the light-emitting chip component 120 this over the light exit surface 121 leaves, at the reflecting surface 112 is mirrored by the cover 150 goes through and then on the beam-shaping element 160 meets. By means of dashed lines is this light path of the light-emitting chip component 120 from the light exit surface 121 over the flat reflection surface 112 through the cover 150 and the lens, or the beam-shaping element 160 represented. Here, the focal length of the lens, which is the beam-shaping element 160 forms, so chosen, that the focal point on the light exit surface 121 lies. This results above the beam-shaping element 160 a parallel beam of light 170 ,

In einem Ausführungsbeispiel ist das Strahlformungselement nicht auf dem Abdeckelement, sondern in das Abdeckelement integriert.In one embodiment, the beam-shaping element is not integrated on the cover, but in the cover.

In einem Ausführungsbeispiel besteht das Strahlformungselement aus Streupartikeln, die in das Abdeckelement eingebracht sind.In one embodiment, the beam-shaping element consists of scattering particles which are introduced into the cover element.

In einem Ausführungsbeispiel ist das lichtemittierende Chip-Bauteil ein Laser-Chip-Bauteil, wobei das lichtemittierende Chip-Bauteil eine Laserdiode aufweist. Laserdioden, und insbesondere kantenemittierende Laserdioden, weisen große Öffnungswinkel des austretenden Lichtstrahls auf. Durch die Anordnung der Lichtaustrittsfläche in Richtung eines Reflektors und die Anordnung von Strahlformungselementen, die entweder in das Abdeckelement integriert, oder in den Reflektor integriert sein können, kann der divergierende Lichtstrahl der Laserdiode so geformt werden, dass das Bauteil einen Parallelstrahl aussendet. Kantenemittierende Laserdioden weisen im Allgemeinen zwei verschiedene Öffnungswinkel auf, je nachdem, ob eine Abstrahlrichtung parallel oder senkrecht zu einer aktiven Schicht der Laserdiode betrachtet wird. Diese unterschiedlichen Öffnungswinkel können bei der Auswahl, bzw. bei der Konzeption der Strahlformungselemente berücksichtigt werden. Einerseits kann diese Berücksichtigung stattfinden durch Auswahl eines Strahlformungselementes des Abdeckelements. Andererseits ist es aber auch möglich, die beiden verschiedenen Öffnungswinkel bei der Konzeption der Reflexionsfläche zu berücksichtigen. Mit einer Reflexionsfläche in Form eines Rotationsparaboloids ist es möglich, trotz der unterschiedlichen Öffnungswinkel der beiden Achsen, ein Bauteil mit einem parallelen Laser-Strahl zu erzeugen.In one embodiment, the light-emitting chip component is a laser chip component, wherein the light-emitting chip component has a laser diode. Laser diodes, and in particular edge-emitting laser diodes, have large aperture angles of the exiting light beam. By arranging the light exit surface in the direction of a reflector and the arrangement of beam shaping elements, which can either be integrated in the cover, or integrated into the reflector, the diverging light beam of the laser diode can be formed so that the component emits a parallel beam. Edge emitting laser diodes generally have two different aperture angles, depending on whether an emission direction is considered parallel or perpendicular to an active layer of the laser diode. These different opening angles can be taken into account in the selection or in the design of the beam-shaping elements. On the one hand, this consideration can take place by selecting a beam-shaping element of the cover. On the other hand, it is also possible to take into account the two different opening angles in the design of the reflection surface. With a reflection surface in the form of a paraboloid of revolution, it is possible, despite the different opening angles of the two axes, to produce a component with a parallel laser beam.

In einem Ausführungsbeispiel weist das Laser-Chip-Bauteil einen Laserdiodenbarren auf. Das bedeutet, dass das Laser-Chip-Bauteil mehrere Laserdioden aufweist.In one embodiment, the laser chip component has a laser diode bar. This means that the laser chip component has a plurality of laser diodes.

Die 9 zeigt eine Draufsicht auf ein Bauelement 100, das ein Gehäuse 130 und einen Träger 110 aufweist. Auf einer Montagefläche 111 des Trägers 110 ist ein Laserdiodenbarren 220 angeordnet. Der Laserdiodenbarren 220 weist eine Lichtaustrittsfläche 221 auf, über die die Laserstrahlung von vier aktiven Zonen 222 aus dem Laserdiodenbarren 220 ausgekoppelt wird. Es können auch mehr oder weniger aktive Zonen 222 vorgesehen sein. Jede aktive Zone 222 kann als eine eigene Laserdiode aufgefasst werden. Der Träger 110 weist eine Ausnehmung 113 auf, die an die Montagefläche 110 angrenzt. Außerdem weist der Träger 110 vier parabolische Reflexionsflächen 114 auf, wobei jeder aktiven Zone 222 des Laserbarrens 220 eine parabolische Reflexionsfläche 114 zugeordnet ist, so dass die emittierte Laserstrahlung einer aktiven Zone 222 auf die zugeordnete parabolische Reflexionsfläche 114 trifft. Ein Querschnitt durch das Bauteil 100 im Bereich der parabolischen Reflexionsfläche 114 würde der parabolischen Reflexionsfläche 114 der 3 entsprechen. Vier elektrisch leitfähige Bereiche 231, 232, 233, 234 sind jeweils mit einem Bonddraht 134 mit dem Laserdiodenbarren 220 verbunden, wobei jeder Bonddraht 134 einer aktiven Zone 222 zugeordnet ist. Dabei ist ein Isolationsbereich 133 so angeordnet, dass die vier elektrisch leitfähigen Bereiche 231, 232, 233, 234 und der Träger 110 elektrisch isoliert sind. Der jeweilige zweite elektrische Kontakt der aktiven Zonen 222 erfolgt über den Träger 110, der außerdem den Wärmetransport vom Laserdiodenbarren 220 aus dem Gehäuse 130 heraus ermöglicht. Das Gehäuse 130 weist eine umlaufende Oberfläche 138 auf, die die Anbringung eines Abdeckelements ermöglicht.The 9 shows a plan view of a component 100 that is a case 130 and a carrier 110 having. On a mounting surface 111 of the carrier 110 is a laser diode bar 220 arranged. The laser diode bar 220 has a light exit surface 221 on, over which the laser radiation of four active zones 222 from the laser diode bar 220 is decoupled. There may also be more or less active zones 222 be provided. Every active zone 222 can be considered as a separate laser diode. The carrier 110 has a recess 113 on, attached to the mounting surface 110 borders. In addition, the wearer points 110 four parabolic reflection surfaces 114 on, each active zone 222 of the laser bar 220 a parabolic reflection surface 114 is assigned, so that the emitted laser radiation of an active zone 222 on the associated parabolic reflection surface 114 meets. A cross section through the component 100 in the area of the parabolic reflection surface 114 would the parabolic reflection surface 114 of the 3 correspond. Four electrically conductive areas 231 . 232 . 233 . 234 are each with a bonding wire 134 with the laser diode bar 220 connected, with each bonding wire 134 an active zone 222 assigned. This is an isolation area 133 arranged so that the four electrically conductive areas 231 . 232 . 233 . 234 and the carrier 110 are electrically isolated. The respective second electrical contact of the active zones 222 takes place via the carrier 110 , in addition, the heat transfer from the laser diode bar 220 from the casing 130 out possible. The housing 130 has a circumferential surface 138 on, which allows the attachment of a cover.

In einem Ausführungsbeispiel weist das Bauelement 100 mehrere einzelne lichtemittierende Chip-Bauteile 120 anstelle des Laserdiodenbarrens 220 auf. Zudem kann die Reflexionsfläche auch andere Formen, beispielsweise die Form der 1 aufweisen. Es kann für jede aktive Zone 222 eine eigene ebene Reflexionsfläche 112 oder eine ebene Reflexionsfläche 112 für alle aktiven Zonen 222 vorgesehen sein. Außerdem kann auf die Ausnehmung 113 verzichtet werden.In one embodiment, the device 100 several individual light-emitting chip components 120 instead of the laser diode bar 220 on. In addition, the reflection surface and other shapes, such as the shape of the 1 exhibit. It can work for any active zone 222 a separate flat reflection surface 112 or a flat reflective surface 112 for all active zones 222 be provided. In addition, on the recess 113 be waived.

In einem Ausführungsbeispiel weist das Bauelement weitere Elemente, beispielsweise eine Photodiode auf. Mittels Photodiode kann beispielsweise die Leistung des emittierten Lichts während des Betriebs des Bauelements gemessen werden. Dies ist insbesondere hilfreich, wenn der lichtemittierende Chip mit einer bestimmten Leistung betrieben werden soll. Um die weiteren Elemente elektrisch zu kontaktieren, kann es vorgesehen sein, dass weitere leitfähige Bereiche des Gehäuses vorgesehen sind.In one exemplary embodiment, the component has further elements, for example a photodiode. By means of photodiode, for example, the power of the emitted light during operation of the device can be measured. This is particularly helpful if the light-emitting chip is to be operated at a certain power. In order to contact the further elements electrically, it may be provided that further conductive areas of the housing are provided.

Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.Although the invention has been further illustrated and described in detail by the preferred embodiment, the invention is not limited by the disclosed examples, and other variations can be derived therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

100100
Bauelement module
110110
Träger carrier
111111
Montagefläche mounting surface
112112
Ebene Reflexionsfläche Plane reflection surface
113113
Ausnehmung recess
114114
Parabolische Reflexionsfläche Parabolic reflection surface
120120
Lichtemittierendes Chip-Bauteil Light-emitting chip component
121121
Lichtaustrittsfläche Light-emitting surface
130130
Gehäuse casing
131131
Erster elektrisch leitfähiger Bereich First electrically conductive area
132132
Zweiter elektrisch leitfähiger Bereich Second electrically conductive area
133133
Isolationsbereich Quarantine
134134
Bonddraht bonding wire
135135
Erster Bonddraht First bonding wire
136136
Zweiter Bonddraht Second bonding wire
137137
Dritter Bonddraht Third bonding wire
138138
Oberfläche surface
140140
Submount submount
141141
Erste Kontaktstelle First contact point
142142
Zweite Kontaktstelle Second contact point
150150
Abdeckelement cover
160160
Strahlformungselement Beam shaping element
170170
Emittiertes Licht Emitted light
180180
Material material
220220
Laserdiodenbarren laser diode bars
221221
Lichtaustrittsfläche Light-emitting surface
222222
Aktive Zone Active zone
231231
Erster elektrisch leitfähiger Bereich First electrically conductive area
232232
Zweiter elektrisch leitfähiger Bereich Second electrically conductive area
233233
Dritter elektrisch leitfähiger Bereich Third electrically conductive area
234234
Vierter elektrisch leitfähiger Bereich Fourth electrically conductive area

ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION

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Claims (15)

Bauelement (100), bestehend aus einem Träger (110) und einem lichtemittierenden Chip-Bauteil (120), wobei das lichtemittierende Chip-Bauteil (120) eine Lichtaustrittsfläche (121) aufweist und auf einer Montagefläche (111) des Trägers (110) angebracht ist, wobei der Träger (110) eine Reflexionsfläche (112, 114) aufweist, wobei die Lichtaustrittsfläche (121) der Reflexionsfläche (112, 114) zugewandt ist und wobei der Träger (110) mit der Montagefläche (111) und der Reflexionsfläche (112, 114) einstückig ausgeführt ist.Component ( 100 ), consisting of a carrier ( 110 ) and a light-emitting chip component ( 120 ), wherein the light-emitting chip component ( 120 ) a light exit surface ( 121 ) and on a mounting surface ( 111 ) of the carrier ( 110 ), the support ( 110 ) a reflection surface ( 112 . 114 ), wherein the light exit surface ( 121 ) of the reflection surface ( 112 . 114 ) and wherein the carrier ( 110 ) with the mounting surface ( 111 ) and the reflection surface ( 112 . 114 ) is made in one piece. Bauelement (100) nach Anspruch 1, wobei die Reflexionsfläche (112, 114) teilweise oberhalb und teilweise unterhalb der Ebene, die durch die Montagefläche (111) definiert wird, angeordnet ist.Component ( 100 ) according to claim 1, wherein the reflection surface ( 112 . 114 ) partly above and partly below the plane passing through the mounting surface ( 111 ) is arranged. Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Träger (110) eine Ausnehmung (113) aufweist, die an die Montagefläche (111) angrenzt.Component ( 100 ) according to any one of the preceding claims, wherein the carrier ( 110 ) a recess ( 113 ), which are connected to the mounting surface ( 111 ) adjoins. Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Träger (110) aus einem Material mit einer spezifischen Wärmeleitfähigkeit von mindestens 30 W/(m K) besteht.Component ( 100 ) according to any one of the preceding claims, wherein the carrier ( 110 ) consists of a material with a specific thermal conductivity of at least 30 W / (m K). Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Reflexionsfläche (112) eben ist.Component ( 100 ) according to one of the preceding claims, wherein the reflection surface ( 112 ) is just. Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Reflexionsfläche (114) eine parabolische Form aufweist.Component ( 100 ) according to one of claims 1 to 4, wherein the reflection surface ( 114 ) has a parabolic shape. Bauelement (100) nach Anspruch 7, wobei der Brennpunkt der parabolischen Reflexionsfläche (114) auf der der Reflexionsfläche (114) zugewandten Lichtaustrittsfläche (121) des lichtemittierenden Chip-Bauteils (120) liegt. Component ( 100 ) according to claim 7, wherein the focal point of the parabolic reflection surface ( 114 ) on the reflection surface ( 114 ) facing the light exit surface ( 121 ) of the light-emitting chip component ( 120 ) lies. Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Bauelement (100) ein Gehäuse (130) aufweist, wobei das Gehäuse (130) zwei elektrisch leitfähige Bereiche (131, 132) aufweist, die voneinander elektrisch isoliert sind und wobei ein erster elektrischer Anschluss des lichtemittierenden Chip-Bauteils (120) mit dem ersten elektrisch leitfähigen Bereich (131) und ein zweiter elektrischer Anschluss des lichtemittierenden Chip-Bauteils (120) mit dem zweiten elektrisch leitfähigen Bereich (132) elektrisch leitend verbunden ist.Component ( 100 ) according to one of the preceding claims, wherein the component ( 100 ) a housing ( 130 ), wherein the housing ( 130 ) two electrically conductive areas ( 131 . 132 ), which are electrically insulated from each other and wherein a first electrical connection of the light-emitting chip component ( 120 ) with the first electrically conductive region ( 131 ) and a second electrical connection of the light-emitting chip component ( 120 ) with the second electrically conductive region ( 132 ) is electrically connected. Bauelement (100) nach Anspruch 8, wobei der Träger (110) ein elektrisch leitfähiger Bereich (131, 132) ist.Component ( 100 ) according to claim 8, wherein the carrier ( 110 ) an electrically conductive region ( 131 . 132 ). Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das lichtemittierende Chip-Bauteil (120) einem Submount (140) aufweist.Component ( 100 ) according to one of the preceding claims, wherein the light-emitting chip component ( 120 ) a submount ( 140 ) having. Bauelement (100) nach Anspruch 10, wobei der Submount (140) zwei Kontaktstellen (141, 142) aufweist, wobei die zwei Kontaktstellen (141, 142) mit jeweils einem der elektrisch leitfähigen Bereiche (131, 132) des Gehäuses (130) mittels Bonddraht (135, 136) verbunden sind und wobei die erste Kontaktstelle (141) mit einem ersten elektrischen Anschluss des lichtemittierenden Chip-Bauteils (120) und die zweite Kontaktstelle (142) mit einem zweiten elektrischen Anschluss des lichtemittierenden Chip-Bauteils (120) elektrisch leitend verbunden ist.Component ( 100 ) according to claim 10, wherein the submount ( 140 ) two contact points ( 141 . 142 ), wherein the two contact points ( 141 . 142 ) each having one of the electrically conductive regions ( 131 . 132 ) of the housing ( 130 ) by means of bonding wire ( 135 . 136 ) and wherein the first contact point ( 141 ) with a first electrical connection of the light-emitting chip component ( 120 ) and the second contact point ( 142 ) with a second electrical connection of the light-emitting chip component ( 120 ) is electrically connected. Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das Gehäuse (130) eine umlaufende Oberfläche (138) aufweist, wobei das Bauelement (100) ein Abdeckelement (150) aufweist, das an die Oberfläche (138) angrenzt, wobei das Abdeckelement (150) durchlässig für die Strahlung des lichtemittierenden Chip-Bauteils (120) ist und das Gehäuse (130) dicht verschließt. Component ( 100 ) according to one of the preceding claims, wherein the housing ( 130 ) a circumferential surface ( 138 ), wherein the component ( 100 ) a cover element ( 150 ) which is attached to the surface ( 138 ), wherein the cover element ( 150 ) permeable to the radiation of the light-emitting chip component ( 120 ) and the housing ( 130 ) tightly closes. Bauelement (100) nach Anspruch 12, wobei das Abdeckelement (150) ein Strahlformungselement (160), eine Linse oder Streupartikel aufweist.Component ( 100 ) according to claim 12, wherein the cover element ( 150 ) a beam-shaping element ( 160 ), a lens or scattering particles. Bauelement (100) nach einem der Ansprüche 12 oder 13, wobei das Gehäuse (130) unterhalb des Abdeckelements (150) mit einem für die Strahlung des lichtemittierenden Chip-Bauteils (120) durchlässigen Material (180) gefüllt ist.Component ( 100 ) according to one of claims 12 or 13, wherein the housing ( 130 ) below the cover element ( 150 ) with one for the radiation of the light-emitting chip component ( 120 ) permeable material ( 180 ) is filled. Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das lichtemittierende Chip-Bauteil (120) ein Laser-Chip-Bauteil oder ein Laserdiodenbarren (220) ist, wobei der Träger (110) für jeden Laser des Laserdiodenbarrens (220) eine Reflexionsfläche (112, 114) aufweist.Component ( 100 ) according to one of the preceding claims, wherein the light-emitting chip component ( 120 ) a laser chip component or a laser diode bar ( 220 ), the carrier ( 110 ) for each laser of the laser diode bar ( 220 ) a reflection surface ( 112 . 114 ) having.
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