DE102015108117A1 - module - Google Patents
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Abstract
Es wird ein Bauelement angegeben, das aus einem Träger und einem lichtemittierenden Chip-Bauteil besteht, wobei das lichtemittierende Chip-Bauteil eine Lichtaustrittsfläche aufweist und auf einer Montagefläche des Trägers angebracht ist. Der Trägerweist eine Reflexionsfläche auf, die teilweise oberhalb und teilweise unterhalb der Ebene, die durch die Montagefläche definiert wird, angeordnet ist. Die Lichtaustrittsfläche ist der Reflexionsfläche zugewandt, der Träger ist einstückig ausgeführt. Das lichtemittierende Chip-Bauteil kann eine Laserdiode oder einen Laserdiodenbarren aufweisen.A component is specified that consists of a carrier and a light-emitting chip component, wherein the light-emitting chip component has a light exit surface and is mounted on a mounting surface of the carrier. The carrier has a reflective surface located partially above and partially below the plane defined by the mounting surface. The light exit surface faces the reflection surface, the carrier is made in one piece. The light emitting chip component may comprise a laser diode or a laser diode bar.
Description
Die Erfindung betrifft ein lichtemittierendes Bauelement.The invention relates to a light-emitting component.
Lichtemittierende Bauelemente können realisiert werden, indem ein lichtemittierender Chip in ein Gehäuse eingesetzt, oder auf einen Träger aufgebracht wird. Dabei kann die Lichtaustrittsfläche des lichtemittierenden Chips so angeordnet sein, dass das Licht direkt aus dem Gehäuse ausgestrahlt werden kann, oder dass die Lichtaustrittsfläche dem Träger gegenüberliegt. Eine weitere Möglichkeit ist es, den lichtemittierenden Chip auf eine Montagefläche des Gehäuses oder des Trägers aufzubringen, wobei die Lichtaustrittsfläche des lichtemittierenden Chips senkrecht zur Montagefläche steht. Ein Reflektor kann dann genutzt werden, um das emittierte Licht des lichtemittierenden Chips abzulenken. Der lichtemittierende Chip und der Reflektor werden in Form von Einzelteilen auf dem Träger platziert. Ein solches Bauelement ist in der
Eine Aufgabe der Erfindung besteht darin, ein verbessertes lichtemittierendes Bauteil bereitzustellen, bei dem ein Reflektor ein Teil des Trägers für den lichtemittierenden Chip ist. Der Träger und der Reflektor sind einstückig ausgeführt. Diese Aufgabe wird mit einem Bauteil mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben.An object of the invention is to provide an improved light-emitting device in which a reflector is a part of the carrier for the light-emitting chip. The carrier and the reflector are made in one piece. This object is achieved with a component having the features of claim 1. In the dependent claims various developments are given.
Ein Bauelement umfasst einen Träger und ein lichtemittierendes Chip-Bauteil, wobei das lichtemittierende Chip-Bauteil eine Lichtaustrittsfläche aufweist. Der Träger weist eine Montagefläche auf. Das lichtemittierende Chip-Bauteil ist auf der Montagefläche des Trägers angebracht, wobei die Lichtaustrittsfläche senkrecht zur Montagefläche steht. Der Träger weist außerdem eine Reflexionsfläche auf. Die Lichtaustrittsfläche des lichtemittierenden Chips ist der Reflexionsfläche zugewandt. Der Träger mit Montagefläche und Reflexionsfläche ist einstückig ausgeführt. Durch die einstückige Ausführung des Trägers, wodurch insbesondere Montagefläche und Reflexionsfläche in einem festen Winkel zueinander stehen, und wobei die Reflexionsfläche nicht durch Einbringen eines weiteren Bauteils erzeugt wird, wird das lichtemittierende Bauteil verbessert, da keine Abweichungen bei der Montage der Reflexionsfläche auftreten können.A component comprises a carrier and a light-emitting chip component, wherein the light-emitting chip component has a light exit surface. The carrier has a mounting surface. The light emitting chip component is mounted on the mounting surface of the carrier, wherein the light exit surface is perpendicular to the mounting surface. The carrier also has a reflective surface. The light exit surface of the light-emitting chip faces the reflection surface. The carrier with mounting surface and reflection surface is made in one piece. Due to the one-piece design of the support, whereby in particular mounting surface and reflection surface are at a fixed angle to each other, and wherein the reflection surface is not generated by introducing a further component, the light-emitting component is improved because no deviations may occur during assembly of the reflection surface.
In einer Ausführungsform ist die Reflexionsfläche teilweise oberhalb und teilweise unterhalb der Ebene, die durch die Montagefläche definiert wird, angeordnet. Dadurch kann eine flachere Bauform ermöglicht werden.In one embodiment, the reflective surface is disposed partially above and partially below the plane defined by the mounting surface. This allows a flatter design possible.
In einer Ausführungsform weist der Träger eine Ausnehmung auf, die an die Montagefläche angrenzt. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn der lichtemittierende Chip direkt an der Kante zu dieser Ausnehmung auf der Montagefläche platziert wird.In one embodiment, the carrier has a recess adjacent to the mounting surface. This is particularly advantageous if the light-emitting chip is placed directly on the edge to this recess on the mounting surface.
In einer Ausführungsform besteht der Träger aus einem Material mit einer spezifischen Wärmeleitfähigkeit von mindestens 30 W/(m·K). Eine spezifische Wärmeleitfähigkeit des Trägers von 30 W/(m·K) ermöglicht einen zuverlässigen Wärmetransport vom lichtemittierenden Chip auf die Rückseite des Trägers. Als Material für den Träger eignen sich insbesondere Kupfer, Aluminium oder Aluminiumlegierungen. Es können aber auch weitere Materialien, die eine entsprechende Wärmeleitfähigkeit aufweisen, verwendet werden.In one embodiment, the support is made of a material having a specific thermal conductivity of at least 30 W / (m · K). A specific heat conductivity of the carrier of 30 W / (m · K) allows a reliable heat transfer from the light-emitting chip to the back of the carrier. In particular copper, aluminum or aluminum alloys are suitable as material for the carrier. However, other materials which have a corresponding thermal conductivity can also be used.
In einer Ausführungsform weist der Träger im Bereich der Reflexionsfläche eine reflektierende Beschichtung auf. Durch die reflektierende Beschichtung des Trägers, die beispielsweise galvanisch oder aber auch über ein Vakuumverdampfungsverfahren aufgebracht werden kann, kann die Reflexion des Lichts des lichtemittierenden Chip-Bauteils an der Reflexionsfläche verbessert werden. Als Material für die Beschichtung eignen sich insbesondere Materialien, die eine große Reflektivität für das Licht der verwendeten Wellenlänge aufweisen.In one embodiment, the carrier has a reflective coating in the region of the reflection surface. Due to the reflective coating of the carrier, which can be applied, for example, galvanically or else via a vacuum evaporation method, the reflection of the light of the light-emitting chip component at the reflection surface can be improved. Particularly suitable materials for the coating are materials which have a high reflectivity for the light of the wavelength used.
In einer Ausführungsform ist die Reflexionsfläche eben. Durch die ebene Reflexionsfläche kann das Licht des lichtemittierenden Chips um einen bestimmten Winkel abgelenkt werden, der von dem Winkel abhängt, in dem Reflexionsfläche und Montagefläche zueinander stehen. Ansonsten wird der Lichtstrahl des lichtemittierenden Chips durch die ebene Reflexionsfläche nicht verändert. Durch die Ablenkung der ebenen Reflexionsfläche kann ein Bauteil erzeugt werden, das die gleichen Strahleigenschaften aufweist wie ein anderes Bauteil ohne Reflexionsfläche, bei dem die Lichtaustrittsrichtung des Bauteils mit der Lichtaustrittsrichtung des lichtemittierenden Chip-Bauteils übereinstimmt. Durch die Reflexionsfläche ist es möglich, die Bauhöhe des Bauteils zu reduzieren.In one embodiment, the reflective surface is flat. The flat reflecting surface allows the light of the light-emitting chip to be deflected by a specific angle, which depends on the angle at which the reflection surface and the mounting surface are in relation to one another. Otherwise, the light beam of the light-emitting chip is not changed by the flat reflection surface. By the deflection of the flat reflection surface, a component can be produced which has the same beam properties as another component without a reflection surface, in which the light exit direction of the component coincides with the light exit direction of the light-emitting chip component. Due to the reflection surface, it is possible to reduce the height of the component.
In einer Ausführungsform stehen die Reflexionsfläche und die Montagefläche in einem Winkel von 40 bis 50° zueinander, insbesondere in einem Winkel von 45°. Durch die Wahl eines Winkels von 45° zwischen Montagefläche und Reflexionsfläche kann das Licht des lichtemittierenden Chip-Bauteils um 90° abgelenkt werden. Durch die Wahl dieses Winkels ergibt sich eine besonders vorteilhafte Gestaltung des Bauteils, da dies die größte Reduzierung der Bauhöhe ermöglicht.In one embodiment, the reflective surface and the mounting surface are at an angle of 40 to 50 ° to each other, in particular at an angle of 45 °. By choosing an angle of 45 ° between the mounting surface and the reflection surface, the light of the light-emitting chip component can be deflected by 90 °. By choosing this angle results in a particularly advantageous design of the component, since this allows the largest reduction in height.
In einer Ausführungsform weist die Reflexionsfläche eine parabolische Form auf. Eine parabolische Form der Reflexionsfläche kann neben der Umlenkung des Lichts des lichtemittierenden Chip-Bauteils dazu dienen, dass eine erste Strahlformung des Lichts des lichtemittierenden Chip-Bauteils ermöglicht wird. Mit einer parabolischen Form der Reflexionsfläche können gute Strahleigenschaften des Lichts, das das Bauteil verlässt, erzeugt werden. In one embodiment, the reflective surface has a parabolic shape. A parabolic shape of the reflection surface can serve in addition to the deflection of the light of the light-emitting chip component that a first beam shaping of the light of the light-emitting chip component is made possible. With a parabolic shape of the reflecting surface good beam properties of the light leaving the component can be generated.
In einer Ausführungsform liegt der Brennpunkt der parabolischen Reflexionsfläche auf der der Reflexionsfläche zugewandten Lichtaustrittsfläche des lichtemittierenden Chip-Bauteils. Durch diese Wahl der Geometrie des Trägers und des lichtemittierenden Chip-Bauteils wird erreicht, dass das Licht, das den lichtemittierenden Chip-Bauteil mit einer gewissen Winkelverteilung verlässt, an der parabolischen Reflexionsfläche reflektiert und dabei in einen Parallelstrahl umgewandelt wird. Dadurch kann mit der Reflexionsfläche sowohl die Bauteilhöhe verringert werden, als auch eine erste Strahlformung erfolgen.In one embodiment, the focal point of the parabolic reflection surface lies on the light-emitting surface of the light-emitting chip component facing the reflection surface. This choice of the geometry of the carrier and of the light-emitting chip component ensures that the light which leaves the light-emitting chip component with a certain angular distribution is reflected at the parabolic reflection surface and thereby converted into a parallel beam. As a result, both the component height can be reduced with the reflection surface, as well as a first beam forming done.
In einer Ausführungsform weist das Bauelement ein Gehäuse auf, das zwei elektrisch leitfähige Bereiche aufweist, die voneinander elektrisch isoliert sind. Der lichtemittierende Chip-Bauteil weist zwei Anschlüsse auf, wobei je ein Anschluss des lichtemittierenden Chip-Bauteils mit einem der zwei elektrisch leitfähigen Bereiche elektrisch leitend verbunden ist. Dadurch kann eine elektrische Kontaktierung des lichtemittierenden Chip-Bauteils erreicht werden.In one embodiment, the device has a housing which has two electrically conductive regions that are electrically insulated from one another. The light-emitting chip component has two terminals, one terminal each of the light-emitting chip component being electrically conductively connected to one of the two electrically conductive areas. As a result, an electrical contacting of the light-emitting chip component can be achieved.
In einer Ausführungsform ist der Träger, auf den der lichtemittierende Chip-Bauteil aufgebracht ist, ein elektrisch leitfähiger Bereich. Dies ist insbesondere dann der Fall, wenn der Träger aus einem Metall besteht.In one embodiment, the carrier to which the light-emitting chip component is applied is an electrically conductive region. This is especially the case when the carrier is made of a metal.
In einer Ausführungsform weist das lichtemittierende Chip-Bauteil neben dem lichtemittierenden Chip einen Submount auf. Der Submount kann als ein zusätzlicher Träger, auf den der lichtemittierende Chip aufgebracht ist, interpretiert werden. Der lichtemittierende Chip wird auf dem Submount platziert und dieses vorgefertigte lichtemittierende Chip-Bauteil dann auf den Träger mit der Reflexionsfläche aufgesetzt. Durch den Submount wird in der Produktion die elektrische Kontaktierung des lichtemittierenden Chips vereinfacht. Ein lichtemittierender Chip mit einem Submount ist leichter auf einem Träger zu platzieren als ein lichtemittierender Chip für sich selbst.In one embodiment, the light-emitting chip component has a submount next to the light-emitting chip. The submount may be interpreted as an additional carrier to which the light-emitting chip is applied. The light-emitting chip is placed on the submount and this prefabricated light-emitting chip component is then placed on the carrier with the reflection surface. The submount simplifies the electrical contacting of the light-emitting chip during production. A light-emitting chip with a submount is easier to place on a support than a light-emitting chip for itself.
In einer Ausführungsform weist der Submount zwei Kontaktstellen auf, wobei die zwei Kontaktstellen mit jeweils einem Anschluss des lichtemittierenden Chips elektrisch leitend verbunden sind. Außerdem sind die zwei Kontaktstellen mit jeweils einem der elektrisch leitfähigen Bereiche des Gehäuses mittels Bonddraht verbunden. Dadurch wird die elektrische Kontaktierung des lichtemittierenden Chips über dem Submount mit den elektrisch leitfähigen Bereichen des Gehäuses sichergestellt.In one embodiment, the submount has two contact points, wherein the two contact points are electrically conductively connected to in each case one terminal of the light-emitting chip. In addition, the two contact points are each connected to one of the electrically conductive regions of the housing by means of bonding wire. This ensures the electrical contacting of the light-emitting chip via the submount with the electrically conductive regions of the housing.
In einer Ausführungsform weist das Gehäuse eine umlaufende Oberfläche auf. Außerdem weist das Bauelement ein Abdeckelement auf, das an die umlaufende Oberfläche angrenzt. Das Abdeckelement ist durchlässig für die Strahlung des lichtemittierenden Chip-Bauteils und verschließt das Gehäuse dicht.In one embodiment, the housing has a circumferential surface. In addition, the device has a cover which is adjacent to the peripheral surface. The cover element is permeable to the radiation of the light-emitting chip component and seals the housing tightly.
In einer Ausführungsform weist das Abdeckelement ein Strahlformungselement, eine Linse oder Streupartikel auf. Dadurch kann mithilfe des Abdeckelements eine Strahlformung des Lichtes des lichtemittierenden Chip-Bauteils erreicht werden. Mit einer Linse kann das Licht des lichtemittierenden Chip-Bauteils beispielsweise kollimiert werden, mit Streupartikeln kann eine Streuung des Lichts erreicht werden.In one embodiment, the cover element has a beam-shaping element, a lens or scattering particles. As a result, beam shaping of the light of the light-emitting chip component can be achieved by means of the cover element. With a lens, the light of the light-emitting chip component, for example, can be collimated, with scattering particles, a scattering of the light can be achieved.
In einer Ausführungsform ist das Gehäuse unterhalb des Abdeckelements mit einem für die Strahlung des lichtemittierenden Chip-Bauteils durchlässigen Material gefüllt. Durch das Abdeckelement und die Verfüllung des Gehäuses mit einem für das Licht des lichtemittierenden Chip-Bauteils durchlässigen Material kann ein Schutz vor mechanischen oder sonstigen Umwelteinflüssen auf den lichtemittierenden Chip-Bauteil und die Reflexionsfläche erreicht werden.In one embodiment, the housing below the cover element is filled with a material permeable to the radiation of the light-emitting chip component. By the cover and the backfilling of the housing with a permeable to the light of the light-emitting chip component material protection against mechanical or other environmental influences on the light-emitting chip component and the reflection surface can be achieved.
In einer Ausführungsform ist das lichtemittierende Chip-Bauteil ein Laser-Chip-Bauteil. In anderen Worten ist der lichtemittierende Chip eine Laserdiode. Eine Laserdiode eignet sich besonders vorteilhaft für die Verwendung in einem lichtemittierenden Bauteil der vorliegenden Erfindung.In one embodiment, the light-emitting chip component is a laser chip component. In other words, the light-emitting chip is a laser diode. A laser diode is particularly advantageous for use in a light-emitting device of the present invention.
In einer Ausführungsform weist das Laser-Chip-Bauteil einen Laserdiodenbarren auf, wobei der Träger für jeden Laser des Laserdiodenbarrens eine Reflexionsfläche aufweist. Dadurch kann die Strahlformungseigenschaft der Reflexionsfläche für jeden Laser einzeln verwendet werden.In an embodiment, the laser chip component comprises a laser diode bar, the carrier having a reflection surface for each laser of the laser diode bar. Thereby, the beam shaping property of the reflection surface can be used singly for each laser.
In einer Ausführungsform weist das Bauelement weitere Bauteile, beispielsweise eine Photodiode auf.In one embodiment, the component has further components, for example a photodiode.
Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. In den Zeichnungen zeigen:The above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they will be achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments, which will be described in detail in conjunction with the drawings. In the drawings show:
Die
die
die
die
die
die
die
die
die
Die
Die
In einem Ausführungsbeispiel weist der Träger
In einem Ausführungsbeispiel besteht der Träger
In einem Ausführungsbeispiel weist der Träger
In dem beschriebenen Ausführungsbeispiel ist die Reflexionsfläche
In einem Ausführungsbeispiel beträgt der Winkel zwischen der ebenen Reflexionsfläche
Die
In einem Ausführungsbeispiel liegt der Brennpunkt der parabolischen Reflexionsfläche
Die
Die
In einem Ausführungsbeispiel ist der Träger
Die
Die
In einem Ausführungsbeispiel ist das Gehäuse
Die
In einem Ausführungsbeispiel ist das Strahlformungselement nicht auf dem Abdeckelement, sondern in das Abdeckelement integriert.In one embodiment, the beam-shaping element is not integrated on the cover, but in the cover.
In einem Ausführungsbeispiel besteht das Strahlformungselement aus Streupartikeln, die in das Abdeckelement eingebracht sind.In one embodiment, the beam-shaping element consists of scattering particles which are introduced into the cover element.
In einem Ausführungsbeispiel ist das lichtemittierende Chip-Bauteil ein Laser-Chip-Bauteil, wobei das lichtemittierende Chip-Bauteil eine Laserdiode aufweist. Laserdioden, und insbesondere kantenemittierende Laserdioden, weisen große Öffnungswinkel des austretenden Lichtstrahls auf. Durch die Anordnung der Lichtaustrittsfläche in Richtung eines Reflektors und die Anordnung von Strahlformungselementen, die entweder in das Abdeckelement integriert, oder in den Reflektor integriert sein können, kann der divergierende Lichtstrahl der Laserdiode so geformt werden, dass das Bauteil einen Parallelstrahl aussendet. Kantenemittierende Laserdioden weisen im Allgemeinen zwei verschiedene Öffnungswinkel auf, je nachdem, ob eine Abstrahlrichtung parallel oder senkrecht zu einer aktiven Schicht der Laserdiode betrachtet wird. Diese unterschiedlichen Öffnungswinkel können bei der Auswahl, bzw. bei der Konzeption der Strahlformungselemente berücksichtigt werden. Einerseits kann diese Berücksichtigung stattfinden durch Auswahl eines Strahlformungselementes des Abdeckelements. Andererseits ist es aber auch möglich, die beiden verschiedenen Öffnungswinkel bei der Konzeption der Reflexionsfläche zu berücksichtigen. Mit einer Reflexionsfläche in Form eines Rotationsparaboloids ist es möglich, trotz der unterschiedlichen Öffnungswinkel der beiden Achsen, ein Bauteil mit einem parallelen Laser-Strahl zu erzeugen.In one embodiment, the light-emitting chip component is a laser chip component, wherein the light-emitting chip component has a laser diode. Laser diodes, and in particular edge-emitting laser diodes, have large aperture angles of the exiting light beam. By arranging the light exit surface in the direction of a reflector and the arrangement of beam shaping elements, which can either be integrated in the cover, or integrated into the reflector, the diverging light beam of the laser diode can be formed so that the component emits a parallel beam. Edge emitting laser diodes generally have two different aperture angles, depending on whether an emission direction is considered parallel or perpendicular to an active layer of the laser diode. These different opening angles can be taken into account in the selection or in the design of the beam-shaping elements. On the one hand, this consideration can take place by selecting a beam-shaping element of the cover. On the other hand, it is also possible to take into account the two different opening angles in the design of the reflection surface. With a reflection surface in the form of a paraboloid of revolution, it is possible, despite the different opening angles of the two axes, to produce a component with a parallel laser beam.
In einem Ausführungsbeispiel weist das Laser-Chip-Bauteil einen Laserdiodenbarren auf. Das bedeutet, dass das Laser-Chip-Bauteil mehrere Laserdioden aufweist.In one embodiment, the laser chip component has a laser diode bar. This means that the laser chip component has a plurality of laser diodes.
Die
In einem Ausführungsbeispiel weist das Bauelement
In einem Ausführungsbeispiel weist das Bauelement weitere Elemente, beispielsweise eine Photodiode auf. Mittels Photodiode kann beispielsweise die Leistung des emittierten Lichts während des Betriebs des Bauelements gemessen werden. Dies ist insbesondere hilfreich, wenn der lichtemittierende Chip mit einer bestimmten Leistung betrieben werden soll. Um die weiteren Elemente elektrisch zu kontaktieren, kann es vorgesehen sein, dass weitere leitfähige Bereiche des Gehäuses vorgesehen sind.In one exemplary embodiment, the component has further elements, for example a photodiode. By means of photodiode, for example, the power of the emitted light during operation of the device can be measured. This is particularly helpful if the light-emitting chip is to be operated at a certain power. In order to contact the further elements electrically, it may be provided that further conductive areas of the housing are provided.
Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.Although the invention has been further illustrated and described in detail by the preferred embodiment, the invention is not limited by the disclosed examples, and other variations can be derived therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.
BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS
- 100100
- Bauelement module
- 110110
- Träger carrier
- 111111
- Montagefläche mounting surface
- 112112
- Ebene Reflexionsfläche Plane reflection surface
- 113113
- Ausnehmung recess
- 114114
- Parabolische Reflexionsfläche Parabolic reflection surface
- 120120
- Lichtemittierendes Chip-Bauteil Light-emitting chip component
- 121121
- Lichtaustrittsfläche Light-emitting surface
- 130130
- Gehäuse casing
- 131131
- Erster elektrisch leitfähiger Bereich First electrically conductive area
- 132132
- Zweiter elektrisch leitfähiger Bereich Second electrically conductive area
- 133133
- Isolationsbereich Quarantine
- 134134
- Bonddraht bonding wire
- 135135
- Erster Bonddraht First bonding wire
- 136136
- Zweiter Bonddraht Second bonding wire
- 137137
- Dritter Bonddraht Third bonding wire
- 138138
- Oberfläche surface
- 140140
- Submount submount
- 141141
- Erste Kontaktstelle First contact point
- 142142
- Zweite Kontaktstelle Second contact point
- 150150
- Abdeckelement cover
- 160160
- Strahlformungselement Beam shaping element
- 170170
- Emittiertes Licht Emitted light
- 180180
- Material material
- 220220
- Laserdiodenbarren laser diode bars
- 221221
- Lichtaustrittsfläche Light-emitting surface
- 222222
- Aktive Zone Active zone
- 231231
- Erster elektrisch leitfähiger Bereich First electrically conductive area
- 232232
- Zweiter elektrisch leitfähiger Bereich Second electrically conductive area
- 233233
- Dritter elektrisch leitfähiger Bereich Third electrically conductive area
- 234234
- Vierter elektrisch leitfähiger Bereich Fourth electrically conductive area
ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG QUOTES INCLUDE IN THE DESCRIPTION
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Zitierte PatentliteraturCited patent literature
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016106896A1 (en) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting component |
WO2020095481A1 (en) * | 2018-11-08 | 2020-05-14 | 京セラ株式会社 | Light-emitting element accommodating substrate and light-emitting device |
WO2020218595A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | 京セラ株式会社 | Light emission element mounting substrate and light emission device |
WO2021063561A1 (en) | 2019-10-01 | 2021-04-08 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical optical component and method for producing same |
DE102020212424A1 (en) | 2020-10-01 | 2022-04-07 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Laser device and method of manufacturing a laser device |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6259713B1 (en) * | 1997-12-15 | 2001-07-10 | The University Of Utah Research Foundation | Laser beam coupler, shaper and collimator device |
US20080013584A1 (en) * | 2006-07-17 | 2008-01-17 | Joseph Michael Freund | Laser Assembly for Multi-Laser Appplications |
US20110158273A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-06-30 | Yoshio Okayama | Semiconductor laser device, optical pickup device and semiconductor device |
US20110188054A1 (en) * | 2010-02-02 | 2011-08-04 | Primesense Ltd | Integrated photonics module for optical projection |
DE102012103257A1 (en) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | laser diode device |
US20150003482A1 (en) * | 2013-06-28 | 2015-01-01 | Jds Uniphase Corporation | Structure and method for edge-emitting diode package having deflectors and diffusers |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60182781A (en) * | 1984-02-29 | 1985-09-18 | Omron Tateisi Electronics Co | Semiconductor device |
US7432132B1 (en) * | 2004-03-29 | 2008-10-07 | United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Integrated diamond carrier method for laser bar arrays |
TW201108332A (en) * | 2009-08-27 | 2011-03-01 | Univ Nat Central | Package base structure and related manufacturing method |
-
2015
- 2015-05-22 DE DE102015108117.2A patent/DE102015108117A1/en not_active Withdrawn
-
2016
- 2016-05-20 WO PCT/EP2016/061448 patent/WO2016188908A1/en unknown
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6259713B1 (en) * | 1997-12-15 | 2001-07-10 | The University Of Utah Research Foundation | Laser beam coupler, shaper and collimator device |
US20080013584A1 (en) * | 2006-07-17 | 2008-01-17 | Joseph Michael Freund | Laser Assembly for Multi-Laser Appplications |
US20110158273A1 (en) * | 2009-12-28 | 2011-06-30 | Yoshio Okayama | Semiconductor laser device, optical pickup device and semiconductor device |
US20110188054A1 (en) * | 2010-02-02 | 2011-08-04 | Primesense Ltd | Integrated photonics module for optical projection |
DE102012103257A1 (en) | 2012-04-16 | 2013-10-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | laser diode device |
US20150003482A1 (en) * | 2013-06-28 | 2015-01-01 | Jds Uniphase Corporation | Structure and method for edge-emitting diode package having deflectors and diffusers |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016106896A1 (en) * | 2016-04-14 | 2017-10-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting component |
US11355897B2 (en) | 2016-04-14 | 2022-06-07 | Osram Oled Gmbh | Light-emitting component |
WO2020095481A1 (en) * | 2018-11-08 | 2020-05-14 | 京セラ株式会社 | Light-emitting element accommodating substrate and light-emitting device |
JPWO2020095481A1 (en) * | 2018-11-08 | 2021-09-30 | 京セラ株式会社 | Light emitting element storage substrate and light emitting device |
JP7122392B2 (en) | 2018-11-08 | 2022-08-19 | 京セラ株式会社 | Substrate for housing light-emitting element and light-emitting device |
WO2020218595A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | 京セラ株式会社 | Light emission element mounting substrate and light emission device |
JPWO2020218595A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | ||
JP7274574B2 (en) | 2019-04-25 | 2023-05-16 | 京セラ株式会社 | Substrate for mounting light-emitting element and light-emitting device |
WO2021063561A1 (en) | 2019-10-01 | 2021-04-08 | Robert Bosch Gmbh | Micromechanical optical component and method for producing same |
DE102020212424A1 (en) | 2020-10-01 | 2022-04-07 | Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Laser device and method of manufacturing a laser device |
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