DE102014205660A1 - specimen - Google Patents

specimen Download PDF

Info

Publication number
DE102014205660A1
DE102014205660A1 DE102014205660.8A DE102014205660A DE102014205660A1 DE 102014205660 A1 DE102014205660 A1 DE 102014205660A1 DE 102014205660 A DE102014205660 A DE 102014205660A DE 102014205660 A1 DE102014205660 A1 DE 102014205660A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
calibration
raman
test specimen
calibration structure
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE102014205660.8A
Other languages
German (de)
Other versions
DE102014205660B4 (en
Inventor
Sabine Zakel
Rainer Stosch
Peter Hinze
Thomas Weimann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Bundesrepublik Deutschland
Bundesministerium fuer Wirtschaft und Energie
Original Assignee
Bundesrepublik Deutschland
Bundesministerium fuer Wirtschaft und Energie
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Bundesrepublik Deutschland, Bundesministerium fuer Wirtschaft und Energie filed Critical Bundesrepublik Deutschland
Priority to DE102014205660.8A priority Critical patent/DE102014205660B4/en
Publication of DE102014205660A1 publication Critical patent/DE102014205660A1/en
Application granted granted Critical
Publication of DE102014205660B4 publication Critical patent/DE102014205660B4/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/28Investigating the spectrum
    • G01J3/44Raman spectrometry; Scattering spectrometry ; Fluorescence spectrometry
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02Details
    • G01J3/0205Optical elements not provided otherwise, e.g. optical manifolds, diffusers, windows
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J3/00Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
    • G01J3/02Details
    • G01J3/0297Constructional arrangements for removing other types of optical noise or for performing calibration
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/25Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
    • G01N21/27Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands using photo-electric detection ; circuits for computing concentration
    • G01N21/274Calibration, base line adjustment, drift correction
    • G01N21/278Constitution of standards
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/17Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
    • G01N21/47Scattering, i.e. diffuse reflection
    • G01N21/4785Standardising light scatter apparatus; Standards therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/65Raman scattering
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00Microscopes
    • G02B21/34Microscope slides, e.g. mounting specimens on microscope slides

Abstract

Die Erfindung betrifft einen Prüfkörper (10) zur Kalibrierung eines Raman-Mikroskops mit einem Substrat (12) aus einem ersten Material und einer darauf aufgebrachten Kalibrierstruktur, (14) aus einem von dem ersten Material verschiedenen zweiten Material, wobei zumindest entweder das erste Material oder das zweite Material Raman-aktiv ist. Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass die Kalibrierstruktur (14) eine Dicke d1 von unter 30 nm aufweistThe invention relates to a test body (10) for calibrating a Raman microscope with a substrate (12) of a first material and a calibration structure applied thereon, (14) of a second material different from the first material, wherein at least one of the first material and the second material is Raman active. According to the invention, it is provided that the calibration structure (14) has a thickness d1 of less than 30 nm

Description

Die Erfindung betrifft einen Prüfkörper zur Kalibrierung eines Raman-Mikroskops sowie ein Verfahren zur Herstellung eines Prüfkörpers zur Kalibrierung eines Raman-Mikroskops.The invention relates to a test specimen for calibrating a Raman microscope and to a method for producing a test specimen for calibrating a Raman microscope.

Ein Raman-Mikroskop ist ein Mikroskop, das die charakteristischen Vibrationsschwingungen in Molekülen zur Abbildung verwendet, indem nach einer Anregung der Moleküle mittels eines Lasers die bei der Relaxation ausgesandten Photonen detektiert werden und so die Stokes-Linien ermittelt werden. Mit einem Raman-Mikroskop werden so neben dem lichtoptischen Bild auch die Raman-Spektren der Probe aufgenommen. Es wird mit einem Rasterverfahren gearbeitet, so dass die Raman-Spektren ortsaufgelöst vorliegen. Dabei wird der untersuchte Bereich mit der gewählten Schrittweite zeilenweise Punkt für Punkt unter dem Mikroskopobjektiv hindurch bewegt. Dieses Verfahren wird „mapping” genannt. Das Raman-Mikroskop kombiniert somit optische Mikroskopie und Raman-Spektroskopie.A Raman microscope is a microscope that uses the characteristic vibrational vibrations in molecules to image by detecting after excitation of the molecules by means of a laser, the photons emitted during relaxation and thus the Stokes lines are determined. Using a Raman microscope, the Raman spectra of the sample are recorded in addition to the light-optical image. It is worked with a raster method, so that the Raman spectra are spatially resolved. In this case, the examined area with the selected step size is moved line by line point by point under the microscope objective. This procedure is called "mapping". The Raman microscope thus combines optical microscopy and Raman spectroscopy.

Raman-Mikroskope werden heutzutage insbesondere eingesetzt, um biologische Systeme auf zellularer Ebene, ggf. auch zeitaufgelöst, zu untersuchen. So können Abbildungen von lebenden Zellen erzeugt werden. Ebenfalls ist es möglich, über Markerverfahren z. B. Transportprozesse nachzuvollziehen, was beispielsweise für klinische Forschungsarbeiten relevant ist. Die Raman-Mikroskopie ist also eine vielseitige Messmethode zur zerstörungsfreien Charakterisierung von z. B. chemischer Probenzusammensetzung, Kristallinität und mechanischen Spannungseinflüssen. Da ortsaufgelöste Informationen im Mikrometerbereich durch schrittweises Abrastern der Probe unter dem Mikroskop erhalten werden, ist die die Qualität der erhaltenen Bilder maßgeblich von der Scan-Einrichtung abhängig.Raman microscopes are currently used in particular to study biological systems at the cellular level, possibly also with time resolution. This way images of living cells can be generated. It is also possible via marker method z. B. to understand transport processes, which is relevant for clinical research, for example. Raman microscopy is thus a versatile measurement method for nondestructive characterization of z. B. chemical sample composition, crystallinity and mechanical stress influences. Since spatially resolved information in the micrometer range is obtained by stepwise scanning of the sample under the microscope, the quality of the images obtained is significantly dependent on the scanning device.

Daher muss ein Raman-Mikroskop wie jedes hochauflösende scannende Mikroskop kalibriert werden. Insbesondere muss der Probentisch kalibriert werden, um sicherzustellen, dass die gewünschte Position der zu untersuchenden Probe mit ihrer tatsächlichen Position übereinstimmt. Eine übliche Methode zur Kalibrierung von Mikroskopen ist die Verwendung eines sogenannten Standards oder Normals. Bei einem solchen Standard bzw. Normal handelt es sich um Prüfkörper mit exakt definierten, messbaren Eigenschaften, die auf das internationale Einheitensystem (SI) durch eine lückenlos geschlossene Kalibrierkette rückgeführt sind. Der Prüfkörper wird mit dem Mikroskop vermessen und die erhaltenen Messergebnisse werden mit den aufgrund der über den Prüfkörper bekannten Daten verglichen und eine Kalibrierung durchgeführt.Therefore, a Raman microscope must be calibrated like any high-resolution scanning microscope. In particular, the sample stage must be calibrated to ensure that the desired position of the sample to be tested matches its actual position. A common method for calibrating microscopes is the use of a so-called standard or standard. Such a standard or normal are test specimens with precisely defined, measurable properties that are traced back to the international system of units (SI) through a completely closed calibration chain. The test specimen is measured with the microscope and the measurement results obtained are compared with the data known from the specimen and a calibration is performed.

Zur Kalibrierung von Scan-Einrichtungen an Raman-Mikroskopen werden bisher in der Regel Prüfkörper verwendet, die auch für andere Mikroskoparten verwendet werden können. Bekannte Prüfkörper, z. B. für Rasterkraftmikroskope, Rasterelektronenmikroskope oder Fluoreszenzmikroskope werden u. a. von der Fa. Piano und der Fa. NT-MDT hergestellt. Die verfügbaren 1D-Strichgitter mit 120 nm tiefen Einkerbungen zeigen jedoch keinen ausreichenden Raman-Kontrast zwischen den oberen und unteren Plateaus und führen zusätzlich zu störenden Kanteneffekten.To calibrate scanning devices on Raman microscopes, test specimens have generally been used which can also be used for other microscope types. Known test specimens, z. B. for atomic force microscopes, scanning electron microscopes or fluorescence microscopes u. a. produced by the company Piano and the company NT-MDT. However, the available 1D graticules with 120 nm deep indentations do not show sufficient Raman contrast between the upper and lower plateaus and additionally lead to disturbing edge effects.

Die Aufgabe der Erfindung ist es daher, einen Prüfkörper bereitzustellen, der eine gesteigerte Genauigkeit bei der Kalibrierung eines Raman-Mikroskops ermöglicht, wobei die Kalibrierung ohne zusätzliche apparative Ausrüstung vorgenommen werden kann.The object of the invention is therefore to provide a test specimen which allows an increased accuracy in the calibration of a Raman microscope, wherein the calibration can be carried out without additional equipment.

Die Erfindung löst die Aufgabe durch einen Prüfkörper mit einem Substrat aus einem ersten Material, und einer darauf aufgebrachten Kalibrierstruktur aus einem von dem ersten Material verschiedenen zweiten Material, wobei zumindest entweder das erste Material oder das zweite Material Raman-aktiv ist und wobei die Kalibrierstruktur eine Dicke d1 von unter 30 nm aufweist.The invention achieves the object by a test body having a substrate made of a first material, and a calibration structure applied thereon of a second material different from the first material, wherein at least one of the first material and the second material is Raman active and wherein the calibration structure is a Thickness d 1 of less than 30 nm.

Die Aufgabe wird ferner gelöst durch ein Verfahren zum Herstellen eines Raman-Prüfkörpers mit den Schritten:

  • a. Aufbringen einer Schicht eines photosensitiven oder elektronenstrahlsensitiven Lacks auf einem Substrat, das aus einem ersten Material besteht,
  • b. Belichten der Lackschicht mit einem zur Kalibrierung eines Raman-Mikroskops geeigneten Muster,
  • c. Aufbringen einer Schicht einer Dicke d1 von unter 30 nm eines von dem ersten Material verschiedenen Materials auf das Substrat, wobei das erste Material und/oder das zweite Material Raman-aktiv ist,
  • d. Entfernen der Schicht des photosensitiven Lacks.
The object is further achieved by a method for producing a Raman test specimen comprising the steps:
  • a. Applying a layer of a photosensitive or electron beam-sensitive lacquer to a substrate which consists of a first material,
  • b. Exposing the lacquer layer with a pattern suitable for the calibration of a Raman microscope,
  • c. Depositing a layer of thickness d 1 of less than 30 nm on the substrate of a material other than the first material, wherein the first material and / or the second material is Raman-active,
  • d. Removing the layer of the photosensitive varnish.

Weiterhin wird die Aufgabe gelöst durch die Verwendung eines erfindungsgemäßen Prüfkörpers zur Kalibrierung eines Raman-Mikroskops.Furthermore, the object is achieved by the use of a test body according to the invention for calibrating a Raman microscope.

Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, dass unter Ausnutzung des im Raman-Mikroskops integrierten Raman-Spektrometers eine Kalibrierung höherer Genauigkeit erreicht werden kann. Erfindungsgemäß besteht ein Prüfkörper aus einem Substrat aus einem ersten Material, und einer darauf aufgebrachten Kalibrierstruktur aus einem von dem ersten Material verschiedenen zweiten Material, wobei zumindest entweder das erste Material oder das zweite Material Raman-aktiv ist und wobei die Kalibrierstruktur eine Dicke d1 von unter 30 nm aufweist. Der Prüfkörper ist also nicht wie bekannte Prüfkörper hinsichtlich seiner Topographie oder Fluoreszenz, sondern hinsichtlich lokaler Unterschiede in der Raman-Aktivität strukturiert. Ist die Struktur des Prüfkörpers hinreichend genau bekannt, so wird eine rückführbare Kalibrierung des Raman-Mikroskops möglich.The invention is based on the finding that a calibration of higher accuracy can be achieved by utilizing the Raman spectrometer integrated in the Raman microscope. According to the invention, a test specimen consists of a substrate made of a first material and a calibration structure applied thereon of a second material different from the first material, wherein at least one of the first material and the second material is Raman active and wherein the calibration structure has a thickness d 1 of less than 30 nm. The specimen is thus not structured as known specimens with respect to its topography or fluorescence, but with respect to local differences in Raman activity. If the structure of the test specimen is known with sufficient accuracy, a traceable calibration of the Raman microscope becomes possible.

Unter einem Prüfkörper wird insbesondere ein Körper verstanden, dessen Struktur genau bekannt ist. Beispielsweise kann die Struktur hochgenau vermessen und durch ein Prüfzertifikat dokumentiert sein. Ein Körper, der zwar eine Struktur aufweist, dessen Struktur aber nicht hinreichend genau bekannt ist, ist als Prüfkörper ungeeignet. Für einen erfindungsgemäßen Prüfkörper zur Kalibrierung eines Raman-Mikroskops ist die Struktur, d. h. insbesondere die Ausdehnungen der Strukturschicht in x- und y-Richtung mit einer erweiterten Messunsicherheit von 1% (Erweiterungsfaktor k = 2) bekannt.Under a test specimen is understood in particular a body whose structure is known exactly. For example, the structure can be measured with high precision and documented by a test certificate. A body which, although having a structure whose structure is not known with sufficient accuracy, is unsuitable as a test specimen. For a test specimen according to the invention for calibrating a Raman microscope, the structure, i. H. in particular, the expansions of the structural layer in the x and y directions with an expanded measurement uncertainty of 1% (expansion factor k = 2) known.

Unter einem Raman-aktiven Material wird insbesondere ein Material verstanden, das eine während einer Molekül- oder Gitterschwingung veränderliche Polarisierbarkeit aufweist.A Raman-active material is understood in particular to mean a material which has a polarizability that changes during a molecular or lattice vibration.

Es besteht sowohl die Möglichkeit, dass das erste Material und somit das Substrat Raman-aktiv ist, und das zweite Material und somit die Kalibrierstruktur Raman-inaktiv ist, sowie der umgekehrte Fall, dass das erste Material und somit das Substrat Ramaninaktiv ist und das zweite Material und somit die Kalibrierstruktur Raman-aktiv ist. Entscheidend ist lediglich, dass im Raman-Bild ein ausreichend hoher Kontrast zwischen Substrat und Kalibrierstruktur besteht. Dies kann auch der Fall sein, wenn sowohl das erste als auch das zweite Material Raman-aktiv sind. Entscheidender Faktor ist der Kontrast, der sich nach Addition der Signale beider Materialien bei der zur Kalibrierung betrachteten Wellenzahl ergibt.There is the possibility that the first material and thus the substrate is Raman-active, and the second material and thus the calibration structure is Raman-inactive, as well as the opposite case that the first material and thus the substrate is Ramaninaktiv and the second Material and thus the calibration structure is Raman active. All that matters is that the Raman image has a sufficiently high contrast between the substrate and the calibration structure. This may also be the case when both the first and second materials are Raman active. The decisive factor is the contrast that results after the addition of the signals of both materials at the wavenumber considered for calibration.

Unter einer Kalibrierstruktur wird dabei eine Struktur verstanden, die derart geformt und dimensioniert ist, dass sie für die Kalibrierung des Mikroskops geeignet ist. Eine geeignete Struktur für die Kalibrierung in einer Dimension hat z. B. die Form eines Maßbandes incl. der zugehörigen Skala. In anderen Worten ist die Kalibrierstruktur geeignet, um gemessene Größen wie Abstände, Winkel u. ä. mit bekannten Größen, die in der Regel aufgrund einer vorherigen Vermessung des Prüfkörpers bekannt sind, zu vergleichen. Die Kalibrierstruktur ist dabei in der Regel für sichtbares Licht und allgemein für vom Raman-Mikroskop abgestrahlte Anregungsstrahlung weitgehend oder vollständig intransparent. SERS-Substrate weisen oftmals ähnliche Strukturen auf, sind zur Kalibrierung aber dennoch nicht geeignet, da die Dimensionen nicht in der benötigten Größenordnung liegen.A calibration structure is understood to mean a structure which is shaped and dimensioned in such a way that it is suitable for the calibration of the microscope. A suitable structure for the calibration in one dimension has z. B. the shape of a tape measure incl. The associated scale. In other words, the calibration structure is suitable for measuring measured quantities such as distances, angles u. Ä. With known sizes, which are usually known due to a prior measurement of the specimen to compare. The calibration structure is generally largely or completely non-transparent to visible light and generally to excitation radiation radiated by the Raman microscope. SERS substrates often have similar structures, but are still not suitable for calibration because the dimensions are not in the required order of magnitude.

Es hat sich herausgestellt, dass eine ausgeprägte Topographie für einen solchen Prüfkörper von Nachteil ist, da sich Kanteneffekte in Form von Intensitätsüberhöhungen an den Kanten der Kalibrierstruktur ergeben können. Daher ist es notwendig, dass die Kalibrierstruktur möglichst dünn ist. Unter einer dünnen Struktur wird dabei eine Struktur verstanden, deren Dicke kleiner als 30 nm, bevorzugt kleiner als 20 nm ist. Es ergibt sich dann ein nahezu topographieloser Prüfkörper.It has been found that a pronounced topography is disadvantageous for such a test body, since edge effects in the form of intensity peaks at the edges of the calibration structure can result. Therefore, it is necessary that the calibration structure is as thin as possible. A thin structure is understood to mean a structure whose thickness is less than 30 nm, preferably less than 20 nm. This results in a nearly topographieloser specimen.

Wünschenswert ist ein hoher Kontrast, das heißt also ein großes Verhältnis zwischen der Raman-Aktivität der durch die Kalibrierstruktur abgedeckten Bereiche und der Raman-Aktivität der nicht abgedeckten Bereiche des Substrats. Der Kontrast kann dabei auch durch Unterschiede in der Wellenlänge der als Raman-Strahlung abgestrahlten Strahlung entstehen.It is desirable to have a high contrast, that is to say a large ratio between the Raman activity of the regions covered by the calibration structure and the Raman activity of the uncovered regions of the substrate. The contrast can also be caused by differences in the wavelength of the radiation emitted as Raman radiation.

Der Kontrast lässt sich zum einen durch die Materialauswahl und zum anderen durch die Schichtdicke der Kalibrierstruktur beeinflussen. Eine dickere Schicht erzeugt eine bessere Abschattung des darunter liegenden Substrats, führt also zu einer geringeren Raman-Aktitivät im Bereich der Kalibrierstruktur. Gleichzeitig verstärken sich mit der Schichtdicke wie oben beschrieben auch die Kanteneffekte, so dass hier ein Kompromiss zwischen gewünschtem hohen Kontrast und unerwünschten Kanteneffekten gefunden werden muss. Vorteilhafterweise weist die Kalibrierstruktur daher eine Dicke zwischen 10 und 25 nm, bevorzugt zwischen 15 und 20 nm auf. In von den Erfindern durchgeführten Versuchen haben sich Prüfkörper mit einer Schichtdicke der Kalibrierstruktur zwischen 15 und 20 nm als optimal herausgestellt.The contrast can be influenced on the one hand by the material selection and on the other hand by the layer thickness of the calibration structure. A thicker layer produces better shading of the underlying substrate, thus resulting in lower Raman activity in the area of the calibration structure. At the same time, the edge thicknesses increase with the layer thickness as described above, so that a compromise between the desired high contrast and undesired edge effects must be found here. Advantageously, therefore, the calibration structure has a thickness between 10 and 25 nm, preferably between 15 and 20 nm. In tests carried out by the inventors, specimens with a layer thickness of the calibration structure between 15 and 20 nm have been found to be optimal.

Vorteilhaft an einem erfindungsgemäßen Prüfkörper ist es, dass er die Kalibrierung der Verstelleinrichtung des Mikroskoptisches im point-by-point oder line-by-line scanning anhand der Raman-Emission erlaubt. Weiterhin kann die Punkt-Spreizfunktion der optischen Auflösung beim point-by-point oder line-by-line scanning anhand des Raman-Signals ermittelt werden.An advantage of a test specimen according to the invention is that it allows the calibration of the adjustment of the microscope stage in point-by-point or line-by-line scanning based on the Raman emission. Furthermore, the point spread function of the optical resolution in the case of point-by-point or line-by-line scanning can be determined on the basis of the Raman signal.

Der erfindungsgemäße Prüfkörper weist Kalibrierstrukturen auf, die keine Kanten-Artefakte aufweisen und somit nahezu topographielos sind. Es ist möglich, einen Prüfkörper herzustellen, der periodische Strukturen aufweist, die bei geringer Dicke der Kalibrierstruktur einen ausreichenden Raman-Kontrast auch bei kleinen pitches aufweisen, um kleine Bereiche sehr genau zu kalibrieren. Ebenso können periodische Strukturen auf dem Prüfkörper vorhanden sein, die ausreichend groß sind, um lange Reichweiten zu kalibrieren.The test specimen according to the invention has calibration structures which have no edge artifacts and are therefore virtually topographical. It is possible to produce a test specimen which has periodic structures which, with a small thickness of the calibration structure, have sufficient Raman contrast, even at small pitches, in order to calibrate small areas very precisely. Similarly, periodic structures may be present on the specimen that are sufficiently large to calibrate long ranges.

Die verschiedenen Muster der Kalibrierstruktur können in verschiedenen Größen auf dem Prüfkörper vorhanden sein, um alle gängigen Kombinationen von Anregungswellenlängen und Objektiv sowie verschiedene pitches und verschiedene Kreisdurchmesser abzudecken.The different patterns of the calibration structure can be in different sizes on the Test specimens may be present to cover all common combinations of excitation wavelengths and objective as well as different pitches and different circle diameters.

Durch die Verwendung von zweidimensionalen, orthogonalen Strukturen können beide Hauptachsen simultan kalibriert und Verzerrungen im Bild sichtbar gemacht werden. Eine Rückführung auf das Meter mit Hilfe von Referenzanalytiken (AFM, REM) ist möglich. Weiterhin kann der Prüfkörper mit einem Tropfen Immersionsflüssigkeit benetzt und wieder gereinigt werden, da er resistent gegen organische Lösungsmittel ausgeführt werden kann.By using two-dimensional, orthogonal structures, both major axes can be calibrated simultaneously and distortion in the image can be visualized. A return to the meter with reference analysis (AFM, REM) is possible. Furthermore, the test piece can be wetted with a drop of immersion liquid and cleaned again, since it can be carried out resistant to organic solvents.

Ein Problem bei der Herstellung eines erfindungsgemäßen Prüfkörpers kann eine mangelhafte Haftung der Kalibrierstruktur auf dem Substrat sein. Eine Weiterbildung der Erfindung sieht daher vor, dass sich zwischen dem Substrat und der Kalibrierstruktur ein Haftvermittler befindet, wobei die Dicke einer von dem Haftvermittler gebildeten Schicht vorzugsweise unter 5 nm liegt. Ein solcher Haftvermittler kann z. B. Titan sein. Geeignet ist aber prinzipiell auch jedes andere Material, das eine gute Haftung auf dem Substrat aufweist und auf dem die Kalibrierstruktur aufgebracht werden kann.A problem in the production of a test specimen according to the invention may be a poor adhesion of the calibration structure on the substrate. A development of the invention therefore provides that there is an adhesion promoter between the substrate and the calibration structure, wherein the thickness of a layer formed by the adhesion promoter is preferably less than 5 nm. Such a primer can, for. B. be titanium. In principle, however, any other material which has good adhesion to the substrate and on which the calibration structure can be applied is also suitable.

Als Substrat sind bevorzugt Halbmetalle wie Silizium und Germanium denkbar, wobei die Ramanaktivität von Germanium deutlich geringer als die von Silizium ist. Quarz ist ein geeignetes nichtmetallisches Material für ein Raman-aktives Substrat. Raman-inaktive Substrate können aus Metallen mit den Kristallsystemen fcc, hcp und bcc bestehen (Gold, Palladium, Titan oder Platin). Diese Metalle sind auch geeignete Raman-inaktive Materialien für die Strukturschicht und sind in der Lage, das darunter liegende Substrat „abzuschatten”, so dass sich ein hoher Kontrast im Raman-Bild ergibt. Besonders geeignet als Material der Kalibrierstruktur ist eine Legierung aus Gold und Palladium. Dabei kann das Verhältnis von Gold zu Palladium z. B. im Bereich zwischen 40:60 und 70:30 liegen. In anderen Worten enthält die Kalibrierstruktur 40 bis 70% Gold und 60 bis 30% Palladium. Ein geeignetes Material für eine Raman-aktive Strukturschicht bzw. Kalibrierstruktur ist neben Silizium und Germanium z. B. Graphen, eine aus nur einer Monolage bestehende Modifikation des Kohlenstoffs. Wird also z. B. eine Kombination von Graphen auf Silizium gewählt, so ist die Kalibrierstruktur bei der zur Kalibrierung verwendeten Wellenzahl im Raman-Bild zu sehen und das Substrat bleibt dunkel, wohingegen z. B. Gold auf Silizium das inverse Bild liefert. Graphen zeichnet sich weiterhin durch eine sehr gute Haftung auch ohne Haftvermittler auf dem Substrat aus.Semi-metals such as silicon and germanium are preferably conceivable as substrates, the Raman activity of germanium being significantly lower than that of silicon. Quartz is a suitable non-metallic material for a Raman active substrate. Raman-inactive substrates can consist of metals with the crystal systems fcc, hcp and bcc (gold, palladium, titanium or platinum). These metals are also suitable Raman-inactive materials for the structural layer and are capable of "shadowing" the underlying substrate to give a high contrast in the Raman image. Particularly suitable as the material of the calibration structure is an alloy of gold and palladium. The ratio of gold to palladium z. B. in the range between 40:60 and 70:30. In other words, the calibration structure contains 40 to 70% gold and 60 to 30% palladium. A suitable material for a Raman-active structure layer or calibration structure is in addition to silicon and germanium z. As graphene, consisting of only a monolayer modification of the carbon. So if z. For example, if a combination of graphene on silicon is selected, then the calibration structure will be seen in the Raman image at the wavenumber used for calibration, and the substrate will remain dark, whereas, for example, in FIG. Gold on silicon provides the inverse image. Graphene is further characterized by a very good adhesion even without adhesion promoter on the substrate.

Um eine umfassende Kalibrierung zu ermöglichen, kann die Kalibrierstruktur mehrere der folgenden Muster umfassen: Schachbrettmuster, Punktgitter, Strichgitter, Punktstreuzentren, große Flächen mit scharfen Kanten. Beliebige Kombinationen sind je nach den spezifischen Anforderungen möglich.To allow for full calibration, the calibration structure may include several of the following patterns: checkerboard pattern, dot grid, grating, dot scatter centers, large areas with sharp edges. Any combinations are possible depending on the specific requirements.

Ein Muster ist dabei jede regelmäßige Struktur, die eine Kalibrierung erlaubt. Im Regelfall wiederholt sich ein Muster nach einer bestimmten räumlichen Periode. Dies ist aber nicht unbedingt notwendig, so kann eine „große Fläche mit scharfen Kanten” auch aus einer beliebigen Abbildung eines Gegenstands oder z. B. einem Schriftzeichen bestehen.A pattern is any regular structure that allows calibration. As a rule, a pattern repeats after a certain spatial period. However, this is not absolutely necessary, so can a "large area with sharp edges" from any image of an object or z. B. consist of a character.

Als „Schachbrettmuster” werden dabei zweidimensionale, orthogonale Strukturen angesehen. Diese können in verschiedenen Größen ausgeführt werden, sind aber zumindest 200 μm × 200 μm groß. Solche schachbrettartigen Strukturen sind geeignet, um beide laterale Hauptachsen gleichzeitig zu kalibrieren, ohne dass eine Rotation der Probe, also des Prüfkörpers, erforderlich wird. Es hat sich herausgestellt, dass sich bei der Kalibrierung einer einzelnen Hauptachse im line mapping Verfahren andere Kalibrierfaktoren für den Tisch ergeben können als bei einem zweidimensionalen Mapping. Wenn die Kalibrierstruktur eine Schachbrettanordnung aufweist, so kann diese weiterhin zur gleichzeitigen Beurteilung der Gleichförmigkeit der Zeilenverschiebung dienen, was mittels einer Kalibrierstruktur, die lediglich Punktgitter aufweist, nicht möglich wäre. Eine solche zweidimensionale Struktur muss nicht zwingend orthogonal und ein Schachbrettmuster sein, ebenfalls denkbar sind z. B. rautenartige oder sechseckige Strukturen.Two-dimensional, orthogonal structures are considered as "checkerboard patterns". These can be made in different sizes, but are at least 200 microns × 200 microns in size. Such checkerboard-like structures are suitable for simultaneously calibrating both major lateral axes without requiring rotation of the sample, ie the specimen. It has been found that calibrating a single major axis in the line mapping process can result in different table calibration factors than two-dimensional mapping. If the calibration structure has a checkerboard arrangement, this can continue to serve for the simultaneous assessment of the uniformity of the line shift, which would not be possible by means of a calibration structure which has only point grids. Such a two-dimensional structure need not necessarily be orthogonal and a checkerboard pattern, also conceivable z. B. diamond-like or hexagonal structures.

Unter einem „Strichgitter” wird eine periodische, eindimensionale Struktur verstanden, die verschiedene Abstände zwischen den einzelnen Teilen der Struktur, sog. pitches, aufweisen kann. Die Strukturen sind dabei natürlich nicht im streng geometrischen Sinn eindimensional, sondern weisen eine Breite von zumindest 200 μm auf. Die geometrische Struktur der Strichgitter erlaubt die Messpunktaufnahme über den gesamten verwendeten Verstellbereich des Mikroskoptisches. Die Strichgitter ermöglichen aufgrund des erhöhten Kontrasts gegenüber den zweidimensionalen Strukturen auch die 1D-Kalibrierung bei sehr kleinen pitches in der Größenordnung nahe der optischen Auflösung.A "grating" is understood to mean a periodic, one-dimensional structure which may have different distances between the individual parts of the structure, so-called pitches. Of course, the structures are not one-dimensional in the strictly geometrical sense, but have a width of at least 200 μm. The geometric structure of the grating allows the measurement point recording over the entire adjustment range of the microscope stage used. The grids also allow 1D calibration at very small pitches on the order of near optical resolution due to the increased contrast to the two-dimensional structures.

Die Strukturen werden dabei vorteilhafter Weise jeweils mehrfach mit unterschiedlichen pitches hergestellt. So dient ein großer pitch von z. B. 4 μm dazu, um über einen großen Kalibrierbereich bei einer Schrittweite von z. B. 1 μm eine dem Nyquist-Theorem entsprechende Mindestabtastung sicherzustellen. Ein relativ kleiner pitch von 0,8 μm stellt eine ausreichende Anzahl von Perioden für eine hochauflösende Kalibrierung kleiner Bereiche mit einer Schrittweite von z. B. 0,1 μm sicher. Ein weiterer pitch von z. B. 2 μm ermöglicht es, verschiedene Anregungswellenlängen oder Objektivkombinationen und Schrittweiten abzudecken.The structures are advantageously each made several times with different pitches. Thus, a large pitch of z. B. 4 microns to order over a large calibration range at a pitch of z. B. 1 micron to ensure the Nyquist theorem minimum sampling. A relatively small pitch of 0.8 μm provides a sufficient number of periods for a high-resolution calibration of small areas with a pitch of z. B. 0.1 micron sure. Another pitch from Z. B. 2 microns makes it possible to cover different excitation wavelengths or lens combinations and step sizes.

Als weitere Merkmale der Kalibrierstruktur können einzelne Punktstreuzentren vorhanden sein. Diese können z. B. Durchmesser von 100 nm, 200 nm und/oder 400 nm aufweisen. Mit Hilfe solcher Punktstreuzentren kann dann die detektierte Punktspreizfunktion und damit die optische Auflösung ermittelt werden. Ebenfalls können doppelte Punktstreuzentren vorhanden sein. Die Durchmesser können dabei denen der einzelnen Punktstreuzentren entsprechen; zweckmäßiger Weise beträgt der Zentrenabstand im Fall der 100 nm großen Punktstreuzentren das vierfache (400 nm), ansonsten das doppelte (400 nm, 800 nm) des Durchmessers. Anhand solcher doppelten Punktstreuzentren lässt sich die optische Auflösung z. B. nach dem Rayleigh-Kriterium validieren.As further features of the calibration structure, individual point scattering centers may be present. These can be z. B. diameter of 100 nm, 200 nm and / or 400 nm. With the help of such Punktstreuzentren then the detected point spread function and thus the optical resolution can be determined. There may also be duplicate point spread centers. The diameters can correspond to those of the individual Punktstreuzentren; Expediently, the center distance in the case of the 100 nm point scattering centers is four times (400 nm), otherwise double (400 nm, 800 nm) of the diameter. On the basis of such double Punktstreuzentren the optical resolution z. B. validate according to the Rayleigh criterion.

Die Punktstreuzentren können verwendet werden, um das Profil der Anregungsstrahlung zu bestimmen. Der Laserstrahl eines Raman-Mikroskops hat üblicherweise ein Profil, das im Wesentlichen einer Gauß-Kurve entspricht, die Strahlungsintensität in Abhängigkeit vom Abstand zum Zentrum des im Optimalfall kreisförmigen Laserstrahls folgt also einer Gauß-Funktion, deren Maximum im Zentrum des Laserstrahls liegt. Dieses theoretische Gauß-Profil wird aber durch die weiteren optischen Komponenten des Aufbaus beeinflusst, so dass das Gauß-Profil für einen realen Aufbau nur eine Näherung darstellen kann. Mit Hilfe auf dem Prüfkörper vorhandener Punktstreuzentren kann das reale Strahlprofil ermittelt und für die Entfaltung der gewonnenen Bilddaten verwendet werden. Dies führt zu einer deutlichen Steigerung der Genauigkeit des Verfahrens.The point scattering centers can be used to determine the profile of the excitation radiation. The laser beam of a Raman microscope usually has a profile which substantially corresponds to a Gaussian curve, the radiation intensity as a function of the distance to the center of the optimally circular laser beam thus follows a Gaussian function whose maximum lies in the center of the laser beam. However, this theoretical Gaussian profile is influenced by the further optical components of the structure, so that the Gaussian profile can only represent an approximation for a real construction. With the help of existing on the test specimen scattering centers, the real beam profile can be determined and used for the development of the acquired image data. This leads to a significant increase in the accuracy of the process.

Große Flächen mit geraden, scharfen Kanten erlauben die Bestimmung der Halbwertsbreite der detektierten Punktspreizfunktion. Zu diesem Zweck kann die Kante mit linemapping Verfahren abgerastert und die erhaltene Intensitätsfunktion als Gaußsche Fehlerfunktion (erf) angefittet werden. Unter einer „großen Fläche” wird dabei eine homogene, ununterbrochene Fläche verstanden, die eine Kantenlänge aufweist, die zumindest dem fünffachen einer Periode der verwendeten regelmäßigen Strukturen entspricht, die z. B. eine Kantenlänge von 5 μm × 5 μm aufweist. Unter einer „scharfen Kante” wird verstanden, dass der Übergangsbereich zwischen Strukturmaterial und unbeschichtetem Substrat möglichst klein, im Idealfall gleich Null, ist. Dementsprechend weisen alle verwendeten Kalibrierstrukturen scharfe Kanten auf. Bevorzugt steigt die Schichtdicke der Kalibrierstruktur auf einer Strecke von unter 50 nm von unter 5% auf zumindest 95% der nominellen Schichtdicke an. Unter einer geraden Kante wird eine maximale Abweichung von einer geometrischen Geraden von 50 nm auf 1 μm verstanden.Large areas with straight, sharp edges allow the determination of the half-width of the detected point spread function. For this purpose, the edge can be scanned with linemapping method and the obtained intensity function as Gaussian error function (erf) be fitted. A "large area" is understood to mean a homogeneous, uninterrupted area which has an edge length which corresponds at least to five times one period of the regular structures used, which are eg. B. has an edge length of 5 microns × 5 microns. A "sharp edge" is understood to mean that the transition region between the structural material and the uncoated substrate is as small as possible, ideally equal to zero. Accordingly, all calibration structures used have sharp edges. Preferably, the layer thickness of the calibration structure increases over a distance of less than 50 nm from less than 5% to at least 95% of the nominal layer thickness. A straight edge is understood to mean a maximum deviation from a geometric straight line of 50 nm to 1 μm.

Es ist zweckmäßig, die Kalibrierstruktur auf dem Substrat redundant auszubilden, so dass vorzugsweise die Struktur eine Mehrzahl von verschiedenen Mustern umfasst und jedes Muster zumindest 10-fach identisch vorhanden ist. Es ist weniger aufwendig, auf einem einzelnen Prüfkörper eine Vielzahl von ggf. identischen Strukturen aufzubringen, als eine Mehrzahl von Prüfkörpern herzustellen, auf denen jeweils nur eine einzige Struktur aufgebracht ist. Durch die angesprochene Redundanz lässt sich so mit geringem Aufwand vermeiden, dass bei einer fehlerhaften Produktion einer einzigen Struktur der gesamte Prüfkörper unbrauchbar wird. Stattdessen kann ermittelt werden, welche Strukturen fehlerfrei produziert wurden, so dass dann ausschließlich diese zur Kalibrierung verwendet werden. Es ist dann nicht notwendig, einen anderen Prüfkörper zu benutzen, stattdessen wird einfach eine in einem anderen Bereich des Prüfkörpers aufgebrachte identische Struktur zur Kalibrierung verwendet.It is expedient to design the calibration structure redundantly on the substrate, so that preferably the structure comprises a plurality of different patterns and each pattern is present at least 10 times identically. It is less expensive to apply to a single test specimen a plurality of possibly identical structures, as to produce a plurality of test specimens, on each of which only a single structure is applied. As a result of the mentioned redundancy, it is thus possible with little effort to avoid the faulty production of a single structure rendering the entire test body unusable. Instead, it can be determined which structures were produced without errors, so that only these are used for calibration. It is then not necessary to use another specimen, but instead an identical structure applied in another area of the specimen is simply used for calibration.

Ein erfindungsgemäßer Prüfkörper lässt sich mit folgendem Verfahren herstellen: Ein Siliziumwafer als Substrat wird z. B. mit einem elektronenstrahlsensitivem Lack oder PMMA (Polymethylmethacrylat) beschichtet und anschließend mittels proximity korrigierter Elektronenstrahllithographie belichtet. Unter einem photosensitiven oder elektronenstrahlsensitivem Lack wird dabei jeder Stoff verstanden, der zur Herstellung einer Maske geeignet ist, neben PMMA also z. B. auch andere elektronenstrahlsensitive Lacke wie ZEP-520 der Fa. Zeonrex Electronic Chemicals. Dabei werden die gewünschten Strukturen auf das Substrat übertragen. Anschließend wird die belichtete Struktur entwickelt. Man erhält eine Lackmaske, in die die belichtete Struktur übertragen worden ist. Auf diese Lackmaske wird in einem thermischen Verdampfer eine dünne Schicht Titan und anschließend eine Gold-Palladium-Legierung abgeschieden, wobei die Legierung z. B. 60% Gold und 40% Palladium beinhaltet. Alternativ zu einem thermischen Widerstandsverdampfer kann auch ein Elektronenstrahlverdampfer verwendet werden. Wichtig ist, dass das Material aus einer möglichst punktförmigen Quelle abgeschieden wird.An inventive test specimen can be produced by the following method: A silicon wafer as a substrate is z. B. coated with an electron beam sensitive paint or PMMA (polymethyl methacrylate) and then exposed by proximity corrected electron beam lithography. Under a photosensitive or electron beam sensitive paint is understood to mean any substance that is suitable for producing a mask, in addition to PMMA so z. As well as other electron-sensitive paints such as ZEP-520 Fa. Zeonrex Electronic Chemicals. The desired structures are transferred to the substrate. Subsequently, the exposed structure is developed. This gives a resist mask, in which the exposed structure has been transferred. On this resist mask, a thin layer of titanium and then a gold-palladium alloy is deposited in a thermal evaporator, wherein the alloy z. B. 60% gold and 40% palladium. As an alternative to a thermal resistance evaporator, an electron beam evaporator can also be used. It is important that the material is separated from a point source as possible.

Sowohl die Titanschicht als auch die Arbeitsschicht, also die Schicht, die später die Kalibrierstruktur bildet, sind dünn. Zweckmäßiger Weise ist natürlich die Titanschicht dünner als die Arbeitsschicht, da ab einer bestimmten Dicke keine bessere Haftung mehr erreicht wird.Both the titanium layer and the working layer, ie the layer which later forms the calibration structure, are thin. Appropriately, of course, the titanium layer is thinner than the working layer, since from a certain thickness better adhesion is no longer achieved.

Mögliche Materialien für die Kalibrierstruktur unterscheiden sich hauptsächlich in ihrer Feinkörnigkeit sowie in ihrem Verhalten beim sog. Lift-off, also dem Entfernen der Lackmaske. Die Feinkörnigkeit ist wichtig, um hochgenaue, kleinste Strukturen herzustellen und bestimmt somit die kleinste mögliche Strukturgröße und daher mittelbar auch die Genauigkeit der Kalibrierung. Ebenfalls wichtig ist, dass das Material auf dem Substrat beim Lift-off gut haften bleibt, so dass keine fehlerhaften Strukturen hergestellt werden. Eine Legierung, die 60 Gew.-% Gold und 40 Gew.-% Palladium enthält, hat sich als vorteilhaft erwiesen. Mit einer solchen Legierung lassen sich Strukturen mit Größen bis hinunter zu 100 nm bei Abständen zwischen den Strukturen im Bereich bis hinunter zu 10 nm herstellen.Possible materials for the calibration structure differ mainly in their fine granularity and in their behavior during the so-called lift-off, ie the removal of the resist mask. The Fine grain is important for producing high-precision, smallest structures and thus determines the smallest possible structure size and therefore indirectly also the accuracy of the calibration. It is also important that the material sticks well to the substrate during the lift-off, so that no faulty structures are produced. An alloy containing 60% by weight of gold and 40% by weight of palladium has been found to be advantageous. With such an alloy, structures can be made with sizes down to 100 nm at distances between the structures in the range down to 10 nm.

Anschließend wird die Lackmaske durch ein Lösungsmittel entfernt. Das belichtete Pattern ist nun als metallische Struktur auf die Oberfläche des Wafers übertragen. Die auf diesem Wege hergestellten Strukturen, also das gesamte auf den Wafer aufgebrachte Material, hat dann eine Dicke von z. B. ca. 23 nm. Diese setzt sich zusammen aus einer dünnen Haftvermittlerschicht, die aus einer ca. 3 nm dicken Titanschicht besteht, und aus einer Arbeitsschicht, die aus Gold und Palladium besteht und ca. 20 nm dick ist.Subsequently, the resist mask is removed by a solvent. The exposed pattern is now transferred to the surface of the wafer as a metallic structure. The structures produced in this way, ie the entire material applied to the wafer material, then has a thickness of z. This is composed of a thin adhesion promoter layer, which consists of an approximately 3 nm thick titanium layer, and a working layer, which consists of gold and palladium and is about 20 nm thick.

Die Erfindung soll im Folgenden anhand der beigefügten Figuren näher erläutert werden. Es zeigenThe invention will be explained in more detail below with reference to the accompanying figures. Show it

1 eine schematische Darstellung eines erfindungsgemäßen Prüfkörpers in Draufsicht, 1 a schematic representation of a test body according to the invention in plan view,

2 eine schematische Darstellung eines Layouts einer Kalibrierstruktur, 2 a schematic representation of a layout of a calibration structure,

3 eine vergrößerte Darstellung eines einzelnen Bereichs einer Kalibrierstruktur, 3 an enlarged view of a single area of a calibration structure,

4 eine vergrößerte Darstellung eines weiteren einzelnen Bereichs einer Kalibrierstruktur, und 4 an enlarged view of another single area of a calibration, and

5 eine schematische Darstellung eines Schnitts durch einen erfindungsgemäßen Prüfkörper. 5 a schematic representation of a section through a test specimen according to the invention.

1 zeigt ein Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen Prüfkörpers in Draufsicht. Der Prüfkörper 10 besteht dabei aus einem Siliziumchip als Substrat 12 sowie den aufgebrachten Kalibrierstrukturen 14.1, 14.2, .... Der Chip hat eine Kantenlänge von ca. 3 cm × 3 cm. Andere Kantenlängen von z. B. 2 cm × 2 cm, 4 cm × 4 cm sind aber ebenso wie rechteckige Substrate 12, z. B. mit einer Kantenlänge von 3 cm × 4 cm, denkbar und geeignet. Zu erkennen sind die als Rechtecke dargestellten Kalibrierstrukturen 14.1, 14.2, .... Insgesamt sind 20 identische Kalibrierstrukturen 14.1, 14.2, ... auf dem Siliziumchip 1 aufgebracht. Eine höhere oder niedrigere Anzahl, z. B. 5 × 5 = 25, 4 × 4 = 16 oder 10 × 10 = 100 Kalibrierstrukturen 14.1, 14.2, ... ist aber ebenso möglich. Jede dieser Kalibrierstrukturen 14.1, 14.2, ... ist in einem rechteckigen Feld angeordnet, welches Kantenlängen von a = 4,5 mm und b = 3,5 mm aufweist. Eine solche Fläche von in diesem Fall unter 20 mm2 reicht aus, um alle nötigen Muster unterzubringen. Ein Prüfkörper 10 von der Größe eines solchen Feldes wäre zum einen nur schlecht handhabbar, zum anderen besteht bei einem Substrat mit einer Kantenlänge von mindestens 2 cm die Möglichkeit, einen Tropfen einer Immersionsflüssigkeit, z. B. aus Öl, auf den Prüfkörper aufzubringen und auch wieder zu entfernen. Bei der Reinigung kann der Prüfkörper gefasst und komplett in einem Bad aus organischen Lösungsmitteln gereinigt werden. Daher wird praktischerweise ein größerer Chip als Substrat 12 gewählt wird. Auf diesem kann dann eine Mehrzahl von identischen Kalibrierstrukturen 14.1, 14.2, ... aufgebracht werden, was die Ausschussquote stark reduziert. 1 shows an embodiment of a test body according to the invention in plan view. The test piece 10 consists of a silicon chip as a substrate 12 as well as the applied calibration structures 14.1 . 14.2 , .... The chip has an edge length of about 3 cm × 3 cm. Other edge lengths of z. B. 2 cm × 2 cm, 4 cm × 4 cm but are just like rectangular substrates 12 , z. B. with an edge length of 3 cm × 4 cm, conceivable and suitable. Recognizable are the calibration structures shown as rectangles 14.1 . 14.2 , .... In total there are 20 identical calibration structures 14.1 . 14.2 , ... on the silicon chip 1 applied. A higher or lower number, eg. 5 × 5 = 25, 4 × 4 = 16 or 10 × 10 = 100 calibration structures 14.1 . 14.2 , ... but is also possible. Each of these calibration structures 14.1 . 14.2 , ... is arranged in a rectangular field, which has edge lengths of a = 4.5 mm and b = 3.5 mm. Such an area, in this case less than 20 mm 2, is sufficient to accommodate all the necessary patterns. A test piece 10 on the one hand, the size of such a field would make it difficult to handle; on the other hand, with a substrate having an edge length of at least 2 cm, it would be possible to apply one drop of an immersion liquid, eg, B. of oil, applied to the specimen and also to remove. During cleaning, the test specimen can be collected and completely cleaned in a bath of organic solvents. Therefore, a larger chip becomes practical as a substrate 12 is selected. On this then a plurality of identical calibration structures 14.1 . 14.2 , ..., which greatly reduces the reject rate.

2 zeigt skizzenhaft eine vergrößerte Darstellung einer Kalibrierstruktur 14.1, 14.2, In einem eine solche Kalibrierstruktur 14.1, 14.2, ... aus 1 beinhaltenden Rechteck sind also die in 2 gezeigten 12 Unterstrukturen bzw. Muster 18.1, 18.2, ... vorhanden. Dabei sind als Muster in Spalte A zu sehen: C. V. Raman als Muster mit großen Flächen und scharfen Kanten, Quadrate mit scharfen Kanten, einzelne sowie doppelte Punktstreuzentren; in Spalte B: Zweidimensionale orthogonale Strukturen in Form von Schachbrettmustern, in Spalte C: Punktgitter verschiedener Abstände und in Spalte D: Eindimensionale Strukturen in Form von Strichgittern. 2 sketchy shows an enlarged view of a calibration structure 14.1 . 14.2 In one such calibration structure 14.1 . 14.2 , ... out 1 containing rectangle are so in the 2 12 substructures or patterns shown 18.1 . 18.2 , ... available. The patterns shown in column A are: CV Raman as a pattern with large areas and sharp edges, squares with sharp edges, single and double point scattering centers; in column B: Two-dimensional orthogonal structures in the form of checkerboard patterns, in column C: point gratings of different distances and in column D: one-dimensional structures in the form of line gratings.

Die Muster sind jeweils in verschiedenen Größen vorhanden. Es variieren also die Durchmesser der Punktstreuzentren 18.2, 18.3 sowie die Abstände der Punkte 18.4, 18.5, 18.6, der Linien 18.7, 18.8, 18.9 und der einzelnen Felder der Schachbrettmuster 18.10, 18.11, 18.12. In Spalte B sind beispielhaft die Peridiodizitäten der Strukturen angegeben, die hier mit den pitches übereinstimmen. Im oberen Schachbrett 18.10 beträgt die Periode 4 μm, im mittleren Schachbrett 18.11 2 μm und im unteren Schachbrett 18.12 0,8 μm. Ein einzelnes Feld der Schachbretter 18.10, 18.11, 18.12 hat also eine Kantenlänge, die der Hälfte der Periode entspricht.The patterns are each available in different sizes. Thus, the diameters of the point scattering centers vary 18.2 . 18.3 as well as the distances of the points 18.4 . 18.5 . 18.6 , the lines 18.7 . 18.8 . 18.9 and the individual boxes of the checkerboard pattern 18:10 . 18:11 . 18:12 , In column B, the peridiodicities of the structures are indicated by way of example, which coincide here with the pitches. In the upper chessboard 18:10 the period is 4 μm, in the middle chessboard 18:11 2 μm and in the lower chessboard 18:12 0.8 μm. A single box of chess boards 18:10 . 18:11 . 18:12 So has an edge length that corresponds to half of the period.

3 zeigt im unteren Bereich ein einzelnes Kalibrierfeld 20.1 als Ausschnitt einer Kalibrierstruktur 14.2, die im oberen Bereich schematisch noch einmal als Übersicht gezeigt ist. Die weiteren im oberen Bereich gezeigten Kalibrierfelder 20.2, 20.3, ... können andere Strukturen, wie sie in 2 gezeigt sind, enthalten. Die in dem Kalibrierfeld 20.1 enthaltenen kreisförmigen und quadratischen Punktstreuzentren 18.2 sind in verschiedenen Dimensionen vorhanden, die Kantenlängen a variieren von 0,1 μm (unten) bis zu 3,2 μm (oben). Die Kantenlänge l des Kalibrierfelds 20.1 beträgt 400 μm × 400 μm. 3 shows in the lower area a single calibration field 20.1 as a section of a calibration structure 14.2 , which is shown schematically in the upper area again as an overview. The other calibration fields shown in the upper area 20.2 . 20.3 , ... can use other structures, such as those in 2 are shown included. The in the calibration field 20.1 contained circular and square Punktstreuzentren 18.2 are available in different dimensions, the edge lengths a vary from 0.1 μm (below) to 3.2 μm (above). The edge length l of the calibration field 20.1 is 400 μm × 400 μm.

4 zeigt im unteren Bereich ein einzelnes Kalibrierfeld 20.2 als Ausschnitt einer Kalibrierstruktur 14.2, die im oberen Bereich schematisch noch einmal als Übersicht gezeigt ist. Die weiteren im oberen Bereich gezeigten Kalibrierfelder 20.1, 20.3, ... können andere Strukturen, wie sie in 2 gezeigt sind, enthalten. Das dargestellte Kalibrierfeld 20.2 weist eine schachbrettartige Struktur 18.11 als zweidimensionale, orthogonale Struktur auf und ist zur Kalibrierung der lateralen Hauptachsen der Probe geeignet. Die Periode a beträgt im gezeigten Fall 0,8 μm, kann aber auch z. B. 2 μm oder 4 μm sein 4 shows in the lower area a single calibration field 20.2 as a section of a calibration structure 14.2 , which is shown schematically in the upper area again as an overview. The other calibration fields shown in the upper area 20.1 . 20.3 , ... can use other structures, such as those in 2 are shown included. The illustrated calibration field 20.2 has a checkered structure 18:11 As a two-dimensional, orthogonal structure and is suitable for calibrating the lateral major axes of the sample. The period a is in the case shown 0.8 microns, but can also z. B. 2 microns or 4 microns

5 zeigt einen Schnitt durch einen Bereich eines erfindungsgemäßen Prüfkörpers 10. Die Darstellung ist nicht maßstabsgerecht. Es ist zu erkennen, dass das aus Silizium bestehende Substrat 12 den größten Anteil des Prüfkörpers ausmacht. Bereichsweise ist das Siliziumsubstrat 12 nicht von einer weiteren Schicht abgedeckt, so dass die von oben einfallende Anregungsstrahlung 28 des Raman-Mikroskops ungehindert bis zum Substrat durchdringen kann. Die hohe Raman-Aktivität des Siliziums wird an den entsprechenden Stellen anhand der Raman-Streuung 30 gemessen. In der Abbildung links und rechts sind eine dünne Schicht 16 der Dicke d2 von Titan und eine Schicht 22 der Dicke d1 einer Gold-Palladium-Legierung aufgebracht. Durch diese Schichten 16, 22 wird das Siliziumsubstrat 12 abgedeckt, so dass weder Anregungsstrahlung 28 ungehindert bis zum Substrat 12 durchdringen kann, noch die evtl. resultierenden zur Stokes-Linie gehörenden Photonen der abgeschwächten Raman-Streuung 32 ohne weiteres zurück zum Mikroskopobjektiv und von dort zum Spektrometer gelangen können. Die Kanten 24, 26 sind dabei in guter Näherung senkrecht. Eine hochgenaue Ausführung der Struktur ist notwendig, um eine genaue Kalibrierung zu ermöglichen. 5 shows a section through a region of a test body according to the invention 10 , The representation is not to scale. It can be seen that the substrate made of silicon 12 makes up the largest proportion of the test specimen. Area wise is the silicon substrate 12 not covered by another layer, so that the incident from above excitation radiation 28 Raman microscope can penetrate unhindered to the substrate. The high Raman activity of silicon at the corresponding sites is determined by Raman scattering 30 measured. In the picture left and right are a thin layer 16 the thickness d 2 of titanium and a layer 22 the thickness d 1 applied a gold-palladium alloy. Through these layers 16 . 22 becomes the silicon substrate 12 covered, so that neither excitation radiation 28 unhindered to the substrate 12 nor any of the resulting Stokes line photons of attenuated Raman scattering 32 can easily go back to the microscope objective and from there to the spectrometer. The edges 24 . 26 are perpendicular to a good approximation. A highly accurate design of the structure is necessary to allow accurate calibration.

Die Deckschicht bzw. Arbeitsschicht 22 aus Gold und Palladium ist Raman-inaktiv, so dass zwischen den Bereichen, die beschichtet sind und den unbeschichteten Bereichen ein hoher Kontrast im Raman-Bild besteht. Die Bereiche, die mit Titan und der Gold-Palladium-Legierung beschichtet sind, bilden dabei die Kalibrierstruktur 14. Die Gesamtdicke der Kalibrierstruktur 14 ist die Summe der beiden Dicken d1 der Gold-Palladium-Legierung und der Dicke d2 des Titans.The cover layer or working layer 22 of gold and palladium is Raman inactive, so there is a high contrast in the Raman image between the areas that are coated and the uncoated areas. The areas coated with titanium and the gold-palladium alloy form the calibration structure 14 , The total thickness of the calibration structure 14 is the sum of the two thicknesses d 1 of the gold-palladium alloy and the thickness d 2 of the titanium.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

1010
Prüfkörperspecimen
1212
Substratsubstratum
1414
Kalibrierstrukturcalibration structure
1616
Haftvermittlerbonding agent
1818
Mustertemplate
2020
Kalibrierfeldcalibration field
2222
Arbeitsschichtwork shift
2424
Kanteedge
2626
Kanteedge
2828
einfallende Strahlungincident radiation
3030
Raman-StreuungRaman scattering
3232
abgeschwächte Raman-Streuungweakened Raman scattering
aa
Durchmesser, PeriodeDiameter, period
d1 d 1
Dicke der ArbeitsschichtThickness of the working layer
d2 d 2
Dicke der HaftvermittlerschichtThickness of the adhesion promoter layer
ll
Kantenlängeedge length

Claims (10)

Prüfkörper (10) zur Kalibrierung eines Raman-Mikroskops mit einem Substrat (12) aus einem ersten Material, und einer darauf aufgebrachten Kalibrierstruktur, (14) aus einem von dem ersten Material verschiedenen zweiten Material, wobei zumindest entweder das erste Material oder das zweite Material Raman-aktiv ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Kalibrierstruktur (14) eine Dicke d1 von unter 30 nm aufweistTest specimen ( 10 ) for calibrating a Raman microscope with a substrate ( 12 ) of a first material, and a calibration structure applied thereto, ( 14 ) of a second material different from the first material, wherein at least one of the first material and the second material is Raman active, characterized in that the calibration structure ( 14 ) has a thickness d 1 of less than 30 nm Prüfkörper (10) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kali-brierstruktur (14) eine Dicke d1 zwischen 10 und 25 nm, bevorzugt zwischen 15 und 20 nm aufweist.Test specimen ( 10 ) according to claim 1, characterized in that the potash structure ( 14 ) has a thickness d 1 between 10 and 25 nm, preferably between 15 and 20 nm. Prüfkörper (10) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass sich zwischen dem Substrat (12) und der Kalibrierstruktur (14) ein Haftvermittler (16) befindet, wobei die Dicke d2 einer von dem Haftvermittler (16) gebildeten Schicht vorzugsweise unter 5 nm liegt.Test specimen ( 10 ) according to claim 1 or 2, characterized in that between the substrate ( 12 ) and the calibration structure ( 14 ) a bonding agent ( 16 ), wherein the thickness d 2 of one of the adhesion promoter ( 16 ) is preferably less than 5 nm. Prüfkörper (10) nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kalibrierstruktur (14) aus einem Raman-aktiven Material besteht.Test specimen ( 10 ) according to claim 1 or 2, characterized in that the calibration structure ( 14 ) consists of a Raman-active material. Prüfkörper (10) nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Kalibrierstruktur (14) zu 40 bis 70 Gew.-% aus Gold und zu 60 bis 30 Gew.-% aus Palladium besteht.Test specimen ( 10 ) according to one of claims 1 to 3, characterized in that the calibration structure ( 14 ) consists of 40 to 70 wt .-% of gold and 60 to 30 wt .-% of palladium. Prüfkörper (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kalibrierstruktur eine Mehrzahl von Punktstreuzentren umfasst.Test specimen ( 10 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the calibration structure comprises a plurality of point scattering centers. Prüfkörper (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kalibrierstruktur (14) mehrere der folgenden Muster umfasst: Schachbrettmuster, Punktgitter, Strichgitter, Punktstreuzentren, große Flächen mit scharfen Kanten.Test specimen ( 10 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the calibration structure ( 14 ) includes several of the following patterns: checkerboard pattern, dot grid, grating, dot scattering centers, large areas with sharp edges. Prüfkörper (10) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Kalibrierstruktur (14) auf dem Substrat (12) redundant ausgebildet ist, wobei vorzugsweise die Kalibrierstruktur (14) eine Mehrzahl von verschiedenen Mustern umfasst und jedes Muster zumindest 10-fach identisch vorhanden ist.Test specimen ( 10 ) according to one of the preceding claims, characterized in that the calibration structure ( 14 ) on the substrate ( 12 ) is redundant, wherein preferably the calibration structure ( 14 ) a plurality of different ones Includes patterns and each pattern is at least 10 times identical. Verfahren zum Herstellen eines Prüfkörpers (10) zur Kalibrierung eines Raman-Mikroskops mit den Schritten: a. Aufbringen einer Schicht eines photosensitiven oder elektronenstrahlsensitiven Lacks auf ein Substrat (12), das aus einem ersten Material besteht b. Belichten der Lackschicht mit einem zur Kalibrierung eines Raman-Mikroskops geeigneten Muster mittels Elektronenstrahllithographie c. Aufbringen einer Schicht einer Dicke d1 von unter 30 nm eines von dem ersten Material verschiedenen zweiten Materials auf das Substrat, wobei das erste Material und/oder das zweite Material Raman-aktiv ist d. Entfernen der Schicht des elektronenstrahlsensitiven LacksMethod for producing a test specimen ( 10 ) for calibrating a Raman microscope with the steps: a. Applying a layer of a photosensitive or electron beam-sensitive lacquer to a substrate ( 12 ), which consists of a first material b. Exposing the lacquer layer with a suitable pattern for the calibration of a Raman microscope by means of electron beam lithography c. Depositing a layer of thickness d 1 of less than 30 nm on the substrate of a second material different from the first material, wherein the first material and / or the second material is Raman-active d. Removing the layer of electron beam-sensitive paint Verwendung eines Prüfkörpers (10) nach einem der Ansprüche 1–8 zur Kalibrierung eines Raman-Mikroskops.Use of a test specimen ( 10 ) according to any one of claims 1-8 for calibration of a Raman microscope.
DE102014205660.8A 2014-03-26 2014-03-26 Test specimen for the calibration of a Raman microscope Active DE102014205660B4 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014205660.8A DE102014205660B4 (en) 2014-03-26 2014-03-26 Test specimen for the calibration of a Raman microscope

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014205660.8A DE102014205660B4 (en) 2014-03-26 2014-03-26 Test specimen for the calibration of a Raman microscope

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE102014205660A1 true DE102014205660A1 (en) 2015-10-15
DE102014205660B4 DE102014205660B4 (en) 2020-02-13

Family

ID=54193099

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE102014205660.8A Active DE102014205660B4 (en) 2014-03-26 2014-03-26 Test specimen for the calibration of a Raman microscope

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE102014205660B4 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017148668A3 (en) * 2016-03-04 2017-10-12 Vg Systems Limited Xps and raman sample analysis system and method
WO2021160744A1 (en) * 2020-02-13 2021-08-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Reference sample for a microscope, methods and uses

Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6081328A (en) * 1999-07-20 2000-06-27 International Business Machines Corporation Enhancement of raman scattering intensity of thin film contaminants on substrates
US7450227B2 (en) * 2004-09-22 2008-11-11 The Penn State Research Foundation Surface enhanced Raman spectroscopy (SERS) substrates exhibiting uniform high enhancement and stability
US20080311024A1 (en) * 2004-01-16 2008-12-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate
US7508500B2 (en) * 2004-10-27 2009-03-24 Eastman Kodak Company Characterizing organic materials in a thin film
DE19681289C5 (en) * 1995-03-20 2010-08-05 Toto Ltd., Kita-Kyushu Use of a composite material as a material, from the surface of adhering deposits are washed off by contact with rain
US7864312B2 (en) * 2007-07-30 2011-01-04 President And Fellows Of Harvard College Substrates for Raman spectroscopy having discontinuous metal coatings
US20110185458A1 (en) * 2008-08-07 2011-07-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Force, pressure, or stiffness measurement or calibration using graphene or other sheet membrane
US20110208031A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 University Of Houston Neutral particle nanopatterning for nonplanar multimodal neural probes
US20110236745A1 (en) * 2008-11-26 2011-09-29 Toray Tonen Specialty Separator Godo Kaisha Microporous membrane, methods for making such film, and the use of such film as battery separator film
US20120170034A1 (en) * 2010-07-02 2012-07-05 Katholieke Universiteit Leuven Spectroscopy using nanopore cavities
US20120224255A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-06 Mihail Bora Plasmon resonant cavities in vertical nanowire arrays
US20130149500A1 (en) * 2011-12-06 2013-06-13 Nazanin Bassiri-Gharb Soft-template infiltration manufacturing of nanomaterials
US20130196449A1 (en) * 2012-01-17 2013-08-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electrically driven devices for surface enhanced raman spectroscopy
US20130242297A1 (en) * 2010-08-24 2013-09-19 Singapore Health Services Pte Ltd Substrate for optical sensing by surface enhanced raman spectroscopy (sers) and methods for forming the same
DE102012011277A1 (en) * 2012-06-08 2013-12-12 Arc Precision - Sources, Coatings and Analysis GmbH A method of forming closed sheets of sp2 - hybridized carbon atoms or graphene on the surface of a substrate and substrate coated with the method

Patent Citations (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19681289C5 (en) * 1995-03-20 2010-08-05 Toto Ltd., Kita-Kyushu Use of a composite material as a material, from the surface of adhering deposits are washed off by contact with rain
US6081328A (en) * 1999-07-20 2000-06-27 International Business Machines Corporation Enhancement of raman scattering intensity of thin film contaminants on substrates
US20080311024A1 (en) * 2004-01-16 2008-12-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Diamond single crystal substrate manufacturing method and diamond single crystal substrate
US7450227B2 (en) * 2004-09-22 2008-11-11 The Penn State Research Foundation Surface enhanced Raman spectroscopy (SERS) substrates exhibiting uniform high enhancement and stability
US7508500B2 (en) * 2004-10-27 2009-03-24 Eastman Kodak Company Characterizing organic materials in a thin film
US7864312B2 (en) * 2007-07-30 2011-01-04 President And Fellows Of Harvard College Substrates for Raman spectroscopy having discontinuous metal coatings
US20110185458A1 (en) * 2008-08-07 2011-07-28 The Trustees Of Columbia University In The City Of New York Force, pressure, or stiffness measurement or calibration using graphene or other sheet membrane
US20110236745A1 (en) * 2008-11-26 2011-09-29 Toray Tonen Specialty Separator Godo Kaisha Microporous membrane, methods for making such film, and the use of such film as battery separator film
US20110208031A1 (en) * 2010-02-22 2011-08-25 University Of Houston Neutral particle nanopatterning for nonplanar multimodal neural probes
US20120170034A1 (en) * 2010-07-02 2012-07-05 Katholieke Universiteit Leuven Spectroscopy using nanopore cavities
US20130242297A1 (en) * 2010-08-24 2013-09-19 Singapore Health Services Pte Ltd Substrate for optical sensing by surface enhanced raman spectroscopy (sers) and methods for forming the same
US20120224255A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-06 Mihail Bora Plasmon resonant cavities in vertical nanowire arrays
US20130149500A1 (en) * 2011-12-06 2013-06-13 Nazanin Bassiri-Gharb Soft-template infiltration manufacturing of nanomaterials
US20130196449A1 (en) * 2012-01-17 2013-08-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electrically driven devices for surface enhanced raman spectroscopy
DE102012011277A1 (en) * 2012-06-08 2013-12-12 Arc Precision - Sources, Coatings and Analysis GmbH A method of forming closed sheets of sp2 - hybridized carbon atoms or graphene on the surface of a substrate and substrate coated with the method

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017148668A3 (en) * 2016-03-04 2017-10-12 Vg Systems Limited Xps and raman sample analysis system and method
US10816476B2 (en) 2016-03-04 2020-10-27 Vg Systems Limited XPS and Raman sample analysis system and method
WO2021160744A1 (en) * 2020-02-13 2021-08-19 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Reference sample for a microscope, methods and uses

Also Published As

Publication number Publication date
DE102014205660B4 (en) 2020-02-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102013225936B4 (en) Apparatus and method for correlating images of a photolithographic mask
DE102008048660B4 (en) Method and device for measuring structures on photolithography masks
DE102010030758B4 (en) Control critical dimensions in optical imaging processes for semiconductor fabrication by extracting aberrations based on imaging plant-specific intensity measurements and simulations
WO2016037851A1 (en) Method for producing a mask for the extreme ultraviolet wavelength range, mask and device
DE102008015631A1 (en) Method and device for measuring masks for photolithography
DE102006053794A1 (en) Optical sample characterization system
DE102017212848A1 (en) Method and apparatus for compensating defects of a mask blank
DE102017205629A1 (en) Method and apparatus for repairing defects of a photolithographic mask for the EUV range
DE102016223967A1 (en) Systems and methods for characterizing a process-induced wafer shape for process control using CGS interferometry
DE102005013969A1 (en) Method for the microscopic examination of a spatial fine structure
DE102016212477A1 (en) Measuring method and measuring system for the interferometric measurement of the imaging quality of an optical imaging system
DE102004023739A1 (en) Measuring device and method for operating a measuring device for the optical inspection of an object
DE102019200696A1 (en) Apparatus and method for determining a position of an element on a photolithographic mask
DE102007010581A1 (en) Test pattern and method for evaluating the transmission characteristics of a test pattern
WO2021032589A1 (en) Diffractive optical element for a test interferometer
DE102016204535A1 (en) Measuring microscope for measuring masks for lithographic processes and measuring methods and calibration methods therefor
DE102014205660B4 (en) Test specimen for the calibration of a Raman microscope
DE102004010363B4 (en) Method for determining a local variation of the reflection or transmission behavior over the surface of a mask
DE102013211403B4 (en) Method and device for the automated determination of a reference point of an alignment mark on a substrate of a photolithographic mask
DE102015221773A1 (en) Method and device for characterizing a wafer structured by at least one lithography step
DE102019209392A1 (en) Method and device for identifying at least one defect of a photolithographic mask in an image of a repair device for the photolithographic mask
DE102009019166B3 (en) Method for producing a reference body for X-ray fluorescence investigations on substrates and reference bodies produced by the method
EP0965036B1 (en) Standard for calibrating and checking a surface inspection device and method for the production thereof
DE102013210699B4 (en) Method for determining the position of an aerial image
DE102015215559B4 (en) Process for high-resolution imaging of a surface area with grazing incidence of the measurement radiation

Legal Events

Date Code Title Description
R012 Request for examination validly filed
R016 Response to examination communication
R082 Change of representative

Representative=s name: GRAMM, LINS & PARTNER PATENT- UND RECHTSANWAEL, DE

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final