DE102013219369A1 - Electronic device and method for manufacturing an electronic device - Google Patents

Electronic device and method for manufacturing an electronic device Download PDF

Info

Publication number
DE102013219369A1
DE102013219369A1 DE201310219369 DE102013219369A DE102013219369A1 DE 102013219369 A1 DE102013219369 A1 DE 102013219369A1 DE 201310219369 DE201310219369 DE 201310219369 DE 102013219369 A DE102013219369 A DE 102013219369A DE 102013219369 A1 DE102013219369 A1 DE 102013219369A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
layer
insulating layer
electrically insulating
circuit board
structuring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE201310219369
Other languages
German (de)
Inventor
Michael Brandl
Rainer Huber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ams Osram International GmbH
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors GmbH filed Critical Osram Opto Semiconductors GmbH
Priority to DE201310219369 priority Critical patent/DE102013219369A1/en
Priority to PCT/EP2014/069885 priority patent/WO2015044024A1/en
Publication of DE102013219369A1 publication Critical patent/DE102013219369A1/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/05Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H05K1/056Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate the metal substrate being covered by an organic insulating layer
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/0332Structure of the conductor
    • H05K2201/0364Conductor shape
    • H05K2201/0382Continuously deformed conductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09009Substrate related
    • H05K2201/09054Raised area or protrusion of metal substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03Metal processing
    • H05K2203/0307Providing micro- or nanometer scale roughness on a metal surface, e.g. by plating of nodules or dendrites
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03Metal processing
    • H05K2203/0323Working metal substrate or core, e.g. by etching, deforming

Abstract

Eine elektronische Anordnung umfasst eine elektrisch leitende erste Schicht und eine elektrisch leitende zweite Schicht, die durch eine elektrisch isolierende Schicht voneinander getrennt sind. Die elektrisch isolierende Schicht ist an einer Oberfläche der ersten Schicht angeordnet. Die Oberfläche weist eine Strukturierung auf.An electronic device comprises an electrically conductive first layer and an electrically conductive second layer, which are separated from one another by an electrically insulating layer. The electrically insulating layer is disposed on a surface of the first layer. The surface has a structuring.

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Anordnung gemäß Patentanspruch 1 sowie ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung gemäß Patentanspruch 11. The present invention relates to an electronic device according to claim 1 and a method for manufacturing an electronic device according to claim 11.

Elektronische Anordnungen mit zwischen elektrisch leitenden Schichten angeordneten elektrisch isolierenden Schichten sind im Stand der Technik in vielen Varianten bekannt. Beispielsweise sind Leiterplatten (Platinen) bekannt, bei denen ein Dielektrikum zur Isolation eines Metallkerns gegen an einer Oberfläche angeordnete Lötkontakte dient. Auch in elektronischen Halbleiterchips werden elektrisch isolierende Schichten zur Trennung elektrisch leitender Schichten vorgesehen. Electronic arrangements with electrically insulating layers arranged between electrically conductive layers are known in many variants in the prior art. For example, printed circuit boards (boards) are known in which a dielectric is used for insulating a metal core against arranged on a surface solder contacts. Also in electronic semiconductor chips electrically insulating layers are provided for the separation of electrically conductive layers.

Zur Gewährleistung einer ausreichenden elektrischen Isolationsspannung müssen elektrisch isolierende Schichten von der Isolationsfähigkeit des jeweiligen Materials abhängige Mindestdicken aufweisen. Allerdings muss häufig auch ein Wärmetransport, beispielsweise ein Transport von im Betrieb einer elektronischen Anordnung anfallender Abwärme, durch die elektrisch isolierende Schicht erfolgen. Der Wärmewiderstand einer elektrisch isolierenden Schicht wächst mit der Dicke der elektrisch isolierenden Schicht. Die Anforderungen einer hohen Isolationsspannung und eines geringen Wärmewiderstands stehen damit in einem Widerstreit. To ensure a sufficient electrical insulation voltage must electrically insulating layers of the insulating ability of the respective material have dependent minimum thicknesses. However, a heat transport, for example a transport of waste heat arising during the operation of an electronic arrangement, often has to be performed by the electrically insulating layer. The thermal resistance of an electrically insulating layer increases with the thickness of the electrically insulating layer. The requirements of a high insulation voltage and a low thermal resistance are thus in conflict.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine elektronische Anordnung bereitzustellen. Diese Aufgabe wird durch eine elektronische Anordnung mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst. Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung anzugeben. Diese Aufgabe wird durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 11 gelöst. In den abhängigen Ansprüchen sind verschiedene Weiterbildungen angegeben. An object of the present invention is to provide an electronic device. This object is achieved by an electronic device having the features of claim 1. Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing an electronic device. This object is achieved by a method having the features of claim 11. In the dependent claims various developments are given.

Eine elektronische Anordnung umfasst eine elektrisch leitende erste Schicht und eine elektrisch leitende zweite Schicht, die durch eine elektrisch isolierende Schicht voneinander getrennt sind. Die elektrisch isolierende Schicht ist an einer Oberfläche der ersten Schicht angeordnet. Die Oberfläche weist eine Strukturierung auf. Vorteilhafterweise wird durch die Strukturierung der Oberfläche der ersten Schicht eine Kontakt- und Übergangsfläche zwischen der ersten Schicht und der elektrisch isolierenden Schicht sowie zwischen der elektrisch isolierenden Schicht und der zweiten Schicht erhöht. Dadurch reduziert sich vorteilhafterweise ein durch die elektrisch isolierende Schicht bewirkter Wärmewiderstand, was eine verbesserte Wärmeleitung zwischen der elektrisch leitenden ersten Schicht und der elektrisch leitenden zweiten Schicht ermöglicht. Gleichzeitig reduziert sich durch die Strukturierung der Oberfläche der ersten Schicht vorteilhafterweise nicht eine elektrische Isolationsfähigkeit der elektrisch isolierenden Schicht. Dadurch geht die Reduzierung des Wärmewiderstands der elektrisch isolierenden Schicht vorteilhafterweise nicht mit einer Reduzierung einer elektrischen Isolationsspannung der elektrisch isolierenden Schicht einher. An electronic device comprises an electrically conductive first layer and an electrically conductive second layer, which are separated from one another by an electrically insulating layer. The electrically insulating layer is disposed on a surface of the first layer. The surface has a structuring. Advantageously, structuring the surface of the first layer increases a contact and transition area between the first layer and the electrically insulating layer and between the electrically insulating layer and the second layer. This advantageously reduces a thermal resistance caused by the electrically insulating layer, which enables improved heat conduction between the electrically conductive first layer and the electrically conductive second layer. At the same time, the structuring of the surface of the first layer advantageously does not reduce the electrical insulation capability of the electrically insulating layer. As a result, the reduction of the thermal resistance of the electrically insulating layer is advantageously not accompanied by a reduction of an electrical insulation voltage of the electrically insulating layer.

In einer Ausführungsform der elektronischen Anordnung bildet die Strukturierung eine Höhenmodulation der Oberfläche der ersten Schicht. Durch die Höhenmodulation der Oberfläche der ersten Schicht vergrößert sich vorteilhafterweise die Kontaktfläche zwischen der ersten Schicht und der elektrisch isolierenden Schicht. In one embodiment of the electronic arrangement, the structuring forms a height modulation of the surface of the first layer. The height modulation of the surface of the first layer advantageously increases the contact area between the first layer and the electrically insulating layer.

In einer Ausführungsform der elektronischen Anordnung ist die Strukturierung so ausgebildet, dass in einer zur Schichtebene der elektrisch isolierenden Schicht parallelen Schnittebene Abschnitte der ersten Schicht und der zweiten Schicht angeordnet sind. Vorteilhafterweise kann bei der elektronischen Anordnung ein Wärmefluss zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht dadurch nicht nur in zur Schichtebene der elektrisch isolierenden Schicht senkrechte Richtung, sondern auch in zur Schichtebene der elektrisch isolierenden Schicht parallele Richtung erfolgen. Dadurch reduziert sich ein durch die elektrisch isolierende Schicht bewirkter Wärmewiderstand, was eine verbesserte Wärmeleitung zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht der elektronischen Anordnung ermöglicht. In one embodiment of the electronic arrangement, the structuring is designed so that sections of the first layer and the second layer are arranged in a sectional plane parallel to the layer plane of the electrically insulating layer. Advantageously, in the case of the electronic arrangement, a heat flow between the first layer and the second layer can thereby take place not only in the direction perpendicular to the layer plane of the electrically insulating layer, but also in the direction parallel to the layer plane of the electrically insulating layer. This reduces a thermal resistance caused by the electrically insulating layer, which enables improved heat conduction between the first layer and the second layer of the electronic arrangement.

In einer Ausführungsform der elektronischen Anordnung bildet die Strukturierung ein regelmäßiges Muster. Vorteilhafterweise kann die Strukturierung dadurch besonders einfach und kostengünstig hergestellt werden. Außerdem wird durch eine Strukturierung in Form eines regelmäßigen Musters sichergestellt, dass ein Wärmewiderstand und eine Isolationsspannung der elektrisch isolierenden Schicht in allen lateralen Bereichen der elektrisch isolierenden Schicht im Wesentlichen konstante Werte aufweisen. In one embodiment of the electronic device, the patterning forms a regular pattern. Advantageously, the structuring can thereby be produced in a particularly simple and cost-effective manner. In addition, structuring in the form of a regular pattern ensures that a thermal resistance and an insulation voltage of the electrically insulating layer have essentially constant values in all lateral regions of the electrically insulating layer.

In einer Ausführungsform der elektronischen Anordnung weist die elektrisch isolierende Schicht an der Oberfläche der ersten Schicht eine im Wesentlichen konstante Dicke auf. Dabei kann die elektrisch isolierende Schicht insbesondere entlang der Strukturierung der Oberfläche der ersten Schicht eine im Wesentlichen konstante Dicke aufweisen. Dadurch wird vorteilhafterweise sichergestellt, dass eine elektrische Isolationsspannung der elektrisch isolierenden Schicht in allen Bereichen der elektrisch isolierenden Schicht im Wesentlichen einen konstanten Wert aufweist. In one embodiment of the electronic arrangement, the electrically insulating layer has a substantially constant thickness at the surface of the first layer. In this case, the electrically insulating layer may have a substantially constant thickness, in particular along the structuring of the surface of the first layer. This advantageously ensures that an electrical insulation voltage of the electrically insulating layer in all regions of the electrically insulating layer has a substantially constant value.

In einer Ausführungsform der elektronischen Anordnung weist die elektrisch isolierende Schicht in einer zur Schichtebene der elektrisch isolierenden Schicht senkrechten Schnittebene einen rechteckstufenförmigen, abgeflacht rechteckstufenförmigen (trapezstufenförmigen), sägezahnförmigen oder wellenförmigen Verlauf auf. Vorteilhafterweise lassen sich diese Geometrien der elektrisch isolierenden Schicht auf einfache und kostengünstige Weise herstellen und bewirken dabei eine wirksame Vergrößerung einer Kontaktfläche zwischen der ersten Schicht und der elektrisch isolierenden Schicht sowie zwischen der elektrisch isolierenden Schicht und der zweiten Schicht der elektronischen Anordnung. In one embodiment of the electronic arrangement, the electrically insulating layer in a sectional plane perpendicular to the layer plane of the electrically insulating layer has a step-shaped, flattened rectangular-step-shaped (sawtooth-shaped), sawtooth-shaped or wave-shaped course. Advantageously, these geometries of the electrically insulating layer can be produced in a simple and cost-effective manner, thereby effectively enlarging a contact surface between the first layer and the electrically insulating layer and between the electrically insulating layer and the second layer of the electronic device.

In einer Ausführungsform der elektronischen Anordnung ist diese als Leiterplatte (Platine) ausgebildet. Vorteilhafterweise kann diese Leiterplatte Abwärme von an einer Oberseite der Leiterplatte angeordneten Bauteilen besonders wirksam abführen. In one embodiment of the electronic device, this is designed as a printed circuit board (board). Advantageously, this printed circuit board dissipate waste heat from arranged on an upper side of the printed circuit board components particularly effective.

In einer Ausführungsform der elektronischen Anordnung weist die erste Schicht Aluminium oder Kupfer auf. Vorteilhafterweise kann die erste Schicht der elektronischen Anordnung damit als besonders wirksame Wärmesenke dienen. In one embodiment of the electronic device, the first layer comprises aluminum or copper. Advantageously, the first layer of the electronic device can thus serve as a particularly effective heat sink.

In einer Ausführungsform der elektronischen Anordnung weist die zweite Schicht Kupfer auf. Vorteilhafterweise eignet sich die zweite Schicht der elektronischen Anordnung damit gut zur Herstellung elektrischer Lötverbindungen. In one embodiment of the electronic device, the second layer comprises copper. Advantageously, the second layer of the electronic arrangement is thus well suited for the production of electrical solder joints.

In einer Ausführungsform der elektronischen Anordnung ist die elektronische Anordnung als Halbleiterchip ausgebildet. Vorteilhafterweise ist in diesem Halbleiterchip eine Wärmeleitung mit geringem Wärmewiderstand möglich. In one embodiment of the electronic device, the electronic device is designed as a semiconductor chip. Advantageously, a heat conduction with low thermal resistance is possible in this semiconductor chip.

Ein Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung umfasst Schritte zum Bereitstellen einer elektrisch leitenden ersten Schicht, zum Erzeugen einer Strukturierung an einer Oberfläche der ersten Schicht, und zum Aufbringen einer elektrisch isolierenden Schicht auf die Oberfläche der ersten Schicht. Vorteilhafterweise besteht bei der durch dieses Verfahren erhältlichen elektronischen Anordnung aufgrund der durch das Verfahren erzeugten Strukturierung an der Oberfläche der ersten Schicht eine besonders große Kontaktfläche zwischen der ersten Schicht und der elektrisch isolierenden Schicht. Damit wird eine besonders wirksame Wärmeleitung zwischen der elektrisch isolierenden Schicht und der ersten Schicht ermöglicht. A method of making an electronic device includes steps of providing an electrically conductive first layer, patterning a surface of the first layer, and applying an electrically insulating layer to the surface of the first layer. Advantageously, in the case of the electronic arrangement obtainable by this method, a particularly large contact area between the first layer and the electrically insulating layer exists on the surface of the first layer due to the structuring produced by the method. This enables a particularly effective heat conduction between the electrically insulating layer and the first layer.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die Strukturierung durch Feinprägen oder durch Walzen erzeugt. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch eine kostengünstige und einfache Erzeugung der Strukturierung und eignet sich damit für eine Massenproduktion. In one embodiment of the method, the structuring is produced by fine embossing or by rolling. Advantageously, the method thereby allows a cost-effective and simple generation of the structuring and is therefore suitable for mass production.

In einer Ausführungsform des Verfahrens wird die elektrisch isolierende Schicht durch Laminieren, durch ein Überschallflammverfahren oder durch Abscheiden aus einer Flüssigkeit aufgebracht. Vorteilhafterweise ermöglicht das Verfahren dadurch ein einfaches, kostengünstiges und reproduzierbares Aufbringen der elektrisch isolierenden Schicht auf die Oberfläche der ersten Schicht. In one embodiment of the method, the electrically insulating layer is applied by lamination, by a supersonic flame method or by deposition from a liquid. Advantageously, the method thereby enables a simple, cost-effective and reproducible application of the electrically insulating layer to the surface of the first layer.

In einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst dieses einen weiteren Schritt zum Aufbringen einer elektrisch leitenden zweiten Schicht auf die elektrisch isolierende Schicht. Vorteilhafterweise bewirkt die elektrisch isolierende Schicht der durch dieses Verfahren erhältlichen elektronischen Anordnung eine elektrische Isolation der elektrisch leitenden ersten Schicht gegen die elektrisch leitende zweite Schicht. Die durch das Verfahren erzeugte Strukturierung der Oberfläche der ersten Schicht bewirkt eine Erhöhung der Kontaktflächen zwischen der ersten Schicht und der elektrisch isolierenden Schicht sowie zwischen der elektrisch isolierenden Schicht und der zweiten Schicht, wodurch die elektrisch isolierende Schicht nur einen geringen Wärmewiderstand für eine Wärmeleitung zwischen der ersten Schicht und der zweiten Schicht bewirkt. In one embodiment of the method, this comprises a further step for applying an electrically conductive second layer to the electrically insulating layer. Advantageously, the electrically insulating layer of the electronic device obtainable by this method causes an electrical insulation of the electrically conductive first layer against the electrically conductive second layer. The structuring of the surface of the first layer produced by the method causes an increase in the contact areas between the first layer and the electrically insulating layer and between the electrically insulating layer and the second layer, whereby the electrically insulating layer has only a low thermal resistance for heat conduction between the first layer first layer and the second layer causes.

Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematisierter Darstellung The above-described characteristics, features, and advantages of this invention, as well as the manner in which they will be achieved, will become clearer and more clearly understood in connection with the following description of the embodiments, which will be described in detail in conjunction with the drawings. In each case show in a schematic representation

1 eine geschnittene Seitenansicht einer elektrisch leitenden ersten Schicht und einer isolierenden Schicht; 1 a sectional side view of an electrically conductive first layer and an insulating layer;

2 eine perspektivische Ansicht der ersten Schicht und der elektrisch isolierenden Schicht; 2 a perspective view of the first layer and the electrically insulating layer;

3 eine geschnittene Seitenansicht der ersten Schicht, der isolierenden Schicht und einer elektrisch leitenden zweiten Schicht, die eine erste Leiterplatte bilden; 3 a sectional side view of the first layer, the insulating layer and an electrically conductive second layer, which form a first circuit board;

4 eine geschnittene Seitenansicht der ersten Leiterplatte nach weiterer Bearbeitung; 4 a sectional side view of the first circuit board after further processing;

5 eine Detailansicht der ersten Leiterplatte; 5 a detailed view of the first circuit board;

6 eine geschnittene Seitenansicht einer zweiten Leiterplatte; 6 a sectional side view of a second circuit board;

7 eine geschnittene Seitenansicht einer dritten Leiterplatte; 7 a sectional side view of a third circuit board;

8 eine geschnittene Seitenansicht einer vierten Leiterplatte; und 8th a sectional side view of a fourth circuit board; and

9 eine geschnittene Seitenansicht einer fünften Leiterplatte. 9 a sectional side view of a fifth circuit board.

1 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht eines Teils einer ersten Leiterplatte 10 in einem unfertigen Bearbeitungsstand. Die erste Leiterplatte 10 kann auch als Platine, als Schaltungsträger oder als PCB (Printed Circuit Board) bezeichnet werden. 2 zeigt eine perspektivische Ansicht des in 1 gezeigten Teils der ersten Leiterplatte 10 im in 1 dargestellten Bearbeitungsstand. 1 shows a schematic sectional side view of a portion of a first circuit board 10 in an unfinished state of progress. The first circuit board 10 can also be referred to as a circuit board, as a circuit carrier or as PCB (Printed Circuit Board). 2 shows a perspective view of the in 1 shown part of the first circuit board 10 in the 1 shown processing status.

Die erste Leiterplatte 10 umfasst eine erste Schicht 100. Die erste Schicht 100 weist ein elektrisch leitendes Material auf. Bevorzugt weist die erste Schicht 100 ein Metall auf. Beispielsweise kann die erste Schicht 100 Aluminium oder Kupfer aufweisen. The first circuit board 10 includes a first layer 100 , The first shift 100 has an electrically conductive material. Preferably, the first layer 100 a metal on. For example, the first layer 100 Aluminum or copper.

Die erste Schicht 100 weist eine Oberfläche 101 und eine der Oberfläche 101 gegenüberliegende Unterseite 102 auf. Die Unterseite 102 der ersten Schicht 100 ist in 1 nur schematisch dargestellt. An der Unterseite 102 der ersten Schicht 100 können sich weitere Schichten der ersten Leiterplatte 10 anschließen, die in 1 nicht dargestellt sind. The first shift 100 has a surface 101 and one of the surface 101 opposite bottom 102 on. The bottom 102 the first layer 100 is in 1 shown only schematically. On the bottom 102 the first layer 100 can get more layers of the first circuit board 10 connect in 1 are not shown.

Die Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 weist eine Strukturierung 110 auf. Die Strukturierung 110 bildet eine Höhenmodulation der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100. Die Höhe der Oberfläche 101 ist in lateraler Richtung, also in der Ebene der Oberfläche 101, moduliert. Einzelne Abschnitte der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 sind gegen andere Abschnitte der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 erhaben. The surface 101 the first layer 100 has a structuring 110 on. The structuring 110 forms a height modulation of the surface 101 the first layer 100 , The height of the surface 101 is in the lateral direction, ie in the plane of the surface 101 , modulated. Individual sections of the surface 101 the first layer 100 are against other sections of the surface 101 the first layer 100 sublime.

Nachfolgend wird als zur Oberfläche 101 parallele Richtung eine Richtung bezeichnet, die in großen Betrachtungsmaßstab, also ohne Berücksichtigung der Strukturierung 110, zur Oberfläche 101 parallel ist. Entsprechend bezeichnet eine zur Oberfläche 101 senkrechte Richtung eine zur Haupterstreckungsrichtung der Oberfläche 101 senkrechte Richtung. Below is called to the surface 101 parallel direction denotes a direction that is on a large scale, ie without taking into account the structuring 110 , to the surface 101 is parallel. Accordingly, one refers to the surface 101 vertical direction one to the main extension direction of the surface 101 vertical direction.

Die Strukturierung 110 der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 bildet ein regelmäßiges Muster. Im in den Figuren gezeigten Beispiel wird die Strukturierung 110 der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 durch zueinander parallele Balken 120 gebildet, die an der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 ausgebildet sind. Jeder Balken 120 weist einen rechteckigen Querschnitt auf. Dabei weist jeder Balken 120 in Richtung senkrecht zur Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 eine Höhe 121 auf. In Richtung parallel zur Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 weist jeder Balken 120 eine Breite 122 auf. Zwei benachbarte Balken 120 weisen jeweils einen Abstand 123 voneinander auf. Die Breite 122 der Balken 120 ist bevorzugt geringer als der Abstand 123. Die Breite 122 kann aber auch genauso groß wie der Abstand 123 oder größer als der Abstand 123 sein. Die Höhe 121 der Balken 120 kann etwa der Breite 122 der Balken 120 entsprechen. Die Höhe 121 kann aber auch wesentlich größer als die Breite 122 sein. Die Höhe 121 kann auch geringer als die Breite 122 sein. Die Höhe 121, die Breite 122 und die Abstände 123 der Balken 120 können jeweils beispielsweise zwischen 1 µm und 1 mm betragen. The structuring 110 the surface 101 the first layer 100 makes a regular pattern. In the example shown in the figures, the structuring 110 the surface 101 the first layer 100 by parallel bars 120 formed on the surface 101 the first layer 100 are formed. Every bar 120 has a rectangular cross-section. In this case, each bar has 120 in the direction perpendicular to the surface 101 the first layer 100 a height 121 on. In the direction parallel to the surface 101 the first layer 100 assigns each bar 120 a width 122 on. Two adjacent bars 120 each have a distance 123 from each other. The width 122 the beam 120 is preferably less than the distance 123 , The width 122 but it can also be as big as the distance 123 or greater than the distance 123 be. The height 121 the beam 120 can be about the width 122 the beam 120 correspond. The height 121 but can also be much larger than the width 122 be. The height 121 can also be smaller than the width 122 be. The height 121 , the width 122 and the distances 123 the beam 120 For example, each may be between 1 .mu.m and 1 mm.

Die Balken 122 erstrecken sich im in 1 und 2 gezeigten Beispiel in Richtung senkrecht zur Schnittebene der Schnittdarstellung der 1. Die Strukturierung 110 der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 ist in diese Richtung im dargestellten Beispiel translationsinvariant. Es ist allerdings auch möglich, die Strukturierung 110 der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 so auszubilden, dass die Höhe der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 in alle Richtungen parallel zur Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 moduliert ist. In diesem Fall kann die Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 anstelle der Balken 120 beispielsweise quaderförmige oder würfelförmige Erhebungen aufweisen. The bars 122 extend in the 1 and 2 shown in the direction perpendicular to the sectional plane of the sectional view of 1 , The structuring 110 the surface 101 the first layer 100 is translationally invariant in this direction in the example shown. However, it is also possible structuring 110 the surface 101 the first layer 100 form so that the height of the surface 101 the first layer 100 in all directions parallel to the surface 101 the first layer 100 is modulated. In this case, the surface can be 101 the first layer 100 instead of the bars 120 For example, have cuboid or cube-shaped elevations.

Die Strukturierung 110 der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 kann beispielsweise durch Feinprägen oder durch Walzen erzeugt worden sein. Die Strukturierung 110 kann aber auch durch Ätzen oder durch ein anderes Verfahren angelegt worden sein. The structuring 110 the surface 101 the first layer 100 may have been produced for example by fine embossing or by rolling. The structuring 110 but may also have been created by etching or by another method.

An der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 ist eine elektrisch isolierende Schicht 200 angeordnet. Die elektrisch isolierende Schicht 200 weist ein elektrisch isolierendes Dielektrikum auf. Beispielsweise kann die isolierende Schicht 200 FR4 aufweisen. On the surface 101 the first layer 100 is an electrically insulating layer 200 arranged. The electrically insulating layer 200 has an electrically insulating dielectric. For example, the insulating layer 200 Have FR4.

Die isolierende Schicht 200 weist eine Oberseite 201 und eine der Oberseite 201 gegenüberliegende Unterseite 202 auf. Die Unterseite 202 der isolierenden Schicht 200 ist der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 zugewandt und steht mit dieser in Kontakt. Zwischen der Unterseite 202 und der Oberseite 201 weist die isolierende Schicht 200 eine Dicke 203 auf. Die Dicke 203 ist bevorzugt über den gesamten Bereich der isolierenden Schicht 200 im Wesentlichen konstant. The insulating layer 200 has a top 201 and one of the top 201 opposite bottom 202 on. The bottom 202 the insulating layer 200 is the surface 101 the first layer 100 turned and is in contact with this. Between the bottom 202 and the top 201 has the insulating layer 200 a thickness 203 on. The fat 203 is preferred over the entire area of the insulating layer 200 essentially constant.

Insbesondere ist die Dicke 203 der isolierenden Schicht 200 im Maßstab der Strukturierung 110 der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 im Wesentlichen konstant. Dadurch folgt die isolierende Schicht 200 der Strukturierung 110 der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 nach. Die isolierende Schicht 200 bedeckt im in 1 und 2 dargestellten Beispiel die Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 an den Oberseiten und den Seitenflächen der Balken 120 und im Bereich der zwischen den Balken 120 ausgebildeten Gräben und weist in allen diesen Abschnitten die im Wesentlichen konstante Dicke 203 auf. Dies erfordert es, dass die Dicke 203 der isolierenden Schicht 200 geringer als die Höhe 121 der Balken 120 und geringer als der Abstand 123 zwischen den Balken 120 der Strukturierung 110 der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 ist. In particular, the thickness 203 the insulating layer 200 in scale of structuring 110 the surface 101 the first layer 100 essentially constant. This follows the insulating layer 200 structuring 110 the surface 101 the first layer 100 to. The insulating layer 200 covered in in 1 and 2 example shown the surface 101 the first layer 100 on the tops and sides of the beams 120 and in the area between the bars 120 formed trenches and has in all these sections, the substantially constant thickness 203 on. This requires that the thickness 203 the insulating layer 200 less than the height 121 the beam 120 and less than the distance 123 between the bars 120 structuring 110 the surface 101 the first layer 100 is.

In der geschnittenen Darstellung der 1 ist erkennbar, dass die isolierende Schicht 200 in eine zur Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 parallele Richtung einen rechteckstufenförmigen Verlauf 210 aufweist. An der Oberseite 201 der isolierenden Schicht 200 wechseln sich in dieser Richtung erhabene Bereiche 250 und Gräben 260 ab. In the cut representation of the 1 it can be seen that the insulating layer 200 in one to the surface 101 the first layer 100 parallel direction a rectangular stepped course 210 having. At the top 201 the insulating layer 200 alternate sublime areas in this direction 250 and ditches 260 from.

Die isolierende Schicht 200 kann beispielsweise auf die Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 auflaminiert worden sein. Die isolierende Schicht 200 kann aber beispielsweise auch durch Abscheiden aus einer Flüssigkeit an der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 angeordnet worden sein. Die isolierende Schicht 200 kann auch durch ein anderes Verfahren, beispielsweise durch ein Überschallflammverfahren, an der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 angeordnet worden sein. The insulating layer 200 for example, on the surface 101 the first layer 100 have been laminated. The insulating layer 200 but can also, for example, by deposition from a liquid on the surface 101 the first layer 100 have been arranged. The insulating layer 200 can also by another method, for example by a supersonic flame method on the surface 101 the first layer 100 have been arranged.

3 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der ersten Leiterplatte 10 in einem der Darstellung der 1 und 2 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. 3 shows a schematic sectional side view of the first circuit board 10 in one of the presentation of the 1 and 2 temporally subsequent processing status.

Auf die Oberseite 201 der isolierenden Schicht 200 ist eine elektrisch leitende zweite Schicht 300 aufgebracht worden. Die zweite Schicht 300 weist ein elektrisch leitendes Material auf. Bevorzugt weist die zweite Schicht 300 ein Metall auf. Die zweite Schicht 300 kann beispielsweise Kupfer aufweisen. On the top 201 the insulating layer 200 is an electrically conductive second layer 300 been applied. The second layer 300 has an electrically conductive material. Preferably, the second layer 300 a metal on. The second layer 300 may, for example, comprise copper.

Die zweite Schicht 300 weist eine Oberseite 301 und eine der Oberseite 301 gegenüberliegende Unterseite 302 auf. Die Unterseite 302 der zweiten Schicht 300 ist der Oberseite 201 der isolierenden Schicht 200 zugewandt und steht mit dieser in Kontakt. Die Unterseite 302 weist eine Struktur auf, die einem Negativ der Form der Oberseite 201 der isolierenden Schicht 200 entspricht. Die zweite Schicht 300 erstreckt sich damit an ihrer Unterseite 302 über die erhabenen Bereiche 250 und in die Gräben 260 an der Oberseite 201 der isolierenden Schicht 200. The second layer 300 has a top 301 and one of the top 301 opposite bottom 302 on. The bottom 302 the second layer 300 is the top 201 the insulating layer 200 turned and is in contact with this. The bottom 302 has a structure that is a negative of the shape of the top 201 the insulating layer 200 equivalent. The second layer 300 extends to its bottom 302 over the sublime areas 250 and in the trenches 260 at the top 201 the insulating layer 200 ,

Die Oberseite 301 der zweiten Schicht 300 ist im Wesentlichen plan ausgebildet. Dies kann beispielsweise durch Abschleifen der Oberseite 301 der zweiten Schicht 300 nach dem Aufbringen der zweiten Schicht 300 erreicht worden sein. Die zweite Schicht 300 kann aber auch eine zwischen den erhabenen Bereichen 250 an der Oberseite 201 der isolierenden Schicht 200 und der Oberseite 301 der zweiten Schicht 300 bemessene Dicke 303 aufweisen, die so groß ist, dass die Höhenunterschiede zwischen den erhabenen Bereichen 250 und den Gräben 260 an der Oberseite 201 der isolierenden Schicht 200 an der Oberseite 301 der zweiten Schicht 300 nivelliert sind. Die Dicke 303 kann beispielsweise zwischen 1 µm und 250 µm liegen. The top 301 the second layer 300 is essentially flat. This can be done, for example, by sanding the top 301 the second layer 300 after application of the second layer 300 have been achieved. The second layer 300 but also one between the sublime areas 250 at the top 201 the insulating layer 200 and the top 301 the second layer 300 measured thickness 303 which is so large that the height differences between the raised areas 250 and the trenches 260 at the top 201 the insulating layer 200 at the top 301 the second layer 300 are leveled. The fat 303 may for example be between 1 micron and 250 microns.

4 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht der ersten Leiterplatte 10 in einem der Darstellung der 3 zeitlich nachfolgenden Bearbeitungsstand. In einem zwischen den Darstellungen der 3 und 4 erfolgen Bearbeitungsschritt ist die zweite Schicht 300 lateral strukturiert und dabei teilweise entfernt worden. 4 shows a schematic sectional side view of the first circuit board 10 in one of the presentation of the 3 temporally subsequent processing status. In one between the representations of the 3 and 4 processing step is the second layer 300 laterally structured and partially removed.

Im in 4 gezeigten Bearbeitungsstand weist die erste Leiterplatte 10 in laterale Richtung erste Abschnitte 310 und zweite Abschnitte 320 auf. In den zweiten Abschnitten 320 ist die zweite Schicht 300 vollständig entfernt worden. Dadurch sind die Teile der zweiten Schicht 300 in den ersten Abschnitten 310 elektrisch voneinander getrennt. Die Teile der zweiten Schicht 300 in den ersten Abschnitten 310 können beispielsweise Lötkontakte und/oder Leiterbahnen bilden. In den zweiten Abschnitten 320 ist die zweite Schicht 300 sowohl in den erhabenen Bereichen 250 als auch in den Gräben 260 über der Oberseite 201 der isolierenden Schicht 200 entfernt. Im in 4 shown processing state, the first circuit board 10 in the lateral direction first sections 310 and second sections 320 on. In the second sections 320 is the second layer 300 completely removed. As a result, the parts of the second layer 300 in the first sections 310 electrically isolated from each other. The parts of the second layer 300 in the first sections 310 For example, they can form solder contacts and / or conductor tracks. In the second sections 320 is the second layer 300 both in the sublime areas 250 as well as in the trenches 260 over the top 201 the insulating layer 200 away.

Das laterale Strukturieren und teilweise Entfernen der zweiten Schicht 300 kann beispielsweise durch ein Ätzverfahren unter Verwendung einer fotolithografisch strukturierten Ätzmaske erfolgt sein. The lateral structuring and partial removal of the second layer 300 For example, it can be done by an etching process using a photolithographically patterned etching mask.

5 zeigt eine geschnittene Seitenansicht eines Teils eines ersten Abschnitts 310 der ersten Leiterplatte 10. Dargestellt sind Teile der elektrisch leitenden ersten Schicht 100, der elektrisch leitenden zweiten Schicht 300 und der zwischen der elektrisch leitenden ersten Schicht 100 und der elektrisch leitenden zweiten Schicht 300 angeordneten elektrisch isolierenden Schicht 200. 5 shows a sectional side view of a portion of a first section 310 the first circuit board 10 , Shown are parts of the electrically conductive first layer 100 , the electrically conductive second layer 300 and between the electrically conductive first layer 100 and the electrically conductive second layer 300 arranged electrically insulating layer 200 ,

Ein Wärmefluss zwischen der zweiten Schicht 300 und der ersten Schicht 100 muss durch die isolierende Schicht 200 erfolgen. Die isolierende Schicht 200 kann eine wesentlich schlechtere Wärmeleitfähigkeit aufweisen als die erste Schicht 100 und die zweite Schicht 300. Dadurch bildet die isolierende Schicht 200 einen Wärmewiderstand für einen Wärmetransport zwischen der ersten Schicht 100 und der zweiten Schicht 300. A heat flow between the second layer 300 and the first layer 100 must pass through the insulating layer 200 respectively. The insulating layer 200 may have a much lower thermal conductivity than the first layer 100 and the second layer 300 , This forms the insulating layer 200 a thermal resistance for heat transfer between the first layer 100 and the second layer 300 ,

Allerdings kann sich bei der ersten Leiterplatte 10 ein Wärmestrom 400 nicht nur in zur Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 senkrechte Richtung einstellen, sondern auch in Richtungen, die gegenüber der zur Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 senkrechte Richtung geneigt sind. Insbesondere kann sich bei der ersten Leiterplatte 10 ein Wärmestrom 400 in zur Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 parallele Richtung einstellen. Dies ist dadurch begründet, dass in einer zur Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 parallelen Schnittebene, die sich durch den rechteckstufenförmigen Verlauf 210 der isolierenden Schicht 200 erstreckt, sowohl Abschnitte der ersten Schicht 100 als auch Abschnitte der zweiten Schicht 300 angeordnet sind. Dadurch kann ein Wärmestrom 400 zwischen in den Gräben 260 angeordneten Teilen der zweiten Schicht 300 und den in den erhabenen Bereichen 250 angeordneten Teilen der ersten Schicht 100 in zur Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 parallele Richtung fließen. However, the first circuit board may be 10 a heat flow 400 not just in the surface 101 the first layer 100 Adjust the vertical direction, but also in directions opposite to the surface 101 the first layer 100 vertical direction are inclined. In particular, in the first circuit board 10 a heat flow 400 in to the surface 101 the first layer 100 set parallel direction. This is due to the fact that in one to the surface 101 the first layer 100 parallel cutting plane, which is characterized by the rectangular stepped course 210 the insulating layer 200 extends, both sections of the first layer 100 as well as sections of the second layer 300 are arranged. This can cause a heat flow 400 between in the trenches 260 arranged parts of the second layer 300 and in the sublime areas 250 arranged parts of the first layer 100 in to the surface 101 the first layer 100 parallel direction flow.

Durch die Strukturierung 110 der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 und den sich durch die Strukturierung 110 ergebenden rechteckstufenförmigen Verlauf 210 der isolierenden Schicht 200 ist die Kontaktfläche zwischen der ersten Schicht 100 und der isolierenden Schicht 200 größer, als dies bei einer planen Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 und einem entsprechenden planen Verlauf der isolierenden Schicht 200 der Fall wäre. Entsprechend ist auch eine Kontaktfläche zwischen der isolierenden Schicht 200 und der zweiten Schicht 300 bei der ersten Leiterplatte 10 größer, als dies bei einer planen Gestaltung der Grenzfläche zwischen der isolierenden Schicht 200 und der zweiten Schicht 300 der Fall wäre. Dadurch ist die Ausbildung des Wärmestroms 400 zwischen der ersten Schicht 100 und der zweiten Schicht 300 erleichtert. Hierdurch weist die isolierende Schicht 200 einen geringeren Wärmewiderstand auf, als dies bei einer planen Ausbildung der isolierenden Schicht 200 der Fall wäre. By structuring 110 the surface 101 the first layer 100 and through the structuring 110 resulting rectangular step shape 210 the insulating layer 200 is the contact area between the first layer 100 and the insulating layer 200 larger than this with a flat surface 101 the first layer 100 and a corresponding planar course of the insulating layer 200 the case would be. Correspondingly, there is also a contact surface between the insulating layer 200 and the second layer 300 at the first circuit board 10 larger than this in a plan design of the interface between the insulating layer 200 and the second layer 300 the case would be. This is the formation of the heat flow 400 between the first layer 100 and the second layer 300 facilitated. As a result, the insulating layer 200 a lower thermal resistance than in a planar design of the insulating layer 200 the case would be.

Da die isolierende Schicht 200 in allen Abschnitten im Wesentlichen die konstante Dicke 203 aufweist, weist die isolierende Schicht 200 in allen Bereichen eine durch die Dicke 203 vorgegebene elektrische Durchschlagsfestigkeit (Isolationsspannung) auf. Diese ist gegenüber einer elektrischen Durchschlagsfähigkeit einer plan ausgebildeten isolierenden Schicht derselben Dicke 203 im Wesentlichen unverändert. Because the insulating layer 200 in all sections essentially the constant thickness 203 has, has the insulating layer 200 in all areas one through the thickness 203 given electrical breakdown strength (insulation voltage) on. This is opposite to an electrical breakdown capability of a planar insulating layer of the same thickness 203 essentially unchanged.

6 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht einer zweiten Leiterplatte 20. Die zweite Leiterplatte 20 kann durch ein Verfahren hergestellt werden, dessen Ablauf bis einschließlich zum in 3 gezeigten Bearbeitungsstand dem Verfahren zur Herstellung der ersten Leiterplatte 10 entspricht. Anschließend wird zur Herstellung der zweiten Leiterplatte 20 die zweite Schicht 300 in lateraler Richtung strukturiert und teilweise entfernt. Dabei verbleibt die zweite Schicht 300 in den ersten Abschnitten 310 im Wesentlichen vollständig, während sie in den zweiten Abschnitten 320 teilweise entfernt wird. In den zweiten Abschnitten 320 wird die zweite Schicht 300 derart entfernt, dass Teile der zweiten Schicht 300 lediglich noch in den Gräben 260 über der Oberseite 201 der isolierenden Schicht 200 verbleiben. Die in den einzelnen Gräben 260 angeordneten Teile der zweiten Schicht 300 sind dabei elektrisch voneinander getrennt, sodass auch bei der zweiten Leiterplatte 20 die in den ersten Abschnitten 310 verbleibenden Teile der zweiten Schicht 300 durch die zweiten Abschnitte 320 elektrisch gegeneinander isoliert sind. 6 shows a schematic sectional side view of a second circuit board 20 , The second circuit board 20 can be produced by a process whose course up to and including the in 3 shown processing state the method for producing the first circuit board 10 equivalent. Subsequently, for the production of the second circuit board 20 the second layer 300 structured in the lateral direction and partially removed. The second layer remains 300 in the first sections 310 essentially completely while in the second sections 320 partially removed. In the second sections 320 becomes the second layer 300 removed so that parts of the second layer 300 only in the trenches 260 over the top 201 the insulating layer 200 remain. The in the individual trenches 260 arranged parts of the second layer 300 are electrically isolated from each other, so that even with the second circuit board 20 in the first sections 310 remaining parts of the second layer 300 through the second sections 320 are electrically isolated from each other.

Die in den Gräben 260 in den zweiten Abschnitten 320 verbleibenden Teile der zweiten Schicht 300 bei der zweiten Leiterplatte 20 bieten den Vorteil einer weiter verbesserten Wärmeleitung zwischen der ersten Schicht 100 und der zweiten Schicht 300. In den zweiten Abschnitten 320 kann eine Wärmeleitung dabei in den Gräben 260 durch die in den Gräben 260 verbliebenen Teile der zweiten Schicht 300 erfolgen. The ones in the trenches 260 in the second sections 320 remaining parts of the second layer 300 at the second circuit board 20 offer the advantage of further improved heat conduction between the first layer 100 and the second layer 300 , In the second sections 320 may cause heat conduction in the trenches 260 through the in the trenches 260 remaining parts of the second layer 300 respectively.

In 7, 8 und 9 sind weitere Leiterplatten dargestellt, die nachfolgend erläutert werden. Die weiteren Leiterplatten weisen große Übereinstimmungen mit der ersten Leiterplatte 10 der 4 auf. Übereinstimmende Komponenten sind in 7, 8 und 9 mit denselben Bezugszeichen versehen wie in 4. Nachfolgend werden lediglich die Unterschiede zwischen den weiteren Leiterplatten und der ersten Leiterplatte 10 erläutert. In 7 . 8th and 9 Further printed circuit boards are shown, which are explained below. The other circuit boards have great similarities with the first circuit board 10 of the 4 on. Matching components are in 7 . 8th and 9 provided with the same reference numerals as in 4 , Below, only the differences between the other circuit boards and the first circuit board 10 explained.

7 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht einer dritten Leiterplatte 30. Bei der dritten Leiterplatte 30 ist die Strukturierung 110 an der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 so ausgebildet, dass Flanken zwischen den erhabenen Bereichen 250 und den Gräben 260 über der Oberseite 201 der isolierenden Schicht 200 nicht senkrecht, sondern unter einem flacheren Winkel verlaufen. Damit weist die isolierende Schicht 200 bei der dritten Leiterplatte 30 einen abgeflacht rechteckstufenförmigen Verlauf 220 auf. Der abgeflacht rechteckstufenförmige Verlauf 220 kann auch als trapezstufenförmiger Verlauf bezeichnet werden. Die die Strukturierung 110 an der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 bildenden Balken 120 weisen bei der dritten Leiterplatte 30 trapezförmige Querschnitte auf. 7 shows a schematic sectional side view of a third circuit board 30 , At the third circuit board 30 is the structuring 110 on the surface 101 the first layer 100 so formed that flanks between the raised areas 250 and the trenches 260 over the top 201 the insulating layer 200 not perpendicular, but at a shallower angle. This indicates the insulating layer 200 at the third circuit board 30 a flattened rectangular stepped course 220 on. The flattened rectangular stepped course 220 can also be referred to as trapezoidal course. The structuring 110 on the surface 101 the first layer 100 forming beams 120 point at the third circuit board 30 trapezoidal cross sections.

Der abgeflacht rechteckstufenförmige Verlauf 220 der isolierenden Schicht 200 der dritten Leiterplatte 30 bietet gegenüber dem rechteckstufenförmigen Verlauf 210 der isolierenden Schicht 200 bei der ersten Leiterplatte 10 den Vorteil, dass die isolierende Schicht 200 leichter an der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 angeordnet werden kann. Beispielsweise kann die isolierende Schicht 200 bei der dritten Leiterplatte 30 leichter auf die Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 auflaminiert werden. Dafür ist die Vergrößerung der Kontaktflächen zwischen der ersten Schicht 100 und der isolierenden Schicht 200 sowie zwischen der isolierenden Schicht 200 und der zweiten Schicht 300 bei der dritten Leiterplatte 30 geringer als bei der ersten Leiterplatte 10. The flattened rectangular stepped course 220 the insulating layer 200 the third circuit board 30 offers opposite the rectangular stepped course 210 the insulating layer 200 at the first circuit board 10 the advantage that the insulating layer 200 lighter on the surface 101 the first layer 100 can be arranged. For example, the insulating layer 200 in the third circuit board 30 easier on the surface 101 the first layer 100 be laminated. This is due to the enlargement of the contact surfaces between the first layer 100 and the insulating layer 200 and between the insulating layer 200 and the second layer 300 at the third circuit board 30 less than the first circuit board 10 ,

8 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht einer vierten Leiterplatte 40. Bei der vierten Leiterplatte 40 ist die Strukturierung 110 an der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 so ausgebildet, dass die die Strukturierung 110 bildenden Balken 120 dreieckige Querschnittsflächen aufweisen. Damit weist die isolierende Schicht 200 bei der vierten Leiterplatte 40 einen sägezahnförmigen Verlauf 230 auf. 8th shows a schematic sectional side view of a fourth circuit board 40 , At the fourth circuit board 40 is the structuring 110 on the surface 101 the first layer 100 so formed that the structuring 110 forming beams 120 have triangular cross-sectional areas. This indicates the insulating layer 200 at the fourth circuit board 40 a sawtooth course 230 on.

Auch der sägezahnförmige Verlauf 230 bietet gegenüber dem rechteckstufenförmigen Verlauf 210 der ersten Leiterplatte 10 den Vorteil, dass die isolierende Schicht 200 leichter auf die Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 aufgebracht werden kann. Dafür ist die Vergrößerung der Kontaktflächen zwischen der ersten Schicht 100 und der isolierenden Schicht 200 sowie zwischen der isolierenden Schicht 200 und der zweiten Schicht 300 bei der vierten Leiterplatte 40 geringer als bei der ersten Leiterplatte 10. Also the sawtooth course 230 offers opposite the rectangular stepped course 210 the first circuit board 10 the advantage that the insulating layer 200 easier on the surface 101 the first layer 100 can be applied. This is due to the enlargement of the contact surfaces between the first layer 100 and the insulating layer 200 and between the insulating layer 200 and the second layer 300 at the fourth circuit board 40 less than the first circuit board 10 ,

9 zeigt eine schematische geschnittene Seitenansicht einer fünften Leiterplatte 50. Bei der fünften Leiterplatte 50 ist die Strukturierung 110 an der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 wellenförmig ausgebildet. Die die Strukturierung 110 bildenden Balken 120 weisen wellenförmige Querschnittsflächen auf. Die isolierende Schicht 200 besitzt bei der fünften Leiterplatte 50 damit einen wellenförmigen Verlauf 240. Der wellenförmige Verlauf 240 kann beispielsweise die Form einer Sinuskurve aufweisen. 9 shows a schematic sectional side view of a fifth circuit board 50 , At the fifth circuit board 50 is the structuring 110 on the surface 101 the first layer 100 wavy formed. The structuring 110 forming beams 120 have undulating cross-sectional areas. The insulating layer 200 owns at the fifth circuit board 50 thus a wave-shaped course 240 , The wavy course 240 may, for example, have the shape of a sinusoid.

Der wellenförmige Verlauf 240 der isolierenden Schicht 200 der fünften Leiterplatte 50 kann gegenüber dem rechteckstufenförmigen Verlauf 210 der isolierenden Schicht 200 der ersten Leiterplatte 10 den Vorteil bieten, dass sich die isolierende Schicht 200 bei der fünften Leiterplatte 50 einfacher an der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 anordnen lässt. Dafür ist die Vergrößerung der Kontaktflächen zwischen der ersten Schicht 100 und der isolierenden Schicht 200 sowie zwischen der isolierenden Schicht 200 und der zweiten Schicht 300 bei der fünften Leiterplatte 50 geringer als bei der ersten Leiterplatte 10. The wavy course 240 the insulating layer 200 the fifth circuit board 50 can be compared to the rectangular stepped course 210 the insulating layer 200 the first circuit board 10 offer the advantage that the insulating layer 200 at the fifth circuit board 50 easier on the surface 101 the first layer 100 can arrange. This is due to the enlargement of the contact surfaces between the first layer 100 and the insulating layer 200 and between the insulating layer 200 and the second layer 300 at the fifth circuit board 50 less than the first circuit board 10 ,

Ein weiterer Vorteil der dritten Leiterplatte 30, der vierten Leiterplatte 40 und der fünften Leiterplatte 50 gegenüber der ersten Leiterplatte 10 kann darin bestehen, dass sich die Strukturierung 110 an der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 bei der dritten Leiterplatte 30, der vierten Leiterplatte 40 und der fünften Leiterplatte 50 unter Umständen einfacher herstellen lässt als die Strukturierung 110 der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 der ersten Leiterplatte 10. Another advantage of the third circuit board 30 , the fourth circuit board 40 and the fifth circuit board 50 opposite the first circuit board 10 may be that structuring 110 on the surface 101 the first layer 100 at the third circuit board 30 , the fourth circuit board 40 and the fifth circuit board 50 may be easier to produce than the structuring 110 the surface 101 the first layer 100 the first circuit board 10 ,

Bei den in 7, 8 und 9 gezeigten Beispielen der Leiterplatten 30, 40, 50 ist die zweite Schicht 300 in den zweiten Abschnitten 320 jeweils vollständig entfernt. Es ist allerdings auch möglich, die zweite Schicht 300 bei der dritten Leiterplatte 30, der vierten Leiterplatte 40 und der fünften Leiterplatte 50 in den zweiten Abschnitten 320 lediglich teilweise zu entfernen, sodass Teile der zweiten Schicht 300 in den zweiten Abschnitten 320 in den Gräben 260 verbleiben. Dabei ist darauf zu achten, dass die in den Gräben 260 verbleibenden Teile der zweiten Schicht 300 die Teile der zweiten Schicht 300 in den ersten Abschnitten 310 nicht kurzschließen. At the in 7 . 8th and 9 shown examples of printed circuit boards 30 . 40 . 50 is the second layer 300 in the second sections 320 completely removed. It is also possible, however, the second layer 300 at the third circuit board 30 , the fourth circuit board 40 and the fifth circuit board 50 in the second sections 320 only partially remove, so parts of the second layer 300 in the second sections 320 in the trenches 260 remain. It is important to ensure that in the trenches 260 remaining parts of the second layer 300 the parts of the second layer 300 in the first sections 310 do not short-circuit.

Bei den Leiterplatten 10, 20, 30, 40, 50 kann sich an der Unterseite 102 der ersten Schicht 100 jeweils eine weitere isolierende Schicht anschließen, die die erste Schicht 100 gegen eine weitere elektrisch leitende Schicht isoliert. In diesem Fall kann die Unterseite 102 der ersten Schicht 100 eine entsprechend der Strukturierung 110 der Oberfläche 101 der ersten Schicht 100 ausgebildete Strukturierung aufweisen. At the circuit boards 10 . 20 . 30 . 40 . 50 can be at the bottom 102 the first layer 100 each connect a further insulating layer, which is the first layer 100 insulated against another electrically conductive layer. In this case, the bottom can 102 the first layer 100 one according to the structuring 110 the surface 101 the first layer 100 have trained structuring.

Die erste Schicht 100, die isolierende Schicht 200 und die zweite Schicht 300 könnten auch Teil eines elektronischen Halbleiterchips, beispielsweise Teil eines optoelektronischen Halbleiterchips, sein. In diesem Fall könnten die elektrisch leitende erste Schicht 100 und die elektrisch leitende zweite Schicht 300 beispielsweise elektrisch leitende Halbleitermaterialien aufweisen. Die elektrisch isolierende Schicht 200 könnte ein elektrisch isolierendes Halbleitermaterial oder ein anderes elektrisch isolierendes Material aufweisen. The first shift 100 , the insulating layer 200 and the second layer 300 could also be part of an electronic semiconductor chip, for example part of an optoelectronic semiconductor chip. In this case, the electrically conductive first layer 100 and the electrically conductive second layer 300 For example, have electrically conductive semiconductor materials. The electrically insulating layer 200 could comprise an electrically insulating semiconductor material or another electrically insulating material.

Allgemein gesprochen können die erste Schicht 100, die isolierende Schicht 200 und die zweite Schicht 300 Teil einer beliebigen elektronischen Anordnung sein. Dabei ist durch die vergrößerte Kontaktfläche zwischen der ersten Schicht 100 und der isolierenden Schicht 200 sowie zwischen der isolierenden Schicht 200 und der zweiten Schicht 300 eine gute Wärmeleitung zwischen der ersten Schicht 100 und der zweiten Schicht 300 der elektronischen Anordnung möglich. Gleichzeitig sind die erste Schicht 100 und die zweite Schicht 300 der elektronischen Anordnung durch die isolierende Schicht 200 elektrisch gegeneinander isoliert. Generally speaking, the first layer 100 , the insulating layer 200 and the second layer 300 Be part of any electronic device. It is due to the increased contact area between the first layer 100 and the insulating layer 200 and between the insulating layer 200 and the second layer 300 good heat conduction between the first layer 100 and the second layer 300 the electronic arrangement possible. At the same time are the first layer 100 and the second layer 300 the electronic arrangement through the insulating layer 200 electrically isolated from each other.

Die Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele eingeschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen. The invention has been further illustrated and described with reference to the preferred embodiments. However, the invention is not limited to the disclosed examples. Rather, other variations may be deduced therefrom by those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

BezugszeichenlisteLIST OF REFERENCE NUMBERS

10 10
erste Leiterplatte first circuit board
11 11
Schnittebene cutting plane
20 20
zweite Leiterplatte second circuit board
30 30
dritte Leiterplatte third circuit board
40 40
vierte Leiterplatte fourth circuit board
50 50
fünfte Leiterplatte fifth circuit board
100 100
erste Schicht first shift
101 101
Oberfläche surface
102 102
Unterseite bottom
110 110
Strukturierung structuring
120 120
Balken bar
121 121
Höhe height
122 122
Breite width
123 123
Abstand distance
200 200
isolierende Schicht insulating layer
201 201
Oberseite top
202 202
Unterseite bottom
203 203
Dicke thickness
210 210
rechteckstufenförmiger Verlauf rectangular step-shaped course
220 220
abgeflacht rechteckstufenförmiger (trapezstufenförmiger) Verlauf flattened rectangular (trapezoidal) course
230 230
sägezahnförmiger Verlauf sawtooth course
240 240
wellenförmiger Verlauf wavy course
250 250
erhabener Bereich raised area
260 260
Graben dig
300 300
zweite Schicht second layer
301 301
Oberseite top
302 302
Unterseite bottom
303 303
Dicke thickness
310 310
erster Abschnitt first section
320 320
zweiter Abschnitt second part
400 400
Wärmestrom heat flow

Claims (14)

Elektronische Anordnung (10, 20, 30, 40, 50) mit einer elektrisch leitenden ersten Schicht (100) und einer elektrisch leitenden zweiten Schicht (300), die durch eine elektrisch isolierende Schicht (200) voneinander getrennt sind, wobei die elektrisch isolierende Schicht (200) an einer Oberfläche (101) der ersten Schicht (100) angeordnet ist, wobei die Oberfläche (101) eine Strukturierung (110) aufweist. Electronic arrangement ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 ) with an electrically conductive first layer ( 100 ) and an electrically conductive second layer ( 300 ) through an electrically insulating layer ( 200 ), wherein the electrically insulating layer ( 200 ) on a surface ( 101 ) of the first layer ( 100 ), the surface ( 101 ) a structuring ( 110 ) having. Elektronische Anordnung (10, 20, 30, 40, 50) gemäß Anspruch 1, wobei die Strukturierung (110) eine Höhenmodulation der Oberfläche (101) bildet. Electronic arrangement ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 ) according to claim 1, wherein the structuring ( 110 ) a height modulation of the surface ( 101 ). Elektronische Anordnung (10, 20, 30, 40, 50) gemäß Anspruch 2, wobei die Strukturierung (110) so ausgebildet ist, dass in einer zur Schichtebene der elektrisch isolierenden Schicht (200) parallelen Schnittebene (11) Abschnitte der ersten Schicht (100) und der zweiten Schicht (300) angeordnet sind. Electronic arrangement ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 ) according to claim 2, wherein the structuring ( 110 ) is formed so that in a to the layer plane of the electrically insulating layer ( 200 ) parallel cutting plane ( 11 ) Sections of the first layer ( 100 ) and the second layer ( 300 ) are arranged. Elektronische Anordnung (10, 20, 30, 40, 50) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die Strukturierung (110) ein regelmäßiges Muster bildet. Electronic arrangement ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 ) according to one of the preceding claims, wherein the structuring ( 110 ) forms a regular pattern. Elektronische Anordnung (10, 20, 30, 40, 50) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch isolierende Schicht (200) an der Oberfläche (101) der ersten Schicht (100) eine im Wesentlichen konstante Dicke (203) aufweist. Electronic arrangement ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 ) according to one of the preceding claims, wherein the electrically insulating layer ( 200 ) on the surface ( 101 ) of the first layer ( 100 ) has a substantially constant thickness ( 203 ) having. Elektronische Anordnung (10, 20, 30, 40, 50) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektrisch isolierende Schicht (200) in einer zur Schichtebene der elektrisch isolierenden Schicht (200) senkrechten Schnittebene einen rechteckstufenförmigen (210), abgeflacht rechteckstufenförmigen (220), sägezahnförmigen (230) oder wellenförmigen (240) Verlauf aufweist. Electronic arrangement ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 ) according to one of the preceding claims, wherein the electrically insulating layer ( 200 ) in a layer plane of the electrically insulating layer ( 200 ) vertical section plane a rectangular stepped ( 210 ), flattened rectangular stepped ( 220 ), sawtooth ( 230 ) or wavy ( 240 ) Course. Elektronische Anordnung (10, 20, 30, 40, 50) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei die elektronische Anordnung (10, 20, 30, 40, 50) als Leiterplatte ausgebildet ist. Electronic arrangement ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 ) according to one of the preceding claims, wherein the electronic device ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 ) is designed as a printed circuit board. Elektronische Anordnung (10, 20, 30, 40, 50) gemäß Anspruch 7, wobei die erste Schicht (100) Aluminium oder Kupfer aufweist. Electronic arrangement ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 ) according to claim 7, wherein the first layer ( 100 ) Comprises aluminum or copper. Elektronische Anordnung (10, 20, 30, 40, 50) gemäß einem der Ansprüche 7 und 8, wobei die zweite Schicht (300) Kupfer aufweist. Electronic arrangement ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 ) according to one of claims 7 and 8, wherein the second layer ( 300 ) Copper has. Elektronische Anordnung (10, 20, 30, 40, 50) gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei die elektronische Anordnung (10, 20, 30, 40, 50) als Halbleiterchip ausgebildet ist. Electronic arrangement ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 ) according to one of claims 1 to 6, wherein the electronic device ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 ) is designed as a semiconductor chip. Verfahren zum Herstellen einer elektronischen Anordnung (10, 20, 30, 40, 50) mit den folgenden Schritten: – Bereitstellen einer elektrisch leitenden ersten Schicht (100); – Erzeugen einer Strukturierung (110) an einer Oberfläche (101) der ersten Schicht (100); – Aufbringen einer elektrisch isolierenden Schicht (200) auf die Oberfläche (101) der ersten Schicht (100). Method for producing an electronic device ( 10 . 20 . 30 . 40 . 50 ) comprising the following steps: - providing an electrically conductive first layer ( 100 ); - generating a structuring ( 110 ) on a surface ( 101 ) of the first layer ( 100 ); Application of an electrically insulating layer ( 200 ) on the surface ( 101 ) of the first layer ( 100 ). Verfahren gemäß Anspruch 11, wobei die Strukturierung (110) durch Feinprägen oder durch Walzen erzeugt wird. Method according to claim 11, wherein the structuring ( 110 ) is produced by fine embossing or by rolling. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 und 12, wobei die elektrisch isolierende Schicht (200) durch Laminieren, durch ein Überschallflammverfahren oder durch Abscheiden aus einer Flüssigkeit aufgebracht wird. Method according to one of claims 11 and 12, wherein the electrically insulating layer ( 200 ) by lamination, by a Supersonic flame method or by deposition from a liquid is applied. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, wobei das Verfahren den folgenden weiteren Schritt umfasst: – Aufbringen einer elektrisch leitenden zweiten Schicht (300) auf die elektrisch isolierende Schicht (200). Method according to one of claims 11 to 13, wherein the method comprises the following further step: - applying an electrically conductive second layer ( 300 ) on the electrically insulating layer ( 200 ).
DE201310219369 2013-09-26 2013-09-26 Electronic device and method for manufacturing an electronic device Withdrawn DE102013219369A1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201310219369 DE102013219369A1 (en) 2013-09-26 2013-09-26 Electronic device and method for manufacturing an electronic device
PCT/EP2014/069885 WO2015044024A1 (en) 2013-09-26 2014-09-18 Electronic arrangement and method for producing an electronic arrangement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE201310219369 DE102013219369A1 (en) 2013-09-26 2013-09-26 Electronic device and method for manufacturing an electronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE102013219369A1 true DE102013219369A1 (en) 2015-03-26

Family

ID=51582394

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE201310219369 Withdrawn DE102013219369A1 (en) 2013-09-26 2013-09-26 Electronic device and method for manufacturing an electronic device

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102013219369A1 (en)
WO (1) WO2015044024A1 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5113315A (en) * 1990-08-07 1992-05-12 Cirqon Technologies Corporation Heat-conductive metal ceramic composite material panel system for improved heat dissipation
DE19529627C1 (en) * 1995-08-11 1997-01-16 Siemens Ag Thermally conductive, electrically insulating connection and method for its production
DE20010663U1 (en) * 2000-06-15 2000-10-26 Schlomka Georg Cooling element and cooling device
DE102004022176A1 (en) * 2004-05-05 2005-12-01 Atmel Germany Gmbh Method for producing passive components on a substrate and component produced by means of such a method
DE102006045127A1 (en) * 2005-09-27 2007-04-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Method for producing a high-density printed circuit board
US8410371B2 (en) * 2009-09-08 2013-04-02 Cree, Inc. Electronic device submounts with thermally conductive vias and light emitting devices including the same

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010021503A (en) * 2008-06-09 2010-01-28 Panasonic Electric Works Co Ltd Circuit board
KR20130096884A (en) * 2012-02-23 2013-09-02 주식회사 트랜스더멀아시아홀딩스 Base substrate for forming circuits pattern and method for fabricating the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5113315A (en) * 1990-08-07 1992-05-12 Cirqon Technologies Corporation Heat-conductive metal ceramic composite material panel system for improved heat dissipation
DE19529627C1 (en) * 1995-08-11 1997-01-16 Siemens Ag Thermally conductive, electrically insulating connection and method for its production
DE20010663U1 (en) * 2000-06-15 2000-10-26 Schlomka Georg Cooling element and cooling device
DE102004022176A1 (en) * 2004-05-05 2005-12-01 Atmel Germany Gmbh Method for producing passive components on a substrate and component produced by means of such a method
DE102006045127A1 (en) * 2005-09-27 2007-04-12 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Method for producing a high-density printed circuit board
US8410371B2 (en) * 2009-09-08 2013-04-02 Cree, Inc. Electronic device submounts with thermally conductive vias and light emitting devices including the same

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015044024A1 (en) 2015-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4318241C2 (en) Metal coated substrate with improved resistance to thermal shock
DE19927046B4 (en) Ceramic-metal substrate as a multi-substrate
DE102011079708B4 (en) SUPPORT DEVICE, ELECTRICAL DEVICE WITH SUPPORT DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
DE2247902A1 (en) Printed circuit board and process for making same
DE102012201172B4 (en) Method for producing a power semiconductor module with embossed base plate
DE102015202256B4 (en) Method of manufacturing a semiconductor device and position gauge
EP2724597A2 (en) Electronic assembly and method for the production thereof
DE102015115805A1 (en) ELECTRONIC COMPONENT
DE102016226231A1 (en) INSULATED BUSBAR, METHOD FOR MANUFACTURING AN INSULATED BUSBAR AND ELECTRONIC DEVICE
DE19516547A1 (en) Printed circuit board with an electrically conductive layer and method for producing a printed circuit board
EP3599636B1 (en) Ceramic circuit carrier and electronic unit
DE102008058003A1 (en) Semiconductor module and method for its production
EP0710432B1 (en) Process for manufacturing printed circuit foils or semifinished products for printed circuit foils, and thus manufactured printed circuit foils and semifinished products
DE3931551C2 (en) Method of making a substrate
DE102013219369A1 (en) Electronic device and method for manufacturing an electronic device
DE112015005933T5 (en) Electronic control device
DE102018207127A1 (en) Method for contacting a metallic contact surface in a printed circuit board and printed circuit board
EP2936950B1 (en) Method for producing a multilayer carrier body
WO1993005631A1 (en) Power electronics substrate and process for making it
DE10223203A1 (en) Electronic component module and method for its production
DE102016211995A1 (en) Method for producing a printed circuit board and printed circuit board
DE202021104331U1 (en) High current circuit board
WO2017001108A1 (en) Circuit support for an electronic circuit, and method for manufacturing a circuit support of said type
DE19913367C1 (en) Method of making an electrical circuit
EP1187195B1 (en) Method of manufacturing field effect transistors in integrated semiconductor circuits

Legal Events

Date Code Title Description
R163 Identified publications notified
R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee